TW541612B - Method for surface treatment of semiconductor - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 55
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- -1 ammonium fluorosilicate Chemical compound 0.000 description 2
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- SHZGCJCMOBCMKK-KGJVWPDLSA-N beta-L-fucose Chemical compound C[C@@H]1O[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O SHZGCJCMOBCMKK-KGJVWPDLSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 210000000877 corpus callosum Anatomy 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 229910021352 titanium disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 541612 五、發明說明(i ) 技術領域 本發明係有關於在半導體之半面處理方法,如更詳而 a之係有關於在石夕晶圓製造半^體座驟其中,除去在埋入 夕日日矽、一重多晶矽、金屬、TiSi2、(二矽化鈦)、WSi2(二 矽化鎢、ΤιΝ(氮化矽)等之電極材料之接觸孔内曝露之矽等 I成之自然氧化膜、或抗鍅劑與石夕反應而生成之潰淳等之 乾姓刻方法。 背景技術 接觸孔内自然氧化膜之除去以前雖藉化學乾蝕刻、 IPA(異丙醇)洗淨等施行,但隨著接觸孔之微細化或縱橫比 之增大,變成不能以該等之方法對應。 如按照特開平5-275392號公報,已示出半導體矽晶圓 (以下稱為「晶圓」)之枚葉式自然氧化膜除去裝置,按照 此裝置、一邊將晶圓透過感受器冷卻到173絕對溫度(攝氏 -100度)程度、一邊將等離子激發之NF3(三氟化氮)與1^(氫) 之混合氣藉以下行流式流入反應室内而蝕刻自然氧化膜。 再者’由於如在晶圓形成(NH4)2SiF6(氟石夕酸錢)等時姓刻即 停止’藉照射惰性等離子化之氬再開始蝕刻。 再者,也已發表使用NFS(三氟化氮)與NH3(氨)之二氧 化石夕自然氧化膜姓刻方法(1999乾法冶金論文集,就地觀測 從事於加熱NH3(氨)/NFs(三氟化氮)曝露,以除去矽自然氧 化物,小川與其他,頁次273-278)。在該論文藉將晶圓上 之(NHdjiF6(氟矽酸銨)在超過攝氏100度之溫度離解而除 去自然氧化膜;有考慮氣體之反應生成物為NH4F .HF(氟 -I - 11-----^ -------I I ^^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再瑣寫本頁)
541612 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ; 157 五、發明說明(2 ) 化叙氫氟酸)或nh4f(氟化銨)之說明。原料氣體之反應生成 物在以下之說明稱為蝕刻氣體。 習知之枚葉式自然氧化膜除去方法自冷卻、等離子蝕 刻及反應生成物之除去形成之反應時間係每一張晶圓有4 分4里程度’在此加上施行晶圓出入之管理(經常)時間則合 計有7分鐘程度。因而,由於是在生產線加算每次之管理(經 常)時間’自然氧化膜除去已變成全體生產線之瓶頸。將自 然氧化膜除去以如減壓C V D (化學汽相澱積)法之縱型分批 法施行時,雖可解決如此的問題,但習知解決策之研究並 未能完成。更且,由於習知之枚葉式自然氧化膜除去法非 提高钱刻率縮短處理時間不可,晶圓透過感受器冷卻至2 9 3 絕對溫度以下為不可缺之事。因此冷卻機構就複雜化起來。 發明概述 本發明係解決上述之問題,將一次5〇張以上,特別是 100張以上之晶圓在1〜2小時以内可再現性良好的處理作 為目的。 有關於本發明第1方法係在接觸孔内配置自然氧化 膜、渣滓等存在之半導體矽晶圓反應室,以自藉微波激發 之氫、氨及氮選擇至少一種之第1氣體與自不含碳及氧,含 有氟之化合物構成之第2氣體之反應生成物處理半導體表 面之方法,其特徵在於將保持在323絕對溫度以下且縱方向 的配列之複數張半導體矽晶圓一邊旋轉、一邊將反應生成 物沿著反應室縱方向的延伸且内部壓力透過比反應室内壓 力高之室實際的水平方向的導入反應室内,接著將前述半 本紙張反度適用中國國家標學(CNS)Ai規格(210x297公釐) ; · ^ 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 541612 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(3 ) 導體矽晶圓加熱至373絕對溫产以μ甘— ^ Τ/皿度以上,其實施態樣係, (1) 沿著反應室縱方向的延伸, (2) 將開口於下述第2官童 步至之禝數第1喷出口導入第1氣體 至縱方向的配列構成之第i室, (3) 沿著反應室縱方向的延伸, ⑷將開口於反應室之複數第2噴出口縱方向的配列, (5)在内部壓力係第1室内壓力與反應室内壓力中間之 第2室導入第2氣體之方法。 再者’本發明第2方法其特徵在於保持如絕對溫度以下且 縱方向的配列之複數張半導體矽曰 卞等篮矽日日圓正在旋轉,其實施態 樣係 (1) 沿著反應室縱方向的延伸, (2) 將開口於反應室之福备笛彳奋 至1後数弟1贺出口縱方向的配列形 成, (3) 在内部壓力比反應室内壓力高之第i室導入第磉 體,且 (4) 沿著反應室縱方向的延伸, (5) 將開π於反應室之複數第2噴出口縱方向的配列, (6) 與第1室鄰近, ⑺在内部壓力比反應、室内壓力高之第2室導人第以 體’接著將前述半導體秒晶圓加熱至373絕對溫度以上作為 特徵。 以下詳細的說明本發明。 本發明法係處理譬如50張〜150張縱向配列之晶圓。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線赢 6 541612 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印 B7 五、發明說明(4 ) 習知之枚葉處理,為提高蝕刻速度雖將晶圓譬如朝丨73 絕對溫度(攝氏-100度)冷卻,但由於分批處理的情形只要 疋在323絕對溫度以下不會引起生產量上之問題,特別是沒 有必要冷卻。因微波回路之阻抗不整合致引起升溫至323 絕對溫度以上,冷卻變成必要時,由於如習知方法透過感 文器冷卻有困難,在本發明藉使用液體氮之氣化氣體等氣 體冷卻’理想的係在303到318絕對溫度之溫度冷卻晶圓。 由於以該方法可實現的晶圓最低溫度為235絕對溫度,本發 明雖在253〜323絕對溫度之溫度範圍施行表面處理,但通 $在至/jel到3 2 3絕對溫度之溫度範圍施行表面處理將冷媒 導入每反應系,供給比晶圓溫度(373絕對溫度以上)足夠低 溫之冷媒,更且將反應系壓力與排氣泵之壓力保持一定之 關係時,能控制再現性良好的晶圓溫度。 替代氣體冷卻,在構成第1及第2室任一方或兩方之壁 體内流入水等之冷媒,也可將第丨及/或第2氣體間接冷卻至 3 2 3絕對溫度以下。 本發明其中在蝕刻使用之(第丨、第2)室因為在内部之 氣體相互的具有壓力差,即使面對反應室内氣體也能具有 壓力差,進一步流入氣體,一次儲存、接著可噴出之管、 箱體等。如此賦予壓力差時在室内之自由基、分子、原子 等之分布變成均一。在第丨及第2室内氣體壓差譬如在 400Pa(帕)(3托)〜1.3千帕(1〇托)時,幾乎是同一濃度之氣體 面向複數之晶圓喷出。該等之室雖透過共通之透孔相互的 連通,或透過獨立的透孔與減壓下之反應室内連通,但藉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Al規格(210 X 297公f )
. . ^ ^------ (請先閱讀背面之注意事項洱填芎本頁) 7 541612 Λ7
五、發明說明(5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該等透孔之直徑設定較小可具有壓力差。此外,反應室内 氣壓通常為133帕(1托)〜400帕(3托)。 再者,藉將第1及第2室縱方向的,理想的係以與晶圓 配列南度大致同樣長度延伸,在立式之各晶圓變成可在最 短距離均一的給送蝕刻氣體。因此在各室之縱方向形成複 數之透孔,氣體實際上在水平方向的導入,構成在最短距 離到達晶圓面較為理想。該等室之喷出口如對應於晶圓之 配列高度可上下的配列。 作為第1氣體與第2氣體之混合方式可如下。 (1) 以到達室配管之途中,混合第1及第2氣體、或將第 1氣體流入第2室,將在此生成之蝕刻氣體喷出至反應室空 間(第1發明之方法)。在此方式係第丨室之壓力作成比第2室 之壓力高,第2室之壓力作成比反應室内之壓力還高。該方 式有必要將第2室配置於晶圓之近旁,理想的係2公分以下 之間隔。 (2) 將自第1喷出口噴出之第1氣體與自第2噴出口噴出 之第2氣體在反應容器内空間混合接觸(第2發明之方法)。 該方式雖有所謂蝕刻氣體生成以後與晶圓之接觸孔的接觸 時間可短之優點,但蝕刻氣體之上下分流比例變多。 自然氧化膜之膜厚在8〜12对晶圓通常係2 0埃以下,膜 厚誤差係2〜10埃程度。譬如膜厚自〇到5埃之自然氧化膜在 接觸孔内形成時,施行5埃之餘刻作為目標。自然氧化膜厚 時在第1氣體混合氬,將微波激發之氬作為媒介以提高反應 速度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21ϋ x 297公釐) --·----------^^裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 541612
經濟部智慧財產局員工消費合作社印W、 i、發明說明(6 ) 接著,藉餘刻氣體排氣後在反應室内加熱至373絕對溫 度以上以離解上述(NHdjiF6(氟矽酸銨)等之配位化合 物,該結果除去配位化學物之外在矽表面形成氫氣鏈(石夕_ 氫結合)。 圖式之簡單的說明 苐1圖表示實施本發明之第1方法裝置之一例縱剖面 圖; 第2圖係沿著第1圖之A-A線剖面圖; 第3圖表示實施本發明之第2方法裝置之一例縱剖面 圖; 第4圖係為說明間接冷卻氣體之方法,將第1圖之第1 室部份的擴大之斜視圖; 第5圖係第4圖之V-V剪形符號之剖面圖。 為實施發明最佳之形態 以下,參照表示第1發明方法實施態樣之第1圖、第2 圖及表示第2發明方法實施態樣之第3圖施行說明。 為容易看圖式,將比實際處理張數逐少的晶圓張數在 圖示之第1圖及第2圖中,5為壓力在0·8千帕(5托)〜1.3千帕 (10托)程度之第1室、1〇為晶圓、2〇為壓力在〇·ΐ3帕(1〇·3托) 〜1.3千帕(1〇托)程度之反應室、22為壓力在4〇〇帕(3托)〜 600帕(5托)程度之第2室。 譬如以10〜50公厘間隔縱向複數12吋晶圓1〇之反應室 2〇係以底板12堵住上部封閉之鋁管體8底部之構造。晶圓 由固定於旋轉軸9a之夾具9縱向配置,為與蝕刻氣體之反應 (210 X 297 公釐) —;—.------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 541612
五、發明說明(7) 均一,藉旋轉軸9a順利旋轉。第丨氣體譬如氫、氮自流入口 1流入譬如1公升/分鐘之流量至壓力設定在665帕(5托)〜 26千帕(20托)程度之第1室5内。在此6及7分別是構成第i室 5之間壁板及箱體外部,為抑制質點之發生,由鋁材構成 的。藉穿越设置於其上部之蔚藍色窗4輸出4〇〇瓦、2·45兆 赫之微波激發第1氣體。此外3是微波導管。一方面,第2 氣體自流入口2,譬如以1〇〇〜3〇〇立方公分/分鐘之流量流 入由非導電性且也具有耐蝕性之氧化鋁板丨6與鋁板6形成 間壁之第2室22。第!氣體係在第1室5之間壁板6,由上下方 向的複數個形成之直徑係〇·5〜1〇公厘程度之透孔(第 出口)6a流入第2室22,同樣的由上下方向的複數個形成之 透孔(第2喷出口)22a流入反應室2〇内。透孔2仏到晶圓丨❻之 距離係10〜20公厘,透孔22a之個數係與晶㈣數同數以 下’晶圓張數之1/3以上較為理想。 在該導入期雖蝕刻氣體之流動係些微的上下流動,但 由於實際上變成水平方向,反應性高發生初期之餘刻氣體 給送至各晶圓ίο,自然氧化膜除去速度係透過22a到晶圓1〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之距離為10〜20公厘時藉晶圓間隔(d)而影響,d=15〜3〇 公厘時為0.5牛頓米(5埃)〜i牛頓米(_)/分。由於石夕/自缺 氧化膜I虫刻選擇比為1/6程度需將餘刻之誤差取大與接 觸作大&應後之|虫刻氣體一旦被集中突出於反應室2〇外 側之相體11,接著經過連通於泵之排氣管13與閥14排出。 此外15為壓力計。 在自然氧化朕除去之前,由氣體流入口丨及/或2或特別 541612 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明說明(8) 設置之氣體流入口(圖未表示)流入液體氮之氣化氣體等之 冷卻氣體可將晶圓10冷卻至室溫以下。再者,藉配置於自 然氧化膜與蝕刻氣體反應後,反應室内之燈30將晶圓10加 熱至3 73絕對溫度程度時,促進配位化合物之離解並可防止 質點發生。或將晶圓10移至另外之裝置也可施行加熱。 第3圖係在與第1、第2圖同樣的構件附上相同參照符 號’表示第2方法之實施態樣,將作為管體構成之第2室22 配置於反應室20内第1室5之近旁,理想的係5〜1 〇公厘之間 隔。圖中,25為微波發生器。 第1氣體及第2氣體係在水平方向流動之途中生成混合 之蝕刻氣體,此係透過晶圓10間空間在被吸引至排氣管13 之途中與晶圓10反應。 在第4圖及第5圖由形成於室壁體内之冷媒流路32流入 283絕對溫度〜288絕對溫度之冷卻水,圖解冷卻反應生成 物或氣體之方法。冷媒流路32係在第1室5之間壁板6内包圍 喷出口6a逆U字狀的形成。由冷卻水間接冷卻之微波激發 氣體未失去激發狀態,與NF3(三氟化氮)等在第2室22反 應。因而,反應生成物也以弱室溫之溫度與晶圓1〇接觸。 產業上之利用性 由於如以上說明按照本發明以分批處理可實施自然氧 化膜之除去,在半導體裝置製造之生產量有很大的貢獻。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------^^裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 541612 五、發明說明(9 ) 元件標號對照 2".流入口 3.. .微波導管 4.. .蔚藍色窗 5.··第1室 6.. 。間壁板 6a...透孔(第1喷出口) 7.. .箱體外部 8.. .鋁管體 9…夾具 9a...旋轉軸 10.. .晶圓 11…箱體 12…底板 13.. .排氣管 14···閥 15··.壓力計 16…氧化I呂板 2 0...反應室 22.. .第2室 22a...透孔(第2噴出口) 25.. .微波發生器 30···燈(反應室内) 32.. .冷媒流路 --1---«------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事頂*填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Ai規格U10 X 297公f )
Claims (1)
- 54161290107526號專利申請案申請專利範圍修正本91年12月25曰 1. 一種半導體之表面處理方法,係以在接觸孔内配置自然 氧化膜、渣滓等存在之半導體矽晶圓之反應室内,藉由 微波激發之氫、氨及氮中所選擇之至少一種之第1氣體與 由不含碳及氧、而含氟之化合物構成之第2氣體之反應生 成物來處理半導體矽表面之方法, 裝 訂 其包含:在保持於323度絕對溫度以下之前述反應 室内,使縱方向配列之複數半導體矽晶圓〇〇)一邊旋轉 (9a)、一邊將前述反應生成物沿著反應室(2〇)縱方向地 延伸且透過内部壓力比反應室内壓力高之室(5、22)在 實際上水平方向上導入反應室(20)内,接著,將前述反 應室加熱至373度絕對溫度以上。 2·如申請專利範圍第1項半導體之表面處理方法,包含: (1) 沿著前述反應室縱方向地延伸; (2) 將前述第1氣體導入第1室(5),該第1室係由縱向 配列開口於下述第2室(22)之複數第1噴出口(6a)而構成 者; (3) 沿著前述反應室(20)縱方向地延伸; (4) 縱向配列開口於前述反應室(20)之複數第2嘴出 口(22a); (5) 將第2氣體導入内部壓力為第1室(5)内壓力與反 應室(20)内壓力中間的第2室(22)。 3. —種半導體之表面處理方法,係在配置自然氧化膜、洁 滓等存在於接觸孔内之半導體矽晶圓之反應室中,藉由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4·規格(210X297公釐) 13 541612 A8 B8 C8 __08 六、申請專利範圍 微波激發之氫、氨及氮所選擇之至少一種之第1氣體與由 不含碳及氧、含氟之化合物構成之第2氣體之反應生成物 來處理半導體石夕表面之方法, 其包含:保持於323度絕對溫度之前述反應室内, 使縱方向配列之複數張半導體矽晶圓(10) —邊旋轉 (9a);裝 (1) 一邊沿著反應室(20)縱方向地延伸; (2) 縱方向地配列形成開口於反應室(20)之複數第1 噴出口; (3) 將第1氣體導入内部壓力比反應室壓力高之第i 室(5); 訂 (4) 沿著反應室(22a)縱方向地延伸; (5) 縱向配列開口於反應室(2〇)之複數第2噴出口 (22a); (6) 接近前述第1室(5);及 (7) 將第2氣體 導入内部壓力比反應室内壓力還高 之苐2至(22) ’接著將前述半導體反應室加熱至323度絕 對溫度以上。 4.如申請專利範圍第1或2項之半導體之表面處理方法,其 中: 則述373絕對溫度以上之加熱係藉配置於反應室 (20)内之燈(3〇)施行。 5·如申請專利範圍第3項之半導體之表面處理方法,其中: 前述373絕對溫度以上之加熱係藉配置於反應室 L本紙張尺度用巾μ規格⑵似撕公楚)-- 14 541612 A8 B8 C87T、申叫專利範圍 (2〇)内之燈(3〇)施行。 6. 如申睛專利範圍第項之半導體之表面處理方法,包 含: 在構成第1及第2室任一者或兩者之壁體内流入冷 媒(32)而將第1及/或第2氣體間接冷卻至323度絕對溫 度以下。 7. 如申請專利範圍第3或5項之半導體之表面處理方法,包 含·· 在構成第1及第2室任一者或兩者之壁體内流入冷 媒(32)而將第1及/或第2氣體間接冷卻至323度絕對溫 度以下。 8·如申請專利範圍第丨或2項之半導體之表面處理方法,包 含: 在將反應生成物導入前述反應室(2〇)之前,先將冷 卻氣體導入反應室。 9.如申請專利範圍第3或5項之半導體之表面處理方法,包 含·· 在將反應生成物導入前述反應室(2〇)之前,先將冷 卻氣體導入反應室。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ297公复了 15
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000090884A JP2001284307A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 半導体の表面処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW541612B true TW541612B (en) | 2003-07-11 |
Family
ID=18606423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090107526A TW541612B (en) | 2000-03-29 | 2001-04-04 | Method for surface treatment of semiconductor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6867147B2 (zh) |
JP (1) | JP2001284307A (zh) |
KR (1) | KR100781742B1 (zh) |
AU (1) | AU4458001A (zh) |
TW (1) | TW541612B (zh) |
WO (1) | WO2001073832A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086569A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
KR100829327B1 (ko) | 2002-04-05 | 2008-05-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반응 용기 |
US7028356B2 (en) * | 2002-11-26 | 2006-04-18 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Multiconfiguration braking system |
JP4329403B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4987219B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2012-07-25 | 三星電子株式会社 | エッチング装置 |
JP4495472B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-07-07 | 三星電子株式会社 | エッチング方法 |
JP4495470B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-07-07 | 三星電子株式会社 | エッチング方法 |
JP4495471B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-07-07 | 三星電子株式会社 | エッチング方法 |
JP4987220B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2012-07-25 | 三星電子株式会社 | エッチング装置 |
KR101025323B1 (ko) | 2004-01-13 | 2011-03-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 에칭 장치 및 에칭 방법 |
JP4475136B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、前処理装置及び記憶媒体 |
JP4712806B2 (ja) * | 2005-08-15 | 2011-06-29 | 株式会社エフティーエル | 半導体の表面処理法 |
JP4746581B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2011-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
WO2009001774A1 (ja) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Ulvac, Inc. | 半導体ウェーハの保護方法及び半導体装置の製造方法 |
US20090017637A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Yi-Chiau Huang | Method and apparatus for batch processing in a vertical reactor |
US20090197424A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP5284182B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-09-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
CN103184434B (zh) * | 2011-12-31 | 2016-08-10 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘装置、托盘及半导体处理设备 |
TWI604528B (zh) | 2012-10-02 | 2017-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 使用電漿預處理與高溫蝕刻劑沉積的方向性二氧化矽蝕刻 |
US11703229B2 (en) * | 2018-12-05 | 2023-07-18 | Yi-Ming Hung | Temperature adjustment apparatus for high temperature oven |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04296021A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
DE4132559A1 (de) * | 1991-09-30 | 1993-04-08 | Siemens Ag | Verfahren zur in-situ-reinigung von abscheidekammern durch plasmaaetzen |
JP2896005B2 (ja) * | 1992-02-06 | 1999-05-31 | シャープ株式会社 | ウェハー洗浄方法 |
JPH06120188A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-04-28 | Kawasaki Steel Corp | 熱酸化方法 |
US5556275A (en) * | 1993-09-30 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
JPH07169693A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 横型減圧cvd装置及びそのクリーニング方法 |
US5775889A (en) * | 1994-05-17 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment process for preventing slips in semiconductor wafers |
US6171982B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same |
US6204194B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-03-20 | F.T.L. Co., Ltd. | Method and apparatus for producing a semiconductor device |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000090884A patent/JP2001284307A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-28 US US10/240,261 patent/US6867147B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-28 KR KR1020027012943A patent/KR100781742B1/ko active IP Right Grant
- 2001-03-28 AU AU44580/01A patent/AU4458001A/en not_active Abandoned
- 2001-03-28 WO PCT/JP2001/002548 patent/WO2001073832A1/ja active Application Filing
- 2001-04-04 TW TW090107526A patent/TW541612B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001073832A1 (fr) | 2001-10-04 |
US6867147B2 (en) | 2005-03-15 |
JP2001284307A (ja) | 2001-10-12 |
KR100781742B1 (ko) | 2007-12-04 |
US20030148621A1 (en) | 2003-08-07 |
AU4458001A (en) | 2001-10-08 |
KR20020093868A (ko) | 2002-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |