JPS63153455A - 光デイスクテストシステム - Google Patents
光デイスクテストシステムInfo
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- JPS63153455A JPS63153455A JP61302186A JP30218686A JPS63153455A JP S63153455 A JPS63153455 A JP S63153455A JP 61302186 A JP61302186 A JP 61302186A JP 30218686 A JP30218686 A JP 30218686A JP S63153455 A JPS63153455 A JP S63153455A
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- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G—PHYSICS
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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- G01N21/9506—Optical discs
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/002—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier
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- G01N2021/8874—Taking dimensions of defect into account
-
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスクの記録特性を測定する光ディスク
テストシステムに関するものである。
テストシステムに関するものである。
一般に、光ディスクの記録特性とは、書き込ん４一
だ情報が正しく読み取れるか否かということであり、エ
ラーレイトがその基本となるが、これだけでは光ディス
クに発生した不具合の内容や傾向を把握することができ
ず、この測定結果を光ディスクの製造プロセスにおける
品質管理に生かすことができない。このため、光ディス
クテストシステムにおいては、光ディスクの記録特性を
いくつかの項目に分けて測定する必要がある。すなわち
、反射率を測定することにより信号の大きさを知ること
ができ、キャリア／ノイズレシオ（ＣＮＲ）で書込，読
出の最適光量や信号の質がわかり、クロストークや波形
解析により、更にその詳細が把握できる。また、透過率
は記録膜における元帳取量や寿命の評価に利用される。
ラーレイトがその基本となるが、これだけでは光ディス
クに発生した不具合の内容や傾向を把握することができ
ず、この測定結果を光ディスクの製造プロセスにおける
品質管理に生かすことができない。このため、光ディス
クテストシステムにおいては、光ディスクの記録特性を
いくつかの項目に分けて測定する必要がある。すなわち
、反射率を測定することにより信号の大きさを知ること
ができ、キャリア／ノイズレシオ（ＣＮＲ）で書込，読
出の最適光量や信号の質がわかり、クロストークや波形
解析により、更にその詳細が把握できる。また、透過率
は記録膜における元帳取量や寿命の評価に利用される。
しかしながら、ＣＮＲが４５ｄＢを上回わった場合には
、エラーの主因は傷（欠陥）であり、傷の長さや分布の
把握がバーストエラーの評価や製造プロセス改善の決め
手となる。したがって、光ディスクにおける記録特性の
評価には、傷の測定が有効であり、これに関連した反射
率の測定がテストシステムの中心となる。なお、傷の有
無は記録膜面における反射光量の変化として検出されて
いる。
、エラーの主因は傷（欠陥）であり、傷の長さや分布の
把握がバーストエラーの評価や製造プロセス改善の決め
手となる。したがって、光ディスクにおける記録特性の
評価には、傷の測定が有効であり、これに関連した反射
率の測定がテストシステムの中心となる。なお、傷の有
無は記録膜面における反射光量の変化として検出されて
いる。
第１８図は従来の反射率測定装置の一例を示す構成図で
ある。図において、１は光ディスク、１１は光ディスク
１の記録膜、３１はレーザ光源、ＨＭＲ Ｉはハーフミ
ラ−、３７は受光素子である。図に示す装置は、直径１
＋ｎｍ程度の平行光を光ディスク１に照射するとともに
、その反射光を受光素子３７で受け、反射光の強度から
光ディスク１の反射率を求めるようにしたものである。
ある。図において、１は光ディスク、１１は光ディスク
１の記録膜、３１はレーザ光源、ＨＭＲ Ｉはハーフミ
ラ−、３７は受光素子である。図に示す装置は、直径１
＋ｎｍ程度の平行光を光ディスク１に照射するとともに
、その反射光を受光素子３７で受け、反射光の強度から
光ディスク１の反射率を求めるようにしたものである。
しかしながら、このような原理の反射率測定装置におい
ては、記録膜１１による反射光と光ディスク表面での反
射光とが干渉してしまい、記録膜！１による反射光のみ
を正確に測定することができない。また、測定に平行光
を使用しているので、光ディスク１への入射角がわずか
に変化した場合にも、測定値が大きく変化してしまうと
ともに、ビームの径が大きいので，微小な傷などを詳細
に検出することができない。さらに、この平行光は実際
の読出し時のビーム状態とは異なるので、実際の読出し
状態に即した反射率を得ることができない。加えて、Ｃ
ＮＲやクロストークなどを測定する装置とは光学系の構
成が異なるため、一連の記録特性を評価するためにも複
数の測定装置が必要となってしまう。
ては、記録膜１１による反射光と光ディスク表面での反
射光とが干渉してしまい、記録膜！１による反射光のみ
を正確に測定することができない。また、測定に平行光
を使用しているので、光ディスク１への入射角がわずか
に変化した場合にも、測定値が大きく変化してしまうと
ともに、ビームの径が大きいので，微小な傷などを詳細
に検出することができない。さらに、この平行光は実際
の読出し時のビーム状態とは異なるので、実際の読出し
状態に即した反射率を得ることができない。加えて、Ｃ
ＮＲやクロストークなどを測定する装置とは光学系の構
成が異なるため、一連の記録特性を評価するためにも複
数の測定装置が必要となってしまう。
本発明は、上記のような従来装置の欠点をなくし、実際
の読出し状態に即した反射率を得ることができるととも
に、ＣＮＲやクロストークなどの測定と共通の光学系を
使用することができ、一連の記録特性を一台の装置で測
定することのできる光ディスクテストシステムを簡単な
構成により実現することを目的としたものである。
の読出し状態に即した反射率を得ることができるととも
に、ＣＮＲやクロストークなどの測定と共通の光学系を
使用することができ、一連の記録特性を一台の装置で測
定することのできる光ディスクテストシステムを簡単な
構成により実現することを目的としたものである。
本発明の光ディスクテストシステムは、光ディスクを支
持し一定の速度で回転させるスピンドルモータと、光デ
ィスクに照射するレーザ光の焦点をその案内溝に追従さ
せるフォーカスサーボ機構およびトラッキングサーボ機
構を有し光ディスクからの反射光の強さに比例した出力
信号を発生する測定ヘッドと、この測定ヘッドを光ディ
スクの半径方向に移動させる送り機構と、前記スピンド
ルモータ、測定ヘッドにおけるフォーカスサーボ機構、
トラッキングサーボ機構および送り機構の動作を制御す
る制御回路と、前記測定ヘッドより発生された出力信号
を受け所望の測定動作を行なう測定器と、前記制御回路
および測定器に指令を与えるとともに測定器により得ら
れた測定データをデータ処理する計算機とを具備し、光
ディスクの案内溝にフォーカスおよびトラッキングのサ
ーボをかけた状態で全ての測定を行なうことを特徴とし
たものである。
持し一定の速度で回転させるスピンドルモータと、光デ
ィスクに照射するレーザ光の焦点をその案内溝に追従さ
せるフォーカスサーボ機構およびトラッキングサーボ機
構を有し光ディスクからの反射光の強さに比例した出力
信号を発生する測定ヘッドと、この測定ヘッドを光ディ
スクの半径方向に移動させる送り機構と、前記スピンド
ルモータ、測定ヘッドにおけるフォーカスサーボ機構、
トラッキングサーボ機構および送り機構の動作を制御す
る制御回路と、前記測定ヘッドより発生された出力信号
を受け所望の測定動作を行なう測定器と、前記制御回路
および測定器に指令を与えるとともに測定器により得ら
れた測定データをデータ処理する計算機とを具備し、光
ディスクの案内溝にフォーカスおよびトラッキングのサ
ーボをかけた状態で全ての測定を行なうことを特徴とし
たものである。
このように、光ディスクの案内溝にフォーカスおよびト
ラッキングのサーボをかけた状態で全ての測定を行なう
ように構成すると、実際の読出し状態に即した反射率を
得ることができるとともに、ＣＮＲやクロストークなど
の測定と共通の光学系を使用することができ、一連の記
録特性を一台の装置で測定することができる。また、ビ
ームの径が小さく絞り込まれているので、測定の分解能
が増し、小さな傷およびその分布状態を正確に検出する
ことができる。
ラッキングのサーボをかけた状態で全ての測定を行なう
ように構成すると、実際の読出し状態に即した反射率を
得ることができるとともに、ＣＮＲやクロストークなど
の測定と共通の光学系を使用することができ、一連の記
録特性を一台の装置で測定することができる。また、ビ
ームの径が小さく絞り込まれているので、測定の分解能
が増し、小さな傷およびその分布状態を正確に検出する
ことができる。
第１図は本発明の光ディスクテストシステムの一実施例
を示す構成図である。図において、前記第１８図と同様
のものは同一符号を付して示す。２は光ディスク１を支
持し、一定の速度で回転させるスピンドルモータ、３は
光ディスク１に照射するレーザ光の焦点をその案内溝に
追従させるフォーカスサーボ機構およびトラッキングサ
ーボ機構を有し、光ディスク１からの反射光の強さに比
例した出力信号を発生する測定ヘッドである。測定ヘッ
ド３はレーザ光源３１．集光レンズ３２．レンズアクチ
ュエータ３３．ビームスプリッタ３４．３５．λ／４板
３６．受光素子３７．３８より構成されており、光ディ
スク１よりの反射光に対して、受光素子３７によりその
強度に比例した出力信号を発生する光学系と、フォーカ
スおよびトラッキングサーボ機構の帰還信号を得るため
に、受光素子３８により光ディスク１上の焦点状態を検
出する光学系とを有している。４は測定ヘッド３を光デ
ィスク１の半径方向に移動させる送り機構、５は受光素
子３８の出力に応じてレンズアクチュエータ３３を駆動
し、フォーカスサーボ機構およびトラッキングサーボ機
構を動作させるとともに、スピンドルモータ２および送
り機構４の動作を制御する制御回路、６は測定ヘッド３
より発生された出力信号を受け、反射率の測定など、所
望の測定動作を行なう測定器、７は制御回路５および測
定器６に指令を与えるとともに、測定器６により得られ
た測定データをデータ処理する計算機である。
を示す構成図である。図において、前記第１８図と同様
のものは同一符号を付して示す。２は光ディスク１を支
持し、一定の速度で回転させるスピンドルモータ、３は
光ディスク１に照射するレーザ光の焦点をその案内溝に
追従させるフォーカスサーボ機構およびトラッキングサ
ーボ機構を有し、光ディスク１からの反射光の強さに比
例した出力信号を発生する測定ヘッドである。測定ヘッ
ド３はレーザ光源３１．集光レンズ３２．レンズアクチ
ュエータ３３．ビームスプリッタ３４．３５．λ／４板
３６．受光素子３７．３８より構成されており、光ディ
スク１よりの反射光に対して、受光素子３７によりその
強度に比例した出力信号を発生する光学系と、フォーカ
スおよびトラッキングサーボ機構の帰還信号を得るため
に、受光素子３８により光ディスク１上の焦点状態を検
出する光学系とを有している。４は測定ヘッド３を光デ
ィスク１の半径方向に移動させる送り機構、５は受光素
子３８の出力に応じてレンズアクチュエータ３３を駆動
し、フォーカスサーボ機構およびトラッキングサーボ機
構を動作させるとともに、スピンドルモータ２および送
り機構４の動作を制御する制御回路、６は測定ヘッド３
より発生された出力信号を受け、反射率の測定など、所
望の測定動作を行なう測定器、７は制御回路５および測
定器６に指令を与えるとともに、測定器６により得られ
た測定データをデータ処理する計算機である。
さて、このように構成された光ディスクテストシステム
においては、計算機７の指令により各部の動作シーケン
スが選択され、所望の測定動作が行なわれる。以下、各
測定項目について、その測定原理および測定動作を説明
する。
においては、計算機７の指令により各部の動作シーケン
スが選択され、所望の測定動作が行なわれる。以下、各
測定項目について、その測定原理および測定動作を説明
する。
第２図は反射率の測定原理を示す構成図である。
反射率の測定は記録膜自身の反射率はもちろんのこと、
光ディスク全面の反射率のむらを知るうえで、大変有効
である。
光ディスク全面の反射率のむらを知るうえで、大変有効
である。
集光レンズ３２からの出射光は数束光であり、他の測定
と同じように光ディスク１の記録面に焦点が合力され、
光ディスク１を回転させながら反射率の測定が行なわれ
る。このとき、集光レンズ３２の出射光パワーをＰｌと
し、光ディスク１がらの反射光パワーをＰｒとすれば、
反射率ＲｅｆはＲｅｆ ＝ Ｐｒ／ Ｐｉ （％） のように求められる。
と同じように光ディスク１の記録面に焦点が合力され、
光ディスク１を回転させながら反射率の測定が行なわれ
る。このとき、集光レンズ３２の出射光パワーをＰｌと
し、光ディスク１がらの反射光パワーをＰｒとすれば、
反射率ＲｅｆはＲｅｆ ＝ Ｐｒ／ Ｐｉ （％） のように求められる。
ここで、光ディスク１の記録面に焦点を合わせた状態で
反射率の測定を行なうと、記録面からの反射光と光ディ
スク表面からの反射光とが干渉することがないので、実
際の読出し状態に即した、より正確な反射率測定を行な
うことができる。また、高い分解能を得ることができる
。
反射率の測定を行なうと、記録面からの反射光と光ディ
スク表面からの反射光とが干渉することがないので、実
際の読出し状態に即した、より正確な反射率測定を行な
うことができる。また、高い分解能を得ることができる
。
傷は、反射光量（反射率）の変化を利用して検出してい
る。反射光量は傷の種類により増す方向にも減る方向に
も変化する。傷の検出は、光ディスク１の表面を走査し
て、測定ヘッド３からその反射率に比例した出力信号を
発生するとともに、測定器６において、この出力信号を
一定の基準レベルと比較して、反射率の低下（傷の発生
）に応じたパルス信号（傷パルス）を得ている。ここで
、基準レベルを可変とすることにより、検出する傷の大
きさを最適化することができるとともに、対象とする傷
の種類を限定することができる。また、傷パルスのパル
ス幅は傷の長さに比例したものであるので、例えば、１
６ＭＨ１の基準クロックで計数することにより、傷の存
在とともにその長さをも検出することができる。なお、
光ディスク全面では傷の数もぼう大になり、リアルタイ
ムに処理することが難しくなるので、本発明の光ディス
クテストシステムにおいては分類手法を取り入れ、傷パ
ルスを１パルス分計数した後、直ちに、予め設定した７
つのグレードのいづれかに分類し、そのグレードの積算
値をカウントアツプしている。また、傷のマツプを取る
ため、１トラツクを１６２４分割、半径方向を１１１１
１１幅で分割したものを１ブロツクとし、各ブロック内
でグレード別に積算している。このようにして、指定さ
れた領域での全てのブロックのデータが検出されると、
計算機７は７つのグレードの傷の総数の棒グラフ、光デ
ィスク全面の傷の分布などを演算処理し、表示する。
る。反射光量は傷の種類により増す方向にも減る方向に
も変化する。傷の検出は、光ディスク１の表面を走査し
て、測定ヘッド３からその反射率に比例した出力信号を
発生するとともに、測定器６において、この出力信号を
一定の基準レベルと比較して、反射率の低下（傷の発生
）に応じたパルス信号（傷パルス）を得ている。ここで
、基準レベルを可変とすることにより、検出する傷の大
きさを最適化することができるとともに、対象とする傷
の種類を限定することができる。また、傷パルスのパル
ス幅は傷の長さに比例したものであるので、例えば、１
６ＭＨ１の基準クロックで計数することにより、傷の存
在とともにその長さをも検出することができる。なお、
光ディスク全面では傷の数もぼう大になり、リアルタイ
ムに処理することが難しくなるので、本発明の光ディス
クテストシステムにおいては分類手法を取り入れ、傷パ
ルスを１パルス分計数した後、直ちに、予め設定した７
つのグレードのいづれかに分類し、そのグレードの積算
値をカウントアツプしている。また、傷のマツプを取る
ため、１トラツクを１６２４分割、半径方向を１１１１
１１幅で分割したものを１ブロツクとし、各ブロック内
でグレード別に積算している。このようにして、指定さ
れた領域での全てのブロックのデータが検出されると、
計算機７は７つのグレードの傷の総数の棒グラフ、光デ
ィスク全面の傷の分布などを演算処理し、表示する。
第３図はこのような傷測定の原理を示す波形図である。
図において、ＶＲは反射率に比例した出力信号、ｖｔｈ
は基準レベル、ＶＰは傷パルス、ＣＬは基準クロックで
ある。ここでは、傷の発生に応じて反射率が低下する場
合を例示している。
は基準レベル、ＶＰは傷パルス、ＣＬは基準クロックで
ある。ここでは、傷の発生に応じて反射率が低下する場
合を例示している。
また、第４図は測定器６の構成例を示す構成図である。
図において、６１は出力信号ｖＩ！を一定の基準レベル
ｖｔｂと比較する比較回路、６２は比較回路６１の前に
挿入されたバイパスフィルタ、６３は比較回路６！によ
り発出された傷パルスＶＰを受け、傷の長さによるグレ
ード分けなど、前記したような傷の解析を行なう傷パル
ス分析器である。
ｖｔｂと比較する比較回路、６２は比較回路６１の前に
挿入されたバイパスフィルタ、６３は比較回路６！によ
り発出された傷パルスＶＰを受け、傷の長さによるグレ
ード分けなど、前記したような傷の解析を行なう傷パル
ス分析器である。
このように構成された測定器６においては、光ディスク
表面における反射率のむらにより、出力信号ＶＲが第５
図のように大きく変動した場合にも、比較回路６Ｉに印
加される出力信号ＶＲ’ は高周波成分だけとなり、傷
の発生を確実に検出することができる。ここで、出力信
号ＶＲにおいて、光ディスク１における記録膜の蒸着む
らなどによるレベル変動は、概ね数十〜数百■２であり
、傷の存在によるレベル変動はほぼｌｌｌＫＨｚ以上で
あるので、バイパスフィルタ６２のカットオフ周波数を
Ｉ ＫＨ２程度に選んでおけば、傷の存在による出力信
号Ｖｔのレベル変動のみを確実に検出することができる
。
表面における反射率のむらにより、出力信号ＶＲが第５
図のように大きく変動した場合にも、比較回路６Ｉに印
加される出力信号ＶＲ’ は高周波成分だけとなり、傷
の発生を確実に検出することができる。ここで、出力信
号ＶＲにおいて、光ディスク１における記録膜の蒸着む
らなどによるレベル変動は、概ね数十〜数百■２であり
、傷の存在によるレベル変動はほぼｌｌｌＫＨｚ以上で
あるので、バイパスフィルタ６２のカットオフ周波数を
Ｉ ＫＨ２程度に選んでおけば、傷の存在による出力信
号Ｖｔのレベル変動のみを確実に検出することができる
。
第６図は傷パルス分析器６３の具体例を示すブロック構
成図である。図に示す傷パルス分析器６３は、傷の発生
数を３つのグレードに分けて計数する場合を例示したも
のである。図において、点線で囲ったイ部は比較器■、
■、■を有する傷長設定部、口部は傷パルスＶＰに応じ
て基準クロックＣＬを計数し、傷の長さを検出する計数
器■と、傷パルスＶｐと基準クロックＣＬとを比較して
傷の終りを検出し、信号Ｎを発生する計数器■とからな
る傷長判定部、ハ部は比較器■〜■に対応して設けられ
た計数器■〜■および記憶器■〜■と、比較器■〜■の
出力状態に応じて順次間となるゲート■、［相］を有し
、傷パルスＶｐの数を各グレード別に計数する区間デ−
タ計数部、二部はデータ加算部、ホ部は光ディスク表面
上に設定されたブロックに対応したメモリ領域を有する
総数データ記憶部、へ部はこの総数データ記憶部ホにお
けるデータの読出しおよび書込みを制御するデータ入出
力コントロール部である。
成図である。図に示す傷パルス分析器６３は、傷の発生
数を３つのグレードに分けて計数する場合を例示したも
のである。図において、点線で囲ったイ部は比較器■、
■、■を有する傷長設定部、口部は傷パルスＶＰに応じ
て基準クロックＣＬを計数し、傷の長さを検出する計数
器■と、傷パルスＶｐと基準クロックＣＬとを比較して
傷の終りを検出し、信号Ｎを発生する計数器■とからな
る傷長判定部、ハ部は比較器■〜■に対応して設けられ
た計数器■〜■および記憶器■〜■と、比較器■〜■の
出力状態に応じて順次間となるゲート■、［相］を有し
、傷パルスＶｐの数を各グレード別に計数する区間デ−
タ計数部、二部はデータ加算部、ホ部は光ディスク表面
上に設定されたブロックに対応したメモリ領域を有する
総数データ記憶部、へ部はこの総数データ記憶部ホにお
けるデータの読出しおよび書込みを制御するデータ入出
力コントロール部である。
はじめに、傷長設定部イの比較器■〜■には傷の長さの
基準値を設定するためのクロック信号Ａが与えられ、ラ
ッチ信号Ｂ−Ｄにより任意の基準値が設定される。この
場合、比較器■〜■の基準値はそれぞれ異なっており、
例えば、比較器■の基準値が一番短かく、比較器■の基
準値は比較器■の基準値よりも長く、比較器■の基準値
は比較器■の基準値よりもさらに長く設定されるもので
ある。
基準値を設定するためのクロック信号Ａが与えられ、ラ
ッチ信号Ｂ−Ｄにより任意の基準値が設定される。この
場合、比較器■〜■の基準値はそれぞれ異なっており、
例えば、比較器■の基準値が一番短かく、比較器■の基
準値は比較器■の基準値よりも長く、比較器■の基準値
は比較器■の基準値よりもさらに長く設定されるもので
ある。
ここで、傷の長さに応じた値を有する計数器■の出力は
比較器■〜■に送られ、予め設定されたそれぞれの基準
値と比較される。この時、もし傷の長さが比較器のに設
定された基準値の範囲内であれば、比較器のは計数器■
に対して計数を可能とする出力を発生しており、計数器
■から傷の範囲が終了したことを知らせる信号Ｎが発生
された時点で、計数器■はこの信号Ｎを計数し、その計
数値をプラス１とする。なお、この時、ゲート■。
比較器■〜■に送られ、予め設定されたそれぞれの基準
値と比較される。この時、もし傷の長さが比較器のに設
定された基準値の範囲内であれば、比較器のは計数器■
に対して計数を可能とする出力を発生しており、計数器
■から傷の範囲が終了したことを知らせる信号Ｎが発生
された時点で、計数器■はこの信号Ｎを計数し、その計
数値をプラス１とする。なお、この時、ゲート■。
［相］は閉じられており、計数器■、■は計数を行なわ
ない。また、もし傷の長さが比較器■に設定された基準
値の範囲を越えるものであった場合には、比較器■の出
力が反転し、計数器■の計数を禁止するとともに、ゲー
ト■を開とする。このため、計数器■からの信号Ｎは計
数器■に計数され、その計数値がプラス１となる。さら
に、傷の長さが比較器■に設定された基準値の範囲を越
えるものであった場合には、前記と同様の動作により、
計数器■のみが計数可能となり、計数器■からの信号Ｎ
は計数器■に計数される。このように、計数器■〜■に
は各グレード別の傷の発生数が計数される。
ない。また、もし傷の長さが比較器■に設定された基準
値の範囲を越えるものであった場合には、比較器■の出
力が反転し、計数器■の計数を禁止するとともに、ゲー
ト■を開とする。このため、計数器■からの信号Ｎは計
数器■に計数され、その計数値がプラス１となる。さら
に、傷の長さが比較器■に設定された基準値の範囲を越
えるものであった場合には、前記と同様の動作により、
計数器■のみが計数可能となり、計数器■からの信号Ｎ
は計数器■に計数される。このように、計数器■〜■に
は各グレード別の傷の発生数が計数される。
さて、ここで、測定ヘッド３は案内溝に沿って光ディス
ク表面を走査しているので、傷長判定部口に印加される
傷パルスＶＰは光ディスク１上の複数のブロックに属す
るデータが連続して入力されていることになる。このた
め、図に示す傷パルス分析器６３では、これらのデータ
をブロック別に分けて計数するために、総数データ記憶
部ホにおける記憶器［相］にブロック別のメモリ領域を
割り当て、傷パルスＶｐから得られた計数器■〜■の各
計数値を、該当するメモリ領域のデータに順次加算して
いる。したがって、記憶器＠におけるメモリ領域を指定
してその計数値を読み出せば、光ディスク表面における
各ブロックのデータを任意に読み出すことができる。
ク表面を走査しているので、傷長判定部口に印加される
傷パルスＶＰは光ディスク１上の複数のブロックに属す
るデータが連続して入力されていることになる。このた
め、図に示す傷パルス分析器６３では、これらのデータ
をブロック別に分けて計数するために、総数データ記憶
部ホにおける記憶器［相］にブロック別のメモリ領域を
割り当て、傷パルスＶｐから得られた計数器■〜■の各
計数値を、該当するメモリ領域のデータに順次加算して
いる。したがって、記憶器＠におけるメモリ領域を指定
してその計数値を読み出せば、光ディスク表面における
各ブロックのデータを任意に読み出すことができる。
例えば、測定ヘッド３がブロックの境を通過すると、そ
の時点で終了信号Ｈが発生され、記憶器■〜■はその間
の計数器■〜■の計数値を記憶する。これら記憶器■〜
■の記憶値は次の終了信号Ｈが発生される前に、信号Ｇ
によってデータ加算部二の加算器［株］に読み込まれる
。また、記憶器■内で、このブロックに対応したメモリ
領域のデータ（初期状態ではＯである）は、コントロー
ル信号Ｐにより一時記憶器［相］を経て加算器■に送ら
れ、記憶器■〜■のデータと加算される。加算されたデ
ータエはタイミング信号Ｋにより一時記憶器＠に記憶さ
れる。この記憶されたデータエはバッファ■を通り、タ
イミング信号りにより記憶器■の中の元のメモリ領域に
格納される。このとき、コントロール信号Ｍによりアド
レス計数器０が動作し、記憶アドレス信号Ｖが変化して
、データを書き換えるメモリ領域が切り換わる。
の時点で終了信号Ｈが発生され、記憶器■〜■はその間
の計数器■〜■の計数値を記憶する。これら記憶器■〜
■の記憶値は次の終了信号Ｈが発生される前に、信号Ｇ
によってデータ加算部二の加算器［株］に読み込まれる
。また、記憶器■内で、このブロックに対応したメモリ
領域のデータ（初期状態ではＯである）は、コントロー
ル信号Ｐにより一時記憶器［相］を経て加算器■に送ら
れ、記憶器■〜■のデータと加算される。加算されたデ
ータエはタイミング信号Ｋにより一時記憶器＠に記憶さ
れる。この記憶されたデータエはバッファ■を通り、タ
イミング信号りにより記憶器■の中の元のメモリ領域に
格納される。このとき、コントロール信号Ｍによりアド
レス計数器０が動作し、記憶アドレス信号Ｖが変化して
、データを書き換えるメモリ領域が切り換わる。
このようなシーケンスを繰り返すことにより、印加され
た傷パルスＶｐをブロック別に分け、し力１も各グレー
ド別に分類して記憶器■に記憶させることができる。記
憶器■に記憶されたデータを読み出すためには、アドレ
ス計数器［相］からのアドレス信号Ｖの代りに、コント
ロール信号Ｑにより一時記憶器［相］から任意のアドレ
スを指定するとともに、コントロール信号Ｒによりバッ
ファ■側をＯＦＦとし、バッファＯをＯＮとする。以上
のシーケンスにより、記憶部■からの任意のブロックの
傷データ信号Ｏをバッファ＠に読み出すことができ、信
号Ｔとして出力することができる。この信号Ｔは計算機
７に入力され、グレード別の棒グラフや傷マツプなどに
加工され、表示される。
た傷パルスＶｐをブロック別に分け、し力１も各グレー
ド別に分類して記憶器■に記憶させることができる。記
憶器■に記憶されたデータを読み出すためには、アドレ
ス計数器［相］からのアドレス信号Ｖの代りに、コント
ロール信号Ｑにより一時記憶器［相］から任意のアドレ
スを指定するとともに、コントロール信号Ｒによりバッ
ファ■側をＯＦＦとし、バッファＯをＯＮとする。以上
のシーケンスにより、記憶部■からの任意のブロックの
傷データ信号Ｏをバッファ＠に読み出すことができ、信
号Ｔとして出力することができる。この信号Ｔは計算機
７に入力され、グレード別の棒グラフや傷マツプなどに
加工され、表示される。
第７図は光ディスク１の透過率測定における測定状態を
示す構成図である。図において、３９１は光ディスク１
を介して入射するレーザ光の光パワーを測定するフォト
ダイオード、３’１２は基準の光パワー測定器などによ
り予め校正され、集光レンズ３２からの出射光の強さを
校正する際に使用される校正用フォトダイオード、３９
３ 、３９４はそれぞれフォトダイオード３９＋および
校正用フォトダイオード３９２の出力電流を電圧信号に
変換する電流電圧変換回路、３９５はフォトダイオード
３９！および校正用フォトダイオード３９２を一体に保
持するとともに、送り機構４に取り付けられ、これらの
受光素子を光ディスク１を介して測定ヘッド３と対向す
る位置（受光位置）に選択的に配置するホルダ、３９６
はホルダ３９５を図中の矢印（左右）の方向にスライド
させるスライド機構、３９７ 、３９８はホルダ３９５
のスライド位置を規制するストッパである。スライド機
構３９１ｉおよびストッパ３９７゜３９８は測定ヘッド
３における出射光の光パワーの校正を容易に行なうこと
を目的として設けられたもので、ホルダ３９５をスライ
ドさせることにより、フォトダイオード３９１ または
校正用フォトダイオード３９２を選択的に受光位置に移
動させることができる。
示す構成図である。図において、３９１は光ディスク１
を介して入射するレーザ光の光パワーを測定するフォト
ダイオード、３’１２は基準の光パワー測定器などによ
り予め校正され、集光レンズ３２からの出射光の強さを
校正する際に使用される校正用フォトダイオード、３９
３ 、３９４はそれぞれフォトダイオード３９＋および
校正用フォトダイオード３９２の出力電流を電圧信号に
変換する電流電圧変換回路、３９５はフォトダイオード
３９！および校正用フォトダイオード３９２を一体に保
持するとともに、送り機構４に取り付けられ、これらの
受光素子を光ディスク１を介して測定ヘッド３と対向す
る位置（受光位置）に選択的に配置するホルダ、３９６
はホルダ３９５を図中の矢印（左右）の方向にスライド
させるスライド機構、３９７ 、３９８はホルダ３９５
のスライド位置を規制するストッパである。スライド機
構３９１ｉおよびストッパ３９７゜３９８は測定ヘッド
３における出射光の光パワーの校正を容易に行なうこと
を目的として設けられたもので、ホルダ３９５をスライ
ドさせることにより、フォトダイオード３９１ または
校正用フォトダイオード３９２を選択的に受光位置に移
動させることができる。
第７図は透過率測定時の状態を示すもので、ホルダ３９
５がストッパ３９７側に固定され、フォトダイオード３
９１が受光位置に位置決めされている。
５がストッパ３９７側に固定され、フォトダイオード３
９１が受光位置に位置決めされている。
このように構成された透過率測定装置においては、集光
レンズ３２から出射されたレーザ光の光パワーとフォト
ダイオード３９１に入射したレーザ光の光パワーとの比
が光ディスク１の透過率として測定される。また、集光
レンズ３２にはフォーカスサーボおよびトラッキングサ
ーボが施されており、その測定点はスピンドルモータ２
の回転と送り機構４の送り量とにより、任意に選択され
る。
レンズ３２から出射されたレーザ光の光パワーとフォト
ダイオード３９１に入射したレーザ光の光パワーとの比
が光ディスク１の透過率として測定される。また、集光
レンズ３２にはフォーカスサーボおよびトラッキングサ
ーボが施されており、その測定点はスピンドルモータ２
の回転と送り機構４の送り量とにより、任意に選択され
る。
さて、このような透過率測定装置においては、集光レン
ズ３２から出射するレーザ光の光パワーを予め校正して
おく必要がある。第８図は光パワーの校正時の状態を示
すものである。ここでは、ホルダ３９５がストッパ３９
８側に固定されており、フォトダイオード３９１ に代
って校正用フォトダイオード３Ｎが受光位置に位置決め
されている。なお、この時、光ディスク１はスピンドル
モータ２から外されている。
ズ３２から出射するレーザ光の光パワーを予め校正して
おく必要がある。第８図は光パワーの校正時の状態を示
すものである。ここでは、ホルダ３９５がストッパ３９
８側に固定されており、フォトダイオード３９１ に代
って校正用フォトダイオード３Ｎが受光位置に位置決め
されている。なお、この時、光ディスク１はスピンドル
モータ２から外されている。
このように、測定用のフォトダイオード３９１ と校正
用フォトダイオード３９２とを共通のホルダ３ｇ５に一
体に保持するとともに、このホルダ３９５にスライド機
構３９６を付加すると、測定用および校正用のフォトダ
イオード３９１ 、３９２を選択的に受光位置に移動さ
せることができ、面倒なフォトダイオードの取替え作業
を行なうことなく、光パワーの校正を容易に行なうこと
ができる。
用フォトダイオード３９２とを共通のホルダ３ｇ５に一
体に保持するとともに、このホルダ３９５にスライド機
構３９６を付加すると、測定用および校正用のフォトダ
イオード３９１ 、３９２を選択的に受光位置に移動さ
せることができ、面倒なフォトダイオードの取替え作業
を行なうことなく、光パワーの校正を容易に行なうこと
ができる。
第９図はホルダ３９５部分の他の実施例を示す構成図で
ある。図に示す装置は、２つのフォトダイオードの相対
位置を変更するスライド機構の一例として、クリックに
より位置決めされた回転板３９９を使用したものである
。回転板３９９はホルダ３９５に回転可能に取り付けら
れている。フォトダイオード３９１および校正用フォト
ダイオード３９２は回転板３９９上の対象な位置に取り
付けられており、ホルダ３９５はこれらのフォトダイオ
ード３９１または校正用フォトダイオード３９２が所定
の受光位置に来るように、送り機構４に固定されている
。
ある。図に示す装置は、２つのフォトダイオードの相対
位置を変更するスライド機構の一例として、クリックに
より位置決めされた回転板３９９を使用したものである
。回転板３９９はホルダ３９５に回転可能に取り付けら
れている。フォトダイオード３９１および校正用フォト
ダイオード３９２は回転板３９９上の対象な位置に取り
付けられており、ホルダ３９５はこれらのフォトダイオ
ード３９１または校正用フォトダイオード３９２が所定
の受光位置に来るように、送り機構４に固定されている
。
また、第１Ｏ図は回転板３９９部分を下向から見た図で
ある。このように、回転板３９９を回転させれば、測定
用のフォトダイオード３９１および校正用フォトダイオ
ード３９２を選択的に所定の受光位置に移動させること
ができる。
ある。このように、回転板３９９を回転させれば、測定
用のフォトダイオード３９１および校正用フォトダイオ
ード３９２を選択的に所定の受光位置に移動させること
ができる。
以上は本発明の光ディスクテストシステム特有の測定技
術であったが、従来からの測定項目をも含めた測定系の
ブロック図を第１１図に示す。図において、６１は光デ
ィスク１からの反射光に比例した測定ヘッド３の出力信
号ＶＲを増幅する増幅器、６２、 ｌｉ３は比較器、６
４はフォトディテクタ３９１の出力から光ディスク１の
透過率を測定する透過率測定回路、Ｉｉ５はピットエラ
ーレイト（ＢＥＲ）測定回路、６６は傷測定回路、６７
はキャリア／ノイズ比（ＣＮＲ）測定回路、６８はジッ
ター等を測定する波形解析回路、６９は反射率測定回路
である。これら各測定回路の動作は、前記したように計
算機７により選択され、その測定データは計算機７に送
られ、適当なデータ処理が行なわれる。
術であったが、従来からの測定項目をも含めた測定系の
ブロック図を第１１図に示す。図において、６１は光デ
ィスク１からの反射光に比例した測定ヘッド３の出力信
号ＶＲを増幅する増幅器、６２、 ｌｉ３は比較器、６
４はフォトディテクタ３９１の出力から光ディスク１の
透過率を測定する透過率測定回路、Ｉｉ５はピットエラ
ーレイト（ＢＥＲ）測定回路、６６は傷測定回路、６７
はキャリア／ノイズ比（ＣＮＲ）測定回路、６８はジッ
ター等を測定する波形解析回路、６９は反射率測定回路
である。これら各測定回路の動作は、前記したように計
算機７により選択され、その測定データは計算機７に送
られ、適当なデータ処理が行なわれる。
このように、本発明の光ディスクテストシステムにおい
ては、光ディスク１の記録面にフォーカスサーボおよび
トラッキングサーボなかけた状態で反射率（傷）や透過
率の測定を行なっているので、ＢＥＲやＣＮＨなどの測
定と共通の光学系を使用することができ、一連の記録特
性を一台の装置で測定することができる。
ては、光ディスク１の記録面にフォーカスサーボおよび
トラッキングサーボなかけた状態で反射率（傷）や透過
率の測定を行なっているので、ＢＥＲやＣＮＨなどの測
定と共通の光学系を使用することができ、一連の記録特
性を一台の装置で測定することができる。
次に、本発明の光ディスクテストシステムにおける校正
システムについて説明する。
システムについて説明する。
一般に、光ディスクテストシステムにおいては、光ディ
スクの諸特性を測定する前に、その測定系の校正が行な
われる。また、この校正には種々の方法があるが、値の
わかっている標準試料を使用して校正を行なうのが、検
出器や電気回路などを含めた測定系全体を一度に校正す
ることができ、便利である。
スクの諸特性を測定する前に、その測定系の校正が行な
われる。また、この校正には種々の方法があるが、値の
わかっている標準試料を使用して校正を行なうのが、検
出器や電気回路などを含めた測定系全体を一度に校正す
ることができ、便利である。
９Ｊ１２図はこのような校正動作に使用する校正用基準
板の一実施例を示す平面図、第１３図はその断面図であ
る。図において、５ｏ−３１１はそれぞれ所定の基準値
に値付けされた標準試料片、１２は標準試料片５０−５
１１を同一円周上に保持する基板部、ＩＮは基板部１２
の中心に設けられたクランプ部、１２２はクランプ部１
２１ において光ディスクを回転させるターンテーブル
に当接するクランプ面である。また、標準試料片５ｏ−
５１１は通常の光ディスクと等しい板厚ｔを有するガラ
ス基板１２３と、その一方の面に設けられ、例えば誘電
体多層膜よりなる反射膜面または透過膜面１２４とから
形成されている。基板部１２は標準試料片８８〜５１１
をその反射膜面または透過膜面１２４側を上にした状態
で、しかもその膜面のクランプ面１２２からの高さが通
常の光ディスクにおけるクランプ時の記録膜面の高さと
一致するように保持している。例えば、光ディスクがそ
の基板部分を直接クランプされる形式のものであれば、
記録膜面の高さはその板厚と等しくなるので、標準試料
片５Ｇ−３ｌ＋は図に示す如く、その底面がクランプ面
ＩＮと一致するように保持される。また、光ディスクが
クランプ用のハブを有するものであれば、標準試料片５
ｏｌ−５１１の高さも、そのハブの厚みを考慮して決定
される。
板の一実施例を示す平面図、第１３図はその断面図であ
る。図において、５ｏ−３１１はそれぞれ所定の基準値
に値付けされた標準試料片、１２は標準試料片５０−５
１１を同一円周上に保持する基板部、ＩＮは基板部１２
の中心に設けられたクランプ部、１２２はクランプ部１
２１ において光ディスクを回転させるターンテーブル
に当接するクランプ面である。また、標準試料片５ｏ−
５１１は通常の光ディスクと等しい板厚ｔを有するガラ
ス基板１２３と、その一方の面に設けられ、例えば誘電
体多層膜よりなる反射膜面または透過膜面１２４とから
形成されている。基板部１２は標準試料片８８〜５１１
をその反射膜面または透過膜面１２４側を上にした状態
で、しかもその膜面のクランプ面１２２からの高さが通
常の光ディスクにおけるクランプ時の記録膜面の高さと
一致するように保持している。例えば、光ディスクがそ
の基板部分を直接クランプされる形式のものであれば、
記録膜面の高さはその板厚と等しくなるので、標準試料
片５Ｇ−３ｌ＋は図に示す如く、その底面がクランプ面
ＩＮと一致するように保持される。また、光ディスクが
クランプ用のハブを有するものであれば、標準試料片５
ｏｌ−５１１の高さも、そのハブの厚みを考慮して決定
される。
第１４図は標準試料片ＳＯ〜５＋１の形成例を示す断面
図である。図に示されるように、反射膜または透過膜１
２４は誘電体多層膜により形成されており、その層数に
応じて反射率または透過率が制御され、所定の値付けが
行なわれている。誘電体多層膜の材質としては、例えば
、酸化チタン（Ｔｉｅｓ）および酸化ケイ素（Ｓｉｎ、
）が使用されている。なお、基板部１２において、反射
率が０％の位置および透過率がＩｎｘの位置は、試料片
を設けず、素通しにしている。
図である。図に示されるように、反射膜または透過膜１
２４は誘電体多層膜により形成されており、その層数に
応じて反射率または透過率が制御され、所定の値付けが
行なわれている。誘電体多層膜の材質としては、例えば
、酸化チタン（Ｔｉｅｓ）および酸化ケイ素（Ｓｉｎ、
）が使用されている。なお、基板部１２において、反射
率が０％の位置および透過率がＩｎｘの位置は、試料片
を設けず、素通しにしている。
このように構成された基準板においては、基板部１２を
クランプ部１２１ を利用してスピンドルモータのクラ
ンプ機構に装着するだけで、特別の治具などを使用する
ことなく、任意の標準試料片ＳＯ〜５１１を測定ヘッド
の上部にセットすることができる。また、各標準試料片
５ｆｔ−５ｌ＋の面積は小さいので、均一性に優れてい
る。さらに１反射膜または透過膜１２４を形成する誘電
体多層膜は熱に強いので、レーザ光の照射により膜の温
度が上昇しても、溶けてしまったり、反射率等が変化し
てしまうことがない。ガラス基板１２３もまた高温に対
して安定である。
クランプ部１２１ を利用してスピンドルモータのクラ
ンプ機構に装着するだけで、特別の治具などを使用する
ことなく、任意の標準試料片ＳＯ〜５１１を測定ヘッド
の上部にセットすることができる。また、各標準試料片
５ｆｔ−５ｌ＋の面積は小さいので、均一性に優れてい
る。さらに１反射膜または透過膜１２４を形成する誘電
体多層膜は熱に強いので、レーザ光の照射により膜の温
度が上昇しても、溶けてしまったり、反射率等が変化し
てしまうことがない。ガラス基板１２３もまた高温に対
して安定である。
第１５図はこの基準板をスピンドルモータに装着した状
態を示す構成図である。図は光ディスクの反射率測定に
おける校正動作時を例示したものである。図において、
２１はスピンドルモータにおける光ディスクのクランプ
機構、２２はそのターンテーブル、３は前記と同様の測
定ヘッドである。
態を示す構成図である。図は光ディスクの反射率測定に
おける校正動作時を例示したものである。図において、
２１はスピンドルモータにおける光ディスクのクランプ
機構、２２はそのターンテーブル、３は前記と同様の測
定ヘッドである。
このような校正動作時においては、基板部１２を回転さ
せるだけで、任意の標準試料片ＳＯ〜５１１ を測定ヘ
ッド３の上部にセットすることができる。
せるだけで、任意の標準試料片ＳＯ〜５１１ を測定ヘ
ッド３の上部にセットすることができる。
したがって、この時の標準試料片ＳＯ〜５＋１の値と測
定出力ＶＲとの関係をプロットし、この測定点間を補間
すれば、集光レンズ３２などの光学系やフォトディテク
タ３７などの電気回路系を含めた測定系全体の校正曲線
を一度に得ることができる。また。
定出力ＶＲとの関係をプロットし、この測定点間を補間
すれば、集光レンズ３２などの光学系やフォトディテク
タ３７などの電気回路系を含めた測定系全体の校正曲線
を一度に得ることができる。また。
各標準試料片８６〜５＋１ における反射面の高さが通
常の光ディスクにおける記録膜面の高さと等しく形成さ
れているので、測定ヘッド３と反射膜１２４との距離が
光ディスクの測定時と等しくなり、フォーカスサーボの
状態など、実際の測定時に近い条件で校正動作を行なう
ことができる。さらに、誘電体多層膜は膜内体における
レーザ光の吸取が少なく、反射光と透過光の和がほぼ一
定となる特性を有しているので、反射率および透過率の
校正時に兼用に使用することのできる基準板を実現する
ことができる。
常の光ディスクにおける記録膜面の高さと等しく形成さ
れているので、測定ヘッド３と反射膜１２４との距離が
光ディスクの測定時と等しくなり、フォーカスサーボの
状態など、実際の測定時に近い条件で校正動作を行なう
ことができる。さらに、誘電体多層膜は膜内体における
レーザ光の吸取が少なく、反射光と透過光の和がほぼ一
定となる特性を有しているので、反射率および透過率の
校正時に兼用に使用することのできる基準板を実現する
ことができる。
また、本発明の光ディスクテストシステムにおける保護
装置について説明する。
装置について説明する。
第１６図は例えば、測定ヘッド３から出射されるレーザ
光の光パワーを校正する校正時において、送り機構４の
誤動作などにより校正器具等が破損してしまうことを防
止する保護機構の一実施例を示す構成図である。図にお
いて、８は測定ヘッド３の校正のために送り機構４上に
セットされた校正用器具であり、ここでは、測定ヘッド
３から出射されたレーザ光の光パワーを測定するフォト
ダイオードなどを有している。Ａ１は送り機構４におけ
る駆動モータ、４２は制御回路５からの指令等により駆
動モータ４Ｉを駆動する駆動回路、４３は例えばマイク
ロスイッチや近接スイッチなどよりなり、送り機構４上
に校正用器具８がセットされたことを検出する検出器、
４４は駆動回路４２の一部に挿入され、検出器４３の検
出出力に応じて駆動回路４２を遮断するスイッチである
。なお、このスイッチ４４は検出器４３の接点出力を利
用することも可能である。また、スイッチ４４の挿入位
置は駆動回路４２の入力側に限らず、駆動モータ４Ｉの
電力ライン側であってもよい。
光の光パワーを校正する校正時において、送り機構４の
誤動作などにより校正器具等が破損してしまうことを防
止する保護機構の一実施例を示す構成図である。図にお
いて、８は測定ヘッド３の校正のために送り機構４上に
セットされた校正用器具であり、ここでは、測定ヘッド
３から出射されたレーザ光の光パワーを測定するフォト
ダイオードなどを有している。Ａ１は送り機構４におけ
る駆動モータ、４２は制御回路５からの指令等により駆
動モータ４Ｉを駆動する駆動回路、４３は例えばマイク
ロスイッチや近接スイッチなどよりなり、送り機構４上
に校正用器具８がセットされたことを検出する検出器、
４４は駆動回路４２の一部に挿入され、検出器４３の検
出出力に応じて駆動回路４２を遮断するスイッチである
。なお、このスイッチ４４は検出器４３の接点出力を利
用することも可能である。また、スイッチ４４の挿入位
置は駆動回路４２の入力側に限らず、駆動モータ４Ｉの
電力ライン側であってもよい。
このように構成した保護機構においては、送り機構４上
に校正用器具８がセットされた状態では、スイッチ４４
は常にオフとなり、駆動回路４２は遮断されているので
、装置の故障や誤動作などの原因により、送り機構４の
駆動指令が発生された場合にも、駆動モータ４１に駆動
信号（電力）が印加されることはなく、送り機構４の誤
動作を防止することができる。したがって、送り機構４
の誤動作により校正用器具８がスピンドルモータ２など
に衝突してしまうことはなくなり、校正用器具８などを
確実に保護することができる。
に校正用器具８がセットされた状態では、スイッチ４４
は常にオフとなり、駆動回路４２は遮断されているので
、装置の故障や誤動作などの原因により、送り機構４の
駆動指令が発生された場合にも、駆動モータ４１に駆動
信号（電力）が印加されることはなく、送り機構４の誤
動作を防止することができる。したがって、送り機構４
の誤動作により校正用器具８がスピンドルモータ２など
に衝突してしまうことはなくなり、校正用器具８などを
確実に保護することができる。
第１７図は送り機構４におけるスライド部の移動範囲を
制限し、送り機構４に搭載された測定ヘッド３などが周
囲のスピンドルモータ２などと衝突して破損してしまう
ことを防止するリミッタ機構の一実施例を示す構成図で
ある。図において、Ａ５は送り機構４における固定部、
４６はスライド部である。スライド部Ａ６には測定ヘッ
ド３などが取り付けられており、そのスライドに伴って
、レーザ光の照射位置（測定位置）を光ディスク１の半
径方向に移動させる。また、４７．４８は例えばマイク
ロスイッチや近接スイッチなどよりなり、スライド部４
６における端部４６１の通過を検出する検出器である。
制限し、送り機構４に搭載された測定ヘッド３などが周
囲のスピンドルモータ２などと衝突して破損してしまう
ことを防止するリミッタ機構の一実施例を示す構成図で
ある。図において、Ａ５は送り機構４における固定部、
４６はスライド部である。スライド部Ａ６には測定ヘッ
ド３などが取り付けられており、そのスライドに伴って
、レーザ光の照射位置（測定位置）を光ディスク１の半
径方向に移動させる。また、４７．４８は例えばマイク
ロスイッチや近接スイッチなどよりなり、スライド部４
６における端部４６１の通過を検出する検出器である。
このように構成されたリミッタ機構においては検出器４
７の出力に応じてスライド部４６の移動速度を減速し、
検出器４８の出力によりスライド部４６を停止させる。
７の出力に応じてスライド部４６の移動速度を減速し、
検出器４８の出力によりスライド部４６を停止させる。
このため、制限位置近傍に達するまでのスライド部Ａ６
の移動速度を早くすることができるとともに、スライド
部４６を少ない行き過ぎ量で確実に停止させることがで
きる。したがって、スライド部４６に搭載された測定ヘ
ッド３などを破損から確実に保護することができる。
の移動速度を早くすることができるとともに、スライド
部４６を少ない行き過ぎ量で確実に停止させることがで
きる。したがって、スライド部４６に搭載された測定ヘ
ッド３などを破損から確実に保護することができる。
以上説明したように、本発明の光ディスクテストシステ
ムでは、光ディスクを支持し一定の速度で回転させるス
ピンドルモータと、光ディスクに照射するレーザ光の焦
点をその案内溝に追従させるフォーカスサーボ機構およ
びトラッキングサーボ機構を有し光ディスクからの反射
光の強さに比例した出力信号を発生する測定ヘッドと、
この測定ヘッドを光ディスクの半径方向に移動させる送
り機構と、前記スピンドルモータ、測定ヘッドにおける
フォーカスサーボ機構、トラッキングサーボ機構および
送り機構の動作を制御する制御回路と、前記測定ヘッド
より発生された出力信号を受け所望の測定動作を行なう
測定器と、前記制御口路および測定器に指令を与えると
ともに測定器により得られた測定データをデータ処理す
る計算機とを具備し、光ディスクの案内溝にフォーカス
およびトラッキングのサーボを施した状態で全ての測定
を行なうようにしているので、実際の読出し状態に即し
た反射率を得ることができるとともに、ＣＮＲやクロス
トークなどの測定と共通の光学系を使用することができ
、一連の記録特性を一台の装置で測定することのできる
光ディスクテストシステムを簡単な構成により実現する
ことができる。
ムでは、光ディスクを支持し一定の速度で回転させるス
ピンドルモータと、光ディスクに照射するレーザ光の焦
点をその案内溝に追従させるフォーカスサーボ機構およ
びトラッキングサーボ機構を有し光ディスクからの反射
光の強さに比例した出力信号を発生する測定ヘッドと、
この測定ヘッドを光ディスクの半径方向に移動させる送
り機構と、前記スピンドルモータ、測定ヘッドにおける
フォーカスサーボ機構、トラッキングサーボ機構および
送り機構の動作を制御する制御回路と、前記測定ヘッド
より発生された出力信号を受け所望の測定動作を行なう
測定器と、前記制御口路および測定器に指令を与えると
ともに測定器により得られた測定データをデータ処理す
る計算機とを具備し、光ディスクの案内溝にフォーカス
およびトラッキングのサーボを施した状態で全ての測定
を行なうようにしているので、実際の読出し状態に即し
た反射率を得ることができるとともに、ＣＮＲやクロス
トークなどの測定と共通の光学系を使用することができ
、一連の記録特性を一台の装置で測定することのできる
光ディスクテストシステムを簡単な構成により実現する
ことができる。
また、ビームの径がｔＪｓさく絞り込まれているので、
測定の分解能が増し、小さな傷およびその分布状態を正
確に検出することができる。
測定の分解能が増し、小さな傷およびその分布状態を正
確に検出することができる。
第１図は本発明の光ディスクテストシステムの一実施例
を示す構成図、第２図は反射率の測定原理を示す構成図
、第３図および第５図は傷測定の原理を示す波形図、第
４図は傷測定時における測定器の構成例を示す構成図、
第６図は傷パルス分析器の具体例を示すブロック構成図
、第７図は透過率測定における測定状態を示す構成図、
第８１１ｉｉ１は前記第７図において光パワーの校正時
の状態を示す構成図、第９図および第１０図はホルダ部
分の他の実施例を示す構成図、第１１図は本発明の光デ
ィスクテストシステムにおける測定系の構成を示すブロ
ック図、第１２図は校正動作時に使用される校正用基準
板の一実施例を示す平面図、第１３図はその新面図、第
１４図は校正用基準板における標準試料片５ｏ−８１１
の形成例を示す断面図、第１５図は校正用基準板をスピ
ンドルモータに装着した状態を示す構成図、第１６図は
送り機構における校正動作時の保護機構の一実施例を示
す構成図、第１７図は送り機構におけるスライド部のリ
ミッタ機構の一実施例を示す構成図、第１８図は従来の
反射率測定装置の一例を示す構成図である。 １・・・・・・光ディスク、２・・・・・・スピンドル
モータ、３・・・・・・測定ヘッド、４・・・・・・送
り機構、５・・・・・・制御回路、６・・・・・・測定
器、７・・・・・・計算機、８・・・・・・校正用器具
。 篤１図 篤２図 第３凹 ＣＬ−１ｆｌｆｌｆｌｌｆｌｌＩｌ−一一篤７図 尾９図 篤１０図 篤１７図 第１８図 ′１ニーー
を示す構成図、第２図は反射率の測定原理を示す構成図
、第３図および第５図は傷測定の原理を示す波形図、第
４図は傷測定時における測定器の構成例を示す構成図、
第６図は傷パルス分析器の具体例を示すブロック構成図
、第７図は透過率測定における測定状態を示す構成図、
第８１１ｉｉ１は前記第７図において光パワーの校正時
の状態を示す構成図、第９図および第１０図はホルダ部
分の他の実施例を示す構成図、第１１図は本発明の光デ
ィスクテストシステムにおける測定系の構成を示すブロ
ック図、第１２図は校正動作時に使用される校正用基準
板の一実施例を示す平面図、第１３図はその新面図、第
１４図は校正用基準板における標準試料片５ｏ−８１１
の形成例を示す断面図、第１５図は校正用基準板をスピ
ンドルモータに装着した状態を示す構成図、第１６図は
送り機構における校正動作時の保護機構の一実施例を示
す構成図、第１７図は送り機構におけるスライド部のリ
ミッタ機構の一実施例を示す構成図、第１８図は従来の
反射率測定装置の一例を示す構成図である。 １・・・・・・光ディスク、２・・・・・・スピンドル
モータ、３・・・・・・測定ヘッド、４・・・・・・送
り機構、５・・・・・・制御回路、６・・・・・・測定
器、７・・・・・・計算機、８・・・・・・校正用器具
。 篤１図 篤２図 第３凹 ＣＬ−１ｆｌｆｌｆｌｌｆｌｌＩｌ−一一篤７図 尾９図 篤１０図 篤１７図 第１８図 ′１ニーー
Claims (7)
- （１）光ディスクを支持し一定の速度で回転させるスピ
ンドルモータと、光ディスクに照射するレーザ光の焦点
をその案内溝に追従させるフォーカスサーボ機構および
トラッキングサーボ機構を有し光ディスクからの反射光
の強さに比例した出力信号を発生する測定ヘッドと、こ
の測定ヘッドを光ディスクの半径方向に移動させる送り
機構と、前記スピンドルモータ、測定ヘッドにおけるフ
ォーカスサーボ機構、トラッキングサーボ機構および送
り機構の動作を制御する制御回路と、前記測定ヘッドよ
り発生された出力信号を受け所望の測定動作を行なう測
定器と、前記制御回路および測定器に指令を与えるとと
もに測定器により得られた測定データをデータ処理する
計算機とを具備してなる光ディスクテストシステム。 - （２）前記測定器は、集光レンズから出射するレーザ光
の光パワーと光ディスクにより反射されたレーザ光の光
パワーとの比から光ディスクの反射率を求めることを特
徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の光ディスクテ
ストシステム。 - （３）前記測定器は、前記測定ヘッドの出力信号を一定
の基準レベルと比較して傷パルスを発生するとともに、
この比較回路の前にハイパスフィルタを挿入してなる前
記特許請求の範囲第１項記載の光ディスクテストシステ
ム。 - （４）前記測定器は、前記傷パルスのパルス幅から傷の
長さに比例した信号を発生する傷長判別部と、複数の傷
の長さの範囲が設定されこの設定値と前記傷長判別部の
出力信号とを比較する傷長設定部と、この傷長設定部の
比較出力に応じて前記傷パルスの発生数を傷の長さ別に
計数する区間データ計数部とを具備してなる前記特許請
求の範囲第３項記載の光ディスクテストシステム。 - （５）前記測定器は、前記区間データ計数部の計数値を
光ディスク表面上に設定されたブロック別に記憶する総
数データ記憶部を有するとともに、この総数データ記憶
部における記憶器に前記ブロック別のメモリ領域を割り
当て、前記傷の長さ別の区間データ計数部の計数値を該
当するメモリ領域のデータに順次加算するようにしてな
る前記特許請求の範囲第４項記載の光ディスクテストシ
ステム。 - （６）前記測定ヘッドは、光ディスクを透過したレーザ
光の光パワーを測定する測定用のフォトダイオードと、
測定ヘッドより出射されるレーザ光の光パワーを測定す
る校正用のフォトダイオードとを具備し、これら測定用
および校正用のフォトダイオードをスライド機構を有す
るホルダに一体に保持させるようにしてなる前記特許請
求の範囲第１項記載の光ディスクテストシステム。 - （７）前記測定器は、通常の光ディスクと等しい板厚を
有するガラス基板の一方の面に誘電体多層膜よりなる反
射膜または透過膜が形成され所定の値付けがされた複数
の標準試料片と、光ディスクのクランプ機構により共通
にクランプされるクランプ部を有し前記複数の標準試料
片を同一円周上に配置するとともにこれら複数の標準試
料片をその反射膜面または透過膜面の位置およびクラン
プ面からの高さが前記クランプ機構にクランプされる通
常の光ディスクの記録膜面と一致するように保持する基
板部とを具備した校正用基準板を使用して、反射率およ
び透過率の測定系の校正を行なことを特徴とする前記特
許請求の範囲第１項記載の光ディスクテストシステム。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302186A JPS63153455A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 光デイスクテストシステム |
| GB8722237A GB2199136B (en) | 1986-12-18 | 1987-09-22 | Test system for optical disks |
| NL8702255A NL8702255A (nl) | 1986-12-18 | 1987-09-22 | Stelsel voor het testen van optische schijven. |
| DE19873731862 DE3731862A1 (de) | 1986-12-18 | 1987-09-22 | Pruefanordnung fuer optische platten |
| US07/100,190 US4832487A (en) | 1986-12-18 | 1987-09-23 | Test system for optical disks |
| FR878716654A FR2608789B1 (fr) | 1986-12-18 | 1987-12-01 | Dispositif de test pour disques optiques |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302186A JPS63153455A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 光デイスクテストシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153455A true JPS63153455A (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=17905967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61302186A Pending JPS63153455A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 光デイスクテストシステム |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4832487A (ja) |
| JP (1) | JPS63153455A (ja) |
| DE (1) | DE3731862A1 (ja) |
| FR (1) | FR2608789B1 (ja) |
| GB (1) | GB2199136B (ja) |
| NL (1) | NL8702255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245738A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Ricoh Co Ltd | 光デイスク欠陥検査方法 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4907212A (en) * | 1988-06-09 | 1990-03-06 | Laser Magnetic Storage International Company | Method and apparatus for calibrating an optical disk system |
| JPH0245739A (ja) * | 1988-08-06 | 1990-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 表面欠陥検査装置 |
| US5504732A (en) * | 1990-08-15 | 1996-04-02 | Del Mar Avionics | Null inflection detection and pulse expand latch in an optical recording system |
| US5134602A (en) * | 1990-09-27 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Calibrating optical disk recorders to some parameters during disk spin up while deferring calibration of other parameters |
| US5264911A (en) * | 1990-12-20 | 1993-11-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser power measuring jig for optical disk unit |
| NL9100248A (nl) * | 1991-02-13 | 1992-09-01 | Philips & Du Pont Optical | Inrichting voor het meten van de reflectie en/of transmissie van een voorwerp. |
| US5216659A (en) * | 1991-09-11 | 1993-06-01 | International Business Machines | Laser power calibration by measuring laser drive current at out of focus and in focus conditions |
| DE19511196A1 (de) * | 1995-03-27 | 1996-10-02 | Basler Gmbh | Optische Prüfvorrichtung |
| WO1997026529A1 (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-24 | Phase Metrics | Surface inspection apparatus and method |
| US5898499A (en) * | 1996-01-30 | 1999-04-27 | Seagate Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting surface discontinuities based on changes in an optical path length during beam scanning |
| US5883714A (en) * | 1996-10-07 | 1999-03-16 | Phase Metrics | Method and apparatus for detecting defects on a disk using interferometric analysis on reflected light |
| US6445447B1 (en) * | 1997-10-27 | 2002-09-03 | Seagate Technology Llc | Near field optical certifying head for disc asperity mapping |
| US6046801A (en) * | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Analog Technologies, Inc. | Laser-based inspection system for optical disks |
| US6687008B1 (en) | 2000-10-19 | 2004-02-03 | Kla-Tencor Corporation | Waveguide based parallel multi-phaseshift interferometry for high speed metrology, optical inspection, and non-contact sensing |
| CN1483191A (zh) * | 2000-11-27 | 2004-03-17 | Tdk��ʽ���� | 光记录介质检查方法和光记录介质制造方法 |
| US6600556B2 (en) * | 2001-01-10 | 2003-07-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | System and method for detecting manufacturing marks on sputtered disks |
| DE10126017A1 (de) * | 2001-05-28 | 2002-12-12 | Joachim Kessen | Vorrichtung zur optischen Oberflächeninspektion von reflektierenden und/oder geschliffenen und/oder polierten Formteilen |
| US20040196763A1 (en) * | 2001-08-10 | 2004-10-07 | Toshifumi Tanaka | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
| US6798513B2 (en) * | 2002-04-11 | 2004-09-28 | Nanophotonics Ab | Measuring module |
| JP4245436B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | ディフェクト検出装置 |
| US20090040904A1 (en) * | 2003-11-18 | 2009-02-12 | Toshio Matsumoto | Laser Driving Device, Optical Head Incorporating Laser Driving Device, and Optical Disk Apparatus |
| US7414723B2 (en) * | 2004-02-23 | 2008-08-19 | Malvern Instruments Incorporated | Automated interleaved spectral imaging calibration |
| SE528486C2 (sv) * | 2004-05-24 | 2006-11-28 | Audiodev Ab | Kvalitetstestningsmetod för optiska databärare |
| KR100604892B1 (ko) * | 2004-08-10 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 재기록 가능한 광디스크의 결함 관리를 위한 결함 검출회로를 구비한 광디스크 재생/기록 시스템 및 그 방법 |
| JP4466544B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2010-05-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 光情報媒体の検査方法および光情報媒体検査装置 |
| US7978578B2 (en) * | 2006-03-09 | 2011-07-12 | Nec Corporation | Optical disc device and defect detection method for optical disc medium |
| US9289191B2 (en) | 2011-10-12 | 2016-03-22 | Seno Medical Instruments, Inc. | System and method for acquiring optoacoustic data and producing parametric maps thereof |
| US9445786B2 (en) * | 2011-11-02 | 2016-09-20 | Seno Medical Instruments, Inc. | Interframe energy normalization in an optoacoustic imaging system |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1535727A (fr) * | 1967-06-30 | 1968-08-09 | Centre Nat Rech Scient | Téléphotomètre |
| US4030835A (en) * | 1976-05-28 | 1977-06-21 | Rca Corporation | Defect detection system |
| US4069484A (en) * | 1976-05-28 | 1978-01-17 | Rca Corporation | Defect plotting system |
| US4180830A (en) * | 1977-06-28 | 1979-12-25 | Rca Corporation | Depth estimation system using diffractive effects of the grooves and signal elements in the grooves |
| US4197011A (en) * | 1977-09-22 | 1980-04-08 | Rca Corporation | Defect detection and plotting system |
| US4314763A (en) * | 1979-01-04 | 1982-02-09 | Rca Corporation | Defect detection system |
| JPS57161640A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | Inspecting device for surface |
| JPS57161641A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | Inspecting device for defect of surface |
| JPS5814332A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報再生装置 |
| NL8103492A (nl) * | 1981-07-23 | 1983-02-16 | Thomassen & Drijver | Werkwijze voor het controleren van de bekleding van een metalen oppervlak, alsmede inrichting voor het uitvoeren van die werkwijze. |
| JPS58199443A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録装置 |
| DE3219503C2 (de) * | 1982-05-25 | 1985-08-08 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Vorrichtung zum selbsttätigen Fokussieren auf in optischen Geräten zu betrachtende Objekte |
| DE3411934C2 (de) * | 1983-04-22 | 1986-04-24 | Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch | Fehlerfeststellungsvorrichtung |
| DE3515602A1 (de) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | Polygram Gmbh, 2000 Hamburg | Pruefeinrichtung fuer optisch auslesbare plattenfoermige informationstraeger |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61302186A patent/JPS63153455A/ja active Pending
-
1987
- 1987-09-22 DE DE19873731862 patent/DE3731862A1/de active Granted
- 1987-09-22 NL NL8702255A patent/NL8702255A/nl not_active Application Discontinuation
- 1987-09-22 GB GB8722237A patent/GB2199136B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-23 US US07/100,190 patent/US4832487A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-01 FR FR878716654A patent/FR2608789B1/fr not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245738A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Ricoh Co Ltd | 光デイスク欠陥検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4832487A (en) | 1989-05-23 |
| NL8702255A (nl) | 1988-07-18 |
| GB2199136B (en) | 1990-10-03 |
| FR2608789A1 (fr) | 1988-06-24 |
| FR2608789B1 (fr) | 1992-06-05 |
| DE3731862A1 (de) | 1988-06-30 |
| DE3731862C2 (ja) | 1993-07-08 |
| GB2199136A (en) | 1988-06-29 |
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