A7 528890 ____B7_ 五、發明說明（I ) 【發明之詳細說明】 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種對於基板表面進行成膜之成膜裝置 、成膜方法以及多層膜反射鏡之製造方法。 【習知技術】 現在，在半導體積體電路之製造’廣泛進行以下之方 法：使得形成於光罩上之非常微細的圖案，藉由可見光或 紫外光，來縮小投影及轉印在塗敷有光阻劑之矽晶圓上。 .但是，隨著圖案尺寸之微細化’即使是使用紫外光之縮小投 影曝光，其分解能係接近繞射之極限，因此，提議使用波長 比紫外光更短、波長13nm或llnm之極端紫外光（Extreme Ultraviolet ;以下稱爲EUV)之光線之縮小投影曝光。 EUV區域之光線係被所有之物質強烈地吸收，無法使 用透鏡等之折射型光學元件，因此，進行縮小投影之光學 系統係由反射鏡所構成。在反射鏡之表面具有用以提高反 射率之多層膜構造之塗層。報告指出，在波長13nm附近 藉由Mo/Si多層膜來得到60%以上之反射率。據稱在 EUV微影藉由此種多層膜反射鏡來構成光學系統，能以 0.1微米以下之圖案尺寸進行具有高處理能力（生產率）之 縮小投影曝光。 在製作此種光學系統的情形下，塗敷在表面上之多層 膜之週期長度控制係非常重要。多層膜具有高反射率之波 長，係取決在該多層膜之週期長度和所入射之EUV光線之 __ 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^ «— — — — — — I— I Awl I - I--------— I---------I A7 528890 _B7__ 五、發明說明（>) 入射角。因此，多層膜之週期長度在曝光所使用之波長下 必須爲可得到高反射率之週期長度，並且，在構成光學系 統之反射鏡上之各個位置之入射角係並非一定，因此，必 須成爲對應於各個位置之入射角之週期長度。所以，必須 控制反射鏡上之週期長度分布，進行多層膜之成膜。此外 ，現在作爲在基板上進行成膜之方法以藉由一般之真空蒸 鍍或濺鍍來形成多層膜的情形下，於基板上會產生不佳之 週期長度分布。因此，必須在成膜時，藉由某種方法，來 控制基板上之週期長度分布。 在縮小投影曝光裝置所使用之光學系統，係以將描繪 有圖案之罩幕上之環帶之一部份區域（在半徑方向寬1〜 2mm、在圓周方向長度25mm左右）縮小投影在晶圓上的 方式所構成，各個多層膜反射鏡係具有凸出或凹陷之旋轉 對稱形狀。在該構成中，EUV光線對於各個多層膜反射鏡 之入射角，在多層膜反射鏡之旋轉對稱之圓周呈一定，在 半徑方向進行變化。因此，反射鏡所求出之多層膜之週期 長度分布呈現旋轉對稱。 參照圖7〜圖9說明控制膜厚分布同時進行成膜之方 法例。該成膜方法係也適用在控制多層膜之週期長度分布 同時在基板上進行成膜的情形。 圖7係顯示習知成膜裝置之主要部位槪要之圖。 圖8係顯示習知之膜厚修正板形狀之圖。 圖9係顯示由於膜厚修正板有無之所造成之膜厚分布 之變化例之圖。 _ _5 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 41^--------^---------IAW------------------------ A7 528890 ____B7 _ _ 五、發明說明（；）） 首先，就成膜製程，參照圖7進行說明。進行成膜之 基板71，作爲一例，係在中央具有開口之旋轉對稱之凹面 基板（例如Schwaltschild鏡之副鏡）。成膜係在充分減壓 之容器（未圖示）中，對成爲膜材之標的材72照射來自離 子源73之離子束，來濺擊標的材72之原子，堆積在基板 (配置在相同之容器中）71之表面上，以便於進行成膜。 在成膜中，基板71係以對稱軸爲中心，進行旋轉，成爲在 周圍方向具有一定膜厚之成膜。但是，該成膜之膜厚在基 板之半徑方向上並非一定，產生例如圖9所示之曲線91之 膜厚分布。 接著，就將該膜厚分布曲線91控制在所要求之膜厚分 布區域95內同時進行成膜之方法進行說明。爲了該控制， 因此，在成膜時之基板71附近，配置膜厚修正板76。膜 厚修正板76係正如圖8所示，由具有開口部85之支持板 87所構成。該開口部85係具有在半徑方向控制數値孔徑 之形狀，半徑r位置上之數値孔徑p (〇係以下面公式表 不0 p ( r ) = ( dm ( r ) ) / ( do ( r )) (do (r):未配置修正板的情形之基板上之膜厚、 dm (〇):在基板上之所要求之膜厚） 藉由使用該膜厚修正板76，來相對地控制在半徑位置 上之膜厚，可實現將曲線93控制在圖9所要求之膜厚分布 區域95內之膜厚分布。 作爲控制膜厚分布同時在基板上進行成膜之方法，係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------f赢 _6 ____ A7 528890 _B7__ 五、發明說明（& ) 也提議使用前述形狀以外之膜厚修正板之方法。此種報告 係藉由在加工爲球面之基板上進行已控制分布之成膜來得 到精度高之非球面形狀之方法（W.C.Sweatt et.al· OSA TOPS on Extreme Ultraviolet Lithography, 149 ( 1996 ) Vol.4，Glenn D.Kubiak and Don Kaia eds·)。就該方法，參 照圖10〜圖12進行說明。 圖10係顯示習知之膜厚修正板之其他形狀之圖。 圖11係說明產生於基板上之膜厚修正板之半影之示意 圖。 圖12係說明基板上之膜厚均一性之示意圖。 圖10之膜厚修正板101，係在整體施加微細之開口 103，而直徑0.03〜0.07mm之圓形開口 103係以0.1mm之 間隔排列。在對應於進行較厚成膜之區域之部分，開口變 大，在進行較薄成膜之部分，開口變小。其中，正如圖11 (A)所示，由於在標的材111上，粒子飛出之區域係具 有限之大小，因此，膜厚修正板101在進行成膜之基板 113上會產生所謂半影115。該半影115之擴寬a係隨著標 的材之大小、或者標的材、膜厚修正板和基板間之位置關 係等而變化。此外，在基板上之半影產生方式係隨著膜厚 修正板之開口間隔而變化，正如圖11 (B)所示，在開口 103之間隔小於半影擴張之時，則半影115係相互重疊地 產生。一般在進行成膜的情形下，比起產生於基板上之半 影擴張，膜厚修正板101係以讓各個開口 1〇3相互接近的 方式來配置。像這樣，正如圖12所示，藉由通過各個開口 7_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------f赢 A7 528890 ___ 五、發明說明（< ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 103之職擊粒子121所進行之成膜膜厚分布’係相互地重 疊，而膜厚修正板101之因影子所造成之面內膜厚不均一 性完全不會成爲問題。因此，若藉由於膜厚修正板101上 所開之開口 103大小或開口 103數目密度之變化來對膜厚 修正板101半徑方向之數値孔徑賦予分布’則能夠在基板 上，產生平順之分布。 【發明所欲解決之課題】 惟，並不容易藉由圖8所示之膜厚修正板，來控制具 有旋轉狀對稱形狀之基板之對稱軸附近（基板中央部）之 膜厚。正如前述記載，由於在濺擊標的材上’粒子飛出之 區域係具有限之大小，因此，膜厚修正板係在進行成膜之 基板上會產生所謂半影。在成爲半影（佔有在全圓周上） 之部分之比例大之基板中央部，該半影之影響係非常大， 不容易正確地進行預測。爲了考量該影響而控制所成膜之 厚度，因此，必須正確地知道自濺擊標的材之何處起以怎 樣之角度分布來使得濺擊粒子飛出。但是，由於在現實上 ，不容易在標的材上之所有位置，測定濺擊粒子之分布， 因此，會有在基板中央部無法控制膜厚的情形發生。 但是，最好在EUV微影等也可利用多層膜反射鏡之中 央部，乃必須使得基板中央部也以高精度控制膜厚同時進 行成膜。圖13係顯示在膜厚控制不完全的情形下之膜厚分 布例之圖。在基板中央部無法充分控制膜厚的情形下，基 板上之膜厚分布如曲線133般在中央部之膜厚變厚或者如 _8____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 528890 ___ _B7 __ 五、發明說明（k ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曲線135般在中央部之膜厚變薄之危險性高。一般在EUV 微影用之多層膜反射鏡所求出之多層膜之週期長度分布， 係例如以斜線所示之區域131，基板中央部係比較均勻之 分布，但在圖8所示之膜厚修正板並不容易這樣控制膜厚 。此外，此種形狀之膜厚修正板係藉由薄板所構成，但是 ，在板厚度過薄之時，則會有由於所形成之膜的應力而導 致膜厚修正板變形之此種問題發生。 此外，爲了藉由圖8所示之膜厚修正板76來得到所要 求之膜厚（週期長度）分布，因此，在膜厚修正板之形狀 ，要求高精度。例如由中心開始5cm之位置，爲了控制多 層膜之週期長度，因此，80%之數値孔徑係必須，在需要 對於週期長度6.9nm以±0.01mn以下之週期長度精度來控 制週期長度的情形下，於膜厚修正板之開口方向之形狀上 ，要求至少±0.18mm之精度。在更加接近旋轉中心之部分 ，要求更高之精度。膜厚修正板之形狀，係由靶材所釋放 出之濺擊粒子之分布以及在基板上所求出之膜厚分布來預 測最適當形狀所決定，但是，即使是以此種所得到之形狀 之膜厚修正板進行成膜，一般仍無法得到所要求之膜厚分 布。此係由於不容易正確地知道由靶材所釋放出之濺擊粒 子分布而使得最初之預測變得不正確。因此，必須以某種 形狀之膜厚修正板，實際地進行成膜.，評價此時之膜厚分 布，調整及改變膜厚修正板之形狀，進行多次之製作。此 外，即使是在曾經得到具所要求之膜厚分布的膜厚修正板 之形狀的情形下，也無法使用該膜厚修正板永久地得到所 __9_ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 528890 ___B7___ . 五、發明說明（) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 要求之膜厚分布。此係由於成膜裝置之特性每次些微地發 生變動，因此，當其所造成之膜厚分布之變動超過容§午範 圍的情形下，必須改變膜厚修正板之形狀’在該情形’也 必須以前述順序來控制膜厚。此時，基於前述要求，膜厚 修正板係必須以至少0.1mm之精度來製造，在該製造中需 要某些程度之時間。因此，會有在所要求之膜厚分布之成 膜或者多層膜反射鏡（具有所要求之週期長度分布）之製 造所需要之時間變長之此種問題發生。 另一方面，在圖10所示之膜厚修正板的情形，可在包 含中央部之基板整體進行膜厚控制。但是，由於此種膜厚 修正板之構造複雜，因此，比起圖8之修正板，在製作上 ，更需要時間和費用。此外，在該構造上，爲了增大數値 孔徑，而必須使得開口和開口間之部分變細’因此’不容 易提高數値孔徑。例如在圖10所示之膜厚修正板’其數値 孔徑係直徑〇.〇7mm開口的情形之38%左右。在數値孔徑 低之時，爲了藉由成膜來得到目的之膜厚，因此’需要更 長之時間。所以，會有在所要求之膜厚分布之成膜或者多 層膜反射鏡（具有所要求之週期長度分布）之製造所需要 之時間變長之此種問題發生。 本發明係有鑑於此種問題點而完成的；本發明之目的 係提供一種能夠容易進行基板中央部之膜厚分布控制並且 在短時間得到所要求之膜厚分布的成膜裝置以及成膜方法 。此外，本發明之目的係提供一種能夠在短時間製造多層 膜反射鏡（具有所要求之週期長度分布）之方法。 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 528890 五、發明說明（今） 【用以解決課題之手段】 (請先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) 爲了解決前述課題，因此，本發明第一在於提供：「 一種成膜裝置，係在充分減壓之容器內，藉由對於標的材 進行加熱或離子束照射，來讓該標的材之原子飛散，另使 得待成膜、具有旋轉對稱形狀之基板以旋轉對稱軸爲中心 進行旋轉，並在該基板之附近配置膜厚修正板，而讓該原 子積層在該基板上；其特徵在於，該膜厚修正板係具有： 複數開口，其在與該基板之旋轉對稱軸對應之部分附近’ 以成膜時粒子線於基板上所產生之該膜厚修正板之半影擴 張之一半以下的間隔來配置；以及，位於周邊部之沿半徑 方向之數値孔徑受到控制之開口（申請專利範圍第1項） j ° 依據本發明，可以藉由在膜厚修正板之中央部’配置 複數開口，以容易控制基板中央部之膜厚分布。此外，膜 厚修正板之周邊部之構造係比較單純，數値孔徑也能夠自 由變化，因此，即使是在基板周邊部’也把於短時間內’ 得到所要求之膜厚分布。 此外，本發明第二在於提供：「如申請專利範圍第1 項之成膜裝置，其中，該複數開口係以讓該膜厚修正板之 半徑方向之數値孔徑成爲相同的方式所配置。（申請專利 範圍第2項）。」 依據本發明，則可以在保持基板中央部不進行修正之 狀態之膜厚分布下進行膜厚之控制。一般在旋轉基板且進 行成膜的情形下，不修正膜厚之時，在基板中央部之膜厚 11 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） 528890 B7 五、發明說明（’） 係成爲均一。此外，對實際之EUV微影而言’在多層膜反 射鏡所要求之週期長度分布，在中央部爲均一之週期長度 分布，因此，最好在該部分，一直保持於不進行修正之狀 態下之週期長度分布，同時，進行週期長度之控制。所以 ，可以藉由在膜厚修正板之中央部，以使得膜厚修正板之 半徑方向之數値孔徑成爲相同的方式來配置複數之開口’ 以便於均一地降低成膜於基板中央部上之膜厚。 此外，本發明第三在於提供：「如申請專利範圍第1 項之成膜裝置，其中，該複數開口，係以在該膜厚修正板 之半徑方向之數値孔徑受到控制的方式所配置（申請專利 範圍第3項）」。 依據本發明，在不進行修正的情形下，產生於基板上 之對稱軸附近之相對膜厚分布，在滿足所要求分布之區域 過小的情形下，可藉由讓形成有複數開口之板狀構件之數 値孔徑依據離開對稱軸之距離來變化，以擴大滿足所要求 分布之區域。此外，在不修正膜厚的情形下，基板中央部 之膜厚分布係均一，即使是在所要求之膜厚分布在基板中 央部具有分布的情形下，也可以進行成膜。 此外，本發明第四在於提供：「如申請專利範圍第1 至3項中任一項之成膜裝置，其中，該膜厚修正板係由中 央部修正板（在與該基板之旋轉對稱軸對應之部分附近具 有複數開口）和周邊部修正板（在周邊部具有半徑方向之 數値孔徑受到控制之開口）所構成（申請專利範圍第4項 )j ° __12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線' A7 528890 _____B7____ 五、發明說明（θ ) 依據本發明，能夠藉由區分出中央部修正板和周邊部 修正板，來使得各個修正板之構造變得比較單純。因此， 能夠容易製作膜厚修正板。 此外，本發明第五在於提供：「如申請專利範圍第1 至3項中任一項之成膜裝置，其中，該膜厚修正板之厚度 係0.5mm以上（申請專利範圍第5項）」。 此外，本發明係在第6提供：「如申請專利範圍第i 至3項中任一項之成膜裝置，其中，該膜厚修正板係藉由 具有0_5mm以上厚度之保持框所保持著（申請專利範圍第 6項）」。 依據本發明，即使形成薄膜，膜厚修正板係也不易受 到該成膜之應力影響而發生變形，能夠穩定地得到所要求 之膜厚分布。 此外，本發明第七在於提供：「如申請專利範圍第1 至3項中任一項之成膜裝置，其中，該膜厚修正板相對於 該基板具有能以0.1mm以下之精度來進行定位之構造（申 請專利範圍第7項）」。 依據本發明，能夠將膜厚修正板相對於基板之位置做 正確地配置，可以進行在最適當膜厚分布下之成膜。在膜 厚修正板之位置偏離之時，由於膜厚修正板所具最適當數 値孔徑之位置，係自基板偏離，因此，無法進行在最適當 膜厚分布下之成膜。是以，藉由設置可定位之構造’貝^即 使卸下膜厚修正板後而再度進行安裝的情形下’也能夠正 確地配置膜厚修正板。 _ 13___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------手爲 A7 528890 _ B7_ 五、發明說明（“） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，本發明係在第8提供：「一種成膜裝置’係在 充分減壓之容器內，藉由對於標的材進行加熱或離子束照 射，來讓該標的材之原子飛散’另使得待成膜、具有旋轉 對稱形狀之基板以旋轉對稱軸爲中心進行旋轉’並在該基 板之附近配置膜厚修正板，而讓該原子積層在該基板上； 其特徵在於，該膜厚修正板之形狀係可變的（申請專利範 圍第8項）」。 依據本發明，則無須花費過多時間即可自由地進行膜 厚修正板之形狀變更。因此，在得到所要求之膜厚分布爲 止之需要時間中，修正板製造之所需時間被縮短，能夠更 加迅速地得到所要求之膜厚分布。 此外，本發明第九在於提供：「如申請專利範圍第8 項之成膜裝置，其中，該膜厚修正板係由固定型修正板和 形狀可變型修正板所構成（申請專利範圍第9項）」。 此外，本發明第十在於提供：「如申請專利範圍第9 項之成膜裝置，其中，該形狀可變型修正板，係具備遮蔽 構件和驅動裝置，該驅動裝置係以至少0.01mm之精度， 來驅動該遮蔽構件之位置（申請專利範圍第10項）」。 依據本發明，能夠以至少0.1mm之精度，來改變膜厚 修正板整體之形狀，可以更加迅速且精度良好地得到所要 求形狀之修正板。結果，能夠更加迅速地得到所要求之多 層膜之週期長度分布。 此外，本發明第十一在於提供：「一種成膜方法，係 在充分減壓之容器內，藉由對於標的材進行加熱或離子束 ___ 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 528890 五、發明說明（/，） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 照射，來讓該標的材之原子飛散，另使得待成膜、具有旋 轉對稱形狀之基板以旋轉對稱軸爲中心進行旋轉，並在該 基板之附近配置膜厚修正板，而讓該原子積層在該基板上 ;其特徵在於，該膜厚修正板係具有··複數開口，其在與 該基板之旋轉對稱軸對應之部分附近，以成膜時粒子線於 基板上所產生之該膜厚修正板之半影擴張之一半以下的間 隔來配置；以及，位於周邊部之沿半徑方向之數値孔徑受 到控制之開口（申請專利範圍第11項）」。 此外，本發明第十二在於提供：「一種成膜方法，係 在充分減壓之容器內，藉由對於標的材進行加熱或離子束 照射’來讓該標的材之原子飛散，另使得待成膜、具有旋 轉對稱形狀之基板以旋轉對稱軸爲中心進行旋轉，並在該 基板之附近配置膜厚修正板，而讓該原子積層在該基板上 ;其特徵在於，該膜厚修正板之形狀係可變的（申請專利 範圍第12項）」。 此外，本發明第十三在於提供：「一種多層膜反射鏡 之製造方法，其特徵在於，使用申請專利範圍第1至10項 中任一項之成膜裝置，在基板上形成多層膜構造（由折射 率不同之至少2種物質所交互積層而成）」。 依據本發明，則能夠容易進行基板中央部之膜厚分布 控制’並且，在短時間內，得到所要求之膜厚分布。因此 ’能夠更加迅速地得到具有所要求之週期長度分布之多層 膜反射鏡。 —------ —__ 15_________ 本紙張尺度適標準（CNS)A4規格（21〇 χ四7公釐厂 ' " " 528890 A7 _____B7_ 五、發明說明（Η ) 【發明之實施形態】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下，以多層膜之成膜爲例’參照圖式進行說明。 圖1係顯示在本發明之實施形態之成膜裝置所使用之 膜厚修正板形狀之圖。 圖2係顯示成爲圖1膜厚修正板一部分之中央部修正 板形狀之圖。 圖3係顯示成爲圖1膜厚修正板一部分之周邊部修正 板形狀之圖。 圖4係顯示本發明之實施形態之成膜裝置之主要部位 槪要之圖。 圖5係藉由本發明之實施形態之多層膜反射鏡之製造 方法所製造之Mo/Si多層膜反射鏡之示意截面圖。 圖6係顯示藉由本發明之實施形態之成膜方法所造成 之膜厚分布變化之例子之圖。 首先，就在基板上以所要求之週期長度分布來形成 Mo/Si多層膜薄膜的情形，參照圖4及圖5說明。圖5所 示之多層膜反射鏡51，係成爲在基板53之上面交互地積 層Mo層55和Si層57之構造，用以反射波長13nm之X 射線。由Mo層55和Si層57所構成之多層膜，係以Si層 作爲最上層，進行例如50層對之成膜。成膜係藉由在減壓 之容器（並未圖示出）中，對於成爲膜材之標的材42，由 離子源43照射離子束，以便於濺擊標的材42之原子，堆 積在基板41 (配置在相同之容器中）之表面上，來進行成 膜。基板41係中央部不具有孔洞而具有旋轉對稱形狀者。 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 528890 ____ B7 _ 五、發明說明（⑷） 此外，在標的材42具備Mo和Si，藉由每次選擇一種做交 互地積層，來形成多層膜。在成膜中，基板41係以對稱軸 爲中心而進行旋轉，在周圍方向上，進行著具有一定週期 長度之成膜。在本發明之成膜裝置中，使用圖1所示之膜 厚修正板46，控制週期長度分布。 接著，就膜厚修正板46之細節，進行說明。膜厚修正 板46，係組合中央部修正板44和周邊部修正板45所構成 。成爲膜厚修正板46 —部分之中央部修正板44之形狀， 係顯示在圖2。中央部修正板44係由具有中央區域之網孔 部23和開口部25之支持板27所構成，使用該中央部修正 板44，控制基板中央部之膜厚分布。此外，在支持板27， 設有定位用孔29。該定位用孔29係如後面敘述，使用在 膜厚修正板之定位時。 網孔部23係一邊1.8mm之正方形形狀之開口，以 2mm之間距呈格子狀排列，開口係以成膜時粒子線於基板 上所產生之膜厚修正板之半影的擴張之一半以下的間隔來 配置。又，膜厚修正板在半徑方向之數値孔徑約80%。在 該成膜裝置中，於不使用膜厚修正板而進行成膜的情形下 ，該膜厚係對於半徑方向顯示圖6 (A)曲線63之分布， 比起中央部，在周邊部之膜厚係變薄15%左右。相對於該 情形，在使用中央部修正板44之時，則膜厚分布係變化爲 圖6 (B)曲線65之分布。在本實施形態中，基板和膜厚 修正板之距離係爲20〜30mm。爲了避免膜厚修正板不慎 接觸到基板之危險性，因此，基板和膜厚修正板係必須保 _ 17 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # I I I 1 I I I — — — — — — — — — — III — —— — — — — — — — — —— — — — — — — A7 528890 _ B7___________ 五、發明說明（（亨） 持某種程度之距離。此外，在膜厚修正板過度離開基板之 時，則可能會由於半影模糊，而無法以充分之精度，修正 作爲目的之區域，因此，以2〇mm左右爲適當。在本實施 形態中，濺擊源之大小係直徑大約20cm，靶材和基板間之 距離係50cm，產生於基板上之膜厚修正板之半影擴張係大 約8mm。正如前面敘述，開口之間距係2mm，係以該半影 擴張之一半以下間隔來進行配置，因此，不會由於膜厚修 正板之影子而形成局部之分布。在基板中央部，藉由數値 孔徑大約80%之膜厚修正板來到達之濺擊粒子量係成爲大 約80%。另一方面，在離開中心之區域（周邊部），係產 生與無膜厚修正板的情形相同之膜厚分布。再者，在交界 部分，由於受到網孔部之外側區域之捲入影響以及網孔部 區域之形狀並非以對稱軸爲中心之圓，因此，內側、外側 區域之分布得以平順地變化。 成爲膜厚修正板46 —部分之周邊部修正板45之形狀 ，係顯示在圖3。周邊部修正板45係藉由具有開口部35 之支持板37所構成，使用該周邊部修正板45，控制離開 基板上之對稱軸之區域之膜厚分布。此外，在支持板37設 置有定位用孔39。該定位用孔39，係如後面敘述，使用在 膜厚修正板之定位時。以此種周邊部修正板之形狀而言’ 基板中央部之膜厚係無法修正，但是，在本實施形態中， 由於已經藉由中央部修正板，來控制基板中央部之膜厚在 所要求之膜厚分布之範圍內，因此，周邊部修正板不需要 進行中央部之修正。在離開中心部分之位置上，因爲對於 __ 18__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 528890 五、發明說明（乂） 周圍方向之距離，半影之影響係變小，所以，即使是此種 形狀之周邊部修正板，也容易進行修正。藉由該周邊部修 正板，進行中央部修正板無法修正之區域之膜厚分布控制 ，正如圖6 (C)所示，涵蓋基板之全區域，可實現將曲線 67控制在所要求之膜厚分布區域61內之膜厚分布。 本實施形態中之中央部修正板之數値孔徑係大約80% 。該成膜裝置，係原本就具有中央部厚、周邊部薄之成膜 膜厚分布，周邊部係比中央部薄15%，因此，選擇上述數 値孔徑。由於藉由中央部修正板，來使得膜厚分布如圖6 (B)般變化，因此，在周邊部修正板，只要進行於基板 上各半徑位置最大20%、在最外圍部5%之膜厚分布控制 即可。但是，若中央部修正板之數値孔徑爲50%的話，則 藉由周邊部修正板所進行之控制範圍會增大，即使在最外 圍部也必須修正35%。此顯示在濺擊粒子中，藉由膜厚修 正板所遮蔽之粒子比例大，對於基板之成膜速度降低。爲 了得到所要求之膜厚，因此，最好儘可能使得膜厚修正板 之開口變大，在短時間內進行成膜，而在本實施形態，係 藉由將中央部修正板之數値孔徑設定成爲80%，來實現整 體之大數値孔徑，能夠在更短之時間內，進行成膜。 在膜厚修正板係穿設著定位用孔，藉由對該孔通過平 行銷，來以0.1mm以下之精度，決定膜厚修正板之位置。 一旦膜厚修正板之位置改變，則膜厚分布會發生變化，無 法得到所要求之膜厚分布，但是，由於能夠精度良好地決 定膜厚修正板之位置，因此，可以進行基板狀之膜厚控制。 — _19 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------1T---------^ —^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 528890 _B7___ 五、發明說明（1 ) 雖然在本實施形態中，中央部修正板之開口係正方形 狀，但是，開口之形狀不限於此。只要能保持充分之數値 孔徑和修正板之強度的話，則亦可爲例如不規則之形狀。 此外，也可以爲藉由編織細線狀構件所形成之網孔。並且 ，即使是在基板中央部，爲了改變膜厚分布同時進行成膜 ，因此，可以在中央部修正板，於半徑方向上控制數値孔 徑，配置複數開口。此外，雖然在中央部修正板形成開口 之區域係成爲正方形狀，但是，不限於該形狀。 雖然在本實施形態，膜厚修正板之厚度係〇.5mm，但 是，厚度係不限於此，也可以比該厚度更厚或更薄。但是 ，爲了避免在成膜時，由於膜應力導致修正板變形，而在 分布控制之精度上發生問題，因此，在膜厚修正板之厚度 爲0.5mm以下的情形下，藉由厚度0.5mm以上之保持構件 來抑制所成膜之多層膜之應力所造成之變形乃爲所希望者。 在本實施形態，膜厚修正板係組合中央部修正板和周 邊部修正板而成者，但是，不一定需要各別地分開中央部 修正板和周邊部修正板，也可以由1個膜厚修正板所構成 。此外，在組合中央部修正板和周邊部修正板之構成的情 形下，不一定需要使得兩邊之修正板配置在離開基板相同 程度之距離。 接著，就本發明之其他實施形態之成膜裝置、成膜方 法，進行說明。 圖14係顯示在本發明之實施形態之成膜裝置所使用之 膜厚修正板形狀之圖。 __ 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 528890 _B7_____ 五、發明說明（|多） 圖15 (A)係顯示成爲圖14之膜厚修正板一部分之形 狀可變型修正板形狀之圖，圖15 (B)係形狀可變型修正 板之部分放大圖。 圖16係顯示成爲圖14之膜厚修正板一部分之固定型 修正板形狀之圖。 圖17係顯示本發明之實施形態之成膜裝置之主要部位 槪要之圖。 首先，就在基板上以所要求之週期長度分布形成Mo /Si多層膜薄膜的情形，參照圖17及圖5進行說明。圖5 所示之多層膜反射鏡51，係成爲在基板53之上面交互地 積層Mo層55和Si層57之構造，用以反射波長13nm之 X射線。由Mo層55和Si層57所構成之多層膜，係以Si 層作爲最上層，進行例如50層對之成膜。成膜係藉由在減 壓之容器（並未圖示出）中，對於成爲膜材之靶材172， 由離子源173照射離子束，以便於濺擊靶材172之原子， 堆積在基板171 (配置在相同之容器中）之表面上，來進 行成膜。在靶材172具備Mo和Si，藉由每次選擇一種做 交互地積層，來形成多層膜。在成膜中，基板171係以對 稱軸爲中心而進行旋轉，在周圍方向上，進行著具有一定 週期長度之成膜。在本發明之成膜裝置中，使用由固定型 修正板174和形狀可變型修正板175之2個部分所構成之 膜厚修正板Π6，控制週期長度分布。 接著，就膜厚修正板176之細節，進行說明。成爲膜 厚修正板176 —部分之固定型修正板174之形狀，係顯示 _________21 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂--------叙」 -n ϋ n n ϋ n ϋ ϋ I ϋ n i_i n ϋ ϋ n ϋ -ϋ - 528890 A7 B7 五、發明說明（if ) 在圖16。固定型修正板174係由具有開口部163之支持板 161所構成。該固定型修正板係準備數種形狀。該形狀之 種類，可大幅地囊括一般所考量之成膜中可形成必要之分 布的形狀，選出相對於最適當形狀偏離在5mm以內之固定 型修正板。成爲膜厚修正板176其他部分之形狀可變型修 正板175之形狀，係顯示在圖15 (A)。形狀可變型修正 板175係由形成骨架之支持板151、安裝在支持板151上 之複數驅動裝置155、以及藉由驅動裝置155所驅動之微 小遮蔽構件157來構成，且具有開口部153。放大該形狀 可變型修正板175 —部分之圖，係顯示在圖15 (B)。微 小遮蔽構件157之寬係2mm，前端部分係加工爲半圓形。 在這些遮蔽用構件157係安裝有驅動裝置155，可在圖中 之橫方向以0.01mm之位置精度進行位移。驅動裝置155 係安裝在支持板151之表裏兩面上，結果上，微小之遮蔽 構件157係以1mm之間隔來進行排列。組合固定型修正板 174和形狀可變型修正板175之膜厚修正板176之形狀， 係顯示在圖1。 在進行成膜的情形下，由靶材所放出之濺擊粒子之大 致分布和基板之形狀，藉由計算，來求出修正板之形狀（ 可在基板上得到所要求之多層膜週期長度分布）。接著， 選擇形狀最接近該形狀之固定型修正板174,和形狀可變 型修正板175進行組合。形狀可變型修正板175，係以在 和固定型修正板174進行組合時可藉由計算而成爲預測最 適當之形狀的方式進行控制同時改變其形狀。形狀可變型 22 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 528890 __B7________ 五、發明說明（，） 修正板175之形狀，係藉由驅動裝置155驅動所安裝之微 小遮蔽構件157來進行變化。此時，驅動裝置155之動作 ，係藉由控制裝置（並未圖示）來控制。此種形狀雖爲遮 蔽部分之交界部與圓的一部分相連之形狀，但是，該形狀 係不會對於週期長度分布，造成影響。此乃由於本發明之 實施形態中之濺鍍源具有至少直徑10cm左右之擴張，而 這種擴張會產生半影模糊，結果，前述1mm週期之微細構 造不會對於基板上之週期長度分布造成影響。對於基板上 之週期長度分布造成影響者係在圖15 (B)中以虛線所示 之交界部分之平均形狀159。該平均形狀159自目標形狀 之偏離爲〇.〇5mm以下。藉由使用該形狀可變型修正板175 ，來得到成爲目標形狀之膜厚修正板176。藉由使用該膜 厚修正板176來進行成膜，以便於得到接近目的之週期長 度分布之分布。但是，要從一開始即精度良好地得到所要 求之週期長度分布有其困難，實際上所得到之週期長度分 布，一般係自目標之週期長度分布偏離。因此，必須評價 所成膜之多層膜之週期長度分布，以該分布作爲基礎，計 算膜厚修正板之形狀變更量，改變膜厚修正板之形狀。在 改變膜厚修正板之形狀中，由於藉由控制裝置所控制之驅 動裝置155來驅動形狀可變型修正板175之微小遮蔽用構 件157，因此，膜厚修正板之形狀改變係可以在短時間內 結束，而可迅速地開始下一次之成膜。可以藉由多次反覆 進行該作業，來得到所要求之週期長度分布，但是，由於 在膜厚修正板之形狀改變中，不需要重新製作修正板之時 23 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線—座 -·1 ϋ ϋ I n ϋ ϋ ϋ ϋ ·ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ I ^1 ϋ H ϋ n · 528890 a7 __B7______ 五、發明說明（A ) 間，因此，能夠在更短之時間內，得到所要求之週期長度 分布。 在本發明之實施形態，爲了改變形狀可變型修正板 175之形狀，係以間隔2mm驅動微小構件，但是，改變形 v狀可變型修正板175形狀之機構，係不限定於此。在圖18 ，顯示形狀可變型修正板175之其他例子。在該例子中’ 形狀可變型修正板175係成爲以5mm間隔配置驅動裝置（ 驅動棒狀之微小構件189) 185，並安裝有遮蔽用構件（使 \得該微小構件189之前端部分與相鄰之微小構件之前端部 分連結）187之構造。棒狀之微小構件189係能夠以 0.01mm之精度來進行移動，讓膜厚修正板之輪廓發生變化 。在此種構造，僅能夠以5mm間隔，來控制膜厚修正板之 輪廓，但是，一般在膜厚修正板所要求之形狀對於半徑方 向係以比較平順的方式變化，因此，即使以5mm間隔進行 控制，自目標之曲線形狀之偏離仍非常小。若圓弧之曲率 半徑爲30mm以上的話，則聯結間隔5mm之2點之線和通 過這2點之圓弧距離，係成爲0.1mm以下。在前述週期長 度修正板，需要驅動100個以上之微小遮蔽構件，但是， 藉由此種構成，並不會喪失需要之精度，而能夠減少遮蔽 構件之數目至一半以下。 在本發明之實施形態，藉由所控制之驅動裝置，來進 行形狀可變型修正板之形狀變更，但是，驅動方法係不限 於此，若能夠達成所要求之精度的話，也可以例如爲手動 〇 ____24 本紙張國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） " -- --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 528890 A7 五、發明說明（ 此外’雖主要就控制多層膜之週期長度分布並且進行 成膜之裝置及方法進行說明，但是，膜係不限定於多層膜 ’也可以例如爲單層膜，本發明係可以適用在需要膜厚控 制之全部成膜上。 以上’就本發明之實施形態之成膜方法，進行說明， 但是’本發明係不限定於此，也能夠增加各種之變化。 【發明之效果】 正如以上所說明的，若使用本發明之成膜裝置及成膜 方法’則能夠容易進行基板中央部之膜厚分布控制，並且 ’在短時間內，得到所要求之膜厚分布。此外，能夠在短 時間內’得到具有最適當週期長度分布之多層膜反射鏡。 【圖式之簡單說明】 圖1係顯示在本發明之實施形態之成膜裝置所使用之 膜厚修正板形狀之圖。 圖2係顯示成爲圖1膜厚修正板一部分之中央部修正 板形狀之圖。 圖3係顯示成爲圖1膜厚修正板一部分之周邊部修正 板形狀之圖。 圖4係顯示本發明之實施形態之成膜裝置之主要部位 槪要之圖。 圖5係藉由本發明之實施形態之多層膜反射鏡之製造 方法所製造之Mo/Si多層膜反射鏡之示意截面圖。 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂---------線· A7 528890 _ _ _El 五、發明說明（乃） 圖6係顯示藉由本發明之實施形態之成膜方法所造成 之膜厚分布變化之例子之圖。 圖7係顯示習知成膜裝置之主要部位槪要之圖。 圖8係顯示習知之膜厚修正板形狀之圖。 圖9係顯示由於膜厚修正板有無之所造成之膜厚分布 之變化例之圖。 圖10係顯示習知之膜厚修正板之其他形狀之圖。 圖11係說明產生於基板上之膜厚修正板半影之示意圖 〇 圖12係說明基板上之膜厚均一性之示意圖。 圖13係顯示在膜厚控制不完全的情形下之膜厚分布例 之圖。 圖14係顯示在本發明之實施形態之成膜裝置所使用之 膜厚修正板形狀之圖。 圖15 (A)係顯示成爲圖14之膜厚修正板一部分之形 狀可變型修正板形狀之圖，圖15 (B)係形狀可變型修正 板之部分放大圖。 圖16係顯示成爲圖14之膜厚修正板一部分之固定型 修正板形狀之圖。 圖17係顯示本發明之實施形態之成膜裝置之主要部位 槪要之圖。 圖18係顯示成爲膜厚修正板（使用在本發明之實施形 態之成膜裝置）一部分之形狀可變型修正板之其他形狀之 圖。 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 w^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 528890 五、發明說明（A) 【元件符號之說明】 23 :網孔部 25，35 :開口部 27，37 :支持板 29，39 :定位用孔 41，71 :基板 42，72 :靶材 43，73 :離子源 44 :中央部修正板 45 :周邊部修正板 46，76 :膜厚修正板 51 :多層膜反射鏡 53 :基板 55 : Mo 層 57 : Si 層 61 :所要求之膜厚分布區域 63 :不使用膜厚修正板而進行成膜時之膜厚分布曲線 64 :使用中央部修正板來進行成膜時之膜厚分布曲線 67 ··使用膜厚修正板來進行成膜時之膜厚分布曲線 85 :開口部 87 :支持板 91 :不使用膜厚修正板而進行成膜時之膜厚分布曲線 93 :使用膜厚修正板來進行成膜時之膜厚分布曲線 95 :所要求之膜厚分布區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • — — — — — — — II - ΙΙΙΙΙΙΙ - - - - - - - - II --- — A7 528890 _B7_ 五、發明說明（〆） 1〇1 :膜厚修正板 103 :開口 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 111 :標的材 113 :基板 115 :半影 121 :濺擊粒子 131 :所要求之膜厚分布區域 133 :中央部膜厚爲厚之膜厚分布區域 135 :中央部膜厚爲薄之膜厚分布區域 151，161 :支持板 153，163 ··開口部 155，185 :驅動裝置 157，187 :遮蔽構件 159 :交界部分之平均形狀 171 :基板 172 :靶材 173 :離子源 174 :固定型修正板 Π5 :形狀可變型修正板 176 :膜厚修正板 189 :微小構件 a :半影之擴張 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）