TW554504B - Processes for encasing semiconductor circuit device and optical semiconductor circuit device to form sealed air-cavity package - Google Patents

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sidewalls
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Raymond S Bregante
Tony Shaffer
K Scott Mellen
Richard J Ross
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554504 A7 見明(1) " · ~~ 本發明是出現於電子封裝領域,其包裝並保護半導體 電路元件㈣),並且提供連接該晶片電路與諸如印刷電 $板組件的外部組件之電氣連接。特別地,本發明中是關 於氣室封裝,也就是那些在空氣填充空腔中存在晶片之 4 ’其中該晶片是得利於空氣的低介電常數。特別地本 «解決密封環繞晶片之封裝的困難,以及此方式之該空 | «充的氣室,在封裝製造期間與該封裝使时遇到的條 件下,於高溫期間維持不透氣的密封。 ” 發明的背景 電子封裝是由剝除内部晶片之保護圍封所組成,該圍 封J疋有導線貫穿,藉此該晶片電路是與外部電路電氣連 接,諸如在印刷線路板上的電路。本發明關注的封裝是那 些在電子工業中已知的封裝,如“氣室封裝”,因為該晶片 是存在於該圍封内部之中空内部空氣充填的氣室中,由於 它的低介電常數,該些空氣是作為電絕緣體。當該電子元 件是微波電力的晶片時,此絕緣能力是特別有用的。當該 晶片是需要透光時,諸如電荷耦合元件(CCDS)和互補型金 屬氧化半導體(CMOS)時,該空氣充填的氣室也是有用的, 因為該空氣使所有的光線進入該晶片的表面。 為了使用目前被用於晶片中之非常細的電線與高電 流,可獲得一致且可靠的效能,該封裝必須被密封以防水 蒸氣或其他氣體侵入。同時該封裝必須能夠讓使用期間晶 片產生的熱量消散。熱量的消散一般是透過該封裝之底板 來完成,基於這個原因,高熱傳導性的材料被使用作為該 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公楚) -4 - 554504 A7 * -------—~—______ 五、發明説明(2 ) 底板,通常是金屬板,使用焊接將該晶片與該底板接合, 通常使用共溶物焊接。首先封裝通常是經由將侧壁接合在 該金屬板以生成該封裝的主體而形成,該些侧壁具有通過 它們的電導線。一旦該主體被形成,該晶片被放在該主體 内部並且以焊料固定在該底板。然後進行線黏合以將該晶 片電路連接至該些導線,而且最後該封裝是藉由利用適當 的黏著劑,將該遮蓋固定在該主體而與頂端隔離來完成。 其需要咼焊接溫度以將該晶片固定在該封裝的底 板,是以建構該封裝主體的材料需要可以抵抗高溫而沒有 裂縫、熔融、流動、分解或其它可能包含整個封裝密封的 轉換。用於高瓦數用途的封裝,會在該封裝壁與遮蓋上產 生額外的應變,這是因為在使用期間它們會產生高溫。基 於這些原因’先前技藝之封裝側壁與遮蓋是由陶瓷材料做 成。不過,陶瓷是昂貴的且在該些封裝的量產時,該些陶 瓷是該封裝之製造成本的主要部分。如果以塑膠材料替代 陶瓷材料,則成本可以被降地許多,但是塑膠無法輕易地 抵抗高焊接溫度,而且當該晶片被焊接在基座時,其將會 溶融或分解。結果,具有塑膠側壁之電子封裝的製造具有 高失敗率。 被製成兩件式圍封之封裝也會產生類似的問題,其中 該基座與側壁起初是形成具有鑄造的金屬熱量擴展器之陶 瓷或塑膠單一鑄模件,或用別的方法插入作為底板,第二 件是遮蓋。如果使用陶瓷作為該單一基座與側壁之建構材 料時,其成本會很高,而且如果使用塑膠時,量產的產率 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公楚) ——---------身…: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| 554504 Λ發明説明 會降低’因為塑膠的變壞或變形,並且在該些元件的明顯 處有洩漏點形成。 光學封裝會出現一不同的問題,也就是,那些含有電 荷輕合元件和互補型金屬氧化半導體元件需要透明的遮 蓋’以允許光線傳送。因為該些封裝在使用時不會產生熱 里’它們不需要一個迅速散熱的基座;金屬、塑膠或陶器 的基座可以被使用。除此之外,不需要快速熱量消散可免 除容許高溫金屬焊接之需求。反而,其可以使用諸如環氧 樹脂的焊接材料進行低溫焊接。不過,高溫的反應是一重 要的問題,因為在該封裝可以被使用之前,其將進行進一 步加工’之後進行封裝本身的組裝。該後續的加工包括將 封裝外部的導線焊接到外部電路並且進行品質測試,所有 的都牽涉到高溫的使用。暴露在這些溫度期間,該些封裝 組件的熱膨脹係數(CTEs)的差異,會使得該封裝容易毀 壞。特別地,允許光線傳輸而被用在典型的光學封裝之玻 璃遮蓋明顯地比該基座具有更低的熱膨脹係數,不論該基 座是金屬、塑膠或陶瓷。這個差異會使得遮蓋和基座在熱 循環期間有不同程度的膨脹^不同的膨脹使得該封裝變彎 曲’並且使側壁產生應力,而產生危急該些測壁接合在基 座或遮蓋或兩者之上的密封的危險。當裂缝形成的時候, 該些封裝將無法通過總洩漏測試與溼氣敏感性測試,其決 定它們是否適合使用以及有用產品的產率(運作、保久的封 裝)下降。 發明摘要 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
554504 A7 I--—---— B7__ 五、發明説明(4 ) 上面列舉的困難與依據本發明提出之氣室電子封裝 ^製造中可能遭遇的其他困難,最初可以藉由利用至少三 個不同的元件-基座、側壁框架與遮蓋-而形成該圍封。關 於在使用期間產生兩度熱量,以及利用高溫將該晶片焊接 結座上而被製造的的封裝而言,該封錢封之三組件構 造允許關狀其餘_馳件餘裝之前,也就是在該 錢壁被結合在基座或使該遮蓋結合在該些侧壁之前,使 胃晶片被焊接在基座上。然後塑膠㈣可以被接合在基座 ± ’而不會使塑膠暴露在將該晶片焊接於基座時所需之高 ㈣危險。也可以藉由完全避免陶究或僅在基座使用陶究 來免除或降低陶瓷之高成本。 料透明遮蓋之圖像封裝而言,該封裝圍封之三組件 容許具有㈣膠基座與非㈣遮蓋之歸側壁的使用。 ,然後該基座與遮蓋是由熱膨脹係數數值接近的材料形成, 壁是由熱祕餘實質上不同於絲座與遮蓋之熱 | 祕係數的材料形成。使用具有非常高之熱膨脹係數的塑 ㈣為側壁,不會在封裝密封上產生不當的應力,因為即 使在組裝程序與測試中遇到高溫時,該些側壁可能變厚(也 就是,同時向内地或向外地凸起),該基座與遮蓋實質上將 會相同的膨脹,藉此可使封裝免於彎曲。 因此,依據封裝的型式與所使用的材料,本發明可提 供各種不同的優點。由於組裝與使用期間遭遇高溫所產生 裂缝,在避免或降低封裝損壞之風險的同時,本發明對於 材料的選擇有廣泛的自由。由下列的這些說明,和其它的 .........- _ ' 本紙張尺度適用巾關緖準(CNS) A4規格(210X297公釐1 " η---〜- 554504 A7 B7 五、發明説明(5 ) 優點、特徵與本發明的實施例將會更加清楚。 本發明與較佳實施例之詳細說明 如上面所提及,在本發明之製造方法中的第一步驟是 晶片在作為封裝之底板的該基板上的固定。根據封裝的型 式,該基板可能是一種可迅速地使熱量由晶片消散,或熱 量消散不重要(諸如光學封裝)的一種。當需要高熱傳導 時,該板可以是一金屬材料、陶瓷材料、金屬塗覆的陶竟 材料或具有金屬插入物的陶瓷材料。當不需要熱傳導時, 該板可以是這些材料以及塑膠中任一種。 對於金屬、金屬插入物或塗料之基板而言,適合的金 屬與它們的代號如電子材料手冊第1冊所示,明吉斯 (Minges,]VLL.)等編著、國際美國金屬學會、材料部、俄亥 俄州1989年,之實施例被列於下: 銅 銅·鶴合金 銅鐵合金:C19400、C19500、C19700、C19210 銅-鉻合金:CCZ、EFTEC647 銅-鎳-矽合金:C7025、KLF125、C19010 銅-錫合金:C50715、C50710 銅-锆合金:C15100 銅-鎂合金:C15500 鐵-鎳合金:美國材料試驗學會F30(合金42) 鐵-鎳-鈷合金:美國材料試驗學會F15(Kovar) 軟鋼 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| 554504 A7 B7 五、發明説明(6 ) 鋁 這些中較佳的是銅、包含銅的合金,其中銅組成物至 少是95%重量、鐵-鎳合金,其中鐵組成物由大約50%至大 約75%重量、與鐵-鎳-鈷合金,其中鐵組成物由大約50%至 大約75%重量。該鐵-鎳合金42(58%鐵、42%鎳)與鐵-鎳-鈷 合金Kovar(54%鐵、29%鎳,17%鈷),以及各種不同銅合金 是特別重要。金屬積層物也可以被使用,尤其是銅-鉬-銅, 鑒於其異常高的熱傳導性。這些金屬和合金也可以被用作 穿透該封裝之側壁的導線。 對於使用陶瓷基底的封裝而言,合適的陶瓷之實施例 是Al2〇3(礬土)、BeO(氧化鈹)、A1N(氮化鋁)、SiN(氮化矽) 和這些材料的摻合物,與藉由BaO(氧化鋇)、Si02(矽石)或 CuO(氧化銅)添加改質的三氧化二鋁。較佳的陶瓷是礬土 可選擇的修改,與氧化鈹。 對於使用塑膠基座的封裝而言,合適的塑膠包括熱固 性與熱塑性材料。熱固性材料的實施例是環氧樹脂與改質 的環氧樹脂、聚醯亞胺、改質的聚醯亞胺、多元酯和矽酮。 熱塑性材料的實施例是聚胺酯、聚苯基硫化物、聚楓、聚 醚酮與,諸如含有大約20-40%玻璃、陶瓷或礦物之填充物 的液晶聚合物的芳香族聚酯。 當在該晶片與該基座之間需要高熱量傳送時,形成此 一接合之廣泛的多樣性材料可以被利用。焊料合金可由 錫、錯、録、银、锅、銀、銅或金和其他相當小量之各種 不同元素形成。共熔合金通常較佳的,因為在熔融與固化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) _ 9 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
554504 A7 "~ ____________B7__ 五、發明説明(7 ) ~ -- 期間,它們能維持其部分組成份。實施例為銅·鐵合金銅 -鉻合金、銅-錫合金、鐵_鎳合金、鐵_鎳_鈷合金、錫-銀合 金和金-錫合金。由於其高熱傳導性,8〇:2〇金_錫共溶合金 焊料是特別好的。 該晶片被焊接或黏接在該基座的溫度將根據使用的 和料或黏合劑改變。對於需要高熱量穿透的高溫烊接而 言’通常是使用2耽以上的溫度。在大部份的情形下,焊 接溫度是在250至5,的範@中’特別是金錫共溶物焊 料,其是在300至40〇。(:的範圍中。舉例來說,當使用環氧 樹脂時’一般的黏合溫度是大約。 在該晶片被焊接或黏接在該基座並冷卻之後,該些侧 壁框架會超過該基座。熱固性或熱塑性材料,如上所列之 實施例,可以被用於該些侧壁。雖然對於每一種而言可以 使用各種不同的形成方法,熱固性材料一般可以藉由轉移 成形鑄成,同時熱塑性材料一般可以藉由射出成形铸成。 該些側壁可以預先埋入導線,該些導線具有延伸進入由該 些側壁包圍❸空間中之表面與空㈤,因此可以對該晶片進 行線黏合。對於非金屬基座而言,該些導線也可以被埋在 該基座中。不論發生何種情況,該些導線可以由該些使用 在金屬基座中之相同型式的材料形成,而且實施例如上面 所列。如果該些導線是基座的部份,該些側壁可以完全由 塑膠做成’而且在製造過程之此階段中,只有在該些側壁 與該基座之間的界面存在需要防濕氣密封。 在封裝中,該些導線被埋入該側壁中,該側壁框 10 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 554504 A7 B7 五、發明説明 被鳍造成形在該些導線上方。在導線上方成形側壁的程序 疋廣為人知的,而且通常包括在一含有一系列經由連接網 連接,並且以間斷聚集配置,相鄰的聚集是進一步藉由於 成开> 完成時會被去除之連接網連接在一起之導線框架組合 物上方壓鑄該塑膠。沿著該些導線的某些位置上包含隔 牆’以助於限制該成形化合物,同樣地該些隔牆在該成形 的侧壁主體被隔離之前會被移除。傳統的成形技術,諸如 射出成形、轉移成形、插入成形與反應射出成形可以根據 使用的材料而使用。在該成形加工之前,在該些導線與該 塑膠接觸位置之導線框上塗覆黏著劑。該黏著劑在塑膠成 形溫度下固化,在避免濕氣或其他大氣氣體侵入的導線周 圍形成一密封。導線的數目可根據該些晶片以及其應用而 做廣泛的變化。因此,如少至兩條或多達1 00或更多條都可 能存在,該些導線可能在側邊的一邊或全部四邊上。 同樣地,藉由黏著劑,尤其是熱可固化的聚合物黏著 劑的使用,可以使該些侧壁框覆蓋該基座。使用在兩處的 黏著劑包括熱固性與熱塑性材料,諸如環氧基樹脂黏著 劑、聚醢胺、梦_、盼樹脂、聚楓或苯氧黏著劑。熱固性 黏著劑的實施例: D.E.R.332·有雙盼八的壤氧樹脂(道氏化學公司,米德 藍德(Midland),密西根州、美國) ARALDITE〇 ECN1273 :環氧基曱盼nov〇iac樹脂(汽巴 -蓋吉(Ciba-Geigy)公司,亞德斯雷(Ardsley),紐約、美國) ARALDITE⑧721:多官能基液態環氧樹脂(汽巴-蓋吉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂| 554504 ‘ A7 B7 五、發明説明(9 ) 公司) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) QUARTEX@ 1410:有雙酚A的環氧樹脂(道氏化學公 司) EPON® 828、1001F、58005:改質的雙酚A環氧樹脂 (ShelH匕學公司、休斯頓、德克薩斯州、美國) 熱塑性黏著劑的實施例: 苯氧PKHJ:苯氧基樹脂(苯氧協會(Phenoxy Associates)) 聚楓 該黏著劑成分可選擇地包含一種或多種提供各種不 同需要的性質之組成份的一種。這些組成份包括硬化劑、 消泡劑、除溼劑(乾燥劑)與填充劑並且被添加至總體樹 脂。硬化劑的實施例是聚胺、聚醯胺、聚酚、聚合的硫醇、 聚叛酸、酸酐、二氰胺、氰脈(cyanoguanidine)、唾類和諸 如三氟化硼與胺或醚之錯合物的路易斯酸。消泡劑的實施 例是疏水的石夕石,諸如石夕基樹脂樹脂和石夕烧、氟碳化合物, 諸如聚四氟乙烯、脂肪酸醯胺,例如乙烯二胺硬脂醯胺、 磺胺、烴蠟和固態脂肪酸和酯。除溼劑的實施例是活化的 氧化鋁和活性鎂。作為除濕劑之特殊的產品是由該些供應 者所鑑定(澤西市的α金屬,新澤西州,美國),如 GA2000-2、SD1000和SD800 〇填充劑的實施例是礬土、二 氧化鈦、碳黑、碳酸鈣、高嶺土、雲母、矽石、滑石和木 質粉。 在該基座、遮蓋或兩者之較佳的黏合方法中,黏著劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) _ 12 - 554504 A7 --- B7_____ 五、發明説明(10 ) 首先被塗覆在將被黏合的表面,然後被加熱至_適當的溫 度,而使接著劑進入B階段,其中該黏著劑在室溫下不會 回黏且成半固態。因此,塗覆B階段黏著劑的一個或兩個 之該些將被黏合的部件被接合以及加熱,以進一步使該6 階段黏著劑被液化並且濕潤該表面,同時完全地固化形成 一部透氣的密封。 在固化將該侧壁框接合在該基座之黏著劑所使用的 溫度,是隨所使用的特殊黏著劑而改變,但通常是低於2〇〇 °C。在大部分的情況中,該溫度範圍是1〇〇〇(:至2〇〇。(:,較 好是由125°C至185°C。 一旦該些側壁框被結合在該基座,該晶片被線黏合在 該些導線,同時遮蓋被固定在該側邊框以包圍該晶片。該 遮蓋在該側邊框的固定可以藉由黏著劑,以如將該側邊框 固定在基座之相同的方式來完成。 用作該基座與遮蓋之材料;用作側邊框之塑膠;用於 導線中的金屬與用於將該些導線黏合在該側壁框、將該側 壁框黏合在該基座、將該遮蓋黏合在側壁框的黏著劑的一 參數是熱膨脹係數(“CTE,,)。每一種材料具有它自己的熱膨 脹係數,其單位是每。C每百萬份重量之份數,而且熱膨脹 係數會影響所使用的材料的選擇。任何相鄰的二元件以及 與接合在一起之該(些)黏著劑的熱膨脹係數可能是明顯的 不同。在許多情況該些差異可以藉由在該黏著劑組成中含 有熱塑性成分被抵銷,其作為單一的黏著劑組成份或與熱 固性黏著劑組成份形成混合物。 本紙張尺度適用中國國家標準(⑽)A4規格(2〗〇χ297公爱) 13
-1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554504 A7 B7 五、發明説明(11 ) 本發明的方法提供對使用在電子封裝製造的材料提 供高度的多樣性。舉例來說,在每一邊有八個導線之〇4 吋見方封裝中間體(也就是,側壁框)可以被使用在電源封 裝,其中該基座是金屬同時該遮蓋是陶瓷。相同的中間體 可以使用在電荷耦合元件或互補型金屬氧化半導體封裝, 其中該基座是陶瓷且該遮蓋是透明的玻璃。相同的中間體 也可以使用金屬的基座與金屬遮蓋,以遮蔽晶片免於無線 電或電磁輻射。本發明也允許一種容許其它用於該封裝元 件之不相容的材料。舉例來說,在一典型的視覺封裝中, 被用作該遮蓋的玻璃具有大約7 ppm/°c的熱膨脹係數,同 時該基座具有在15至25 ppm/°C範圍中的熱膨脹係數,特別 是當該封裝被使用在印刷電路板時。該差異可以藉由使用 具有中間數值之熱膨脹係數,諸如該基座與遮蓋之熱膨脹 係數的平均值加或減3〇〇/0,的塑膠做成的中間體而被減 少。這可以降低該封裝朝低熱膨脹係數玻璃遮蓋的方向弯 曲的趨勢,或者在極端的情況中,於封裝製造期間或在後 製造組合與測試程序期間遭遇的溫度循環,會造成該遮蓋 龜裂而在黏合線產生洩漏。 所有封裝製造步驟可以被預先成形陣列型式,其中多 數的元件在一二維的陣列中被同時加工。以適當位置處的 孔洞,該用於同時組合的相鄰元件之二維陣列可以被精確 地排列。另一方面,該些元件之任一個都可以被個別地製 造與黏合。 前面的說明強調本發明之特別的具體化和實施例。不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 14 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 雜- 554504 A7 B7 五、發明説明(l2 ) 過,那些熟悉該技藝者可以瞭解對於上述有關於材料、操 作條件、操作程序的變化與修正,以及這些封裝之結構或 它們組合程序之其他參數做延伸。 15 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 _>χ 1. 一種用於包裝半導體電路成密封的氣室封裝 的方法,該方法包含: '、’輕 (a) 在超過250°C的溫度,將該半導體電路元件焊接 在導熱的基座; (b) 在(a)步驟完成之後,在低於2〇〇°c的溫度下藉由 在該些侧壁與該金屬基座之間形成一密封,而將側壁的 塑膠框固定在該金屬基座上方,藉此在該半導體電路元 件周圍形成部分的圍封,具有導電的導線之該塑膠框或 該熱傳導基座已經被預先形成,使得該些導線貫穿該部 分的圍封; (c) 使該半導體電路元件之電路與該些導線的電氣 連接;和 (d) 將一遮蓋固定在該部分的圍封,藉此將該半導 體電路元件裝在-實質上氣體不能渗透的外罩中。 2·如申請專利範圍第!項的方法,其中該步驟⑷的溫度是 在300°C至400°C範圍中。 3·如申請專利範圍第!項的方法,其中該步驟⑻的温度是 在125°C至185°C範圍中。 《如申請專利範圍第1的方法,其中該導熱的基座是一 由銅、銅疋主要成分之鋼合金、鐵-鎳合金和鐵秦鈷 口金、、且成之群組中選出,而且該遮蓋是塑膠的材料。 如^專利祀圍w項的方法’其中該導熱的基座是由 氧化一銘、氧化鈹、氮化銘、氮化石夕以及由氧化鋇、 石夕石或氧化銅組成的群組選出之成分改質的三氧化二 554504 ABCD 申凊專利範圍 銘所組成的群組選出的成分,而且該遮蓋是玻璃。 6·如申請專利範圍第1項的方法,其中該塑膠框是由芳香 族聚酯或液晶聚合物形成。 7.如申清專利^圍第㈣的方法,其中該塑膠框與該遮蓋 兩者都是由熱塑性聚合物形成。 8_如申請專利範圍第1項的方法,其中步驟⑻包含使用由 %氧樹脂黏著劑、聚醯胺、矽酮、酚樹脂、聚楓和苯 氧黏著劑組成之群組中選出的可熱固化聚合物黏著 劑,將該塑膠框焊接在該基座上。 9·如申请專利範圍第1項的方法,其中步驟0)和(d)包含 在125°C至185°C範圍中的溫度,使用可熱固化聚合物黏 著劑,分別將該塑膠框固定在該基座,以及將該遮蓋固 定在該塑膠框。 10·—種用於包裝一光學半導體電路成密封的氣 室封裝的方法,該方法包含: (a) 在125°C至175°C範圍中的溫度,使用可熱固化 聚合物黏著劑將該半導體電路元件固定在一基座; (b) 在(a)步驟完成之後,在低於2〇〇°c的溫度下藉由 在該些側壁與該金屬基座之間形成一密封,而將側壁的 塑膠框固定在該金屬基座上方,藉此在該半導體電路元 件周圍形成部分的圍封,具有導電的導線之該塑膠框或 該熱傳導基座已經被預先形成,使得該些導線貫穿該部 分的圍封; (c) 使該半導體電路元件之電路與該些導線的電氣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 17 A B c D 554504 六、申請專利範圍 連接;和 (d)將一遮蓋固定在該部分的圍封,藉此將該半導 體電路元件裝在一實質上氣體不能滲透的外罩中,該遮 蓋具有小於該基座的熱膨脹係數之0.5倍的熱膨脹係 數0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
    18 公 告本 丨 申請曰期 案 號 办丨/ 類 別 (^H >3^ (以上各欄由本局填註) A4 C4554504 拿|丨專利説明書?2年^25頁曰 發明a 一、名稱 中文 5S&赘i導體電路元件及光學半導體電路元件以形成 岔封的軋室封裝之方法 新型 英文 钱A〇R ENCAS工NG SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE 娜SEMIC〇NDUCTOR CIRCUIT DEVICE TO FORM SEALED AIR-CAVITY PACKAGE 姓名 ffiS 蒙S·伯理葛堤 Raymond S. BREGANTE ^尼丄.J少費 Tony SHAFFER 史考特•梅林 k. Scott MELLEN ⑷理查J.羅斯Richard J. ROSS 國 籍 美國USA ^發明, 一' 人 創作 住、居所 (1) 美國加州聖拉法·山景道102號 102 Mountain View Drive, San Rafael, CA 94901, USA (2) 美國加州亞拉米達·寬路街1206號 1206 Broadway Street, Alameda, CA 94501, USA (3) 美國紐約州中央廣場•雪莉路129號 129 Schilly R〇ad, Central Square, NY 13036, USA ⑷美國加州摩拉葛•奥古斯塔道504號 504 Augusta Drive, Moraga, CA 94556, USA 姓 名 (名稱) 美商· R J R聚合體股份有限公司 RJR POLYMERS , INC. 國 籍 美國USA 三、申請人 住、居所 (事務所) 美國加州奥克蘭市艾吉華特道7875號 7875 Edgewater Drive, Oakland, CA 94621, USA 代表人 姓 名 理查J.羅斯 Richard J. ROSS i . v *t T ϊ/ · , 本紙張尺度顧中關家榡準(CNS) A4規格(21Gx 297公董)
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