TW551017B - Transmission line-typed component - Google Patents

Description

551017 五、發明說明（l) 【技術領域】 本發明係一種主要作盍 ^ 合器（去耦人；^ ^ ^ 、、：半^體切換電路的高頻去耦 « ^云耦σ兀件，所謂的去耦器 於作為具有高诘、古相兩Α 7 W用电于7G件，尤關 半導體封妒之雷弹:’而；兀件之數位用印刷電路基板及 牛*體封m源線而所裝載之傳輸線路型元件。 【習知技術】 如習知LSI (大型藉轉蕾？々、μ interference，電磁干擾） 本身》iL 1 #* # I π π Γ )將對叙載有基板的電子設備 :身4其他電子设備引起如誤動作的問題，這是眾所週知 於所ί ^ J ίI:雜訊的發生佔特別大的比重是，起因 高頻源，且被稱Α幻:ί 視為基準電位而產生的 定的菸哇盾闵X 、/、果雜讯的電磁雜訊。此共模雜訊所推 因並不具$电i姑二因眾夕，各個之產生機構亦是複雜， 卫不易5茱求在接近發生源夕滲 模雜訊的主要傳送線路戋將：射：’子朿’通常對於共 對策和防止幅射之對策疋巾田射天線的電窺採取防玫漏 相對於此，在高φ 、m ^ , 因之 速電路裡的共模雜訊發生的最大的原 的高速、高頻電路元件的叙載在印刷電路基板 起因於高速、高頻電為了獲得像這樣 疋件的n頻電流的EM I抑制效果的

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技術開發正進行中，亦可以舉出一種習知技術，例如在曰 本特開平9- 1 39573號公報所揭示的多層印刷電路基板及曰 本特開平1 1 - 4 0 9 1 5號所揭示的多層印刷電路基板。 “ 這些技術，使對於裝載在印刷電路基板的高速、高頻 ，路元件的直流電流之供給，藉由中途插入於高頻時具有 咼阻抗的感應體來進行，或藉由中途已插入特性阻抗高的 j路（以下稱為去|馬合感應體）來進行的同時，與此相配 =，更藉由在高速、高頻電路元件的電源供給線及地線間 、，接上一電容（以下稱為旁通電容），使位在高速、高頻 電路凡件的高速、高頻動作平滑地進行，所以能夠防止因 此而產生之南頻電源電流朝印刷電路基板整體的擴散。 圖10所示的是具有習用之EMI抑制效果的去耦合電路 的基本構造（表示日本特開平9— 1 3 9573號公報所揭示的 EMI抑制效果的技術原理的等效電路）。 端 對 時

此一去耦合電路的情形，在和直流電源丨〇之間輸入 、輸出端分別藉由供給線8、地線所連接到的LSI6上， 電，供給線8插入由線圈L所構成的去耦合感應體22之 丄精由在電源供給線8、地線9間插入靜電電容c的旁通 容1 9而構成電源電路。 但疋’對於包含如此的 述的高頻電源電流的對策方 在實用面上，不考慮實質伴 速、咼頻動作而發生的高頻 生及未達到抑制其發生之技 去輕合電路（電源電路）之上 面’從技術的觀點即使正確， 隨著高速、高頻電路元件的高 電源電流（高頻電源電流的發 術完全未揭示），且在實際執

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五、發明說明（3)

行時必須在每一個LSI上設計好去耦合感應體及旁通電容 之參數’且在市場上販售的電容之特性並不追隨Ls I的^ 速化，所以適用化還是困難的等等，還存有相當多的課N 題。 田 = 另 方面’在這樣的電源電路即使沒有相當多的課 題，因有必要使數位電路的高速化有進展，所二取代上 之去耦合電路（電源電路），且能謀求目前高頻電源電二 的對策之較實用化及較容易之技術正研究開發中。一種= 認為與此技術相關聯之習知技術，可列舉完備了在日 子 願平1 1 -229 525號所提案之直流電源供給線路的 八特 電質多層印刷電路基板。 呵；1 “此技術對裝載在如印刷電路基板的LS I等的高速、高 頻電路元件而言，在理想的電源形態之寬頻帶域，藉由^ 置具有内部阻抗值非常小的直流電源於每一高速、高頻^ 路7G件，使伴隨著高速、高頻電路元件的高速、高頻動 2發生的高頻電源電流平滑地流動，其結果是可抑制俨號 J =歪料藉由直流電源的共用使電壓安定而“ 1示回逑、尚頻電路元件間的相互干涉。 仏 ： 不，疋莨用> /、〜一 i 双禾的罝流電g =線路之内含高介電質多層印刷電路基板的主要構造。 k在日本特願平11-229525號所提出之案） =含高介電質多層印刷電路基板為如τ述之構造， ，角洛所裝載之一直流電源10，藉由分別以不同引線性 χ斤形成之7條電源供給線8〜8u來連接7個|^16}1~611的同

551017 五、發明說明（4) 時’對各LSI 6h6〜6n分別作表面安裝再連接已接地的7個旁 通電容19a〜19b。 如圖1 2所示是於此一内含高介電質多層印刷電路基板 主要部分基本構造之侧視剖面圖。 在此内含高介電質多層印刷電路基板上，具體實現了 低阻抗的線路構造，包括··形成電源供給線8的電源供給 層介於由南介電率絕緣材料4所構成之高介電率絕緣材料 層之間且藉由形成地線9的地平面層從兩侧夾住的部分， 與此一部分介於聚脂膠片絕緣層2丨之間且藉由信號層2 〇從 兩侧夾住的部分。 此一於内含高介電質多層印刷電路基板方面，伴隨著 南速、高頻電路元件的高速、高頻動作而發生的高頻電源 發生之技術尚未完全揭*，所以可認為去搞 δ感應體及旁通電容之高頻特性不足夠，纟即使如此 會為了避免高頻電源電流的影響，在實用性上是可易於採 用之凡件，不依存於LSI6h〜6n形態及使用 可LSI6h〜6η的高速、高頻動作夕堂、區糾^ 卞表兀備了 為其特色。 门肩動作之電源供給線8〇〜8u的要點

以上所述之具有EMI抑制效果的去耦合電 有直流電源供給線路的内含高介電 元J 情況，被導入至去麵合電路層：刷電路基板 高速、高頻電路元件的高速、高頻化谷=於LSI等 技術上的進步較落後所以還有特性 技術及構 電質多層印刷電路基板之高介電率絕缘3料用於内含高 巴、、象材枓，對一般的

551017 五、發明說明（5) 璃環氧樹脂為主成分的印刷電路其 有部分使用之必要，而現狀的印；絕緣材料 大的改變，要實用化還需相當長 程伴隨著 如何’欲將於⑶等的高速、高頻 為：S，但不管

:::所發生的-頻電源電流的影響減少的確是不可；J 具體地說明旁通電容的特性之 於個人電腦的CPU之切換頻率已高至超過〗5 ’列如最近用 ；^„ .LSI t, t , ^ =在電容技術多使用旁通電容，而此〇iuF程二波電 數十MHz以下’且電容之電極樣式和引線 :構成之電感成分將串聯地存在於電 串聯電感ESL )，因此以和電m二Ύ (具有4效 'u此以和電谷的關係所決定的串聯共振 ίίί 即’超越數十MHZ之頻率之上將變為以電感 , 备此舉將損及基本性能。今後若欲將數位電路高…速 u m i電容之高頻化及S寬頻帶區域的低阻抗成為必 、、1 ，所以在不久的將來，共振頻率在超越GHz的同 、Γ制覓頻f區域具有顯示低阻抗特性的大容量且小型構 ，之製品，在實用性的產品已開發後，能在市場上得手的 機率極低。 【發明之概述] 本發明之目的即是在解決此一問題點，其技術課題係 曰供一種可容易確實地避免在高速、高頻電路元件的高

551017 五、發明說明（6) 速、向頻動作時發味6古 、 線路型元件。 、同’、電源電流的影響之低阻抗傳輪 又’本發明的另一技術鍥 3 制效果的直流電源供給線路7獒供一種具有肫1抑 EM I抑制效果即Λ 、、、 冓w之傳輸線路型元件，該 產生的共模雜訊；1 1起因於半導體LSI的高頻電源電流所 根據本發明，可得丨一 圓柱狀或圓筒狀之内部導體，：J線路型元件，其包含·· 軸方向延伸；及κ 冰 冷電性材料所形成，朝單 的導電性材料ΐη部導體’由較内部導體直徑大 導體共軸配置覆蓋於°卩導體隔著絕緣材料與該内部 路，該同軸線路:特性阻表面上，而形成同軸線 又，依據本；：=為rw以下的低值。 導體係由以下三部份：：：：輸線路型元件中，該内部 料所覆蓋之處；第2部分二者部份，即由絕緣材 料的端部而朝向外 自 '-弟1。卩分覆蓋於該絕緣材 與該外部導體相同直===部分；及第3部分，即 導體側的部分。 攸°亥弟2部分延伸至接近該外部 部導體表二對^ 2 :到之傳輸線路型元件中，在該外 以凹凸化處理成為可維持而將其施 狀。 P幵电/瓜傳播的一致連續性般之形 再者，依據本菸明％〜, ^ 外部導體表面之對二 侍到之傳輸線路型元件中，於該 、"之局部，絕緣材料在以該凹凸化處理

第12頁 五、發明說明（7) 所形成之凹部處露出 型元件中方：絕二述任-傳輪練路 數者，更甚者是絕緣材料宜採用1^=£域顯不南介電常 常數1 00以上者。 彳木用在頻率1MHz時為相對介電 型二方：缘得到之前述任-個傳輸線路 者。在此-傳採：ί頻帶區域呈現大介電質損失 率傳送損失的特性中之斜率tand為1%=it用對使用頻 中，嗜被^ 2:月所侍到之财述任-個傳輸線路型元件 質所ΐί Hi，内部導體及外部導體的包含介電 貝斤形成之波長壓縮效果的等效，^ ^ ^ ^ ^ ^ 的波長之1/4更充分長之值。 為車乂所&加之電磁波 中，：配：ί ΐι Γ所付到之别述任一個傳輸線路型元件 可使供給至半導體切換電路的直，：電：二為 100mW以下之值。 电源電机充分流過的 中ί徨ίίΐ發明所得到之前述任—個傳輸線路型元件 中，邊傳輪線路型元件係被使用作為耦合於半導體切換電 路的直流電源分配電路的高頻去耦合器。 、 又，依據本#明所得到之前述任—個#冑線路型元件 551017 五、發明說明（8) 中’该傳輸線路型元件孫址 件係被串縢插入於印刷電路基板的電 源供給線。 【較佳實施例之詳細說明】 茲將參照附圖，以# H日士& nn 考符號指示類似的元件本^ °在圖示中，相似的參 的其f — 是土表不本毛明例一實施例相關之傳輸線路型元件 、土本構以，（a )是有關於外觀立體圖，（b ) 面平行的剖面』 有關於對在⑷的Η’線方向之端 導乂、:Ϊ輸線路型元件1為印刷電路基板裝載用，被半 成之單子元件，.為要覆蓋朝向由導電性材料； 絕緣材料4之間，且視為二 =2直 :線路的特性阻抗為1嶋以下的低值之傳V::;;同 其中，訊號導體2，以高介電當| pu " 處為第1部分，且從該第i部分覆蓋/''Ί材料4所覆蓋之 向接地導體3側的第2部分，以及；用二’”材料的端部而朝 直徑而從該第2部分貼近該接地導^與：接地導體3相同 3部分，使此3部分為一體而構成則J目標所延伸的第 成之但有關訊號導體2及 第14頁 551017 五、發明說明（9) 接地導體3可如下說明··若因 ^ ^ 出的導體部分視為外部導體的咭，的構成而將在外部露 和在訊號導體2的第2部分及第3° Λ ’八由在此處的接地導體3 為外部導體，在這些外部導體σ卩分所構成的3個部分將成 和成為内部導體的第i部分的訊號導體2的第2部分將 疋電性連接夕m、生 如此，外部導體被分離為3 ^構&。 基板的搭載用電極，且若 /刀而形成對印刷電路 體以電性連接之構成的話]容:f $端部且作為與内部導 上的半導體切換電路的直产聯裝截在印刷電路基板 合器（去輕器）。 L電源分配電路而作為高頻去輕 不笞如何，此一傳送線路 體3表面的對向之局部上，件1的情況，於接地導 傳播的一致連續性般之形狀、，、少表、面積變大而以維持電流 部，露出絕緣材料4，以此，炎在^以凹凸化處理所形成之凹 極的電極端子5將被形成。”、、安凌到印刷電路基板之電 以=，若欲將接地導體3的表 來看，將使同軸線路長變#们居，以、纟口果 之一致連續性。凹凸冗 可維持元件的電流傳播 二所；電流傳播之-致連續性是意味不；ί起：：； 化處理而在傳播路徑上的反射。 不个㈢W起因凹凸 又’高介電常數絕緣材料4 成且在嘗頫鹛Fg曰科4疋作為薄的中間層而構 . ’ 域呈現出高介電常數及大的介電質損失， 用噸i10。以上的同時，呈現出對使 用頻率傳运抽失的特性中之斜率tand㈣以上。 551017 五、發明說明（ίο) 如此，為了使電源供給線之特性阻抗八 f數絕緣材料4變薄’且若在寬頻帶區域呈現出高介-電常 數及大的介電質損失的g，更能將傳送線路的特 充變 低’把從半導體切換電路的高頻電源電流在元件内部使立 失，且可以使不浅漏到外部，此時在線路利用上 的終端處理將變得不需要。又，對於印刷電路基板 的直•電源之t源供、給、線之阻抗相較於傳送線路型元件i 的特性阻抗，若設計成非常高的值的話，以阻 = 減少’此舉將可防止高頻電源電流 耦&到印刷電路基板上的其他電路（LSI)及外部器 而在連接電纜上成為共模電流而漏出之情形。 σ °° 並且’使配置成同軸狀的訊號導體 長ι縮效果的等效長，為 3的電阻值則為可使供认至^ f 體2及接地導體 流充分流過的m::;;公體切換電路的直流電源電 如此，若使訊號導體2及接地導 成之波長壓縮效果的等效乒，★λ町匕3"電貝所形 1/4還要長許多 丈長比所：加之電磁波的波長之 以下之夯八/丨Μ # ;寬頻贡區域内之特性阻抗為io〇mw 高：：：元：：3::刷，路基板上晴 來處理，高速、“g:f 〃由疋’為旎視為集總常數 巧頻電路元件的LS I側之配線長，若未設

_ 第〗6頁 551017 五、發明說明（11) 計比高頻電源電流的波長衰要 激勵源（Excitation^還要小认 的話，以^為 邱八都/ μ % κ 4 〇urce)的南頻電源電流之幾乎大 i ;，相二ί相當t之元件部品⑽1側連接端反射 電浐泣到料(4阳；:5相較有可能是因為大部分的高頻電源 I 1 σ上述矾號導體2及接地導體32的電阻值須 為，可足夠驅動供給於半導體切換 10 0mW以下。 吩日]直抓冤/瓜之 、原二2載此一傳送線路型元件1的印刷電路基板的電 :常=丄】 傳送線路型元件1侧阜為止以視為集 二 線連接，傳送線路型元件1的相反側 阜（直&電源侧）為全面平板的平面構造。 造之用意為，從LSI來之高頻電源電流在傳送 ”件阜反射，或—部份即使進入傳 線路型元件i外部為= V旦以不糊傳送 丄從直流電源的受電部每-適當規模的電 造來構成。 抓用以直流電壓降較小之線路構 使傳送線路型元件U低阻抗 裝載到印刷電路基板上的LSI等 構之的里：疋對 涉及到寬頻帶區域，且有相當小 ===、:γγ源’在每-高速、高頻電路元件 所被6又置的構…用a ’使伴隨著高速、高頻電路元：

第17頁 551017 五、發明說明（12) 二f動作而發生的高頻電源電流平滑地流動，其 ; 制信號波形的歪斜，還可藉由直流電源的共 1使電i女疋而能排除高速、高頻電路元件間的相互 涉。 1 外供ΪΪ1電源獨立地設置不但會增加電路零件數’增大 寸’·會提高故障率這樣的㈣因而不實 ;將：加特殊情況’ *比較小規模的電子設備上， 用的：：【1壓之電源匯集於一個’例如印刷電路基板 :的源，是以印刷電路基板和已獨立的單元來產 θi疋以沒有被想到有關高頻的引線來供給。 因此，將傳送線路型元件】串聯插入到印刷° 的電源供給線上的話，可將供給給印刷電^席電路基^反 電路基板内以接近理想之型態供賴;= 另外’♦說明過了，在上述之傳送線路型元件！上，把 體”號導體2 (上述之第一部份）視為圓筒 、、,’二:在部份視為圓柱狀。χ，說明過了，上述之傳 :線=:们裝載在印刷電路基板的情況，亦能將如此 可裝載在半導體封裝内的電源分配回 期i J ΐ ί 若在離高頻之近處裝載元件的話，可 /月待有更好的效果，藉由適用習用之多層構造視為 ^ f板的電源層之構造，可使上述之印刷電路基板用 之電極構造之構成更加簡單。 衣戟用 圖2為表示與本發明的其他實施例有關之傳送線路型 第18頁 551017 五、發明說明（13) 元件1，之基本構成，同目（a)是有關於外觀立體 圖（b )是有關於側視剖面圖，同圖（ 。同 ⑷的A-A’線方向之端面平行的剖面圖有關於對在 此傳送線路型元件丨，之情況，也是半 的，以被半導體切換電路的直流電源分配回路所 頻去麵合器（去搞器）之適用電子元件（直接對⑶口呵 源引線及接地引線所連接之），為覆蓋專·之電 形成之單^方向的圓筒狀之内㉝導體的訊號導體==料 面，介於高介電常數絕緣材料4，之間，且^ ^ 體7徑大的導電性材料所形成之圓筒狀的外== 地T體3冑其裝配成同軸狀而形成同軸電路的同時 的特性阻抗構成視為1〇_以下的低值之傳輸：路 於此一傳送線路型元件丨，的情形時，和在圖 (c )所說明的一實施例之傳送線路型元件】相較，

之較早純構造：不具有將外部導體施以二γI 而子5，並非外部導體被分離之構 依序被配置成同軸狀。 叫夺。丨/、疋 _ 二Ϊ在此一傳送線路型元件Γ的情況時，高介電當 呈現出”4雷Λ為薄的中間層之構成，且在寬頻帶區域 介電常：二Λ 大的介電質損失，在頻率1μηζ時相對 特性中之斜率tand為1%以上，包含由吏配用://门达广失的 號導體2,及接地導體3，的介f = = =轴狀的訊 、斤幵/成之波長壓縮效果的 五、發明說明（14) 荨放長，可以得到比所施加 的（傳輪線路型元件）元件， 俨、；長之1/4還要長 阻值則為可足夠驅動供給於；接地導體3,的電 1 〇〇mW以下。另休.心、牛導體切換電路的直流電流之 已說明過了使内彳導^ 傳达線路型元件1，的情況時， 將此部份視導體2’為圓筒之形狀，亦可 而’上述之傳送線路型元六 在習用之電視、調頻器、行動爷1:!適合應用此技術 圓筒型t容器之製程技術。動電話專之同頻用途所使用之 的圓ΓΛν二用:觀傳搆送卞 圖⑻是有關在端面方二平面二⑷是有關側面圖，該 此圓筒型雷交哭、 士 Β 向的圓柱狀戋in Μ二Μ月σ由導電性材料形成之單軸方 口 ϋ狀Alll同狀的内部導 于 近旁的外側周邊局部的外之兩端部及除了其 成。在此所舉例^明2樹月3旨包覆層17配裝成同軸狀而構 長度L約為2. 〇mm，在雷^ =是在電極端子18的單軸方向之 分的寬度W約為〇 3 “亟端子18的單軸方向兩侧之露出部 無論如何傳3=_層17之直㈣約時。 充分地將傳送線路的特'mt丨、了在寬頻帶區域可 2(a)〜（c)所示，^性阻抗Z0 P牛低，如圖1(a)〜（c)及圖 之構造，以此亦；ί;微波等通訊設備所使用之同轴線路 圖4是將上述從傳送線路來的電磁場的 子上迷之傳輸線路型元件U，裝載在 第20頁 551017 五、發明說明（15) 基板上所構成的具有EM I抑制效果之去耦合電路的等效電 路圖。 此去耦合電路，是將已形成極低值的同軸線路之構成 勺傳輸線路型元件1，1 ，串聯插在被連接於印刷電路基 板上之DC電源阜的電源供給線8及地線9 *LSI6的電源阜 間，所以從LSI6產生的高頻電源電流幾乎會反射到LSI6的 電源阜上，因介電損失將會消耗入侵到傳輸線路型元件1 1’的一部份高頻電源電流，所以也就有了不會由電容器7’ f達外部的印刷電路基板上之電源供給線8上之功能/而 從直流，源（DC源）來的直流電源照樣通過而供給給LSI6。 附帶一提的是，在圖1 〇所說明之習用去耦合電路上之 旁通電容器19的裝載，對電源供給線8並聯插入於電源供 給線8及地線9間，而欲將傳輸線路型元件丨，丨，裝載至印刷 電路基板上時，則如圖4所示串聯插在電源供 9和則的電源阜間。如視為如此構造的話，丄及為地集線 總常數來處理，即使暫將LSI6及傳輸線路型元件丨，丨，

入端之配線長即使設計地比高頻電流之波長還要小則 = 1^1為激勵源（Excitation s〇urce)的高頻電源 幾乎大部分都在特性阻抗相當小之元件部品的LS 端被反射，Y解決與此相反如大部分的高頻電源電流流要 特性阻抗杈尚的電源供給線上之問題。 圖5是表示選定上述之傳輸線路型元件之任一 數個（總計7個）的傳輸線路型元件u七之後，裝載到\複數 個（總计7個）的LSI 6a〜6g被裴載之多層構造之印刷電路基

551017 五、發明說明（16) 板，且藉由電源供給線8a〜8g連接配線時之電源層局部的 配線構造之一例的平面圖。 在此之多層構造之印刷電路基板之電源層是表示，從 各1^168〜68的電源端子到傳輸線路型元件1&〜1^的 LSI 6a〜6g側之阜為止都被配線化且各電源供給線8a8g亦 會被裝配，而從在各傳送線路型元件la〜lg之直流電源1〇 側的相反侧到直流電源10為止，都將成為電源平板 (plane)8’ 。 在此多層構造之印刷電路基板，從各LSI6a〜6g的高頻 電源電流在各傳送線路型元件“〜〗g内部全藉、 被消滅所以不會洩到外部。 丨电相夭 入但，即使依此構造在各傳送線路型元件13〜1§内 失亦不足夠B夺，若干的高頻電源 可 到各傳送線路型元件la~lg外部。 頁了此洩出 圖6是表示選定上述之傳輸線路型元之 數個（總計7個）的傳輸線路型元件la〜lg之後，到、、稷 :固（總計7個）的LSI 6a〜6g被裝載之多層構造之印刷載乂複基數 板，且糟由電源供給線8a~8g連 二 配線構造之一例的平面圖。 "之電源層局部的 首士 i ί處之多層構造之印刷電路基板之電源層，藉由從 為件1a〜lg的直流電源侧之阜 於外觀上個別提供理想的直流電； 頁電源電k迴繞進入到其他電路（各LSI6a 6g)。

第22頁 551017 δ*、發明說明（17) 圖7是表示選定上述之傳輸線路型元件1，視為福童 (總計8個）的傳輸線路型元件lh〜1〇之後，裝到 ，内部時之情況，U)是有關於從上面方向來的^面體封 圖，（b )是有關於摘錄於（a )的八^，線方 要部分）所示之側視剖面圖。 。卩（主 此半導體封裝’在連接於鄰接或近乎鄰接在封裝 勺邊緣部之總計8處成對設置的電源端子1 6a ^豆 、兄^ 7L件lh〜1〇。將複數之引線15與複數之接合墊八 广稷數之焊接線1 3連接。此複數之引線二 述各電源供給引線、各接地引線 :舌亥複數之接合墊12係設於裝載在孤島區14上之n 部。且在更接近於高頻電源電流源的 ： 輸線路型元件lh〜10，來應付高頻電源電流。配備各傳 圖8係將上述傳輸線路型元件丨，之全 ^1。—，採用相對介電常數eg分別為⑸；35〇〇長）设 1 0000之而各自相異之材料試作3 為所謂⑵特性），與習用之應用作^之傳^特性（稱 電容分別為looopF、10_PF 相：t電谷二且靜電 電容器作比較，，顯㈣送損失層晶片 關係者。但，在此之傳送特性都 …、率（MHz )之 (h_d)而測到的專纟果特陡都疋利用網路分析儀 由圖8可知，各試作品都和各積層晶片電容器作比較 第23頁 551017 五、發明說明（18) 而在丸頻T區域傳送損失變為相當大，亦即從低頻到高頻 ，$抗k為$當小。另外可知，各試作品的情況，相對介 電^數eg愈南’傳送損失會明顯地變大，所以吾人可知特 別疋在相對介電常數eg= 1 000 0時，於約100MHz處，阻抗會 減小3位數。 各試作品’全長都是10Omm，直接裝載在印刷電路基 板亡有困難’但為將傳輸線路型元件1，1，的電容變小，要 t呵介電#數絕緣材料4，的厚度變薄或使用頻率特性好的 门"電#數材料的話’使具有相同之傳送特性得情況下可 :使全長變短來構成。χ，在此之傳送特性是顯示從低頻 二的特丨生但將傳輸線路型元件1，定位（將適用頻率下限 ^為彳文數MHz到1〇〇μηζ )在例如1〇〇ΜΗζ以上的高速LSi相容 如果考慮到高介電材料的波長壓縮效果的話， 將全長縮短至實用的長度。 程声t :: 2 ί觀點，已製作可適用在印刷電路基板裝載之 私度且將全長縮短了5· 4mm之試製品。 圖9係將上述之傳γ欠；丨― 線路型70件1全長（線路長）縮 姐马5.4mm ’且令相斜介雷舍細 的值1r π &才；丨電书數eg=l〇〇〇0所試製之試製品 的傳运特性（％為所謂的$ ?彳姓 (線路長”〇〇_之相同相mil與圖8所示之全長 以及習用之應用料Λ電容w/eg=1GGGG之試製品 猶層日日片電奋态作比較，而顯示傳详j口生广HR、姐此方 (MHz)之關係者。而在此 貝失（dB)對頻率 儀（HP8753D)而測到的結果、特性都是利用網路分析

第24頁 551017 五、發明說明（19) 由圖9可知，全長較短的 ，盘 (照原樣）的試製口傲屮_ 衣 王長為一定長 分，介電損失亦已長）已變短的部 1 00MHz為下限頻率 ^知失小的線路來構成，如令 無論如何，ί由特性阻抗會減小約3位數。 這此元件之㈣I Ϊ 迹傳輸線路型元件1、1，和裝載 可對LSI等的高速千導體封衣採用上述之構造， 的直流電源，所以使從、古、牛於外觀上個別提供理想 作所發生之高頻電ί 頻電路元件因高速切換動 生介電損失，而能Κΐί，線路型元件1、Γ内部發 合，和抑制高頻電源電、：由、：給線8與sfL號線間的電磁耦 朝裝置内之電源轉基板的電源供給線8 裴載於電路基板之言、亲、古机出。精此方式，不但可促進 動作，且能抑制自：數位：2電路元件？高速、高頻電路 備的電磁放射，因而且^所代表之咼速、高頻電子設 對來自外部的電性或電磁擾^ 制效果，又可提高 如以上說明者 _ 、 j八比 材料所形成之内冑導實施<列’為|覆蓋在由導電性 料把較内部導㈣吉斤T表面上，隔著高介電常數絕緣材 外部導體作同轴ΐ =之由導電性材料所形成之圓筒狀 路之構造，並將μ " 而形成特性阻抗極低的同軸線 源供給線和；LS τ I ώΑ同軸線路串聯插入於印刷電路基板的電 藉此高速、高頻電路元件的電源阜之間。 Τ，對於印刷電路2 f置低阻抗的獨立電源相同的狀態 J電路基板所裝载的每-高速、高頻電路元件 第25頁 551017 > 發明說明（20) -- 個別地供給直流電源，日你^ > 土 切換動作所發生之心、高頻電路元件因高速 内部發生介電損生 電在傳輪線路型元件1、】， 電磁耦合，和抑制：：J抑制電源供給線8與訊號線間的 給線8朝裝置内之由印刷電路基板的電源供 促進裝載於電路基板原之出… 電路動作，且可南頻電路元件的高速、高頻 叹備的電磁放射，因n表之冋速、兩頻電子 高辦來自外部的電性或電抑制效果’又可提 線路型元件，是一種動二：久性：亦即，此傳輸 尚頻動作時所發生古.^ :’員電路兀件上之高速、 避免之低阻抗元件；影響簡化而能適切地 f内部的話’將會得到更高的效果。原的半導 適合作如關係之傳輸線路型元件1、!，， <阿頻去耦合器（去耦器）。 斤刀配電路所 第26頁 551017

圖1是表示依本發明一實施例之傳輸線路型元件的基本構 f ’ （ a )是有關於其外觀立體圖，（b )是有關於其側視 剖面圖’ （c )是沿（b )的A-A，線所取之剖面圖。 卸圖’ （c )是沿（b )的A-A，線所取之剖面圖。 圖 2 I t _ 疋表不依本發明另一實施例的傳輸線路型元件之基本 構土生 , （a )是有關於其外觀立體圖，（b )是有關於其側 。 面圖’ （c )是沿（b )的A - A，線所取之剖面圖。 ，3疋表示於圖丨或圖2所示之傳輸線路型元件的製作上所 面囝"用圓同型電谷的外觀構成’ （a )是有關於其側 囷/曰（匕）是有關於在端面方向的平面圖。 將圖1或圖2所示之傳輸線路型元件裝載在印刷電路 路圖。所構成的具有ΕΜ 1抑制效果之去耦合電路的等效電 表脸示Λ圖1或圖2所示之傳輸線路型元件之任一選定 上，且# + f π #戟有LS夕層構造之印刷電路基板 造主:配線時之電源層局部的配線構 ^ ^ nliTsi^ 藉由電源供給線連接^之///造之印刷電路基板，且 部份之一例的平面圖。、寸之電源層局部的配線構造主要 圖7是表示將圖2所千+扁土入 内部時的情形，（a、）Θ /線路型元件裝載在半導體封裝 圖⑷的Α-Α，線方向以方；察的平面圖，⑴是‘ 剖面圖。 蔡的一部分（主要部分）之側視 551017 圖式簡單說明 圖8係將圖2所示之僂於妗 之材料試作3種試作品’二路=件採用不同相對介電常數 通電容器且靜電電容各里專二：性，與習用之應用作為旁 較，而顯示傳逆指矣斟相f種的積層晶片電容器作比 圖9是將H2:貝失對頻率之關係者。 製品的傳送特极 生兀仵的王長縮短而試作之試 品，以】3丄 同介電常數的圖8之全長的試製 晶片電六:i之方通電容所用之靜電容量1 0 000 0PF的積層 ，谷為相較，顯示傳送損失對於頻率的關係。 二成疋員示驾用之具有Μ 1抑制效果的去耦合電路的基本 =11是顯示習用之具有EMI抑制效果且備有直流電源供給 &路之内設高介電質多層印刷電路基板的主要部分構造之 平面圖。 圖1 2為顯示圖1 1所示之内設高介電質多層印刷電路基板的 主要部分構造之基本構成的側視剖面圖。

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Claims (1)

1. /、 丁呀 孝巳園 種傳輸線路型元件，包含： 圓柱狀或圓筒狀之内部導體‘，由 朝：軸方向延伸；及圓筒狀的外部導體=:所形成 ::導體共轴配置覆蓋於内部導體絕：材， 2線路，該同軸線路之特性阻抗為1〇〇 而：鑛 專利範圍第1項之傳輸線路型元: 该内部導體係由以下三部份一 :其中： 即由絕緣材料所覆蓋之處；第 體^成者：第i部份， 3^, T ^ ^ ^ ^ ^ 5 ^ ^ ^ V ^ # ^ 2 ^ ^ ί # Ϊ # 3 ·如申清專利範圍第2項之傳鈐綠敗j 一 在該外部導體表面之對向二 π件，其中·· ί二將其施以凹凸化處理成“ΐί面積變 縯性般之形狀。 嘴符電流傳播的一致連 4·如申請專利範圍第3項之傳輪 於该外部導體表面之對向片1凡件，其中： 凸化處理所形成之凹部處露出。σ σ絕緣材料在以該凹 5. 如申凊專利範圍第4項之禮认Α 該外部導體表面之對向：路型元件，其中： 6. 如申請專利範圍第1項之傳二°卩，成為電極端子。 該絕緣材料係為較薄的路型元件，其中： 如申晴專利範圍楚 曰 乾圍弟6項之傳輪線路型元件，其中： 551017 六、申請專利範圍 該絕緣材料，在宫册 、 8· 如申請專利範 7 f品域呈現高介電常數。 該絕緣材料在頻率^之^輸線路型元件，其中·· 9· 如申請專利範圍、ζ ¥相對介電常數為1 0 0以上。 10 該絕緣材：在圍寬：f =輸線路型元件，其中： 如申請專利範圍第▼品域呈現出較大的介電質損失。 該絕緣材料的；f傳項二傳輸線路型元件，其中： 率tand為1%以上。、 运知失對使用頻率的特性中之斜 I 之，線路型元件，其中： 質所形成之波長壓縮效果^ 及外部導體的包含介電 的波長之1/4更充分長之值、、々長，為較所施加之電磁波 12.=== 項Λ傳輪線路型元件，其中： 可使供給至半導體切換電：：^外部導體的電阻值，為 1 0OmW以下之值。 、 、/爪電源電流充分流過的 13· 利範圍第1項之傳輸線路型元件，”. 该傳輸線路型元侔後w从 吩主兀1千具Τ · 路的直流電源分配電路的?古J ::乍為耦合於半導體切換電 如申請專利範圍第f/之頻值去，合器。 該傳輸線路型元件係被傳二線路型元件，其中： 源供給線。 卞饰破串聯插入於印刷電路基板的電 第30頁