TW557399B - Manufacturing method for liquid crystal display device - Google Patents

Description

557399 五、發明說明（1) [發明的技術領域] 本發明係關於具有反射型或半透射型面板之液晶顯 示裝置的製造方法，尤其和雖然簡化步驟卻仍具有良 好顯示機能之液晶顯示裝置的製造方法相關。 [先前技藝] 使用薄膜電晶體等之主動元件的液晶顯示裝置，具 有薄型且輕量之特徵，而被應用於高畫質之平面顯示 器。 液晶顯示裝置爲了實現低價格化，不斷實施製造步 驟之簡化的檢討。 液晶顯示裝置被利用於可攜式終端機用的顯示裝 置，主要爲反射型、半透射型之液晶顯示裝置。 其中，反射型液晶顯示裝置是以裝置內部具有之反 射板來反射從外部入射的光，並利用其反射光做爲顯 示光源，不需以背光爲光源（參照第3圖）。結果，反 射型液晶顯示裝置可比透射型液晶顯示裝置更有效地 實現低消耗電力化、薄型化、及輕量化。 另一方面，半透射型液晶顯示裝置爲了在外光較弱 時亦可有效顯示，除了利用以反射板反射外光之反射 光來進行反射顯示以外，尙利用使背光透射反射板上 之開口部的透射光來進行透射顯示（參照第2圖）。 液晶顯示裝置之基本構造上，是由使用TN(扭轉向 列型）方式、單片偏光板方式、STN(超扭轉向列型）方 557399 五、發明說明（2) 式、GH(主客）方式、PDLC(高分子分散）方式、及膽固 醇型方式等之液晶、以開關其爲目的之元件、設於液 晶胞內部或外部之反射板、及透明電極所構成。 反射板除可當做像素電極使用以外，亦可針對來自 廣角度之入射光，增加顯示畫面上垂直方向之散光的 強度，而獲得更明亮之顯示。又，表面爲凹凸狀保護 (passivation)膜上覆蓋著反射膜，因反射面爲凹凸狀， 故可獲得良好之反射特性。形成凹凸狀之反射面的傳 統方法實例，可參閱日本特開平10-319422號公報。 透明電極（ITO: Indium Tin Oxide等）除了可當像素 電極使用以外，爲了提高半透射型液晶顯示裝置之畫 面的高精細化及數値孔徑，亦可採用和汲極層之層隔 離方式來形成於最上層之方法。又，爲了防止含有A1 之金屬所構成的反射板表面產生異常析出，可以在反 射板之表面形成透明電極。又，在半透射型液晶顯示 裝置上可讓反射板之背光源透射的開口部，透明電極 亦可具有像素電極之機能。此外，透明電極亦可當做 汲極匯流排線、以及和其隔離之汲極的電性相連之配 線。 一般而言，主動矩陣基板是由朝相互垂直之方向延 伸的閘極配線和汲極配線、在這些配線所圍繞之區域 形成的反射板或透明電極、以及在閘極配線及汲極配 線之交叉部附近形成的薄膜電晶體（TFT)所構成，而 557399 五、發明說明（3) TFT之表面則形成以確保性能爲目的之通道保護膜。 此主動矩陣基板之TFT、及反射板或透明電極上’會 形成將液晶依特定方向配列之配向膜，並將液晶封入 其和對向基板之間，而形成液晶顯示裝置。又，前述 對向基板上則形成配向膜、共用電極（透明電極）、及 濾色器等。 習知技術之液晶顯示裝置的製造方法上，針對曰本 特開平1 0-3 1 9422號公報記載之發明來進行說明。第 81圖及第82圖爲習知實例之反射型液晶顯示裝置用 主動矩陣基板製造步驟的模式化步驟剖面圖。 如第81(a)圖所示，此種主動矩陣基板首先會在透 明絕緣性基板1 〇 1上層疊Cr等之閘極層，以第1遮罩 對露出之Cr進行蝕刻，形成當做掃描線使用之閘極匯 流排線102及閘極103。 其次，如第81(b)圖所示，在依照由SiNx所構成 之閘極絕緣膜1 0 5、a - S i膜1 0 7 a、以及成爲歐姆接觸 層之n +型a-Si膜107b之順序實施連續層疊後，以第 2遮罩實施不需要之a-Si膜107a及n +型a-si膜107b 的選擇性蝕刻，以形成島。 然後，如第81(c)圖所示，在層疊Cr等之源極/汲 極層後，利用第3遮罩，以形成a-Si膜i〇7a之通道 區域的開口及特定配線圖案爲目的，對不需要之源極/ 汲極層進行選擇性蝕刻，形成當做信號線使用之源極

557399 五、發明說明（4) 1 0 8、汲極1 0 9、及汲極匯流排線1 1 〇。 其次，以源極108及汲極109爲蝕刻遮罩，對n +型 a-Si膜107b進行蝕刻，形成歐姆接觸層。 其次，如第81(d)圖所示，在基板全面層疊聚醯亞 胺等之有機絕緣膜1 1 2，使用第4遮罩，形成使部份 源極1 08露出之接觸孔1 1 3、以及使部份閘極匯流排 線102露出之接觸孔117c。 其次，如第82(e)圖所示，使用第5遮罩，選擇性 地除去部份有機絕緣膜Π 2，經過熱處理，形成凹凸 部 1 12b。 其次，如第82(f)圖所示，在基板全面層疊A1等之 金屬層後，使用第6光罩，對該金屬層實施選擇性蝕 刻，形成反射板1 〇4b。利用此方式，可以形成表面爲 凹凸狀之反射板。反射板1 〇4b經由接觸孔1 1 3和源極 108實施電性相連。 最後，如第82(g)圖所示，在透明絕緣性基板101 全面層疊ITO等之透明電極層後，使用第7光罩，除 去特定區域之透明電極層，形成經由接觸孔Π 7c和汲 極匯流排線102相連之汲極端子117d、以及防止反射 板104之異常析出之異常析出防止膜152(亦可爲透明 電極），完成主動矩陣基板之製造。 此種習知之主動矩陣基板，當做像素電極之反射板 及透明電極，設於和源極/汲極層不同的層，並以有機 557399 五、發明說明（5) 絕緣膜實施絕緣隔離。因此，沒有必要爲了透明電極 層及汲極層間之絕緣隔離，而從主動矩陣基板之法線 方向的橫向進行隔離，因此可以使兩者極爲接近或重 疊。因此，可以縮小在橫向隔離時以遮蔽從其間隙外 漏且無法控制之背光爲目的的黑色矩陣，同時具有可 提高開口率之優點。所以，透明電極層及汲極層會因 有機絕緣膜而成爲絕緣隔離。 [發明所欲解決之問題] 以往，想要製造明亮且有高品質顯示之液晶顯示裝 置，必須在同一絕緣性基板上形成高性能之電晶體及 高性能之反射板，且需要許多成膜步驟、微影成像步 驟（PR步驟）、以及蝕刻步驟等。 前面第8 1圖及第82圖所示之習知主動矩陣基板的 製造方法中，需要PR步驟之步驟爲閘極匯流排線及 閘極之形成上需要1PR;接觸層及半導體層之形成上需 要1PR;源極、汲極、及源極匯流排線之形成上需要 1PR;有機絕緣膜之接觸孔的形成上需要1?11;有機絕緣 膜之凹凸的形成上需要1PR;反射板之形成上需要1PR; 透明電極之形成上需要1PR;合計需要7PR步驟。如上 面所述，需要較多PR步驟，不但會提高裝置之製造 成本，也會有單價較高的問題。 對照前述事實，減少PR步驟數，不但可以降低製 造成本’且可實現高亮度及高品質顯示性能，因此， 557399 五、發明說明（6) 可以低價格提供高亮度液晶顯示裝置。 本發明之目的，就在提供即使減少PR步驟亦可發 揮良好顯示性能之液晶顯示裝置及其製造方法。 [解決問題之手段] 本發明之第1觀點，爲具有在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有：第1步驟，於形成在前述絕緣性 基板上形成之金屬層、絕緣層、或半導體層當中至少 1層上形成有被圖案化成特定形狀之蝕刻遮罩；第2步 驟，利用前述蝕刻遮罩對前述金屬層、絕緣層、或半 導體層當中至少1層以上進行蝕刻，形成前述薄膜電 晶體之構成部份、及和其隔離之複數突起部，並使前 述絕緣性基板之一部份露出；第3步驟，利用只將前述 蝕刻遮罩回熔，使前述蝕刻遮罩覆蓋前述薄膜電晶體 之構成部份的露出面、及其附近之前述絕緣性基板的 表面，同時，使位於相鄰前述突起部間之前述絕緣性 基板的一部份表面露出，且以前述蝕刻遮罩覆蓋前述 突起部露出面、及其附近之前述絕緣性基板的表面；第 4步驟，前述第3步驟之後，利用前述蝕刻遮罩實施 前述絕緣性基板之蝕刻，在前述絕緣性基板之露出區 域形成1或2個以上的沈陷部；以及第5步驟，至少沿 557399 五、發明說明（7 ) 著前述突起部及前述沈陷部形成之凹凸面，選擇性形 成表面具有凹凸面之反射板。 又，前述液晶顯示裝置之製造方法中，在前述絕緣 性基板上依此順序形成金屬層及絕緣層時，最好在前 述第2步驟中，以前述蝕刻遮罩進行前述絕緣層之蝕 刻，形成使前述金屬層之一部份露出的接觸孔，並利 用前述第3步驟中之前述蝕刻遮罩的回熔，以前述蝕 刻遮罩來阻塞前述接觸孔。若絕緣性基板爲玻璃基板 且蝕刻液爲HF時，若從接觸孔露出金屬層，則HF可 能會透射金屬層，且其下層之玻璃基板亦可能被到蝕 刻。 此外，前述液晶顯示裝置之製造方法中，在前述第 4步驟後、前述第5步驟前，最好能有第6步驟，至 少沿著前述突起部及前述沈陷部形成之凹凸面，形成 表面具有凹凸面之其他絕緣層。因爲，依據突起部及 沈陷部形成之凹凸面的面粗細度太大時（形成角度 時），可以調整凹凸之弧度。 本發明之第2觀點，爲具有·.在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有：第1步驟，在前述絕緣性基板上 形成金屬層後，以蝕刻遮罩對前述金屬層進行蝕刻， 五、發明說明（8) 形成閘極、及和其隔離之複數個突起部，且使前述絕 緣性基板之一部份露出；第2步驟，利用只將前述鈾刻 遮罩回熔，使前述蝕刻遮罩覆蓋前述閘極之露出面、 其附近之絕緣性基板的表面，同時，使位於相鄰前述 突起部間之前述絕緣性基板的一部份表面露出，且以 前述蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其附近之前 述絕緣性基板的表面；第3步驟，前述第2步驟之後， 利用前述蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕刻，在前 述絕緣性基板之露出區域形成1或2個以上之沈陷部； 以及第4步驟，沿著前述絕緣層之凹凸面，選擇性地 形成表面具有凹凸面之反射板。 本發明之第3觀點，爲具有在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有：第1步驟，在前述絕緣性基板上 形成前述金屬層後，以第1蝕刻遮罩對前述金屬層進 行蝕刻，形成閘極’且使前述絕緣性基板之一部份露 出；第2步驟，在含有前述閘極之前述絕緣性基板上， 以第2蝕刻遮罩對前述絕緣層進行蝕刻’形成閘極、 及和其隔離之複數個突起部’且使前述絕緣性基板之 一部份露出；第3步驟’利用只將前述第2蝕刻遮罩回 熔，使前述第2蝕刻遮罩覆蓋前述_極 '及其附近之 -10- 557399 五、發明說明（9) 絕緣性基板的表面，同時，使位於相 前述突起部間 之前述絕緣性基板的一部份表面露出，且以前述第2 蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其附近之前述絕 緣性基板的表面；第4步驟，前述第3步驟之後，利用 前述第2蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之飩刻，在前 述絕緣性基板之露出區域形成1或2個以上之沈陷部； 以及第5步驟，至少沿著前述突起部及前述沈陷部形 成之凹凸面，選擇性地形成表面具有凹凸面之反射 板。 又，前述液晶顯示裝置之製造方法之前述第2步驟 中，形成前述絕緣層後、使用前述第2飩刻遮罩前， 最好能有第6步驟，在前述絕緣層上形成半導體層， 然後，使用第3蝕刻遮罩進行前述半導體層之蝕刻， 在前述閘極上方形成島。 又，前述液晶顯示裝置之製造方法中，在前述第5步 驟形成之前述反射板，最好直接配設於依據前述突起 部及前述沈陷部所形成的凹凸面上。因爲，可以使依 據突起部及沈陷部形成之凹凸面的粗細度不會太小。 此外，前述液晶顯示裝置之製造方法中，前述反射 板是下層爲Ci*層、上層爲Al/Nd層的層疊構造，最好 在前述第5步驟中，在形成前述反射板時，亦會選擇 性形成前述層疊構造之源極及汲極，在含有前述反射 板、前述源極、及前述汲極之前述絕緣層上形成另外 -11- 557399 五、發明說明（1〇) 之絕緣層後，在前述另外之絕緣層及前述Al/Nd層 上，會形成接觸孔，使前述源極之一部份前述Cr層露 出，前述另外之絕緣層上，會選擇性地形成可透射前 述接觸孔和前述源極電性相連的透明電極層。因爲， 可以防止反射板之Al/Nd層表面的異常析出，且可使 源極及透明電極層（ITO等）間有良好的導電性。 本發明之第4觀點，爲具有在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有：第1步驟，在前述絕緣性基板上 形成第1金屬層後，以第1蝕刻遮罩對前述第1金屬 層進行蝕刻，形成閘極，且使前述絕緣性基板之一部 份露出；第2步驟，在含有前述閘極之前述絕緣性基板 上，依序形成第1絕緣層及半導體層後，以第2蝕刻 遮罩對前述半導體進行蝕刻，在前述閘極之上方形成 島；第3步驟，在含前述島之前述第1絕緣層上形成第 2金屬層後，利用第3蝕刻遮罩對前述第2金屬層進 行蝕刻，形成前述源極及汲極；第4步驟，在含前述源 極及前述汲極之前述第1絕緣層上形成第2絕緣層 後，利用第4蝕刻遮罩實施前述第2絕緣層及前述第 1絕緣層之飩刻，形成複數個突起部，並使前述絕緣 性基板之一部份露出；第5步驟，前述第4步驟後，利 -12- 557399 五、發明說明（) 用只將前述第4蝕刻遮罩回熔，使前述第4蝕刻遮罩 覆蓋前述第1絕緣層及前述第2絕緣層之露出面、以 及其附近之絕緣性基板的表面’同時’使位於相前 述突起部間之前述絕緣性基板的一部份表面露出’且 以前述第4蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其附 近之前述絕緣性基板的表面；第6步驟’前述第5步驟 之後，利用前述第4蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之 蝕刻，在前述絕緣性基板之露出區域選擇性形成1或 2個以上之沈陷部；以及第7步驟，至少沿著前述突起 部及前述沈陷部形成之凹凸面，選擇性地形成表面具 有凹凸面之反射板。 本發明之第5觀點，爲具有在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有：第1步驟，使用第1鈾刻遮罩對 平坦之前述絕緣性基板進行蝕刻，使前述絕緣性基板 之特定區域選擇性地形成凹凸面；以及第2步驟，在前 述絕緣性基板上形成金屬層後，利用第2蝕刻遮罩對 前述金屬層進行蝕刻，在前述絕緣性基板之平坦區域 上選擇性形成閘極’同時，在含有前述絕緣性基板之 凹凸面的區域上，選擇性形成表面具有凹凸面之反射 板’而前述反射板會和前述閘極隔離，且沿著前述絕 -13- 557399 五、發明說明（12) 緣性基板之凹凸面形成。 本發明之第6觀點，爲具有在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有··第1步驟，在前述絕緣性基板上 形成第1金屬層後，以第1蝕刻遮罩對前述第1金屬 層進行蝕刻，分別形成閘極、和其隔離之複數個突起 部、以及和前述閘極及前述突起部隔離之配線部，且 使前述絕緣性基板之一部份露出；第2步驟，利用只將 前述第1蝕刻遮罩回熔，使前述第1蝕刻遮罩覆蓋前 述閘極、以及前述配線部各露出面及其附近之絕緣性 基板的表面，同時，使位於相前述突起部間之前述 絕緣性基板的一部份表面露出，且以前述第1蝕刻遮 罩覆蓋前述突起部露出面、及其附近之前述絕緣性基 板的表面；第3步驟，前述第2步驟之後，利用前述第 1蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕刻，在前述絕緣 性基板之露出區域形成1或2個以上之沈陷部；第4步 驟，在含前述閘極、前述突起部、以及前述配線之前 述絕緣性基板上依序形成第1絕緣層及半導體層後， 利用第2蝕刻遮罩實施前述半導體層之蝕刻，在前述 閘極之上方形成島；第5步驟，使用第3鈾刻遮罩對前 述第1絕緣層進行蝕刻，形成使前述配線部之一部份 -14- 557399 五、發明說明（13) 露出的第1接觸孔；第6步驟，在含前述島之前述第1 絕緣層上形成第2金屬層後，以第4蝕刻遮罩對前述 第2金屬層進行蝕刻，形成源極、汲極、及反射板， 且經由前述第1接觸孔實施前述源極及前述配線部的 電性相連；第7步驟，在含有前述源極、前述汲極、及 前述反射板之前述第1絕緣層上形成第2絕緣層後， 以第5蝕刻遮罩在前述第2絕緣層及前述第1絕緣層 上形成使前述配線部之一部份露出的第2接觸孔；以及 第8步驟，在前述第2絕緣層上，選擇性地形成經由 前述第2接觸孔和前述配線爲電性相連的透明電極 層。因爲透明電極若位於最上層，可防止對液晶施加 之電場變小。又，因爲源極及透明電極會經由配線形 成電性相連，而可防止汲極及透明電極間的短路。 本發明之第7觀點，爲具有在絕緣性基板上含有薄 膜電晶體及反射板之第1基板、具有透明電極且和前 述第1基板相對向之第2基板、以及存在於前述第1 基板及前述第2基板間之液晶層的液晶顯示裝置製造 方法，其特徵爲具有··第1步驟，在前述絕緣性基板上 形成第1金屬層後，以第1蝕刻遮罩對前述第1金屬 層進行鈾刻，分別形成聞極、以及和前述鬧極隔離之 配線部，且使前述絕緣性基板之一部份露出；第2步 驟，在含前述閘極及前述配線部之前述絕緣性基板上 依序形成第1絕緣層及半導體層後’利用第2蝕刻遮 -15- 557399 五 、發明說明（14) 覃實施前述半導體層之触刻’在前述閘極之上方形成 島；第3步驟，使用第3鈾刻遮罩對前述第1絕緣層進 0齡[刻，形成使前述配線部之一部份露出的第1接觸 孔，且會形成複數之突起部’使前述絕緣性基板之一 部份露出；第4步驟’利用只將前述第3蝕刻遮罩回 溶，使前述第3蝕刻遮罩覆蓋前述第1絕緣層之露出 面、以及其附近之絕緣性基板的表面，同時’以前述 第3蝕刻遮罩阻塞前述第1接觸孔，使位於相 前述 突起部間之前述絕緣性基板的一部份表面露出’且以 前述第3蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其附近 之前述絕緣性基板的表面；第5步驟’前述第4步驟之 後，利用前述第3蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕 刻，在前述絕緣性基板之露出區域形成1或2個以上 之沈陷部；第6步驟，在含有前述島之前述第1絕緣 層、前述突起部、及前述沈陷部上形成第2金屬層 後，以第4蝕刻遮罩對前述第2金屬層進行蝕刻，形 成源極、汲極、及反射板，且經由前述第1接觸孔實 施前述源極及前述配線部的電性相連；第7步驟，在含 前述源極、前述汲極、及前述反射板之前述第1絕緣 層上形成第2絕緣層後，以第5蝕刻遮罩在前述第2 絕緣層及前述第1絕緣層上形成使前述配線部之一部 份露出的第2接觸孔；以及第8步驟，在前述第2絕緣 層上，選擇性地形成經由前述第2接觸孔和前述配線 -16- 557399 五、發明說明（15) 爲電性相連的透明電極層。 此外，前述液晶顯示裝置之製造方法中，前述触刻 遮罩最好爲光阻劑。 此外，前述液晶顯示裝置之製造方法中，前述反射 板在凹凸面之特定區域最好具有開口部。 [發明之實施形態] 具有在絕緣性基板上含有薄膜電晶體及反射板之第 1基板、具有透明電極且和前述第1基板相對向之第2 基板、以及存在於前述第1基板及前述第2基板間之 液晶層的液晶顯示裝置製造方法中，因爲含有：第1步 驟，形成蝕刻遮罩（第23圖之24)，其係在前述絕緣性 基板（第23圖之1)上形成之金屬層（第23圖之3a' 25、26)、絕緣層、或半導體層當中至少1層上圖案化 成特定形狀；第2步驟（第23(a)圖），利用前述鈾刻遮 罩對前述金屬層、絕緣層、或半導體層當中至少1層 以上進行飩刻，形成前述薄膜電晶體之構成部份（第 23圖之3a)、及和其隔離之複數突起部（第23圖之 26)，並使前述絕緣性基板之一部份露出；第3步驟（第 23(b)圖），利用只將前述蝕刻遮罩回熔，使前述蝕刻 遮罩覆蓋前述薄膜電晶體之構成部份的露出面、及其 附近之前述絕緣性基板的表面，同時，使位於相 前 述突起部間之前述絕緣性基板的一部份表面露出，且 以前述蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其附近之 -17- 557399 五、發明說明（16) 前述絕緣性基板的表面；第4步驟（第23(c)圖），前述第 3步驟之後，利用前述蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板 之蝕刻，在前述絕緣性基板之露出區域形成1或2個 以上的沈陷部（第23圖之la、lb);以及第5步驟（第 24(f)圖），至少沿著前述突起部及前述沈陷部形成之凹 凸面，選擇性形成表面具有凹凸面之反射板（第24圖 之4a、4b);而可以1個蝕刻遮罩同時形成閘極及閘極 絕緣膜等薄膜電晶體的構成部份、以及起伏較大之凹 凸面。 [實施例] 針對前述本發明之實施形態，參照圖面，並以本發 明之實施例來進行詳細說明。 [實施例1] 第1圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置構成模式之 方塊圖。第2圖爲本發明實施例1半透射型液晶顯示 裝置之顯示部構成模式的部份剖面圖。第3圖爲本發 明實施例1反射型液晶顯示裝置之顯示部構成模式的 部份剖面圖。第4圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置 之主動矩陣構成模式的平面圖。第5圖至第1 〇圖爲本 發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基板製造步驟 模式的平面圖。第1 1圖至第1 5圖爲本發明實施例1 液晶顯示裝置之主動矩陣基板製造步驟模式的剖面 圖，第1 1圖爲A-A’間、第12圖爲B-B’間、第13圖 -18- 557399 五、發明說明（17) 爲C-C’間、第14圖爲D-D’間、第15圖爲E-E鳴之剖 面圖。 由第1圖可知，液晶顯示裝置具有影像處理電路、 控制電路、顯示電壓產生電路、汲極驅動器、閘極驅 動器、及顯示面板。影像處理電路會依據影像資訊執 行預先設定之演算，並將經過演算之影像處理信號傳 送至控制電路。控制電路則會依據接收到的影像處理 信號，執行汲極驅動器及閘極驅動器之調正等位置微 調，同時，控制顯示電壓產生電路產生之電壓。顯示 電壓產生電路依據控制電路之控制，對汲極驅動器、 閘極驅動器、及顯示面板之共用端子分別提供特定之 電壓。汲極驅動器依據控制電路之控制，經由汲極端 子，驅動顯示面板之主動矩陣基板。閘極驅動器依據 控制電路之控制，經由閘極端子，驅動顯示面板之主 動矩陣基板。顯示面板之模組安裝上，使用TCP (tape carrier package)、COG (chip on glass)、COF (chip on flexible printed circuit board)等技術。 由第2圖可知，半透射液晶顯示裝置之顯示面板 時，具備含有開口部4c之反射板4的主動矩陣基板 1 5之透明電極1 4側，全面都會形成配向膜1 6，主動 矩陣基板1 5之絕緣性基板側的全面上，從絕緣性基板 側開始依序有相位差板3 1、偏光板32、及背光源 33。對向基板40側之配向膜41及主動矩陣基板15之 -19- 557399 五、發明說明（18) 配向膜1 6間有液晶層5 0。對向基板4 0之構成上，是 從液晶層側開始依照配向膜41、對向透明共用電極 42、樹脂保護膜43、濾色器44、對向透明絕緣性基板 45、相位差板46、偏光板47之順序層疊而成。 如第3圖可知，反射型液晶顯示裝置時，具備沒有 開口部之反射板4的主動矩陣基板1 5的絕緣性基板 側，沒有背光源等，而配向膜16、液晶層50、及對向 基板40則和半透射型液晶顯示裝置並無不同。 由第4圖可知，主動矩陣基板15之矩陣內的各像素 或各點都設有驅動元件，利用驅動元件之開關動作來 驅動液晶。 由第10圖及第π圖可知，實施例1之主動矩陣基 板具有下述構成。 在特定區域具有凹凸面la之、由玻璃、塑膠、聚碳 酸脂等構成之絕緣性基板1的平坦面區域，以平行方 式配設著由Cr、Ta、Mo、Ti、Cr/Al等構成之複數閘 極匯流排線2，同時，從閘極匯流排線2分支出閘極 3。反射型時，絕緣性基板1不必爲透明。閘極匯流排 線2具有掃描線之機能。絕緣性基板1上之含有凹凸 面la的區域，具有由Cr、Ta、Mo、Ti、Cr/ΑΙ等構成 之反射板4(4a、4b)。反射板4之表面會沿著絕緣性基 板1之凹凸面1 a而形成大致相同之凹凸面，表面粗細 度之最大高度爲2至3/zm程度，凸部之頂部及頂部 -20- 557399 五、發明說明（19) 的間隔爲數十// m程度。半透明型液晶顯示裝置時， 反射板4之凹凸面的部份區域，具有以透射背光源之 光爲目的的開口部4c。反射型液晶顯示裝置時，反射 板4之凹凸面區域未設開口部。又，圖面上之凹凸面 的凸部及凹部看起來似乎十分尖銳，實際上卻稍呈圓 弧狀。 含有閘極3、反射板4之絕緣性基板1上，形成由 SiNx、SiOx等構成之閘極絕緣膜5，閘極絕緣膜5在 反射板4之特定位置上，具有使反射板4露出之接觸 孔6，反射板4之凹凸面上之區域，會具有沿著此凹 凸面之凹凸面。 閘極3之上方的閘極絕緣膜上，具有由非晶矽（a-Si)、多晶矽等構成之半導體層7a、及兩端有n +型a-Si等之接觸電極7b所構成之島7。 島7之一端側，形成由Cr、Ta、Mo、Ti、Cr/Al等 構成之源極8(8a)，另一端側則形成由Cr、Ta、Mo、 Ti、Cr/Al等構成之汲極9(9a)。汲極9會從經由閘極 匯流排線2及閘極絕緣膜5形成交叉之汲極匯流排線 1〇( l〇a)開始分支。汲極匯流排線10具有信號線之機 倉g，由和汲極9相同之金屬所構成。 閘極3、閘極絕緣膜5、島7、源極8、及汲極9構 成薄膜電晶體ll(TFT)，TFT11具有開關元件之機 -21- 557399 五、發明說明（2〇) 含有閘極匯流排線2、汲極匯流排線10、及TFT 11 之基板的全面，形成由SiNx、SiOx等構成之保護膜 1 2。保護膜1 2在和閘極絕緣膜5之接觸孔對應的位置 上有第1接觸孔6，在源極8上之特定位置上則有使 源極8露出之第2接觸孔1 3，閘極絕緣膜5之凹凸面 上的區域，會具有沿著此凹凸面之凹凸面。 含有保護膜12上之凹凸面的區域，會具有由 ITO(氧化銦）、IZO(氧化銦錫）等構成之透明電極14， 透明電極1 4會經由第1接觸孔6及第2接觸孔1 3和 反射板4及源極8連接。透明電極14和反射板4同樣 具有像素電極之機能。 絕緣性基板1之角部上，會形成共同端子部1 9、共 同端子部20、及共同匯流排線2 1，對主動矩陣基板 1 5之閘極匯流排線2及汲極匯流排線1 0、以及圖2及 圖3之對向基板40的對向透明共用電極42提供共用 電位。圖上雖然未標示，各TFT11及相鄰之閘極匯流 排線2間，會形成儲存電容器。 其次，針對實施例1之主動矩陣基板製造步驟進行 說明。 首先，由第5圖、第11(a)圖、第12(a)圖、第13(a) 圖、第14(a)圖、及第15(a)圖可知，在玻璃等表面十 分平坦之絕緣性基板1上，以微影成像技術形成第1 遮罩（圖上未標示），其後，以使用HF(氟酸）之濕蝕 -22- 557399 五、發明說明（21) 刻、噴砂、以及使用cf4或02之乾蝕刻等，在絕緣性 基板1之特定區域形成凹凸面1 a，其後，實施洗淨， 然後再除去第1遮罩。 對玻璃基板實施濕蝕刻時，亦會同時對基板之背面 進行蝕刻，其優點就是可以使基板之厚度變得更薄。 其次，由第6圖、第11(b)圖、第12(b)圖、第13(b) 圖、第14(b)圖、及第15(b)圖可知，在絕緣性基板1 上之全面，依Cr、Ti、Mo等之基底金屬2a、3a、 4a、17a(以下以「Cr」表示）、A1等之表層金屬2b、 3b、4b、17b(以下以「Al/Nd」表示）之順序形成閘極 層（圖上未標示）。 此時，閘極層可以如濺鍍法層疊出基底金屬Cr及表 層金屬Al/Nd之合計膜厚爲100至200nm的膜厚。 由第6圖、第11(b)圖、第12(b)圖、第13(b)圖、 第14(b)圖、及第15(b)圖可知，在閘極層上，以微影 成像技術形成第2遮罩（圖上未標示），然後，以乾蝕 刻或濕蝕刻等除去不需要之閘極層，然後再除去第2 遮罩。利用此方式，可以形成閘極3、閘極匯流排線 2、閘極端子部之基底金屬17a、17b、反射板4、共用 端子部之基底金屬1 9a、汲極用共同匯流排線2 1、共 用元件部用之閘極20d、20e。 閘極端子部之基底金屬17a、17b和閘極匯流排線2 相連。反射板4在反射型時不會設置開口部，在半透 -23- 557399 五、發明說明（22) 射型時則會設置開口部4c。共同端子部之基底金屬 1 9a連接至汲極用共同匯流排線2 1。共同元件部用之 閘極20d則連接於汲極用共同匯流排線2 1或閘極匯流 排線2。共同元件部用之閘極20e和汲極用共同匯流 排線2 1、閘極匯流排線2等會互相隔離。 由第7圖、第11(c)圖、第12(c)圖、第13(c)圖、第 14(c)圖、及第15(c)圖可知，含有閘極3、閘極匯流排 線2、閘極端子部之基底金屬1 7a、1 7b、反射板4、 共同端子部之基底金屬1 9a、汲極用共同匯流排線 21、共同元件部用之閘極20d、20e的基板上之全面， 會依序形成SiNx等之閘極絕緣膜5、當做半導體層之 a-Si層7a、以及當做接觸電極之n +型a-Si層7b。半 導體層及接觸電極分別爲島7及20f。 此時，可以如電漿CVD法形成300至500nm膜厚 之閘極絕緣膜5。又，可以如電漿CVD法形成150至 400nm膜厚之島7、20f，並以電漿CVD法形成20至 60nm膜厚之n +型a-Si。 又，爲了使n +型a-Si層7b和a-Si層7a形成歐姆 連接，將形成至a-Si層7a之基板保存於？113電漿環境 中，使燐擴散至a-Si層7a，在其表層形成n +層。此 時之處理條件，如使用電漿CVD裝置，在300°C之溫 度，以 lOOOsccm 提供 ΡΗ3/Η2(0·5%ΡΗ3)氣體，壓 力：200Pa、RF功率：0.1W/cm2之5分鐘處理。 -24- 557399 五、發明說明（23) 丨 由第7圖、第11(c)圖、第12(c)圖、第13(c)圖、第 14(c)圖、及第15(c)圖可知，在n +型a-Si層7b上以 微影成像技術形成第3遮罩（圖上未標示），然後，以 乾蝕刻等去除不需要之a-Si層7a及n +型a-Si層7b， 其後，除去第3遮罩。利用此方式，可以形成島7、 20f。在液晶驅動用之閘極3的上方形成島7。而在分 別在共同元件部用之閘極20d、及共同元件部用之閘 極20e之上方形成島20f。 其次，由第8圖、第11(d)圖、第12(d)圖、第13(d) 圖、第14(d)圖、及第15(d)圖可知，含有閘極3、閘 極匯流排線2、閘極端子部之基底金屬· 1 7a、1 7b、反 射板4、共同端子部之基底金屬1 9a、汲極用共同匯 流排線21、共同元件部用之閘極20d、20e、島7、20f 的基板上之全面，以濺鍍法等形成100至200nm膜 厚、當做汲極層使用之Ti、Cr、Mo等之金屬層8a、 9a、 10a、 18a、 20a、 22ao 其次，由第8圖、第11(d)圖、第12(d)圖、第13(d) 圖、第14(d)圖、及第15(d)圖可知，在金屬層8a、 9a、10a、18a、20a、22a上，以微影成像技術形成第 4遮罩（圖上未標示），然後，以乾蝕刻等去除不需要之 金屬。利用此方式，可以形成源極8、汲極9、汲極匯 流排線10、汲極端子部之基底金屬18a、閘極用共用 匯流排線22、共同元件部用之源極/汲極20a。複數之 -25- 557399 五、發明說明（24 ) 共同元件部用的源極/汲極20a之一部份會連接於汲極 匯流排線1 0及閘極用共用匯流排線22a。 其次，將源極8a、汲極9a、及第4遮罩當做蝕刻遮 罩，實施n +型a-Si層7b之鈾刻，然後，除去第4遮 罩。利用此方式，可以形成歐姆接觸層。 由第9圖、第11(e)圖、第12(e)圖、第13(e)圖、第 14(e)圖、及第15(e)圖可知，含有閘極3、閘極匯流排 線2、閘極端子部之基底金屬1 7a、1 7b、反射板4、 共同端子部之基底金屬1 9a、汲極用共同匯流排線 21、共同元件部用之閘極20d、20e、島7、20f、源極 8、汲極9、汲極匯流排線1 0、汲極端子部之基底金屬 18a、閘極用共用匯流排線22a、共同元件部用源極/汲 極20a的基板上之全面，以電漿CVD法等形成100至 500nm膜厚的SiNx等之保護膜12。 爲了在後面之步驟中形成良好之接觸孔6、13等， 保護膜12之材料選擇上，最好選取a-Si7及閘極絕緣 膜5之蝕刻選擇比較大者。 由第9圖、第11(e)圖、第12(e)圖、第13(e)圖、第 14(e)圖、及第15(e)圖可知，利用微影成像技術在保 護膜1 2上形成第5遮罩（圖上未標示）’然後’利用乾 蝕刻等，將接觸孔區域之多餘保護膜1 2、閘極絕緣膜 5、或 Al/Nd 層 2b、4b、17b、19a、2 1b 去除，直到露 出部份 Cr 層 2a、4a、8a、10a、17a、18a、19a、 -26- 557399 五、發明說明（25) 20a、20d、20e、21a、22a爲止，然後再除去第5遮 罩。利用此方式，可以形成接觸孔6、1 3、1 7 c、 18c 、 19b 、 20c 、 21c 、 22c ° 接觸孔6爲使反射板之部份C r層4 a露出的孔。接 觸孔13爲使部份源極（Cr層）8a露出的孔。接觸孔17c 爲爲使閘極端子部之部份Cr層1 7a露出的孔。接觸孔 18c爲使汲極端子部之部份Cr層18a露出的孔。接觸 孔19b爲使共同端子部之部份Cr層19a露出的孔。接 觸孔20c爲使共同兀件部之部份Cr層2a、20a、20d、 2 0e、21a、22a露出的孔。接觸孔21c爲使汲極用共同 匯流排線之部份Cr層21a露出的孔。接觸孔22c爲使 閘極用共同匯流排線之部份Cr層22a露出的孔。 又，針對接觸孔6、17c、19b、部份20c、20e、及 21c 去除 Al/Nd 層 2b、4b、17b、19a、21b，是因爲在 後面步驟形成且被做像素之ITO及Al/Nd的導電性實 在太差。 由第10圖、第11(f)圖、第12(f)圖、第13(f)圖、 第14(f)圖、及第15(f)圖可知，含保護膜12之基板上 的全面，會以濺鍍法形成30至lOOnm膜厚之ITO等 透明電極層 14、17d、18d、19c、20g、23。 最後，由第10圖、第11(f)圖、第12(f)圖、第13(f) 圖、第14(f)圖、及第15(f)圖可知，在透明電極層 14、17d、18d、19c、2 0g、23上以微影成像技術形成 -27- 557399 五、發明說明（26) 第6遮罩（圖上未標示），其後，以濕蝕刻（草酸、王 水、氯化鐵+鹽酸）去除多餘之透明電極層’然後再去 除第6遮罩。利用此方式，可以形成當做像素電極使 用之透明電極14、閘極端子部之端子17d、汲極端子 部之端子18d、共同端子部之端子19c、共同元件部之 配線20g、及共同匯流排線21、22間之配線23。 透明電極1 4經由接觸孔6、1 3和源極8及反射板4 爲電性相連（參照第7圖及第9圖）。閘極端子部之端 子17d、汲極端子部之端子18d、及共同端子部之端子 19c則經由各部之接觸孔17c、18c、19b和各部之Cr 層1 7a、1 8a、19a連接。共同元件部之配線20g會經 過適當組合之接觸孔20c，分別使閘極匯流排線2及 共同元件部之源極/汲極20a、共用匯流排線22及共同 元件部閘極20e、共同匯流排線2 1及共同元件部之源 極/汲極20a、汲極匯流排線1 0及共同元件部之閘極 2〇e間形成電性相連。共同匯流排線2 1、22間之配線 23則會經由接觸孔21c、22c和共同匯流排線21、22 間形成電性相連。 又，利用此方式，在基板之最上層形成被當做像素 電極之透明電極1 4，具有不會受到絕緣膜等之阻隔， 而可直接對液晶直接施加電場之優點。基於上述理 由，反射型時亦應在基板之最上層上形成透明電極 14。 -28- 557399 五、發明說明（27) 利用上述步驟，可以製造圖11所示構造之主動矩陣 基板。如上面所述，利用實施例1之主動矩陣基板的 製造方法，只需6片遮罩即可形成反射板上有凹凸、 且具良好顯示機能之反射型或半透射型的主動矩陣基 板，和傳統之製造方法比較，至少減少1 PR份步驟。 [實施例2] 其次，以圖面針對實施例2進行說明。第1 6圖至第 22圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基板 製造步驟模式的平面圖。第23圖至第32圖爲本發明 實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基板製造步驟模式 的剖面圖，第23圖及第24圖爲A-A’間、第25圖及第 26圖爲B-B’間、第27圖及第28圖爲C-C’間、第29 圖及第30圖爲D-D’間、第31圖及第32圖爲E-E’間 之剖面圖。 由第22圖至第24圖可知，實施例2之主動矩陣基 板的構成如下所示。主動矩陣基板以外之液晶顯示裝 置的構造和實施例1相同。 在特定區域具有凹凸面1 a之絕緣性基板1上的平坦 面區域，平行配設複數閘極匯流排線2，同時，從閘 極匯流排線2分支出閘極3。絕緣性基板1上之含有 凹凸面1 a的頂部平坦面上，具有由和閘極3相同之金 屬Cr、Ta、Mo、Ti、Cr/Al等構成之凸狀構件26。凸 狀構件26爲形成絕緣性基板1上之凹凸面1 a及反射 -29- 557399 五、發明說明（28) 板4之凹凸面時的基礎。又，絕緣性基板1上之凸狀 構件26及閘極3之間，具有可防止反射板4及閘極3 間之短路且可隔離凸狀構件26及閘極3的防止短路配 線25。 在含閘極3、防止短路配線25、及凸狀構件26之絕 緣性基板1上，形成由SiNx、SiOx等構成之閘極絕緣 膜5，閘極絕緣膜5具有在防止短路配線25之特定位 置使防止短路配線25露出的接觸孔27、28，利用絕 緣性基板1之凹凸面1 a及凸狀構件26形成之凹凸面 上的區域，具有沿著此凹凸面之凹凸面。接觸孔27爲 使源極8及防止短路配線25形成電性相連的孔。接觸 孔28則爲使透明電極14及防止短路配線25形成電性 相連的孔。 位於閘極3上方之閘極絕緣膜5上，具有依半導體 層7a、接觸電極7之順序層疊而成之島7。 島7之一端側，形成源極8(8a、8b)，另一端側則形 成汲極9(9a、9b)。源極8會經由接觸孔27和防止短 路配線25形成電性相連。汲極9會從經由閘極匯流排 線2及閘極絕緣膜5形成交叉之汲極匯流排線 10(10a、10b)開始分支。 絕緣性基板之凹凸面1 a上方的閘極絕緣膜5上之區 域，會以和源極8及汲極9相同之金屬形成和前述電 極隔離之反射板4。反射板4之表面，會沿著由絕緣 -30- 557399 五、發明說明（29) 性基板1之凹凸面1 a及凸狀構件26所形成的凹凸 面，形成大致相同之凹凸面，例如，表面粗細度之最 大高度爲2至3 // m程度，凸部之頂部及頂部的間隔 爲數十// m程度。半透明型液晶顯示裝置時，反射板 4之凹凸面的部份區域，具有以透射背光源之光爲目 的的開口部4c。反射型液晶顯示裝置時，反射板4之 凹凸面區域未設開口部。又，圖面上之凹凸面的凸部 及凹部看起來似乎十分尖銳，實際上卻稍呈圓弧狀。 閘極3、閘極絕緣膜5、島7、源極8、及汲極9構 成薄膜電晶體ll(TFT)，TFT11具有開關元件之機 肯b 。 含有TFT11及反射板4之基板上的全面，形成保護 膜1 2。保護膜1 2在和閘極絕緣膜5之接觸孔對應的 位置上有接觸孔28，反射板4之凹凸面上的區域，會 具有沿著此凹凸面之凹凸面。 含有保護膜1 2上之凹凸面的區域，具有透明電極 14，透明電極14會經由接觸孔28和防止短路配線25 形成電性相連。透明電極1 4和反射板4同樣具有像素 電極之機能。 其次，說明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基板 的製造步驟。 首先，由第16圖、第23(a)圖、第25(a)圖、第 27(a)圖、第29(a)圖、及第31(a)圖可知，在表面平坦 -31 - 557399 五、發明說明（3〇) 之絕緣性基板1上的全面，形成由基底金屬2a、3a、 17a、18a、19a、20d、20e、21a、25、26 構成之閘極 層（Cr層、圖上未標示）。 其次，由第16圖、第23(a)圖、第25(a)圖、第 27(a)圖、第29(a)圖、及第31(a)圖可知，在閘極層 上，以微影成像技術形成第1遮罩24，其後，以使用 乾濕蝕刻或濕蝕刻等，去除不需要之閘極層。利用此 方式，可以形成閘極匯流排線2、閘極3、閘極端子部 之基底金屬17a、汲極端子部之基底金屬18a、共用 端子部之基底金屬19a、共用元件部用之閘極20d、 2 Oe、汲極用共同匯流排線21、防止短路配線25、凸 狀構件26。此階段，尙未除去第1遮罩24。 其次，由第16圖、第23(b)圖、第25(b)圖、第 27(b)圖、第29(b)圖、及第31(b)圖可知，實施只會熔 融第1遮罩24之回熔，分別針對閘極匯流排線2、閘 極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、汲極端子部之基底 金屬18a、共用端子部之基底金屬19a、共用元件部 用之閘極20d、20e、汲極用共同匯流排線21、防止短 路配線25、凸狀構件26之露出側壁及其附近之絕緣 性基板1表面以第1遮罩24實施覆蓋。 此時，因爲閘極3及防止短路配線2 5之間隔爲數// m，且凸狀構件2 6之間隔爲數十μ m，故可使相鄰凸 狀構件26間之各第1遮罩24間不相連，且可使閘極 -32- 557399 五、發明說明（31) 3及防止短路配線25間之各第1遮罩24間相連。 由第17圖、第23(c)圖、第25(c)圖、第27(c)圖、 第29(c)圖、及第31(c)圖可知，以使用HF(氟酸）之濕 蝕刻、噴砂、以及使用〇?4或02之乾鈾刻等，在絕緣 性基板1之特定區域形成凹凸面1 a，其後，實施洗 淨，然後再除去第1遮罩。圖1 7之點線爲絕緣性基板 之段部1 b，其圍繞之區域的絕緣性基板1表面爲原來 的平坦面，其外側則會較低。 如上面所述，在形成閘極3等後之步驟對絕緣性基 板1實施蝕刻時，如絕緣性基板爲玻璃基板時，閘極 等和玻璃基板間因不存在HF，而具有可防止閘極等之 剝離的優點。 由第18圖、第23(d)圖、第25(d)圖、第27(d)圖、 第29(d)圖、及第31(d)圖可知，在含有閘極匯流排線 2、閘極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、汲極端子部 之基底金屬18a、共用端子部之基底金屬19a、共用 元件部用之閘極20d、20e、汲極用共同匯流排線21、 防止短路配線25、凸狀構件26之基板上的全面，會 依序形成SiNx等之閘極絕緣膜5、成爲半導體層之αεί 層 7a、 以及成爲接 觸電極 n+型 a-Si 層 7b。 由第18圖、第23(d)圖、第25(d)圖、第27(d)圖、 第29(d)圖、及第31(d)圖可知，利用微影成像技術在 n +型a-Si層7b上形成第2遮罩（圖上未標示），其後， -33- 557399 五、發明說明（32) 以乾蝕刻等除去不需要之a-Si層7a及n +型a-Si層 7b，然後再除去第2遮罩。利用此方式，可以形成島 7、20f 〇 其次，由第19圖、第24(e)圖、第26(e)圖、第 28(e)圖、第30(e)圖、及第32(e)圖可知，在含島 7、20f之閘極絕緣膜5上，利用微影成像技術形成第 3遮罩（圖上未標示），然後，利用乾鈾刻等，將接觸孔 區域之多餘閘極絕緣膜5去除，直到露出部份Cr層 2、18a、20e、21、25爲止，然後再除去第3遮罩。利 用此方式，可以形成接觸孔18e、20c、21c、27。 接觸孔18e爲使汲極元件部之部份Cr層18a露出的 孔。接觸孔20c爲使共同元件部之部份Cr層2、20a、 20e、2 1露出的孔。接觸孔2 1 c爲使部份共同匯流排線 2 1露出的孔。接觸孔27爲使部份防止短路配線25露 出的孔。 其次，由第20圖、第24(f)、第26(f)、第28(f)、 第30(f)、及第32(f)可知，在基板上之全面，形成依 序層疊基底金屬4a、8a、9a、10a、22a(以下以「Cr」 表示）、表層金屬4b、8b、9b、10b、22b(以下以 「Al/Nd」表示）而成之源極/汲極層。 其次，由第20圖、第24(f)圖、第26(f)圖、第28(f) 圖、第30(f)圖、及第32(f)圖可知，在源極/汲極層 上，以微影成像技術形成第4遮罩（圖上未標示），然 -34- 557399 五、發明說明（33) 後，以乾蝕刻或濕蝕刻等除去不需要之源極/汲極層。 利用此方式，可以形成反射板4、源極8、汲極9、汲 極匯流排線10、共用端子部之源極/汲極2 0a、2 0b、 閘極用共用匯流排線22。 此時，反射型時反射板4不會設置開口部，半透射 型時反射板4則會設置開口部4c。又，反射板4和源 極8相連，源極8則經由接觸孔27和防止短路配線 25相連。共同元件部用之源極/汲極20a、20b，會經 由接觸孔20c和閘極匯流排線2、汲極用共同匯流排 線2 1、或共同元件部之閘極20e相連。閘極用之共用 匯流排線22，則經由接觸孔2 1 c和汲極用共同匯流排 線2 1相連。 然後，將源極8、汲極9等之金屬層及第4遮罩當 做蝕刻遮罩，對n +型a-Si層7b進行蝕刻，其後再去 除第4遮罩。利用此方式，形成歐姆接觸層。 其次，由第21圖、第24(g)圖、第26(g)圖、第 28(g)圖、第30(g)圖、及第32(g)圖可知，含有反射板 4、源極8、汲極9、汲極匯流排線10、共同元件部用 之源極/汲極20a、20b、及閘極用共用匯流排線22的 基板上之全面，以電漿CVD法等形成保護膜12。 由第21圖、第24(g)圖、第26(g)圖、第28(g)圖、 第30(g)圖、及第32(g)圖可知，在保護膜12上以微影 成像技術形成第5遮罩（圖上未標示），然後，以乾飩 -35- 557399 五、發明說明（34) 刻等去除接觸孔區域上多餘之保護膜1 2或閘極絕緣膜 5，直到露出部份Cr層17a、18a、19a、25爲止，其 後，除去第5遮罩。利用此方式，可以形成接觸孔 17c 、 18c > 19b 、 28 ° 接觸孔17c爲使閘極端子部之部份Cr層17a露出的 孔。接觸孔18c爲使接觸孔18e以外之區域的汲極端 子部之部份Cr層18a露出的孔。接觸孔19b爲使共同 端子部之部份Cr層1 9a露出的孔。接觸孔28爲使接 觸孔27以外之區域的部份防止短路配線25露出的 孔。 由第22圖、第24(h)圖、第26(h)圖、第28(h)圖、 第30(h)圖、及第32(h)圖可知，含有保護膜12之基板 上的全面，以濺鍍法等形成ITO等之透明電極層14、 17d 、 18d 、 19c ° 最後，由第22圖、第24(h)圖、第26(h)圖、第 28(h)圖、第30(h)圖、及第32(h)圖可知，在透明電極 層14、17d、18d、19c上，以微影成像技術形成第6 遮罩（圖上未標示），然後，以濕蝕刻等去除多餘之透 明電極層，然後再去除第6遮罩。利用此方式，可以 形成當做像素電極之透明電極1 4、閘極端子部之端子 17d、汲極端子部之端子18d、及共同端子部之端子 1 9 c 〇 此時，透明電極14會經由接觸孔28和防止短路配 -36- 557399 五、發明說明（35) 線25形成電性相連。閘極端子部之端子i 7ci、汲極端 子部之端子1 8d、及共同端子部之端子19c會經各部 之接觸孔17c、18c、19b連接於各部之Cr層17a、 1 8a、及 1 9a 〇 利用上述步驟，可以製造圖2 2所示構造之主動矩陣 基板。如上面所述，利用實施例2之主動矩陣基板的 製造方法，只需6片遮罩即可形成反射板上有凹凸、 且具良好顯示機能之反射型或半透射型的主動矩陣基 板，和傳統之製造方法比較，至少減少1 PR份步驟。 [實施例3] 其次，以圖面針對實施例3進行說明。第33圖至第 3 8圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基板 製造步驟模式的平面圖。第39圖至第45圖爲本發明 貫5也例3液晶顯不裝置之主動矩陣基板製造步驟模式 的剖面圖，第39圖及第40圖爲Α-Α»間、第41圖及第 42圖爲B-B’間、第43圖爲C-C’間、第44圖爲D-D’ 間、第45圖爲E-E’間之剖面圖。 由第38圖至第40圖可知，實施例3之主動矩陣基 板的構成如下所示。主動矩陣基板以外之液晶顯示裝 置的構造和實施例1相同。 在特定區域具有凹凸面1 a之絕緣性基板1上的平坦 面區域，平行配設複數閘極匯流排線2，同時，從閘 極匯流排線2分支出閘極3。絕緣性基板1上之含有 -37- 557399 五、發明說明（36) 凹凸面1 a的頂部平坦面上，具有由和閘極3相同之金 屬Cr、Ta、Mo、Ti、Cr/Al等構成之凸狀構件26。凸 狀構件26爲形成絕緣性基板1上之凹凸面1 a及反射 板4之凹凸面時的基礎。 在含閘極3及凸狀構件26之絕緣性基板1上，形成 由SiNx、SiOx等構成之閘極絕緣膜5，而由絕緣性基 板1之凹凸面la及凸狀構件26形成之凹凸面上的區 域，具有沿著此凹凸面之凹凸面。 位於閘極3上方之閘極絕緣膜5上，具有依半導體 層7a、接觸電極7之順序層疊而成之島7。 島7之一端側，形成源極8(8a、8b)，另一端側則形 成汲極9(9a、9b)。在由絕緣性基板1之凹凸面la及 凸狀構件26形成之凹凸面上方的閘極絕緣膜5區域， 會形成位於源極8之同一層且未隔離的反射板4(4a、 4b)。反射板4之表面的凹凸面，大致和絕緣性基板之 凹凸面1 a及凸狀構件26形成之凹凸面相同，表面粗 細度之最大高度爲2至3 // m程度，凸部之頂部及頂 部的間隔爲數十// m程度。半透明型液晶顯示裝置 時，反射板4之凹凸面的部份區域，具有以透射背光 源之光爲目的的開口部4c。反射型液晶顯示裝置時， 反射板4之凹凸面區域未設開口部。又，圖面上之凹 凸面的凸部及凹部看起來似乎十分尖銳，實際上卻稍 呈圓弧狀。汲極9會從經由閘極匯流排線2及閘極絕 -38· 557399 五、發明說明（37) 緣膜5形成交叉之汲極匯流排線10(10a、10b)開始分 支。 閘極3、閘極絕緣膜5、島7、源極8、及汲極9構 成薄膜電晶體ll(TFT)，TFT11具有開關元件之機 肯§ Q 含有TFT11及反射板4之基板上的全面，形成保護 膜12。保護膜12具有使反射板4之凹凸面上的特定 區域露出反射板之Cr層4a的接觸孔6，在反射板4之 凹凸面上的區域，會具有沿著此凹凸面之凹凸面。 含有保護膜12上之凹凸面的區域，具有透明電極 1 4，透明電極1 4會經由接觸孔1 4和反射板4形成電 性相連。透明電極1 4和反射板4同樣具有像素電極之 機能。 其次，說明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基板 的製造步驟。 首先，由第33圖、第39(a)圖、第41(a)圖、第 43(a)圖、第44(a)圖及第45(a)圖可知，在表面平坦之 絕緣性基板1上的全面，形成由基底金屬2a、3 a、 17a、19a、20d、20e、21a構成之鬧極層（Cr層、圖上 未標示）。 其次，由第33圖、第39(a)圖、第41(a)圖、第 43(a)圖、第44(a)圖、及第45(a)圖可知，實施只會使 第1遮罩熔融之回熔，分別針對閘極匯流排線2、閘 -39· 557399 五、發明說明（38) 極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、共用端子部之基底 金屬19a、共用元件部用之閘極20d、20e、汲極用共 同匯流排線2 1之露出側壁及其附近之絕緣性基板1表 面以第1遮罩24實施覆蓋。 由第34圖、第39(c)圖、第41(c)圖、第43(c)圖、 第44(c)圖及第45(c)圖可知，以使用HF(氟酸）之濕蝕 刻、噴砂、以及使用〇?4或02之乾鈾刻等，在絕緣性 基板1之特定區域形成凹凸面1 a，其後，實施洗淨’ 然後再除去第1遮罩。第34圖之點線爲絕緣性基板之 段都1 b，其圍繞之區域的絕緣性基板1表面爲原來的 平坦面，其外側則會較低。 由第35圖、第39(d)圖、第41(d)圖、第43(d)圖、 第44(d)圖及第45(d)圖可知，在含有閘極匯流排線 2、閘極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、共用端子部 之基底金屬19a、共用元件部用之閘極20d、20e、及 汲極用共同匯流排線2 1之基板上的全面，會依序形成 SiNx等之閘極絕緣膜5、成爲半導體層之a-Si層7a、 以及成爲接觸電極n +型a-Si層7b。 由第35圖、第39(d)圖、第41(d)圖、第43(d)圖、 第44(d)圖及第45(d)圖可知，利用微影成像技術在n + 型a-Si層7b上形成第2遮罩（圖上未標示），其後，以 乾蝕刻等除去不需要之a-Si層7a及η +型a-Si層7b， 然後再除去第2遮罩。利用此方式，可以形成島7、 -40- 557399 五、發明說明（39) 20f ° 其次，由第36圖、第40(e)圖、弟42(e)圖、弟 43(e)圖、第44(e)圖及第45(e)圖可知’在基板上之全 面，形成依序層疊基底金屬4a、8a、9a、10a、22a(以 下以「Cr」表示）、表層金屬4b、8b、9b、10b、 22b(以下以「Al/Nd」表示）而成之源極/汲極層。 由第36圖、第40(e)圖、第42(e)圖、第43(e)圖、 第44(e)圖及第45(e)圖可知’在源極/汲極層上’以微 影成像技術形成第3遮罩（圖上未標示）’然後’以乾 蝕刻或濕蝕刻等除去不需要之源極/汲極層。利用此方 式，可以形成反射板4、源極8、汲極9、汲極匯流排 線10、共用端子部之源極/汲極20a、20b、閘極用共 用匯流排線2 2。 此時，反射型時反射板4不會設置 開口部，半透射型時反射板4則會設置開口部4c。 又，反射板4和源極8會在同一層形成連續連接。 然後，將源極8、汲極9等之金屬層及第3遮罩當 做飩刻遮罩，對n +型a-Si層7b進行蝕刻，其後再去 除第3遮罩。利用此方式，形成歐姆接觸層。 其次’由第37圖、弟40(f)圖、第42(f)圖、第43(f) 圖、第44(f)圖及第45(e)圖可知，在保護膜12上以微 影成像技術形成第4遮罩（圖上未標示），然後，以乾 蝕刻等去除接觸孔區域上多餘之保護膜1 2、閘極絕緣 膜 5、或 Al/Nd 層 2b、4b、17b、19a、21b，直到露出 -41- 557399 五、發明說明（4〇) 部份 Cr 層 2a、4a、10a、17a、18a、19a、20a、20d、 20e、2 1a、22a爲止，其後，除去第4遮罩。利用此方 式，可以形成接觸孔6、17c、18c、19b、20c、21c、 22c ° 接觸孔6爲使反射板之部份Cr層4a露出的孔。接觸 孔17c爲使閘極端子部之部份Cr層17a露出的孔。接 觸孔18c爲使汲極端子部之部份Cr層18a露出的孔。 接觸孔19b爲使共同端子部之部份Cr層19a露出的 孔。接觸孔20c爲使共用端子部之部份Cr層2a、 20a、2 0d、20e、21a、22a露出的孔。接觸孔21c爲使 汲極用共同匯流排線之部份C r層2 1 a露出的孔。接觸 孔22c爲使閘極用共同匯流排線之部份Cr層22a露出 的孔。 由第38圖、第40(g)圖、第42(g)圖、第43(g)圖、 第44(g)圖及第45(g)圖可知，含有保護膜12之基板上 的全面，以濺鍍法等形成ITO等之透明電極層14、 17d、18d、19c、23 〇 最後，由第38圖、第40(g)圖、第42(g)圖、第 43(g)圖、第44(g)圖及第45(g)圖可知，在透明電極層 14、17d、18d、19c、20g、23上，以微影成像技術形 成第5遮罩（圖上未標示），然後，以濕蝕刻等去除多 餘之透明電極層，然後再去除第5遮罩。利用此方 式，可以形成當做像素電極之透明電極1 4、閘極端子 -42- 557399 五、發明說明（41) 部之端子17d、汲極端子部之端子18d、共同端子部之 端子1 9c、共同元件部之配線20g、及共同匯流排線 21、22間之配線23。 此時，透明電極1 4會經由接觸孔6和反射板之Cr 層4a形成電性相連。閘極端子部之端子1 7d、汲極端 子部之端子18d、及共同端子部之端子19c會經各部 之接觸孔17c、18c、19b連接於各部之Cr層17a、 1 8a、及 1 9a 〇 共同元件部之配線20g會經過適當組合之接觸孔 20c，分別使閘極匯流排線2及共同元件部之源極/汲 極2 0a、共用匯流排線22及共同元件部閘極20e、共 同匯流排線21及共同元件部之源極/汲極20a、及汲極 匯流排線1 0及共同元件部之閘極20e間形成電性相 連。共同匯流排線2 1、22間之配線23則會經由接觸 孔2 1 c、22c和共同匯流排線2 1、22間形成電性相 連。 利用上述步驟，可以製造第38圖所示構造之主動矩 陣基板。如上面所述，利用實施例3之主動矩陣基板 的製造方法，只需5片遮罩即可形成反射板上有凹 凸' 且具良好顯示機能之反射型或半透射型的主動矩 陣基板’和傳統之製造方法比較，至少減少2PR份步 驟。 [實施例4] -43- 557399 五、發明說明（42) 其次，以圖面針對實施例4進行說明。第46圖至第 52圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基板 製造步驟模式的平面圖。圖53至圖62爲本發明實施 例4液晶顯示裝置之主動矩陣基板製造步驟模式的剖 面圖，第53圖及第54圖爲A-A，間、第55圖及第56 圖爲B-B’間、第57圖及第58圖爲C-C，間、第59圖 及第60圖爲D-D，間、第61圖及第62圖爲E-E，間之 剖面圖。 由第52圖至第54圖可知，實施例4之主動矩陣基 板的構成如下所示。主動矩陣基板以外之液晶顯示裝 置的構造和實施例1相同。 在特定區域具有凹凸面1 a之絕緣性基板1上的平坦 面區域，平行配設複數閘極匯流排線2，同時，從閘 極匯流排線2分支出聞極3。 在含閘極3之絕緣性基板1上，形成由SiNx等構成 之閘極絕緣膜5。絕緣性基板1上之凹凸面1 a的頂部 平坦面，具有由和閘極絕緣膜5相同材料之SiNx等構 成之凸狀構件5a。凸狀構件5a爲形成絕緣性基板1上 之凹凸面la及反射板4之凹凸面時的基礎。又，圖上 雖然未標示，亦可如實施例2及實施例3所示，使絕 緣性基板1上之凹凸面1 a的頂部平坦部及凸狀構件5a 之間，具有由和閘極3相同金屬--Cr等所構成之凸狀 構件（參照第23圖、第39圖之凸狀構件26)。 -44- 五、發明說明（43) 位於閘極3上方之閘極絕緣膜5上，具有依半導體 層7a、接觸電極7之順序層疊而成之島7 ° 島7之一端側，形成源極8 (8 a)，另一端側則形成汲 極9(9a)。汲極9會從經由閘極匯流排線2及閘極絕緣 膜5形成交叉之汲極匯流排線10(1 Oa)開始分支。 閘極3、閘極絕緣膜5、島7、源極8、及汲極9構 成薄膜電晶體1 l(TFT)，TFT1 1具有開關元件之機 tb ° 含有TFT11之基板上，形成保護膜12。保護膜12 具有在源極8之特定區域露出其Cr層8a的接觸孔6、 1 3。接觸孔6爲使源極8a及反射板4b形成電性相連 的孔。接觸孔13則爲使源極8a及透明電極14形成電 性相連的孔。又，凸狀構件5a上亦具有和保護膜12 相同材料一 SiNx等構成之凸狀構件12a。 在絕緣性基板1之凹凸面la及凸狀構件5a、12a(有 時爲Cr層構成之凸狀構件）形成之凹凸面及TFT11上 方之保護膜12上的區域，會形成反射板4(4b)。在絕 緣性基板1之凹凸面la及凸狀構件5a、12a(有時爲 Cr層構成之凸狀構件）形成之凹凸面上方的反射板 4b、及TFT11上方之反射板4b，是以同一步驟形成， 且兩者互相連接。沿著絕緣性基板之凹凸面1 a及凸狀 構件5a、12a所形成之凹凸面，反射板4之表面亦爲 大致相同之凹凸面，表面粗細度之最大高度爲2至3 -45- 557399 五、發明說明（44) // m程度，凸部之頂部及頂部的間隔爲數十μ m程 度。半透明型液晶顯示裝置時，反射板4之凹凸面的 部份區域’具有以透射背光源之光爲目的的開口部 4c。反射型液晶顯示裝置時，反射板4之凹凸面區域 未設開口部。又，圖面上之凹凸面的凸部及凹部看起 來似乎十分尖銳，實際上卻稍呈圓弧狀。 含有反射板4及保護膜1 2上之凹凸面的區域，具有 透明電極1 4，透明電極1 4和反射板4同樣具有像素 電極之機能。以接觸反射板4之方式形成透明電極 14，若反射板4爲含有A1之金屬時，被當做透明電極 14之ITO具有防止A1異常析出的效果。因爲透明電 極（IT0)14和反射板（Al/Nd)4之間幾乎不具導電性，故 主要是由源極（Cr)8側提供電源。 其次，說明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基板 的製造步驟。 首先，由第46圖、第53(a)圖、第55(a)圖、第 57(a)圖、第59(a)圖及第61(a)圖可知’在表面平坦之 絕緣性基板1上的全面’形成由基底金屬2 a、3 a、 17a、19a、20d、2 0e、21a構成之閘極層（Cr層、圖上 未標示）。 其次，由第46圖、第53(a)圖、第55(a)圖、第 57(a)圖、第59(a)圖及第61(a)圖可知’在閘極層上’ 以微影成像技術形成第1遮罩（圖上未標示）’然後’ -46- 557399 五、發明說明（45) 以乾蝕刻或濕蝕刻等除去不需要之閘極層，然後再除 去第1遮罩。利用此方式，可以形成閘極匯流排線 2、閘極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、共用端子部 之基底金屬19a、共用元件部用之閘極20d、20e、及 汲極用共同匯流排線2 1。 其次，由第47圖、第53(b)圖、第55(b)圖、第 57(b)圖、第59(b)圖及第61(b)圖可知，含有閘極匯流 排線2、閘極3、閘極端子部之基底金屬17a、共同端 子部之基底金屬19a、共同元件部用之閘極20d、 2〇e、及汲極用共同匯流排線21的基板上之全面，會 依序形成SiNx等之閘極絕緣膜5、當做半導體層之a-Si層7a、以及當做接觸電極之n +型a-Si層7b。 由第47圖、第53(b)圖、第55(b)圖、第57(b)圖、 第59(b)圖及第61(b)圖可知，在n +型a-Si層7b上以 微影成像技術形成第2遮罩（圖上未標示）’其後，以 乾蝕刻等去除不需要之a-Si層7a及n +型a-Si層7b， 然後，再去除第2遮罩。利用此方式，可形成島7、 20f 〇 其次，由第48圖、第53(c)圖、第55(c)圖、第 57(c)圖、第59(c)圖及第61(c)圖可知，在基板上之全 面形成Cr等基底金屬4a、8a、9a、10a、22a(以下以 「Cr」表示）構成之源極/汲極層（圖上未標示）° 由第48圖、第53(c)圖、第55(c)圖、弟57(c)圖、 -47- 557399 五、發明說明（46) 第59(c)圖及第61(c)圖可知，在源極/汲極層上，以微 影成像技術形成第3遮罩（圖上未標示），然後，以乾 蝕刻或濕鈾刻等除去不需要之源極/汲極層。利用此方 式，可以形成源極8、汲極9、汲極匯流排線10、共 同元件部之源極/汲極20a、20b、閘極用共用匯流排 線22。 然後，將源極8、汲極9等之金屬層及第3遮罩當 做蝕刻遮罩，對n +型a-Si層7b進行蝕刻，其後再去 除第3遮罩。利用此方式，形成歐姆接觸層。 由第49圖、第53(d)圖、第55(d)圖、第57(d)圖、 第5 9(d)圖及第61(d)圖可知，含有源極8、汲極9、汲 極匯流排線10、共同元件部用之源極/汲極20a、 20b、及閘極用共用匯流排線22的基板上之全面，以 電漿CVD法等形成保護膜12。 其次，由第49圖、第53(d)圖、第55(d)圖、第 57(d)圖、第59(d)圖及第61(d)圖可知，在保護膜12 上以微影成像技術形成第4遮罩29，然後，以乾蝕刻 等去除接觸孔區域上多餘之保護膜1 2或閘極絕緣膜 5，直到露出部份絕緣性基板1或Cr層2a、8a、10a、 17a、18a、19a、20a、20d、20e、21a、22a 爲止。利 用此方式，可以形成接觸孔6、13、17c、18c、19b、 20c、21c、22c、及凸狀構件5a、12a。又，此階段尙 未除去第4遮罩29。 -48- 557399 五、發明說明（47) 此時，接觸孔6爲使部份源極8a露出的孔。接觸孔 1 3爲使部份源極8a露出的孔。接觸孔1 7c爲使閘極端 子部之部份Cr層1 7a露出的孔。接觸孔1 8c爲使汲極 端子部之部份Cr層18a露出的孔。接觸孔19b爲使共 同端子部之部份Cr層19a露出的孔。接觸孔20c爲使 共同元件部之部份Cr層2a、20a、20d、20e、21a、 22a露出的孔。接觸孔2 1 c爲使汲極用共同匯流排線之 部份Cr層21a露出的孔。接觸孔22c爲使閘極共同匯 流排線之部份Cr層22a露出的孔。 由第49圖、第54(e)圖、第56(e)圖、第58(e)圖、 第60(e)圖及第62(e)圖可知，實施只會使第4遮罩29 熔融之回熔，分別針對閘極絕緣膜5、保護膜1 2、及 凸狀構件5a、12a之露出側壁及其附近之絕緣性基板 1表面以第4遮罩29實施覆蓋，同時針對含露出之Cr M 2a、 8a、 10a、 17a、 18a、 19a、 20a、 20d 、 20e 、 21a、22a表面在內之接觸孔6、13、17c、18c、19b、 20c、21c、22c，以第4遮罩29進行阻塞。 此時，因爲含Cr層表面在內之接觸孔的直徑爲數// m，且凸狀構件5a、12a之間隔爲數十// m，故相鄰之 凸狀構件5a、12a間，可以第4遮罩29覆蓋含Cr層 表面之各接觸孔的表面，使各第4遮罩29間不相連。 利用此方式，只有各凸狀構件5a、1 2a間之絕緣性基 板1爲未被第4遮罩29覆蓋的露出面。 -49- 557399 五、發明說明（48) 由第50圖、第54(f)圖、第56(f)圖、第58(f)圖、 第60(f)圖及第62(f)圖可知，以使用HF(氟酸）之濕蝕 刻、噴砂、以及使用〇?4或02之乾鈾刻等，在絕緣性 基板1之特定區域形成凹凸面1 a，其後，實施洗淨， 然後再除去第4遮罩。 其次，由第51圖、第54(g)圖、第56(g)圖、第 58(g)圖、第60(g)圖及第62(g)圖可知，在含保護膜12 之基板上全面，形成由Al/Nd等金屬層4b (以下以 「Al/Nd」表示）構成之反射板層。 由第51圖、第54(g)圖、第56(g)圖、第58(g)圖、 第60(g)圖及第62(g)圖可知，在反射板層上，以微影 成像技術形成第5遮罩（圖上未標示），然後，以乾蝕 刻或濕蝕刻等除去不需要之反射板層，其後再除去第 5遮罩。利用此方式，可以形成反射板4b。 此時，反射型時反射板4不會設置開口部，半透射 型時反射板4則會設置開口部4c。又，反射板4會經 由接觸孔6和源極8連接。又，因爲反射板（Al/Nd)4 之材質和源極（Cr)8之材質不同，故可依據選擇比之差 來對反射板層實施選擇性蝕刻，而使Cr層2a、8a、 10a、17a、18a、19a、20a、20d、20e、21a、22a 從接 觸孔 13、17c、18c、19b、20c、21c、22c 露出。又， 絕緣性基板1之凹凸面1 a、及凸狀構件5a、1 2a形成 之凹凸面上方的反射板4b、及TFT11上方之反射板 -50- 557399 五、發明說明（49) 4b會相連。 由第52圖、第54(h)圖、第56(h)圖、第58(h)圖、 第60(h)圖及第62(h)圖可知，含保護膜12之基板上的 全面，會以濺鍍法形成ITO等透明電極層14、17d、 18d 、 19c 、 20g 、 23 ° 最後，由第52圖、第54(h)圖、第56(h)圖、第 58(h)圖、第60(h)圖及第62(h)圖可知，在透明電 極層14、17d、18d、19c、20g、23上以微影成像技術 形成第6遮罩（圖上未標示），其後，以濕蝕刻去除多 餘之透明電極層，然後再去除第6遮罩。利用此方 式，可以形成當做像素電極使用之透明電極1 4、閘極 端子部之端子17d、汲極端子部之端子18d、共同端子 部之端子19c、共同元件部之配線20g、及共同匯流排 線21、22間之配線23。 此時，透明電極1 4經由接觸孔1 3和源極8a爲電性 相連。閘極端子部之端子1 7d、汲極端子部之端子 1 8d、及共同端子部之端子1 9c則經由各部之接觸孔 17c、18c、19b 和各部之 Cr 層 17a、18a、19a 連接。 共同元件部之配線20g會經過適當之2種組合的接觸 孔20c，分別使閘極匯流排線2及共同元件部之源極/ 汲極20a、共用匯流排線22及共同元件部閘極20e、 共同匯流排線21及共同元件部之源極/汲極20a、汲極 匯流排線1 〇及共同元件部之閘極20e間形成電性相 -51 - 557399 五、發明說明（5〇 ) 連。共同匯流排線2 1、22間之配線23則會經由接觸 孔2 1 c、22c和共同匯流排線2 i、22間形成電性相 連。 利用上述步驟，可以製造圖52所示構造之主動矩陣 基板。如上面所述，利用實施例4之主動矩陣基板的 製造方法，只需6片遮罩即可形成反射板上有凹凸、 且具良好顯示機能之反射型或半透射型的主動矩陣基 板，和傳統之製造方法比較，至少減少1 PR份步驟。 [實施例5] 其次，以圖面針對實施例5進行說明。圖63至圖 68爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基板製 造步驟模式的平面圖。第69圖至第78圖爲本發明實 施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基板製造步驟模式的 剖面圖，第69圖及第70圖爲A-A’間、第71圖及第 72圖爲B-B’間、第73圖及第74圖爲C-C·間、第75 圖及第76圖爲D-D’間、第77圖及第78圖爲E-E’間 之剖面圖。 由第68圖至第70圖可知，實施例5之主動矩陣基 板的構成如下所示。主動矩陣基板以外之液晶顯示裝 置的構造和實施例1相同。 在特定區域具有凹凸面1 a之絕緣性基板1上的平坦 面區域，平行配設複數閘極匯流排線2，同時，從閘 極匯流排線2分支出閘極3。 -52- 五、發明說明（51) 在含閘極3之絕緣性基板1上，形成由SiNx等構成 之閘極絕緣膜5。絕緣性基板1上之凹凸面1 a的頂部 平坦面，具有由和閘極絕緣膜5相同材料之SiNx等構 成之凸狀構件5a。凸狀構件5a爲形成絕緣性基板1上 之凹凸面1 a及反射板4之凹凸面時的基礎。又，絕緣 性基板1上之凹凸面1 a及閘極3之間，具有可防止反 射板4及閘極3間之短路、以及使凸狀構件26及閘極 3互相隔離的防止短路配線25。 在含閘極3及防止短路配線25之絕緣性基板1上， 形成由SiNx等構成之閘極絕緣膜5。閘極絕緣膜5具 有可在防止短路配線25上之特定位置使防止短路配線 25露出的接觸孔27、28。接觸孔27爲使源極8及防 止短路配線25形成電性相連的孔。接觸孔28爲使透 明電極1 4及防止短路配線25形成電性相連的孔。 位於閘極3上方之閘極絕緣膜5上，具有依半導體 層7a、接觸電極7之順序層疊而成之島7。 島7之一端側，形成源極8(8 a、8b)，另一端側則形 成汲極9(9a、9b)。源極8會經由接觸孔27和防止短 路配線25形成電性相連。在由絕緣性基板1之凹凸面 1 a及凸狀構件5 a形成之凹凸面上方的區域，會形成位 於源極8之同一層且未隔離的反射板4(4a、4b)。反射 板4之表面的凹凸面，大致和絕緣性基板之凹凸面1 a 及凸狀構件26形成之凹凸面相同，表面粗細度之最大 -53- 557399 五、發明說明（52) 高度爲2至3 // m程度，凸部之頂部及頂部的間隔爲 數十// m程度。半透明型液晶顯示裝置時，反射板4 之凹凸面的部份區域，具有以透射背光源之光爲目的 的開口部4c。反射型液晶顯示裝置時，反射板4之凹 凸面區域未設開口部。又，圖面上之凹凸面的凸部及 凹部看起來似乎十分尖銳，實際上卻稍呈圓弧狀。汲 極9會從經由閘極匯流排線2及閘極絕緣膜5形成交 叉之汲極匯流排線10(10a、10b)開始分支。 閘極3、閘極絕緣膜5、島7、源極8、及汲極9構 成薄膜電晶體ll(TFT)，TFT11具有開關元件之機 tb ° 含有TFT11及反射板4之基板上，會形成保護膜 1 2。保護膜1 2具有對應閘極絕緣膜5之接觸孔28的 位置使防止短路配線25露出之接觸孔28。接觸孔28 爲使爲防止短路配線25及透明電極1 4形成電性相連 的孔。 含有保護膜12上之區域，具有透明電極14，透明 電極14會經由接觸孔28和防止短路配線25形成電性 相連。透明電極1 4和反射板4同樣具有像素電極之機 肯g 。 其次，說明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基板 的製造步驟。 首先，由第63圖、第69(a)圖、第71(a)圖、第 -54- 557399 五、發明說明（53) 73(a)圖、第75(a)圖及第77(a)圖可知，在表面平坦 之絕緣性基板1上的全面，形成由基底金屬2a、3a、 17a、18a、19a、20d、20e、21a、25 構成之閘極層（Cr 層、圖上未標示）。 由第63圖、第69(a)圖、第71(a)圖、第73(a) 圖、第75(a)圖及第77(a)圖可知，在閘極層上，以 微影成像技術形成第1遮罩（圖上未標示），然後，以 乾蝕刻或濕蝕刻等除去不需要之閘極層，然後再除去 第1遮罩。利用此方式，可以形成閘極匯流排線2、 閘極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、汲極端子部之基 底金屬18a、共用端子部之基底金屬19a、共用元件 部用之閘極20d、20e、汲極用共同匯流排線21、及防 止短路配線25。 其次，由第64圖、第69(b)圖、第71(b)圖、第 73(b)圖、第75(b)圖及第77(b)圖可知，含有閘極匯流 排線2、閘極3、閘極端子部之基底金屬1 7a、汲極端 子部之基底金屬18a、共用端子部之基底金屬19a、 共用元件部用之閘極20d、20e、汲極用共同匯流排線 2 1、及防止短路配線25的基板上之全面，會依序形成 SiNx等之閘極絕緣膜5、當做半導體層之a-Si層7a、 以及當做接觸電極之n +型a-Si層7b。 由第64圖、第69(b)圖、第71(b)圖、第73(b)圖、 第75(b)圖及第77(b)圖可知，在n +型a-Si層7b上以 -55- 五、發明說明（54) 微影成像技術形成第2遮罩（圖上未標示），其後，以 車乙餓刻寺去除不需要之a_Si層7a及n +型a-Si層7b， 然後，再去除第2遮罩。利用此方式，可形成島7、 20f 〇 其次’由第65圖、第69(c)圖、第71(c)圖、第 73(c)圖、第75(c)圖及第77(c)圖可知，在含島7、20f 之閘極絕緣膜5上，以微影成像技術形成第3遮罩 3〇，然後，以乾蝕刻等，去除成爲接觸孔區域及凸狀 構件5a以外之區域的多餘閘極絕緣膜5，直到露出部 份Cr層2、18a、20e、21、25爲止。利用此方式，可 以形成接觸孔18e、20c、2 1c、27。又，此階段尙未 除去第3遮罩30。 接觸孔18e爲使汲極元件部之部份Cr層18a露出的 孔。接觸孔20c爲使共同元件部之部份Cr層2、20a、 20e、21露出的孔。接觸孔21c爲使部份共同匯流排線 2 1露出的孔。接觸孔27爲使部份防止短路配線25露 出的孔。 其次，由第65圖、第69(d)圖、第71(d)圖、第 73(d)圖、第75(d)圖及第77(d)圖可知，實施只會使第 3遮罩30熔融之回熔，分別針對閘極絕緣膜5及凸狀 構件5a之露出側壁及其附近之絕緣性基板1表面以第 3遮罩30實施覆蓋，同時針對含露出之Cr層2、 18e、20e、21、25表面在內之接觸孔18e、20c、 -56- 557399 五、發明說明（55) 21c、27，以第3遮罩30進行阻塞。 此時，因爲含Cr層表面在內之接觸孔的直徑爲數// m，且閘極3及防止短路配線25之間隔爲數十// m， 故凸狀構件5a之間隔爲數十// m，而可使相鄰凸狀構 件5a間之各第3遮罩30間不相連，且可使閘極3及 防止短路配線25間之各第1遮罩24間相連。利用此 方式，只有各凸狀構件5a間之絕緣性基板1爲未被第 3遮罩30覆蓋的露出面。以第3遮罩阻塞接觸孔的原 因，是因爲若金屬層從接觸孔露出，則絕緣性基板（玻 璃）之蝕刻所使用的HF可能會透射金屬層，而對下層 之玻璃進行蝕刻。 其次，由第65圖、第70(e)圖、第72(e)圖、第 74(e)圖、第76(e)圖及第78(e)圖可知，以使用HF(氟 酸）之濕蝕刻、噴砂、以及使用CF4或02之乾蝕刻 等，在絕緣性基板1之特定區域形成凹凸面la，其 後，實施洗淨，然後再除去第3遮罩。 其次，由第66圖、第70(f)圖、第72(f)圖、第74(f) 圖、第76(f)圖及第78(f)圖可知，在含閘極絕緣膜5、 凸狀構件5a、及島7之基板1上的全面’依Cr等之基 底金屬4a、8a、9a、10a、2 2a(以下以「Cr」表示）、 Al/Nd等之表層金屬4b、8b、9b、10b、22b(以下以 「Al/Nd」表示）之順序形成源極/汲極層（圖上未標 示）。 -57- 557399 五、發明說明（56) 由第66圖、第70(f)圖、第72(f)圖、第74(f)圖、 第76(f)圖及第78(f)圖可知，在源極/汲極層上，以微 影成像技術形成第4遮罩（圖上未標示），然後，以乾 蝕刻或濕蝕刻等除去不需要之源極/汲極層及n +型a-Si 層7b。利用此方式，可以形成反射板4、源極8、汲 極9、汲極匯流排線1 0、共用端子部之源極/汲極 2 0a、2 0b、閘極用共用匯流排線22。又，此階段尙未 去除第4遮罩。 此時，反射型時反射板4不會設置開口部，半透射 型時反射板4則會設置開口部4c。又，反射板4和源 極8相連，源極8則經由接觸孔27和防止短路配線 25相連。共同元件部用之源極/汲極2 0a、2 0b，會經 由接觸孔20c和閘極匯流排線2、共同元件部之閘極 20e、或汲極用共同匯流排線2 1相連。閘極用之共用 匯流排線22，則經由接觸孔2 1 c和汲極用共同匯流排 線2 1相連。 然後，將源極8、汲極9等之金屬層及第4遮罩當 做飩刻遮罩，對n +型a-Si層7b進行蝕刻，其後再去 除第4遮罩。利用此方式，形成歐姆接觸層。 其次，由第67圖、第70(g)圖、第72(g)圖、第 74(g)圖、第76(g)圖及第78(g)圖可知，含有反射板 4、源極8、汲極9、汲極匯流排線1 〇、共同元件部用 之源極/汲極20a、20b、及閘極用共用匯流排線22的 -58- 557399 五、發明說明（57) 基板上之全面，以電漿CVD法等形成保護膜12。 由第67圖、第70(g)圖、第72(g)圖、第74(g)圖、 第76(g)圖及第78(g)圖可知，在保護膜12上以微影成 像技術形成第5遮罩（圖上未標示），然後，以乾蝕刻 等去除接觸孔區域上多餘之保護膜1 2或閘極絕緣膜 5，直到露出部份Cr層17a、18a、19a、25爲止，其 後，除去第5遮罩。利用此方式，可以形成接觸孔 17c 、 18c 、 19b 、 28 ° 接觸孔17c爲使閘極端子部之部份Cr層17a露出的 孔。接觸孔18c爲使汲極端子部之部份Cr層18a露出 的孔。接觸孔19b爲使共同端子部之部份Cr層19a露 出的孔。接觸孔28爲使部份防止短路配線25露出的 孔。 其次，由第68圖、第70(h)圖、第72(h)圖、第 74(h)圖、第76(h)圖及第78(h)圖可知，含有保護膜12 之基板上的全面，以濺鍍法等形成ITO等之透明電極 層 14 、 17d 、 18d 、 19c 、 20g 、 23 ° 最後，由第68圖、第70(h)圖、第72(h)圖、第 74(h)圖、第76(h)圖及第78(h)圖可知，在透明電極層 14、17d、18d、19c上，以微影成像技術形成第6遮 罩（圖上未標示），然後，以濕蝕刻等去除多餘之透明 電極層，然後再去除第6遮罩。利用此方式，可以形 成當做像素電極之透明電極1 4、閘極端子部之端子 - 59- 557399 五、發明說明（58) 17d、汲極端子部之端子18d、及共同端子部之端子 19c 〇 此時，透明電極1 4會經由接觸孔2 8和防止短路配 線25形成電性相連。閘極端子部之端子1 7d、汲極端 子部之端子18d、及共同端子部之端子19c會經各部 之接觸孔17c、18c、19b連接於各部之Cr層17a、 18a、及 1 9a 〇 利用上述步驟，可以製造圖68所示構造之主動矩陣 基板。如上面所述，利用實施例5之主動矩陣基板的 製造方法，只需6片遮罩即可形成反射板上有凹凸、 且具良好顯示機能之反射型或半透射型的主動矩陣基 板’和傳統之製造方法比較，至少減少1 PR份步驟。 [實施例6] 其次，以圖面針對實施例6液晶顯示裝置之主動矩 陣基板製造步驟進行說明。圖79至圖80爲本發明實 施例6液晶顯示裝置之主動矩陣基板製造步驟模式的 剖面圖。 首先，由第79(a)圖可知，在表面平坦之絕緣性基板 1上的全面，形成由Cr等金屬2a、3a、26構成之閘極 層（圖上未標示）。 由第79(a)圖可知，在閘極層上，以微影成像技術形 成第1遮罩24，然後，以乾蝕刻或濕蝕刻等除去不需 要之閘極層。利用此方式，可以形成閘極匯流排線 -60- 557399 五、發明說明（59) 2 a、閘極3 a、凸狀構件2 6。此階段尙未去除第1遮罩 24 ° 其次，由第79(b)圖可知’實施只會使第1遮罩24 熔融之回熔，分別針對閘極匯流排線2 a、閘極3 a、 凸狀構件26之露出側壁及其附近之絕緣性基板1表面 以第1遮罩24實施覆蓋。 此時，若凸狀構件2 6之間隔爲數十// m，故相鄰之 凸狀構件26間的各第1遮罩24可不相連。 其次，由第79(c)圖可知，以使用HF(氟酸）之濕飩 刻、噴砂、以及使用CF4或02之乾蝕刻等，在絕緣性 基板1之特定區域形成凹凸面1 a，其後，實施洗淨， 然後再除去第1遮罩。 其次，由第79(d)圖可知，含有閘極匯流排線2a及 閘極3a之基板上的全面，依序形成SiNx等之閘極絕 緣膜5、當做半導體層之a-Si層7a、以及當做接觸電 極之n +型a-Si層7b。 由第79(d)圖可知，在n +型a-Si層7b上以微影成像 技術形成第2遮罩（圖上未標示），其後，以乾鈾刻等 去除不需要之a-Si層7a及n +型a-Si層7b，然後，再 去除第2遮罩。利用此方式，可形成島7a、7b。 由第80(e)圖可知，在閘極絕緣膜5及n +型a-Si層 7b上以微影成像技術形成第3遮罩（圖上未標示），其 後，以乾蝕刻等去除不需要之閘極絕緣膜5，然後， -6 1 - 557399 五、發明說明（6〇) 再去除第3遮罩。利用此方式，可使絕緣性基板之凹 凸面la及凸狀構件26之表面露出。 其次，由第80(f)圖可知，在基板上的全面，依Cr 等之基底金屬4a、8a、9a、10a(以下以「Cr」表示）、 Al/Nd等之表層金屬4b、8b、9b、10b(以下以 「Al/Nd」表示）之順序層疊而形成源極/汲極層。源極/ 汲極層會配設於絕緣性基板之凹凸面1 a的表面上。 由第80(f)圖可知，在源極/汲極層上，以微影成像 技術形成第4遮罩（圖上未標示），然後，以乾鈾刻或 濕蝕刻等除去不需要之源極/汲極層。利用此方式，可 以形成反射板4a、4b、源極8a、8b、汲極9a、9b、 及汲極匯流排線l〇a、10b。又，反射板4a、4b會和 源極8a、8b在同一層，且爲連續之連接。 然後，將源極8、汲極9等之金屬層及第4遮罩當 做蝕刻遮罩，對n +型a-Si層7b進行蝕刻，其後再去 除第4遮罩。利用此方式，形成歐姆接觸層。 其次，由第80(g)圖可知，含有反射板4、a-Si層 7 a、源極8、及汲極匯流排線1 0的閘極絕緣膜5上之 全面，以電漿CVD法等形成保護膜12。 由第80(g)圖可知，在保護膜12上以微影成像技術 形成第5遮罩（圖上未標示），然後，以乾蝕刻等去除 接觸孔區域上多餘之保護膜1 2或閘極絕緣膜5，直到 露出部份Cr層3 a爲止，其後，除去第5遮罩。此 -62- 557399 五、發明說明（61) 時，接觸孔6爲使反射板之部份C r層4 a露出的孔。 其次，由第80(h)圖可知，含有保護膜12之基板上 的全面，以濺鍍法等形成ITO等之透明電極層14。 最後，由第80(h)圖可知，在透明電極層14上，以 微影成像技術形成第6遮罩（圖上未標示），然後，以 濕蝕刻等去除多餘之透明電極層，然後再去除第6遮 罩。利用此方式，可以形成當做像素電極之透明電極 1 4。透明電極1 4會經由接觸孔6和反射板4形成電性 相連。 利用上述步驟，可以製造第60(h)圖所示構造之主 動矩陣基板。如上面所述，利用實施例6之主動矩陣 基板的製造方法，只需6片遮罩即可形成反射板上有 凹凸、且具良好顯示機能之反射型或半透射型的主動 矩陣基板，和傳統之製造方法比較，至少減少1PR份 步驟。 [發明之功效] 利用本發明，只要5至6片遮罩即可製造具良好性 能之反射板的主動矩陣基板，且可實現主動矩陣基板 之低價格化。 因爲利用蝕刻閘極層、閘極絕緣膜、a-Si層、及源 極/汲極層時之遮罩的回熔等，有效活用遮罩，在絕緣 性基板上形成複數沈陷部，故可減少步驟數。又，因 爲絕緣性基板上有沈陷部、以及多餘之金屬層、絕緣 -63- 557399 五、發明說明（62) 層、及半導體層形成之突起部，利用沈陷部及突起部 可以形成起伏較大之凹凸面，並形成具有良好反射特 性之表面粗細度最大局度約2至3 // m的反射板。而 且，因爲只以形成TFT上所使用之PR，即可形成沈陷 部、以及共同端子部及共同元件部等。 [圖式之簡單說明] 第1圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置構成模式之方 塊圖。 第2圖爲本發明實施例1半透射型液晶顯示裝置之顯 示部構成模式的部份剖面圖。 第3圖爲本發明實施例1反射型液晶顯示裝置之顯示 部構成模式的部份剖面圖。 第4圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣構 成模式的平面圖。 第5圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第1平面圖。 第6圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第2平面圖。 第7圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第3平面圖。 第8圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第4平面圖。 第9圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基 -64- 557399 五、發明說明（63) 板製造步驟模式的第5平面圖。 第1 〇圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第6平面圖。 第11(a)〜（f)圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動 矩陣基板製造步驟模式的A-A’間剖面圖。 第12(a)〜（f)圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動 矩陣基板製造步驟模式的B-B’間剖面圖。 第13(a)〜（f)圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動 矩陣基板製造步驟模式的C-C’間剖面圖。 第14(a)〜（f)圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動 矩陣基板製造步驟模式的D-D’間剖面圖。 第15(a)〜（f)圖爲本發明實施例1液晶顯示裝置之主動 矩陣基板製造步驟模式的E-E’間剖面圖。 第16(a)、（b)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動 矩陣基板製造步驟模式的第1平面圖。 第17圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第2平面圖。 第18圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第3平面圖。 第1 9圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第4平面圖。 第20圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第5平面圖。 -65- 557399 五、發明說明（64) 第21圖爲本發明實施例2液晶顯不裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第6平面圖。 第22圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第7平面圖。 第23(a)〜（d)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的Α·Α’間第1剖面圖。 第24(e)〜（h)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的間第2剖面圖。 第25(a)〜（d)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的間第1剖面圖。 第26(e)〜（h)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的間第2剖面圖。 第2 7(a)〜（d)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間第1剖面圖。 第28(e)〜（h)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間第2剖面圖。 第2 9(a)〜（d)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D’間第1剖面圖。 第3 0(e)〜（h)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D’間第2剖面圖。 第3 1(a)〜（d)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的E-E’間第1剖面圖。 第3 2(e)〜（h)圖爲本發明實施例2液晶顯示裝置之主 -66- 557399 五、發明說明（65) 動矩陣基板製造步驟模式的E-E’間第2剖面圖。 第33(a)、（b)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的第1平面圖。 第34圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第2平面圖。 第35圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第3平面圖。 第36圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第4平面圖。 第37圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第5平面圖。 第3 8圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第6平面圖。 第3 9(a)〜（d)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的A-A’間第1剖面圖。 第40(e)〜（g)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的A-A’間第2剖面圖。 第41(a)〜（d)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的B-Bf間第1剖面圖。 第42(e)〜（g)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的B-B’間第2剖面圖。 第43(a)〜（g)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間剖面圖。

-67- 557399 五、發明說明（66) 第44(a)〜（g)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D’間剖面圖。 第45(a)〜（g)圖爲本發明實施例3液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的E-E1間剖面圖。 第46圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第1平面圖。 第47圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第2平面圖。 第48圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第3平面圖。 第49(d)、（e)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的第4平面圖。 第50圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第5平面圖。 第5 1圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第6平面圖。 第52圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第7平面圖。 第53(a)〜（d)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的A-A’間第1剖面圖。 第5 4(e)〜（h)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的A-A’間第2剖面圖。 第5 5(a)〜（d)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 -68- 557399 五、發明說明（67) 動矩陣基板製造步驟模式的Β-κ間第1剖面圖。 第5 6(e)〜（h)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的間第2剖面圖。 第5 7(a)〜（d)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間第1剖面圖。 第5 8(e)〜（h)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間第2剖面圖。 第5 9(a)〜（d)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D·間第1剖面圖。 第60(e)〜（h)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D’間第2剖面圖。 第61(a)〜（d)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的E-E’間第1剖面圖。 第62(e)〜（h)圖爲本發明實施例4液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的E-E’間第2剖面圖。 第63圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第1平面圖。 第64圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第2平面圖。 第65(c)、（d)、（e)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置 之主動矩陣基板製造步驟模式的第3平面圖。 第66圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第4平面圖。 -69- 557399 五、發明說明（68) 第67圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第5平面圖。 第68圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主動矩陣基 板製造步驟模式的第6平面圖。 第69(a)〜（d)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的A-A’間第1剖面圖。 第70(e)〜（h)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的A-A’間第2剖面圖。 第71(a)〜（d)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的B-B’間第1剖面圖。 第72(e)〜（h)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的B-B’間第2剖面圖。 第73(a)〜（d)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間第1剖面圖。 第74(e)〜（h)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的C-C’間第2剖面圖。 第75(a)〜（d)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D’間第1剖面圖。 第76(e)〜（h)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的D-D’間第2剖面圖。 第77(a)〜（d)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的E-E’間第1剖面圖。 第78(e)〜（h)圖爲本發明實施例5液晶顯示裝置之主 -70- 557399 五、發明說明（69) 動矩陣基板製造步驟模式的E-E’間第2剖面圖。 第79(a)〜（d)圖爲本發明實施例6液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的第1剖面圖。 第80(e)〜（h)圖爲本發明實施例6液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的第2剖面圖。 第81(a)〜（d)圖爲習知實例反射型液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的第1剖面圖。 第82(e)〜（g)圖爲習知實例反射型液晶顯示裝置之主 動矩陣基板製造步驟模式的第2剖面圖。 [元件符號之說明] 1、 101…絕緣性基板 1 a…凹凸面 lb…段部 2、 102…閘極匯流排線（掃描線） 2a、3a、4a、8a、9a、10a、17a、21a、、22a··. Ci. 2b4b、8b、9b、10b、17b、18b、21b、22b、104b··· Al/Nd 3、 20d、20e、103···鬧極 4、 104…反射板（像素電極） 4c…開口部 5、 105…閘極絕緣膜 5a…凸狀構件（SiNx) 6…第1接觸孔 -71 - 557399 五、發明說明（7〇) 7、 20f ' 107···島 7a、107a…a-Si(半導體層） 7b、107b…n +型a-Si(接觸電極） 8、 1 0 8…源極 9、 1 0 9…汲極 1 0、1 1 0…汲極匯流排線（信號線） 1 1 ··· TFT 12、 112…保護膜 12a…凸狀構件（SiNx) 112b…凹凸部 13、 17c 、 18c、 18e、 19b、 20c、 21c、 22c、 27、 28、 113、117c…接觸孔 14…透明電極（像素電極） 15…主動矩陣基板 1 6、4 1…配向膜 17…閘極端子部 17d、1 17d···端子 18…汲極端子部 18a…Cr(基底金屬） 18d、19c…端子（ITO) 19…共同端子部 19a…基底金屬（Cr或Al/Nd) 20…共同元件部 -72- 557399 五、發明說明（71) 20a…Cr(源極/汲極） 20b…Al/Nd(源極/汲極） 2〇g 、23、 * 5 1…配線（ITO) 21… 共同 匯 流 排線（汲極用） 22··· 共同 匯 流 排線（閘極用） 2 4··. 第1 遮 罩 25··. 防止 短 路 配線 2 6··. 凸狀 構 件 (Cr) 2 9… •第4 遮 罩 30…第3遮罩 3 1、4 6…相位差板 32、47…偏光板 3 3…背光源 34…前光源 40…對向基板 42…對向透明共用電極 43…樹脂保護膜 44…濾色器 45…對向透明絕緣性基板 50…液晶層 52、152…異常析出防止膜（ITO) -73-

Claims (1)

1. 5pm9L___ 公舌本 六、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置的製造方法，具有： 第1基板，絕緣性基板上含有薄膜電晶體及反射板； 第2基板，具有透明電極且和前述第1基板相對 向；以及 液晶層，存在於前述第1基板及前述第2基板之間； 其特徵爲具有： 第1步驟，於形成在前述絕緣性基板上之金屬 層、絕緣層、或半導體層當中至少1層上形成有被 圖案化成特定形狀之蝕刻遮罩； 第2步驟，利用前述蝕刻遮罩對前述金屬層、絕 緣層、或半導體層當中至少1層以上進行蝕刻，形 成前述薄膜電晶體之構成部份、及和其隔離之複數 個突起部，並使前述絕緣性基板之一部份露出； 第3步驟，利用只將前述鈾刻遮罩回熔 (reflow)，使前述蝕刻遮罩覆蓋前述薄膜電晶體之 構成部份的露出面、及其附近之前述絕緣性基板的 表面，同時，使位於相隣前述突起部間之前述絕緣 性基板的一部份表面露出，且以前述蝕刻遮罩覆蓋 前述突起部露出面、及其附近之前述絕緣性基板的表面； 第4步驟，前述第3步驟之後，利用前述蝕刻遮 罩實施前述絕緣性基板之蝕刻，在前述絕緣性基板 之露出區域形成1或2個以上的沈陷部；以及 第5步驟，至少沿著前述突起部及前述沈陷部形 -74- 557399 六、申請專利範圍 成之凹凸面，選擇性地形成表面具有凹凸面之反射板。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯不裝置的製造方 法，其中， 前述絕緣性基板上依序形成金屬層及絕緣層時’ 在前述第2步驟中，以前述蝕刻遮罩對前述絕緣 層進行蝕刻，形成使前述金屬層之一部份露出的接觸孔， 利用前述第3步驟中之前述蝕刻遮罩的回熔，以 前述蝕刻遮罩阻塞前述接觸孔。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中， 在前述第4步驟之後、前述第5步驟之前，包含 有第6步驟，其至少沿著前述突起部及前述沈陷部 所形成之凹凸面而形成表面具有凹凸面之其他絕緣 層。 4. 一種液晶顯示裝置的製造方法，具有： 第1基板，絕緣性基板上含有薄膜電晶體及反射板; 第2基板，具有透明電極且和前述第1基板相 對向；以及 液晶層，存在於前述第1基板及前述第2基板之間； 其特徵爲具有： 第1步驟，在前述絕緣性基板上形成金屬層後， 以第1蝕刻遮罩對前述金屬層進行蝕刻，形成閘 極，且使前述絕緣性基板之一部份露出； -75- 557399 六、申請專利範圍 第2步驟’在含有前述閘極之前述絕緣性基板上 形成絕緣層後，以第2蝕刻遮罩對前述絕緣層進行 蝕刻，形成閘極絕緣膜、及和其隔離之複數個突起 部，並使前述絕緣性基板之一部份露出； 第3步驟，利用只將前述蝕刻遮罩回熔，使前述 第2鈾刻遮罩覆蓋前述閘極絕緣膜之露出面、及其 附近之絕緣性基板的表面，同時，使位於相隣前述 突起部間之前述絕緣性基板的一部份表面露出，且 以前述第2蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其 附近之前述絕緣性基板的表面； 第4步驟，在前述第3步驟之後，利用前述第2 蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕刻，在前述絕緣 性基板之露出區域形成1或2個以上的沈陷部；以及 第5步驟，至少沿著前述突起部及前述沈陷部所 形成之凹凸面，選擇性地形成表面具有凹凸面之反射板。 5. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中， 在前述第2步驟中，在形成前述絕緣層後、使用 前述第2蝕刻遮罩前，在前述絕緣層上形成半導體 層，然後，使用第3蝕刻遮罩對前述半導體層進行 蝕刻，在前述閘極上方形成島。 6. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中， -76- 六、申請專利範圍 在前述第5步驟中形成之前述反射板，係直接配 設於前述突起部及前述沈陷部所形成之凹凸面上。 7. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中， 前述反射板是下層爲Cr層、上層爲Al/Nd層的 層疊構造， 前述第5步驟中，在形成前述反射板時，亦會選 擇性地形成前述層疊構造之源極及汲極， 在含有前述反射板、前述源極、及前述汲極之前 述絕緣層上形成另外之絕緣層後，在前述另外之絕 緣層及前述Al/Nd層上，會形成接觸孔，使前述源 極之一部份献述Cr層露出， 前述另外之絕緣層上，會選擇性地形成可透射前 述接觸孔和前述源極電性相連的透明電極層。 8. —種液晶顯示裝置的製造方法，具有： 第1基板，絕緣性基板上含有薄膜電晶體及反射板； 第2基板，具有透明電極且和前述第1基板相對 向；以及 液晶層，存在於前述第1基板及前述第2基板之間； 其特徵爲具有： 第1步驟，在前述絕緣性基板上形成第1金屬層 後，以第1蝕刻遮罩對前述第1金屬層進行蝕刻， 形成閘極，且使前述絕緣性基板之一部份露出； -77- 557399 六、申請專利範圍 第2步驟，在含有前述閘極之前述絕緣性基板 上，依序形成第1絕緣層及半導體層後，以第2蝕 刻遮罩對前述半導體進行蝕刻，在前述閘極之上方 形成島； 第3步驟，在含有前述島之前述第1絕緣層上形 成第2金屬層後，利用第3蝕刻遮罩對前述第2金 屬層進行蝕刻，形成前述源極及汲極； 第4步驟，在含有前述源極及前述汲極之前述第 1絕緣層上形成第2絕緣層後，利用第4蝕刻遮罩 實施前述第2絕緣層及前述第1絕緣層之蝕刻，形 成複數個突起部，並使前述絕緣性基板之一部份露出； 第5步驟，在前述第4步驟後，利用只將前述第 4蝕刻遮罩回熔，使前述第4蝕刻遮罩覆蓋前述第1 絕緣層及前述第2絕緣層之露出面、以及其附近之 絕緣性基板的表面，同時，使位於相隣前述突起部 間之前述絕緣性基板的一部份表面露出，且以前述 第4蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其附近之 前述絕緣性基板的表面； 第6步驟，在前述第5步驟之後，利用前述第4 蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕刻’在前述絕緣 性基板之露出區域選擇性地形成1或2個以上之沈 陷部；以及 第7步驟，至少沿著前述突起部及前述沈陷部形 -78- 557399 六、申請專利範圍 成之凹凸面，選擇性地形成表面具有凹凸面之反射板。 9· 一種液晶顯示裝置的製造方法，具有〆 第1基板，絕緣性基板上含有薄膜電晶體及反射 板； 第2基板，具有透明電極且和前述第1基板相對 向；以及 液晶層，存在於前述第1基板及前述第2基板之 間； 其特徵爲具有： 第1步驟，使用第1蝕刻遮罩對平坦之前述絕緣 性基板進行蝕刻，使前述絕緣性基板之特定區域選 擇性形成凹凸面；以及 第2步驟，在前述絕緣性基板上形成金屬層後， 利用第2蝕刻遮罩對前述金屬層進行蝕刻，在前述 絕緣性基板之平坦區域上選擇性形成閘極，同時， 在含有前述絕緣性基板之凹凸面的區域上，選擇性 地形成表面具有凹凸面之反射板，而前述反射板會 和前述閘極隔離，且沿著前述絕緣性基板之凹凸面 形成。 10. —種液晶顯示裝置的製造方法，具有： 第1基板，絕緣性基板上含有薄膜電晶體及反射 板； 第2基板，具有透明電極且和前述第1基板相對 -79- 六、申請專利範圍 向；以及 液晶層，存在於前述第1基板及前述第2基板之 間； 其特徵爲具有： 第1步驟，在前述絕緣性基板上形成第1金屬層 後，以第1鈾刻遮罩對前述第1金屬層進行鈾刻， 分別形成閘極、和其隔離之複數個突起部、以及和 前述閘極及前述突起部隔離之配線部，且使前述絕 緣性基板之一部份露出； 第2步驟，利用只將前述第1蝕刻遮罩回熔，使 前述第1蝕刻遮罩覆蓋前述閘極、以及前述配線部 各露出面及其附近之絕緣性基板的表面，同時，使 位於相隣前述突起部間之前述絕緣性基板的一部份 表面露出，且以前述第1蝕刻遮罩覆蓋前述突起部 露出面、及其附近之前述絕緣性基板的表面； 第3步驟，在前述第2步驟之後，利用前述第1 蝕刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕刻，在前述絕緣 性基板之露出區域形成1或2個以上之沈陷部； 第4步驟，在含有前述閘極、前述突起部、以及 前述配線之前述絕緣性基板上依序形成第1絕緣層 及半導體層後，利用第2蝕刻遮罩實施前述半導體 層之蝕刻，在前述閘極之上方形成島； 第5步驟，使用第3蝕刻遮罩對前述第1絕緣層 -80- 557399 六、申請專利範圍 進行蝕刻，形成使前述配線部之一部份露出的第1 接觸孔； 第6步驟，在含有前述島之前述第1絕緣層上形 成第2金屬層後，以第4蝕刻遮罩對前述第2金屬 層進行蝕刻，形成源極、汲極、及反射板，且經由 前述第1接觸孔實施前述源極及前述配線部的電性 相連； 第7步驟，在含有前述源極、前述汲極、及前述 反射板之前述第1絕緣層上形成第2絕緣層後，以 第5蝕刻遮罩在前述第2絕緣層及前述第1絕緣層 上形成使前述配線部之一部份露出的第2接觸孔；以 及 第8步驟，在前述第2絕緣層上，選擇性地形成 經由前述第2接觸孔和前述配線爲電性相連的透明 電極層。 11. 一種液晶顯示裝置的製造方法，具有：第1基板，絕 緣性基板上含有薄膜電晶體及反射板；第2基板，具 有透明電極且和前述第1基板相對向；以及液晶層， 存在於前述第1基板及前述第2基板之間；其特徵爲 具有： 第1步驟，在前述絕緣性基板上形成第1金屬層 後，以第1蝕刻遮罩對前述第1金屬層進行蝕刻， 分別形成閘極、以及和前述閘極隔離之配線部，且 -81 - 557399 六、申請專利範圍 使前述絕緣性基板之一部份露出； 第2步驟，在含有前述閘極及前述配線部之前述 絕緣性基板上依序形成第1絕緣層及半導體層後， 利用第2蝕刻遮罩實施前述半導體層之鈾刻，在前 述閘極之上方形成島； 第3步驟，使用第3鈾刻遮罩對前述第1絕緣層 進行蝕刻，形成使前述配線部之一部份露出的第1 接觸孔，且會形成複數個突起部，使前述絕緣性基 板之一部份露出； 第4步驟，利用只將前述第3蝕刻遮罩回熔，使 前述第3鈾刻遮罩覆蓋前述第1絕緣層之露出面、 以及其附近之絕緣性基板的表面，同時，以前述第 3蝕刻遮罩阻塞前述第1接觸孔，使位於相隣前述 突起部間之前述絕緣性基板的一部份表面露出，且 以前述第3蝕刻遮罩覆蓋前述突起部露出面、及其 附近之前述絕緣性基板的表面； 第5步驟，前述第4步驟之後，利用前述第3蝕 刻遮罩實施前述絕緣性基板之蝕刻，在前述絕緣性 基板之露出區域形成1或2個以上之沈陷部； 第6步驟，在含有前述島之前述第1絕緣層、前 述突起部、及前述沈陷部上形成第2金屬層後，以 第4蝕刻遮罩對前述第2金屬層進行蝕刻，形成源 極、汲極、及反射板，且經由前述第1接觸孔實施 -82- 557399 六、申請專利範圍 前述源極及前述配線部的電性相連； 第7步驟，在含有前述源極、前述汲極、及前述 反射板之前述第1絕緣層上形成第2絕緣層後，以 第5蝕刻遮罩在前述第2絕緣層及前述第1絕緣層 上形成使前述配線部之一部份露出的第2接觸孔；以 及 第8步驟，在前述第2絕緣層上，選擇性地形成 經由前述第2接觸孔和前述配線爲電性相連的透明 電極層。 12. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述蝕刻遮罩爲光阻劑。 13. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述反射板在凹凸面之特定區域具有開口部。 14. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述反射板在凹凸面之特定區域具有開口部。 15. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述反射板在凹凸面之特定區域具有開口部。 16. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述反射板在凹凸面之特定區域具有開口部。 17. 如申請專利範圍第1 0項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述反射板在凹凸面之特定區域具有開口部。 18. 如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示裝置的製造方 法，其中，前述反射板在凹凸面之特定區域具有開口部。 -83-