TW556279B - Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers - Google Patents

Description

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發明背景 本發明有關一種將保護帶覆在一半導體晶圓表面上，並 對其背面進行研磨/钱刻的薄層化半導體晶圓方法。本笋 明亦有關-種用以研磨表面貼附保護帶之半導體晶圓背、_ 的背面研磨裝置。 近年來’較薄半導體晶圓封裝的需求很大。為了製得該， 較薄半導！封裝，在半導體組合操作中之晶圓處理完成之 後，進行薄層化晶圓步驟。在該步驟中，通常將一保護帶 貼附在晶圓表面，然後藉由研磨磨蝕其背面。 又 此外，為了進一步薄層化該晶圓，並藉由去除研磨處理+ 中所產生之晶圓損壞層，提高半導體晶片橫向強度，更常 對經研磨晶圓背面進行濕式蝕刻（下文僅稱為"蝕刻"）。 通常，將保護帶貼附到欲研磨背面的晶圓表面，該保護 帶設定成等於或大於該晶圓尺寸。這是因為在該研磨處理 中/如此設定置於晶圓與研磨臺之間的保護帶尺寸，可以 使該保護帶均勻放置在該晶圓與該研磨臺之間。因此，抑 制該晶圓振動，並且實現穩定研磨該·背面。 將保屢页貼附於晶圓背面的一般採用方法—其揭示於日 ^專利特許公開公報第HEI 6_31 〇48〇號—當中，在一晶圓 背面覆上長帶，然後沿著該晶圓周圍邊緣切斷該帶。實際· 應用的其他方法係將一片事先切成圓形的薄片貼附於晶圓 背面的方法。 圖5A-5C係顯示薄層化晶圓方> 的概略說明圖，其中先 研磨該晶圓表面，然後再蝕刻。

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口在该薄層化方法中，如圖5A所示，先將保護帶2覆於晶 f 1表面’然後以切刀3沿著該晶圓周圍邊緣切除自晶圓1 =出之保護帶2部分。其次，如圖5β所示，經由保護帶2將 ，圓1固定於進研磨用之真空夾盤臺4。然後，旋轉該真空· 至4 ’使晶圓1背面與旋轉磨輪5接觸，進行研磨作用。之· 後’如圖5C所不’經由保護帶2將經研磨晶圓1固定於蝕刻 用之真空爽盤臺6。該然後旋轉真空夾盤臺6，並自上方位 置將化學液體7塗覆於該旋轉晶圓丨，進行晶圓丨背面蝕刻

不過’晶圓背面經研磨然後蝕刻的習用薄層化方法中具 有下列問題。首先’在晶圓丨直徑w顯於保護帶2直徑[情況 下，如圖6 A與6 B所示，於蝕刻處理期間，化學液體7可能 累積在晶圓1環繞周圍區域之保護帶2上。因此，累積化學 液體7的部分7,滲向晶圓1表面，因而污染該晶圓表面。 另一方面，在晶圓1直徑W等於保護帶2直徑L情況下， 化學液體7蝕刻晶圓1之周圍邊緣，此現象使晶圓丨直徑w逐 漸變小。因此，保濩帶2直徑L變得大.於直徑w，此現象產 生與上述相同效悲’造成晶圓1表面的污染。因此，在W $ L情況下，裝置品質與可靠度必定會惡化。 發明總論 因此，本發明目的係h出一種薄層化半導體晶圓的方 法，其可消除該晶圓表面的污染’因而提供具有良好品質 與可靠度的半導體裝置。本發孤目的亦在於提出一種背面 研磨裝置’用以研磨表面貼附保護帶之半導體晶圓的背

第5頁 556279 五、發明說明（3) 面，以進行該薄層化半導體晶圓方法。 為了完成上述目的，本發明提出一種薄層化半導體晶圓 方法，包括： 將一保護帶覆於該半導體晶圓表面上，並 蝕刻該半導體晶圓背面，因此薄層化該半導體晶圓， 其中該保護帶尺寸小於該半導體晶圓。 根據上述構造，經由保護帶將一晶圓固定一真空夾盤 臺，並蝕刻該半導體晶圓背面，塗覆於該晶圓上的化學液 體落下，不會殘留在該半導體晶圓周圍部分的保護帶上。 如此避免該化學液體滲到該半導體晶圓表面，並造成表面 污染。 在一實例中，在將保護帶覆於該半導體晶圓表面以及蝕 刻該半導體晶圓背面之間，該方法另外包括： 研磨該半導體晶圓背面。 在一實例中，該半導體晶圓直徑W與該保護帶直徑L具有 下列關係： L = W-a(0 毫米 <a S3 毫米）。 · 根據上述構造，在研磨該背面處理中，進行一種沒有磨 輪之研磨力產生振動的穩定研磨操作，其中該振動會造成 該半導體晶圓周圍破裂。此外，蝕刻背面的處理中，置於 該半導體晶圓與該真空夾盤臺之間的保護帶直徑不會變得 比該半導體晶圓直徑大，因而確保穩定蝕刻作用。 此外，在一實例中，該半導|晶圓邊緣具有一個削角部 分，而且該保護帶周圍部分不與該半導體晶圓邊緣削角部

556279 五、發明說明（4) 分重疊。 根據上述構造，因為貼附於該半導體晶圓的保護帶周圍 部分不會與該晶圓邊緣削角部分重疊，所以貼附之保護帶 邊緣不會自該晶圓脫離。 - 本發明亦提出一種半導體晶圓之背面研磨裝置，其用以. 研磨表面貼附保護帶之半導體晶圓背面，該保護帶尺寸比 該半導體晶圓小，該裝置包括： 第一真空夾盤臺，其係經由該保護帶，用以將該半導體 晶圓表面之第一區真空固定於其上，該第一區係該半導體 晶圓表面有該保護帶貼附之區域；以及 翁 第二真空夾盤臺，其用以將該半導體晶圓表面的第二區 真空固定於其上，該第二區係沒有貼附保護帶的半導體晶 圓周圍區域。 由上述構造，貼附保護帶的第一區係表面真空固定於第 一真空夾盤臺。此外，未貼附保護帶的第二區係真空固定 於第二真空夾盤臺。如此，真空固定該半導體晶圓整個表 面。因此，研磨該半導體晶圓背面周·圍部分時，幾乎不會 產生振動，因而可以達到穩定研磨該半導體晶圓背面操 作，不必增加該磨輪粒徑或是縮小該背面研磨顆粒。 | 在一實例中，該背面研磨裝置另外包括： 一個距離偵測器，其用以偵測介於該半導體晶圓第二區 與表面上固定該半導體晶圓之第一真空夾盤臺之間的距 離；以及 _ 第二真空夾盤臺位移構件，其用以將第二真空夾盤臺升

第7頁 556279 五、發明說明（5) 高自該距離偵測器偵測結果獲得的距離，使該第二真空夾 盤臺與該半導體晶圓的第二區接觸，並且於該晶圓背面研 磨作用完成時，將該第二真空夾盤臺降到等於第一真空夾 盤臺水平。 由上述構造，日該半導體晶圓第二區真空固定於第二真 空夾盤臺時，該距離偵測器偵測介於表面上固定該半導體 晶圓之第一真空夾盤臺與該半導體晶圓第二區之間的距 離。然後，該第二真空夾盤臺位移構件以自該距離偵測器 偵測結果獲得的距離為基準，升高將第二真空夾盤臺，直 到該第二真空夾盤臺與半導體晶圓的第二區接觸為止。因 此，即使該保護帶厚度改變，該半導體晶圓的第二區不會 被該第二真空夾盤臺牽引以及推動，因此該半導體晶圓以 穩定狀態真空固定，而且不會彎曲。 此外，該晶圓背面研磨作用完成時，第二真空夾盤臺位 移構件降低將該第二真空夾盤臺降到與該第一真空夾盤臺 相同水平。如此可以同時清潔第一真空夾盤臺2 3與第二真 空夾盤臺2 4的上表面，因此有助於去·除該背面研磨處理中 所產生的研磨粉屑等。 此外，在一實例中，該第一真空夾盤臺之直徑略大於或 等於該保護帶直徑。 根據上述構造，升高第二真空夾盤臺使之接觸該半導體 晶圓第二區時，該第二真空夾盤臺可以快速而且平穩地升 高到該接觸位置，而且不會碰觸該保護帶。此外，該第二 真空夾盤臺幾乎可以均勻真空固定整個第二區。

556279 五、發明說明（6) 圖式簡述 由下文提供的詳細說明以及附圖，將可更明白本發明， 該附圖僅供舉例說明，因此不限制本發明，其中： 圖1 A、1 B與1 C概略顯示本發明薄層化半導體晶圓的製 ‘ 程； · 圖2A與2B顯示介於圖1 A-1 C所示製程中使用之晶圓直徑 與保護帶直徑之間的關係； 圖3A、3B與3C係用於本發明半導體晶圓背面研磨裝置中 之真空爽盤堂的部分側視圖， 圖4係詳細顯示圖3A-3C所示之第二真空夾盤臺表面部分〇 與其鄰近部分之部分橫剖面圖； 圖5A、5B與5C概略顯示研磨與蝕刻晶圓背面用之習用方 法；以及 圖6 A與6 B顯示介於圖5 A - 5 C所示方法中所使用之晶圓直 徑與保護帶直徑之間的關係。 較佳實例詳細說明 下文茲將參考附圖，詳細說明本發明方法實例。 (第一實例） 圖1 A - 1 B顯示第一實例中薄層化半導體晶圓之製程。更 明確地說，圖1 A顯示覆蓋保護帶之步驟，1 B顯示研磨晶圓 背面之步驟，而圖1 C顯示蝕刻該晶圓背面之步驟。 首先，如圖1 A所示，將直徑小於晶圓11直徑之保護帶1 2 覆蓋於晶圓1 1表面。在該帶覆i作用中，可使用一種將長 形保護帶貼附於晶圓11上，然後切斷該保護帶，使其小於

第9頁 556279 五、發明說明（7) 晶圓周圍邊緣之方法，以及一 二 圓11直徑，並對$ # u 事先將保護帶切得小於晶 I對準亚貼附於晶圓11之方法。 二人，如圖1B所示，將貼附於曰 空固定於砠府士 、日曰圓11表面的保護帶12直 研磨用之真空夾盤臺13 :二、 曰曰圓m面與旋轉磨輪14接觸，並且被研磨至13日- 如上述，保護帶12直徑 持最後完成口曾读t 011直徑。因此，為了保 、丰洛 口口 建表&小該磨輪1 4粒徑，或是P备俏讲府 速度，以抑制晶圓11振動。 忒疋卩牛低研磨 其次’如圖1 C所示，保護帶J 2直* 夾盤臺15，如此晶叫也固；於21:固：：姓刻用之真空 般喜1 ^^ u疋π具上。然後，旋轉直空夾 5 方將化學液體16塗覆於晶圓11，夢由：ί 液體1 6蝕刻晶圓1 i背面。 猎由化子 此恰，隨著晶圓11旋轉，滴到晶圓 =體U自晶圓U中央部分擴展到其周圍，然； ”晶《m周圍邊緣落下。在該情況τ，因 匕；= 徑小於晶圓u直徑，所以化學液體16不會累積在保 上。因此，不像圖％實例，部分化學液體16 了 11表面。 《 〇入日日0 圖2 Α與2 Β各顯示本實例晶圓丨1直徑w與保護帶丨2直徑L之 間的關係。圖2A顯示定向扁平型晶圓，而圖2β顯示v形凹 口型晶圓。本實例中，保護帶丨2直徑l小於晶圓1丨直徑w。 因此，為了進行晶圓11邊緣沒有振動所致之破裂與龜裂的 穩定研磨作用，以及進行化學泉體丨6不會滲入表面之^刻 作用，設定晶圓11直徑W與保護帶丨2直徑l，以符合下式 (1) 556279 五、發明說明（8) (1 )所表示的條件 L 二 W-a 其中0厘米<a $3毫米 a = 2毫米（每邊1毫米）時，實驗獲得最佳結果 妙、 直徑有差異，但是通常在晶圓丨丨邊緣部分形成約〇 5^二曰曰圓 削角，避免破裂、斷裂及/或龜裂。$ 了避免貼附：： π 1 2脫離，保護帶1 2不與該削角部分重疊為佳。 “ 觀點，設定晶圓11之直徑W與保護帶丨2之^'直徑^ i使基於該 之值係2毫米（a = 2毫米）為佳。 工 上述a 如上述，本實例中，在晶圓丨丨背面研磨與蝕刻處理 將保護帶12覆於晶圓11表面時，設定晶圓丨丨之直徑w盘’ 護帶12之直徑L，使之符合式（1)。換言之，保護;12直'徑 L比晶圓1 1直徑W小a。因此，|虫刻步驟中，隨著晶圓11的 旋轉作用’滴到晶圓11背面的化學液體丨6自其周圍邊緣广 下’不會殘留在保護帶1 2上。如此可以避免部分化學液體 16渗透晶圓11表面’並造成污染。 ~ 此外，保護帶1 2直徑L與晶圓1 1直徑W之間的差界設為3 宅米（母邊1 · 5宅米）以下。如此可以控制或是抑制研磨處 理中因研磨力造成晶圓11的振動，其可進行穩定背面研磨 作用’不會造成晶圓11周圍斷裂。為了進行更穩定研磨操 作’縮小該磨輪1 4粒徑或是降低該研磨速度。 很明顯地看出，本實例提出一種改善半導體裝置品質與 可靠度之薄層化半導體晶圓方|。 ^ 上述實例中，說明使用磨輪1 4研磨晶圓11之步驟以及使

第11頁 556279 五 、發明說明（9) 不過，本發明可以僅進行 t化學液體1 6蝕刻之步驟 蝕刻步驟。 (第★二實例） 圓11 ;f 3 Z t: 5亥背面研磨裝置，經由保護帶12將晶-圓ΐΐ空夾盤臺13，該保護帶12尺寸小於曰曰曰 帶12之：疋轉其磨輪14研磨晶圓11背面。未覆蓋保護 13。因：圓11表面周圍部分並垠真空固定於真空夾盤臺 動。 ’在該周圍部分研磨操作期間，該處可能產生振 述:1晶圓11的振動，達成穩定背面研磨操作，如上 使彳S »項縮小磨輪14粒徑或是降低研磨速度，不過此舉會 f〜背面研磨裝置的產出能量降低。 置口此，第二實例有關一種半導體晶圓用之背面研磨裝 其可以穩定研磨一晶圓背面，該晶圓貼附尺寸小於該 妓之保護帶。 示係第二實例之背面研磨裝置部分側視圖，其顯 不月面研磨裝置之研磨作用中所使用-的真空夾盤臺（僅稱 為真空失盤臺）。此等圖式中’顯示出晶圓21、保護帶 2、第一真空夾盤臺23、第二真空夾盤臺24、距離偵測器 5與磨輪26。參考數字2 la表示晶圓21表面的周圍部分，° 其未貼附保護帶2 2。 如下述操作具有上述構造之半導體晶圓用背面研磨裝 置。首先，如圖3 A所示，經由瓜寸或是直徑小於晶圓2 1之 保護帶22，將晶圓21表面真空_固_定於真空夾盤臺23。此情

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況下，第真二夾盤堂23的直徑設定得略大於或等於保護 帶22。=可以沿著第一真空夾盤臺23中心軸滑動之方式， 將具有環形（相田於晶圓2 1表面之周圍區2 1 a形狀）橫剖面 形狀之圓筒形第二真空夹盤臺24固定於該圓筒形或柱形第 一真空夾盤臺23周圍。 其次，如圖3B降低第二真空夾盤臺24。然後，距離偵測 裔25朝向a日圓21表面之周圍區21a下方位置移動，其中當 真空夾盤2： ^4於圖3 A所示狀態時，該距離偵測器2 5位於第 二真空夾盤堂24的側邊。然後，距離偵測器25發出諸如雷 射光束之光線，射到晶圓2 1的周圍區2 1 a。於接收自晶圓 21反射之光線時，距離偵測器2 5以非接觸性方式偵測晶圓 21距離。偵測與晶圓21之距離後，撤回距離偵測器託至原 來位置。 其次，如圖3C所示，真空夾盤臺24回升高出圖3A所示 原有水平以上，其高出距離以該距離偵測器25提供之距^ 偵測結果為基準’ 士口此該第二真空夾盤臺24上端與晶圓; 之周圍區21a接觸’由來自下面的真空支撐區2U。如此 由第一真空夾盤臺23以及與其聯結之真空夾盤臺24直空

撐晶圓21整個表面（包括具有保護帶“之主要區以及沒有 保護帶22之周圍區21a)。然後，如圖冗所示，自上 轉磨輪26與晶圓21背面接觸，1以先: 磨其背面。 乃法

556279 五、發明說明（11) 二空=臺23相同之原有水平。然後， 狀態釋放晶圓21，自該背面研磨裝置“ 晶圓2 1心5,丨貝附保濩帶22之背面經研磨晶圓2 1。然後， 傷。則1蝕刻步驟，以去除背面研磨處理中產生的損 相Ϊί平：f;真空夾盤臺23與第二真空夾盤臺24定位於 第ίίί T，使用磨輪26、刷子(未顯示出來）等清潔 St夹盤臺23與第二真空夹盤臺24上端表面，以 3Α所示处：I所ί t的粉屑。該清潔作用完成之後，如圖 第一直般f護帶22將下一片欲研磨晶圓21真空固定於 上臺f’並等候該背面研磨操作。 該：面：二 盤臺24上面部分之詳細分解圖以及 。上面邛刀郴近部分。參考圖4，將 夾盤臺24之操作。㉟圖式中，未考更4;田：月f -夾盤臺24之空吸口。 ，考數子24a表示第二真空 直:二由直瓜小於晶圓2 1之貼附保護帶22，由第一 真:〇盤.23支標晶圓21。在該情況.下，第一真空夾盤臺 23之直徑設定得略大於保護帶22直徑。玆直* 2 3被橫剖面开》狀相當於晶圓21表 χ ”工λ至 之第二真空爽盤臺24環繞區^形狀（環形） 叙楚 古介弟一真空失盤臺24的上端表面 與第一真空夾盤臺23上端表面位於同 真空夾盤臺24的水平原點’ a，。如 i i #又^ 失盤臺23與第二真空夾盤臺24上//:於清潔第-真空 24位於原來水平&。此外，進行背面研磨處理前後之Λ

第14頁 556279 五 、發明說明（12) 2if裁與卸下作用亦 如前述，以第一吉… 不水千a進仃。 將第二直*央般*9二工夾盤臺23之真空支撐晶圓21之後， 下，以降到最低水平，b，。在此最低水平b之 區21a的距離Η。以。°偵測自原來水平&到晶圓21周圍 二真空夾盤臺24升^偵測器25之偵測結果為基準，將第 區21a接觸i中升曰=周請1a的水平。，並使之與 il it φ V4σ 24a ^ ^ ^ ^ ^ > 的厚度相同。 处理。須注忍，距離Η通常與保護帶22

° ^矹明中所顯示，本發明半導體晶圓用之背面研肩 形第一真空夾盤臺23，其尺寸或直徑略大: 22:而且其經由貼附之保護帶22真空固吳 ^ 、面，邊保護帶2 2之尺寸或直徑小於晶圓2 1。此 外，：可以沿著第一真空炎盤臺23中心軸滑動之方式，來 具有％形（相當於晶圓2 1表面之未貼附保護帶22的周圍區 21a形狀）橫剖面形狀之圓筒形第二真空失盤臺“固定於索 圓筒形或柱形第一真空夾盤臺23周圍、。 以及在第一真空夾盤臺24表面位於原來水平a_與第一 | 空夾盤臺23上表面同一水平-之情況下，送入一片晶圓 2 1，以進行該背面研磨處理，並且經由保護帶2 2，將該曰气 圓21真空固定於第一真空夾盤臺23。然後，將第二真空身 盤臺24降至最低水平b，於該水平之下，由距離偵測器25 測付自原來水平a至晶圓2 1之（1^24 a的距離為距離η。以摘 測的距離Η為基準，將第二真夸多盤臺2 4升到區2 1 a的水平

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c(換言之， 第二真空夾 周圍部分。 晶圓支撐水平），並使之與晶圓21接觸。經由 盤臺24的空吸口 24a，真空固定晶圓21表面之 21a可/吉1據本實例，沒有保護帶22貼附之晶圓21周圍區 21背而闽'固定於第二真空夾盤臺24，因此當研磨晶圓 定曰Π ?°ι北部分時，可避免產生振動。因此，可以進行穩 =圓1月面研磨作用，不必縮小磨輪26粒徑或降低研磨 又/因而避免產出能力降低。

機構^ : Li升向或降低第二真空夾盤臺24的位移構件或 因為裳一：制於特定種類，而是可使用任何種類。不過， 定’：n9?、空失盤臺23與第二真空夾盤臺24係用以直空固 疋日日囫21 ，所以使用一種利用空 ^ 降裝置為佳。 、兩3二乳同）之升 由上述說明明顯看出，根據本發明一方面 體晶圓方法中，貼附於半導體晶圓表面的保護； 該半導體晶圓。因&，經由★玄仵蠖帶 二：尺寸小於 談直办办般吉。士 、工田d保A呗將半冷體晶圓固定於 ‘ w蒦：ί ”亚且蝕刻其背面日夺，沒有化學液體累積 在〜保4贡上。因此，沒有化學液體滲入該半導 面，因此，避，該半導體晶圓表面周圍部分被污染曰。曰乂 〆此/卜…’、在一實例中，因為半導體晶圓直徑…與保1ΙΪ帶直 徑L設定為具有L = W — a(〇毫米<a^3毫米）㈣，所^ +導體晶圓周圍因沒有振動(其係以磨輪進行研磨處1里免中 的研磨力所產生）所致之破裂象身裂。亦即，穩 背面研磨操作。此外，㈣在該半導體晶圓背面㈣處理

556279 五 _、發明說明（14) :圓其但是避免該保護帶尺寸大於該半導體 日日W ’以確保穩定蝕刻處理。 因此’根據本發明’彳以提出具有 導體裝置’以及具有高生產率之方法。貝/山度之半 乂=在一實例中’ ®為該保護帶周圍部分放置成不與 δ亥半導體晶圓晶圓邊緣削角部分會晶 口遠、、彖削角口丨刀重豐，所以避免該保護帶 周圍邊緣與該晶圓分離。 ώ Ϊ1卜二因為根據本發明另一方面之半導體晶圓用背面研 :哀置包括第一真空爽盤臺，其用以真空 =保護帶之第一區，以及第二真空爽盤臺，㊣用 導體晶圓表面未貼附保護帶之第二區，所以在該 平v體日日圓背面研麻虎採當中，可丨、7 呷M慝里田τ 了以完全固定該半導體晶 囫士:個表面。目此，避免研磨該半導體晶圓f面周圍部分 犄產生振動。 換言之，本發明進行一種穩定背面研磨處理，不必縮小 磨，徑或是降低該背面研磨之研磨速度。因此，半導 ，日曰圓月面研磨之產出能力比使用習·用背面研磨裝置情況 咼出1 · 5倍。 另貝例中’以第二真空夾盤臺位移構件，升高第二直 ^盤臺’使其與該半導體晶圓之第二區接觸，該升高距♦ 糸以距離偵測器所提供的偵測結果為基準，其中該距離 偵測器偵測介於真空固定該半導體晶圓之第一真空夾盤臺 上表面與忒半導體晶圓表面之1二區之間的距離。因此， 因為第二真空夹盤臺不會向下拉也不會向上拉該半導體晶

556279 五、發明說明（15) 圓的第二區，所以即使保護帶厚度不同，該第二真空夾盤 臺亦可以將該半導體晶圓固定成沒有彎曲的良好狀態。 接著，該晶圓的背面研磨作用完成時，.該第二真空夾盤 臺位移構件將第二真空夾盤臺降到等於第一真空夾盤臺的· 水平。如此可以同時清潔第一真空夾盤臺2 3與第二真空夾 盤臺24的表面，有助於去除該背面研磨處理中產生的研磨 粉屑等。 在另一實例中，因為第一真空夾盤臺之直徑設得略大於 或是等於該保護帶直徑，所以可以將第二真空夾盤臺平順 地升高到與晶圓第二區接觸位置，不會受到該保護帶干 ί 擾。此外，該第二真空夾盤臺在大約整個第二區内達成均 勻真空固定。 雖然如此說明本發明，不過很明顯地，可在許多方面改 變彼。此等變化並不視為脫離本發明精神與範圍，而且希 望將對於熟悉本技藝而言很明顯的修正包括在下列申請專 利範圍内。 參考數字 · 11 ，21 :晶圓 1 2，2 2 :保護帶 | 13 :用於研磨之真空夾盤臺 14，2 6 :磨輪 1 5 :用於蝕刻之真空夾盤臺 1 6 :化學液體 一 23 :第一真空夾盤臺

第18頁 556279 五、發明說明（16) 24 ··第二真空夾盤臺 24a :空吸口 2 5 :距離偵測器 W :晶圓直徑 L :保護帶直徑

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Claims (1)

1. 556279 六、申請專利範圍 1. 一種薄層化半導體晶圓之方法，包括·· 將一保護帶覆於該半導體晶圓表面上，並 蝕刻該半導體晶圓背面，因此薄層化該半導體晶圓， 其中該保護帶尺寸小於該半導體晶圓。 2 ·根據申請專利範圍第1項之薄層化半導體晶圓方法， 其中在將保護帶覆於該半導體晶圓表面與蝕刻該半導體晶 圓之間，另外包括： 研磨該半導體晶圓背面。 3. 根據申請專利範圍第1項之薄層化半導體晶圓方法， 其中 該半導體晶圓之直徑W與該保護帶之直徑L具有下列關 係： L = W-a(0 毫米 <a -3 毫米）。 4. 根據申請專利範圍第1項之薄層化半導體晶圓方法， 其中 該半導體晶圓沿著邊緣處具有一個削角部分，而且該 保護帶周圍部分不與該半導體晶圓邊'缘削角部分重疊。 5. —種半導體晶圓用之背面研磨裝置，其用於研磨表面 貼附保護帶之半導體晶圓背面，該保護帶尺寸小於該半導 體晶圓，該裝置包括： 第一真空夾盤臺，其係經由該保護帶，用以將該半導 體晶圓表面之第一區真空固定於其上，該第一區係該半導 體晶圓表面有該保護帶貼附之域；以及 第二真空夾盤臺，其用以將該半導體晶圓表面的第二

   第21頁 556279 六、申請專利範圍 區真空固定於其上，該第二區係沒有貼附保護帶的半導體 晶圓周圍區域。 6.根據申請專利範圍第5項之半導體晶圓用背面研磨裝 置，另外包括： 區距 二的 第間 圓之 晶面 體表 導臺 半盤 該夾 於空 介真 測一 偵第 以之 用面 ，表 器圓 測晶 偵體 離導 距半 個該 一 定 固 與 A至 盤 夾 空 真二 第 將 以 用 其 件 構 移 位 吉3: 盤 夾 空 真 及二 以第 0 空面 真背 二圓 第晶 亥亥 =口 士 m 使於 ， 且 離並 距， 的觸 得接 獲區 果二 結第 測的 偵圓 器晶 測體 債導 離半 距該 該與 自臺 高盤 升失 空 真 1 第 於 等 到 降 臺 盤 爽 空 真二 第 該 將 時 成。 完平 用水 作臺 磨盤 研夾 7 置 裝 磨 研 面 背 用 圓 晶 體 導 半 之 項 5 第 圍 範 利 專 請 申 據中 根其 的 帶 護 保 該 於 等 是 或 於 大 略 徑 直 的 臺 盤 夾 空 真 1 第 該 徑 直 ♦

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