JP4495472B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
請求項2記載の発明は、前記パージガスを上下方向に列設された複数の噴出口から前記真空槽内に導入する請求項1記載のエッチング方法であって、前記噴出口が前記シリコン基板と前記シリコン基板の間に位置するように、前記各シリコン基板を配置するエッチング方法である。
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のエッチング方法であって、前記水素ラジカルは、水素ガス又はアンモニアガスのいずれか一方又は両方を含有するラジカル生成ガスをプラズマ化して生成するエッチング方法である。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のエッチング方法であって、前記パージガスとして窒素ガスとアルゴンガスのいずれか一方又は両方を用いるエッチング方法である。
この中間生成物はシリコン酸化膜(SiO2)と反応性が高いので、中間生成物がシリコン基板の表面に到達するとシリコン酸化膜と選択的に反応し、下記反応式(2)の右式に示すような反応生成物((NH4)2SiF6)が生成される。
次に、シリコン基板を100℃以上に加熱すると、下記反応式(3)に示すように反応生成物が熱分解し、真空槽内部に熱分解ガスが放出される。
上記反応式(3)に示したように、熱分解ガスにはHFガスやSiF4ガスのようにフッ素を含有するガスが含まれている。
Claims (4)
- シリコン酸化膜が表面に形成された複数のシリコン基板が互いに一定間隔を空けて上下方向に配置された真空槽内に、水素ラジカルと、フッ化物ガスとを導入し、前記水素ラジカルと前記フッ化物ガスと前記シリコン酸化膜とを反応させ、反応生成物を生成する反応工程と、
前記水素ラジカルと前記フッ化物ガスとの導入を停止し、前記真空槽内部の圧力を低下させるガス除去工程と、
前記シリコン基板を加熱し、前記反応生成物を分解して熱分解ガスを生成し、前記熱分解ガスを除去する加熱工程とを有するエッチング方法であって、
前記加熱工程では、真空排気しながらパージガスを前記真空槽内部に導入し、前記真空槽内部の圧力を前記ガス除去工程よりも高い圧力にしながら行うエッチング方法。 - 前記パージガスを上下方向に列設された複数の噴出口から前記真空槽内に導入する請求項1記載のエッチング方法であって、
前記噴出口が前記シリコン基板と前記シリコン基板の間に位置するように、前記各シリコン基板を配置するエッチング方法。 - 前記水素ラジカルは、水素ガス又はアンモニアガスのいずれか一方又は両方を含有するラジカル生成ガスをプラズマ化して生成する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のエッチング方法。
- 前記パージガスとして窒素ガスとアルゴンガスのいずれか一方又は両方を用いる請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のエッチング方法。
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