TW559945B - Thin films and production methods thereof - Google Patents
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五 發明説明（
本發明係關於薄膜及其製造方法，特別係關於可有一 -夕種結構⑼如微電子元件Μ# (例如半導體）。 m溥膜 惠重技藝說明 薄膜材料如半導體為多種今曰微縮化產品的主幹。此 =日用裝置例如係基於積體電路、光伏打電池等。不斷尋 ，良此等產叩，典型係提升其性能及增高可信度，以及 降低其製造相關之原料與勞力成本。 、處理多種半導體及其它薄膜裝置之一大目的係為了形 成具有極小維度（例如約為微米大小）的薄膜。薄膜裝置可 用於結構目的例如用於輕薄短小產品，以及用於性能目的 例如追求速度及可信度。例如攜帶型電子裝置、太陽能電 DRAMS以及多種其它系統可由薄型半導體元件獲益。 此外，多種裝置採用多數堆疊半導體元件而形成三維電路 (舉例)。其中-種三維系統述於美國專利第5,786,629號， 名稱使用巨置菲洛黎（Fill〇-Leaf)技術之3D封裝」，申請 人Sadeg. M. Faris，以引用方式併入此處。 如此，需要改良薄膜的本身。確實曾經多方面嘗試改 進、薄膜為主之裝置之製程處理與可信度，同時縮小其厚 度。眾所周知希望分離基板層與薄膜裝置層。進一步，由 於夕種用於形成薄膜基板（例如半導體）之材料相當昂貴。 因此需要將廢料數量減至最低。但許多習知薄膜基板處理 559945 A7 -------Β7 _ 五、發明説明（2 ) 技術浪費材料，容後詳述。 某些裝置如光伏打電池要求單獨使用薄膜（亦即不含 基板）。另有習知配置，具有微電子元件或其它有用結構於 上之薄膜半導體基板係支持於基板（例如石夕）上。薄膜基 板例如可使用磊晶生長技術生長。但均一薄膜難以利用此 種技術形成。又當基板材料不同時，基板層的生長極為困 難。因此極為希望將薄半導體元件層轉移至異體基板。 習知形成薄膜裝置之製造方法包括形成電路或其它有 用的元件（例如電子元件、光學元件及光伏打元件）於基板 上。處理期間，要求基板提供機械支持及熱安定。因此處 理後的基板需有足夠厚度來忍受苛刻的處理環境，包括高 壓及高溫以及暴露於化學品及能量。因此尋求有用的薄膜 裝置時仍然需要進一步處理。 當電路或其它結構形成於厚度足夠忍受製程處理的基 板上之後，採行的一種處理措施係藉機械方法去除基板厚 度。此等機械方法例如切削或研磨浪費大量材料及勞力。 被切下或磨下的材料經常無法回收，即使可回收，材料於 再度使用前須接受進一步處理。此外已經減薄的基板通常 係接受磨光或其它處理方法來光滑其表面。其它技術包括 於半導體元件製造前形成蝕刻擋止層於基板上。但基板於 選擇性蝕刻步驟之前仍然典型接受研磨·或以其它機械方式 去除，將基板概略蝕刻至蝕刻擋止層。此等技術皆導致時 間及材料上的浪費且造成品質管制問題。 另一項形成薄膜裝置之技術係利用離子植入法。常用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - -訂· 559945 A7 五、發明説明（3 ) ' --- 之離子植入法通常係獲得半導體材料薄層。此種方法例如 揭示於EP0l045448及WO00/024059，二案名稱「藉氫離子 植^刀離去製造s〇I晶圓之方法以及藉該方法製造的so】 曰曰圓」’一案以引用方式併入此處。特別離子如氫離子或氦 離子植入氧化矽晶圓頂面。離子植入至頂面内部深度。隨 後薄層可由本體矽基板離層，通常係接受高溫（高約500。〇 處理。然後薄層支持於絕緣層及基板上，微電子元件或其 它結構可形成於其上。但因離子植入對微電子元件造成不 利影響，故微電子元件須於薄層離層後形成。特別薄層可 能翹曲，裝置可能因離子植入受損，或裝置於離層期間受
Bruel等人之W0 98/332〇9，名稱「獲得包含經保護之 離子區段之薄膜特別半導體之方法，且涉及離子植入」，揭 示提供包括金氧半導體（M0S)之薄膜之手段。通常“〇8電 晶體係形成於半導體基板表面上。電晶體區被罩蓋，周圍 區經離子植入而界定期望斷裂線（亦即於該處由離子植入 步驟發展出微泡囊）。為了分離其上帶有電晶體之薄膜，裂 開係始於微泡囊附近的期望斷裂線，傳播通過電晶體下方 的晶體面（亦即不存在有微泡囊）。雖然使用W〇 98/332〇9 之教示，可實現有電晶體形成於其上的薄膜，但因基板材 料之結晶結構必須於電晶體緊鄰附近斷裂，故電晶體於裂 痕傳播時受到非期望的應力。
Aspar等人之美國專利第6，103,597號，名稱「獲得半導 體材料薄膜之方法」，通常教示將帶有微電子元件或其它結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚）
559945 A7 I ---~—— B7_ 五、發明説明（4 ) 構於其中之薄膜基板接受離子撞擊。如此氣態微泡囊形成 於其深度而界定薄膜的厚度。但多種類型形成於基板上之 微電子元件及結構要求隨後退火步驟，俾修復對元件造成 的扣傷或其它缺陷。隨後，教示藉加熱處理造成沿微泡囊 線斷裂，由下方基板材料分離薄膜層。
Sakaguchi等人之美國專利第6 221 738號，名稱「基板 及其製法」以及第6，1〇〇，166號名稱「半導體物件製法」， 二案以引用方式併入此處，教示連結基板至多孔半導體 I θ夕孔層的連結教示以機械方式變微弱，如此有助於藉 施加外力移開。美國專利第6，100，166號教示可於撕離方向 施力移除一層。但二參考文獻皆揭示於各層間的全體表面 使用微弱多孔分離機構。如此損害中間結構以及形成於多 孔半導體材料上的任何半導體元件之整體機械完整性。
Henley等人之美國專利第6，184，U1號，名稱「前置半 導體製程植入以及後製程薄膜分離」，該案以引用方式併入 此處，揭示使用受到應力層於矽晶圓表面下方的選定深 度。半導體元件係形成於接受應力層上方。植入通常係於 相等能階但跨晶圓直徑採用不同劑量進行。經過控制之裂 痕傳播最初係分離接受應力上層，包括該層上的任何元 件。發現形成接受應力層的製程處理可能損害形成於該層 上的元件，如此典型要求隨後進行修復退火。因此習知離 子植入及離層方法之缺點在於無法對包括微電子元件或其 它結構於其上之薄膜進行離子植入而未對薄型半導體造成 翹曲或其它損傷。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| ,0m, 559945 五、發明説明（5 ) 口此考慮本4膜製程的缺點，需要提供—種多層基 板，其中裝置層係於允許處理微電子元件或其它結構之條 件下設置於支持層上，讓帶有結構形成於其内或其上之裝 置層方便由支持層移開。 進-步希望提供一種經由處理褒置層上之結構而製造 /、有微電子7L件或其匕結構之薄層之方法，其中該裝置層 係設置於支持層上，讓裝置層可藉撕離或其它方便方法去 除。 卜希望使用帛多層基板，其具有裝置區於裝置 層上，讓使用者處理於其内或其上之微電子元件或其它結 構’以及實質上藉撕離或其它方便方法移除裝置層。 發明目的 b本I月之主要目的係提供_種低成本可挽性薄 膜裝置’例如半導體裝置。 本發明之另一目的係提供-種多層基板，其中裝置層 係以可由使用者選用之樣式，允許處理微電子元件或其它 結構之條件下設置於支持層上。 本發明之另-目的係提供一種多層基板，其中一裝置 層係於允許以多種樣式處理微電子元件或其它結構之條件 下設置於支持層上，讓帶有結構形成於其内或其上之裝置 層方便由支持層移除，而未損傷或極少損傷形成於裝 上的結構。 此外，本發明之目的係提供一種多層基板，其中一裝 置層係於允許以多種樣式處理微電子元件或其它結構之條 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2]0χ297公着） 8
、τ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^^裝- 讓罗有結構形成於其内或其上之裝 而未損傷或極少損傷形成於裝置層 559945 A7 ----— B7 五、發明説明（6 ) 件下設置於支持層上 置層可由支持層撕離 上的結構。 本發明之又一目的係提供一種多層基板，其中一裝置 層係於允許處理微電子元件或其它結構之條件下設置於;支 持層上，讓帶有結構形成於其上或其内之裝置層可被撕離 或以其它方式容易由支持層移除，其中該支持層可再度用 作為隨後操作之支持層、用作為裝置層、或用作為衍生另 一裝置層之材料來源。 本發明之另一目的係提供一種多層基板，其中裝置層 係於允許於苛刻化學及/或物理（亦即溫度及/或壓力）處理 條件下例如半導體裝置之處理條件下，處理微電子元件或 其它結構而被設置於支持層上。 本發明之另一目的係提供一種經由處理一裝置層上之 結構而製造帶有微電子元件或其它結構之薄膜之方法，其 中該裝置層係設置於支持層上，讓裝置層可藉撕離或其它 方便方法移除。 此外，本發明之目的係提供一種帶有裝置區於裝置層 上之多層基板給使用者，讓使用者可處理裝置層内或層上 的任何有用結構或裝置，進一步讓薄裝置層容易被移除， 包括形成於其内或其上之有用結構一起被移除。 發明概述 前文討論及其它先前技藝之問題及缺點可藉本發明方 法及裝置而被克服或改善以及達成本發明之各項目的。一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、τ. 559945 A7 B7 五、發明説明（7 ) 多層基板通常包括一第一層選擇性附著或連結至第二層， 該第一層適合有有用的元件形成於其内或於其上。一種形 成多層基板之方法概略包括選擇性黏著一第一基板至一第 二基板。 一具體實施例中，多層基板包括第一層選擇性附著或 結合至第二層。選擇性結合通常包括一或多個強連結區以 及一或多個弱連結區。結構例如可由被供給多層基板之終 端使用者而形成於一或多個弱連結區内或區上。如此使用 者可形成結構，結構通常必須於苛刻操作條件下形成，同 時維持第一基板層之完整性。因第二層用來提供支持及熱 女疋性，故第一層可能極薄（例如若有所需可小於i微米）。 隨後，第一層方便藉例如撕離或其它方便方法而容易地由 第二層移除。由於結構係形成於第一層的弱連結區内或區 上，故結構於移除期間極少受影響，較好絲毫也未受影響， 因此極少或無需隨後結構的修復或處理。 前文討論的及其它本發明之特色及優點對熟諳技藝人 士而吕，由後文詳細說明及附圖將更為理解與明瞭。 圖式之簡要說明 第1圖為此處所述層狀結構之一具體實施例之示意代 表圖； 第2-13圖顯示選擇性黏著第！圖結構各層之多種處理 技術； ;以及 第14-20圖顯示第}圖結構之多種連結幾何 第21-32圖顯示多種脫離連結技術。 (210X297公釐) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格 559945 A7 五、發明説明（8 ) 基麗實施例之詳纟田說日弓 參照第1圖，顯示選擇性連結的多層基板1〇〇。多層基 板100包括一層1其具有一暴露面1B以及一選擇性連結至 層2之表面2A的表面ία。層2進一步包括對向表面2B。通 常為了形成選擇性連結的多層基板1〇〇，層i、層2、或層1 及2二者接受處理俾界限弱連結區5及強連結區6以及隨後 連結，其中弱連結區5係處於允許處理有用的裝置或結構之 製程條件下。 通常層1及2為相容。換言之，層丨及2構成相容的熱、 機械及/或結晶性質。若干較佳具體實施例中，層丨及2乃相 同材料。當然也可採用不同材料，但較好選用相容的材料。 層1之一或多區係界限為基板區，於基板區内或區上可 形成一或多個結構例如微電子元件。此等區如前文已述， 彳具有不同樣式。然後層1之選定區接受處理俾將連結減至 最低而形成弱連結區5。另外，層2之對應區可經處理（與層 1共同處理、或另外處理）俾將連結減至最低。其它替代之 道包括於選定用以形成結構之該等區以外區域處理層⑷ 或層2，俾提升強連結區6之連結強度。 層1及/或層2處理後，將各層對準以及連結。連結可藉 任一種適當方法，容後詳述。此外對準可為機械、光學或 | 纟組合方式對準。須了解本階段對準並非關鍵性，原因在 於此階段通常並無結構形成於層1上。但若層1及2兩層皆接 受處理，則要求對準俾將選定的基板區之變化減至最低。 夕層基板100可提供給使用者用以處理層丨内或層工上 紙張尺度適用中關冢標準（CNS) A4規格⑵GX297公楚)~--
裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂| -線：· 559945 A7
559945 A7 ________B7 五、發明説明（10) " ~--- 於層1之區3内或上形成結構或裝置。 微弱連或「弱連結」等詞表示容易藉脫離連結 技術克服之層間或部分層間連結，該等脫離連結技術例如 撕離、其它機械分離、熱、光、壓力或包含前述脫離連結 技術中之至7 I的組合。此等脫離連結技術對層m特 別於弱連結區5附近之層1及2極少造成缺陷或損害。 少成組弱連結區5及強連結區6中之一或二者的處理可藉 多種方法執行。處理之重點為弱連結區$比強連結區G更容 易脫離連結（於隨後之脫離連結步驟脫離連結，容後詳 述）。如此減少或防止脫離連結期間對包括有縣構於其上 的區3造成損害。又涵括強連結區6特別於結構處理製程期 間可增強多層結構⑽之機械完整性。如此層^連同其内或 其上之有用結構被移除時可減少或免除層丨之隨後處理。 強連結區對弱連結區之連結強度比（SB/WB)通常係大 於1。依據強連結區及弱連結區之特殊組態、以及強連結區 與弱連結區之相對面積而定，SB/WB值趨近於無限大。換 吕之，若強連結區之尺寸及強度足夠維持於製程處理期間 的機械及熱安定性，則弱連結區之連結強度可趨近於零。 但如業界教示，因強連結強度（於典型矽及矽衍生物如二氧 化矽晶圓）可由約500亳焦耳/平方米（mj/m2)至超過5〇〇〇 mj/ni，故SB/WB比可有相當變化（例如參考Q.Y· T〇ng，u. G〇eSle，半導體晶圓連結，科學與技術，104-118頁，約翰 威利父子公司，紐約州紐約1999年，以引用方式併入此 處）。但依據材料、預期的有用結構（若為已知）、選用的連 本紙張尺度相巾軸雜準（CNS) A4規格（21GX297公釐) 13 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁)
、可I 線------ 559945 A7 ------B7_ 五、發明説明（11 ) "" " ^^ 結與脫離連結技術、強連結面積比弱連結面積、晶圓上強 連結及弱連結組態或樣式等，弱連結強度甚至有更明顯變 化。舉例言之，若採用離子植入作為各層脫離連結步驟， 則於離子植入後及/或植入區的相關微泡囊逸出後，有用的 弱連結區連結強度可嫂美強連結區連結強度。如此，依據 選用的脫離連結技術以及依據欲形成於弱連結區之有用的 結構或裝置之選擇而定，連結強度比SB/WB比通常係大於 1且較好係大於2、5、10或以上。 對成組弱連結區5及強連結區6之一或二者採行的特殊 類型處理通常係依據選用的材料決定。進一步，層1及2之 連結強度的選擇至少部分係依據選用的處理方法決定。此 外，隨後脫離連結可依據下列因素決定，此等因素例如處 理技術、連結方法、材料、有用結構的類型或存在、或包 含前述各項因素中之至少一者的組合。某些具體實施例 中，選用的處理組合、連結以及隨後的脫離連結（亦即可由 形成有用結構於區3之終端使用者採行的步驟，或另外，作 為而階裝置的中間組成元件）可免除需要裂痕傳播來將層i 與層2脫離連結、或需要機械減薄來移除層2 ,且較好可免 除裂痕傳播以及機械減薄二者。如此，下方基板可極少或 無需處理即可供重複使用，根據習知技術之裂痕傳播或機 械減薄損傷層2 ’因而若下方基板未經實質製程處理大致上 無法再用。
一種處理技術係仰賴弱連結區5與強連結區6間之表面 粗度變化。於表面1A(第4圖）、表面2A(第5圖）或二表面1A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 14 ----------•…-费-…- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可| ,0m, 559945 A7 --------___ 五、發明説明（l2 ) 及2A之表面粗度可經修改。通常弱連結區5具有比強連結 區6更高的的表面粗度7(第4及5圖）。半導體材料中，例如 弱連結區5具有表面粗度大於約〇·5奈米（nm)，強連結區4具 有較低表面粗度，通常小於約〇_5奈米。另一範例中，弱連 結區5具有表面粗度大於約丨奈米，強連結區4具有較低的表 面粗度通常小於約1奈米。又另一例中，弱連結區5具有表 面粗度大於約5奈米，強連結區4具有較低表面粗度，通常 小於約5奈米。表面粗度可藉蝕刻（例如mK〇h*hf溶液蝕 刻）或沉積方法[例如低壓化學氣相沉積（LPCvd)或電漿加 強式化學氣相沉積（PECVD)]修改。表面粗度相關連結強度 更元整說明於例如Gui等人，「藉表面粗度控制之選擇性晶 圓連結」，電化學會期刊，148(4)G225-G228(2001)，以引 用方式併入此處。 以類似方式（其中藉由類似情況區標示以如第4及5圖 之類似參考編號），多孔區7可形成於弱連結區5，而強連結 區6維持未經處理。由於多孔性之故，層1於弱連結區5所在 位置極少連結至層2。多孔性可於表面1 a(第4圖）、表面 2A(第5圖）或二表面1A及2A接受修改。通常弱連結區5於多 孔區7(第4及5圖）具有比強連結區6更高的孔隙度。 另一種處理技術係仰賴選擇性蝕刻弱連結區5[於表面 1A(第4圖）、2A(第5圖）或1A及2A二者]，接著沉積光阻劑 或其它含碳材料（例如包括以聚合物為主的可分解材料）於 蝕刻區。再度有類似情況區標示以如同第4及5圖之類似參 考編號。當連結層1及2時，層1及2較好處於足夠分解載劑 15 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 559945 A7 —~ -— BZ__ 五、發明説明（13) 材料溫度，弱連結區5包括多孔碳材料於其中，如此於弱連 結區5，層1與2間之連結比層丨與2間於強連結區6之連結相 對微弱。熟諳技藝人士了解視情況而定，將選用不會排出 氣體、積垢、或以其它方式污染基板層丨或2或欲形成於區3 内或上之任何有用結構的分解材料。 進一步處理技術可採用照射來達成強連結區6及/或弱 連結區5。此項技術中，層丨及/或2以中子、離子、粒子束 或其組合照射而視需要達成強連結及/或弱連結。例如粒子 如He、Η或其它適當離子或粒子、電磁能或雷射束可照 射於強連結區6[於表面1Α(第1〇圖）、2Α(第丨丨圖丨或丨八及2八 一者]。須了解此種照射方法與離層目的之離子植入之差異 概略在於植入劑量及/或植入能遠較低（例如約為離層使用 劑量之 1/100至 1/1000)。 其它處理技術包括於表面1Α、2Α*1Α&2Α二者使用 含固體組成分以及可分解組成分之料漿。固體組成分可為 例如氧化鋁、矽氧化物（Si〇(x))、其它固體金屬或金屬氧化 物或其它極少與層1及2連結的材料。可分解組成分例如為 聚乙烯醇（PVA)或其它適當可分解聚合物。通常料漿8係施 用於弱連結區5的表面1A(第2圖）、2A(第3圖）或以及2八二 者上。隨後，層1及/或2可經加熱較好於惰性環境加熱俾分 解聚合物。如此，多孔結構（由料漿之固體組成分組成）留 在弱連結區5上，當連結時，層1與2於弱連結區5不會連結。 又另一項處理技術涉及蝕刻弱連結區5表面。於此蝕刻 步驟期間，柱9界定於弱連結區5的表&1Α(第8圖）、2八（第9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 16 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可— 559945 A7 ---------B7 五、發明説明（Η) 圖）或1Α及2Α二表面上。柱可藉選擇性蝕刻界定而留下 柱。柱形狀可為三角形、稜柱形、矩形、半球形或其它適 當形狀。另外，柱可生長或沉積於蝕刻區。由於對欲連結 材料有較少連結位置，故弱連結區5之總連結強度遠較強連 結區6之連結強度微弱。 又另一項處理技術涉及涵括空隙區1〇(第12及13圖）於 層1(第12圖）、層2(第13圖）的弱連結區5，空隙區1〇例如可 藉蝕刻、切削、或二者（依據使用材料而定）形成。如此， 當第一層1連結至第二層2時，比較強連結區6，空隙區1〇 將連結減至最低，如此有助於隨後的脫離連結。 另一項處理技術涉及使用一或多個金屬區8於表面 1Α(第2圖）、2Α(第3圖）或1Α及2Α二表面的弱連結區5。例 如金屬包括但非限於銅、金、鉑或其任一種組合或其合金 可沉積於弱連結區5上。當連結層1與層2時，弱連結區5將 微弱連結。強連結區保持未經處理（其中連結強度差異提供 弱連結區5以及強連結區6要求的強連結對弱連結比），或可 如前述或如後述接受處理俾增進強力黏著。 又另一處理技術涉及使用一或多種黏著促進劑1 1於表 面1Α(第10圖）、2Α(第11圖）或1Α及2Α二表面上之強連結區 6。適當黏著促進劑包括但非限於Ti0(x)、鈕氧化物或其它 黏著促進劑。此外，黏著促進劑可實質用於全部表面丨八及 /或2A上，其中於弱連結區5放置金屬材料於黏著促進劑與 表面1A或2A間（依據黏著促進劑所在位置決定）。因此，連 結時，金屬材料將防止弱連結區5出現強力連結，而留在強 17 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 559945 A7 ^------- -B7__ 五、發明說明（IS ) 連結區6之黏著促進劑促成強力連結。 又另一項處理技術涉及提供不同疏水性區及/或親水 性區。例如親水區特別可用於強連結區6，矽等材料將於室 溫自動連結。 於室溫以及於升高溫度之疏水及親水連結技術為已 知，例如述於Q.Y.Tong，U.G〇esle，半導體晶圓連結，科 學與技術，49-135頁，約翰威利父子公司，紐約州紐約1999 年’以引用方式併入此處。 又另一項處理技術涉及一或多層剝脫層經選擇性照 射。例如一或多層剝脫層可置於表面丨八及/或2A上。未經 …、射，剝脫層係作為黏著劑。當弱連結區5暴露於照射例如 照射紫外光時，黏著特性減至最低。有用的結構可形成於 弱連結區5内或上，隨後之紫外光照射步驟或其它脫離連結 步驟可用來分離於強連結區6之層1與層2。 又一項處理技術包括植入離子12(第ό及7圖）俾允許加 熱處理時於層1(第6圖）、層2(第7圖）或層1及2二者於弱連結 區3形成多數微泡囊13。因此當層1與層2連結時，弱連結區 5之連、纟σ力小於強連結區6，故有助於隨後層1與2於弱連結 區5脫離連結。 另一項處理技術包括植入步驟接著為蝕刻步驟。一具 體實施例中，此項技術係以離子植入實質跨全部表面⑶進 行。隨後，弱連結區5可經選擇性蝕刻。此種方法係就損傷 k擇性餘刻俾去除缺陷說明於§imps〇n等人，「植入誘導硫 化銦之選擇性化學蝕刻」，電化學與固態函件，4(3) 本紙張尺度適用中國國家標準（0^) A4規格（21〇χ297公釐） 18
訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 559945 A7 B7_ 五、發明説明（16 ) G26-G27，以引用方式併入此處。 又一項處理技術貫現一或多層選擇性位於弱連結區5 及/或強連結區6，其具有輻射吸收及/或輻射反射特性，可 基於窄或寬波長範圍。例如選擇性位於強連結區6之一或多 層當暴露於某種輻射波長時具有黏著特性，故該層吸收輻 射以及於強連結區6連結層1與層2。 熟諳技藝人士了解可採用其它處理技術、以及包含前 述處理技術中之至少一者的組合。但採用的任一項處理之 關鍵特色為只要SB/WB連結強度比大於1，則可形成一或 多個弱連結區以及一或多個強連結區。 於層1與2之界面，弱連結區5及強連結區6之幾何係隨 多項因素決定，該等因素包括但非限於形成於區3上或内之 有用結構類型、選用之脫離連結/連結類型、選用之處理技 術以及其它因素。區5、6可為同心（第14、16及18圖）、條 狀（第15圖）、輻射狀（第17圖）、棋盤狀（第2〇圖）、棋盤與環 开> 的組合（第19圖）或其任一種組合。當然熟諳技藝人士了 解可選用任一種幾何。此外，弱連結面積比強連結面積比 可改變。通常’比值提供足夠連結（亦即於強連結區6)，俾 不有損多層結構100之完整性，特別於結構處理期間不有損 結構的完整性。較好該比值也獲得結構處理之最大有用區 (亦即弱連結區5)。 如前述，於實質上弱連結區5及/或強連結區6所在位置 處理表面1A及2A之一或二者後，層1與2連結而形成實質整 合一體的多層基板1〇〇。層1及2可藉多種技術及/或物理現 19 (請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） 559945 A7 p--------- —____B7__ 五、發明説明（I7 ) 象一連結’該等技術及/或物理現象包括但非限於共熔、融 合、陽極、真空、凡得瓦爾、化學黏著、疏水現象、親水 現象、氫鍵庫倫力、毛細力、極短範圍力或包含前述連結 技術及/或物理現象中之至少一者的組合。當然，熟諳技藝 人士顯然易知，連結技術及/或物理現象部分係依據一或多 項採用之處理技術、存在於其上或其内之有用結構類型或 是否存在、預期脫離連結方法或其它因素決定。 如此多層基板1〇〇可提供給終端使用者。終端使用者隨 後=貝貝上或部分疊置於表面以與二八交界面的弱連結區5 之區3内或上形成一或多個有用的結構（圖中未顯示卜有用 的結構包括一或多種主動或被動元件、裝置、設備、工具、 通道、其它有用的結構或包含前述有用結構之任一者組 合。例如有用結構包括積體電路或太陽能電池。當然熟諳 技藝人士 f解可形成多種基於微米技術或奈米計數之妒 置。 ’
於或多個結構形成於一或多個層1選定區3後，層J 可藉多種方法脫離連結。須了解因結構係形成於區4内或上 (區4部分或實質上疊置弱連結區5)，故可進行層w脫離連 結，同時減少或消除脫離連結典型對結構造成的傷害，例 如結構缺陷或變形。 脫離連結可藉多種已知技術達成。通常脫離連結至少 部分係依據處理技術、連結技術、材料、有用結構類型或 是否存在或其它因素決定。 概略參照第21-32圖，脫離連結技術可基於離子或粒子 20 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2ΐ〇χ297公楚） 五、發明説明（is) 的植入而形成微泡囊於參考深度，通常該深度係等於層1 厚度。離子或粒子可衍生自氧氣、氫氣、氨氣或其它粒子 14、。植入接著為暴露於強電磁輕射、㉟、光(如红外光或紫 外光）、塵力或包含前述至少一種的組合俾讓粒子或離子形 成微泡囊15,以及最終擴大及離層層丨及2。植入以及視需 要的熱、光及/或壓力也可接著為機械分離步驟（第23、％、 29、32圖）’例如於層平面之法線方向、平行層a) 平面方向、與層丨及2平面夾角其它角度、於撕離方向（第 23 26、29、32圖虛線指示）、或其組合。用於分離薄層之 離子植入之進一步細節例如述於Cheung等人之美國專利 第6,〇27,9峨’名稱「藉電漿浸沒離子植人由本體基板分 離薄膜之方法」，以引用方式併入此處。 特別參照第21-23及24-26圖，層1與2間之界面可被選 擇〖生植入，特別植入於強連結區6而形成微泡囊17。藉此方 式將粒子16植入區3(區3帶有一或多個有用結構於其内或 其上）減至最低，因而減少對區3之一或多個有用結構造成 可修復或無法修復的損害的可能。選擇性植入可藉選擇性 離子束掃描強連結區4(第24-26圖）進行或藉罩蓋區3(第 21-23圖）進行。選擇性離子束掃描表示機械操縱結構⑽及 /或用來導向欲植入的離子或粒子之裝置。如熟諳技藝人士 已知’可採用多種裝置及技術來進行選擇性掃描，此等裝 置及技術包括但非限於聚焦離子束及電子束。又多項罩蓋 材料及技術亦為業界眾所周知。 參照第27_29圖，植人可實f上跨表面㈣⑶之全部 559945 A7 ------- -£7___ 五、發明説明（l9 ) 表面進行。依據目標以及植入材料以及所需植入深度決 疋’植入係位於適當高度。如此若層2遠比層1更厚，則經 由表面2B植入不合實際；但若層2具有適當植入厚度（例如 於可行之植入能以内），則較好經由表面2]3植入。如此減少 或消除可能對區3之一或多個有用結構造成可修復或無法 修復之損傷的可能。 一具體實施例中以及參照第18及30_32圖，強連結區6 係形成於層1與2間之界面外周邊。如此，為了將層丨與層2 脫離連結，離子18可經由區4植入而於層1與2之界面形成微 泡囊。較好使用選擇性掃描，其中結構1〇〇可經旋轉（以箭 頭20指示掃描裝置21可經旋轉（以箭頭22指示）或其組 合。本具體實施例中，進一步優勢為提供給終端使用者選 擇形成於其内或其上之有用結構的選擇彈性。強連結區6 之維度（亦即覓度）適合維持多層基板1〇〇之機械及熱完整 性。較好強連結區6之維度減至最低，因而將用於結構製程 處理用的弱連結區5面積增至最大。例如8吋晶圓之強連結 區6約為1微米。 此外，層1與層2之脫離連結可藉其它習知方法引發， 例如蝕刻（平行於表面蝕刻）俾形成貫穿強連結區6^蝕 刻。本具體實施例中，處理技術特別相容，例如其中強連 結區6係使用氧化物層處理，氧化物層具有比本體材料（亦 即層1及2)遠更高的餘刻選擇性。弱連結區5較好無需钱刻 來於弱連結區5所在位置將層丨與層2脫離連結，原因在於選 用之處理或無處理可避免於連結層i至層2之步驟時二者連 559945 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 結。 另外，裂痕傳播可用來引發層1與層2脫離連結。因弱 連結區5之連結有限，故較好僅要求於強連結區6進行脫離 連結。此外，如習知，脫離連結可藉蝕刻引發（表面之法線 方向），較好限於區4位置（亦即部分或實質疊置強連結區 6) 〇 層1及2可為相同或相異材料，可包括多種材料，該等 材料包括但非限於塑膠（如聚碳酸酯）、金屬、半導體、絕 緣體、單晶、非晶形、非晶、生物（基於DNA之薄膜）或包 含前述材料類型中之任一種的組合。例如特定類型材料包 括矽（例如單晶、多晶、非晶、多晶矽及其衍生物如Si3N4、 SiC、Si02)、GaAs、InP、CdSe、CdTe、SiGe、GaAsP、 GaN、SiC、GaAlAs、InAs、AlGaSb、InGaAs、ZnS、AIN、 TiN、其它IIIA-VA族材料、IIB族材料、VIA族材料、藍寶 石、石英（晶體或玻璃）、鑽石、以氧化矽及/或矽酸鹽為主 的材料、或包含前述至少一種材料的組合。當然其它類型 材料的處理也可採用此處所述方法而獲得具有預定組成之 多層基板100。特別適合用於此處所述方法之較佳材料包括 半導體材料（例如矽）作為層1，以及半導體材料（例如矽）作 為層2，其它組合包括但非限於半導體（層1)於玻璃（層2); 半導體（層1)於碳化矽（層2);半導體（層1)於藍寶石（層2); GaN(層1)於藍寶石（層2) ; GaN(層1)於玻璃（層2) ; GaN(層 1)於碳化矽（層2);塑膠（層1)於塑膠（層2)，其中層1與2可 為相同或相異的塑膠；以及塑膠（層1)於玻璃（層2)。 23 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 559945 A7 五、發明説明（2l ) 及2可衍生自多種來源，包括晶圓或流體材料沉積 而形成薄膜及/或基板結構。若起始物料係呈晶圓形式，則 T使用任何習知方法來衍生層或層2。例如層2由晶圓 、组成，層1包含相同或相異晶圓之一部分。組成以之晶圓 部分可衍生自機械減薄（例如機械研磨、切削、磨光、化學 -機械磨光、磨光擋止或包括前述至少一者的組合卜裂痕 傳播、離子植入接著為機械分離（例如結構i 00平面之法線 方向、平行結構1〇〇平面方向、撕離方向或其任一種組合之 妓痕傳播）、離子植入接著為熱、光及/或壓力誘導層分裂、 化學#刻等。此外兩層⑴例如可藉化學氣相沉積、蠢晶 I 生長方法專沉積或生長。 本方法以及所得多層基板、或由多層基板衍生之薄膜 之主要效果為結構係形成於部分或實質上疊置弱連結區5 的區3内或區3上。如此實質上減少或消除由層2移開層i時 造成有用結構損傷的可能性。脫離連結步驟通常需要擠塑 (例如使用離子植入）、施力、或其它將層丨與2脫離連結所 | 而技術。某些具體實施例中，因結構係於區3内或上，區3 無需局部擠塑、施力、或其它可能可修復或不可修復地毀 損結構之處理步驟，故層丨可被移除，如此獲得結構而無需
Ik後處理來修復結構。部分或實質上疊置強連結區6之區4 通常不含結構於其上，因此區4可接受擠塑或施力而不會損 害結構。 層1可呈自撐膜或支撐膜形式被移開。例如手柄常用於 附著至層1，讓層丨可由層2移開且維持由手柄所支撐。通常 本紙張尺度適用中國(⑽⑽謂公楚) ΠΓ：--
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11…黏著促進劑 12…植入離子 13，15，17···微泡囊 14，16···粒子 18…離子 20，22…箭頭 21…掃描裝置 100···多層基板 ^可用於隨後將薄膜或部分薄膜（例如具有— ^、。奶於期望基板上、另—經處理 上 ^ 手柄上。 X乃外留在 本方法之效果為組成層2的材料可重複使用 :晶：例如可用以藉任何已知方法衍生成層卜街生二 如則述選擇性連結至其餘部分(層2)。當薄膜被解
=，重複處理過程，使用層2其餘部分獲得薄膜來作為下I 的層1。如此重複直到使用層2其餘部分來衍生層μ的薄膜 不可行或不合實際為止。 雖然已經顯示及說明較佳具體實施例，可未恃離本發 明之精髓及範圍對其做出多項修改或取代。如此須了解前 文已經舉例說明本發明而非限制性。 元件標號對照 1 ’ 2…層 ΙΑ ’ 2Α-Β···表面 1Β…暴露面 3 ’ 4，5，6···強連結區 7…多孔區 8…金屬區 9…柱 10…空隙區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 25 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁)
Claims (1)
- 559945r k 、申請專利範圍 第仙0524料利巾請#中請專利範时正本辦⑻曰 1 · 一種層狀結構，包含·· 一第-層其係選擇性連結至—第二層，其中選擇性 連結包括至少-強連結區以及至少—弱連結區於第一 層與第二層的界面，其中第—層於弱連結區表面係處於 用以形成有用的裝置於其内或於其上之條件;以及進一 步其中於強連結區之連結強度對於弱連結區之連結強 度之連結強度比係大於1。 2. 如申請專利範圍第旧之結構，其中第—層及第二層係 處於經由將強連結區脫離連結而予分離之條件下。 3. 如申請專利範圍第2項之結構，其中弱連結區係處於比 訂 強連結區所需脫離連結之較低脫離連結程度予以分離 之條件下。 4·如申請專利範圍第！項之結構，進—步包含—種有用結 構於弱連結區。 5·如申請專利範圍第旧之結構，其中該第_層係選自塑 膠、金屬、半導體、絕緣體、單晶、非晶形、非晶、生 物或包含前述材料中之至少一者的材料組成的組群。 6· ^申請專利範圍第！項之結構，其中該第_層係選自單 晶矽、多晶矽、非晶矽、多晶矽、啊、沉、si〇2、 GaAs、GaN、InP、CdSe、CdTe、SiGe、GaAsp、仏…触、 InAs、AlGaSb、InGaAs、ZnS、AIN、TiN ' 藍寶石、 結晶石英、玻璃石英、鑽石、氧化矽、以矽酸鹽為主的 材料、或包含前述材料中之至少一者的組合材料組成的 I 本紙張尺度賴+ _ &辟（CNS) A4規格（2T_qx297公楚) 26 559945 A8 B8 C8 申請專利範圍 組砰 7. 8. 如申請專利範圍第旧之結構，其中該第二層係選自塑 膠金屬、半導體、絕緣體、單晶、非晶形、非晶、生 物或包含前述材料中之至少—者的材料組成的組群。 ^申請專利範圍第1項之結構，其中該第二層係選自單 晶矽、多晶矽、非晶矽、多晶矽、Si3N4、SiC、Si02、 GaAS、GaN、InP、CdSe、CdTe、SiGe、GaAsP、GaA1As、 Ms、A1GaSb、In(JaAs、如、雇道、藍寶石、 結晶石英、玻璃石英、鑽石、氧切、以料鹽為主的 材料、或包含前述材料中之至少—者的組合材料組成的 組群。 9.如申請專利範圍第旧之結構，其中該第一層包含半導 體。 10·如申請專利範圍第w之結構，其中該第__層包含石夕以 及第二層包含梦。 11·如申請專利範圍第W之結構，其中該第一層包含石夕以 及第二層包含玻璃。 12.如申請專利範圍第w之結構，其中該第—層包含石夕以 及第二層包含石英。 13·如申請專利範圍第w之結構，其中強連結區之連結比 對弱連結區之連結比之連結強度比係大於約2。 14·如申請專利範圍第丨項之結構，其中強連結區之連結比 對弱連結區之連結比之連結強度比係大於約5。 15·如申請專利範圍第1項之結構，其中強連結區之連結比裝 訂/I 27 夂、申請專利範圍 對弱連結區之連結比之連結強度比係大於約10。 M·如申請專利範圍第丨項之結構，其中該第一層係於第_ 層與第二層間之界面周邊選擇性連結至第二層。 17·種製造微米裝置或奈米裝置之方法，包含·· 提供如申請專利範圍第1項之層狀結構；以及 處理至少部分於弱連結區第一層内或上之微米裝 置或奈米裝置。 ~ 18.如申請專利範圍第17項之方法’進_步包含由第二層脫 離連結第-層，其巾該麟連結極少對微米裝置或奈米 裝置造成損傷。 μ 19· 一種製造層狀結構之方法，包含·· 提供一第一層以及一第二層 層及第二層之用於弱 處理第一層、第二層、或第一 連結區；以及 連結第一層與第二層。 2〇·—種製造層狀結構之方法，包含·· 提供一第一層以及一第二層 層及第二層之用於強 處理第一層、第二層、或第一 連結區；以及 連結第一層與第二層。 21·—種製造層狀結構之方法，包含：559945 ABCD 圍 ΑΓ巳利專 青 、=ρ Φ— 之3 I 如申凊專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 處理第二層之選定部分用以弱連結第一層與第二層。 24·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 處理第一層及第二層之選定部分用以弱連結第一層與 第一"層。 •如申凊專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 處理第一層之選定部分用以強連結第一層與第二層。 6.如申凊專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 處理第二層之選定部分用以強連結第一層與第二層。 27·如申睛專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 處理第一層及第二層之選定部分用以強連結第一層與 第二層。 28·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 k供於第一層與第二層界面之弱連結區具有比於第一 層與第二層間之界面之強連結區更高的表面粗度。 29·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供強連結區於第一層與第二層間之界面，其係經以黏 著材料或處理步驟處理，以及進一步其中留在第一層與 第一層間之界面之弱連結區係未經以黏著材料或處理 步驟處理。 3〇·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 k供強連結區於第一層與第^一層間之界面，其係經以黏 著材料或處理步驟處理，以及進一步其中留在第一層與 第二層間之界面之弱連結區比強連結區經處理至較低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 29 559945黏著程度。 l =申凊專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第—層與第二層間之界面，其具有比於 第-層與第二層間之界面之強連結區更高的孔隙度。 32·如申請專利範圍第21項之方法’其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第一層與第二層間之界面，其具有多數 柱。 33·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第一層與第二層間之界面，其具有多孔 碳材料。 34.如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供強連結區於第一層與第二層間之界面，其經照射俾 促進黏著性。 35·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第一層與第二層間之界面，其具有衍生 自料漿之多孔固體材料，該料漿包含該固體材料以及一 種可分解組成分。 36. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第一層與第二層間之界面，其具有空 隙。 37. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第一層與第二層間之界面，其具有金 屬，其中該第一層及第二層包含半導體、絕緣體、或半 導體與絕緣體的組合。 本紙求尺度迺用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ---- -30 - 559945ABCD 38·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供強連結區於第一層與第二層間之界面，其具有親水 特性。 39·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供強連結區於第一層與第二層間之界面，其具有黏著 劑，其中該界面可藉光離層。 4〇·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 提供弱連結區於第一層與第二層間之界面，其具有離子 或粒子植入於第一層與第二層之界面。 41·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包括 一種選自共熔、融合、陽極、真空、凡得瓦爾、化學黏 著、疏水現象、親水現象、氫鍵、庫倫力、毛細力、極 短範圍力或包含前述連結技術中之至少一者的組合組 成的組群之連結技術。 42·如申請專利範圍第21項之方法，其中該選擇性黏著包含 &供強連結區於第一層與第二層間之界面周邊。 43·如申請專利範圍第42項之方法，其進一步包含經由選擇 性掃描強連結區將第一層與第二層脫離連結。 44· 一種半導體裝置，包含·· 一第一半導體基板，其具有有用的結構於其内或其 上且選擇性附著至一第二支持基板。 45·如申請專利範圍第44項之半導體裝置，其中該具有有用 結構於其内或於其上之第一半導體基板由第二支持基 板移除。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ规格Ul〇X297公楚) 31
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI394241B (zh) * | 2008-06-17 | 2013-04-21 | Univ Nat Chunghsing | An electronic component with viscose self - forming structure |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956268B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
| US7033910B2 (en) * | 2001-09-12 | 2006-04-25 | Reveo, Inc. | Method of fabricating multi layer MEMS and microfluidic devices |
| EP1385199A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-28 | IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw | Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application |
| DE10239307A1 (de) * | 2002-08-27 | 2004-04-01 | Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V. | Verfahren zum selektiven Waferbonden |
| JP2005347302A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
| US7368312B1 (en) * | 2004-10-15 | 2008-05-06 | Morgan Research Corporation | MEMS sensor suite on a chip |
| TWI401739B (zh) * | 2004-10-21 | 2013-07-11 | Fujifilm Dimatix Inc | 蝕刻犧牲材 |
| US7804100B2 (en) * | 2005-03-14 | 2010-09-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarization-reversed III-nitride light emitting device |
| US20100112780A1 (en) * | 2005-07-12 | 2010-05-06 | The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University | Microwave-Induced Ion Cleaving and Patternless Transfer of Semiconductor Films |
| US7425465B2 (en) * | 2006-05-15 | 2008-09-16 | Fujifilm Diamatix, Inc. | Method of fabricating a multi-post structures on a substrate |
| US8468887B2 (en) * | 2008-04-14 | 2013-06-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Resonant accelerometer with low sensitivity to package stress |
| US8101996B2 (en) | 2008-04-15 | 2012-01-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Three-dimensional semiconductor device structures and methods |
| WO2009155119A2 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-23 | Alta Devices, Inc. | Methods and apparatus for a chemical vapor deposition reactor |
| US8367518B2 (en) | 2008-05-30 | 2013-02-05 | Alta Devices, Inc. | Epitaxial lift off stack having a multi-layered handle and methods thereof |
| CN102177572A (zh) * | 2008-10-10 | 2011-09-07 | 奥塔装置公司 | 用于外延剥离的台面蚀刻方法和组成 |
| KR20110069852A (ko) * | 2008-10-10 | 2011-06-23 | 알타 디바이씨즈, 인크. | 연속적인 공급 화학 기상 증착 |
| KR20110099029A (ko) * | 2008-12-08 | 2011-09-05 | 알타 디바이씨즈, 인크. | 에피택셜 리프트 오프를 위한 다중 스택 증착 |
| WO2010078022A2 (en) | 2008-12-17 | 2010-07-08 | Alta Devices, Inc. | Tape-based epitaxial lift off apparatuses and methods |
| US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
| EP2401768A4 (en) | 2009-02-27 | 2013-07-17 | Alta Devices Inc | SUBSTRATES COVERED FOR EPITAXIAL DEPOSITION AND REMOVAL METHODS |
| US9834860B2 (en) * | 2009-10-14 | 2017-12-05 | Alta Devices, Inc. | Method of high growth rate deposition for group III/V materials |
| US11393683B2 (en) | 2009-10-14 | 2022-07-19 | Utica Leaseco, Llc | Methods for high growth rate deposition for forming different cells on a wafer |
| WO2012006255A2 (en) | 2010-07-05 | 2012-01-12 | Glasspoint Solar, Inc. | Concentrating solar power with glasshouses |
| CN101964398A (zh) * | 2010-10-11 | 2011-02-02 | 福建钧石能源有限公司 | 柔性薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| RU2469433C1 (ru) * | 2011-07-13 | 2012-12-10 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) |
| WO2015157202A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-15 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
| US10543662B2 (en) | 2012-02-08 | 2020-01-28 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
| CN103523738B (zh) * | 2012-07-06 | 2016-07-06 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 微机电系统薄片及其制备方法 |
| TWI617437B (zh) | 2012-12-13 | 2018-03-11 | 康寧公司 | 促進控制薄片與載體間接合之處理 |
| US10014177B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-07-03 | Corning Incorporated | Methods for processing electronic devices |
| US10086584B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-10-02 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers |
| US9340443B2 (en) | 2012-12-13 | 2016-05-17 | Corning Incorporated | Bulk annealing of glass sheets |
| JP2015035453A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-19 | アズビル株式会社 | ウエハ |
| US10510576B2 (en) | 2013-10-14 | 2019-12-17 | Corning Incorporated | Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing |
| KR102353030B1 (ko) | 2014-01-27 | 2022-01-19 | 코닝 인코포레이티드 | 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법 |
| US9922956B2 (en) * | 2014-09-26 | 2018-03-20 | Qualcomm Incorporated | Microelectromechanical system (MEMS) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3D IC) integration |
| US11167532B2 (en) | 2015-05-19 | 2021-11-09 | Corning Incorporated | Articles and methods for bonding sheets with carriers |
| US11905201B2 (en) | 2015-06-26 | 2024-02-20 | Corning Incorporated | Methods and articles including a sheet and a carrier |
| FR3055063B1 (fr) * | 2016-08-11 | 2018-08-31 | Soitec | Procede de transfert d'une couche utile |
| TW202216444A (zh) | 2016-08-30 | 2022-05-01 | 美商康寧公司 | 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物 |
| TWI810161B (zh) | 2016-08-31 | 2023-08-01 | 美商康寧公司 | 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法 |
| WO2018140211A1 (en) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | Glasspoint Solar, Inc. | Thin film housing structures for collecting solar energy, and associated systems and methods |
| CN107086010B (zh) * | 2017-04-19 | 2019-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子装置制造方法和电子装置 |
| CN111372772A (zh) | 2017-08-18 | 2020-07-03 | 康宁股份有限公司 | 使用聚阳离子聚合物的临时结合 |
| WO2019118660A1 (en) | 2017-12-15 | 2019-06-20 | Corning Incorporated | Method for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets |
| CN110229628A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 补强板胶层结构及屏幕弯折区结构、显示屏幕 |
| CN111799365B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-03-25 | 上海新硅聚合半导体有限公司 | 基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件 |
Family Cites Families (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4309225A (en) | 1979-09-13 | 1982-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam |
| FR2475069A1 (fr) | 1980-02-01 | 1981-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de dopage rapide de semi-conducteurs |
| EP0191503A3 (en) | 1980-04-10 | 1986-09-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of producing sheets of crystalline material |
| US5273616A (en) | 1980-04-10 | 1993-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom |
| US5588994A (en) | 1980-04-10 | 1996-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom |
| US5362682A (en) | 1980-04-10 | 1994-11-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom |
| US4471003A (en) | 1980-11-25 | 1984-09-11 | Cann Gordon L | Magnetoplasmadynamic apparatus and process for the separation and deposition of materials |
| US4371421A (en) | 1981-04-16 | 1983-02-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Lateral epitaxial growth by seeded solidification |
| US4479846A (en) | 1982-06-23 | 1984-10-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of entraining dislocations and other crystalline defects in heated film contacting patterned region |
| FR2537777A1 (fr) | 1982-12-10 | 1984-06-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif d'implantation de particules dans un solide |
| US4500563A (en) | 1982-12-15 | 1985-02-19 | Pacific Western Systems, Inc. | Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing |
| JPS63155731A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| US5453153A (en) | 1987-11-13 | 1995-09-26 | Kopin Corporation | Zone-melting recrystallization process |
| US4883561A (en) | 1988-03-29 | 1989-11-28 | Bell Communications Research, Inc. | Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films |
| US4846931A (en) | 1988-03-29 | 1989-07-11 | Bell Communications Research, Inc. | Method for lifting-off epitaxial films |
| NL8802028A (nl) | 1988-08-16 | 1990-03-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting. |
| GB9018048D0 (en) | 1990-08-16 | 1990-10-03 | Secr Defence | Digital processor for simulating operation of a parallel processing array |
| US5528397A (en) | 1991-12-03 | 1996-06-18 | Kopin Corporation | Single crystal silicon transistors for display panels |
| FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| JP3214631B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体基体及びその作製方法 |
| JP2856030B2 (ja) * | 1993-06-29 | 1999-02-10 | 信越半導体株式会社 | 結合ウエーハの製造方法 |
| EP0721662A1 (en) | 1993-09-30 | 1996-07-17 | Kopin Corporation | Three-dimensional processor using transferred thin film circuits |
| FR2715501B1 (fr) | 1994-01-26 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de dépôt de lames semiconductrices sur un support. |
| FR2715502B1 (fr) | 1994-01-26 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure présentant des cavités et procédé de réalisation d'une telle structure. |
| JP3293736B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2002-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法および貼り合わせ基体 |
| FR2738671B1 (fr) | 1995-09-13 | 1997-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces a materiau semiconducteur |
| FR2744285B1 (fr) | 1996-01-25 | 1998-03-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince d'un substrat initial sur un substrat final |
| FR2746544B1 (fr) | 1996-03-20 | 1998-05-15 | Commissariat Energie Atomique | Substrat de type silicium sur isolant pour la fabrication de transistors et procede de preparation d'un tel substrat |
| FR2747506B1 (fr) | 1996-04-11 | 1998-05-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'un film mince de materiau semiconducteur comprenant notamment des composants electroniques |
| FR2748850B1 (fr) | 1996-05-15 | 1998-07-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede |
| FR2748851B1 (fr) | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
| US5866469A (en) * | 1996-06-13 | 1999-02-02 | Boeing North American, Inc. | Method of anodic wafer bonding |
| US5710057A (en) | 1996-07-12 | 1998-01-20 | Kenney; Donald M. | SOI fabrication method |
| FR2752768B1 (fr) | 1996-08-27 | 2003-04-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'une plaquette de materiau semiconducteur de grandes dimensions et utilisation de la plaquette obtenue pour realiser des substrats du type semiconducteur sur isolant |
| EP2270845A3 (en) | 1996-10-29 | 2013-04-03 | Invensas Corporation | Integrated circuits and methods for their fabrication |
| FR2755537B1 (fr) | 1996-11-05 | 1999-03-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un film mince sur un support et structure ainsi obtenue |
| US6054363A (en) | 1996-11-15 | 2000-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor article |
| FR2756973B1 (fr) | 1996-12-09 | 1999-01-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'introduction d'une phase gazeuse dans une cavite fermee |
| FR2756847B1 (fr) | 1996-12-09 | 1999-01-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de separation d'au moins deux elements d'une structure en contact entre eux par implantation ionique |
| EP0851513B1 (en) | 1996-12-27 | 2007-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell |
| FR2758907B1 (fr) | 1997-01-27 | 1999-05-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'un film mince, notamment semiconducteur, comportant une zone protegee des ions, et impliquant une etape d'implantation ionique |
| CA2233096C (en) | 1997-03-26 | 2003-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate and production method thereof |
| US6191007B1 (en) | 1997-04-28 | 2001-02-20 | Denso Corporation | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
| US6155909A (en) | 1997-05-12 | 2000-12-05 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage system using pressurized fluid |
| US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
| US6027988A (en) | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
| US5877070A (en) | 1997-05-31 | 1999-03-02 | Max-Planck Society | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate |
| FR2766620B1 (fr) | 1997-07-22 | 2000-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Realisation de microstructures ou de nanostructures sur un support |
| FR2767416B1 (fr) | 1997-08-12 | 1999-10-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide |
| US5882987A (en) | 1997-08-26 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films |
| US5920764A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new |
| FR2771852B1 (fr) * | 1997-12-02 | 1999-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert selectif d'une microstructure, formee sur un substrat initial, vers un substrat final |
| FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
| US6071795A (en) | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
| FR2774511B1 (fr) | 1998-01-30 | 2002-10-11 | Commissariat Energie Atomique | Substrat compliant en particulier pour un depot par hetero-epitaxie |
| MY118019A (en) * | 1998-02-18 | 2004-08-30 | Canon Kk | Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
| US5933750A (en) | 1998-04-03 | 1999-08-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a semiconductor device with a thinned substrate |
| US6221774B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Method for surface treatment of substrates |
| US5909627A (en) | 1998-05-18 | 1999-06-01 | Philips Electronics North America Corporation | Process for production of thin layers of semiconductor material |
| FR2779869B1 (fr) | 1998-06-15 | 2003-05-16 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre de type soi a capacite de decouplage, et procede de realisation d'un tel circuit |
| US6291326B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Pre-semiconductor process implant and post-process film separation |
| US6054370A (en) | 1998-06-30 | 2000-04-25 | Intel Corporation | Method of delaminating a pre-fabricated transistor layer from a substrate for placement on another wafer |
| FR2781082B1 (fr) | 1998-07-10 | 2002-09-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure semiconductrice en couche mince comportant une couche de repartition de chaleur |
| US6271101B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
| US6137110A (en) | 1998-08-17 | 2000-10-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Focused ion beam source method and apparatus |
| JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ |
| FR2784794A1 (fr) | 1998-10-20 | 2000-04-21 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant une couche semiconducteur et/ou des elements electroniques sur un support isolant et son procede de fabrication |
| US6346459B1 (en) | 1999-02-05 | 2002-02-12 | Silicon Wafer Technologies, Inc. | Process for lift off and transfer of semiconductor devices onto an alien substrate |
| FR2789518B1 (fr) | 1999-02-10 | 2003-06-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure multicouche a contraintes internes controlees et procede de realisation d'une telle structure |
| US6204151B1 (en) | 1999-04-21 | 2001-03-20 | Silicon Genesis Corporation | Smoothing method for cleaved films made using thermal treatment |
| US6387736B1 (en) * | 1999-04-26 | 2002-05-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for bonding layers in a semiconductor device |
| FR2794572B1 (fr) | 1999-06-02 | 2003-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Puce et procede de garniture d'une puce comprenant une pluralite d'electrodes |
| FR2794443B1 (fr) | 1999-06-02 | 2001-06-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'elements et dispositif permettant ledit transfert |
| FR2795866B1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-08-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une membrane mince et structure a membrane ainsi obtenue |
| FR2795865B1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-08-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un film mince utilisant une mise sous pression |
| US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
| US6214733B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-04-10 | Elo Technologies, Inc. | Process for lift off and handling of thin film materials |
| US6521324B1 (en) * | 1999-11-30 | 2003-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer of microstructured layers |
| US6602767B2 (en) * | 2000-01-27 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery |
| TW452866B (en) * | 2000-02-25 | 2001-09-01 | Lee Tien Hsi | Manufacturing method of thin film on a substrate |
| US6956268B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
-
2001
- 2001-09-12 US US09/950,909 patent/US7045878B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
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2004
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI394241B (zh) * | 2008-06-17 | 2013-04-21 | Univ Nat Chunghsing | An electronic component with viscose self - forming structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US20020171080A1 (en) | 2002-11-21 |
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