TW567221B - Low-staining adhesive sheets and method for removing resist material - Google Patents

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567221 五、發明說明（！） 發明主

本fs明係關於ρκ X 細加工零件諸如ΐΐΓ:製造各種工業元件，尤其係精 及引線框架之可再剝;%所、材、 的技術。 者片所k成之在黏附體上之污染 相 βρί 技 矽晶圓上而形成％:::置時’經由將抗蝕材料塗布於 成抗姓圖案(薄:二 ^ :用習知的光學加工技術形 J '、、、後將不再需要的抗蝕材早退仃蝕 抗：材料’以形成後續的電二；夂:：：：重複應用 要的抗蝕材料除去。 <万法形成抗蝕圖案後，將不需 男矛々上，不再需要的抗飯材料。 置）、溶劑或化學物質除去。然而、，用灰化裔（灰化裴 材料需耗費長時間。此外，在此情1用灰化器移除抗’虫 -太I 曰0中’而損壞半導體基材的憂岸。另 方面，使用溶劑或化學物質會產 ^ 另 題。 貝θ產生〉可染工作環境的問 因此，最近提出一種利用黏著片之 :具有形成於基礎薄膜上之含感壓性點著劑成， 伤之黏著層的黏著片黏附至抗蝕圖案 ”、' 成 處理（例如，加熱）後，將黏著片剝除 及方、特疋的 黏著片-起自基材除去。然：Π方：：將；，材料與 仗此方法中，有時會觀察

89111303.ptd 第5頁 D0/ZZ1 五、發明說明（2) ___ 到於將抗截材料剝除後，会 物質殘留於基材上，因此7於A量源自黏著片的有機污染 等污染物質除去，而使得此方刻除程序完成後，必需將此 雖然以上說明的例子係關^法並非始終便利。 務上在關於’例如’半導⑦；1敍材料之除去方法，但實 片作為除去存在於基材表$ 2領域中，亦使用類似的黏著 式。換言之，外來物質經黏~、之外來物質（污染物）的方 一起除去。在此情況中，類著片，然後再與黏著片 到大量源自黏著片的有機刖述的情況，有時會觀察 著片使用作為除前述之外貝奴留於基材上。當將黏 的表面保護物、及塗布光罩）士再剝除材料（例如，金屬板 時會觀察到大量源自黏著~ ’類似於前述的情況，有 之表面上。 勺有機 >可染物質殘留於金屬坡 在此等情況下’本發明 可再剝除勒荽Η ，的為提供一種當使用作為 4 ^ m 1 ^ 〇，用於除去抗蝕材料或外來物質， 如基材罩材料等等時，可保護黏附體 物低污ΪΓ生黏；:受源自於黏著片中之有機污染 料另一目的為提供一種利用此黏著片除去抗餘材 明$ t/月人進行密集的研究，α達成此等目的。結果，复 、、亏^ /將黏著片剝除後殘留於黏附體之表面上的此等有擁 木知貝係源自在黏著層中包含作為主成份之感壓性黏著 567221

劑聚合物（例如，丙烯酸系聚合物）。換 ”著劑聚合物具有寬廣的分子量分佈$;ί且 m分子量物質，因而其易發生破裂或m ^、 而使黏附體被有機物質污染。 次内XK作用失效， 換言之，本發明人發現；在具有在 性黏著劑聚合物為主成份著 4，寻朕上3有感反 在剝除黏著片之= = = = ” 本護黏附體，使不受有機 由，：二ϋϊ:見進行進一步的研究，結果發現可經 低分子量物所劑聚合物自不良溶劑再沈殿，使 -刀千里物貝之含夏降低及使分子量之々 大大地消除黏附體被有機物質的污染，因而：：：而 本發明人更發現可經由摻混入多官能化人^ s ”。 黏著劑聚合物（包括低分子量物質）有效地二人|使感壓性 少9 0%之凝膠比率，而A大地消 & Ό ’以產生至 #因此，本發明提供一種具有在基礎薄膜上人=明。 :劑聚合物為主成份之黏著層的低污染性：：感壓性黏 ^壓性黏著劑聚合物實質上不含寡聚低分子旦’其中該 如，感壓性黏著劑聚合物以包含5重量里物質，例 的寡聚低分子量物質較佳，3重量百分比=比或以下之量 明之第一態樣”尤其係此低污染性勒著^以=更佳（本發 性勒著劑聚合物實質上不含具有分子片’ f中該感壓 ，U(J0或以下之低

567221 五、發明說明（4) 分子量物質（本發明之第二態樣）；此低污半性+ 中該感壓性黏著劑聚合物具有i 〇或以下的分子1 1片，其 (重量平均分子量/數目平均分子量）（本發明分一佈程度 樣）；此低污染性黏著片，其中該感壓^態 自不良溶劑再沈澱（本發明之第四態樣）；及此1 I 口物經 著片，其中該黏著層除了感壓性黏著劑聚人^低3染性黏 含用於交聯感壓性黏著劑聚合物的多官=口之外，尚包 之第五態樣）。 匕5物（本發明 本發明更提供此低污染性黏著Μ ， 、 聚合物經交聯，而產生至少9〇%之凝膠比率性黏著劑 不含寡聚低分子量物質（本發明之第六能 ”實質上 其經設計成產〜之;膠二 提著體例，本發明更 r. 八τ成级Μ性黏著取人，， (甲基）丙烯酸烷_為主要單體之丙烯酸系聚」：,物為含 之苐八態樣）；此低污染性黏著二< σ物（本發明 壓性黏著劑聚合物之外，尚包人1、八该黏著層除了感 不飽和雙鍵之可聚合化合物及；八;;二：中具有至少—個 態樣）；及此低污染性黏著片，v 明之第九 再者，本發明提型(本發：之第心 外來物胃，及使用作為再剝除表面：：：除去抗蝕材料及 之低污染性黏著片（本發明^物、光罩材料等等 弟十一恶樣），1 一種抗钱材 89111303.ptd 第8頁 567221 五、發明說明（5) :ί:ΐ:法1其包括將低污染性黏著片黏附至具有抗蝕 :%德：2固化型低污染性黏著片之情況中使其固 除程序將抗蝕材料與黏著片-起自物件除 去（本發明之第十二態樣）。 係 在固化，著片之情況中’此處所使用之「凝膠比率 指於使黏著片在—定條件下固化後所測得之值。 發明之詳細說jg 使用方、本务明之基礎薄膜的較佳例子為塑膠薄膜，其包 括”例如|乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯或乙醯 基纖維素丄且其通常具有自10至1 〇 〇微米之厚度。當待形 成方、基礎4膜上之黏著層為如即將說明於後之光固化型 時，可對其適當地選擇可透過光，例如，紫外光線之塑膠 薄膜。 ^ 在本發明，將通常具有10至180微米厚度之黏著層形成 於基礎薄膜上，而得片材或帶材形式的黏著片。此黏著層 包含感壓性黏著劑聚合物為主成份。感壓性黏著劑聚合物 可為任意類型，只要其具有感壓黏著性，且與物件上之抗 蝕材料或附著於其上的外來物質（污染物、顆粒）高度相^ 即可。換言之，可對其使用一般應用至感壓性黏著劑聚合 物之各種眾所知曉的聚合物。對其使用含有（甲基）丙烯酸 烧S旨為主要單體的丙烯酸系聚合物為特佳。 此一丙烯酸系聚合物可經由使用（甲基）丙烯酸烷酯，即 通常不具有多於1 2個碳原子之醇的丙烯酸或曱基丙烯酸酉旨 (例如’丙稀酸正丁 g旨、丙沐酸2 -乙基己醋）作為主要單

567221 五、發明說明（6) 體，視需要一起使用含羧基或羥基之單體（例如，丙烯 酸、曱基丙烯酸、丙烯酸羥乙酯）或另一改質單體（例如， 乙酸乙稀、丙酸乙烯醋、苯乙烯、丙烯腈、丙稀酿胺、 丙烯酸環氧丙酯），利用習知之方法諸如溶液聚合、乳劑 聚合、懸浮聚合或總體聚合，聚合此等單體而合成得。 如此合成得之丙烯酸系聚合物一般具有寬廣的分子量分 佈範圍。換言之，丙烯酸系聚合物係為含有在自具有分子 量不多於數千之募聚物至具有分子量為數百萬之聚合物之 寬廣範圍内之各種成份之混合物的形態，且具有分子量不 多於數千之寡聚物的含量達數重量百分比至10重量百分 比。本發明之一特色在於使以此一丙烯酸系聚合物為典型 代表的感壓性黏著劑聚合物自不良溶劑再沈澱，以使其成 為實質上不含具有分子量5，0 0 0或以下之低分子量物質， 以1 0，0 0 0或以下較佳。建議分子量分佈程度（重量平均分 子量/數目平均分子量）為1 0或以下，以8或以下較佳，及 5或以下又較佳（但通常不低於2 )。 再沈澱係一種以下列方式進行的處理。在丙烯酸系聚合 物之情況中，將聚合物在其中顯現低溶解度之溶劑（例 如，醇溶劑諸如曱醇、乙醇或異丙醇，或脂族烴溶劑諸如 己烷或石油醚）使用作為不良溶劑。於聚合物溶解於此溶 劑中後，使所產生之混合物在室溫或低溫下靜置，然後將 經如此再沈殿之聚合物回收並乾燥。聚合物中之低分子量 物質的回收方法並不限於此再沈澱處理，而係可對其使用 各種眾所知曉的方法。然而，經進行如前所述之再沈澱處

___ 89111303.ptd 第10頁 567221 五、發明說明（7) 3感氏以：：聚合物包含極少具有 質’因而其可適當地使用於本發明。 機：ΐί二；發現沒有如以習知方式所觀察得之由於有 以再剝除片材之低污染經= 壓性黏著；聚：：子 圍，即i。或以下：分用，有狹窄分子量分佈範 使用於太& 、 刀布矛王度的聚合物而製得。 5〇〇，〇〇〇至5丄〇，:感〇以著劑聚^^^ 3, 〇〇 0, 0 0 0之數目平均八里平均分子量，及自30 0, 000至 分^ g P a、i千均刀子量。此等平均分子量及分子量 尸樂辦广"以由凝膠滲透層析術（GPC)方法以聚苯乙烯為 合物是否包含；；根據分子量分佈曲線而讀認聚 異氰酸酿化合： 物更包含多官能化合物’諸如聚 物，因而提高共環氧化合物或1”丫環丙稀化合 在根據本發明之3 _ 黏著層，及在 1方法中，將多官能化合物預先加至 布後之乾燥步驟形成黏著層之步驟中(即於塗 物與感壓性黏著 熱步驟），經由使多官能化合 分子量成^二物中之低 比率’以至少95% _私、獅反應’以產生至^ 9〇/°之凝膠 夕95/車又么。因此，可製得實質上不含募聚低

五、發明說明（8) 分子量物質的感壓性 已有利用多官能化:者，聚合物。 而，此交聯處理的目°物父聯黏著層而實行的處理。然 含於感壓性黏著劑取^，不在於如同本發明情況中之使包 在於提高黏*齊丨中之低分子量物質聚合，而僅僅 比率最多可提高至約二力。。因此，經由習知之處理，凝膠 之破裂或内聚作用失。大此，無法充份地防止黏著劑 可使用於本發明之:，且無法因而避免黏附體的污染。 化合物、_酸心1=合物㈣t包括多官能環氧 利地使用二或多種多6二 1吖％丙烯化合物。亦可有 交聯。可適當地決定！=化合物之組合，目而獲致充分的 凝膠比率，以至少95二,社能化合物之量以得到至少_之 壓性黏著劑聚合物使。用二。通常建議對每100份重量之感 以2至10份重量較佳使用自°」至3份重量之多官能化合物， 主： = 前所述之特定感壓性黏著劑聚合物為 成伤^者層作為本發明之黏著層。使用除了作為主成 份之如前所述之感壓性黏著劑聚合物外，尚包含在其分子 中具有至少一個不飽和雙鍵之可聚合化合物及聚合引發劑 之固化黏著層為較佳。聚合引發劑為光聚合引發劑，及黏 著層為光固化型為特佳。 如前所述之可聚合化合物為可經由對其施加光或熱能而 固化之在其分子中具有至少一個不飽和雙鍵的非揮發性化 合物。其例子包括苯氧聚乙二醇（曱基）丙烯酸酯、ε —己 内酯（曱基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、聚丙

89111303.ptd 第12頁 567221 五、發明說明（9) 二醇基\丙烯酸Λ、三經甲基丙烧三（甲基）丙稀酸 烯^戍四手六（甲基）丙稀酸酉旨、胺基甲酸醋（甲基）丙 ί ΐ使=卜？，酸賴及募㈣(曱基)：稀酸 建議—' a 之任一者或其兩者以上之混合物。 份重量2 ί1二份气产人之感壓性黏著劑聚合物為自1 〇至4 ◦ 〇 佳。 里使用可斌a化合物，以自50至3 0 0份重量較 自=如前戶:述的聚合弓丨發劑，T使用當照射光時可釋放 香、二ί聚ΐ引發劑，例如，爷基二甲基縮酮、安息 可釋放= 基。亦可對其使用當施加熱能時 件万文自由基之光聚合引發劑，々 ;氧化苯甲醯及偶氮引發劑諸如2,2雙過氧化物諸如 ，每H0份重量之感壓性黏著劑聚合物：自、；;；上 重I之量使用聚合引發劑，以自！至5份重量較自佳。 類型的黏著層可更包含各種眾所知曉的添加劑 可著色劑及老化抑㈣，只要本發明之… 具有如前所述之構造之本發明的低污染性黏著片可 於各種用途，例如，在各種工業元件，尤其 件諸如半導體、電路、各種印刷基材、各種光工及J 2 : :上=舉者外，物質，因而有助於消除 染。此外，此黏著片經由利用低污染性質，而可廣泛地 用於黏著片於使用中或使用後要剝除之各種情況，例如

89111303.ptd 第13頁 567221 五、發明說明（10) 表面保濩、光罩、及其他再剥除用途。 根據本發明，Μ供-種抗银材料之除去方法 用如珂所述之低巧染性黏著片之方法的發明。在此法吏 二’將如前所述：低污染性黏著片視需要在加熱及/或加 材料結合。在固化型低:二:使黏著層與抗麵 後(尤其係在靡型之二？者上^ ηηΛ古4订/ τ七γf月况中，經由照射劑量為3 0 0至3， 笔’、、、耳/平方么为之紫外光線而光固化），、經由剝除: 序將抗蝕材料與低污染性黏著片一起自物件除去。/ μ王 與利用灰化器（灰化裝置）、、交γ |斗 夏j /谷劑或化學物質之習知方法 比較’如前所述的除去方法可交 不用擔心工作環境之污半：：易地進仃。此外，此方法 F衣兄可木、包含於抗蝕材料中之不純物的 注入至晶圓中、或半導體其锊+ 4σ γ +、、ΐ物的 u τ \卞守基材之損壞。再者，在此情況 中，沒有源自低污染性黏著片的古祕、…九仏併 表面上，因此，於將低污举将 # τ 汰从所ΑΑ如产 m 木11黏者片剝除後，無需除去污 乐物貝的程序。因此，；a， 抗餘材料可因而非常方便地除去。 貫施例 本發明現將蒼照以下實絲 ^ .r , Η Θ化例而作更詳細說明。在此等實 施例中，Mw係指丙烯酸系聚合物之重传 指丙烯酸系聚合物之數目平的八工θ十勺 係 ^ ^ . ,, \ 十均/刀子s，及Mw/Mn係指丙烯

S夂糸5^合物之分子量分佛避痒 I φ ^ ^ ,, Λί ^ x f転度。在即將說明於以下實施例 .,b ^ 4. . . ^ 去中，杬蝕薄膜影像A (抗蝕圖案） 係指根據蒼考貫施例1之太、、上 參者實施你Μ 川之方法而形成於半導體晶圓上者。 89111303.ptd 第14頁 567221

將包含PHS(聚經笨乙烯衍生物）及酸產生劑之抗姓劑塗 :於在其表面上形成有氧化物薄膜之矽晶圓(8吋的半導體 ^材）之表面上。於、經由加熱形成圖案、暴露至光及顯影 後，利用乾式蝕刻使用抗蝕圖案作為光罩而將氧化物薄膜 除去。將在經如此加工之矽晶圓上的抗蝕圖案稱為抗 R« /A Λ 「 實施例1 將1，0 0 0克由以習知方式合成得之重量比為3〇/7〇/1〇之 丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸曱酯/丙烯酸之共聚物製成之 丙烯酉夂 4 水合物A(Mw =： 2, 8 0 0，0 0 0 ，M w/Μη = 22)的 27 重 量百分比曱苯溶液與7〇公斤曱醇混合，並在室溫下攪拌Η 分鐘。於攪拌完成後，使混合物靜置15分鐘。接著將沈澱 物溶解，及將溶劑乾燥，而得丨9〇克之丙烯酸系聚合物β的又 f性白色聚合物。經自不良溶劑如此再沈澱之此丙烯酸系 聚合物Β顯現38 0,0 0 0之Mw及3·0之Mw/Mn。根據分子量分佈 曲線’發現此丙烯酸系聚合物B完全不含具有分子量 5 〇，0 0 0或以下之低分子量物質。 將100克之此丙烯酸系聚合物B、50克之聚乙二醇6〇 〇二 丙稀酸酉旨（Shin-Nakamura Kagaku 製造之NK ESTER A- 6 0 0 ™)、50克之聚乙二醇2 0 0二甲基丙烯酸酯 (Shin-Nakamura Kagaku 製造之NK ESTER 4G™)、及3 克之 辛基二曱基縮酮溶解於甲苯中。將如此製得之黏著劑溶液 塗布於由厚度50微米之聚酯薄膜製成的基礎薄膜上，並於 乾燥烘箱中在7(TC及130 °C下各乾燥3分鐘，而形成厚度35

89111303.ptd 567221 五、發明說明（12) 微固：勘著層。如此製得低污染性黏著片。 荖片㈣s!用壓f輥在加熱下將以上製得的低污染性黏 ^ J!， 石夕晶圓上的抗蝕薄膜影像A。缺後使用高壓 = 毫焦耳，平方公分巧 使固化。接著將黏著片與抗蝕薄膜影像a一起剝 影像A自石夕晶圓除去。當於顯微鏡下觀察 :有自石夕晶圓完全除去，且未發現源自於黏著層 的有機 >可染物質。 實施例2 將1>〇〇克於實施例1製得之丙烯酸系聚合物β、1〇〇 烯酸醋(Shin-NakamUra Kagaku 製造之ΝΚ 人 ESTER Α-60 0 ™)、3克之聚異氰酸酯化合 二及3克之…基_溶解於甲苯中二 sr 容液’如同實施例1製備低污染性 二1同實施例1將抗姓薄膜影像A剝除，但使用 如此衣侍之黏者片。當於顯微鏡下觀察時，抗蝕劑婉 晶圓完全除去’且未發現源自於黏著： 比較實施例1 $ Μ /可木欺；貝0 =實施例1製備黏著劑溶液，但在自不良溶劑再沈興 之刖使用1 00克（以固體物質計）之丙烯酸系聚合物又 ，酸系聚合物Β。經由使用如此製得之黏著劑溶液 2例1製備黏著片。然後如同實施例j將抗蝕薄°像 ，除’但使用如此製得之黏著片。當於顯微鏡下觀致 抗蝕劑大部分經自矽晶圓除去，但有源自於黏著層：有機 ΒΙΙ 89111303.ptd 第16頁 567221

五、發明說明（13) 污染物質殘留於其上。 實施例3 將1 0 0克（以固體物質計）之實施例1之丙烯酸系聚合物 A、52克之聚乙二醇6 0 0二丙烯酸酯（Shin-Nakamura

Kagaku 製造之NK ESTER A-6 0 0 TM)、52 克之聚乙二醇2〇〇 二

曱基丙稀酸 5旨（Shin-Nakamura Kagaku 製造之NK ESTER 4G ™)、1· 9克之聚環氧化合物（三菱氣體化學品 (Mitsubishi Gas Chem ical)製造之TETRAD C™)、3 〇 克

之聚異氰酸S旨化合物及5 · 2克之苄基二曱基縮酮溶解於甲 苯中並混合。將如此製得之溶液塗布於由厚度5 〇微米之p 酯薄膜製成的基礎薄膜上，並於乾燥烘箱中在丨3 〇下♦ 燥3分鐘，而形成厚度35微米之交聯光固化黏著声。上 製得低污染性黏著片。 S b ”接下來以下列方式測量此低污染性黏著片之黏著岸 膠比率。f先，使用使用高壓汞燈將厚：固 黏著層照射劑量〗，0 0 0毫焦耳/平方公分之紫固 ft著層固化。於固化後，將15.0克份量之黏著/引’. 〇〇 *升之乙酸乙酯中，並於其中在60。。下攪曰入 、布，及於減壓（1耄米汞柱，i小時）下品^ ^

酯完全除去。製得之濃縮物重"克。因:’因而將乙酸 ，劑的重量相當於14.7克 ’經過“： 率為98%。 曰/、叶异得之凝膠 經由使用此低污染性黏著片，如同實施例!將抗編

567221 五、發明說明（14) 影像A剝除。當於顯微鏡下觀察時，抗餃劑經自矽晶圓完 全除去，且未發現源自於黏著層之有機污染物質。 實施例4

將1 0 0克（以固體物質計）之實施例1之丙烯酸系聚合物 A 100克之小乙一醇600 一丙烯酸@旨（Shin - Nakamura Kagaku 製造之NK ESTER A-6 0 0 ™)、1〇〇 克之聚乙二醇2〇〇 一甲基丙稀酸 g旨（Shin-Nakamura Kagaku 製造之NK ESTER 4G )、1 · 9克之聚環氧化合物（三菱氣體化學品製造之 TETRAD C ™) 、3 0券之命s -純X匕"人 一 ^ U見之來異虱酸酯化合物及5· 2克之苄基 一甲基縮酮溶解於甲笨中廿、、曰人 从、# , ^ ^ W ^ ^ Μ 本Τ亚此合。然後如同實施例3製備 低π木，黏者片，但使用如此製得之溶液。 如同员施例3測得之此低污毕性 的凝膠比率為99%。經由黏：片之光固化黏著層 施例1將抗蝕薄膜吏广'低染性黏著片’如同實 劑經自矽晶圓完全陕去。當於顯微鏡下觀察時，抗蝕 染物質。 、于 且未發現源自於黏著層之有機污 比較實施例2 如同實施例3製備彳異彳一 礎薄膜上之溶液中不使用黏著片，但在待塗布於基 得之此低污染性黏著 ^衣虱化合物。如同實施例3測 方、黏著層之有機污染物質殘留於其 88%。經由使用此低污仇固化黏著層的凝膠比率為 膜影像A剝除。當於顯二，如同實施例2將抗#薄 矽晶圓除去，但有源6从^ _硯_祭日守，抗蝕劑大部分經 ± 0 ’、 * 89111303.ptd 第18頁 567221 五、發明說明（15) ___ 如前所述，在本發明中使用苴中 ~ 由自不良溶劑再沈殿而降低，^包含二物質之含量經 量物質經由利用多官能化合、來5物中之低分子 ^ ^ ,[±|i ^ #] .X#,ι ^ ^ 者劑聚合物實質上不含寡聚低分子口此，感遷性黏 可提供一種不會產生殘留於待使用=。因此，本發明 如，基材）之表面上的有機污穴新，、、·^附體之物件（例 材料及外來物質，及再剝木貝’且有用於除去抗蝕 他材料之低污染性黏著片’。、义面保σ蒦物、光罩材料、及其 染性黏著片將物件上 。本發明更提供一種使用此低污 法。 &餘材料方便地剝除及除去之方 89lH303.Ptd 第19頁 567221 圖式簡單說明 41 89111303.ptd 第20頁

Claims (1)

1. 567221 六 申請專利範圍 合引發劑為央瓦 1 〇.如申、^光聚合引發劑，及該黏著層為光固化型。 剝除以除去5"#專^利範圍第1項之低污染性黏著片，其係待再 ^几钱材料或外來物質’或於使用作為矣而仅·^ 物、先罩材料等等之後待再剝除。 乍為表面保護 U. 一種Ϊ蝕f料之除去方法，其包括將如申請專利r 圍第1項之低巧染性黏著w &s θ > t 甲”月寻利乾 ^^^1 φΛ ^f^^^> 黏著片剝除而將抗蝕材料盥=二使八固化，然後經由將 枓與黏著片一起自物件除去。

   8911]303(替換 H.Ptd 第22頁 567224 六 、+請專^& __2ϋ· 1. 一種低污染性黏著片，包括基礎薄膜及在基礎薄膜上 之含有感壓性黏著 劑聚合物實質上不 物質。 2. 如申請專利範 壓性黏著劑聚合物 均分子量/數目平 3. 如申請專利範 壓性黏著劑聚合物 4. 如申請專利範 著層除了感壓性黏 性黏著劑聚合物的 5. 如申請專利範 壓性黏著劑聚合物 且其實質上不含寡 6. 如申請專利範 少9 5 %之凝膠比率< 7. 如申請專利範 壓性黏著劑聚合物 烯酸系聚合物。 8. 如申請專利範 著層除了感壓性黏 有至少一個不飽和 9. 如申請專利範 劑聚合物之黏著層，其中該感壓性黏著 含分子量1 0，0 0 0或以下之寡聚低分子量 圍第1項之低污染性黏著片，其中該感 具有5或以下之分子量分佈程度（重量平 均分子量）。 圍第1項之低污染性黏著片，其中該感 經自不良溶劑再沈澱。 圍第1項之低污染性黏著片，其中該黏 著劑聚合物之外，尚包含用於交聯感壓 多官能化合物。 圍第1項之低污染性黏著片，其中該感 經交聯，而產生至少9 0 %之凝膠比率， 聚低分子量物質。 圍第5項之低污染性黏著片，其具有至 圍第1項之低污染性黏著片，其中該感 為含（曱基）丙烯酸烷酯為主妻單體之丙 圍第1項之低污染性黏著片，其中該黏 著劑聚合物之外，尚包含在其分子中具 雙鍵之可聚合化合物及聚合引發劑。 圍第8項之低污染性黏著片，其中該聚

   89111303(替換 M.ptd 第21頁