564409 A7 B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係有關於具有相變化型記錄層而當作追記型媒 體使用的光記錄媒體之檢查方法及製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 先前技術 近年，可高密度記錄的光記錄媒體受到囑目。光記錄 媒體中，分爲只能記錄一次無法抹寫的追記型媒體，及可 重複記錄的抹寫型媒體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 追記型媒體因無法抹寫記錄資訊，故適用於有資訊篡 改疑慮的公文等之記錄。追記型媒體中，使用有機色素作 爲記錄材料者十分普遍。可是，以有機色素當作記錄材料 ，在進行媒體之線速度高的高速記錄情況下記錄靈敏度容 易不足，故高傳輸速率難以實現。又，因有機色素的分光 吸收特性和分光反射特性較爲急峻，必須要使用對能應於 記錄、讀取波長的有機色素。因此，例如，在使用較短波 長之記錄、讀取光的上位格式存在的情況下，便有上位格 式用之記錄、讀取光無法記錄、讀取下位格式之媒體。並 且能對應短波長之記錄、讀取光的有機色素在設計及獲取 上也有難題。 另一方面，可抹寫型光記錄媒體中的相變化型，係藉 由雷射光照射改變記錄層的結晶狀態而進行記錄，再藉由 偵測此種狀態變化所導致記錄層之反射率變化而進行讀取 。在覆寫可抹寫相變化型媒體時，在結晶質記錄層上照射 記錄功率等級的雷射光令其熔融，再從熔融狀態急冷藉以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -4 - 564409 A7 __ B7 _ 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成非結晶質記錄標記。消除時，則以消除功率等級的雷 射光照射使記錄層昇溫至結晶化溫度以上而未滿熔點的溫 度，再使其徐冷，使非結晶質記錄標記結晶化。因此，藉 由單一雷射光強度變化連續照射，便可覆寫。 具有相變化型之記錄層的媒體，除了用作上記之抹寫 型以外，亦可能用作追記型媒體。在用作追記型媒體的情 況，必須要使記錄層一經形成非結晶質標記便無法削除或 抹寫。 使用有機色素的追記型媒體中，記錄的同時會發生有 機色素之分解。因此，一般在記錄時的線速度爲2倍時雷 射光的功率必須要在2 1 / 2倍。相對於此在相變化型媒體 用作追記型媒體的情況下，只需記錄用雷射光之照射部份 達到熔點即可。爲了使記錄層瞬間吸收雷射光達到熔點， 記錄用雷射光的功率和記錄時的線速度並無太大相關。因 此’即使錄時的線速度爲2倍’ 錄用雷射光的功率只 需稍微增加即可，是爲有利點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可是，爲了使相變化型媒體用作追記型媒體的有效提 案卻一直未見。 本發明的目的在於提供檢查方法以檢查光記錄媒體是 否能有效地作爲追記型媒體使用。又，本發明的目的在於 提供具有相變化型記錄層且能用作追記型媒體的光記錄媒 體之製造方法。 發明之開示 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（3 ) ：~~ 原本爲了使可抹寫型媒體的相變化型媒體可當成追記 型媒體利用’意即追求使其一度記錄資料後就無法實質上 地覆寫新的資料上去之特性。一般而言，相變化型媒體中 ，要在一度記錄過的資料上覆寫新資料的條件，比起要在 未記錄領域內寫入新增資料之條件要來得嚴苛。因此，爲 了將相變化型媒體當作追記型媒體利用，在所定之記錄條 件中，必須要能容許未記錄領域可寫入新資料，另一方面 還要使已經記錄之資料不能被覆寫。 本發明係提供判定方法來判定受檢對象之光記錄媒體 是否能用作追g5型媒體’上記之目的，係以先對具有相變 化型記錄層之光記錄媒體記錄上最短訊號之C N R在4 5 d B以上的最短訊號，再於該最短訊號之記錄領域上，以 不會使記錄層熔融之功率等級的直流雷射光以和前記最短 訊號記錄時相同的線速度照射後，測定前記最短訊號之載 波的衰減，該載波之衰減在2 0 d B以下則判定光記錄媒 體爲追記型媒體之光記錄媒體檢查方法而達成。 本發明之前記目的，尙還以先對具有相變化型記錄層 之光記錄媒體記錄上隨機訊號，於該隨機訊號的記錄領域 進行讀取動作時所得之最高反射等級令爲R ini，再於前記 隨機訊號記錄領域上，以和前記隨機訊號記錄時相同線速 度照射直流雷射光後，於該照射領域進行讀取動作時所得 之最高反射等級令爲Rtop，最低反射等級令爲Rbottom時 ，無論前記直流雷射光之功率等級是否達到會熔融前記記 錄層，都可滿足 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 訂 線卜 564409 A7 B7 五、發明説明（4 ) (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的光記錄媒體則判定爲追記型媒體之光記錄媒體檢查方法 而達成。 本發明之前記目的，尙還以先對具有相變化型記錄層 之光記錄媒體記錄上隨機訊號，再和前記隨機訊號重疊， 以和前記隨機訊號記錄時相同線速度再次記錄隨機訊號後 ’進行讀取動作時無法讀取訊號之光記錄媒體則判定爲追 記型媒體之光記錄媒體檢查方法而達成。 本發明之前記目的，尙還以先對具有相變化型記錄層 之光記錄媒體記錄上隨機訊號，再以和前記隨機訊號記錄 時相同線速度照射直流雷射光，於該照射領域再次記錄隨 機訊號後，進行讀取動作時，無法讀取訊號之光記錄媒體 則判定爲追記型媒體之光記錄媒體檢查方法而達成。 若根據如上之各光記錄媒體檢查方法，就可有效地判 定受檢對象的光記錄媒體，是否在所定之記錄條件下，不 但可在未記錄領域寫入新資料，而且一度記錄之資料不能 被覆寫。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之前記目的，尙還以一種光記錄媒體之製造方 法達成’該方法係屬於具備至少會形成相變化型之記錄層 的成膜工程’及前記記錄層中至少會將記錄對象領域結晶 化的格式化工程，及前記格式化工程結束後判斷光記錄媒 體係追記型媒體還是抹寫型媒體的檢查工程之光記錄媒體 製造方法’其特徵爲前記檢查工程係具備記錄上最短訊號 之C N R在4 5 d B以上的最短訊號之步驟，及對前記最 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 564409 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 短訊號之記錄領域，以不會使記錄層熔融之功率等級的直 流雷射光以和前記最短訊號記錄時相同的線速度照射之步 驟，及測定前記最短訊號之載波的衰減之步驟，及前記載 波之衰減在2 0 d B以下之光記錄媒體則判定爲追記型媒 體之步驟。 本發明之前記目的，尙還以一種光記錄媒體之製造方 法達成，該方法係屬於具備至少會形成相變化型之記錄層 的成膜工程，及前記記錄層中至少會將記錄對象領域結晶 化的格式化工程，及前記格式化工程結束後判斷光記錄媒 體係追記型媒體還是抹寫型媒體的檢查工程之光記錄媒體 製造方法，其特徵爲前記檢查工程係具備在前記記錄層記 錄上隨機訊號之步驟，及對前記隨機訊號記錄領域，測定 進行讀取動作時所得之最高反射等級Rini之步驟，及對前 記隨機訊號記錄領域，以和前記隨機訊號記錄時相同線速 度照射直流雷射光之步驟，及測定前記照射領域進行讀取 動作時所得之最高反射等級Rtop及最低反射等級Rbottom 之步驟，及前記反射等級Rini、Rtop、與Rbottom若滿足 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 1 的光記錄媒體則判定爲追記型媒體之步驟。 本發明之前記目的，尙還以一種光記錄媒體之製造方 法達成’該方法係屬於具備至少會形成相變化型之記錄層 的成膜工程’及前記記錄層中至少會將記錄對象領域結晶 化的格式化工程，及前記格式化工程結束後判斷光記錄媒 體係追記型媒體還是抹寫型媒體的檢查工程之光記錄媒體 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（6 ) 製造方法，其特徵爲前記檢查工程係具備在前記記錄層記 錄上隨機訊號之步驟，及和前記隨機訊號重疊，以和前記 隨機訊號記錄時相同線速度再次記錄隨機訊號之步驟，及 對前記重疊記錄之隨機訊號進行讀取動作時，無法讀取m 號之光記錄媒體則判定爲追記型媒體之步驟。 本發明之前記目的，尙還以一種光記錄媒體之製造$ 法達成，該方法係屬於具備至少會形成相變化型之記錄胃 的成膜工程，及前記記錄層中至少會將記錄對象領域結日曰曰 化的格式化工程，及前記格式化工程結束後判斷光記錄媒 體係追記型媒體還是抹寫型媒體的檢查工程之光記錄媒體 製造方法，其特徵爲前記檢查工程係具備在前記記錄層記 錄上隨機訊號之步驟，及以和前記隨機訊號記錄時相同線 速度照射直流雷射光之步驟，及於該照射領域再次記錄隨 機訊號之步驟，及對前記再次記錄之隨機訊號進行讀取動 作時’無法讀取訊號之光記錄媒體則判定爲追記型媒體之 步驟。 若根據如上之各光記錄媒體製造方法，就可製造在所 定之記錄條件下不但可在未記錄領域寫入新資料，而且一 度記錄之資料不能被覆寫之光記錄媒體。 圖面之簡單說明 圖1係用以判斷相變化型媒體是否滿足作爲追記型使 用之第一條件的檢查方法流程圖。 圖2係用以判斷相變化型媒體是否滿足作爲追記型使 本紙張尺度適用中函國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γ〇Τ 一 I----^---Μ~~ 裝----„---訂-----線 l· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 564409 A7 B7 五、發明説明（7 ) 用之第二條件的檢查方法流程圖。 圖3係用以判斷相變化型媒體是否滿足作爲追記型使 用之第三條件的檢查方法流程圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4係用以判斷相變化型媒體是否滿足作爲追記型使 用之第四條件的檢查方法流程圖。 圖5係本發明之光記錄媒體之構成例的部份剖面圖。 圖6係本發明之光記錄媒體的其他構成例的部份剖面 圖。 圖7係5 T訊號及記錄波形圖。 圖8係表示結晶構造圖的代用照片，係記錄層之穿透 型電子顯微鏡照片。 圖9係表示D C削除功率與（Rtop + Rbottom) / 2 Rini之 關係圖。 主要元件對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 透光性基體 4 記錄層 5 反射層 6 保護層 20 支持基體 21 誘導溝 31 第一誘電體層 32 第二誘電體層 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 564409 A7 ____ B7 五、發明説明（8 ) 發明之實施形態 以下，將參照添付圖面，來說明本發明之理想實施樣 態。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相變化型媒體，無論抹寫型媒體還是追記型媒體皆要 求提升記錄密度。可是，在爲了提高記錄密度而縮短記錄 標記的情況下，容易產生讀取輸出衰減及顫動增大。針對 於此，特開2000-231725號公報中提出了，藉 由控制最短記錄標記之形狀，以改善讀取輸出衰減及顫動 增大。同公報中，記載著形成後端之最短記錄標記至少有 一部份向前端凸出之形狀，具體而言就是蝙蝠狀之最短記 錄標記的光記錄方法。此種蝙蝠狀的最短記錄標記，可藉 由控制記錄條件而形成。被記錄用雷射光束熔融的記錄層 ’一遠離雷射光束就會急冷而形成非結晶質記錄標記。此 時，藉由控制雷射光束之強度調變模式（pattern)以控制熔融 領域後端附近的冷卻速度，則可使熔融領域後半部再次結 晶化。其結果爲，只有熔融領域前半部非結晶質化，且形 成蝙蝠狀的非結晶質記錄標記。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同公報記載之方法，可將記錄標記的寬度相對地大於 曰己錄標之長度’藉此可抑制音記錄標gH長度縮短而導致 讀取輸出之衰減。因此同公報中，令記錄光之波長爲；I、 記錄光學系統之接物鏡之開口數爲N A時，即使最短記錄 標記長度在0.4 λ / N A以下也能確保有足夠的記錄標記寬度 ，其結果可得到足夠的讀取輸出。又，同公報中，藉由此 種形狀的最短記錄標記，而降低顫動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ ’ · 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（9 ) 另一方面，相變化型媒體中，在一度記錄過的資料上 覆寫新資料的條件，比起要在未記錄領域內寫入新增資料 之條件要來得嚴苛。因此，要在高記錄線速度下有覆寫資 料之可能，必須採用結晶化速度快的記錄層才會有效。這 意味著，爲了將相變化型媒體當作追記型媒體利用，藉由 使用結晶化速度慢的記錄層並將線速度設定爲較快，就能 達到可寫入新資料卻不能覆寫資料之目的。 本發明之發明者們，針對藉由使用結晶化速度慢的記 錄層並將線速度設定爲較快之當作追記型的相變化型媒體 ’進行和上記特開2 0 0 0 - 2 3 1 7 2 5號公報之實施 例所記載之抹寫型媒體一樣，以最短記錄標記長0.4 λ / N A 以下各熔融領域後部再結晶化之條件進行記錄實驗。可是 在此情況下，和上記特開2 0 0 0 - 2 3 1 7 2 5號公報 記載之抹寫型媒體不同地，顫動卻變大了。 追記型媒體在進行高密度記錄時顫動變大的原因，可 以想成以下理由。爲了將相變化型媒體當作追記型媒體使 用，上記實驗中，設置了結晶化速度較慢並令使用線速度 較快。可是此種條件下，若要各熔融領域後部再結晶化的 條件下形成長度0·4 λ / N A以下的最短記錄標記，則因該媒 體的記錄層之結晶化速度較遲而導致熔融後的記錄層難以 再次結晶，故記錄標記後端邊緣的位置容易參差不齊，且 記錄標記的形狀也容易參差不齊。其結果爲，整體顫動有 了最壞影響的最短記錄標記，使得顫動變大了。 基於此種實驗結果，本發明之發明者們爲了防止記錄 本紙張尺度適用中國@家標準（CNS )八4規格（210X297公廣)ΓήΟ - " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10 ) 標記形狀的參差，試圖在抑制記錄層之熔融領域後部之再 結晶化的條件下進行記錄，並防止記錄標記形狀之參差。 具體而言，就是確保足夠的記錄靈敏度，且試圖讓各最短 記錄標記的形狀變成圓形或橢圓形，因應記錄線速度，在 控制記錄層之結晶化速度急媒體的熱設計的同時，設定最 適合的記錄條件。可是，若單單只是讓最短記錄標記變成 圓形或橢圓，仍會像上記特開2000 — 23 1 725號 公報記載之比較例一樣導致讀取輸出衰減。爲此，本發明 中，選擇了結晶化相對較遲，各結晶- 非結晶質間的反射率變化較大的記錄層之組成。藉此本發 明中，實現了具備可用作追記型媒體之結晶化速度的記錄 層，並且在進行高密度記錄時顫動小，各讀取輸出足夠高 的相變化型媒體。 本發明中，所謂進行高密度記錄時仍能獲得足夠之讀 取輸出，係意指在最短記錄標記在0.4 λ / N A以下的情況， 最短訊號之C N R ( carrier to noise ratio，載波對雜訊比） 在45dB以上，理想在48dB以上。 又，本發明中，滿足當作追記型使用的相變化型媒體 之條件，則例舉了下記第--第四之條件。要將相變化型 媒體當作追記型媒體使用，至少需要滿足下記4條件之其 中一者。 第一條件，係指對具有相變化型記錄層之光記錄媒體 進行最短訊號CNR在4 5 dB以上、理想是在4 8 dB 以上之記錄，各最短訊號記錄後，進行以和記錄時相同的 (請先閲讀背面之注意事項 Φ— 項再填- 裝-- :寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 564409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 ) 線速度於其上照射不會使記錄層熔融之功率等級的雷射光 之削除動作之後，最短訊號之載波的衰減在2 〇 d B以下 ’理想是在1 8 d B以下。若載波之衰減在此範圍內，貝ij 於削除動作後再次記錄之訊號的讀取變爲不可能。先前， 人們便知道可把相變化型媒體當成追記型媒體使用，但用 作追記型所需滿足的條件卻不明確。人們知道可抹寫的相 變化型媒體，若削除率在2 5 d B以上，則削除後可能再 次記錄，亦即可能抹寫。因此，人們推想削除率若不滿2 5 d B ’則不可能抹寫，亦即記錄資料無法篡改。可是根 據本發明的發明者們之硏究，了解到即使削除率不到2 5 d B但若最短訊號之載波衰減還不到2 〇 d B以下，則肖[j 除動作後再記錄之訊號是會被讀取到的。 本發明中，在必須於結晶質記錄層形成非結晶質記錄 標記，另一方面以陰極濺鍍法（spatter)等氣相成長法形成的 情況下，通常相變化型記錄層是以非結晶質層的形式而形 成。因此，記錄前，有必要至少將記錄層的記錄對象領域 結晶化。此結晶化，一般稱爲格式化。可是，剛形成之記 錄層極難結晶化。因此，若本發明中試圖設計使最短訊號 的載波衰減顯著減小，即試圖設計使記錄層之再結晶化變 成顯著困難，則會導致格式化須以極慢的線速度進行，使 得生產性顯著低落。考慮此點，在第一條件中，削除動作 所致最短訊號之衰減以5 d B以上爲理想，於記錄線速度 相對較遲的情況下前記載波之衰減以1 〇 d B以上爲理想 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .—•I 惠事項再4 .裝- 訂 564409 A7 B7 五、發明説明（12 ) 圖1係用以判斷是否滿足上記第一條件的檢查方法流 程圖。 在是否滿足第一條件的檢查中，首先將受檢對象的光 記錄媒體放置在檢查裝置（未圖示）中（步驟S1)。要 作爲檢查裝置，必須至少要能在光記錄媒體上將任意之記 錄訊號（記錄標記）以任意之記錄條件（雷射光之功率、 記錄線速度等）記錄，並且要能測定記錄在光記錄媒體的 記錄標記之載波等級及反射率。但是，這並不意味著本檢 查必須藉由單一檢查裝置行之，亦可以多個裝置來進行。 接著，對檢查裝置將需要記錄在光記錄媒體的記錄訊 號設定成「最短訊號」（步驟S 2 )，再將記錄條件設定 在所定的功率及所定之記錄線速度（步驟S 3 )。 在完成上述設定後，就對受檢對象的光記錄媒體，實 際地記錄上由最短記錄訊號所成之訊號列（步驟S 4 ) ’ 測量其C N R (步驟S 5 )。此處步驟S 5所獲得之 CNR定義作CNR1。 接著，會判斷如上所測得之C N R是否在所定値以上 (步驟S 6 )，當其未滿所定値時，則回到步驟S 3進行 記錄條件之再設定。在此，上記所定値必須要設定在4 5 d B以上，以4 8 d B以上爲理想。 步驟S 6中當判斷C N R在所定値以上時，則對該當 光記錄媒體進行讀取動作，並進行其反射等級之偵測（步 驟S7)。步驟S7中所得最高反射等級定義爲Rtopl。 接著，對檢查裝置’ §5錄訊號設疋成「直纟雷射光束 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公羡) ^15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂---- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 A7 B7 五、發明説明（13 ) 」（步驟S 8 )，再來將記錄條件的記錄線速度設定成和 步驟S 3 —樣之記錄線速度，同時設定使直流雷射光束的 功率強度成階梯式變化（步驟S 9 )。所謂的階梯式變化 ，相對於時脈週期必須要有足夠長的間隔行之，例如可設 定光記錄媒體每旋轉一圏則直流雷射光束的功率會變化一 級。此種設定結束後，就在步驟S 4所記錄之最短訊號列 上，進行功率成階梯式變化的直流雷射光束之照射（步驟 S 1 0 )。 接著，對受檢對象之光記錄媒體再次進行讀取動作， 於個別受不同功率之直流雷射光束照射之各領域進行反射 等級之偵測（步驟s 1 1 )。步驟S 1 1所得之最高反射 等級定義爲Rtop2。 接著，比較步驟S 7所得之反射等級Rtopl與步驟 S 1 1所得之反射等級Rtop2，判斷Rtop2是否在實質上比 Rtopl衰減（步驟S 1 2 )。其結果，當Rtop2實質上比 Rtop 1衰減時，則判定步驟S 8所照射的直流雷射光束導致 記錄層熔融，並回到步驟S 4於新的領域再次記錄由最短 訊號所成之訊號列。 另一方面，步驟S12中，Rtop2比Rtopl沒有實質上 的衰減時，則判定步驟S 8所照射的直流雷射光束並無導 致記錄層熔融，並再次測定C N R (步驟S 1 3 )。此處 ，步驟S 1 3所得之CNR定義爲CNR2。 接著，會判斷步驟S 5所得之C N R 1與步驟S 1 3 所得之CNR2的差（CNR2 - CNR1 )是否在所定 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本貢) -----------：---.——装----：—訂-----線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -16 - 564409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 値以下（步驟S 1 4 )。在此，上記的所定値必須要設定 在2 0 d B以下，以設定在1 8 d B以下爲理想。 然後，CNR1 和 CNR2 的差（CNR2 — CNR 1 )在所定値以下的情況，則判定該當光記錄媒體爲追記 型媒體（步驟S 1 5 )，反之，在超過所定値得情況則判 定該當光記錄媒體爲抹寫型媒體（步驟S 1 6 )。 此外，若考慮光記錄媒體之生產性，則對於步驟 S 1 6所判定爲追記型媒體的光記錄媒體，應再次判斷 CNR1和CNR2的差（CNR2-CNR1)是否在 5 d B以上，理想則爲是否在1 〇 d B以上，當其在5 d B以上不到1 〇 d B的情況時，則判定該當光記錄媒體 不適用於抹寫型媒體及追記型媒體之任何一者爲理想。 藉由以上說明之方法，就可進行用以判斷是否滿足第 一條件之檢查。 第二條件，係指對具有相變化型之記錄層之光記錄媒 體記錄隨機訊號，於該隨機訊號記錄領域進行讀取動作時 所得之最高反射等級令爲Rini，再於前記隨機訊號記錄領 域上，使用直流雷射光以和前記隨機訊號記錄時相同之線 速度照射進行削除動作後，於該照射領域進行讀取動作時 所得之最高反射等級令爲Rtop、最低反射等級令爲Rbottom 時，滿足 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 1 理想則爲 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 0.95 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) -装----Ί. 訂----一#線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 Α7 ____ Β7 五、發明説明（15 ) 之條件。此外，上記所謂反射等級，係指返回光學讀取頭 的光量。又，上記Rini，係存在記錄標記間結晶質領域之 反射等級。 第二條件，必須要不依賴上記直流雷射光的功率等級 而滿足。意即，無論上記直流雷射光是否會熔融記錄層， (Rtop + Rbottom) / 2 Rini都必須要存在於上記範圍內。在直 流雷射光不會熔融記錄層時滿足第二條件的情況下，就意 味著直流雷射光的照射不可能使記錄層的固相結晶化。另 一方面，在直流雷射光會熔融記錄層時滿足第二條件的情 況下，就意味著從熔融狀態冷卻時會使記錄層非結晶質化 。相對於此在可抹寫的相變化型媒體上，令直流雷射光一 邊徐徐增大功率等級一邊照射，則因爲記錄層會在固相結 晶化乃至從液相而結晶化，故會有使（Rtop + Rbottom) / 2 Rini ^ 1的功率等級存在。 此外，上記隨機訊號，以在最適記錄條件下記錄爲理 想。此情況下所謂最適記錄條件，可爲在剛格式化完的記 錄層上記錄時使得顫動最小的記錄條件，或是媒體製造商 推薦之最適記錄條件，係該媒體所屬之規格中所訂定的最 適記錄條件。 圖2係用以判斷是否滿足上述第二條件的檢查方法流 程圖。 用以判斷是否滿足第二條件的檢查中，首先將受檢對 象的光記錄媒體放置在檢查裝置（未圖示）中（步驟 S 2 1 )。要作爲檢查裝置，必須至少要能在光記錄媒體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I----^---·~—裝----^---訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（16 ) 上將任意之記錄訊號（記錄標)以任思之sS錄條件（雷 射光之功率、記錄線速度等）記錄’並且要能測定記錄在 光記錄媒體的記錄標記之載波等級及反射率。但是，這並 不意味著本檢查必須藉由單一檢查裝置行之，亦可以多個 裝置來進行。 接著，對檢查裝置將需要記錄在光記錄媒體的記錄訊 號設定成「隨機訊號」（步驟S 2 2 )，再將記錄條件設 定在所定的功率及所定之記錄線速度（步驟S 2 3 )。 在完成上述設定後，就對受檢對象的光記錄媒體，實 際地記錄上隨機訊號列（步驟S 2 4 )，並測定其顫動（ 步驟S 2 5 ) 〇 接著，判斷如此所測定之顫動是否在所定値以下（步 驟S 2 6 )，當其超過所定値時，則回到步驟S 2 3進行 記錄條件之再次設定。此處，上記的所定値，以設定在9 %以下爲理想，8 %以下則更爲理想。 步驟S 2 6中若判定顚動在所定値以下，則對該當光 記錄媒體進行讀取動作，並進行其反射等級之偵測（步驟 S2 7)。步驟S27所得之最高反射等級定義爲Rini。 接著，對檢查裝置，記錄訊號設定成「直流雷射光束 」（步驟S 2 8 )，再將記錄條件的記錄線速度設定成和 步驟S 2 3 —樣之記錄線速度，同時設定使直流雷射光束 的功率強度成階梯式變化（步驟S 2 9 )。所謂的階梯式 變化，相對於時脈週期必須要有足夠長的間隔行之，例如 可設定光記錄媒體每旋轉一圈則直流雷射光束的功率會變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 19 _ " ^ l·— ~ 裝----：---訂-----^線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（17 ) 化一級。 此種設定結束後，就在步驟S 2 4所記錄之最短_ _ 列上，進行功率成階梯式變化的直流雷射光束之照射（$ 驟 S 3 0 ) 〇 接著，對受檢對象之光記錄媒體再次進行讀取動丨乍， 於個別受不同功率之直流雷射光束照射之各領域進行$ _ 等級之偵測（步驟S 3 1 )。步驟S 3 1所得之最高$ _ 等級定義爲Rtop、最低反射等級定義爲Rbottom。 接著，使用步驟S 2 7所得之反射等級Rini，和歩@ S 3 1所得之反射等級Rtop及Rbottom，判斷它們是否滿 足所定條件（步驟S 3 2 )。此處，上記所定條件爲 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 1 理想則爲 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 0.95 〇 然後，若步驟S 3 2滿足上記所定條件時，則判定言亥 當光記錄媒體係追記型媒體（步驟S 3 3 )，相反地，若 不滿足上記所定條件時，則判定該當光記錄媒體係抹寫型 媒體（步驟S 3 4 )。 藉由以上說明之方法，就可進行用以判斷是否滿足第 二條件之檢查。 第三條件.，係指對具有相變化型之記錄層之光記錄媒 體記錄隨機訊號，並和前記隨機訊號重疊、以和前記隨機 訊號記錄時相同之線速度再次記錄隨機訊號後，進行讀取 動作時，訊號無法讀取。此外，上記隨機訊號，以在最適 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 20 ' I ^ 裴----；---訂-----Φ 線 ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 564409 A7 ____B7 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 記錄條件下記錄爲理想。此情況下所謂最適記錄條件，可 爲在剛格式化完的記錄層上記錄時使得顫動最小的記錄條 件，或是媒體製造商推薦之最適記錄條件，係該媒體所屬 之規格中所訂定的最適記錄條件。 此外，本明細書中所謂的「訊號無法讀取」，係指含 有使6買取戚無法錯灰3了正程度之錯誤的狀態，時脈顚動 理想爲1 3 %強，更理想則爲1 5 %強。 圖3係用以判斷是否滿足上述第三條件的檢查方法流 程圖。 用以判斷是否滿足第三條件的檢查中，首先將受檢對 象的光記錄媒體放置在檢查裝置（未圖示）中（步驟S 4 1 )。要作爲檢查裝置，必須至少要能在光記錄媒體上將 任意之記錄訊號（記錄標記）以任意之記錄條件（雷射光 之功率、記錄線速度等）記錄，並且要能測定記錄在光記 錄媒體的記錄標記之載波等級及反射率。但是，這並不意 味著本檢查必須藉由單一檢查裝置行之，亦可以多個裝置 來進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，對檢查裝置將需要記錄在光記錄媒體的記錄訊 號設定成「隨機訊號」（步驟s 4 2 )，再將記錄條件設 定在所定的功率及所定之記錄線速度（步驟S 4 3 )。 在完成上述設定後，就對受檢對象的光記錄媒體，實 際地記錄上隨機訊號列（步驟S 4 4 )，並測定其顫動（ 步驟S 4 5 )。 接著，判斷如此所測定之顫動是否在所定値以下（步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 A7 B7 五、發明説明（19 ) 驟S 4 6 )，當其超過所定値時，則回到步驟S 4 3進行 記錄條件之再次設定。此處，上記的所定値，以設定在9 %以下爲理想，8 %以下則更爲理想。 步驟S 4 6中若判定顫動在所定値以下，則在步驟s 4 4所記錄之隨機訊號列上，以同樣的條件再次記錄隨機 訊號列（步驟S 4 7 )，並測定其顫動（步驟S 4 8 )。 然後，於步驟S 4 8所測定之顫動，是否能越過表示 含有使讀取訊號無法錯誤訂正程度之錯誤的等級，具體而 言以1 3 %強、理想則爲1 5 %強爲基準來判斷（步驟s 4 9)，當其超過1 3 %強甚或1 5 %強的情況時，則判 定該當光記錄媒體係追記型媒體（步驟S 5 0 )，反之’ 在1 3 %強甚或1 5 %強以下時，則判定該當光記錄媒體 係抹寫型媒體（步驟S 5 1 )。 藉由以上說明之方法，就可進行用以判斷是否滿足第 三條件之檢查。 第四條件，係指對具有相變化型之記錄層之光記錄媒 體記錄隨機訊號，再以和前記隨機訊號記錄時相同之線速 度照射直流雷射光進行削除動作，於該照射領域再次記錄 隨機訊號後，進行讀取動作時，訊號無法讀取。此外，上 記隨機訊號，以在最適記錄條件下記錄爲理想。 第四條件，必須要不依賴上記直流雷射光的功率等級 而滿足。意即，無論上記直流雷射光是否會熔融記錄層， 上記直流雷射光照射後記錄之隨機訊號之讀取必須要爲不 可能。在直流雷射光不會熔融記錄層時滿足第四條件的情 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22 - I L---^~ ~ 装----^---訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本買) 564409 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（20 ) 況下，就意味著直流雷射光的照射不可能使記錄層的固相 結晶化。另一方面，在直流雷射光會熔融記錄層時滿足第 四條件的情況下，就意味著從熔融狀態冷卻時會使記錄層 非結晶質化。相對於此在可抹寫的相變化型媒體上，因直 流雷射光照射導致記錄層會在固相結晶化乃至從液相而結 晶化，故無論哪種情況直流雷射光照射領域都可能再次記 錄。 圖4係用以判斷是否滿足上述第四條件的檢查方法流 程圖。 用以判斷是否滿足第三條件的檢查中，首先將受檢對 象的光記錄媒體放置在檢查裝置（未圖示）中（步驟 S 6 1 )。要作爲檢查裝置，必須至少要能在光記錄媒體 上將任意之記錄訊號（記錄標記）以任意之記錄條件（雷 射光之功率、記錄線速度等）記錄，並且要能測定記錄在 光ρΞ錄媒體的gB錄標記之載波等級及反射率。但是，這並 不意味著本檢查必須藉由單一檢查裝置行之，亦可以多個 裝置來進行。 接著’對檢查裝置將需要記錄在光記錄媒體的記錄訊 號設定成「隨機訊號」（步驟S 6 2 )，再將記錄條件設 定在所定的功率及所定之記錄線速度（步驟S63)。 在完成上述設定後，就對受檢對象的光記錄媒體，實 際地記錄上隨機訊號列（步驟S 6 4 )，並測定其顫動（ 步驟S 6 5 )。 接著，判斷如此所測定之顫動是否在所定値以下（步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 驟S 6 6 )，當其超過所定値時，則回到步驟s 6 3進行 記錄條件之再次設定。此處，上記的所定値，以設定在9 %以下爲理想，8 %以下則更爲理想。 步驟S 6 6中若判定顫動在所定値以下，則對檢查裝 置，記錄訊號設定成「直流雷射光束」（步驟S 6 7 )， 再將記錄條件的記錄線速度設定成和步驟S 6 3 —樣之記 錄線速度，同時設定使直流雷射光束的功率成階梯式變化 (步驟S 6 8 )。所謂的階梯式變化，相對於時脈週期必 須要有足夠長的間隔行之，例如可設定光記錄媒體每旋轉 一圈則直流雷射光束的功率會變化一級。此種設定結束後 ，就在步驟S 6 4所記錄之隨機訊號列上，進行功率成階 梯式變化的直流雷射光束之照射（步驟S 6 9 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，再次對檢查裝置將需要記錄在光記錄媒體的記 錄訊號設定成「隨機訊號」（步驟S 7 0 )，再將記錄條 件設定成和步驟S 6 3相同之條件（步驟S 7 1 )。此種 設定結束後，於步驟S 6 4所記錄之隨機訊號列上，再次 記錄隨機訊號列（步驟S 7 2 )，測定於個別受不同功率 之直流雷射光束照射之各領域的顫動（步驟S 7 3 )。 然後，於步驟S 7 3所測定之顫動，是否能越過表示 含有使讀取訊號無法錯誤訂正程度之錯誤的等級，具體而 言以1 3 %強、理想則爲1 5 %強爲基準來判斷（步驟S 7 4)，當其超過1 3 %強甚或1 5 %強的情況時，則判 定該當光記錄媒體係追記型媒體（步驟S75)，反之， 在1 3 %強甚或1 5 %強以下時，則判定該當光記錄媒體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 A7 __ B7 _ 五、發明説明（22 ) 係抹寫型媒體（步驟S76)。 藉由以上說明之方法，就可進行用以判斷是否滿足第 四條件之檢查。 用以判斷是否滿足上述第一乃至第四條件的檢查，不 須對所有要出貨的光記錄媒體實行，只需在成膜工程及格 式化工程結束後自一批中抽選至少一片光記錄媒體，對抽 選之光記錄媒體進行上述檢查工程，就能判斷構成該批的 光記錄媒體是追記型媒體，還是抹寫型媒體。因此，上述 檢查工程，可爲光記錄媒體之製造工程之一部份，此情況 下，光記錄媒體的製造工程則按照成膜工程、格式化工程 、以及檢查工程之順序而行之。 於光記錄媒體的驅動裝置中，調變記錄、讀取、削除 .用雷射光之強度的驅動訊號內，一般係以比記錄頻率高出 許多的高頻訊號，例如數百MHz程度之高頻訊號所重疊。 本明細書中的直流雷射光，係包含藉由此種高頻重疊直流 訊號所驅動的雷射光。 以下，將說明本發明之檢查方法之受檢對象的光記錄 媒體之構成之一例。 本發明中，因試圖使相對較快的線速度格式化爲可能 ，且即使用較慢的線速度也不能削除記錄標記，故將媒體 的熱設計及記錄層之組成最適化者爲理想。具體而言，試 圖使非結晶質記錄標記之再結晶變爲困難，記錄層較一般 冷卻地更快的構造，亦即做成急冷構造者爲理想。以照射 大直徑雷射光束之大量削除器（bulk eraser)進行格式化時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .25 - ' -----：---.—AW.~ 裝----^---訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564409 A7 B7 五、發明説明（23 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 和使用小直徑雷射光束記錄時不同，因媒體即使爲急冷構 造但記錄層的冷卻速度卻沒這麼快，故格式化所需之線速 度並沒那麼低。因此，若媒體爲急冷構造，則可以比較快 的線速度來格式化，且可以比較慢的線速度來記錄。此外 ，爲了做成急冷構造，可在記錄層上，設置夾著誘電體層 當作放熱層之金屬反射層之構造，或將誘電體層弄薄使記 錄層的熱能迅速傳導至反射層，或提高誘電體層的熱傳導 率或/及反射層的熱傳導率。 本發明中並無特別限定記錄線速度。只不過由於一般 的格式化線速度必須要慢於記錄線速度，故對慢的記錄線 速度最適化的記錄層，必須將格式化線速度顯著放慢，就 會導致媒體的生產性下降。又，對明顯遲緩的線速度最適 化的記錄層，亦有可能無法格式化。另一方面，若記錄線 速度過快，則非機械精確度極度良好的媒體就很難使表面 震動收斂在容許範圍內，或驅動媒體的馬達震動變大等因 素，使得安定地記錄變爲困難。因此，記錄線速度通常在 2〜2 0 m/s，尤其以3〜1 5 m/s的範圍內選擇爲理想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，本發明中，以設置較容易結晶化的記錄層，並且 在格式化之際，令鄰接記錄層的誘電體層向記錄層擴散阻 礙記錄層結晶化之元素者爲理想。藉此可實現能以比較慢 的線速度來格式化，且記錄標記很難再結晶的媒體。爲此 ，在設置至少含有S b及T e的記錄層同時，可設置和該 記錄層鄰接、至少含有S (硫磺）的誘電體層。 接下來要說明本發明之媒體的構成範例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 26 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 A7 _ B7 五、發明説明（24 ) 圖5所示之構造 本發明之光記錄媒體的構成範例示於圖5。此光記錄 媒體’係在透光性基體2上，按照順序具有第一誘電體層 3 1、記錄層4、第二誘電體層3 2、反射層5及保護層 6 ’用來記錄或讀取的雷射光會通過透光性基體2射入。 透光性基體2 透光性基體2，對用來記錄或讀取的雷射光具有透光 性。透光性基體2的厚度，通常爲0.2〜1.2mm，理想則在 0·4〜1.2mm即可。透光性基體2可爲樹脂所成之構成，亦 可爲玻璃所成之構成。光記錄媒體中經常設置的誘導溝（ groove) 2 1，從雷射光入射側來看係存在於正面之領域， 緊臨誘導溝之間存在的凸條係平坦面（1&11(1)2 2。 本發明中，可將平坦面或/及誘導溝當作記錄軌利用 第一誘電體層3 1及第二誘電體層3 2 這些誘電體層，可防止記錄層氧化、變質，且於記錄 時藉由將來自記錄層的熱阻斷乃至往內面方向散逸，而保 護支持基體2 0和透光性基體2。又，設置這些誘電體層 ，可提升調變度。各誘.電體層，亦可爲組成相異之兩層以 上的誘電體層堆疊而構成。 這些誘電體層所採用的誘電體，以含有例如S i 、 I----^----裝----^---訂-----^線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27 - 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（25 )
Ge、Zn、A 1 、希土類元素等選擇至少一種金屬成份 的各種化合物爲理想。化合物則以氧化物、氮化物、甚或 硫化物爲理想，亦可使用含有兩種以上這些化合物的混合 物。 如前述本發明中，鄰接記錄層的誘電體層，係含有阻 礙記錄層結晶化的元素，於格式化之際將格式化條件設定 成會使該元素擴散至記錄層中者爲理想。阻礙記錄層之結 晶化的元素以S爲理想。因此，本發明中，第一誘電體層 3 1及第二誘電體層3 2之至少一者，尤其是第一誘電體 層，含有硫化物者爲理想。硫化物則以可獲得高屈折率的 硫化亞鉛（Z n S )爲理想。只不過以Z n S單體構成之 誘電體層則誘電體層的應力會過強，故以使用Z n S與 S i〇2的混合物（Z n S — S i〇2 )者爲理想。 又，如前述本發明係將媒體做成急冷構造爲理想，爲 此，誘電體層，尤其是第二誘電體層3 2，以熱傳導率高 的誘電體所成者爲理想。熱傳導率高的誘電體，例如以硫 化亞鉛與氧化矽之混合物（Z n S - S i 0 2 )、氮化鋁、 氧化鋁、氮化矽、氧化钽等爲理想，尤其是A 1之氧化物 或/及淡化物、S i之氧化或/及氮化物爲理想。z n S —S i〇2則以含有S i〇23 0〜6 0莫耳％者爲理想。 若S i〇2含量太少，熱傳導率會過低。反之，若s i〇2 含量過多，則因和其他層之密著性不足，長期保存之際層 間容易發生剝離。 第二誘電體層的熱傳導率，理想是在lW/mK以上，更 玉紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）728- 裝 ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 五、發明説明（26 理想者則在1.5 W/mK以上。第二誘電體層的熱傳導率並無 特別上限’但誘電體層可能使用的材料，通常熱傳導率都 在20 W/mK以下。本明細書中第二誘電體層的熱傳導率， 並非在薄膜狀態下測得，而是大量材料之値。 第一誘電體層及第二誘電體層的厚度，雖以能獲得足 夠保護效果和調變度提升效果爲適宜而決定，但一般第一 誘電體層3 1的厚度理想在3 0〜3 0 〇 nm，更理想者 是在5 0〜2 5 0 nm，第二誘電體層3 2的厚度理想是 在1 0〜5 0 nm，因要做成急冷構造，故第二誘電體層 3 2的理想厚度在3 0 n m以下，更理想則在2 5 n m。 各誘電體層’以陰極源度法形成爲理想。 記錄層4 記錄層的組成並無特別限制，可自各種相變化材料選 擇適宜者爲之，但以至少含有S b及T e者爲理想。只以 S b及T e所成之記錄層，結晶化溫度只有1 3 0 °C之低 ，保存信賴性不足，故爲了提高結晶化溫度以添加其他元 素者爲理想。此情況中的添加兀素，以I η、A g、A u 、Bi 、Se、Al 、P、Ge、H、Si 、C、V、W 、Ta、Zn、Ti 、811、？13、？（1及希土類元素（ S c、Y及鑭系元素）等從中選擇至少一種爲理想。這些 元素中，保存信賴性提升效果特別高者，以從希土類元素 、Ag、I η及Ge中選擇至少一種爲理想。 含有S b及T e的組成，以下者爲理想。S b與T e I 丨裝----^---訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 29- 564409 A7 B7 五、發明説明（27 ) 以外的元素以Μ表示，當記錄層構成元素的原子比以 式 I (SbxTei-x"i i-yMy 表不時，則 0.2 ^ X ^ 0.9, 0 ^ y ^ 0.4 理想則爲 0.5 ^ X ^ 0.7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0.01 ^ y ^ 0.2 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表示S b含有量的X若過小，則結晶化速度過遲，故使記 錄層的格式化變爲困難。又，因記錄層的結晶質領域反射 率變低’故讀取輸出變低。又，若x顯著減小，則記錄會 變爲困難。另一方面，若X過大，則因結晶化速度過快， 而不適合當作追記型媒體的記錄層。又，若X過大，則因 結晶狀態和非結晶質狀態之間的反射率差變小，故導致讀 取輸出變低。因此，藉由限制X在上記範圍內，可獲得適 合當作追記型媒體記錄層的結晶化速度，且可使讀取輸出 有足夠強度。此外，X具體的値，可因應記錄線速度而決 定。 兀素Μ雖無特別限定，但以由上記所示可提升保存信 賴性效果的兀素之中選擇至少一種爲理想。表示元素Μ之 含有量y若過大，則會使結晶化速度過快，而降低讀取輸 出。 記錄層的厚度，理想爲超過4 nm在5 0 nm以下， 更理想則爲5〜3 0 n m。記錄層過薄則結晶相之成長變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） 564409 A7 _ B7 _ 五、發明説明（28 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲困難，難以結晶化。另一方面，記錄層過厚，則因記錄 層的熱容量變大使得記錄變爲困難，也導致讀取輸出之衰 減。 記錄層之形成，以陰極濺鍍法行之爲理想。 此外，本發明中並無特別限定記錄層之構造。例如， 特開平8 - 2 2 1 8 1 4號公報和特開平1 0 -2 2 6 1 7 3號所記載的具有多層構造之記錄層之媒體也 可適用於本發明。 反射層5 本發明中並無特別限定反射層構成材料，通常可以 A1、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、 .Si等金屬或半金屬之單體或含有其中一種以上之合金所 成。如前述，本發明之媒體以急冷構造爲理想，故以熱傳 導率高的材料所成之反射層構成爲理想。熱傳導率高的材 料，以A g和A 1爲理想。但因A g和A 1的單體無法獲 得足夠的耐蝕性，故以添加可提升耐蝕性的元素爲理想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 只不過，添加其他元素會導致熱傳導率下降，此情況 下以熱傳導率較高的A g爲主成份爲理想。添加至A g的 理想副成份，例如可自M g、P d、C e、C u、G e、 La、S、Sb、Si 、Te及Zi·選出至少一種爲之。 這些副成份元素以使用至少一種，理想爲兩種以上爲理想 。反射層中副成份的含有量，各金屬理想値在0.05〜2.0原 子％，更理想則在0.2〜1.0原子％，副成份總含量理想在0.2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 31 - 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（29 ) 〜5原子％，更理想則在〇·5〜3原子％。副成份元素含量過 少’則含有這些成份的效果會不足。反之，副成份元素含 量過多，則會導致熱傳導率變小。 反射層的熱傳導率，理想是在1〇〇 W/mK以上，更理想 則在1 50 W/mK以上。熱傳導率可由例如4探針法求得反射 層的電氣阻抗値，經過Widemann-Franz法則算出。反射層 的熱傳導率並無特定上限。意即，可被用作反射層構成材 料中具有最高熱傳導率的純銀（熱傳導率25〇 w/mK)亦可 能使用。 反射層的厚度，通常在10〜300 n m爲理想。厚度若未 滿前記範圍則很難獲得足夠反射率。又，超過前記範圍對 反射率提升貢獻小，不利於成本。反射層以陰極濺鍍法或 蒸著法等氣相成長法形成爲理想。 保護層6 保護層6，係爲了提升耐擦傷性和耐蝕性而設置。此 保護層以各種有機系物質所成之構成爲理想，尤其是以輻 射線硬化型化合物和其組成物，經電子線、紫外線等_畐射 線照射會使其硬化的物質所構成爲理想。保護層的厚度， 通常爲0.1〜100//m左右，可以旋轉塗佈、重力塗佈、噴塗 、浸塗等通常方法形成即可。 圖6所示之構造 本發明之光記錄媒體的其他構成例，示於圖6。此光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32 - I----^---l·裝--------訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564409 A7 B7 五、發明説明（30 ) 記錄媒體，係於支持基體2 0上，按照由金屬或半金屬所 構成之反射層5、第二誘電體層3 2、記錄層4、第一誘 電體層3 1以及透光性基體2之順序積層而成。用以記錄 或讀取的雷射光，係通過透光性基體2而入射。此外，在 支持基體2 0與反射層5之間，亦可設置由誘電體材料所 成之中間層。 此構成例的透光性基體2，亦可採用和圖5中透光性 基體2相同程度厚度的樹脂板或玻璃板。只不過，爲了藉 由記錄讀取光學系的高N A化以達成高記錄密度，透光性 基體2以薄型化者爲理想。此情況之透光性基體的厚度， 以從30〜300 // m的範圍中選擇爲理想。若透光性基體過薄 ，則附著在透光性基體表面的塵埃所導致的光學影響會變 大。反之，若透光性基體過厚，則很難藉由高N A化達成 高記錄密度。 將透光性基體2薄型化之際，例如，可將透光性樹脂 所成之光透過性薄紙藉由各種接著劑或黏著劑貼附在第一 誘電體層3 1作爲透光性基體，亦或利用塗佈法將透光性 樹脂層直接形成在第一誘電體層3 1以成透光性基體。 支持基體2 0，係爲了維持媒體之剛性而設。支持基 體2 0的厚度及材料，可和圖5所示之構成例中透光性基 體2 —樣，且無論透不透明皆可。誘導溝2 1 ，係如圖示 般，係可藉由設於支持基體2 0上的溝，於其上形成的各 層轉印而形成。 圖6所示構造之媒體中，反射層5形成時的結晶成長 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - ：----L- ^―批衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 *線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（31 )
’很容易使雷射光入射側的反射層之表面粗糙度變大。一 旦該粗糙度變大，則會增大讀取雜訊。因此，以小結晶粒 徑之反射層、或形成非結晶質反射層爲理想。因此，以A g或A 1爲主成份’且含有前記添加元素之反射層爲理想 〇 又’反射層的熱傳導率，因結晶粒徑越小就會越低， 故若反射層爲非結晶質，則記錄時很難獲得足夠散熱速度 。爲此’首先形成非結晶質的反射層後，在施以熱處理令 其結晶化爲理想。一旦於形成非結晶質後再結晶化，則可 維持非結晶質時的表面粗糙，並且可實現結晶化所致的熱 傳導率提升。 其他各層，和圖5所示之構成例相同。 實施例 實施例1 由射出成形而同時形成誘導溝（寬〇. 2 # ^、深20 n m 、螺距0.74// m)的直徑i2〇mm、厚度〇.6mm的碟狀聚碳 酸酯板作爲透光性基體2，在其表面上，將第一誘電體層 3 1、記錄層4、第二誘電體層32、反射層5以及保護 層6按照以下所示的順序形成，成爲具有圖5所示之構成 的光記錄碟片樣品No. 1。 第一誘電體層3 1 ，使用標靶爲ZnS ( 80莫耳％ ) 一 S 1〇2 ( 20莫耳％)，在A r氣氛中以陰極濺鍍法形成 。第一誘電體層3 1的厚度爲90 nm。 ^ Γ ^—裝----II--訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（210x297公酱） -34- 564409 A7 B7 五、發明説明（32 ) g己錄層4，在A r氣氛中以陰極濺鍍法形成。記錄層 4的組成（原子比）爲 I----.——|申批衣II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (S b "7T e 0.33) 〇.9 I n 〇.(uA g。,。6。 記錄層4的厚度爲20ri m。 第二誘電體層3 2，使用標靶爲Zn S (50莫耳％) 一 S i〇2 ( 50莫耳％ )，在Α τ氣氛中以陰極濺鍍法形成 °桌一誘電體層3 2的厚度爲2〇11111。使用標祀2118( 50莫耳％ ) - S i〇2 ( 50莫耳％ )的熱傳導率爲1.〇，/!1^ 〇 反射層5，使用標靶爲A 1 — 1.7莫耳％C r合金，在 A r氣氛中以陰極濺鍍法形成。反射層5的厚度爲i〇〇nm 。該反射層的熱傳導率爲40 W/mK。 保護層6，係將紫外線硬化型樹脂以旋轉塗佈法塗佈 後’經紫外線照射硬化而形成。硬化後保護層的厚度爲5 // m 〇 將如此製作好的樣品No. 1進行格式化。格式化係使用 大量削除器以線速度2 m / s進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對樣品No.l，使用光記錄媒體評估裝置（PULSTEC製 DDU- 1000)，以 雷射波長λ : 6 3 5 n m、 開口數 N A : 0 · 6、 記錄訊號：E F M Plus (8-16) 調變之單 一訊號（最短訊號爲3 T訊號）及隨機訊號、 線速度·· 3 · 5 m / s (最短訊號長：0 _ 3 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X 297公釐） -35 - 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（33 ) λ / N A )之條件，各自記錄最短訊號及隨機訊號一次後， 以讀取功率〇 . 9 m W讀取記錄資訊。 在此將說明記錄時的雷射光強度調變模式（pattern ) 。一般而言，在相變化型媒體上記錄之際，因應記錄標記 之長度記錄光並非直流地照射，而是例如特開2 0 0 0〜 1 5 5 9 4 5號公報所記載，進行多重脈衝記錄爲常見。 多重脈衝記錄之記錄波形範例示於圖7。又，本明細書中 所謂的記錄波形，係指用以將記錄光強度調變的驅動訊號 模式（pattern)。圖7中，表示了 N R Z I訊號的5 T訊號， 及對應該5 T訊號的記錄波形。圖7中，P w係記錄功率 ，P b係偏壓功率（bias power* ) 。P b在可覆寫的記錄系 統中，通常稱爲削除功率。此記錄波形，具有用以形成記 錄標記的記錄脈衝部，及連結各記錄脈衝的直流部。記錄 脈衝部，係由上行脈衝（強度P w )和繼之的下行脈衝（ 強度P b )反覆組合之構造，整體來看係自p b開始上揚 ，最後又回到P b。圖7中，T top係先發之上行脈衝之寬 度，T m p係其他上行脈衝（又叫多重脈衝）的寬度。這些 脈衝寬，係以基準時脈寬（1 T )的規格化値來表示。 本實施例中，係採用此種記錄波形，以 記錄功率Pw : 9mW、
偏壓功率Pb:0.5mW T top ： 0 . 6 T T mp : 0 . 3 5 T 之條件而進行記錄。此外，最短訊號（3 T訊號）中，記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----：---— 0—裝^----Ί--訂-----φ 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 564409 Α7 Β7 五、發明説明（34 ) 錄脈衝部的上行脈衝爲1個，其寬度爲上記T top。此記錄 條件，係讓時脈顫動最小化的最適記錄條件。 記錄後，以光譜分析儀（ADVANTEST製）測量最短訊 號的C N R，發現爲4 9 · 1 d B。又，測定隨機訊號的 時脈顫動及讀取輸出後發現，分別爲8 . 5 %及1 . 〇 4 V。時脈顫動在9 %以下，則實用上可毫無問題地讀取訊 號，但若時脈顫動超過1 3 %，尤其是超過1 5 %，則因 錯誤頻發而使讀取訊號無法使用。此外，時脈顫動係以時 間間隔分析儀（Time Interval Analyzer，橫河電機株式會社 製）所測定求出「訊號搖擺度（σ )」後，經由 σ / T w ( % ) 而求出。T w係偵測窗寬。又，讀取輸出係以類比示波器 測定。 接著，在記錄訊號的軌跡上，以線速度3.5m/s輸出2 〜7 m W的直流雷射光照射，試圖削除記錄標記。照射後 測定C N R發現，最短訊號中觀測到有最大1 6.5 d B的訊號 衰減。另一方面，記錄有隨機訊號的軌跡，照射後的讀取 輸出對直流雷射光照射前的讀取輸入比爲0.29。 接著，對上記直流雷射光照射後的軌跡，以線速度 3.5m/s記錄隨機訊號再測定時脈顫動發現，S卩使最小也有 16.8%，得知無法作爲讀取訊號使用。 該樣品因被相當於削除光的直流雷射光照射後的削除 率低，故於照射後記錄隨機訊號時的時脈顫動變得極端地 大。因此，此樣品無法抹寫資訊。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37 - I---：---l· 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 一線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564409 A7 ____ B7 ____ 五、發明説明（35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，直流雷射光的功率若高於7 m W，則會熔融記 錄層，雷射光照射後變成非結晶質。意即，即使雷射功率 提高，也不可能使記錄層再結晶化。 又，格式化後，以上記條件記錄隨機訊號的領域中， 以同條件重疊寫入隨機訊號後，測定時脈顫動發現，時脈 顫動無法測定（2 0 %超），訊號無法讀取。 以上記記錄條件進行記錄後，樣品No. 1的記錄層如圖 8所示最短記錄標記幾乎爲圓形。 比較例1 製作第一誘電體層的厚度爲120nm，第二誘電體層32 的厚度爲50nm，其他則和實施例1相同的樣品No.2。 對樣品No.2，以記錄功率P w爲8mW其他和實施例1 相同的條件記錄上最短訊號及隨機訊號，並測定C N R、 讀取輸出以及顫動。其結果爲，最短訊號之C N R爲49 d B，隨機訊號的讀取輸出爲0.98 V，顫動爲10%。意即， 和實施例1相比，C N R等同但顫動變大。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，對於樣品No.2，以和實施例1相同的直流雷射 光照射後發現，最短訊號之載波的衰減量再1 8 d B以下 。又，直流雷射光照射後進行再記錄發現，再記錄訊號的 時脈顫動超過15%。 樣品No.2的記錄層經慣穿透型電子顯微鏡觀察發現， 最短訊號標記非圓形，後端邊緣呈被刨挖形狀，後端邊緣 附近有再結晶化。此再結晶化，係因該樣品中的第二誘電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 38 - 564409 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（36 ) 體層比實施例1來的厚而導致的徐冷構造所致。顫動之惡 化’可想成該再結晶化之程度使記錄標記變大且參差不齊 所導致。 追記型媒體與抹寫型媒體的比較 製作記錄層的組成爲 (S b 0.7 T 60.3) 0.9 I Π 0.04 A g 0.06 其他和實施例1的樣品No. 1相同的樣品No.3。此樣品No. 3 ，因具有比的樣品No. 1結晶速度快的記錄層，故在線速度 3.5m/s有可能抹寫。 對樣品No. 1和樣品No.3，和實施例1相同地記錄隨機 訊號後，測定前記Rini。接著，以和記錄時相同的線速度 照射雷射光進行削除動作。照射之直流雷射光的功率（ D C削除功率），和照射時的線速度V如圖9所示。接著 ，於直流雷射光照射領域中測定R top和Rbottom，求出 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini。結果如圖9所示。此外，反射等 級之測定，係以光記錄媒體評估裝置（PULS TEC製D D U —1 0 0 0 )進行。 圖9中，樣品N0.3，在線速度3.5m/s、直流雷射光功率 3mW以上時，雖然 (Rtop + Rbottom) / 2 Rini ^ 1， 但樣品No.l在線速度3.5m/s以上的所有線速度中’不論直 流雷射光的功率， (Rtop + Rbottom) / 2 Rini < 1 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :39_ I----^---裝----：---訂-----^線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 564409 A7 B7 五、發明説明（37 ) 在上述各情況下，於直流雷射光照射後，以和最先之記錄 的相同條件再次記錄隨機訊號，並測定時脈顫動發現，在 樣品No· 3上，直流雷射光的功率在3m W以上時爲8〜9% ，樣品Νο·1則爲1 6 · 8〜2 0 %。意即，樣品Νο·3在線 速度3.5m/s下可抹寫，而樣品No.l在線速度3.5〜14m/s之 範圍下不可抹寫。 又，若根據本發明，則可正確判斷可作爲追記型使用 的相變化型媒體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40 -