KR102437292B1 - 전자파 차폐소재 및 이의 제조방법 - Google Patents

전자파 차폐소재 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 차폐성, 내굴곡성 및 내구성 등의 물성이 우수한 전자파 차폐소재 및 상기 전자파 차폐소재의 제조방법에 관한 것이다.

Description

전자파 차폐소재 및 이의 제조방법{EMI shielding material and manufacturing method of the same}
본 발명은 인쇄회로기판 또는 전자기기에 적용되어 전자파(Electro Magnetic Interference, EMI)를 차폐하는 전자파 차폐소재 및 상기 전자파 차폐소재의 제조방법에 관한 것이다.
정보통신 기술의 눈부신 발전으로 각종 전자기기가 소형화 및 경량화되면서도 정보 전송속도, 처리 용량 등이 크게 향상되고 있다. 상기 전자기기에서 방출되는 전자파가 다른 기기의 회로 내로 유입되면 기기의 오작동이 발생하는 등의 문제를 일으킨다. 최근 보다 빠른 전송속도를 기대하는 5G 전자기기들은 기존의 통신기술보다 높은 주파수 대역을 사용하고 있으며, 이러한 주파수의 상승과 함께 전자파 차폐에 대한 니즈도 커지고 있다.
종래 전자파 차폐 기술로는 박스 형태의 금속 차폐물로 기판 전체를 덮어 전자파를 차폐하는 메탈 캔(Metal Can) 방식을 들 수 있다. 그러나 상기 메탈 캔 방식은 기판 전체를 한 번에 덮어씌우기 때문에 기기의 크기와 두께를 줄이는 데 한계가 있었다. 이에 반도체 패키지 자체에 전자파를 차단하는 금속막을 씌우는 차폐 기술이 등장하게 되었다.
상기 전자파를 차단하는 금속막을 형성하는 기술로는 습식공정인 무전해 도금 또는 전해 도금 등과 같은 도금 방식을 들 수 있다. 상기 도금 방식은 설비가 비교적 간단하여 금속막을 형성하는데 소비되는 비용이 저렴하다는 장점을 가진다. 그러나 도금 방식으로만 형성된 금속막은 막의 조밀도가 낮아 반복적인 굽힘이나 슬라이딩이 이루어져야 하는 기기에서 요구되는 내굴곡성 및 내구성 등을 만족시키지 못하는 문제점이 있었다.
이에 따라 전자파 차폐성, 내굴곡성 및 내구성 등의 물성이 우수한 전자파 차폐소재의 개발이 요구되고 있다.
대한민국공개특허공보 제2019-0011071호
본 발명은 전자파 차폐성, 가스투과성, 내굴곡성 및 내구성 등의 물성이 우수한 전자파 차폐소재를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 상기 전자파 차폐소재의 제조방법을 제공하고자 한다.
또 본 발명은 상기 전자파 차폐소재가 적용된 전자기기를 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 고분자 기재층; 상기 고분자 기재층 상에 구비되고, 개구율이 5 내지 60 %인 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비되고, 기공율이 5 내지 30 %인 금속도금층을 포함하는 전자파 차폐소재를 제공한다.
또한 본 발명은, 고분자 기재 상에 금속재를 스퍼터링하여 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층에 복수의 홀을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 홀이 형성된 금속층 상에 금속물질을 도금하여 금속도금층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐소재의 제조방법을 제공한다.
또 본 발명은, 상기 전자파 차폐소재를 포함하는 전자기기를 제공한다.
본 발명에 따른 전자파 차폐소재는 스퍼터링을 통해 조밀(dense)한 조직을 갖도록 형성된 금속층과, 다공성을 가지는 금속도금층을 포함함에 따라 전자파 차폐성과 더불어 가스투과성, 내굴곡성 및 내구성 등이 우수할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 전자파 차폐소재는 반복적인 굽힘이나 슬라이딩이 이루어지는 전자기기의 전자파를 차폐하는데 유용하게 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐소재를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐소재의 제조과정을 나타낸 공정도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐소재의 제조과정을 설명하기 위한 참고도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 전자파 차폐소재를 광학현미경으로 확인한 이미지이다.
도 6은 본 발명의 실험예 1을 설명하기 위한 참고도이다.
본 발명의 설명 및 청구범위에서 사용된 용어나 단어는, 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 또한 본 발명의 도면에는 구성요소의 폭, 길이, 두께 등이 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
본 발명에 사용된 용어 '~ 상에'는 구성요소 바로 위에 있는 경우를 의미하거나, 그 중간에 또 다른 구성요소가 있는 경우를 포함하는 개념일 수 있다.
본 발명에서 사용된 용어 '층'은 하나의 표면이나 여러 표면 사이를 덮고 있는 막(layer)을 의미하거나, 막의 형태가 아닌 층을 이루는 성분이 불연속적으로 배치되어 하나의 구성요소로 구분되는 경우를 포함하는 개념일 수 있다.
본 발명에서 사용된 용어 '홀'은 서로 다른 구성요소가 대면하도록 뚫려 있는 구멍(hole)을 의미하거나, 대면하지 않도록 뚫려 있는 구멍(groove)을 포함하는 개념일 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 전자파 차폐소재는 고분자 기재층(11), 금속층(12) 및 금속도금층(13)을 포함한다.
본 발명에 따른 전자파 차폐소재에 포함되는 고분자 기재층(11)은 전자파 차폐소재에 절연성, 내구성 등을 부여하는 역할을 한다. 이러한 고분자 기재층(11)은 구체적으로 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리설폰(PS), 폴리에테르설폰(PES) 및 폴리카보네이드(PC) 및 시클로올레핀폴리머(COP)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 성분을 포함할 수 있다.
상기 고분자 기재층(11)의 두께는 50 내지 250 ㎛일 수 있고, 구체적으로 75 내지 100 ㎛일 수 있다. 고분자 기재층(11)의 두께가 상기 범위 내임에 따라 절연성을 부여하면서 후술되는 금속층(12) 및 금속도금층(13)을 보호할 수 있고, 금속층(12)의 제조과정에서 베이스 기재로 원활히 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 전자파 차폐소재에 포함되는 금속층(12)은 전자파 차폐소재에 전자파 차폐성, 가스투과성, 내굴곡성 등을 부여하는 역할을 한다. 이러한 금속층(12)은 개구율이 5 내지 60 %일 수 있고, 구체적으로는 10 내지 30 %일 수 있다. 금속층(12)의 개구율이 상기 범위 내임에 따라 전자파 차폐소재의 전자파 차폐성, 가스투과성 및 내굴곡성을 모두 높일 수 있다.
상기 개구율은 금속층(12)에 존재하는 복수의 홀의 비율을 의미할 수 있다. 즉, 금속층(12)에는 제조과정에서 복수의 홀이 형성되어 개구부(open area)가 존재하게 되는 것으로, 이때, 개구율은 복수의 홀이 형성되기 전의 금속층 전체 표면적 대비 형성된 복수의 홀의 전체 표면적의 비율로 정의될 수 있다.
이러한 금속층(12)은 전기 전도성이 높은 금속으로 이루어질 수 있으며, 구체적으로는 구리, 금, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 성분을 포함할 수 있다.
상기 금속층(12)의 두께는 0.01 내지 10 ㎛일 수 있고, 구체적으로 0.1 내지 6 ㎛일 수 있다. 금속층(12)의 두께가 상기 범위 내임에 따라 내굴곡성 및 가스투과성이 우수하면서 전자파 차폐소재 제조 시 과도한 비용이 소비되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 전자파 차폐소재에 포함되는 금속도금층(13)은 전자파 차폐소재에 전자파 차폐성, 가스투과성 등을 부여하는 역할을 한다. 이러한 금속도금층(13)은 기공율이 5 내지 30 %일 수 있고, 구체적으로는 10 내지 20 %일 수 있다. 금속도금층(13)의 기공율이 상기 범위 내임에 따라 전자파 차폐소재의 전자파 차폐성 및 가스투과성을 높이면서 금속도금층(13)이 적절한 비표면적을 갖게 되어 후술되는 접착제층(14)과의 접착력을 높일 수 있다.
이러한 금속도금층(13)은 전기 전도성이 높은 금속으로 이루어질 수 있으며, 구체적으로는 구리, 은, 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 성분을 포함할 수 있다.
상기 금속도금층(13)의 두께는 0.5 내지 10 ㎛일 수 있고, 구체적으로 1 내지 6 ㎛일 수 있다. 금속도금층(13)의 두께가 상기 범위 내임에 따라 전자파 차폐성 및 가스투과성이 우수할 수 있다.
본 발명에 따른 전자파 차폐소재는 사용편의성을 높이기 위해 금속도금층(13) 상에 구비되는 접착제층(14)을 더 포함할 수 있다. 상기 접착제층(14)은 금속도금층(13)과의 접속 저항을 감소시켜 전자파 차폐소재의 전도성 및 전자파 차폐성을 높이기 위해 전도성 고분자와 금속 필러를 포함할 수 있다.
상기 전도성 고분자는 구체적으로 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌 및 폴리티오펜으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 상기 금속 필러는 구리, 은, 금, 니켈, 팔라듐, 주석 및 티타늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 전자파 차폐소재는 전자파 차폐성, 접속 저항, 표면 신뢰성 등을 높이기 위해 금속도금층(13) 상에 기능성 도금층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 기능성 도금층은 무전해 도금 또는 전해 도금으로 형성되는 것으로, 구리, 은, 금, 니켈, 팔라듐, 주석 및 티타늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 성분을 포함할 수 있다. 상기 성분 중 주석, 은, 또는 금은 상대적으로 낮은 접속 저항으로 접지 성능을 향상시키는 기능을 할 수 있고, 니켈은 강자성 물질을 이용한 자기장 차폐성을 향상시키는 기능을 할 수 있고, 상기 팔라듐, 금, 또는 티타늄은 표면 신뢰성을 향상시키는 기능을 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 전자파 차폐소재는 다음의 과정으로 제조될 수 있다. 여기서 도 2에 도시된 a) 단계 내지 d) 단계가 이루어지는 순서는 특별히 한정되지 않을 수 있다. 즉, 각 단계는 동시에, 순차적으로, 역순으로 또는 혼합적으로 이루어질 수 있다.
먼저, 고분자 기재층(11) 역할을 하는 고분자 기재를 준비하고, 준비된 고분자 기재 상에 금속재를 스퍼터링하여 금속층(12a)을 형성한다(a) 단계). 구체적으로 진공 챔버 내에 금속재와 고분자 기재를 각각 위치시키고 스퍼터링하여 복수의 홀이 형성되기 전의 금속층(12a)을 형성한다.
상기 금속층(12a)은 아르곤, 질소 등과 같은 비활성 기체 존재 하에 0.01 내지 100 Torr(구체적으로는 0.1 내지 30 Torr)의 압력 및 0.01 내지 15 ㎛/min(구체적으로는 0.05 내지 10 ㎛/min)의 증착속도 조건으로 스퍼터링하여 형성될 수 있다.
상기 금속재는 금속 타켓으로, 구체적으로는 구리, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 금속층(12a)을 스퍼터링하여 형성함에 따라 조밀(dense)한 조직을 갖게 되어 내굴곡성 및 내구성이 향상된 전자파 차폐소재를 제공할 수 있다. 즉, 종래에는 전자파 차폐소재로 적용되는 금속막 제조 시 도금 방식만이 적용됨에 따라 금속막이 높은 다공성을 갖게 되어 조밀도가 떨어짐에 따라 금속막의 내굴곡성이 현저히 떨어지는 문제점이 있었다. 그러나 본 발명은 스퍼터링을 통해 금속층(12a)을 형성하여 금속층(12a)이 조밀한 조직을 갖도록 함에 따라 종래 대비하여 내굴곡성이 향상된 전자파 차폐소재를 제공할 수 있다.
상기 형성된 금속층(12a)에 복수의 홀(A)을 형성한다(b) 단계). 즉, 금속층(12a)의 가스투과성을 높이기 위해 금속층(12a)에 복수의 홀(A)을 형성하여 금속층(12)을 형성하는 것으로, 이를 통해 상술한 5 내지 60 %의 개구율을 갖는 금속층(12)을 형성할 수 있다.
상기 복수의 홀(A)은 특정 패턴을 갖거나 불규칙한(산발적) 패턴을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 복수의 홀(A)은 원형, 타원형, 다각형, 별형 등 다양한 형상(수평단면 형상)을 가질 수 있다. 여기서 홀(A) 각각의 크기(D)는 금속층(12)의 내굴곡성, 내구성, 가스투과성 등을 고려할 때, 1 내지 30 ㎛일 수 있고, 구체적으로는 3 내지 20 ㎛일 수 있다.
상기 복수의 홀(A)은 금속층 형성 과정에서 쉐도우 마스크를 사용하거나 금속층 형성 후 별도의 홀(A) 형성 장치를 적용하여 형성할 수 있다. 구체적으로 고분자 기재 상에 쉐도우 마스크를 올려놓고 스퍼터링함에 따라 복수의 홀(A)이 형성된 금속층(12)을 한 번에 형성(a) 단계와 b) 단계 동시 진행)하거나, 스퍼터링하여 금속층(12a)을 형성한 후 별도의 홀(A) 형성 장치을 적용하여 금속층(12a)에 복수의 홀(A)을 형성(a) 단계 후 b) 단계 진행)할 수 있다.
여기서 금속층(12)의 조밀도를 높이면서 완성도를 갖는 홀(A)이 형성될 수 있도록 상기 복수의 홀(A)은 별도의 홀(A) 형성 장치로 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 상기 홀(A) 형성 장치는 도 3에 도시된 바와 같은 롤투롤(roll to roll) 홀 형성 장치일 수 있다.
도 3에 도시된 롤투롤 홀 형성 장치는 메인 롤(Main roll)과 스티키 롤(Sticky roll)을 포함하는 것으로, 상기 롤들 사이에 금속층(12a)이 형성된 고분자 기재를 통과시키는 것에 의해 금속층(12a)에 복수의 홀(A)이 형성될 수 있다. 구체적으로 스티키 롤(Sticky roll)에 특정 패턴을 갖는 돌기 또는 불규칙하게 분포된 돌기가 형성되어 있고, 금속층(12a)이 스티키 롤에 맞닿으면서 통과함에 따라 복수의 홀(A)이 형성되는 것이다.
이러한 금속층(12a)에 형성된 홀의 개수는 1㎟ 당 10 내지 10,000 개, 구체적으로는 100 내지 1000 개일 수 있다.
상기 복수의 홀(A)이 형성된 금속층(12) 상에 금속물질을 도금하여 금속도금층(13)을 형성한다(c) 단계). 상기 금속물질의 도금은 무전해 도금 또는 전해 도금으로 이루어질 수 있으며, 금속도금층(13)의 형성 효율(두께 확보)을 고려할 때, 전해 도금으로 이루어지는 것이 바람직할 수 있다.
상기 금속물질은 구리, 은, 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 이러한 금속물질의 전해 도금 시 금속 이온 공급원, 황산, 염산, 광택제 및 레벨러를 포함하는 전해 도금액이 사용될 수 있다.
상기 전해 도금은 20 내지 40 ℃(구체적으로 25 내지 30 ℃)의 온도 하에서 1 내지 10 A/dm2(구체적으로 1 내지 3 A/dm2)의 전류밀도가 인가되는 조건 하에 이루어질 수 있다.
이와 같이 본 발명은 금속층(12) 상에 금속도금층(13)을 형성함에 따라 전자파 차폐소재의 내굴곡성을 높이면서 경제적으로 전자파 차폐성, 가스투과성 및 전도성 등의 물성을 확보할 수 있다. 즉, 상기 물성을 확보하기 위해서는 금속층(12)의 두께가 일정 수준 이상이어야 하는데, 이러한 두께를 갖는 금속층(12)을 스퍼터링 공정만으로 형성한다면 전자파 차폐소재의 제조비용이 과다하게 높아질 수 있다. 그러나 본 발명은 조밀한 조직을 가지는 금속층(12)을 소정의 두께로 형성한 후, 금속층(12) 상에 공정 비용이 비교적 저렴한 도금 공정으로 금속도금층(13)을 형성하여 전자파 차폐성, 가스투과성 및 전도성을 나타낼 수 있는 두께를 확보함에 따라 내굴곡성, 전자파 차폐성 및 가스투과성이 우수한 전자파 차폐소재를 경제적으로 제조할 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 전자파 차폐소재의 제조과정은 상기 형성된 금속도금층(13) 상에 접착제 조성물을 도포하여 접착제층(14)을 형성하는 과정(d) 단계)을 더 포함할 수 있다.
상기 접착제 조성물은 접착제층(14)이 전도성을 갖도록 전도성 고분자 및 금속 필러를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로 접착제 조성물은, 조성물 총 중량%를 기준으로, 고분자 수지 30 내지 70 중량%, 전도성 고분자 10 내지 60 중량% 및 금속 필러 1 내지 20 중량%를 포함할 수 있다.
상기 고분자 수지는 구체적으로 에폭시 수지, 우레탄 수지 및 아크릴 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 상기 전도성 고분자와 금속 필러에 대한 설명은 상술한 바와 동일하므로 생략하도록 한다.
한편 본 발명은 상술한 전자파 차폐소재를 포함하는 전자기기를 제공한다. 상기 전자기기는 전자파 차폐가 요구되는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 구체적으로 휴대폰, 노트북, 또는 테블릿 등일 수 있다. 상기 전자파 차폐소재는 전자기기의 구성품인 인쇄회로기판, 또는 반도체 패키지 등에 적용되거나, 전자기기 표면에 직접적으로 적용될 수도 있다.
이하, 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 통상의 기술자에게 있어서 명백한 것이며, 이들 만으로 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
두께 25 ㎛인 폴리이미드 시트(고분자 기재)를 진공챔버에 투입하고, 구리 타겟을 스퍼터링하여 폴리이미드 시트 상에 두께 0.1 ㎛인 구리층을 형성하였다. 다음 도 3에 도시된 홀 형성 장치의 롤투롤에 구리층이 형성된 폴리이미드 시트를 통과시켜 구리층에 복수의 홀(홀의 평균 크기(직경): 0.05-0.1 ㎛, 홀의 개수: 600-800)을 형성시켰다(구리층 개구율 20-25 %). 도 4는 복수의 홀 형성 후 구리층 표면을 광학현미경으로 확인한 이미지로, 복수의 홀 형성이 잘 이루어진 것을 확인할 수 있었다.
그 다음, 복수의 홀이 형성된 구리층의 표면을, 125-130 g/L 황산구리, 125-130 g/L 황산, 50 ppm 미만의 염산, 광택제 및 레벨러로 이루어진 전해 도금액으로 도금하여 구리층 표면에 구리도금층(코팅 두께: 3 ㎛)을 형성하였다(구리도금층 기공율 15-20%). 이때, 전해 도금은 상온에서 전류밀도 1-3 A/dm2를 인가하는 것으로 이루어졌다. 도 5는 구리도금층 형성 후 구리도금층 표면을 광학현미경으로 확인한 이미지로, 구리도금층 표면에 기공이 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
다음, 에폭시 수지 50 중량%, 은 필러(평균 직경: 10 ㎛) 5 중량% 및 폴리피롤 45 중량%로 이루어진 전도성 접착제 조성물을 구리도금층 상에 도포 및 경화시켜 접착제층(두께: 9~10 ㎛)을 형성하는 과정을 거쳐 전자파 차폐소재를 제조하였다.
[비교예 1]
알루미늄 캐리어박에 이형층을 형성하고, 이형층이 형성된 알루미늄 캐리어박을 75 g/L 구리염, 110 g/L 착화제, 가성소다 및 수산화칼륨으로 이루어진 무전해 도금에 침적하여 이형층 상에 구리 아일랜드를 형성하였다. 이때, 무전해 도금은 40 ℃에서 20 초 동안 이루어졌다. 이후, 125-130 g/L 황산구리, 125-130 g/L 황산, 50 ppm 미만의 염산, 광택제 및 레벨러로 이루어진 전해 도금액으로 구리 아일랜드 상에 전해 도금을 하여 두께가 3 ㎛이고 기공율이 20-25 %인 다공성 구리층을 형성하였다.
다음, 폴리이미드 필름에 에폭시계 접착제 조성물을 도포하고, 알루미늄 캐리어박과 결합된 다공성 구리층을 접착시킨 후, 이형층을 통해 알루미늄 캐리어박을 제거하였다.
그 다음, 에폭시 수지 50 중량%, 은 필러(평균 직경: 10 ㎛) 5 중량% 및 폴리피롤 45 중량%로 이루어진 전도성 접착제 조성물을 다공성 금속층에 도포 및 경화시켜 접착제층(두께: 9~10 ㎛)을 형성하는 과정을 거쳐 전자파 차폐소재를 제조하였다.
[실험예 1]
실시예 1 및 비교예 1에서 각각 제조된 전자파 차폐소재의 전자파 차폐성을 ASTM-D4935(측정기기: Network Analyzer, GPC7을 이용한 S-parameter 측정, 측정주파수: 500 MHz-18Ghz)에 의거하여 측정하였으며, 그 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6을 참조하면, 실시예 1 및 비교예 1의 전자파 차폐소재가 적용될 경우, 동등 수준의 전자파 차폐성이 나타나는 것을 확인할 수 있다.
[실험예 2]
실시예 1 및 비교예 1에서 각각 제조된 전자파 차폐소재의 내굴곡성을 MIT 테스트(MIT D-2, Radius of Curve: 0.38R, 측정각도: 270도, 속도: 175cycle/min, 하중: 500g, 온도: 25℃)로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
구분 끊어질 때까지의 굴곡 횟수
실시예 1 856
비교예 1 541
상기 표 1을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1의 전자파 차폐소재가 적용될 경우, 내굴곡성이 우수하다는 것을 확인할 수 있다.
11: 고분자 기재층
12: 금속층
13: 금속도금층
14: 접착제층
A: 홀

Claims (10)

  1. 고분자 기재 상에 금속재를 스퍼터링하여 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층에 복수의 홀을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 홀이 형성된 금속층 상에 금속물질을 도금하여 금속도금층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐소재의 제조방법에 있어서
    상기 금속층은 상기 복수의 홀에 의한 개구율이 5 내지 60%이며,
    상기 금속도금층은 기공율이 5 내지 30%인 다공성 금속도금층인 전자파 차폐소재의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 도금은 20 내지 40 ℃의 온도 하에서 1 내지 10 A/dm2의 전류밀도가 인가되는 전해 도금으로 이루어지는 것인 전자파 차폐소재의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속층에 형성된 홀의 개수가 1 ㎟ 당 10 내지 10,000 개인 것인 전자파 차폐소재의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 홀을 형성하는 단계는,
    메인롤과 스티키롤 사이에 상기 금속층이 형성된 고분자기재를 통과시켜 상기 스티키롤에 형성되어 있는 돌기형상을 통하여 홀을 형성하는 단계인, 전자파 차폐소재의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속도금층 상에 접착제 조성물을 도포하여 접착제층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 전자파 차폐소재의 제조방법.
  6. 고분자 기재층;
    상기 고분자 기재층 상에 구비되고, 복수의 홀이 형성되어 상기 복수의 홀에 의한 개구율이 5 내지 60 %인 금속층; 및
    상기 금속층 상에 구비되고, 기공율이 5 내지 30 %인 다공성 금속도금층을 포함하는 전자파 차폐소재.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속층의 두께가 0.01 내지 10 ㎛인 것인 전자파 차폐소재.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속도금층의 두께가 0.5 내지 10 ㎛인 것인 전자파 차폐소재.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속도금층 상에 구비되는 접착제층을 더 포함하는 것인 전자파 차폐소재.
  10. 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 따른 전자파 차폐소재를 포함하는 전자기기.
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