JP2001223202A - 半導体ウエハの薄層化方法および半導体ウエハの裏面研削装置 - Google Patents
半導体ウエハの薄層化方法および半導体ウエハの裏面研削装置Info
- Publication number
- JP2001223202A JP2001223202A JP2000236894A JP2000236894A JP2001223202A JP 2001223202 A JP2001223202 A JP 2001223202A JP 2000236894 A JP2000236894 A JP 2000236894A JP 2000236894 A JP2000236894 A JP 2000236894A JP 2001223202 A JP2001223202 A JP 2001223202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- protective tape
- grinding
- suction stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ表面の汚染を無くして半導体デバイス
の高品質化および高信頼性化を図る。 【解決手段】 ウエハ１１の表面に保護テープ１２を貼
り付けてウエハ１１の裏面を研削・エッチングするに際
して、ウエハ１１の外径Ｗと保護テープ１２の外形Ｌと
を、Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm）なる関係が成立する
ように設定する。このように、ウエハ１１の外径よりも
保護テープ１２の外径を小さくして、エッチング時に、
薬液１６が保護テープ１２上に溜まること無く落下させ
て、薬液１６のウエハ１１表面への浸透による汚染をな
くす。また、上記ＬとＷとの差を３mm以下にして、研削
時に、ウエハ１１の振動を抑えて、安定した裏面研削を
行う。こうして、半導体デバイスの高品質化および高信
頼性化を図る。
の高品質化および高信頼性化を図る。 【解決手段】 ウエハ１１の表面に保護テープ１２を貼
り付けてウエハ１１の裏面を研削・エッチングするに際
して、ウエハ１１の外径Ｗと保護テープ１２の外形Ｌと
を、Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm）なる関係が成立する
ように設定する。このように、ウエハ１１の外径よりも
保護テープ１２の外径を小さくして、エッチング時に、
薬液１６が保護テープ１２上に溜まること無く落下させ
て、薬液１６のウエハ１１表面への浸透による汚染をな
くす。また、上記ＬとＷとの差を３mm以下にして、研削
時に、ウエハ１１の振動を抑えて、安定した裏面研削を
行う。こうして、半導体デバイスの高品質化および高信
頼性化を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハの
表面に保護テープを貼り付けて裏面を研削・エッチング
する半導体ウエハの薄層化方法、および、表面に保護テ
ープが貼り付けられた半導体ウエハの裏面を研削する半
導体ウエハの裏面研削装置に関する。
表面に保護テープを貼り付けて裏面を研削・エッチング
する半導体ウエハの薄層化方法、および、表面に保護テ
ープが貼り付けられた半導体ウエハの裏面を研削する半
導体ウエハの裏面研削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体パッケージに対して、より
薄型化が要求されるようになってきている。この薄型化
を実現するために、半導体の組立て工程において、ウエ
ハプロセスが完了した後にウエハの厚さを薄くする工程
が導入されている。この工程においては、一般に、ウエ
ハ表面に保護テープを貼り付けた後、研削によって当該
ウエハの裏面を削り込むようにしている。
薄型化が要求されるようになってきている。この薄型化
を実現するために、半導体の組立て工程において、ウエ
ハプロセスが完了した後にウエハの厚さを薄くする工程
が導入されている。この工程においては、一般に、ウエ
ハ表面に保護テープを貼り付けた後、研削によって当該
ウエハの裏面を削り込むようにしている。
【０００３】さらに、上記ウエハの厚さをより薄くする
ためや、研削加工時のウエハダメージ層を除去して半導
体チップの抗折強度を強くするために、研削工程を終了
したウエハの裏面をウエットエッチング(以下、単にエ
ッチングと言う)する場合が増えている。
ためや、研削加工時のウエハダメージ層を除去して半導
体チップの抗折強度を強くするために、研削工程を終了
したウエハの裏面をウエットエッチング(以下、単にエ
ッチングと言う)する場合が増えている。
【０００４】一般に、上記ウエハの表面に保護テープを
貼り付けて裏面研削する場合、その保護テープの大きさ
は、ウエハ外形と同等あるいはそれ以上の大きさに設定
している。その理由は、研削工程において、ウエハと研
削ステージとの間に位置する保護テープの外径をウエハ
の外径と同等かそれ以上にすることによって、ウエハと
研削ステージとの間に保護テープを均一に存在させてウ
エハの振動を抑え、安定した裏面研削を行うことができ
るからである。
貼り付けて裏面研削する場合、その保護テープの大きさ
は、ウエハ外形と同等あるいはそれ以上の大きさに設定
している。その理由は、研削工程において、ウエハと研
削ステージとの間に位置する保護テープの外径をウエハ
の外径と同等かそれ以上にすることによって、ウエハと
研削ステージとの間に保護テープを均一に存在させてウ
エハの振動を抑え、安定した裏面研削を行うことができ
るからである。
【０００５】尚、上記ウエハの表面に保護テープを貼り
付ける方法としては、特開平６‐３１０４８０号公報に
開示されているように、長尺テープをウエハの表面に貼
り付けた後、ウエハ外周縁に沿って当該テープを切断す
るのが一般的である。これに対して、予め円形にカット
したシートをウエハ表面に貼り付ける方法も実用化され
ている。
付ける方法としては、特開平６‐３１０４８０号公報に
開示されているように、長尺テープをウエハの表面に貼
り付けた後、ウエハ外周縁に沿って当該テープを切断す
るのが一般的である。これに対して、予め円形にカット
したシートをウエハ表面に貼り付ける方法も実用化され
ている。
【０００６】図５は、上記ウエハの裏面を研削した後に
エッチングする薄層化方法の説明図である。この薄層化
方法においては、先ず、図５(a)に示すように、ウエハ
１の表面に保護テープ２を貼り付け、ウエハ１の周囲に
はみ出した保護テープ２をウエハ外周縁に沿ってカッタ
３で切断する。次に、図５(b)に示すように、保護テー
プ２を介してウエハ１を研削用吸着テーブル４に固定す
る。そして、この研削用吸着テーブル４を回転させなが
ら、ウエハ１の裏面を回転する砥石５に接触させて研削
する。そうした後、図５(c)に示すように、研削後のウ
エハ１を、保護テープ２を介してエッチング用吸着テー
ブル６に固定する。そして、エッチング用吸着テーブル
６を回転させながらウエハ１の上方から薬液７を流し、
ウエハ１の裏面をエッチングするのである。
エッチングする薄層化方法の説明図である。この薄層化
方法においては、先ず、図５(a)に示すように、ウエハ
１の表面に保護テープ２を貼り付け、ウエハ１の周囲に
はみ出した保護テープ２をウエハ外周縁に沿ってカッタ
３で切断する。次に、図５(b)に示すように、保護テー
プ２を介してウエハ１を研削用吸着テーブル４に固定す
る。そして、この研削用吸着テーブル４を回転させなが
ら、ウエハ１の裏面を回転する砥石５に接触させて研削
する。そうした後、図５(c)に示すように、研削後のウ
エハ１を、保護テープ２を介してエッチング用吸着テー
ブル６に固定する。そして、エッチング用吸着テーブル
６を回転させながらウエハ１の上方から薬液７を流し、
ウエハ１の裏面をエッチングするのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のウエハの裏面を研削した後にエッチングする薄層化
方法においては、次のような問題がある。すなわち、図
６に示すように、ウエハ１の外径Ｗよりも保護テープ２
の外径Ｌの方大きい場合には、上記エッチング時に、ウ
エハ１の外周部における保護テープ２上に薬液７が溜ま
る。そして、この溜まった薬液７の一部７'がウエハ１
の表面側に浸透して、表面を汚染するのである。
来のウエハの裏面を研削した後にエッチングする薄層化
方法においては、次のような問題がある。すなわち、図
６に示すように、ウエハ１の外径Ｗよりも保護テープ２
の外径Ｌの方大きい場合には、上記エッチング時に、ウ
エハ１の外周部における保護テープ２上に薬液７が溜ま
る。そして、この溜まった薬液７の一部７'がウエハ１
の表面側に浸透して、表面を汚染するのである。
【０００８】また、上記ウエハ１の外径Ｗと保護テープ
２の外径Ｌとが同サイズである場合には、薬液７によっ
てウエハ１の外周縁がエッチングされ、次第にウエハ１
の外径Ｗが小さくなる。その結果、保護テープ２の外径
Ｌの方が相対的に大きくなるため、上述と同じ現象が生
じ、ウエハ１の表面が汚染されることになる。すなわ
ち、Ｗ≦Ｌの場合には、デバイスの品質と信頼性との劣
化が免れないのである。
２の外径Ｌとが同サイズである場合には、薬液７によっ
てウエハ１の外周縁がエッチングされ、次第にウエハ１
の外径Ｗが小さくなる。その結果、保護テープ２の外径
Ｌの方が相対的に大きくなるため、上述と同じ現象が生
じ、ウエハ１の表面が汚染されることになる。すなわ
ち、Ｗ≦Ｌの場合には、デバイスの品質と信頼性との劣
化が免れないのである。
【０００９】そこで、この発明の目的は、ウエハ表面の
汚染を無くし、半導体デバイスの高品質化および高信頼
性化を図ることができる半導体ウエハの薄層化方法、及
び、上記半導体ウエハの薄層化方法を実現するために、
表面に保護テープが貼り付けられた半導体ウエハの裏面
を研削する半導体ウエハの裏面研削装置を提供すること
にある。
汚染を無くし、半導体デバイスの高品質化および高信頼
性化を図ることができる半導体ウエハの薄層化方法、及
び、上記半導体ウエハの薄層化方法を実現するために、
表面に保護テープが貼り付けられた半導体ウエハの裏面
を研削する半導体ウエハの裏面研削装置を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、半導体ウエハの表面に保護テープを
貼り付ける工程と当該半導体ウエハの裏面をエッチング
する工程を備えて,上記半導体ウエハの厚みを薄くする
半導体ウエハの薄層化方法において、上記保護テープの
サイズは、上記半導体ウエハのサイズより小さいことを
特徴としている。
め、第１の発明は、半導体ウエハの表面に保護テープを
貼り付ける工程と当該半導体ウエハの裏面をエッチング
する工程を備えて,上記半導体ウエハの厚みを薄くする
半導体ウエハの薄層化方法において、上記保護テープの
サイズは、上記半導体ウエハのサイズより小さいことを
特徴としている。
【００１１】上記構成によれば、保護テープを介して半
導体ウエハを吸着ステージ上に固定し、上記半導体ウエ
ハ裏面をエッチングする際に、供給された薬液は、半導
体ウエハ外周部において保護テーブ上に溜まること無く
落下する。こうして、上記薬液液が上記半導体ウエハの
表面に浸透して汚染することが避けられる。
導体ウエハを吸着ステージ上に固定し、上記半導体ウエ
ハ裏面をエッチングする際に、供給された薬液は、半導
体ウエハ外周部において保護テーブ上に溜まること無く
落下する。こうして、上記薬液液が上記半導体ウエハの
表面に浸透して汚染することが避けられる。
【００１２】また、第２の発明は、半導体ウエハの表面
に保護テープを貼り付ける工程と,当該半導体ウエハの
裏面を研削する工程と,上記研削後の裏面をエッチング
する工程を備えて,上記半導体ウエハの厚みを薄くする
半導体ウエハの薄層化方法において、上記保護テープの
サイズは、上記半導体ウエハのサイズより小さいことを
特徴としている。
に保護テープを貼り付ける工程と,当該半導体ウエハの
裏面を研削する工程と,上記研削後の裏面をエッチング
する工程を備えて,上記半導体ウエハの厚みを薄くする
半導体ウエハの薄層化方法において、上記保護テープの
サイズは、上記半導体ウエハのサイズより小さいことを
特徴としている。
【００１３】上記構成によれば、保護テープを介して半
導体ウエハを吸着ステージ上に固定し、上記半導体ウエ
ハ裏面を研削した後にさらにエッチングする場合に、供
給された薬液は、半導体ウエハ外周部において保護テー
ブ上に溜まること無く落下する。こうして、上記薬液が
上記半導体ウエハの表面に浸透して汚染することが避け
られる。
導体ウエハを吸着ステージ上に固定し、上記半導体ウエ
ハ裏面を研削した後にさらにエッチングする場合に、供
給された薬液は、半導体ウエハ外周部において保護テー
ブ上に溜まること無く落下する。こうして、上記薬液が
上記半導体ウエハの表面に浸透して汚染することが避け
られる。
【００１４】また、上記第１および第２の発明の半導体
ウエハの薄層化方法は、上記半導体ウエハの外径Ｗと上
記保護テープの外径Ｌとが、 Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm) なる関係を有するように成すことが望ましい。
ウエハの薄層化方法は、上記半導体ウエハの外径Ｗと上
記保護テープの外径Ｌとが、 Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm) なる関係を有するように成すことが望ましい。
【００１５】上記構成によれば、上記裏面研削の際に、
砥石による研削力に起因する振動によって上記半導体ウ
エハの周辺が割れたりすることなく安定して上記研削が
行われる。また、上記裏面エッチングの際に、上記半導
体ウエハと吸着ステージとの間に在る上記保護テープの
外径が上記半導体ウエハの外径よりも大きくなることが
無く、安定して上記エッチングが行われる。
砥石による研削力に起因する振動によって上記半導体ウ
エハの周辺が割れたりすることなく安定して上記研削が
行われる。また、上記裏面エッチングの際に、上記半導
体ウエハと吸着ステージとの間に在る上記保護テープの
外径が上記半導体ウエハの外径よりも大きくなることが
無く、安定して上記エッチングが行われる。
【００１６】また、上記第１および第２の発明の半導体
ウエハの薄層化方法は、上記保護テープの外周部が上記
半導体ウエハにおけるウエハエッジの面取り部に掛らな
いようにすることが望ましい。
ウエハの薄層化方法は、上記保護テープの外周部が上記
半導体ウエハにおけるウエハエッジの面取り部に掛らな
いようにすることが望ましい。
【００１７】上記構成によれば、上記半導体ウエハに貼
り付けられた保護テープの外周部はウエハエッジの面取
り部に掛らないようになっている。したがって、上記貼
り付けられた保護テープは、外周端から剥がれることは
ない。
り付けられた保護テープの外周部はウエハエッジの面取
り部に掛らないようになっている。したがって、上記貼
り付けられた保護テープは、外周端から剥がれることは
ない。
【００１８】また、第３の発明は、半導体ウエハのサイ
ズよりも小さいサイズの保護テープが表面に貼り付けら
れた上記半導体ウエハの裏面を研削する半導体ウエハの
裏面研削装置であって、上記半導体ウエハの表面におけ
る上記保護テープが貼り付けられた第１領域を上記保護
テープを介して吸着固定する第１吸着ステージと、上記
半導体ウエハの表面外周部における上記保護テープが貼
り付けられていない第２領域を吸着固定する第２吸着ス
テージを備えたことを特徴としている。
ズよりも小さいサイズの保護テープが表面に貼り付けら
れた上記半導体ウエハの裏面を研削する半導体ウエハの
裏面研削装置であって、上記半導体ウエハの表面におけ
る上記保護テープが貼り付けられた第１領域を上記保護
テープを介して吸着固定する第１吸着ステージと、上記
半導体ウエハの表面外周部における上記保護テープが貼
り付けられていない第２領域を吸着固定する第２吸着ス
テージを備えたことを特徴としている。
【００１９】上記構成によれば、半導体ウエハの表面に
おける保護テープが貼り付けられた第１領域が、第１吸
着ステージによって吸着固定される。さらに、上記保護
テープが貼り付けられていない第２領域が、第２吸着ス
テージによって吸着固定される。こうして、上記半導体
ウエハの表面全体が吸着固定される。したがって、上記
半導体ウエハの裏面外周部が研削される際に振動が発生
することはなく、砥石の粒度を細かくしたり裏面研削の
加工速度を遅くすることなく、安定した半導体ウエハの
裏面研削が行われる。
おける保護テープが貼り付けられた第１領域が、第１吸
着ステージによって吸着固定される。さらに、上記保護
テープが貼り付けられていない第２領域が、第２吸着ス
テージによって吸着固定される。こうして、上記半導体
ウエハの表面全体が吸着固定される。したがって、上記
半導体ウエハの裏面外周部が研削される際に振動が発生
することはなく、砥石の粒度を細かくしたり裏面研削の
加工速度を遅くすることなく、安定した半導体ウエハの
裏面研削が行われる。
【００２０】また、上記第３の発明の半導体ウエハの裏
面研削装置は、上記半導体ウエハが吸着固定された第１
吸着ステージの表面と上記半導体ウエハの第２領域との
距離を検出する距離検出手段と、上記距離検出手段によ
る検出結果に基づく距離だけ上記第２吸着ステージを上
昇させて上記半導体ウエハの第２領域に当接させる一
方,上記ウエハの裏面研削が終了した後に上記第２吸着
ステージを上記該第１吸着ステージと同じレベルまで下
降させる第２吸着ステージ移動手段を備えることが望ま
しい。
面研削装置は、上記半導体ウエハが吸着固定された第１
吸着ステージの表面と上記半導体ウエハの第２領域との
距離を検出する距離検出手段と、上記距離検出手段によ
る検出結果に基づく距離だけ上記第２吸着ステージを上
昇させて上記半導体ウエハの第２領域に当接させる一
方,上記ウエハの裏面研削が終了した後に上記第２吸着
ステージを上記該第１吸着ステージと同じレベルまで下
降させる第２吸着ステージ移動手段を備えることが望ま
しい。
【００２１】上記構成によれば、上記半導体ウエハの第
２領域が第２吸着ステージに吸着固定されるに際して、
上記半導体ウエハが吸着固定された第１吸着ステージの
表面と上記半導体ウエハの第２領域との距離が距離検出
手段によって検出される。そして、第２吸着ステージ移
動手段によって、上記距離検出手段による検出結果に基
づく距離だけ上記第２吸着ステージが上昇されて上記半
導体ウエハの第２領域に当接される。こうして、上記保
護テープの厚みが変動しても、上記半導体ウエハの第２
領域が上記第２吸着ステージによって引き込まれたり突
上げられたりすることなく、曲がりの無い安定した状態
で吸着固定される。
２領域が第２吸着ステージに吸着固定されるに際して、
上記半導体ウエハが吸着固定された第１吸着ステージの
表面と上記半導体ウエハの第２領域との距離が距離検出
手段によって検出される。そして、第２吸着ステージ移
動手段によって、上記距離検出手段による検出結果に基
づく距離だけ上記第２吸着ステージが上昇されて上記半
導体ウエハの第２領域に当接される。こうして、上記保
護テープの厚みが変動しても、上記半導体ウエハの第２
領域が上記第２吸着ステージによって引き込まれたり突
上げられたりすることなく、曲がりの無い安定した状態
で吸着固定される。
【００２２】さらに、上記ウエハの裏面研削が終了した
後に、上記第２吸着ステージ移動手段によって、上記第
２吸着ステージが上記該第１吸着ステージと同じレベル
まで下降されて、上記第１吸着ステージ２３および第２
吸着ステージ２４の上端面を同時にクリーニングするこ
とが可能になる。したがって、裏面研削時の研削クズ等
が容易に除去される。
後に、上記第２吸着ステージ移動手段によって、上記第
２吸着ステージが上記該第１吸着ステージと同じレベル
まで下降されて、上記第１吸着ステージ２３および第２
吸着ステージ２４の上端面を同時にクリーニングするこ
とが可能になる。したがって、裏面研削時の研削クズ等
が容易に除去される。
【００２３】また、上記第３の発明の半導体ウエハの裏
面研削装置は、上記第１吸着ステージの外径を、上記保
護テープの外径よりも僅かに大きいかあるいは同一の外
径にすることが望ましい。
面研削装置は、上記第１吸着ステージの外径を、上記保
護テープの外径よりも僅かに大きいかあるいは同一の外
径にすることが望ましい。
【００２４】上記構成によれば、上記第２吸着ステージ
を上昇させて上記半導体ウエハの第２領域に当接させる
際に、上記第２吸着ステージは、上記保護テープに当る
ことなく上記当接位置まで速やかに上昇される。さら
に、上記第２吸着ステージによって、上記第２領域の略
全体が均一に吸着固定される。
を上昇させて上記半導体ウエハの第２領域に当接させる
際に、上記第２吸着ステージは、上記保護テープに当る
ことなく上記当接位置まで速やかに上昇される。さら
に、上記第２吸着ステージによって、上記第２領域の略
全体が均一に吸着固定される。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。 ＜第１実施の形態＞図１は、本実施の形態における半導
体ウエハの薄層化方法の手順を示す図である。図１にお
いて、図１(a)は保護テープの貼り付け工程を示し、図
１(b)はウエハ裏面の研削工程を示し、図１(c)はウエハ
裏面のエッチング工程を示す。
態により詳細に説明する。 ＜第１実施の形態＞図１は、本実施の形態における半導
体ウエハの薄層化方法の手順を示す図である。図１にお
いて、図１(a)は保護テープの貼り付け工程を示し、図
１(b)はウエハ裏面の研削工程を示し、図１(c)はウエハ
裏面のエッチング工程を示す。
【００２６】先ず、図１(a)に示すように、ウエハ１１
の表面に、ウエハ１１の外径より小さめの外径を有する
保護テープ１２を貼り付ける。その場合の貼り方として
は、長尺の保護テープをウエハ１１に貼り付けた後にウ
エハ外周縁より若干小さめに切り取る方法や、予めウエ
ハ１１のサイズよりも小さめに切った保護テープをウエ
ハ１１上に重ね合わせて貼り付ける方法がある。
の表面に、ウエハ１１の外径より小さめの外径を有する
保護テープ１２を貼り付ける。その場合の貼り方として
は、長尺の保護テープをウエハ１１に貼り付けた後にウ
エハ外周縁より若干小さめに切り取る方法や、予めウエ
ハ１１のサイズよりも小さめに切った保護テープをウエ
ハ１１上に重ね合わせて貼り付ける方法がある。
【００２７】次に、図１(b)に示すように、上記ウエハ
１１の表面に貼り付けられた保護テープ１２を研削用吸
着ステージ１３に真空固着し、研削用吸着ステージ１３
を回転させながら、ウエハ１１の裏面を回転する砥石１
４に接触させて研削する。
１１の表面に貼り付けられた保護テープ１２を研削用吸
着ステージ１３に真空固着し、研削用吸着ステージ１３
を回転させながら、ウエハ１１の裏面を回転する砥石１
４に接触させて研削する。
【００２８】尚、上述のごとく保護テープ１２の外径は
ウエハ１１の外径より小さい、したがって、加工仕上が
りを維持するためには、砥石１４の粒度を小さくした
り、研削スピードを遅くしたりして、ウエハ１１の振動
を抑えることが好ましい。
ウエハ１１の外径より小さい、したがって、加工仕上が
りを維持するためには、砥石１４の粒度を小さくした
り、研削スピードを遅くしたりして、ウエハ１１の振動
を抑えることが好ましい。
【００２９】次に、図１(c)に示すように、上記保護テ
ープ１２をエッチング用吸着ステージ１５に真空固着
し、ウエハ１１を固定する。そして、エッチング用吸着
ステージ１５を回転させながらウエハ１１の上方から薬
液１６を流し、ウエハ１１の裏面をエッチングするので
ある。
ープ１２をエッチング用吸着ステージ１５に真空固着
し、ウエハ１１を固定する。そして、エッチング用吸着
ステージ１５を回転させながらウエハ１１の上方から薬
液１６を流し、ウエハ１１の裏面をエッチングするので
ある。
【００３０】その際に、上記ウエハ１１の裏面中心部に
落とされた薬液１６は、ウエハ１１の回転と共にウエハ
１１の中心部から周囲に向って広がり、ウエハ１１の周
縁部から下方に落下する。その場合、ウエハ１１の外径
より保護テープ１２の外径の方が小さいために、薬液１
６が保護テープ１２上に溜まることが無い。したがっ
て、図５(c)に示すごとく、薬液１６の一部がウエハ１
１の表面側に浸透することはないのである。
落とされた薬液１６は、ウエハ１１の回転と共にウエハ
１１の中心部から周囲に向って広がり、ウエハ１１の周
縁部から下方に落下する。その場合、ウエハ１１の外径
より保護テープ１２の外径の方が小さいために、薬液１
６が保護テープ１２上に溜まることが無い。したがっ
て、図５(c)に示すごとく、薬液１６の一部がウエハ１
１の表面側に浸透することはないのである。
【００３１】図２は、本実施の形態におけるウエハ１１
の外径Ｗと保護テープ１２の外径Ｌとの関係を示す。図
２(a)はオリフラタイプのウエハであり、図２(b)はＶノ
ッチタイプのウエハである。本実施の形態においては、
保護テープ１２の外径Ｌがウエハ１１の外径Ｗよりも小
さいことを特長としている。その際に、振動でウエハ１
１周辺が割れたりすることのない安定した研削と、薬液
１６の表面側への染み込みの無いエッチングとを可能に
するために、ウエハ１１の外径Ｗと保護テープ１２の外
径Ｌとを、式(１)で示す条件を満たすように設定するの
である。 Ｌ＝Ｗ−ａ …（１） ０mm＜ａ≦３mm
の外径Ｗと保護テープ１２の外径Ｌとの関係を示す。図
２(a)はオリフラタイプのウエハであり、図２(b)はＶノ
ッチタイプのウエハである。本実施の形態においては、
保護テープ１２の外径Ｌがウエハ１１の外径Ｗよりも小
さいことを特長としている。その際に、振動でウエハ１
１周辺が割れたりすることのない安定した研削と、薬液
１６の表面側への染み込みの無いエッチングとを可能に
するために、ウエハ１１の外径Ｗと保護テープ１２の外
径Ｌとを、式(１)で示す条件を満たすように設定するの
である。 Ｌ＝Ｗ−ａ …（１） ０mm＜ａ≦３mm
【００３２】尚、実験的にはａ＝２mm(片側１mm)の場合
に最も良い効果が得られた。通常、ウエハ１１のエッジ
部には、割れや欠けを防ぐために、ウエハ径等によって
違いはあるが、０.５mm程度の面取りが施されている。
そして、貼り付けられた保護テープ１２が剥がれないよ
うにするためには、保護テープ１２が上記面取り部に掛
らないようにするのが望ましい。したがって、上述のご
とくａ＝２mmとなるようにウエハ１１の外径Ｗと保護テ
ープ１２の外径Ｌを設定することは、この点からも好ま
しいことである。
に最も良い効果が得られた。通常、ウエハ１１のエッジ
部には、割れや欠けを防ぐために、ウエハ径等によって
違いはあるが、０.５mm程度の面取りが施されている。
そして、貼り付けられた保護テープ１２が剥がれないよ
うにするためには、保護テープ１２が上記面取り部に掛
らないようにするのが望ましい。したがって、上述のご
とくａ＝２mmとなるようにウエハ１１の外径Ｗと保護テ
ープ１２の外径Ｌを設定することは、この点からも好ま
しいことである。
【００３３】このように、本実施の形態においては、ウ
エハ１１の表面に保護テープ１２を貼り付けてウエハ１
１の裏面を研削・エッチングするに際して、ウエハ１１
の外径Ｗと保護テープ１２の外形Ｌとを、式(１)の関係
が成立するように設定するのである。こうして、ウエハ
１１の外径Ｗよりも保護テープ１２の外径Ｌの方を小さ
くすることによって、上記エッチングに際して、ウエハ
１１の裏面に落とされた薬液１６は、保護テープ１２上
に溜まること無くウエハ１１の回転と共にウエハ１１の
周縁部から下方に落下する。したがって、薬液１６の一
部がウエハ１１の表面側に浸透して汚染することを防止
できるのである。
エハ１１の表面に保護テープ１２を貼り付けてウエハ１
１の裏面を研削・エッチングするに際して、ウエハ１１
の外径Ｗと保護テープ１２の外形Ｌとを、式(１)の関係
が成立するように設定するのである。こうして、ウエハ
１１の外径Ｗよりも保護テープ１２の外径Ｌの方を小さ
くすることによって、上記エッチングに際して、ウエハ
１１の裏面に落とされた薬液１６は、保護テープ１２上
に溜まること無くウエハ１１の回転と共にウエハ１１の
周縁部から下方に落下する。したがって、薬液１６の一
部がウエハ１１の表面側に浸透して汚染することを防止
できるのである。
【００３４】また、上記保護テープ１２の外径Ｌとウエ
ハ１１の外径Ｗとの差の値を、３mm(片側１.５mm)以下
になるようにしている。したがって、研削工程におい
て、切削力に起因するウエハ１１の振動を抑えることが
でき、ウエハ１１周辺が割れたりすることなく安定した
裏面研削を行うことができる。尚、望ましくは、砥石１
４の粒度を小さくしたり、研削スピードを遅くしたりす
れば、より安定して裏面研削を行うことができる。
ハ１１の外径Ｗとの差の値を、３mm(片側１.５mm)以下
になるようにしている。したがって、研削工程におい
て、切削力に起因するウエハ１１の振動を抑えることが
でき、ウエハ１１周辺が割れたりすることなく安定した
裏面研削を行うことができる。尚、望ましくは、砥石１
４の粒度を小さくしたり、研削スピードを遅くしたりす
れば、より安定して裏面研削を行うことができる。
【００３５】すなわち、本実施の形態によれば、半導体
デバイスの高品質化および高信頼性化をもたらす半導体
ウエハの薄層化方法を提供することができるのである。
デバイスの高品質化および高信頼性化をもたらす半導体
ウエハの薄層化方法を提供することができるのである。
【００３６】尚、上記実施の形態においては、上記ウエ
ハ１１に対して砥石１４を用いた研削工程と薬液１６に
よるエッチング工程との両工程を行なう場合について説
明している。しかしながら、上記エッチング工程のみに
適用しても差し支えない。
ハ１１に対して砥石１４を用いた研削工程と薬液１６に
よるエッチング工程との両工程を行なう場合について説
明している。しかしながら、上記エッチング工程のみに
適用しても差し支えない。
【００３７】＜第２実施の形態＞ところで、図１(b)に
示すように、表面に保護テープ１２が貼り付けられたウ
エハ１１の裏面を研削する裏面研削装置においては、ウ
エハ１１の表面に貼り付けられたウエハ１１の外形より
も小さいサイズの保護テープ１２を介してウエハ１１を
研削用吸着ステージ１３に真空固着し、砥石１４を回転
させながらウエハ１１の裏面を研削するようになってい
る。したがって、ウエハ１１の表面における保護テープ
１２が貼り付けられていない外周部は、研削用吸着ステ
ージ１３に真空固着されてはおらず、ウエハ１１の外周
部を研削する際に振動が発生する。
示すように、表面に保護テープ１２が貼り付けられたウ
エハ１１の裏面を研削する裏面研削装置においては、ウ
エハ１１の表面に貼り付けられたウエハ１１の外形より
も小さいサイズの保護テープ１２を介してウエハ１１を
研削用吸着ステージ１３に真空固着し、砥石１４を回転
させながらウエハ１１の裏面を研削するようになってい
る。したがって、ウエハ１１の表面における保護テープ
１２が貼り付けられていない外周部は、研削用吸着ステ
ージ１３に真空固着されてはおらず、ウエハ１１の外周
部を研削する際に振動が発生する。
【００３８】そこで、上記ウエハ１１の振動を抑えて安
定した裏面研削を行うためには、上述したごとく砥石１
４の粒度を細かくしたり裏面研削の加工速度を遅くする
必要があり、その結果、上記裏面研削装置における処理
能力が低下することになる。
定した裏面研削を行うためには、上述したごとく砥石１
４の粒度を細かくしたり裏面研削の加工速度を遅くする
必要があり、その結果、上記裏面研削装置における処理
能力が低下することになる。
【００３９】本実施の形態は、ウエハの外形よりも小さ
いサイズの保護テープが貼り付けられたウエハの裏面を
安定して研削できる半導体ウエハの裏面研削装置に関す
るものである。
いサイズの保護テープが貼り付けられたウエハの裏面を
安定して研削できる半導体ウエハの裏面研削装置に関す
るものである。
【００４０】図３は、本実施の形態における半導体ウエ
ハの裏面研削装置の研削用吸着ステージ(以下、単に吸
着ステージと言う)の部分側面図である。図３におい
て、２１はウエハ、２２は保護テープ、２３は第１吸着
ステージ、２４は第２吸着ステージ、２５は距離検出装
置、２６は砥石である。また、２１aは、ウエハ２１の
表面外周部における保護テープ２２が貼り付けられてい
ない領域である。
ハの裏面研削装置の研削用吸着ステージ(以下、単に吸
着ステージと言う)の部分側面図である。図３におい
て、２１はウエハ、２２は保護テープ、２３は第１吸着
ステージ、２４は第２吸着ステージ、２５は距離検出装
置、２６は砥石である。また、２１aは、ウエハ２１の
表面外周部における保護テープ２２が貼り付けられてい
ない領域である。
【００４１】上記構成を有する半導体ウエハの裏面研削
装置は、以下のように動作する。先ず、図３(a)に示す
ように、ウエハ２１の外形よりも小さいサイズで貼り付
けられた保護テープ２２を介して、ウエハ２１の表面が
第１吸着ステージ２３に真空固着される。この場合、第
１吸着ステージ２３の外形は、保護テープ２２の外形よ
りも僅かに大きいサイズあるいは同一サイズに設定され
ている。そして、円柱状の第１吸着ステージ２３の外周
には、ウエハ２１の表面外周部における領域２１aの形
状に適合した断面形状を有する円筒状の第２吸着ステー
ジ２４が、第１吸着ステージ２３の中心軸に沿って摺動
可能に嵌合している。
装置は、以下のように動作する。先ず、図３(a)に示す
ように、ウエハ２１の外形よりも小さいサイズで貼り付
けられた保護テープ２２を介して、ウエハ２１の表面が
第１吸着ステージ２３に真空固着される。この場合、第
１吸着ステージ２３の外形は、保護テープ２２の外形よ
りも僅かに大きいサイズあるいは同一サイズに設定され
ている。そして、円柱状の第１吸着ステージ２３の外周
には、ウエハ２１の表面外周部における領域２１aの形
状に適合した断面形状を有する円筒状の第２吸着ステー
ジ２４が、第１吸着ステージ２３の中心軸に沿って摺動
可能に嵌合している。
【００４２】次に、図３(b)に示すように、上記第２吸
着ステージ２４が下降される。そして、図３(a)におい
て、第２吸着ステージ２４の側方に位置していた距離検
出装置２５が、ウエハ２１の表面外周部における領域２
１aの下方の位置まで前進して、ウエハ２１の領域２１a
に対してレーザ光等の光を照射させてその反射光を受光
し、非接触でウエハ２１までの距離を検出する。こうし
て、ウエハ２１までの距離を検出した後、距離検出装置
２５は元の位置まで後退する。
着ステージ２４が下降される。そして、図３(a)におい
て、第２吸着ステージ２４の側方に位置していた距離検
出装置２５が、ウエハ２１の表面外周部における領域２
１aの下方の位置まで前進して、ウエハ２１の領域２１a
に対してレーザ光等の光を照射させてその反射光を受光
し、非接触でウエハ２１までの距離を検出する。こうし
て、ウエハ２１までの距離を検出した後、距離検出装置
２５は元の位置まで後退する。
【００４３】次に、図３(c)に示すように、上記距離検
出装置２５による距離検出結果に基づく距離だけ第２吸
着ステージ２４が上昇し、第２吸着ステージ２４の上端
がウエハ２１の領域２１aに当接して領域２１aを下側か
ら吸着支持する。こうして、ウエハ２１の表面における
保護テープ２２が貼り付けられている領域および貼りつ
けられていない領域２１aの総てが、第１吸着ステージ
２３および第２吸着ステージ２４によって吸着支持され
るのである。そうした後、図３(c)に示すように、回転
する砥石２６を上記ウエハ２１の裏面に上方から接触さ
せて、裏面研削加工を従来技術と同様にして行われる。
出装置２５による距離検出結果に基づく距離だけ第２吸
着ステージ２４が上昇し、第２吸着ステージ２４の上端
がウエハ２１の領域２１aに当接して領域２１aを下側か
ら吸着支持する。こうして、ウエハ２１の表面における
保護テープ２２が貼り付けられている領域および貼りつ
けられていない領域２１aの総てが、第１吸着ステージ
２３および第２吸着ステージ２４によって吸着支持され
るのである。そうした後、図３(c)に示すように、回転
する砥石２６を上記ウエハ２１の裏面に上方から接触さ
せて、裏面研削加工を従来技術と同様にして行われる。
【００４４】こうして、上記ウエハ２１の裏面研削加工
が終了した後、ウエハ２１の領域２１aを吸着支持して
いる第２吸着ステージ２４が、吸着解除後第１吸着ステ
ージ２３と同じレベルにまで下降する。その後、第１吸
着ステージ２３による吸着が解除されて、表面に保護テ
ープ２２が貼り付けられて裏面研削加工が終了したウエ
ハ２１が裏面研削装置から取り外され、裏面研削加工に
よるダメージを除去するためのエッチング工程に送出さ
れる。
が終了した後、ウエハ２１の領域２１aを吸着支持して
いる第２吸着ステージ２４が、吸着解除後第１吸着ステ
ージ２３と同じレベルにまで下降する。その後、第１吸
着ステージ２３による吸着が解除されて、表面に保護テ
ープ２２が貼り付けられて裏面研削加工が終了したウエ
ハ２１が裏面研削装置から取り外され、裏面研削加工に
よるダメージを除去するためのエッチング工程に送出さ
れる。
【００４５】そうした後、上記第１吸着ステージ２３お
よび第２吸着ステージ２４が同じレベルに位置した状態
で、裏面研削時の研削クズ等を除去するために、第１吸
着ステージ２３と第２吸着ステージ２４との上面が砥石
２６およびブラシ(図示しない)等によってクリーニング
される。そして、クリーニング後、図３(a)に示すよう
に、次のウエハ２１の表面が保護テープ２２を介して第
１吸着ステージ２３に真空固着されて、次のウエハ２１
の裏面研削加工待機状態となる。
よび第２吸着ステージ２４が同じレベルに位置した状態
で、裏面研削時の研削クズ等を除去するために、第１吸
着ステージ２３と第２吸着ステージ２４との上面が砥石
２６およびブラシ(図示しない)等によってクリーニング
される。そして、クリーニング後、図３(a)に示すよう
に、次のウエハ２１の表面が保護テープ２２を介して第
１吸着ステージ２３に真空固着されて、次のウエハ２１
の裏面研削加工待機状態となる。
【００４６】図４は、上記第２吸着ステージ２４の上端
部近傍の更に詳細な断面図である。以下、図４に従っ
て、第２吸着ステージ２４の動作を更に詳細に説明す
る。尚、２４aは第２吸着ステージ２４の吸着口であ
る。
部近傍の更に詳細な断面図である。以下、図４に従っ
て、第２吸着ステージ２４の動作を更に詳細に説明す
る。尚、２４aは第２吸着ステージ２４の吸着口であ
る。
【００４７】図４において、表面に外形より小さいサイ
ズで貼り付けられた保護テープ２２を介して、ウエハ２
１が第１吸着ステージ２３に吸着支持される。その場
合、第１吸着ステージ２３の外形は、保護テープ２２の
外形よりも僅かに大きいサイズになっている。また、第
１吸着ステージ２３の外周部には、ウエハ２１の表面に
おける領域２１aの形状(環状形状)に適合した断面形状
を有する第２吸着ステージ２４が配置されており、第２
吸着ステージ２４の上端面のレベルは第１吸着ステージ
２３の上端面と同じレベルにある。このレベルを第２吸
着ステージ２４のレベルの原点ａとしており、上述した
ごとく第１吸着ステージ２３と第２吸着ステージ２４と
の上面をクリーニングする際には、第２吸着ステージ２
４のレベルは原点ａに位置している。また、裏面研削未
加工のウエハ２１の供給および裏面研削加工完了のウエ
ハ２１の取り出しもこの原点レベルａにおいて行う。
ズで貼り付けられた保護テープ２２を介して、ウエハ２
１が第１吸着ステージ２３に吸着支持される。その場
合、第１吸着ステージ２３の外形は、保護テープ２２の
外形よりも僅かに大きいサイズになっている。また、第
１吸着ステージ２３の外周部には、ウエハ２１の表面に
おける領域２１aの形状(環状形状)に適合した断面形状
を有する第２吸着ステージ２４が配置されており、第２
吸着ステージ２４の上端面のレベルは第１吸着ステージ
２３の上端面と同じレベルにある。このレベルを第２吸
着ステージ２４のレベルの原点ａとしており、上述した
ごとく第１吸着ステージ２３と第２吸着ステージ２４と
の上面をクリーニングする際には、第２吸着ステージ２
４のレベルは原点ａに位置している。また、裏面研削未
加工のウエハ２１の供給および裏面研削加工完了のウエ
ハ２１の取り出しもこの原点レベルａにおいて行う。
【００４８】上述したように、上記ウエハ２１を第１吸
着ステージ２３に吸着支持した後、第２吸着ステージ２
４は最下レベルｂまで下降する。この最下レベルｂで
は、上記原点レベルａからウエハ２１の領域２１aまで
の距離Ｈを、上述のように距離検出装置２５によって検
出する。そして、距離検出装置２５による検出結果に基
づいて、第２吸着ステージ２４は領域２１aのレベルｃ
まで上昇して領域２１aに当接し、吸着口２４aによって
ウエハ２１の吸着支持固定を行い、裏面研削加工を行う
のである。尚、上記距離Ｈは、一般的には保護テープ２
２の厚みと同等の寸法となる。
着ステージ２３に吸着支持した後、第２吸着ステージ２
４は最下レベルｂまで下降する。この最下レベルｂで
は、上記原点レベルａからウエハ２１の領域２１aまで
の距離Ｈを、上述のように距離検出装置２５によって検
出する。そして、距離検出装置２５による検出結果に基
づいて、第２吸着ステージ２４は領域２１aのレベルｃ
まで上昇して領域２１aに当接し、吸着口２４aによって
ウエハ２１の吸着支持固定を行い、裏面研削加工を行う
のである。尚、上記距離Ｈは、一般的には保護テープ２
２の厚みと同等の寸法となる。
【００４９】このように、本実施に形態の半導体ウエハ
の裏面研削装置においては、保護テープ２２の外形より
も僅かに大きいサイズまたは同一サイズの外形を有する
と共に、ウエハ２１の外形よりも小さいサイズで貼り付
けられた保護テープ２２を介してウエハ２１の表面を真
空固着する円柱状の第１吸着ステージ２３を設ける。そ
して、第１吸着ステージ２３の外周には、ウエハ２１の
表面外周部における保護テープ２２が貼り付けられてい
ない領域２１aの形状に適合した断面形状を有する円筒
状の第２吸着ステージ２４を、第１吸着ステージ２３の
中心軸に沿って摺動可能に嵌合している。
の裏面研削装置においては、保護テープ２２の外形より
も僅かに大きいサイズまたは同一サイズの外形を有する
と共に、ウエハ２１の外形よりも小さいサイズで貼り付
けられた保護テープ２２を介してウエハ２１の表面を真
空固着する円柱状の第１吸着ステージ２３を設ける。そ
して、第１吸着ステージ２３の外周には、ウエハ２１の
表面外周部における保護テープ２２が貼り付けられてい
ない領域２１aの形状に適合した断面形状を有する円筒
状の第２吸着ステージ２４を、第１吸着ステージ２３の
中心軸に沿って摺動可能に嵌合している。
【００５０】そして、先ず、上記第２吸着ステージ２４
の上端面のレベルを、第１吸着ステージ２３の上端面と
同じレベルである原点レベルａにおいて、裏面研削未加
工のウエハ２１が供給されて、ウエハ２１の表面が保護
テープ２２を介して第１吸着ステージ２３に吸着固定さ
れる。そして、第２吸着ステージ２４を最下レベルｂま
で下降して原点レベルａからウエハ２１の領域２１aま
での距離Ｈを距離検出装置２５によって検出し、検出距
離Ｈに基づいて第２吸着ステージ２４を領域２１aのレ
ベルｃまで上昇して当接させる。そして、第２吸着ステ
ージ２４の吸着口２４aによってウエハ２１の表面外周
部を吸着固定するようにしている。
の上端面のレベルを、第１吸着ステージ２３の上端面と
同じレベルである原点レベルａにおいて、裏面研削未加
工のウエハ２１が供給されて、ウエハ２１の表面が保護
テープ２２を介して第１吸着ステージ２３に吸着固定さ
れる。そして、第２吸着ステージ２４を最下レベルｂま
で下降して原点レベルａからウエハ２１の領域２１aま
での距離Ｈを距離検出装置２５によって検出し、検出距
離Ｈに基づいて第２吸着ステージ２４を領域２１aのレ
ベルｃまで上昇して当接させる。そして、第２吸着ステ
ージ２４の吸着口２４aによってウエハ２１の表面外周
部を吸着固定するようにしている。
【００５１】したがって、本実施の形態によれば、上記
ウエハ２１の表面における保護テープ２２が貼り付けら
れていない外周部の領域２１aを、第２吸着ステージ２
４に真空固着することができ、ウエハ２１の裏面外周部
を研削する際に振動が発生しないようにできる。すなわ
ち、本実施の形態によれば、安定したウエハ２１の裏面
研削を行うために砥石２６の粒度を細かくしたり裏面研
削の加工速度を遅くする必要がなく、処理能力の低下を
防止できるのである。
ウエハ２１の表面における保護テープ２２が貼り付けら
れていない外周部の領域２１aを、第２吸着ステージ２
４に真空固着することができ、ウエハ２１の裏面外周部
を研削する際に振動が発生しないようにできる。すなわ
ち、本実施の形態によれば、安定したウエハ２１の裏面
研削を行うために砥石２６の粒度を細かくしたり裏面研
削の加工速度を遅くする必要がなく、処理能力の低下を
防止できるのである。
【００５２】尚、上記第２吸着ステージ２４を上昇下降
させる第２吸着ステージ移動手段の具体的構成は、特に
特定の手段に限定されるものではない。但し、第１吸着
ステージ２３および第２吸着ステージ２４はウエハ２１
を真空固着するようになっているので、エアシリンダ等
の空気圧を利用した昇降装置を利用することが望まし
い。
させる第２吸着ステージ移動手段の具体的構成は、特に
特定の手段に限定されるものではない。但し、第１吸着
ステージ２３および第２吸着ステージ２４はウエハ２１
を真空固着するようになっているので、エアシリンダ等
の空気圧を利用した昇降装置を利用することが望まし
い。
【００５３】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１および第
２の発明の半導体ウエハの薄層化方法は、半導体ウエハ
の表面に貼り付けられた保護テープのサイズは上記半導
体ウエハのサイズよりも小さいので、上記保護テープを
介して半導体ウエハを吸着ステージ上に固定して上記半
導体ウエハの裏面をエッチングする際に、半導体ウエハ
外周部において上記保護テーブ上に薬液が溜まることは
ない。したがって、上記薬液が上記半導体ウエハの表面
に浸透することがなく、上記半導体ウエハの外周部表面
が汚染されることを防止できる。
２の発明の半導体ウエハの薄層化方法は、半導体ウエハ
の表面に貼り付けられた保護テープのサイズは上記半導
体ウエハのサイズよりも小さいので、上記保護テープを
介して半導体ウエハを吸着ステージ上に固定して上記半
導体ウエハの裏面をエッチングする際に、半導体ウエハ
外周部において上記保護テーブ上に薬液が溜まることは
ない。したがって、上記薬液が上記半導体ウエハの表面
に浸透することがなく、上記半導体ウエハの外周部表面
が汚染されることを防止できる。
【００５４】また、上記第１および第２の発明の半導体
ウエハの薄層化方法は、上記半導体ウエハの外径Ｗと上
記保護テープの外径Ｌとが、 Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm) なる関係を有するように成せば、砥石による研削時にお
いては、上記切削力に起因する振動によって上記半導体
ウエハの周辺が割れたりすることを防止でき、安定した
裏面研削を行うことができる。また、上記エッチング時
においては、上記半導体ウエハの外径の変化に伴って上
記保護テープの外径が上記半導体ウエハの外径よりも大
きくなってしまうことを防止でき、安定して上記エッチ
ングを行うことができる。
ウエハの薄層化方法は、上記半導体ウエハの外径Ｗと上
記保護テープの外径Ｌとが、 Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm) なる関係を有するように成せば、砥石による研削時にお
いては、上記切削力に起因する振動によって上記半導体
ウエハの周辺が割れたりすることを防止でき、安定した
裏面研削を行うことができる。また、上記エッチング時
においては、上記半導体ウエハの外径の変化に伴って上
記保護テープの外径が上記半導体ウエハの外径よりも大
きくなってしまうことを防止でき、安定して上記エッチ
ングを行うことができる。
【００５５】すなわち、この発明によれば、高品質で信
頼性の高い半導体デバイスを生産性の高い方法によって
提供することができる。
頼性の高い半導体デバイスを生産性の高い方法によって
提供することができる。
【００５６】また、上記第１および第２の発明の半導体
ウエハの薄層化方法は、上記保護テープの外周部が上記
半導体ウエハにおけるウエハエッジの面取り部に掛らな
いようにすれば、上記貼り付けられた保護テープが、外
周端から剥がれることを防止できる。
ウエハの薄層化方法は、上記保護テープの外周部が上記
半導体ウエハにおけるウエハエッジの面取り部に掛らな
いようにすれば、上記貼り付けられた保護テープが、外
周端から剥がれることを防止できる。
【００５７】また、第３の発明の半導体ウエハの裏面研
削装置は、半導体ウエハの表面における保護テープが貼
り付けられた第１領域を上記保護テープを介して吸着固
定する第１吸着ステージと、上記半導体ウエハの表面外
周部における上記保護テープが貼り付けられていない第
２領域を吸着固定する第２吸着ステージを備えているの
で、上記半導体ウエハの裏面を研削する場合に、上記半
導体ウエハの表面全体を吸着固定することができる。し
たがって、上記半導体ウエハの裏面外周部を研削する際
に発生する振動を防止できる。
削装置は、半導体ウエハの表面における保護テープが貼
り付けられた第１領域を上記保護テープを介して吸着固
定する第１吸着ステージと、上記半導体ウエハの表面外
周部における上記保護テープが貼り付けられていない第
２領域を吸着固定する第２吸着ステージを備えているの
で、上記半導体ウエハの裏面を研削する場合に、上記半
導体ウエハの表面全体を吸着固定することができる。し
たがって、上記半導体ウエハの裏面外周部を研削する際
に発生する振動を防止できる。
【００５８】すなわち、この発明によれば、砥石の粒度
を細かくしたり裏面研削の加工速度を遅くすることなく
安定して裏面研削加工を行うことができ、半導体ウエハ
の裏面研削加工の生産能力を従来の裏面研削装置の１.
５倍にできる。
を細かくしたり裏面研削の加工速度を遅くすることなく
安定して裏面研削加工を行うことができ、半導体ウエハ
の裏面研削加工の生産能力を従来の裏面研削装置の１.
５倍にできる。
【００５９】また、上記第３の発明の半導体ウエハの裏
面研削装置は、上記半導体ウエハが吸着固定された第１
吸着ステージの表面と上記半導体ウエハの第２領域との
距離を検出する距離検出手段の検出結果に基づく距離だ
け、第２吸着ステージ移動手段によって上記第２吸着ス
テージを上昇させて、上記半導体ウエハの第２領域に当
接させれば、上記保護テープの厚みが変動しても、上記
半導体ウエハの第２領域が上記第２吸着ステージによっ
て引き込まれたり突上げられたりすることがなく、曲が
りの無い安定した状態で吸着固定できる。
面研削装置は、上記半導体ウエハが吸着固定された第１
吸着ステージの表面と上記半導体ウエハの第２領域との
距離を検出する距離検出手段の検出結果に基づく距離だ
け、第２吸着ステージ移動手段によって上記第２吸着ス
テージを上昇させて、上記半導体ウエハの第２領域に当
接させれば、上記保護テープの厚みが変動しても、上記
半導体ウエハの第２領域が上記第２吸着ステージによっ
て引き込まれたり突上げられたりすることがなく、曲が
りの無い安定した状態で吸着固定できる。
【００６０】さらに、上記ウエハの裏面研削が終了した
後に、上記第２吸着ステージ移動手段によって、上記第
２吸着ステージを上記該第１吸着ステージと同じレベル
まで下降させれば、上記第１吸着ステージ２３および第
２吸着ステージ２４の上端面を同時にクリーニングする
ことができ、裏面研削時の研削クズ等を容易に除去でき
る。
後に、上記第２吸着ステージ移動手段によって、上記第
２吸着ステージを上記該第１吸着ステージと同じレベル
まで下降させれば、上記第１吸着ステージ２３および第
２吸着ステージ２４の上端面を同時にクリーニングする
ことができ、裏面研削時の研削クズ等を容易に除去でき
る。
【００６１】また、上記第３の発明の半導体ウエハの裏
面研削装置は、上記第１吸着ステージの外径を、上記保
護テープの外径よりも僅かに大きいかあるいは同一の外
径にすれば、上記第２吸着ステージを上昇させて上記半
導体ウエハの第２領域に当接させる際に、上記第２吸着
ステージを、上記保護テープに当ることなく上記当接位
置まで速やかに上昇できる。さらに、上記第２吸着ステ
ージによって、上記第２領域の略全体を均一に吸着固定
できる。
面研削装置は、上記第１吸着ステージの外径を、上記保
護テープの外径よりも僅かに大きいかあるいは同一の外
径にすれば、上記第２吸着ステージを上昇させて上記半
導体ウエハの第２領域に当接させる際に、上記第２吸着
ステージを、上記保護テープに当ることなく上記当接位
置まで速やかに上昇できる。さらに、上記第２吸着ステ
ージによって、上記第２領域の略全体を均一に吸着固定
できる。
【図１】 この発明の半導体ウエハの薄層化方法におけ
る手順を示す図である。
る手順を示す図である。
【図２】 図１におけるウエハの外径と保護テープの外
径との関係を示す図である。
径との関係を示す図である。
【図３】 この発明の半導体ウエハの裏面研削装置にお
ける研削用吸着ステージの部分側面図である。
ける研削用吸着ステージの部分側面図である。
【図４】 図３における第２吸着ステージの上端部近傍
の更に詳細な断面図である。
の更に詳細な断面図である。
【図５】 従来のウエハ裏面研削・エッチング方法の説
明図である。
明図である。
【図６】 図５おけるウエハの外径と保護テープの外径
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
１１,２１…ウエハ、 １２,２２…保護テープ、 １３…研削用吸着ステージ、 １４,２６…砥石、 １５…エッチング用吸着ステージ、 １６…薬液、 ２３…第１吸着ステージ、 ２４…第２吸着ステージ、 ２４a…吸着口、 ２５…距離検出装置、 Ｗ…ウエハの外径、 Ｌ…保護テープの外径。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 印藤 忠之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F043 AA01 DD16 DD30 EE08 FF07
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面に保護テープを貼り
付ける工程と、当該半導体ウエハの裏面をエッチングす
る工程を備えて、上記半導体ウエハの厚みを薄くする半
導体ウエハの薄層化方法において、 上記保護テープのサイズは、上記半導体ウエハのサイズ
より小さいことを特徴とする半導体ウエハの薄層化方
法。 - 【請求項２】 半導体ウエハの表面に保護テープを貼り
付ける工程と、当該半導体ウエハの裏面を研削する工程
と、上記研削後の裏面をエッチングする工程を備えて、
上記半導体ウエハの厚みを薄くする半導体ウエハの薄層
化方法において、 上記保護テープのサイズは、上記半導体ウエハのサイズ
より小さいことを特徴とする半導体ウエハの薄層化方
法。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の半導
体ウエハの薄層化方法において、 上記半導体ウエハの外径Ｗと上記保護テープの外径Ｌと
は、 Ｌ＝Ｗ−ａ（０mm＜ａ≦３mm) なる関係を有していることを特徴とする半導体ウエハの
薄層化方法。 - 【請求項４】 請求項１あるいは請求項２に記載の半導
体ウエハの薄層化方法において、 上記保護テープの外周部は、上記半導体ウエハにおける
ウエハエッジの面取り部に掛らないようになっているこ
とを特徴とする半導体ウエハの薄層化方法。 - 【請求項５】 半導体ウエハのサイズよりも小さいサイ
ズの保護テープが表面に貼り付けられた上記半導体ウエ
ハの裏面を研削する半導体ウエハの裏面研削装置であっ
て、 上記半導体ウエハの表面における上記保護テープが貼り
付けられた第１領域を上記保護テープを介して吸着固定
する第１吸着ステージと、 上記半導体ウエハの表面外周部における上記保護テープ
が貼り付けられていない第２領域を吸着固定する第２吸
着ステージを備えたことを特徴とする半導体ウエハの裏
面研削装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の半導体ウエハの裏面研
削装置において、 上記半導体ウエハが吸着固定された第１吸着ステージの
表面と、上記半導体ウエハの第２領域との距離を検出す
る距離検出手段と、 上記距離検出手段による検出結果に基づく距離だけ上記
第２吸着ステージを上昇させて上記半導体ウエハの第２
領域に当接させる一方、上記ウエハの裏面研削が終了し
た後に上記第２吸着ステージを上記該第１吸着ステージ
と同じレベルまで下降させる第２吸着ステージ移動手段
を備えたことを特徴とする半導体ウエハの裏面研削装
置。 - 【請求項７】 請求項５あるいは請求項６に記載の半導
体ウエハの裏面研削装置において、 上記第１吸着ステージの外径は、上記保護テープの外径
よりも僅かに大きいかあるいは同一の外径であることを
特徴とする半導体ウエハの裏面研削装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236894A JP3514712B2 (ja) | 1999-12-01 | 2000-08-04 | 半導体ウエハの裏面研削装置 |
| TW90112922A TW556279B (en) | 1999-12-01 | 2001-05-29 | Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers |
| KR10-2001-0030195A KR100467009B1 (ko) | 2000-08-04 | 2001-05-30 | 반도체 웨이퍼 표면의 오염을 방지할 수 있는 반도체웨이퍼의 박층화 방법 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭장치 |
| US09/866,704 US6520844B2 (en) | 2000-08-04 | 2001-05-30 | Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers |
| US10/318,017 US6984586B2 (en) | 2000-08-04 | 2002-12-13 | Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-342109 | 1999-12-01 | ||
| JP34210999 | 1999-12-01 | ||
| JP2000236894A JP3514712B2 (ja) | 1999-12-01 | 2000-08-04 | 半導体ウエハの裏面研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001223202A true JP2001223202A (ja) | 2001-08-17 |
| JP3514712B2 JP3514712B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=26577151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000236894A Expired - Fee Related JP3514712B2 (ja) | 1999-12-01 | 2000-08-04 | 半導体ウエハの裏面研削装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3514712B2 (ja) |
| TW (1) | TW556279B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257184A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| EP1302975A3 (en) * | 2001-10-11 | 2004-04-14 | Northrop Grumman Corporation | Method for thinning wafers |
| US6753238B2 (en) | 2002-03-01 | 2004-06-22 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2011060893A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016210837A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | 裏面保護フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法 |
| JP2017112158A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN107263218A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-10-20 | 合肥市惠科精密模具有限公司 | 一种amoled玻璃基板的薄化方法 |
| JP2018120953A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020053443A (ja) * | 2018-09-24 | 2020-04-02 | 株式会社デンソー | 半導体ウェハの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113380613A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-10 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 晶圆减薄加工方法 |
-
2000
- 2000-08-04 JP JP2000236894A patent/JP3514712B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-29 TW TW90112922A patent/TW556279B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257184A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| EP1302975A3 (en) * | 2001-10-11 | 2004-04-14 | Northrop Grumman Corporation | Method for thinning wafers |
| US6753238B2 (en) | 2002-03-01 | 2004-06-22 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2011060893A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016210837A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | 裏面保護フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法 |
| JP2017112158A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018120953A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| CN107263218A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-10-20 | 合肥市惠科精密模具有限公司 | 一种amoled玻璃基板的薄化方法 |
| JP2020053443A (ja) * | 2018-09-24 | 2020-04-02 | 株式会社デンソー | 半導体ウェハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW556279B (en) | 2003-10-01 |
| JP3514712B2 (ja) | 2004-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5111938B2 (ja) | 半導体ウエハの保持方法 | |
| JP3368876B2 (ja) | 半導体チップ製造方法 | |
| JP4806282B2 (ja) | ウエーハの処理装置 | |
| TWI814814B (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 | |
| KR100467009B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 표면의 오염을 방지할 수 있는 반도체웨이퍼의 박층화 방법 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭장치 | |
| JP2001035817A (ja) | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4908085B2 (ja) | ウエーハの処理装置 | |
| JP2001223202A (ja) | 半導体ウエハの薄層化方法および半導体ウエハの裏面研削装置 | |
| US20220266312A1 (en) | Separating apparatus and separating method | |
| JP7412131B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
| US20130252356A1 (en) | Supporting substrate, method for fabricating semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device | |
| JP7257218B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP5912310B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2010093005A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US20220406602A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing system | |
| JP5969663B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
| WO2021020340A1 (ja) | 貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法 | |
| EP1091394A2 (en) | Method for manufacturing thin semiconductor chips | |
| US20220130689A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2022127060A (ja) | シリコンウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法 | |
| KR100596923B1 (ko) | 웨이퍼 베벨영역 라운딩 처리를 통한 반도체 소자의 수율향상방법 | |
| JP2017228566A (ja) | 半導体ウェーハの薬液誘導具及び半導体ウェーハの処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |