TW546553B

TW546553B - Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same

Info

Publication number: TW546553B
Application number: TW088122315A
Authority: TW
Inventors: Masahito Tanabe; Kazumasa Wakiya; Masaichi Kobayashi
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1998-12-25
Filing date: 1999-12-17
Publication date: 2003-08-11
Also published as: KR20000048300A; KR100363924B1

Description

546553 A7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明係有關光阻用剝離液組成物及利用此之光阻剝離方法者。更詳細者係有關適用於I C，L S I等半導體元素或液晶配電盤元素製造者，光阻膜剝離性佳，對基板之防飩性優異之光阻用剝離液組成物及利用此之光阻剝離方法者。先行技術中，I C，L S I等半導體元素、液晶配電盤元素係於基板上藉由蒸鍍等所形成之導電性金屬膜、絕緣膜上均勻塗佈光阻後，將此以選擇性曝光，顯像處理後，形成光阻型板，此型板做成色罩後，選擇性將該導電性金屬膜，絕緣膜進行蝕刻，形成微細回路後，以剝離液去除不要之光阻層後製造之。目前照相石版術技術中，剝離光阻膜之技術針對型板之微細化、基板之多層化之進行，基板表面所形成材質之變化，被要求滿足更嚴格條件者。特別是液晶顯示素子製造中被期待使用金屬配線與聚矽氧膜、非晶質聚矽氧膜等無機材料層所形成之基板，開發不使此等金屬配線、無機材料層兩者引起腐鈾，可剝離之剝離液者。先行技術中，做爲光阻用剝離液組成物之例者如：烷醇胺類、烷氧基烷胺類或烷氧基烷醇胺類、甘醇單烷醚、糖或糖醇類，以及水所成之光阻剝離劑組成物（特開平8 -1 9 0 2 0 5號公報）、烷醇胺類、烷氧基烷胺類或烷氧基烷醇胺類、酸醯胺類、糖或糖醇類，以及及所成之光阻剝離劑組成物（特開平8 - 2 0 2 0 5 1號公報）、烷醇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背之注意事項 t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -4- 546553 A7 B7 五、發明說明（2 ) 胺類、烷氧基烷胺類或烷氧基烷醇胺類、甘醇單烷醚、糖或糖醇類、第四級銨氫氧化物，及水所成之光阻剝離劑組成物（特開平8 - 2 6 2 7 4 6號公報），烷醇胺類、烷氧基胺類或烷氧基烷醇胺類、羥基胺類、糖或糖醇類、界面活性劑及水所成之光阻剝離劑組成物（特開平9 -5 4 4 4 2號公報）、烷醇胺類、二乙二醇單烷醚、糖或糖醇類、N，N -二乙基羥基胺、及水所成之光阻用剝離液組成物（特開平9 一 1 5 2 7 2 1號公報）、p K a爲 7 · 5〜1 3之胺類、羥基胺基、水溶性有機溶媒、防蝕劑、及水所成之光阻用剝離液組成物（特開平9-9 6 9 1 1號公報）等例。惟，該各公報所載之組成物中，剝離形成金屬配線與聚矽氧膜等無機材料層兩者之基板上之光阻層時，損及基板而不理想。本發明之目的特別係爲提供一種於金屬配線與聚矽氧膜等無機材料層兩者所形成之基板上所設置之光阻層剝離性特別優異且，該基板之防蝕性亦佳之光阻用剝離液組成物，以及利用此之光阻剝離方法。爲達成該目的之本發明係提供一種含有（a )烷醇胺類、（b )糖類、（c )水溶性有機溶媒、（d )苯並三唑或其衍生物，及（e )水所成之光阻用剝離液組成物者〇又，本發明係提供金屬配線與無機材料層所形成之基板上爲設置光阻剝離，而使用該光阻用剝離液組成物者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_ 5 - Ί . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546553 A7 B7 五、發明說明（3 ) 本發明更提供含（I )基板上設置光阻層之工程，（ II )選擇性曝光該光阻層之工程，（III )曝光後光阻層顯像之後，設置光阻型板之工程，（IV )以該光阻型板做爲色罩，使該基板進行蝕刻之工程，以及（V )蝕刻工程後之光阻型板利用該光阻用剝離液組成物後由基板進行剝離之工程之光阻剝離方法者。做爲（a )成份烷醇胺類之例具體而言如：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙胺乙醇、二甲胺乙醇、二乙胺乙醇、2 —（ 2 —胺基乙氧基）乙醇等例，其中又以單乙醇胺、2 -（ 2 -胺基乙氧基）乙醇者佳。此等可單獨使用亦可2種以上組合使用之。做爲（b )成份之糖類可使用一般C n ( Η 2〇）m戶斤代表之糖，還原此等糖之碳基後所取得之糖醇等，具體例如：D -山梨糖醇、阿拉伯糖醇、甘露糖醇、木醇醇、蔗糖、澱粉等例，其中又以木糖醇、◦-山梨糖醇者佳。此等可單獨使用亦可2種以上組合使用之。做爲（c )成份之水溶性有機溶媒者，只要與水有混合性之有機溶媒即可，可溶於其他（a )、（ b )、（ d )成份者均可任意使用之。做爲此水溶性有機溶媒者如：二甲亞砸等亞硕類；二甲硕、二乙砸、雙（2 -羥基乙基 )砸、四亞甲硕等碼類；N，N —二甲基甲醯胺、正一甲基甲醯胺、N—N—二甲基乙醯胺、正一甲基乙醯胺、n ，N —二乙基乙醯胺等醯胺類；正一甲基—2 -吡咯烷酮、正一乙基一 2 —吼咯院酮、正一丙基一 2 —哏略院酮、本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱）-6 - (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

546553 A7 ___B7_ —__ 五、發明說明（4 ) 正一羥甲基一 2 —吡咯烷酮、正一羥乙基一 2 一吡咯烷酮等內醯胺類；1 ，3 —二甲基一 2 —咪哇啉一酮、1 ，3 一二乙基—2 —咪唑啉二酮、1 — 3 —二異丙基—2 -咪唑啉二酮等之咪唑啉二酮類；乙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚醋酸酯、乙二醇單乙醚醋酸酯、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚等之二乙二醇單烷醚（烷基爲碳原子數1〜6之低級烷基）等之多價醇類，及其衍生物例。此等可單獨使用亦可2種以上組合使用之。其中又以至少1種選自二甲亞砸、正一甲基一 2 — 一吡咯烷酮、二乙二醇單丁醚中爲剝離性能等爲更理想者。更且，二甲亞砸、正一甲基一 2 —吡略烷酮或其混合溶媒特別於高溫狀態下剝離液之保存安定性更爲理想。做爲（d )成份之苯並三唑或其衍生物者如下記一般 I 式（I ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R2

N

I /«V 碳鍵之酯代、取鍵非胺或醯代有取a、、中基構氧結氫其，， I 子惟(I 原彳式氫基記表烴下代之或 Q ο 、，1 基中 ~ 芳式 1 、 .^^ 數 } 子可原亦 -7-

本紙張尺錢时目0 格咖x29fiiT 546553 A7 B7 五、發明說明（5 ) R4 ^ R3 — Ν^Γ . (π) \ R5 (式中，R3代表碳原子數1〜6之烷基；R4、R 5 分別爲獨立之氫原子、氫氧基、或碳原子數1〜6之經院基或院氧基院基者）所7K之基，R 、R 分別爲獨_LL之氯原子、取代或非取代之碳原子數1〜1 〇之烴基、羧基、胺基氫氧基、氰基、甲醯基、磺醯院基、或磺基者〕所示之化合物爲理想使用者。「烴基」係由碳原子與氫原子所成之有機基者。本發明中，上記基之Q、R1、R2各定義中，做爲烴基者如：芳香族烴基或脂肪族烴基任一均可，另外，亦可具有飽和、不飽和鍵、更且，直鏈、分枝均可。做爲取代烴基者如 :經院基、院氧基院基等例。又，該一般式（I )中，做爲Q者特別以該式（II )所示之基者佳。其中式（II )中做爲R 4、R 5者又以分別獨立選自碳原子數1〜6之羥基烷基或烷氧基烷基者爲較理想者。另外，R 4、R 5之至少任一爲碳原子數1〜6之烷基時，該組成之苯並三唑及其衍生物之物性將造成水溶性不足，惟，可使用溶解該化合物之其他成份爲存在於剝離液中者則宜。又，該一般式（I )中做爲Q者，亦可使用氫原子、碳原子數1〜3之烷基（亦即，甲基、乙基、丙基、異丙基）、碳原子數1〜3之經院基、氫氧基等。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-8 - 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

- ϋ i mmmmmm 1— ϋ ·1^ · ·1^ mtmM ϋ —ϋ n n ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546553 A7 B7 五、發明說明（6 ) 做爲苯並三唑及其衍生物之例者具體而言如：苯並三唑、5，6 —二甲基苯並三唑、1 一羥基苯並三ti坐、1 一甲基苯並三唑、1-胺基苯並三唑、1-苯基苯並三哗、 1 一羥甲基苯並三唑、1 一苯並三唑羧酸甲酯、5 —苯並三唑羧酸、1 一甲氧基—苯並三唑、1— (2 ，2 —二羥乙基）一苯並三哩、1 一（2 ’ 3 -二經丙基）苯並三口坐、或做爲「 gllugamate」系列者如：Chiba Speciality Chemicals 所市販之 2，2 / — {〔（4 —甲基一 1 氫一苯並三唑—1 一基）甲基）亞氮基〕雙乙醇、2，— {〔（5 —甲基一1氫—苯並三唑一 1 一基）甲基）亞氮基〕雙乙醇、2 ，2 >— { 〔（4 一甲基一1氫—苯並三唑—1 一基）甲基）亞氮基〕雙乙烷、或2，2 / — {〔 (4 一甲基一 1氫一苯並三唑一 1 一基）甲基）亞氮基〕雙丙烷等例。由金屬配線及聚矽氧膜等無機材料層兩者所形成之基板防蝕效果，剝離性效果等面觀之，其中又以苯並三唑、1 一羥基苯並三唑、1 一甲氧基苯並三唑、1 一 (2，2 —二羥乙基）苯並三唑、1 一（1 ，2 —二羥丙基）苯並三哩、1 一（2 ’ 3 —二經丙基）苯並三η坐、2 一 2 ' — { 〔（4 —甲基一 1氫一苯並二D坐一1—基）甲基〕亞氮基}雙乙醇、及2 ，2> — { 〔5 —甲基一 1氫 -苯並三唑- 1 一基）甲基〕亞氮基}雙乙醇等爲較理想者。 (d )成份可單獨使用，亦可以2種以上合倂使用之〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) -9 - '~ """""""" --------——------—^訂—.------ 一請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 546553 A7 B7 五、發明說明（7 ) 做爲（e )成份之水者，含（a )成份等當然亦有其效果，更加以調整其配合量者亦可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 含該（a )〜（e )成份之本發明光阻剝離液組成物中，其各成份之配合量如下。 (a )成份之配合量上限爲4 0重量％者宜，特別以 3 0重量％者爲更佳。而下限爲5重量％者，特別以1 0 重量％者佳。 (b )成份之配合量上限爲3 0重量％者宜，特別以 2 5重量％者爲更佳。而下限爲2重量％者，特別以5重量％者佳。 (c )成份之配合量上限爲5 0重量％者宜，特別以 4 0重量％者爲更佳。而下限爲5重量％者宜。 (d )成份之配合量上限爲5重量％者宜，特別以3 重量％者爲更佳。而下限爲0·01重量％者宜，特別以〇.05重量％者佳。另外，（e )成份爲殘餘部份者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明中，（a)〜（e)成份藉由做成上述配合比例範圍後，對於光阻剝離性、金屬配線及聚矽氧膜等之無機材料層之防鈾性可更有效預防之。其中特別以（b )成份及（d )成份之配合量做成上述範圍者後更可有效達成對於金屬配線及無機材料層之防蝕效果。本發明剝離液組成物係藉由加入該（a )〜（e )成份後，更提昇對光阻膜之剝離性，另外在無損及本發明其本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-1〇 - 546553 A7 B7 五、發明說明i?) 他效果範圍內亦可配合羥胺、N，N -二乙基羥胺 [N (C2H5) 2〇H]者。本發明光阻用剝離液組成物可有效利用於陰畫型及陽畫型光阻含有之鹼水溶液下可顯像之光阻。做爲此光阻者如（i )蔡醌二疊氮基化合物與漆用酚醛樹脂含有之陽畫型光阻、（η)藉由曝光產生酸之化合物，藉由酸分解後對於鹼水溶液溶解性增大之化合物及含有鹼可溶性樹脂之陽畫型光阻，（111)藉由曝光產生酸之化合物，酸分解後對於鹼水溶液溶解性增大之基之含鹼可溶性樹脂之陽畫型光阻，以及（1V) 藉光產生酸之化合物，含有交聯劑及鹼可溶性樹脂之陰畫型光阻等例，惟，並非僅限此等者。本發明光阻剝離方法係含（I )於基板上設置光阻層之工程，（II)選擇性使該光阻層進行曝光工程，（III)顯像曝光後之光阻層後設置光阻型板之工程，（IV)以該光阻型板做爲色罩後使該基板進行蝕刻工程，以及（V )將蝕刻工程後之光阻型板經使用該光阻用剝離液組成物後由基板進行剝離工程者。本發明中，特別是於金屬配線與無機材料層所形成之基板上形成之光阻剝離中，特別具有優異之光阻剝離性，基板防鈾性兩者之效果。做爲金屬配線者如：錦（A 1 );銘一砂（A 1 — s i )、鋁一砂一銅（A 1 - S i - C u)等之銘合金（a 1合金）；純鈦（T 1 );鈦硝酸鹽（T i N )、鈦鎢（T i W )等之鈦合金；純銅（C u )等例，惟，並非僅限於此等者。本紙張汶度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-11- 請先閱讀背面之注意事項 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 546553 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明θ ) 做爲無機材料層者，特別是液晶元素製造時，如：由聚矽氧膜、非晶質聚矽氧膜等半導體材料所成之層之例者，惟，並非僅限於此例。先行技術之剝離液組成物中，無法同時具有光阻剝離性與金屬配線及由此等無機材料所成層之基板防蝕性，而本發明則可有效同時達成此效果。本發明中，特別對於該光阻剝離工程之（V )剝離工程時，金屬配線及無機材料層與剝離液相互接觸時可有效達成本發明效果。光阻層之形成、曝光、顯像，以及飩刻處理均爲常用之方法，並無特別限定。蝕刻可使用濕式蝕刻、乾式蝕刻、惟，本發明剝離液組成物特別以濕式蝕刻後之光阻膜剝離爲較理想者。特別是於液晶配電盤元素等所使用之玻璃基板等中，做爲鈾刻液（蝕刻劑）者以磷酸、硝酸、醋酸等之酸性蝕刻液爲理想使用者。又，該（III)之顯像工程、（V)之剝離工程之後，亦可進行常用之利用純水，低級醇等之潤濕處理及乾燥處理。剝離處理一般藉由浸漬法、蓮蓬法進行之。剝離時間只要可充份被剝離者即可，無特別限定。以下，藉由實施例進行本發明更詳細之說明，惟，本發明並非僅限於此等例者。另外，配合量若無特別記載則以重量％記之。實施例1〜1 3、比較例1〜3 於A 1合金配線及聚矽氧膜所形成之S i〇2基板上以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-12 - I————-------Γ L-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 546553 A7 _____ B7 五、發明說明（10 ) 噴絲嘴塗佈萘醌二疊氮化合物與漆用酚醛樹脂所成之陽畫型光阻之THMR - i P 3 3 0 〇(東京應化工業股份公司製）之後，於9 0 °C下進行前燒固9 0秒鐘，之後，形成膜厚2·0//m之光阻層。此光阻層使用NSR—2 0 0 5 1 1 0 D( ni con(股份公司）製）介著色罩型板進行曝光，於 2 · 3 8重量％四甲銨氫氧化物（T M A Η )水溶液下進行顯像後，形成光阻型板。再於1 2 0 °C下進行9 0秒之後燒固。再將具有上述條件所形成之光阻型板之基板藉由磷酸、硝酸、醋酸之混酸系蝕刻劑進行濕式蝕刻處理後，以純水進行先淨。針對上述處理後之基板，使表1所示之各組成剝離液組成物（保持於6 0 °C )藉由蓮蓬法吹塑後，分別進行光阻膜剝離處理。將剝離處理後之基板以純水充份進行潤濕處理，藉由S E Μ (掃描型電子顯微鏡）照相觀察進行評定此時之光阻膜剝離性、A 1配線之腐鈾狀態，以及聚矽氧膜之腐蝕狀態。其結果如表2所示。另外，A 1合金配線及聚矽氧膜之腐鈾狀態分別如以下進行評定之。 [A 1合金配線及聚矽氧膜之腐蝕狀態] A :未出現腐飩 B :出現腐蝕表1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -Ί -n ϋ a^i ϋ ϋ 1 ϋ ϋ l^i 1· ϋ ϋ im tmt ϋ ϋ ^1 一I I ϋ. i^i ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 546553

A B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（11 ) 表1 光阻剝離液之組成(重量％) (a) (b) (c) (d) (e) 其他成分成分成分成分成分成分實施例1 MEA 木糖醇 NMP BT-GL (45) - (17.5) (20) (17.4) (0.1) 實施例2 AEE 木糖醇 DMSO BT-GL (45) - (17.5) (20) (17) (0.5) 實施例3 MEA 木糖醇 DMBE BT-GL (45) - (17.5) (20) (16.5) (1.0) 實施例4 MEA 木糖醇 NMP BT-GL (40) DEHA (17.5) (20) (12) (0.5) (10) 實施例5 AEE 木糖醇 DMBE BT-GL (40) DEHA (17.5) (20) (12.4) (0.1) (10) 實施例6 MEA D-山梨糖醇 NMP BT-OH (45) - (17.5) (20) (17.4) (0.5) 實施例7 MEA 木糖醇 NMP BT (45) - (17.5) (20) (17.4) (0.1) 實施例8 MEA D-山梨糖醇 NMP BT-GL (40) HA (17.5) (20) (12.4) (0.1) (10) 實施例9 MEA 木糖醇 NMP BT-MT (40) HA (17.5) (20) (12.4) (0.1) (10) 實施例10 MEA 木糖醇 NMP (45) - (17.5) (20) (12.4) (0.1) 實施例11 AEE 木糖醇 NMP (40) DEHA (17.5) (20) (12) (0.5) (10) 實施例12 MEA 木糖醇 NMP BT-GL (45) - (17.5) (10) (27.4) (0.1) 實施例13 AEE 木糖醇 DMBE (45) - (17.5) (15) (22.4) (0.1) 比較例1 MEA 木糖醇 NMP - (40) DEHA (17.5) (20) (12.5) (10) 比較例2 AEE - NMP BT-GL (50) DEHA (17.5) (22) (0.5) (10) 比較例3 MEA D-山梨糖醇 DMBE - (45) - (17.5) (20) (17.5) -I ϋ e^i ϋ ϋ ϋ I n ϋ ϋ I ^1·—」I ^1 ^1 ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張义度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-14 - -1 · 546553 A7 _B7 五、發明說明) 又，表1中，MEA爲單乙胺、AEE爲2 —（2 —胺基乙氧基）乙醇；NMP爲正一甲基一 2 —吡咯烷酮； DMSO爲二甲亞硕‘DMBE爲二乙二醇單丁醚；BT 一 GL爲1— (1 ，2 —二羥丙基）苯並三唑；BT —〇H爲 1 一羥基苯並三唑；BT爲苯並三唑；BT — MT爲1 一甲氧基苯並三唑；DEHA爲N，N —二乙基羥基胺； HA 爲羥基胺；「Mliigamate-42」爲 2，2 / — { 〔（4 一甲基一 1 Η —苯並二哩—1 一基）甲基〕亞氮基}雙乙醇代表之。 ------------------Γ ------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -- 五、發明說明（13 ) 表 2 ____ 546553 A7 B7

實施例1 A A 實施例2 A A 實施例3 A A 實施例4 A A 實施例5 A A 實施例6 A A 實施例7 A A 實施例8 A A 實施例9 A A 實施例10 A A 實施例11 A A 實施例12 A A 實施例1 3 A A 比較例1 A B 比較例2 B A 比較例3 A B 由表2結果可證明，實施例1〜1 3中，A 1合金、聚矽氧膜之兩者防蝕性均優異者。反之，比較例1〜3其 A 1合金、聚矽氧兩者之防蝕效果均不理想。另外，實施例1〜1 3，比較例1〜3其光阻剝離性均良好者。如上述所詳載之本發明可提供光阻剝離性佳，且金屬本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）-16 - i. -------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 546553 A7 ___ —_ B7__ 五、發明說明（I4 ) 酉己線、無機材料層所形成之基板防蝕性良好之光阻用剝離液組成物及利用此之光阻剝離方法。本發明特別適用於液晶配電盤元素之製造等時所使用之基板上所形成之光阻層之剝離。請先閱讀背面之注意事項 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）-17 ~

Claims

546553- A8 B8 C8 D8 申請專利範圍第88122315號專利申請案中文申請專利範圍修疋本民國守2^|年Θ 修正二見 1 · 一種光阻用剝離液組成物，其吟'徵贫由〜40重量％的烷醇胺類，（b )2〜30重量％的糖類，（c)5〜50重量％的水溶性有機溶媒，（d )0·01〜5重量％的如一般式（I ) R1 %、 Ν (I) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Q R2 [式中，Q代表氫原子、羥基、取代或非取代之碳原子數1〜1 0之烴基（惟，其結構中具有醯胺鍵、酯鍵者亦可）、芳基，或下式（II) —R3 ——Ν R4 R5 (Π) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中，R3代表碳原子數1〜6之烷基；R4、R5分別爲獨立之氫原子、羥基、或碳原子數1〜6之羥基烷基或烷氧基烷基者）所代表之基；R 1，R 2分別爲氫原子，取代或非取代之碳原子數1〜1 0之烴基、羧基、胺基、羥基、氰基、甲醯基、磺醯烷基、或磺基]所代表之苯並三唑或其衍生物，以及（e )殘餘部份配合水所成者。 2 .如申請專利範圍第1項之光阻用剝離液組成物，其本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 546553 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍中（C)成份係至少1種選自二乙二醇單烷醚、正一甲基—2 -吡咯烷酮，以及二甲亞颯者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 .如申請專利範圍第1項之光阻用剝離液組成物，其中（d)成份係至少1種選自苯並三唑、1 -羥基苯並三唑、1—曱氧基苯並三唑、1— (2，2 -二羥乙基）苯並三唑、1 一（1，2 —二羥丙基）苯並三唑、1 一（2，3-二羥丙基）苯並三唑、2，2> —丨〔（4 —甲基—1氫一苯並三唑一 1 一基）甲基〕亞氮基Γ雙乙醇，以及2，2 / 一丨〔（5 -甲基一 1氫一苯並三唑—1 一基）甲基〕·亞氮基丨雙乙醇者。 4 . 一種光阻剝離方法，其特徵係含有（I )於基板上設置光阻層之工程，（II)選擇性進行該光阻層之曝光工程，（ΠΙ)曝光後之光阻層顯像後，設置光阻型板之工程，（ IV )以該光阻型板做爲色罩後進行該基板之蝕刻工程，以及· (V )鈾刻工程後之光阻型板使用如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之光阻用剝離液組成物後，由基板進行剝離之工程者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第4項之光阻剝離方法，其中該方法係使用金屬配線與無機材料層所形成之基板者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）