JPH0997855A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0997855A JPH0997855A JP25398895A JP25398895A JPH0997855A JP H0997855 A JPH0997855 A JP H0997855A JP 25398895 A JP25398895 A JP 25398895A JP 25398895 A JP25398895 A JP 25398895A JP H0997855 A JPH0997855 A JP H0997855A
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- metal
- ceramic
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体外囲器に装着された半導体チップを保
護するための外囲器用蓋は、従来金属またはセラミック
スで作られている。しかしセラミックスは成形性および
加工性が劣り、外囲器との半田付けに前処理を必要とす
る。金属は外囲器本体のセラミックスとの熱膨張率の差
が大きいため半田付けした接合部に負荷がかかり、半導
体装置の信頼性が低い。 【解決手段】 半導体外囲器用蓋３０の、少なくとも外
囲器本体２０との接合箇所に金属３１を、その他の部分
にセラミックス３２を併用する部分複合構造を採用し
た。成形性〜半田付け性は金属の特徴を生かす一方、そ
の熱膨張は積層されたセラミックスが抑制する結果、半
導体装置の信頼性が増大する。
護するための外囲器用蓋は、従来金属またはセラミック
スで作られている。しかしセラミックスは成形性および
加工性が劣り、外囲器との半田付けに前処理を必要とす
る。金属は外囲器本体のセラミックスとの熱膨張率の差
が大きいため半田付けした接合部に負荷がかかり、半導
体装置の信頼性が低い。 【解決手段】 半導体外囲器用蓋３０の、少なくとも外
囲器本体２０との接合箇所に金属３１を、その他の部分
にセラミックス３２を併用する部分複合構造を採用し
た。成形性〜半田付け性は金属の特徴を生かす一方、そ
の熱膨張は積層されたセラミックスが抑制する結果、半
導体装置の信頼性が増大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外囲器用蓋との接
合の信頼性が優れた半導体装置ならびに外囲器用蓋に関
するものである。
合の信頼性が優れた半導体装置ならびに外囲器用蓋に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体外囲器の蓋は、半導体チップを納
めた外囲器を気密に封止し、半導体チップの機械的保護
を図るためのもので、従来はアルミナその他のセラミッ
クス、または鉄−ニッケル系合金例えばＷＨ社のＫＯＶ
ＡＲ，ＧＥ社のＦＥＲＮＩＣＯ（何れも商品名）などの
金属で作られていた。図２のようにこの蓋（３０）は、
セラミックスの外囲器本体（２０）に半田付け，ろう接
などにより気密に接合して使用される。なお図中の他の
符号は後述する実施例（図１）と同一である。
めた外囲器を気密に封止し、半導体チップの機械的保護
を図るためのもので、従来はアルミナその他のセラミッ
クス、または鉄−ニッケル系合金例えばＷＨ社のＫＯＶ
ＡＲ，ＧＥ社のＦＥＲＮＩＣＯ（何れも商品名）などの
金属で作られていた。図２のようにこの蓋（３０）は、
セラミックスの外囲器本体（２０）に半田付け，ろう接
などにより気密に接合して使用される。なお図中の他の
符号は後述する実施例（図１）と同一である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】セラミックスは所望の
蓋状に成形したり蓋の上に放熱フィンを取り付ける際の
加工が難しく、機械的に破損し易いことなどの問題があ
り、また半田付けに際しては接合箇所にメタライズなど
表面金属化の前処理を施す必要がある。
蓋状に成形したり蓋の上に放熱フィンを取り付ける際の
加工が難しく、機械的に破損し易いことなどの問題があ
り、また半田付けに際しては接合箇所にメタライズなど
表面金属化の前処理を施す必要がある。
【０００４】一方金属・合金の場合は加工性は良いもの
の、放熱性が劣ること、熱膨張率が外囲器本体のセラミ
ックスに比べて大きいために接合の信頼性が悪く、その
対策として機械的逃げ、応力緩和用の溝を設ける必要が
あるなどの問題があった。
の、放熱性が劣ること、熱膨張率が外囲器本体のセラミ
ックスに比べて大きいために接合の信頼性が悪く、その
対策として機械的逃げ、応力緩和用の溝を設ける必要が
あるなどの問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る蓋は、少な
くとも外囲器本体との接合箇所には金属を、その他の部
分にセラミックスを併用することにより、接合箇所にお
ける熱歪みを抑制するとともに、金属の加工性，半田付
け性その他の特性とセラミックスの放熱性などを併せ持
たせたものである。この構成により両材質の長所を生か
し短所を補った結果、接合の信頼性が著しく改善された
半導体装置を提供することができる。
くとも外囲器本体との接合箇所には金属を、その他の部
分にセラミックスを併用することにより、接合箇所にお
ける熱歪みを抑制するとともに、金属の加工性，半田付
け性その他の特性とセラミックスの放熱性などを併せ持
たせたものである。この構成により両材質の長所を生か
し短所を補った結果、接合の信頼性が著しく改善された
半導体装置を提供することができる。
【０００６】本発明の実施に際し、蓋の主要部を構成す
る金属は所要の形状に形成する際の加工性，外囲器本体
との半田付け性，蓋に貼り合わせるセラミックスとの接
合性などを勘案して選ばれるが、前述の鉄−ニッケル系
合金のほか銅，鉄，ニッケルおよびアルミニウムなどの
金属またはこれらの合金が適している。
る金属は所要の形状に形成する際の加工性，外囲器本体
との半田付け性，蓋に貼り合わせるセラミックスとの接
合性などを勘案して選ばれるが、前述の鉄−ニッケル系
合金のほか銅，鉄，ニッケルおよびアルミニウムなどの
金属またはこれらの合金が適している。
【０００７】また蓋に貼り合わせるセラミックスとして
は、従来から外囲器本体やその蓋に用いられているアル
ミナ，窒化アルミニウム，窒化ホウ素および窒化ケイ素
から適宜に選ばれるが、外囲器本体の構成材と同質のも
のがより好ましい。なお金属との組み合わせについて
は、ここに列挙した各材料の範囲内であれば、本発明の
実施にとくに不適当な組み合わせはない。
は、従来から外囲器本体やその蓋に用いられているアル
ミナ，窒化アルミニウム，窒化ホウ素および窒化ケイ素
から適宜に選ばれるが、外囲器本体の構成材と同質のも
のがより好ましい。なお金属との組み合わせについて
は、ここに列挙した各材料の範囲内であれば、本発明の
実施にとくに不適当な組み合わせはない。
【０００８】
（実施例１） 先ず厚さ０．１５ｍｍの無酸素銅箔を用
意して、その上に厚さ０．５ｍｍ，縦横それぞれ２０ｍ
ｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）薄板を載せて温度１０
７５℃の窒素雰囲気炉に入れ、両者をＤＢＣ法（銅直接
接合法）により接合した。次にセラミックス面が蓋の内
側，即ち半導体側に来るようにして銅箔を絞り加工し、
外形が２５ｍｍ角の蓋状に成形した。
意して、その上に厚さ０．５ｍｍ，縦横それぞれ２０ｍ
ｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）薄板を載せて温度１０
７５℃の窒素雰囲気炉に入れ、両者をＤＢＣ法（銅直接
接合法）により接合した。次にセラミックス面が蓋の内
側，即ち半導体側に来るようにして銅箔を絞り加工し、
外形が２５ｍｍ角の蓋状に成形した。
【０００９】次にこの蓋を、半導体チップを装着した窒
化アルミニウム製の外囲器本体に被せ、ＡｕＳｎ半田を
用いて所定の温度，雰囲気（３２０℃，窒素雰囲気）で
接合した。外囲器本体の外形は２５ｍｍ角、厚さ２ｍ
ｍ，導体の積層数６であり、蓋との接合部には気密封止
用のＡｕ電極が、半導体チップの載置される反対側には
０．６７５ｍｍ直径の入出力用電極が１．０ｍｍピッチ
で形成されている。図１はかくして得られた半導体装置
の概略を示す断面図で、（２０）は半導体チップ（１
０）を保持する外囲器本体，（２１）は気密封止用電
極，（２２）は入出力用電極である。蓋（３０）は銅箔
を絞り加工した金属部材（３１）の天面内側にセラミッ
クス部材（３２）が接合された部分積層構造になってい
る。このため、蓋の大部分を占める天面部の熱膨張がセ
ラミックス部材により拘束される結果として蓋全体の熱
膨張が緩和され、外囲器本体との接合部に及ぼす影響
（熱歪み）が減少する訳である。
化アルミニウム製の外囲器本体に被せ、ＡｕＳｎ半田を
用いて所定の温度，雰囲気（３２０℃，窒素雰囲気）で
接合した。外囲器本体の外形は２５ｍｍ角、厚さ２ｍ
ｍ，導体の積層数６であり、蓋との接合部には気密封止
用のＡｕ電極が、半導体チップの載置される反対側には
０．６７５ｍｍ直径の入出力用電極が１．０ｍｍピッチ
で形成されている。図１はかくして得られた半導体装置
の概略を示す断面図で、（２０）は半導体チップ（１
０）を保持する外囲器本体，（２１）は気密封止用電
極，（２２）は入出力用電極である。蓋（３０）は銅箔
を絞り加工した金属部材（３１）の天面内側にセラミッ
クス部材（３２）が接合された部分積層構造になってい
る。このため、蓋の大部分を占める天面部の熱膨張がセ
ラミックス部材により拘束される結果として蓋全体の熱
膨張が緩和され、外囲器本体との接合部に及ぼす影響
（熱歪み）が減少する訳である。
【００１０】かくして得られた半導体装置について、Ｈ
ｅ気密試験を実施した結果、１０-8ａｔｍ．ｃｃ／ｓｅ
ｃ以下の高い気密性が確保できた。この値は、初期気密
度として実用上十分なものである。またΔＶｂｅ法によ
る熱抵抗を測定した結果、半導体動作部〜大気間の熱抵
抗は１３℃／Ｗであった。この値は窒化アルミニウムセ
ラミックスの蓋を使用した場合と放熱性がほぼ同等であ
ることを示し、一方、金属（ＫＯＶＡＲ…商品名）製の
蓋の場合よりは１０℃／Ｗ優れている。
ｅ気密試験を実施した結果、１０-8ａｔｍ．ｃｃ／ｓｅ
ｃ以下の高い気密性が確保できた。この値は、初期気密
度として実用上十分なものである。またΔＶｂｅ法によ
る熱抵抗を測定した結果、半導体動作部〜大気間の熱抵
抗は１３℃／Ｗであった。この値は窒化アルミニウムセ
ラミックスの蓋を使用した場合と放熱性がほぼ同等であ
ることを示し、一方、金属（ＫＯＶＡＲ…商品名）製の
蓋の場合よりは１０℃／Ｗ優れている。
【００１１】次にＴＣＴ信頼性試験（−６５℃〜１５５
℃冷熱サイクル，ΔＴ＝２００℃）を行なった結果、５
００サイクル経過後でも気密性および半田付けの接合部
に異常はなかった。この結果はセラミックス蓋を使用し
た場合の寿命と同等であり、また金属（ＫＯＶＡＲ）の
蓋の場合の限界２００サイクルに比べて大幅に寿命が延
びている。即ち本発明に係る蓋は半田付け性は金属材と
同等，放熱性、信頼性はセラミックスと同等で、従来材
の優れた点のみを併せ持つことが実証された。
℃冷熱サイクル，ΔＴ＝２００℃）を行なった結果、５
００サイクル経過後でも気密性および半田付けの接合部
に異常はなかった。この結果はセラミックス蓋を使用し
た場合の寿命と同等であり、また金属（ＫＯＶＡＲ）の
蓋の場合の限界２００サイクルに比べて大幅に寿命が延
びている。即ち本発明に係る蓋は半田付け性は金属材と
同等，放熱性、信頼性はセラミックスと同等で、従来材
の優れた点のみを併せ持つことが実証された。
【００１２】（実施例２） 上述の実施例１における銅
箔（３１）と窒化アルミニウム薄板（３２）との接合を
ＤＢＣ法から活性金属法に変え、そのほかは実施例１と
同様にしたたもので、即ちＴｉおよびＴｉ化合物を含む
ペーストを用いて、蓋を構成する両部材の接合を行なっ
た。
箔（３１）と窒化アルミニウム薄板（３２）との接合を
ＤＢＣ法から活性金属法に変え、そのほかは実施例１と
同様にしたたもので、即ちＴｉおよびＴｉ化合物を含む
ペーストを用いて、蓋を構成する両部材の接合を行なっ
た。
【００１３】かくして得られた試料について実施例１と
同様に評価試験を実施した結果は、実施例１の場合と殆
ど同一のデータが得られ、実施例１と同じく本発明の有
用性が確認された。これはまた、構成部材に変更がなけ
れば、接合方法を変えても蓋自体の諸特性に格別の変化
は生じないことを意味するものである。
同様に評価試験を実施した結果は、実施例１の場合と殆
ど同一のデータが得られ、実施例１と同じく本発明の有
用性が確認された。これはまた、構成部材に変更がなけ
れば、接合方法を変えても蓋自体の諸特性に格別の変化
は生じないことを意味するものである。
【００１４】（実施例３） 先ず厚さ０．２５ｍｍの無
酸素銅箔を用意して、その上に厚さ０．２ｍｍ，縦横そ
れぞれ３７ｍｍの窒化ケイ素セラミックス（ＳｉＮ）薄
板を載せて、両者を活性金属法により接合した。即ち、
窒化チタンとタングステンの粉末を含むペーストをＳｉ
Ｎ薄板に印刷して、銅箔の所定の位置に貼り合わせ、こ
れを温度１０００〜１０８３℃の窒素雰囲気炉に通して
両者を接合した。次にセラミックス面が蓋の内側，即ち
半導体側に来るようにして銅箔を絞り加工し、所要の蓋
を成形した。蓋の内側の高さは１ｍｍで、半導体チップ
の厚さ０．４５ｍｍおよびワイヤーボンディングに十分
なスペースになっている。
酸素銅箔を用意して、その上に厚さ０．２ｍｍ，縦横そ
れぞれ３７ｍｍの窒化ケイ素セラミックス（ＳｉＮ）薄
板を載せて、両者を活性金属法により接合した。即ち、
窒化チタンとタングステンの粉末を含むペーストをＳｉ
Ｎ薄板に印刷して、銅箔の所定の位置に貼り合わせ、こ
れを温度１０００〜１０８３℃の窒素雰囲気炉に通して
両者を接合した。次にセラミックス面が蓋の内側，即ち
半導体側に来るようにして銅箔を絞り加工し、所要の蓋
を成形した。蓋の内側の高さは１ｍｍで、半導体チップ
の厚さ０．４５ｍｍおよびワイヤーボンディングに十分
なスペースになっている。
【００１５】次にこの蓋を、半導体チップが装着された
窒化アルミニウム製の外囲器本体に被せ、ＡｕＳｎ半田
を用いて所定の温度，雰囲気（３２０℃，窒素雰囲気）
で接合した。外囲器本体の外形は４０ｍｍ角、厚さ３ｍ
ｍ，導体積層数１０であり、蓋との接合部には厚さ４μ
ｍのニッケル下地の上に厚さ４μｍのＡｕ電極（気密封
止用）を鍍金して、半田が濡れやすい状態にしてある。
半導体チップの載置される反対側には０．３５ｍｍ直径
の入出力用Ａｕ電極が０．８ｍｍピッチで形成されてい
る。
窒化アルミニウム製の外囲器本体に被せ、ＡｕＳｎ半田
を用いて所定の温度，雰囲気（３２０℃，窒素雰囲気）
で接合した。外囲器本体の外形は４０ｍｍ角、厚さ３ｍ
ｍ，導体積層数１０であり、蓋との接合部には厚さ４μ
ｍのニッケル下地の上に厚さ４μｍのＡｕ電極（気密封
止用）を鍍金して、半田が濡れやすい状態にしてある。
半導体チップの載置される反対側には０．３５ｍｍ直径
の入出力用Ａｕ電極が０．８ｍｍピッチで形成されてい
る。
【００１６】かくして得られた半導体装置について、Ｈ
ｅ気密試験を実施した結果、１０-8ａｔｍ．ｃｃ／ｓｅ
ｃ以下の高い気密性が確保できた。この値は、初期気密
度として実用上十分なものである。また、ΔＶｂｅ法に
よる熱抵抗を測定した結果、半導体動作部〜大気間の熱
抵抗は８℃／Ｗであった。この値は、窒化ケイ素セラミ
ックスの蓋を使用した場合と放熱性がほぼ同等であるこ
とを示し、一方、金属（ＫＯＶＡＲ…商品名）製の蓋の
場合よりは１５℃／Ｗ優れている。
ｅ気密試験を実施した結果、１０-8ａｔｍ．ｃｃ／ｓｅ
ｃ以下の高い気密性が確保できた。この値は、初期気密
度として実用上十分なものである。また、ΔＶｂｅ法に
よる熱抵抗を測定した結果、半導体動作部〜大気間の熱
抵抗は８℃／Ｗであった。この値は、窒化ケイ素セラミ
ックスの蓋を使用した場合と放熱性がほぼ同等であるこ
とを示し、一方、金属（ＫＯＶＡＲ…商品名）製の蓋の
場合よりは１５℃／Ｗ優れている。
【００１７】次にＴＣＴ信頼性試験（−６５℃〜１５５
℃冷熱サイクル，ΔＴ＝２２５℃）を行なった結果、３
００サイクル経過後でも気密性および半田付けの接合部
に異常はなかった。この結果はセラミックス蓋を使用し
た場合の寿命と同等であり、また金属（ＫＯＶＡＲ）の
蓋の場合は１００サイクルで不良を生じたのに比べて大
幅に寿命が延びている。即ち本発明に係る蓋は半田付け
性は金属材と同等，放熱性、信頼性はセラミックスと同
等で、従来材の優れた点のみを併せ持つことが実証され
た。
℃冷熱サイクル，ΔＴ＝２２５℃）を行なった結果、３
００サイクル経過後でも気密性および半田付けの接合部
に異常はなかった。この結果はセラミックス蓋を使用し
た場合の寿命と同等であり、また金属（ＫＯＶＡＲ）の
蓋の場合は１００サイクルで不良を生じたのに比べて大
幅に寿命が延びている。即ち本発明に係る蓋は半田付け
性は金属材と同等，放熱性、信頼性はセラミックスと同
等で、従来材の優れた点のみを併せ持つことが実証され
た。
【００１８】（実施例４） 実施例３における外囲器本
体の材質を窒化ケイ素セラミックス単板に変え、蓋と外
囲器本体との接合に６４Ｓｎ／Ｐｂ共晶半田を用いた半
導体装置を作製した。
体の材質を窒化ケイ素セラミックス単板に変え、蓋と外
囲器本体との接合に６４Ｓｎ／Ｐｂ共晶半田を用いた半
導体装置を作製した。
【００１９】この半導体装置についてＨｅ気密試験，Δ
Ｖｂｅ法による熱抵抗の測定およびＴＣＴ信頼性試験
（上記実施例３と同一条件）を行なった結果、気密性は
１０-8ａｔｍ．ｃｃ／ｓｅｃ以下，熱抵抗は８℃／Ｗで
あり、信頼性については３００サイクル経過後も気密性
および半田付けの接合部に異常は認められず、実施例３
の場合と同様の優れた結果が得られた。なお、以上の各
実施例ではセラミックス部材（３２）を蓋の内側に設け
た実施態様を説明したが、これを図３のように、蓋の外
側に設けることも可能である。
Ｖｂｅ法による熱抵抗の測定およびＴＣＴ信頼性試験
（上記実施例３と同一条件）を行なった結果、気密性は
１０-8ａｔｍ．ｃｃ／ｓｅｃ以下，熱抵抗は８℃／Ｗで
あり、信頼性については３００サイクル経過後も気密性
および半田付けの接合部に異常は認められず、実施例３
の場合と同様の優れた結果が得られた。なお、以上の各
実施例ではセラミックス部材（３２）を蓋の内側に設け
た実施態様を説明したが、これを図３のように、蓋の外
側に設けることも可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明に係る半導体
外囲器用蓋は熱伝導率が高く、外囲器本体との接合部は
金属で半田付け性が優れ、しかも熱膨張率が外囲器本体
のセラミックスと近いために、本発明の実施により半導
体装置の信頼性を著しく高めるという効果を得ることが
できる。
外囲器用蓋は熱伝導率が高く、外囲器本体との接合部は
金属で半田付け性が優れ、しかも熱膨張率が外囲器本体
のセラミックスと近いために、本発明の実施により半導
体装置の信頼性を著しく高めるという効果を得ることが
できる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の概略構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来の半導体装置の概略構成を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例に係る半導体装置の概略構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
１０ 半導体チップ ２０ 外囲器本体 ３０ 外囲器の蓋 ３１ 金属部材 ３２ セラミックス部材 ３３ 半田（半田付け部） ２１ 気密封止用電極 ２２ 入出力用電極 ２３ 信号，電源，接地電極 ２４ ボンディングワイヤー
Claims (10)
- 【請求項１】 セラミックスおよび金属の複合体からな
る外囲器用蓋を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 外囲器用蓋のセラミックスがアルミナ，
窒化アルミニウム，窒化ホウ素または窒化ケイ素であ
る、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 外囲器用蓋の金属が銅，鉄，ニッケルお
よびアルミニウムの少なくとも１種の金属またはこれら
の合金、またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金である請求項１ま
たは請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 外囲器用蓋のセラミックスが窒化アルミ
ニウム，窒化ホウ素または窒化ケイ素であり、金属が
銅，鉄およびアルミニウムの少なくとも１種の金属また
はこれらの合金、またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金である、
請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 セラミックスおよび金属の複合体からな
ることを特徴とする半導体装置の外囲器用蓋。 - 【請求項６】 セラミックスが窒化アルミニウム，窒化
ホウ素または窒化ケイ素であり、金属が銅，鉄およびア
ルミニウムの少なくとも１種の金属またはこれらの合
金、またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金である、請求項５に記
載の半導体装置の外囲器用蓋。 - 【請求項７】 セラミックスと金属の接合が銅直接接合
（ＤＢＣ）法またはこれと同一原理の接合法による、請
求項６に記載の半導体装置の外囲器用蓋。 - 【請求項８】 セラミックスと金属の接合が活性金属法
による、請求項６に記載の半導体装置の外囲器用蓋。 - 【請求項９】 蓋の用途がモジュール用である、請求項
５，請求項６，請求項７または請求項８に記載の半導体
装置の外囲器用蓋。 - 【請求項１０】 蓋の四周が金属、蓋の天面が金属とセ
ラミックスの積層材からなる、請求項５，請求項６，請
求項７，請求項８または請求項９に記載の半導体装置の
外囲器用蓋。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25398895A JPH0997855A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25398895A JPH0997855A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997855A true JPH0997855A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17258713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25398895A Pending JPH0997855A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239010B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-07-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25398895A patent/JPH0997855A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239010B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-07-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
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