TW546553B - Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same - Google Patents
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Description
546553 A7 B7 五、發明說明(1 ) 本發明係有關光阻用剝離液組成物及利用此之光阻剝 離方法者。更詳細者係有關適用於I C,L S I等半導體 元素或液晶配電盤元素製造者,光阻膜剝離性佳,對基板 之防飩性優異之光阻用剝離液組成物及利用此之光阻剝離 方法者。 先行技術中,I C,L S I等半導體元素、液晶配電 盤元素係於基板上藉由蒸鍍等所形成之導電性金屬膜、絕 緣膜上均勻塗佈光阻後,將此以選擇性曝光,顯像處理後 ,形成光阻型板,此型板做成色罩後,選擇性將該導電性 金屬膜,絕緣膜進行蝕刻,形成微細回路後,以剝離液去 除不要之光阻層後製造之。 目前照相石版術技術中,剝離光阻膜之技術針對型板 之微細化、基板之多層化之進行,基板表面所形成材質之 變化,被要求滿足更嚴格條件者。 特別是液晶顯示素子製造中被期待使用金屬配線與聚 矽氧膜、非晶質聚矽氧膜等無機材料層所形成之基板,開 發不使此等金屬配線、無機材料層兩者引起腐鈾,可剝離 之剝離液者。 先行技術中,做爲光阻用剝離液組成物之例者如:烷醇 胺類、烷氧基烷胺類或烷氧基烷醇胺類、甘醇單烷醚、糖 或糖醇類,以及水所成之光阻剝離劑組成物(特開平8 -1 9 0 2 0 5號公報)、烷醇胺類、烷氧基烷胺類或烷氧 基烷醇胺類、酸醯胺類、糖或糖醇類,以及及所成之光阻 剝離劑組成物(特開平8 - 2 0 2 0 5 1號公報)、烷醇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -4- 546553 A7 B7 五、發明說明(2 ) 胺類、烷氧基烷胺類或烷氧基烷醇胺類、甘醇單烷醚、糖 或糖醇類、第四級銨氫氧化物,及水所成之光阻剝離劑組 成物(特開平8 - 2 6 2 7 4 6號公報),烷醇胺類、烷 氧基胺類或烷氧基烷醇胺類、羥基胺類、糖或糖醇類、界 面活性劑及水所成之光阻剝離劑組成物(特開平9 -5 4 4 4 2號公報)、烷醇胺類、二乙二醇單烷醚、糖或 糖醇類、N,N -二乙基羥基胺、及水所成之光阻用剝離 液組成物(特開平9 一 1 5 2 7 2 1號公報)、p K a爲 7 · 5〜1 3之胺類、羥基胺基、水溶性有機溶媒、防蝕 劑、及水所成之光阻用剝離液組成物(特開平9-9 6 9 1 1號公報)等例。 惟,該各公報所載之組成物中,剝離形成金屬配線與 聚矽氧膜等無機材料層兩者之基板上之光阻層時,損及基 板而不理想。 本發明之目的特別係爲提供一種於金屬配線與聚矽氧 膜等無機材料層兩者所形成之基板上所設置之光阻層剝離 性特別優異且,該基板之防蝕性亦佳之光阻用剝離液組成 物,以及利用此之光阻剝離方法。 爲達成該目的之本發明係提供一種含有(a )烷醇胺 類、(b )糖類、(c )水溶性有機溶媒、(d )苯並三 唑或其衍生物,及(e )水所成之光阻用剝離液組成物者 〇 又,本發明係提供金屬配線與無機材料層所形成之基 板上爲設置光阻剝離,而使用該光阻用剝離液組成物者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)_ 5 - Ί . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546553 A7 B7 五、發明說明(3 ) 本發明更提供含(I )基板上設置光阻層之工程,( II )選擇性曝光該光阻層之工程,(III )曝光後光阻層顯 像之後,設置光阻型板之工程,(IV )以該光阻型板做爲 色罩,使該基板進行蝕刻之工程,以及(V )蝕刻工程後 之光阻型板利用該光阻用剝離液組成物後由基板進行剝離 之工程之光阻剝離方法者。 做爲(a )成份烷醇胺類之例具體而言如:單乙醇胺 、二乙醇胺、三乙醇胺、乙胺乙醇、二甲胺乙醇、二乙胺 乙醇、2 —( 2 —胺基乙氧基)乙醇等例,其中又以單乙 醇胺、2 -( 2 -胺基乙氧基)乙醇者佳。此等可單獨使 用亦可2種以上組合使用之。 做爲(b )成份之糖類可使用一般C n ( Η 2〇)m戶斤 代表之糖,還原此等糖之碳基後所取得之糖醇等,具體例 如:D -山梨糖醇、阿拉伯糖醇、甘露糖醇、木醇醇、蔗 糖、澱粉等例,其中又以木糖醇、◦-山梨糖醇者佳。此 等可單獨使用亦可2種以上組合使用之。 做爲(c )成份之水溶性有機溶媒者,只要與水有混 合性之有機溶媒即可,可溶於其他(a )、 ( b )、 ( d )成份者均可任意使用之。做爲此水溶性有機溶媒者如: 二甲亞砸等亞硕類;二甲硕、二乙砸、雙(2 -羥基乙基 )砸、四亞甲硕等碼類;N,N —二甲基甲醯胺、正一甲 基甲醯胺、N—N—二甲基乙醯胺、正一甲基乙醯胺、n ,N —二乙基乙醯胺等醯胺類;正一甲基—2 -吡咯烷酮 、正一乙基一 2 —吼咯院酮、正一丙基一 2 —哏略院酮、 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 χ 297公爱)-6 - (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁)
546553 A7 ___B7_ —__ 五、發明說明(4 ) 正一羥甲基一 2 —吡咯烷酮、正一羥乙基一 2 一吡咯烷酮 等內醯胺類;1 ,3 —二甲基一 2 —咪哇啉一酮、1 ,3 一二乙基—2 —咪唑啉二酮、1 — 3 —二異丙基—2 -咪 唑啉二酮等之咪唑啉二酮類;乙二醇、乙二醇單甲醚、乙 二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚醋酸酯、乙二 醇單乙醚醋酸酯、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇 單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚等之二乙二醇 單烷醚(烷基爲碳原子數1〜6之低級烷基)等之多價醇 類,及其衍生物例。此等可單獨使用亦可2種以上組合使 用之。其中又以至少1種選自二甲亞砸、正一甲基一 2 — 一吡咯烷酮、二乙二醇單丁醚中爲剝離性能等爲更理想者 。更且,二甲亞砸、正一甲基一 2 —吡略烷酮或其混合溶 媒特別於高溫狀態下剝離液之保存安定性更爲理想。 做爲(d )成份之苯並三唑或其衍生物者如下記一般 I 式(I ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R2
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I /«V 碳鍵 之酯 代、 取鍵 非胺 或醯 代有 取a、 、中 基構 氧結 氫其 , , I 子惟(I 原彳式 氫基記 表烴下 代之或 Q ο 、 ,1 基 中 ~ 芳 式 1 、 .^^ 數 } 子可 原亦 -7-
本紙張尺錢时目0 格咖x29fiiT 546553 A7 B7 五、發明說明(5 ) R4 ^ R3 — Ν^Γ . (π) \ R5 (式中,R3代表碳原子數1〜6之烷基;R4、R 5 分別爲獨立之氫原子、氫氧基、或碳原子數1〜6之經院 基或院氧基院基者)所7K之基,R 、R 分別爲獨_LL之氯 原子、取代或非取代之碳原子數1〜1 〇之烴基、羧基、 胺基氫氧基、氰基、甲醯基、磺醯院基、或磺基者〕所示 之化合物爲理想使用者。 「烴基」係由碳原子與氫原子所成之有機基者。本發 明中,上記基之Q、R1、R2各定義中,做爲烴基者如: 芳香族烴基或脂肪族烴基任一均可,另外,亦可具有飽和 、不飽和鍵、更且,直鏈、分枝均可。做爲取代烴基者如 :經院基、院氧基院基等例。 又,該一般式(I )中,做爲Q者特別以該式(II )所 示之基者佳。其中式(II )中做爲R 4、R 5者又以分別獨 立選自碳原子數1〜6之羥基烷基或烷氧基烷基者爲較理 想者。另外,R 4、R 5之至少任一爲碳原子數1〜6之烷 基時,該組成之苯並三唑及其衍生物之物性將造成水溶性 不足,惟,可使用溶解該化合物之其他成份爲存在於剝離 液中者則宜。 又,該一般式(I )中做爲Q者,亦可使用氫原子、 碳原子數1〜3之烷基(亦即,甲基、乙基、丙基、異丙 基)、碳原子數1〜3之經院基、氫氧基等。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-8 - 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
- ϋ i mmmmmm 1— ϋ ·1^ · ·1^ mtmM ϋ —ϋ n n ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546553 A7 B7 五、發明說明(6 ) 做爲苯並三唑及其衍生物之例者具體而言如:苯並三 唑、5,6 —二甲基苯並三唑、1 一羥基苯並三ti坐、1 一 甲基苯並三唑、1-胺基苯並三唑、1-苯基苯並三哗、 1 一羥甲基苯並三唑、1 一苯並三唑羧酸甲酯、5 —苯並 三唑羧酸、1 一甲氧基—苯並三唑、1— (2 ,2 —二羥 乙基)一苯並三哩、1 一(2 ’ 3 -二經丙基)苯並三口坐 、或做爲「 gllugamate」系列者如:Chiba Speciality Chemicals 所市販之 2,2 / — {〔 (4 —甲基一 1 氫一 苯並三唑—1 一基)甲基)亞氮基〕雙乙醇、2,— {〔 (5 —甲基一1氫—苯並三唑一 1 一基)甲基)亞氮 基〕雙乙醇、2 ,2 >— { 〔 (4 一甲基一1氫—苯並三 唑—1 一基)甲基)亞氮基〕雙乙烷、或2,2 / — {〔 (4 一甲基一 1氫一苯並三唑一 1 一基)甲基)亞氮基〕 雙丙烷等例。由金屬配線及聚矽氧膜等無機材料層兩者所 形成之基板防蝕效果,剝離性效果等面觀之,其中又以苯 並三唑、1 一羥基苯並三唑、1 一甲氧基苯並三唑、1 一 (2,2 —二羥乙基)苯並三唑、1 一(1 ,2 —二羥丙 基)苯並三哩、1 一(2 ’ 3 —二經丙基)苯並三η坐、2 一 2 ' — { 〔 (4 —甲基一 1氫一苯並二D坐一1—基)甲 基〕亞氮基}雙乙醇、及2 ,2> — { 〔5 —甲基一 1氫 -苯並三唑- 1 一基)甲基〕亞氮基}雙乙醇等爲較理想 者。 (d )成份可單獨使用,亦可以2種以上合倂使用之 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -9 - '~ """""""" --------——------—^訂—.------ 一請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 546553 A7 B7 五、發明說明(7 ) 做爲(e )成份之水者,含(a )成份等當然亦有其 效果,更加以調整其配合量者亦可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 含該(a )〜(e )成份之本發明光阻剝離液組成物 中,其各成份之配合量如下。 (a )成份之配合量上限爲4 0重量%者宜,特別以 3 0重量%者爲更佳。而下限爲5重量%者,特別以1 0 重量%者佳。 (b )成份之配合量上限爲3 0重量%者宜,特別以 2 5重量%者爲更佳。而下限爲2重量%者,特別以5重 量%者佳。 (c )成份之配合量上限爲5 0重量%者宜,特別以 4 0重量%者爲更佳。而下限爲5重量%者宜。 (d )成份之配合量上限爲5重量%者宜,特別以3 重量%者爲更佳。而下限爲0·01重量%者宜,特別以 〇.05重量%者佳。 另外,(e )成份爲殘餘部份者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明中,(a)〜(e)成份藉由做成上述配合比 例範圍後,對於光阻剝離性、金屬配線及聚矽氧膜等之無 機材料層之防鈾性可更有效預防之。 其中特別以(b )成份及(d )成份之配合量做成上 述範圍者後更可有效達成對於金屬配線及無機材料層之防 蝕效果。 本發明剝離液組成物係藉由加入該(a )〜(e )成 份後,更提昇對光阻膜之剝離性,另外在無損及本發明其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-1〇 - 546553 A7 B7 五、發明說明i?) 他效果範圍內亦可配合羥胺、N,N -二乙基羥胺 [N (C2H5) 2〇H]者。 本發明光阻用剝離液組成物可有效利用於陰畫型及陽 畫型光阻含有之鹼水溶液下可顯像之光阻。做爲此光阻者 如(i )蔡醌二疊氮基化合物與漆用酚醛樹脂含有之陽畫型光 阻、(η)藉由曝光產生酸之化合物,藉由酸分解後對於鹼水 溶液溶解性增大之化合物及含有鹼可溶性樹脂之陽畫型光 阻,(111)藉由曝光產生酸之化合物,酸分解後對於鹼水溶液 溶解性增大之基之含鹼可溶性樹脂之陽畫型光阻,以及(1V) 藉光產生酸之化合物,含有交聯劑及鹼可溶性樹脂之陰畫 型光阻等例,惟,並非僅限此等者。 本發明光阻剝離方法係含(I )於基板上設置光阻層之工 程,(II)選擇性使該光阻層進行曝光工程,(III)顯像曝光後 之光阻層後設置光阻型板之工程,(IV)以該光阻型板做爲色 罩後使該基板進行蝕刻工程,以及(V )將蝕刻工程後之光阻 型板經使用該光阻用剝離液組成物後由基板進行剝離工程 者。 本發明中,特別是於金屬配線與無機材料層所形成之 基板上形成之光阻剝離中,特別具有優異之光阻剝離性, 基板防鈾性兩者之效果。 做爲金屬配線者如:錦(A 1 );銘一砂(A 1 — s i )、 鋁一砂一銅(A 1 - S i - C u)等之銘合金(a 1合金);純 鈦(T 1 );鈦硝酸鹽(T i N )、鈦鎢(T i W )等之鈦合金; 純銅(C u )等例,惟,並非僅限於此等者。 本紙張汶度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-11- 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 546553 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明θ ) 做爲無機材料層者,特別是液晶元素製造時,如:由 聚矽氧膜、非晶質聚矽氧膜等半導體材料所成之層之例者 ,惟,並非僅限於此例。先行技術之剝離液組成物中,無 法同時具有光阻剝離性與金屬配線及由此等無機材料所成 層之基板防蝕性,而本發明則可有效同時達成此效果。 本發明中,特別對於該光阻剝離工程之(V )剝離工程時 ,金屬配線及無機材料層與剝離液相互接觸時可有效達成 本發明效果。 光阻層之形成、曝光、顯像,以及飩刻處理均爲常用 之方法,並無特別限定。蝕刻可使用濕式蝕刻、乾式蝕刻 、惟,本發明剝離液組成物特別以濕式蝕刻後之光阻膜剝 離爲較理想者。特別是於液晶配電盤元素等所使用之玻璃 基板等中,做爲鈾刻液(蝕刻劑)者以磷酸、硝酸、醋酸等之 酸性蝕刻液爲理想使用者。 又,該(III)之顯像工程、(V)之剝離工程之後,亦可進 行常用之利用純水,低級醇等之潤濕處理及乾燥處理。 剝離處理一般藉由浸漬法、蓮蓬法進行之。剝離時間 只要可充份被剝離者即可,無特別限定。 以下,藉由實施例進行本發明更詳細之說明,惟,本 發明並非僅限於此等例者。另外,配合量若無特別記載則 以重量%記之。 實施例1〜1 3、比較例1〜3 於A 1合金配線及聚矽氧膜所形成之S i〇2基板上以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-12 - I————-------Γ L-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 546553 A7 _____ B7 五、發明說明(10 ) 噴絲嘴塗佈萘醌二疊氮化合物與漆用酚醛樹脂所成之陽畫 型光阻之THMR - i P 3 3 0 〇(東京應化工業股份公司 製)之後,於9 0 °C下進行前燒固9 0秒鐘,之後,形成膜 厚2·0//m之光阻層。此光阻層使用NSR—2 0 0 5 1 1 0 D( ni con(股份公司)製)介著色罩型板進行曝光,於 2 · 3 8重量%四甲銨氫氧化物(T M A Η )水溶液下進行顯 像後,形成光阻型板。再於1 2 0 °C下進行9 0秒之後燒 固。 再將具有上述條件所形成之光阻型板之基板藉由磷酸 、硝酸、醋酸之混酸系蝕刻劑進行濕式蝕刻處理後,以純 水進行先淨。 針對上述處理後之基板,使表1所示之各組成剝離液 組成物(保持於6 0 °C )藉由蓮蓬法吹塑後,分別進行光阻膜 剝離處理。將剝離處理後之基板以純水充份進行潤濕處理 ,藉由S E Μ (掃描型電子顯微鏡)照相觀察進行評定此時之 光阻膜剝離性、A 1配線之腐鈾狀態,以及聚矽氧膜之腐 蝕狀態。其結果如表2所示。 另外,A 1合金配線及聚矽氧膜之腐鈾狀態分別如以 下進行評定之。 [A 1合金配線及聚矽氧膜之腐蝕狀態] A :未出現腐飩 B :出現腐蝕 表1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -Ί -n ϋ a^i ϋ ϋ 1 ϋ ϋ l^i 1· ϋ ϋ im tmt ϋ ϋ ^1 一I I ϋ. i^i ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 546553
A B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(11 ) 表1 光阻剝離液之組成(重量%) (a) (b) (c) (d) (e) 其他 成分 成分 成分 成分 成分 成分 實施例1 MEA 木糖醇 NMP BT-GL (45) - (17.5) (20) (17.4) (0.1) 實施例2 AEE 木糖醇 DMSO BT-GL (45) - (17.5) (20) (17) (0.5) 實施例3 MEA 木糖醇 DMBE BT-GL (45) - (17.5) (20) (16.5) (1.0) 實施例4 MEA 木糖醇 NMP BT-GL (40) DEHA (17.5) (20) (12) (0.5) (10) 實施例5 AEE 木糖醇 DMBE BT-GL (40) DEHA (17.5) (20) (12.4) (0.1) (10) 實施例6 MEA D-山梨糖醇 NMP BT-OH (45) - (17.5) (20) (17.4) (0.5) 實施例7 MEA 木糖醇 NMP BT (45) - (17.5) (20) (17.4) (0.1) 實施例8 MEA D-山梨糖醇 NMP BT-GL (40) HA (17.5) (20) (12.4) (0.1) (10) 實施例9 MEA 木糖醇 NMP BT-MT (40) HA (17.5) (20) (12.4) (0.1) (10) 實施例10 MEA 木糖醇 NMP (45) - (17.5) (20) (12.4) (0.1) 實施例11 AEE 木糖醇 NMP (40) DEHA (17.5) (20) (12) (0.5) (10) 實施例12 MEA 木糖醇 NMP BT-GL (45) - (17.5) (10) (27.4) (0.1) 實施例13 AEE 木糖醇 DMBE (45) - (17.5) (15) (22.4) (0.1) 比較例1 MEA 木糖醇 NMP - (40) DEHA (17.5) (20) (12.5) (10) 比較例2 AEE - NMP BT-GL (50) DEHA (17.5) (22) (0.5) (10) 比較例3 MEA D-山梨糖醇 DMBE - (45) - (17.5) (20) (17.5) -I ϋ e^i ϋ ϋ ϋ I n ϋ ϋ I ^1·—」I ^1 ^1 ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-14 - -1 · 546553 A7 _B7 五、發明說明) 又,表1中,MEA爲單乙胺、AEE爲2 —(2 —胺 基乙氧基)乙醇;NMP爲正一甲基一 2 —吡咯烷酮; DMSO爲二甲亞硕‘DMBE爲二乙二醇單丁醚;BT 一 GL爲1— (1 ,2 —二羥丙基)苯並三唑;BT —〇H爲 1 一羥基苯並三唑;BT爲苯並三唑;BT — MT爲1 一 甲氧基苯並三唑;DEHA爲N,N —二乙基羥基胺; HA 爲羥基胺;「Mliigamate-42」爲 2,2 / — { 〔 (4 一甲基一 1 Η —苯並二哩—1 一基)甲基〕亞氮基}雙乙 醇代表之。 ------------------Γ ------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -- 五、發明說明(13 ) 表 2 ____ 546553 A7 B7
實施例1 A A 實施例2 A A 實施例3 A A 實施例4 A A 實施例5 A A 實施例6 A A 實施例7 A A 實施例8 A A 實施例9 A A 實施例10 A A 實施例11 A A 實施例12 A A 實施例1 3 A A 比較例1 A B 比較例2 B A 比較例3 A B 由表2結果可證明,實施例1〜1 3中,A 1合金、 聚矽氧膜之兩者防蝕性均優異者。反之,比較例1〜3其 A 1合金、聚矽氧兩者之防蝕效果均不理想。另外,實施 例1〜1 3,比較例1〜3其光阻剝離性均良好者。 如上述所詳載之本發明可提供光阻剝離性佳,且金屬 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐)-16 - i. -------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 546553 A7 ___ —_ B7__ 五、發明說明(I4 ) 酉己線、無機材料層所形成之基板防蝕性良好之光阻用剝離 液組成物及利用此之光阻剝離方法。本發明特別適用於液 晶配電盤元素之製造等時所使用之基板上所形成之光阻層 之剝離。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐)-17 ~
Claims (1)
- 546553- A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第88122315號專利申請案 中文申請專利範圍修疋本 民國守2^|年Θ 修正二見 1 · 一種光阻用剝離液組成物,其吟'徵贫由〜40重 量%的烷醇胺類,(b )2〜30重量%的糖類,(c)5〜50重量%的 水溶性有機溶媒,(d )0·01〜5重量%的如一般式(I ) R1 %、 Ν (I) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Q R2 [式中,Q代表氫原子、羥基、取代或非取代之碳原子 數1〜1 0之烴基(惟,其結構中具有醯胺鍵、酯鍵者亦可) 、芳基,或下式(II) —R3 ——Ν R4 R5 (Π) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,R3代表碳原子數1〜6之烷基;R4、R5分 別爲獨立之氫原子、羥基、或碳原子數1〜6之羥基烷基或 烷氧基烷基者)所代表之基;R 1,R 2分別爲氫原子,取代 或非取代之碳原子數1〜1 0之烴基、羧基、胺基、羥基、 氰基、甲醯基、磺醯烷基、或磺基]所代表之苯並三唑或其 衍生物,以及(e )殘餘部份配合水所成者。 2 .如申請專利範圍第1項之光阻用剝離液組成物,其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 546553 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中(C)成份係至少1種選自二乙二醇單烷醚、正一甲基—2 -吡咯烷酮,以及二甲亞颯者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 .如申請專利範圍第1項之光阻用剝離液組成物,其 中(d)成份係至少1種選自苯並三唑、1 -羥基苯並三唑 、1—曱氧基苯並三唑、1— (2,2 -二羥乙基)苯並三 唑、1 一(1,2 —二羥丙基)苯並三唑、1 一(2,3-二羥丙基)苯並三唑、2,2> —丨〔(4 —甲基—1氫一 苯並三唑一 1 一基)甲基〕亞氮基Γ雙乙醇,以及2,2 / 一丨〔(5 -甲基一 1氫一苯並三唑—1 一基)甲基〕·亞氮 基丨雙乙醇者。 4 . 一種光阻剝離方法,其特徵係含有(I )於基板上 設置光阻層之工程,(II)選擇性進行該光阻層之曝光工程 ,(ΠΙ)曝光後之光阻層顯像後,設置光阻型板之工程,( IV )以該光阻型板做爲色罩後進行該基板之蝕刻工程,以及· (V )鈾刻工程後之光阻型板使用如申請專利範圍第1項至 第3項中任一項之光阻用剝離液組成物後,由基板進行剝離 之工程者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第4項之光阻剝離方法,其中該方 法係使用金屬配線與無機材料層所形成之基板者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210X297公釐)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |