KR101883728B1 - 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법 - Google Patents

전자파 차폐 적층 구조 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 도전층, 상기 도전층의 제1 면에 형성되고 블랙 안료와 유기물을 함유하는 블랙 유기층, 상기 도전층의 면 중 상기 제1 면의 반대면에 형성되고 복수의 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층, 상기 블랙 유기층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 배치되는 제1 보호층 및 상기 도전 입자 함유층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 배치된 제2 보호층을 포함하는 전자파 차폐 적층 구조를 개시한다.

Description

전자파 차폐 적층 구조 제조 방법{Method for manufacturing a multi layer structure for electromagnetic interference shield}
본 발명의 실시예들은 전자파 차폐 적층 구조 및 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법에 관한 것이다.
전자파는 전기적 신호가 발생하는 부품 및 영역에서 발생하고 이러한 전자파는 전기적 신호의 노이즈 및 오작동을 일으킬 수 있고, 나아가 부품의 불량을 일으킬 수도 있다.
현재 가정용 및 산업용으로 많은 전자 소자가 사용되고 있고, 이러한 전자 소자에서 다양한 전자파가 발생하고 있다.
특히, 최근에는, 스마트 폰을 비롯한 휴대 기기의 다기능화가 진행되고 있고, 이러한 예로서 인터넷의 접속 속도 증가, 고화질 화면 처리, 3D화 등을 실현하기 위하여 대용량의 고속 신호 처리가 필요해 지고 있다.
따라서, 이러한 대용량의 신호 처리 및 고속화 처리를 위하여 전기적 신호가 송수신되는 신호선과 같은 전자 소자에서의 노이즈, 불필요한 전기적 간섭을 감소하기 위하여 전자파를 차폐하는 것은 중요한 문제이다.
그러나, 이러한 전자파 차폐를 위한 부재 형성 과정은 복수 회의 공정을 정밀하게 진행하여야 하고 공정 중의 부재에 대한 취급이 용이하지 않아 전자파 차폐를 위한 부재의 제조 특성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명의 실시예들은 전자파 차폐 특성을 향상하고 제조 특성을 용이하게 향상할 수 있는 전자파 차폐 적층 구조 및 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 도전층, 상기 도전층의 제1 면에 형성되고 블랙 안료와 유기물을 함유하는 블랙 유기층, 상기 블랙 유기층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 배치되는 제1 보호층 및 상기 도전 입자 함유층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 배치된 제2 보호층을 포함하는 전자파 차폐 적층 구조를 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 도전층의 면 중 상기 제1 면의 반대면에 형성되고 복수의 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 블랙 유기층은 블랙 안료와 유기물 베이스가 혼합된 형태인 것을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 블랙 유기층은 블랙 안료층 및 상기 블랙 안료층 상에 형성된 유기물 베이스층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 도전 입자 함유층은 금속을 포함하는 복수의 도전 입자와 접착성 모재가 혼합된 형태를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 연성을 갖는 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층의 면 중 상기 베이스 필름을 향하는 면의 반대면인 제1 면에 상기 금속층의 적어도 제1 면의 표면과 반응하는 반응층을 형성하는 단계, 상기 반응층의 면 중 상기 금속층을 향하는 면의 반대면에 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층의 면 중 상기 금속층을 향하는 면의 반대면에 블랙 안료와 유기물을 함유하는 블랙 유기층을 형성하는 단계, 상기 블랙 유기층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제1 보호층을 형성하는 단계, 분리 공정을 통하여 상기 제1 보호층, 블랙 유기층 및 도전층을 포함하는 적층체를 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층으로부터 분리하는 단계, 상기 적층체의 상기 도전층의 면 중 상기 제1 면의 반대면에 복수의 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층을 형성하는 단계, 상기 도전 입자 함유층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제2 보호층을 배치하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 베이스 필름상에 금속층을 형성하기 전에 상기 베이스 필름상에 전처리층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 금속층은 상기 전처리층상에 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 도전층 또는 상기 금속층을 형성하는 단계는 스퍼터링 장치를 이용하여 진행하는 것을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 도전층 또는 상기 금속층을 형성하는 단계는 스퍼터링 장치의 챔버 내에서 롤투롤 방법으로 연속적 스퍼터링 공정을 진행를 이용하여 진행될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 분리 공정을 통하여 상기 제1 보호층, 블랙 유기층 및 도전층을 포함하는 적층체를 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층으로부터 분리하는 단계는 커터 부재를 상기 금속층과 상기 도전층의 사이의 영역에 삽입하여 진행하는 것을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법은, 상기 분리 공정을 통하여 분리된 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층을 포함하는 적층 구조를 보관 후 재활용하는 것을 포함하고, 상기 재활용된 적층 구조 상에 상기 도전층을 형성하는 단계, 블랙 유기층을 형성하는 단계, 제1 보호층을 형성하는 단계를 진행하고 나서, 다시 분리 공정을 진행하는 단계, 도전 입자함유층을 형성하는 단계 및 제2 보호층을 배치하는 단계를 진행하는 것을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 연성을 갖는 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계는 예비 금속층을 형성한 후에 도금층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들의 전자파 차폐 적층 구조 및 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법은 전자파 차폐 특성을 향상하고 제조 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 전자파 차폐 적층 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A의 확대도이다.
도 3은 도 2의 변형예이다.
도 4는 도 1의 B의 확대도이다.
도 5는 도 1의 전자파 차폐 적층 구조의 선택적 실시예를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 관한 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법을 순차적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 7 내지 도 18은 본 발명은 도 6의 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법 및 선택적 실시예를 순차적으로 도시한 도면들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 전자파 차폐 적층 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A의 확대도이고, 도 3은 도 2의 변형예이고, 도 4는 도 1의 B의 확대도이다.
도 1을 참조하면 본 실시예의 전자파 차폐 적층 구조(100)는 도전층(110), 블랙 유기층(120), 도전 입자 함유층(130), 제1 보호층(140) 및 제2 보호층(150)을 포함한다.
도전층(110)은 도전 물질을 포함하는데, 선택적 실시예로서 도전성이 우수한 재질로서 Ag를 포함할 수 있다. 다른 선택적 실시예로서 Au, Pt를 함유할 수도 있다.
도전층(110)은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있고, 선택적 실시예로서 스퍼터링을 이용할 수 있고, 양산성 및 공정 효율성을 위하여 롤투롤 방법을 이용하여 형성될 수도 있다.
블랙 유기층(120)은 상기 도전층(110)의 제1 면, 예를들면 도 1을 기준으로 도전층(110)의 상면에 형성된다. 블랙 유기층(120)은 블랙 안료와 유기물을 함유할 수 있다.
블랙 안료는 블랙 계열의 다양한 안료를 포함할 수 있다. 유기물은 유연성이 있는 재질을 포함할 수 있고 다양한 계열의 수지를 포함할 수 있고, 예를들면 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다.
또한, 다른 예로서 상기 유기물은 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(Polyether lmide: PEI), 또는 폴리에테르술폰(Polyethersulfone)를 함유할 수 있다.
도 2를 참조하면 블랙 유기층(120)은 블랙 안료(121)가 유기물 베이스(122)와 혼합된 상태를 도시하고 있다. 즉, 블랙 유기층(120)은 유기물 베이스(122)에 블랙 안료(121)를 섞어서 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서 도 3을 참조하면 블랙 유기층(120')은 블랙 안료층(121') 및 유기물 베이스층(122')을 포함할 수 있다.
구체적으로 유기물 베이스층(122')상에 블랙 안료층(121')이 형성될 수 있다. 이 때 블랙 안료층(121')은 유기물 베이스층(122')보다 도전층(110)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 예를들면 블랙 안료층(121')은 도전층(110)상에 형성될 수 있다.
상기 유기물 베이스(122) 및 유기물 베이스층(122')의 재료는 전술한 블랙 유기층(120)에서 언급한 유기물의 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있다.
블랙 유기층(120)은 도전층(110)으로부터 박리되지 않거나 박리되는 것이 감소될 수 있다. 블랙 유기층(120)의 유기물 또는 유기물 베이스(122)는 도전층(110)상에 형성 시 비교적 안정적으로 형성되고, 만일 유기물 또는 유기물 베이스(122)이 도전층(110)와 불안정적으로 형성되더라도 접착력이 높은 블랙 안료 물질, 블랙 안료(121)은 도전층(110)상에 안정적으로 형성되어 블랙 유기층(120)을 효과적으로 지지할 수 있고, 도전층(110)으로부터의 박리를 감소하거나 방지할 수 있다.
이와 유사하게 상기 변형예의 경우에도 블랙 안료층(121')이 유기물 베이스층(122')보다 도전층(110)에 가깝게, 구체적 예로서 블랙 안료층(121')이 도전층(110)에 접하도록 형성될 경우 블랙 안료층(121')은 도전층(110)에 안정적으로 배치되어 도전층(110)으로부터 박리되지 않고, 블랙 안료층(121')은 유기물 베이스층(122')에도 안정적으로 형성될 수 있어 블랙 유기층(120')은 전체적으로 도전층(110)상에 안정적으로 형성 및 그 상태를 유지할 수 있다.
도전 입자 함유층(130)은 상기 도전층(110)의 면 중 상기 제1 면의 반대면에 형성될 수 있다. 즉 도전층(110)의 면 중 블랙 유기층(120)이 형성되는 면의 반대면에 도전 입자 함유층(130)이 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면 도전 입자 함유층(130)은 복수의 도전 입자(131)를 함유할 수 있다. 또한, 복수의 도전 입자(131)는 접착성 모재(132)와 혼합된 형태를 가질 수 있다. 즉 복수의 도전 입자(131) 및 접착성 모재(132)를 섞어서 도전 입자 함유층(130)을 형성할 수 있다.
복수의 도전 입자(131)는 도전볼 형태를 가질 수 있고, 선택적 실시예로서 도전성이 우수한 금속 재질일 수 있다.
접착성 모재(132)는 유기물을 함유할 수 있고, 예를들면 에폭시계 수지를 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 접착성 모재(132)는 페놀계 수지, 폴리이미드계 수지 및 FR4(내열성 글래스포 에폭시 수지)를 포함할 수 있다. 또한 다른 예로서 접착성 모재(132)는 폴리메틸메타아크릴레이트(Poly Methyl MethaAcrylate) 또는 폴리카보나이트(poly carbonite) 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다.
제1 보호층(140)은 상기 블랙 유기층(120)의 면 중 상기 도전층(110)을 향하는 면의 반대면을 향하도록 배치될 수 있다.
즉, 도 1을 기준으로 제1 보호층(140)은 블랙 유기층(120)의 상면을 향하도록 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서 제1 보호층(140)과 블랙 유기층(120)의 사이에 점착층(AD)을 형성할 수 있다.
제1 보호층(140)은 다양한 절연물을 이용하여 형성할 수 있고, 예를들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET)을 포함할 수 있다. 선택적 실시예로서 제1 보호층(140)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene napthalate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(Polyether lmide: PEI), 또는 폴리에테르술폰(Polyethersulfone)를 함유할 수도 있다.
제2 보호층(150)은 도전 입자 함유층(130)의 면 중 상기 도전층(110)을 향하는 면의 반대면을 향하도록 배치될 수 있다.
즉, 도 1을 기준으로 제2 보호층(150)은 도전 입자 함유층(130)의 하면을 향하도록 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서 제2 보호층(150)과 도전 입자 함유층(130)의 사이에 점착층(AD)을 형성할 수 있다.
제2 보호층(140)은 다양한 절연물을 이용하여 형성할 수 있고, 예를들면 폴리프로필렌(polypropylene)을 함유할 수 있다. 또 다른 예로서 제2 보호층(140)은 연신 폴리프로필렌 필름(oriented polypropylene, OPP)을 함유할 수 있다.
또한 다른 선택적 실시예로서 제2 보호층(140)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌(Polyethylene) 또는 CPP필름(Casting polypropylene Film)을 포함할 수도 있다.
본 실시예의 전자파 차폐 적층 구조(100)는 도전 입자 함유층(130)을 통하여 전체 영역에 대하여 균일한 전자파 차폐 효과를 가질 수 있다. 또한, 도전 입자 함유층(130)과 인접하도록 도전층(110)을 배치하여 전자파 차폐 효과를 증대할 수 있다.
또한, 블랙 유기층(120)을 도전층(110)상에 형성하여 도전층(110)을 보호할 수 있고, 도전층(110)상에 안정적으로 형성되어 박리 및 손상을 감소 또는 방지할 수 있어서 그 상부에 배치되는 제1 보호층(140)과 안정적 연결을 유지할 수 있다.
도 5는 도 1의 전자파 차폐 적층 구조의 선택적 실시예를 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면 전자파 차폐 적층 구조(200)는 도전층(210), 블랙 유기층(220), 제1 보호층(240) 및 제2 보호층(250)을 포함한다. 또한, 선택적으로 제1 보호층(240)과 블랙 유기층(220)의 사이에 점착층(AD)을 형성할 수 있고, 선택적 실시예로서 제2 보호층(150)과 도전층(110)의 사이에 점착층(AD)을 형성할 수 있다.
도전층(210), 블랙 유기층(220), 제1 보호층(240) 및 제2 보호층(250)은 전술한 도 1 내지 도 4의 실시예에서 설명한 것과 동일하므로 구체적인 구성의 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 관한 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법을 순차적으로 설명하기 위한 순서도이다. 도 7 내지 도 17은 본 발명은 도 6의 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법 및 선택적 실시예를 순차적으로 도시한 도면들이다.
도 6을 참조하면 본 실시예의 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법은 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계(S10), 반응층을 형성하는 단계(S20), 도전층을 형성하는 단계(S30), 블랙 유기층을 형성하는 단계(S40), 제1 보호층을 형성하는 단계(S50), 분리 공정을 통하여 상기 제1 보호층, 블랙 유기층 및 도전층을 포함하는 적층체를 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층으로부터 분리하는 단계(S60), 도전 입자 함유층을 형성하는 단계(S70) 및 제2 보호층을 배치하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.
전술한 도 5에서 설명한 전자파 차폐 적층 구조(200)를 제조 시 도전 입자 함유층을 형성하는 단계(S70)를 생략할 수 있다.
도 7 내지 도 18을 참조하면서 본 실시예의 제조 방법을 더 구체적으로 설명하기로 한다.
또한, 설명의 편의를 위하여 도 7 내지 도 18은 전술한 도 1 또는 도 5에 도시한 전자파 차폐 적층 구조(100, 200)의 제조 방법의 예시를 도시하고 있다.
도 7을 참조하면 베이스 필름(FB)을 준비한다. 베이스 필름(FB)은 다양한 재질로 형성할 수 있고, 예를들면 베이스 필름(FB)은 유연성이 있는 재질을 포함할 수 있고 다양한 계열의 유기물을 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서 베이스 필름(FB)은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다.
또한, 다른 예로서 상기 베이스 필름(FB)은 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(Polyether lmide: PEI), 또는 폴리에테르술폰(Polyethersulfone)를 함유할 수 있다.
그리고 나서 도 8을 참조하면 선택적 실시예로서 베이스 필름(FB)상에 전처리층(PP)을 형성할 수 있다.
전처리층(PP)은 베이스 필름(FB)에 후술할 금속층(MC)을 형성하기 전에 형성되어 베이스 필름(FB)의 표면을 전처리하여 금속층(MC)과 베이스 필름(FB)간 접합력을 향상할 수 있다.
전처리층(PP)은 다양한 계열의 수지를 이용하여 형성할 수 있고, 예를들면 폴리우레탄계 수지, 아크릴계 수지 또는 실리콘계 수지를 함유할 수 있다. 전처리층 (PP)은 일 예로서, 증착법, 코팅법 또는 인쇄법에 의해 형성될 수 있다.
그리고 나서 도 9A를 참조하면 전처리층(PP)상에 금속층(MC)을 형성할 수 있다.
금속층(MC)은 다양한 금속을 포함할 수 있고, 예를들면 구리(Cu)를 포함하도록 형성할 수 있다. 금속층(MC)은 예를들면 스퍼터링 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
다른 선택적 실시예로서 전처리층(PP)없이 베이스 필름(FB)상에 금속층(MC)을 형성할 수도 있다.
금속층(MC)은 적절한 두께를 가질 수 있고, 예를들면 1 내지 20 마이크로 미터를 가질 수 있다. 이를 통하여 후술할 분리 공정을 진행 후 분리되어 재활용 시 내구성을 향상할 수 있다.
또한, 분리 공정을 진행하기 전까지 금속층(MC)의 적절한 두께를 통하여 작업의 안정성을 향상할 수 있다.
도 9B는 도 9A의 선택적 실시예를 도시한 도면이다.
도 9B를 참조하면 전처리층(PP)상에 예비 금속층(MC') 및 도금층(CP)을 형성할 수 있다.
예비 금속층(MC')은 다양한 금속을 포함할 수 있고, 예를들면 구리(Cu)를 포함하도록 형성할 수 있고, 예를들면 스퍼터링 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 도금층(CP)은 예비 금속층(MC')상에 형성하고, 다양한 금속을 포함할 수 있고, 예를들면 구리(Cu)를 포함하도록 형성할 수 있다.
예비 금속층(MC')은 적절한 두께를 가질 수 있고, 예를들면 0.1 내지 0.2 마이크로 미터의 박막으로 형성할 수 있다. 또한, 도금층(CP)은 적절한 두께를 가질 수 있고, 예를들면 1 내지 20 마이크로 미터 두께를 가질 수 있다.
설명의 편의를 위하여 도 9A를 기준으로 설명하나, 도 9B의 구조로 변경하여 그대로 적용할 수 있음은 물론이다.
도 9A의 구조를 형성후 도 10을 참조하면 금속층(MC)상에 반응층(RL)을 형성할 수 있다. 반응층(RL)은 금속층(MC)의 일면과 접할 수 있고, 구체적으로 금속층(MC)의 면 중 베이스 필름(FB)을 향하는 면의 반대면인 제1 면과 접할 수 있다. 이 때 반응층(RL)은 금속층(MC)의 제1 면의 적어도 표면과 반응할 수 있다.
반응층(RL)은 금속층(MC)의 제1 면의 표면과 반응하도록 형성되어 금속층(MC)의 부식을 감소 또는 방지할 수 있다. 예를들면 반응층(RL)은 금속층(MC)의 제1 면의 산화를 감소할 수 있다.
반응층(RL)은 벤조트리아졸(BTA: C6H4N3)을 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서 반응층(RL)은 비정질 합금막을 포함할 수도 있고, 예를들면 Cu, Ag, Zn, Au, Ni, Sn, Mo, Nb, B 중 2종류 이상의 합금을 포함할 수 있다.
또한 다른 예로서 반응층(RL)은 Mo(몰리브덴) 또는 Nb(니오브)를 함유할 수 있다.
그리고 나서 도 11을 참조하면 상기 반응층(RL)의 면 중 상기 금속층(MC)을 향하는 면의 반대면에 도전층(110)을 형성할 수 있다.
도전층(110)은 도전 물질을 포함하는데, 선택적 실시예로서 도전성이 우수한 재질로서 Ag를 포함할 수 있다. 다른 선택적 실시예로서 Au, Pt를 함유할 수도 있다.
도전층(110)은 두께를 갖는데 0.001 내지 1.0 마이크로 미터의 두께를 가질 수 있고, 구체적 예로서 0.1 내지 1.0 마이크로 미터의 두께를 가질 수 있다.
도전층(110)은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있고, 선택적 실시예로서 스퍼터링을 이용할 수 있고, 양산성 및 공정 효율성을 위하여 롤투롤 방법을 이용하여 형성될 수도 있다.
도 12는 도 11에 도시된 본 실시예의 도전층(110)을 형성하기 위한 선택적 실시예를 도시하고 있다.
도 12를 참조하면 스퍼터링 장치(STA)가 도시되어 있다.
스퍼터링 장치(STA)는 챔버(CH), 하나 이상의 스퍼터링 타겟(TG1, TG2, TG3), 스테이지부(BR), 전처리용 타겟(PT), 공급롤(SR) 및 회수롤(CR)을 포함할 수 있다.
스퍼터링 장치(STA)를 이용하여 도전층(110)을 연속적으로 형성, 예를들면 롤투롤 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 특히 전술한 대로 베이스 필름(FB)을 유연한 재질로 형성하고 공급롤(SR)로부터 스테이지부(BR)에 공급하여 스퍼터링을 진행하고, 진행한 베이스 필름(FB)은 회수롤(CR)을 통하여 회수하여 도전층(110)의 제조 효율성을 향상할 수 있다.
스테이지부(BR)는 복수의 스퍼터링 타겟(TG1, TG2, TG3)에 대응하도록 형성될 수 있고, 복수의 스퍼터링 타겟(TG1, TG2, TG3)은 스테이지부(BR)의 외주면을 따라가면서 순차적으로 배열될 수 있다.
선택적 실시예로서 스테이지부(BR)는 원호에 대응하는 외주면을 포함할 수 있고, 예를들면 실린더와 유사한 형태를 가질 수 있다.
또한 다른 선택적 실시예로서 스테이지부(BR)는 롤러 형태로 형성되어 베이스 필름(FB)을 공급롤(SR)로부터 회수롤(CR)방향으로 진행할 수 있고, 롤투롤 공정의 효율성을 증대할 수 있다.
도 12에는 편의상 베이스 필름(FB)만이 공급되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로서 베이스 필름(FB)상에는 도 9에 도시한 것과 같이 전처리층(PP), 금속층(MC) 및 반응층(RL)이 형성되어 있을 수 있다.
또한 선택적 실시예로서 도 12의 스퍼터링 장치(STA)를 이용하여 전술한 도 8의 금속층(MC)을 형성할 수 있다.
이 때, 스퍼터링 장치(STA)는 복수의 스퍼터링 타겟(TG1, TG2, TG3)을 포함할 수 있다. 즉, 예를들면 스퍼터링 타겟(TG1)은 금속층(MC)을 형성하기 위한 타겟이고, 스퍼터링 타겟(TG2)은 도전층(110)을 형성하기 위한 타겟일 수 있다.
스퍼터링을 이용하여 금속층(MC)을 형성하기 전 또는 금속층(MC)을 형성하고 나서 도전층(110)을 형성하기 전에 전처리용 타겟(PT)을 이용한 공정을 진행하여 스퍼터링 공정의 품질을 향상할 수 있다.
다른 선택적 실시예로서 복수의 스퍼터링 타겟(TG1, TG2, TG3) 중 적어도 복수의 스퍼터링 타겟이 하나의 층, 예를들면 도전층(110)을 형성하기 위한 타겟일 수도 있다. 이를 통하여 도전층(110) 형성 효율을 향상하고 도전층(110)의 영역별 균일도를 향상할 수 있다.
선택적 실시예로서 지지 부재(PR1, PR2)가 스테이지부(BR)과 공급롤(SR) 및 회수롤(CR)의 사이에 배치되어 베이스 필름(FB)의 이동을 용이하게 할 수 있다.
그리고 나서 도 13을 참조하면 상기 도전층(110)의 면 중 상기 금속층(MC)을 향하는 면의 반대면에 블랙 유기층(120)을 형성할 수 있다.
블랙 유기층(120)은 블랙 안료와 유기물을 함유할 수 있다. 블랙 유기층(120)을 형성하는 재료 및 이에 대한 선택적 실시예들은 전술한 도 1 내지 도 4의 실시예에서 설명한 블랙 유기층(120, 120')을 선택적으로 적용할 수 있다. 구체적인 내용에 대한 설명은 도 1 내지 도 4의 실시예에서 설명한 바와 같으므로 생략하기로 한다.
블랙 유기층(120)은 도전층(110)상에 형성되고 도전층(110)으로부터 용이하게 박리되지 않고 안정적으로 형성될 수 있다. 특히 블랙 유기층(120)의 블랙 안료는 도전층(110)에 안정적으로 형성될 수 있고 접착성을 가질 수 있다.
블랙 유기층(120)은 도전층(110)에의 안정적 형성을 위하여 적절한 두께를 가질 수 있고, 예를들면 3 내지 5 마이크로 미터의 두께를 가질 수 있고, 더 구체적 예로서 4 마이크로 미터의 두께를 가질 수 있다.
그리고 나서 도 14를 참조하면 상기 블랙 유기층(120)의 면 중 상기 도전층(110)을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제1 보호층(140)을 형성할 수 있다.
제1 보호층(140)은 다양한 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 예를들면 1 보호층(140)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET)를 포함하고 45 내지 55 마이크로, 더 구체적으로 대략 50 마이크로 미터의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서 제1 보호층(140)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene napthalate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(Polyether lmide: PEI), 또는 폴리에테르술폰(Polyethersulfone)를 함유할 수도 있다.
선택적 실시예로서 도 14에 도시한 것과 같이 제1 보호층(140)과 블랙 유기층(120)의 사이에 점착층(AD)을 형성할 수 있다.
점착층(AD)은 제1 보호층(140)보다 얇도록 형성할 수 있고, 예를들면 4 내지 6 마이크로 미터, 구체적 예로서 대략 5 마이크로 미터의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
그리고 나서 도 15를 참조하면 분리 공정을 통하여 상기 제1 보호층(140), 블랙 유기층(120) 및 도전층(110)을 포함하는 적층체를 상기 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL)으로부터 분리할 수 있다.
이러한 분리 공정은 다양한 방법을 이용하여 진행할 수 있는데 도 15에 도시한 대로 커터 부재(CTM)를 이용하여 진행할 수 있다.
도 16은 커터 부재(CTM)를 이용한 분리 공정의 설명을 위하여 도 15의 측면을 포함하는 일부 구성만을 도시한 사시도이다.
즉 도 16을 참조하면 커터 부재(CTM)를 도전층(110)과 반응층(RL)의 사이에 넣어 도전층(110)과 반응층(RL)을 분리할 수 있다.
선택적 실시예로서 커터 부재(CTM)은 도전층(110)과 금속층(MC)의 사이의 일 영역, 즉 반응층(RL)에 대응된 영역에 삽입하여 분리 공정을 진행할 수도 있다.
이 때 커터 부재(CTM)은 일 방향의 길이를 갖는데 선택적 실시예로서 커터 부재(CTM)의 길이는 도전층(110) 및 반응층(RL)의 일 방향의 폭과 같거나 이보다 클 수 있다. 이를 통하여 커터 부재(CTM)의 길이 방향에 대응하는 영역 전체를 도전층(110) 및 반응층(RL)의 사이에 삽입하여 분리 공정을 용이하게 진행할 수 있다.
그리고 나서 도 17을 참조하면 상기 적층체의 상기 도전층(110)의 면 중 상기 제1 면의 반대면에 복수의 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층(130)을 형성하고, 상기 도전 입자 함유층(130)의 면 중 상기 도전층(110)을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제2 보호층(150)을 배치하는 단계를 진행하여 전자파 차폐 적층 구조(100)를 형성할 수 있다.
도 18은 도 17의 선택적 실시예로서 도 17의 도전 입자 함유층(130)이 생략된 구조, 즉 도 5의 전자파 차폐 적층 구조(200)를 도시하고 있다.
도 15 및 도 16의 분리 공정을 통하여 분리된 나머지 구성, 즉 상기 베이스 필름(FB), 전처리층(PP), 금속층(MC) 및 반응층(RL)은 추후 재사용하도록 보관할 수 있다.
즉, 도 15 및 도 16의 과정을 통하여 분리된 상기 베이스 필름(FB), 전처리층(PP), 금속층(MC) 및 반응층(RL)은 도 7 내지 도 10의 과정을 생략하도록 할 수 있고, 이를 통하여 전자파 차폐 적층 구조(100)제조의 효율성을 향상할 수 있다.
또한, 베이스 필름(FB), 전처리층(PP), 금속층(MC) 및 반응층(RL)은 취급하기 용이할 정도로 두꺼운 정도의 두께를 갖고 베이스 필름(FB)을 통하여 유연성을 가지면서 금속층(MC)을 통하여 내구성까지 가지므로 복수 회의 재활용을 용이하게 진행할 수 있다.
분리된 적층체 중 상기 도전층(110)의 면 중 상기 제1 면의 반대면, 즉 블랙 유기층(120)을 향하는 면의 반대면 도전 입자 함유층(130)을 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서 도 17에 도시한 것과 같이 도전 입자 함유층(130)은 복수의 도전 입자(미도시)를 함유할 수 있다. 또한, 복수의 도전 입자(미도시)는 접착성 모재(미도시)와 혼합된 형태를 가질 수 있다. 복수의 도전 입자(미도시)는 도전볼 형태를 가질 수 있고, 선택적 실시예로서 도전성이 우수한 금속 재질일 수 있다. 접착성 모재(미도시)는 유기물을 함유할 수 있고, 예를들면 에폭시계 수지를 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 접착성 모재(132)는 페놀계 수지, 폴리이미드계 수지 및 FR4(내열성 글래스포 에폭시 수지)를 포함할 수 있다. 또한 다른 예로서 접착성 모재(미도시)는 폴리메틸메타아크릴레이트(Poly Methyl MethaAcrylate) 또는 폴리카보나이트(poly carbonite) 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다.
또한 상기 도전 입자 함유층(130)의 면 중 상기 도전층(110)을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제2 보호층(150)을 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서 제2 보호층(150)과 도전 입자 함유층(130)의 사이에 점착층(AD)을 형성할 수 있다.
제2 보호층(140)은 다양한 절연물을 이용하여 형성할 수 있고, 예를들면 폴리프로필렌(polypropylene)을 함유할 수 있다. 또 다른 예로서 제2 보호층(140)은 연신 폴리프로필렌(oriented polypropylene, OPP) 필름을 함유할 수 있다.
또한 다른 선택적 실시예로서 제2 보호층(140)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌(Polyethylene) 또는 CPP필름(Casting polypropylene Film)을 포함할 수도 있다.
제2 보호층(150)은 70 내지 80 마이크로, 더 구체적으로 대략 75 마이크로 미터의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
점착층(AD)은 제2 보호층(140)보다 얇도록 형성할 수 있고, 예를들면 4 내지 6 마이크로 미터, 구체적 예로서 대략 5 마이크로 미터의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
본 실시예의 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법은 도전 입자 함유층(130)을 형성하는 것을 포함하고, 이를 통하여 전자파 차폐 적층 구조 사용 시 전체 영역에 대하여 균일한 전자파 차폐 효과를 가질 수 있다. 또한, 도전 입자 함유층(130)과 인접하도록 도전층(110)을 배치하여 전자파 차폐 효과를 증대할 수 있다.
또한, 블랙 유기층(120)을 도전층(110)상에 형성하여 도전층(110)을 보호할 수 있고, 도전층(110)상에 안정적으로 형성되어 박리 및 손상을 감소 또는 방지할 수 있어서 그 상부에 배치되는 제1 보호층(140)과 안정적 연결을 유지할 수 있다.
또한, 본 실시예의 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법은 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL), 선택적으로 전처리층(PP)을 포함하는 적층 구조에 대하여 도전층(110), 블랙 유기층(120) 및 제1 보호층(140)까지 형성하는 과정을 진행할 수 있다. 이를 통하여 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법의 다수 공정 진행 시 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL), 선택적으로 전처리층(PP)을 포함하는 적층 구조가 일종의 캐리어 또는 작업 받침부 기능을 하여 작업의 효율성을 향상할 수 있고, 전자파 차폐 적층 구조의 제조 시 발생할 수 있는 박리 등 불량 발생을 감소할 수 있다.
특히, 베이스 필름(FB)은 유연한 재질로 형성하여 취급이 용이하도록 하고, 금속층(MC)은 내구성을 확보하도록 하여 전자파 차폐 적층 구조 제조 시 캐리어 또는 작업 받침부의 기능을 원활하게 수행할 수 있다.
또한, 이러한 작업 진행 후 분리 공정을 통하여 최종 전자파 차폐 적층 구조에 불필요한 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL), 선택적으로 전처리층(PP)을 포함하는 적층 구조를 분리할 수 있고, 분리된 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL), 선택적으로 전처리층(PP)을 포함하는 적층 구조는 추후 다시 그대로 재활용할 수 있다. 이를 통하여 전자파 차폐 적층 구조 공정을 단순화할 수 있다.
또한, 분리 공정 진행 시 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL), 선택적으로 전처리층(PP)을 포함하는 적층 구조의 반응층(RL)과 도전층(110)의 사이에 커터 부재(CTM)를 삽입하여 분리 공정을 진행하여 분리 공정을 용이하게 진행할 수 있다.
이 때 반응층(RL)을 통하여 금속층(MC)의 표면을 분리 후에도 보호할 수 있어서 분리 공정 후 베이스 필름(FB), 금속층(MC) 및 반응층(RL), 선택적으로 전처리층(PP)을 포함하는 적층 구조의 변형 및 손상을 감소하여 재활용 횟수를 증가할 수 있다.
또한, 본 실시예의 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법 진행 시 도전층(110)을 형성 시 다양한 방법을 이용할 수 있고 선택적 실시예로서 스퍼터링 장치를 이용할 수 있다. 특히 롤투롤 스퍼터링 장치를 이용하여 연속적으로 한 챔버 내에서 공정을 연속적으로 진행할 수 있어서 도전층(110)의 제조 특성 및 공정 효율성을 향상하고 도전층(110)의 균일성을 확보할 수 있다.
선택적 실시예로서 스퍼터링 장치 내에 복수의 스퍼터링 타겟을 배치하도록 하여 도전층(110)뿐 아니라 금속층(MC)도 동일한 스퍼터링 장치 내에서 진행할 수 있도록 하여 전자파 차폐 적층 구조 제조의 효율성을 향상할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 200: 전자파 차폐 적층 구조
110, 210: 도전층
120, 120', 220: 블랙 유기층
130: 도전 입자 함유층
140, 240: 제1 보호층
150, 250: 제2 보호층
FB: 베이스 필름
PP: 전처리층
MC: 금속층
RL: 반응층
STA: 스퍼터링 장치
CTM: 커터 부재

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 연성을 갖는 베이스 필름상에 전처리층을 형성하는 단계;
    상기 전처리층상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층의 면 중 상기 베이스 필름을 향하는 면의 반대면인 제1 면에 상기 금속층의 적어도 제1 면의 표면과 반응하는 반응층을 형성하는 단계;
    상기 반응층의 면 중 상기 금속층을 향하는 면의 반대면에 도전층을 형성하는 단계;
    상기 도전층의 면 중 상기 금속층을 향하는 면의 반대면에 블랙 안료와 유기물을 함유하는 블랙 유기층을 형성하는 단계;
    상기 블랙 유기층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제1 보호층을 형성하는 단계;
    분리 공정을 통하여 상기 제1 보호층, 블랙 유기층 및 도전층을 포함하는 적층체를 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층으로부터 분리하는 단계;
    상기 적층체의 상기 도전층의 면 중 상기 제1 면의 반대면에 복수의 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층을 형성하는 단계;
    상기 도전 입자 함유층의 면 중 상기 도전층을 향하는 면의 반대면을 향하도록 제2 보호층을 배치하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 도전층 또는 상기 금속층을 형성하는 단계는 스퍼터링 장치를 이용하여 진행하는 것을 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 도전층 또는 상기 금속층을 형성하는 단계는 스퍼터링 장치의 챔버 내에서 롤투롤 방법으로 연속적 스퍼터링 공정을 진행를 이용하여 진행되는 것을 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 분리 공정을 통하여 상기 제1 보호층, 블랙 유기층 및 도전층을 포함하는 적층체를 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층으로부터 분리하는 단계는 커터 부재를 상기 금속층과 상기 도전층의 사이의 영역에 삽입하여 진행하는 것을 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법은,
    상기 분리 공정을 통하여 분리된 상기 베이스 필름, 금속층 및 반응층을 포함하는 적층 구조를 보관 후 재활용하는 것을 포함하고,
    상기 재활용된 적층 구조 상에 상기 도전층을 형성하는 단계, 블랙 유기층을 형성하는 단계, 제1 보호층을 형성하는 단계를 진행하고 나서, 다시 분리 공정을 진행하는 단계, 도전 입자함유층을 형성하는 단계 및 제2 보호층을 배치하는 단계를 진행하는 것을 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법.
  12. 제6 항에 있어서,
    상기 연성을 갖는 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계는 예비 금속층을 형성한 후에 도금층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 적층 구조 제조 방법.
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