TW526225B

TW526225B - Optical materials and optical components use aryl sulfide compounds and aryl sulfide compounds

Info

Publication number: TW526225B
Application number: TW090113179A
Authority: TW
Inventors: Takahiro Fujiyama; Hideo Hama; Atsuo Otsuji; Keisuke Takuma
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2000-05-31
Filing date: 2001-05-31
Publication date: 2003-04-01
Also published as: KR20020044134A; CN1386202A; EP1291679A1; WO2001092925A1; US20030085387A1

Description

526225 五、發明說明（1) [技術領域] 料本ϊ Ξ ί:關：二利用芳香族硫化物化合物之光學材物光纖。及方香族硫化物化合物，尤指一種聚合 [背景技術] 按，光2材料以往係採用玻璃，但近年透明性聚人物料已開始普及。特別是、用。央與用¥人i予關、光學透鏡等的領域已有使射率化、高耐熱化等之高=:此域二）、W〇:i中，聚合物光纖(P0F)在lan(局部區 POF之芯部及包覆部均係由聚合物損尖眚晳l· Τ Λ·、4叫囚此已以傳运地：上不成為問題之程度作為短距離之光傳送路廣泛 :乂離傳送用實用化，但因傳送容量少之故，不適於光通信用途。相對於此，折射向變化之栅狀係數型（GI型）P0F，刀布在丰仅方量大，因此適於光通信用途，此一:s 滑，光纖之傳送容量將變得愈大。折射率分布變得愈圓 GI型P0F的製作方法有兩種類型。一種是例如

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五、發明說明（2) W093/0 8488號中所揭示般之摻雜合物中添力σ Si於該聚合物不且-係在基體用之聚藉由該低分子化合物之擴散形 :生之低分子化合物，率分布。另-種是二！度”藉而獲得折射專利特開平5-1 73026號中所揭示之：3〇2』：：曰本合！，利用兩種聚合物：反i;比的；i:: 成濃度梯度，藉而獲得折射率分布。」个丨』而形一 ίΐ合Ξίϋ ’導因於共聚組成之不同的微小之不均 F1 Ϊ因：以避免’ #因於此，易於產生透明性之二Γϋ狀可能的傳送距離僅止於5〇m左…法充分滿足豕庭内LAN等所要求之傳送距離。了 = 雜劑型之場合，摻雜劑之大小為數A程多長透明性極高，但耐熱性卻有 = t波 Ί:使用時，摻雜劑之分布將 ^ 佳，是為其問題。折射率分布之耐熱安定性不 „究3: ’可歸之為因源自摻雜劑之可塑效果，以致“ 材之玻璃轉移溫度降低。習用』效呆以致心璃轉移溫度為1G5t：左右，所使用的pmma的玻度將會降低至室溫附近右上广，添已醋正丁_、水揚酸窄醋、演苯、心：：卞8::駄酸窄醋、二苯基甲烧、二苯基醚、聯苯、二西文：：本苯醋、磷酸三苯醋、磷酸三甲酚：：基‘醚、本甲酸劑業已為人所知。4作為GI刪F之摻雜，、中一本基硫醚係作為兼可達成可塑

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第6頁 526225 五、發明說明（3) _ 1 效果及高折射率化之摻雜劑，揭示 ⑼、咖號中。然而，即使使用此一日推本雜專^特開平 4刀地滿足耐熱性。 ’ 也無法充 [發明之揭示] 本發明係以上述狀況為背景開發而成 i 供一種作為光學材料有用之芳香族硫化物化：物的f 之，本發明係企圖提供一種耐熱性獲徉吕 G I型P〇F。又σ之摻雜劑類型 =明人等為解決上述問題點作銳意之研究，菸具有特定構造之芳香族硫化物化合物作 ^ ^精由將劑使用’可抑制芯材之玻璃轉移溫度之降低：：= ^可在較某—溫度為高溫之氛圍下使用，·終而完;= 具體言之，本發明係： [\] 一種光學材料，含有至少一種於下列通式（1)所干> 方香族硫化物化合物：小< 、 A-fS-Bk)n (1) [式中，η表2〜12之整數，k表1〜n之整數；一 A表可具有取代基之n價碳環式芳香族環或雜環式芳香族環；Bi〜B。分別獨立地表可具有取代基之碳環式芳香族矢或雜環式芳香族基]。、土 [2]如[1]之光學材料，其中，該通式（1)中，η為2〜4之整數’且Α為可具有取代基之雜環式芳香族環。 [3 ]如[2 ]之光學材料，其中，該通式（1)中，〜βη分別

526225 五、發明說明（4) 獨立地表可具有可具有取代基之代基之苯並嘆σ坐取代基之σ塞二。坐 [4 ] 如[2 ]之光有取代基之°塞吩、可具有取代基 [3, 2-b]噻吩環’ 之嘧啶環之任一 [5 ] 如[4 ]之光獨立地為可具有可具有取代基之代基之苯並噻唑取代基之噻二唑 [6 ] 如[2 ]之光有取代基之噻吩基之哺唆基之任 [7] 如[6 ]之光獨立地為可具有可具有取代基之代基之苯並嚷吐取代基之嚷二唑 [8] 如[2 ]之光有取代基之噻吩取代基之苯基、可萘基、可具有取代基、可具有取代基基、可具有取代基學材料，其中，該環、可具有取代基之噻吩噻二唑環、可具有取代基之i 者所選出的二價雜學材料，其中，該取代基之苯基、可萘基、可具有取代基、可具有取代基基、可具有取代基學材料，其中，該環、可具有取代基一者所選出的三價學材料，其中，該取代基之苯基、可萘基、可具有取代基、可具有取代基基、可具有取代基學材料，其中，該環、可具有取代棊具有取代基之嘧啶基、基之噻嗯基、可具有取之苯並噁唑基、可具有之σ塞峻基。通式（1)中，Α為自可具之噻吩-1，1-二氧基環可具有取代基之噻嗯並 L嗉環、可具有取代基環式芳香族環。通式（1)中，B1〜Bn分別具有取代基之嘴ϋ定基、基之噻嗯基、可具有取之苯並噁唑基、可具有之17塞唑基中之任一者。通式（1)中，Α為自可具之三嗉環、可具有取代雜環式芳香族環。通式（1)中，B1〜Bn分別具有取代基之嘧啶基、基之噻嗯基、可具有取之苯並噁唑基、可具有之噻唑基中之任一者° 通式（1)中，A為自玎具之噻嗯並[3, 2-b]嘍吩

C:\2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第8頁 526225 五、發明說明（5) 環之任一者所選出的四價雜環式芳香族環 [9 ]如[8 ]之光學材料，其中，該通式（丨）中，β1〜βη分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並噁唑基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任一者。 [10] 如[1 ]之光學材料，其中通式（1)中，該η為2〜6之整數’且Α為可具有取代基之碳環式芳香族環。 [11] 如[10]之光學材料，其中，該通式（1)中，βΐ〜βη分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並噁唑基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任一者。 [12] 如[10]之光學材料，其中，該通式（1)中，a為自可具有取代基之苯環、可具有取代基之萘環、可具有取代基之芴環、可具有取代基之聯苯環之任一者所選出的二價碳環式芳香族環。 [13] 如[1 2 ]之光學材料，其中，該通式（1)中，b1〜Bn分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之笨並噁唑基、可具有取代基之嘍二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任一者。

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第9頁 526225 五、發明說明（6) [14] 如[10]之光學材料，其中，該通式（1)中，A為自可具有取代基之苯環、可具有取代基之苟環之任一者所選出的三價碳環式芳香族環。 [15] 如[1 4 ]之光學材料，其中，該通式（1 )中，B1〜❿分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧焚基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並嘍唑基、可具有取代基之苯並噁唑基、可I 有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任〜' 者0 [16] 如[1 0 ]之光學材料，具有取代基之苯環、可具有出的四價碳環式芳香族環。 [17] 如[1 6 ]之光學材料，別獨立地為可具有取代基之、可具有取代基之萘基、可取代基之苯並11塞唾基、可具有取代基之σ塞—°坐基、可呈者0 其中，該通式（1)中，Α為自$ 取代基之聯苯環之任一者所# 其中，該通式（1)中，B1〜苯基、可具有取代基之嘧具有取代基之σ塞嗯基、可具有有取代基之苯並噁唑基、可& 有取代基之噻唑基中之任— 其中該光學材料係為聚其中該光學材料係為聚

[18] 如[1 ]〜[1 7 ]之光學材料合物光纖材料。 [19]如Π]〜[17]之光學材料合物光纖材料。 [20]如Π]〜[17]之光學材型聚合物光纖。料，其中該聚合物光纖係61

526225 五、發明說明（7) [21] —種芳香族硫化物化合物，係以下列通式（1 a )表不： A—fS-Bk)2 (la) [式中，k表1〜2之整數； A表自可取代之苯環、可取代之萘環、可取代之芴環、可具有取代基之聯苯環、可具有取代基之噻吩環、可具有取代基之嗔吩-1，1 -二氧基環、可取代之噻吩噻二唑環、可具有取代基之噻嗯並[3, 2-b]噻吩環、可具有取代基之三嗉環、可具有取代基之嘧啶環所選出之二價碳環式芳香族環或雜環式芳香族環； B1、B2分別獨立地表自可取代之苯基、可取代之嘧啶基、可取代之萘基、可取代之噻嗯基、可取代之苯並噻唑基、可取代之苯並噁唑基、可取代之噻二唑基、可取代之噻唑基所選出之碳環式芳香族基或雜環式芳香族基]。 [22] —種芳香族硫化物化合物’係以下列通式（1 b)表示： A-fS - Bk)3 (lb) [式中，k表1〜3之整數；

A表自可取代之苯環、可取代之苟環、可取代之噻吩環、、可取代之三嗉環、可取代之嘧唆環所選出之二價碳環式芳香族環或雜環式芳香族環； p B1、B2、B3分別獨立地表自可取代之苯基、可取代之嘧啶基、可取代之萘基、可取代之嘍嗯基、可取代之苯並：唑基、可取代之笨並噁唑基、玎取代之噻一唑基可取4

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五、發明說明（8) 之嗔峻基所選出之碳環式芳香族基或雜環式芳香族基] [23] 一種芳香族硫化物化合物，係以下列通式（1 表來： A~es-Bk)4 (lc) [式中，k表1〜4之整數； A表自可取代之苯環、可取代之聯苯環、可取代之畫吩環、可取代之噻嗯並[3, 2_b]噻吩環、所選出之碳環式芳香族環或雜環式芳香族環； B1、B2、B3、B4分別獨立地表自可取代之本基、可取代之嘧啶基、可取代之萘基、可取代之噻嗯基、可取代之笨炎噻唾基、可取代之苯並噁唑基、玎取代之嗔二唑基、可取代之噻唑基所選出之碳環式芳香族基或雜環式芳香族基]0 [發明所實施之最佳形態] 以下’兹將本發明詳細說明之。本發明之光學材料係以含有： (a)透明性聚合物、 (b )方香族硫化物化合物為其特徵。本發^明之光學材料，其特徵係在含有至少一種 (1 )所不之芳香族硫化物化合物·· ^式 A七S〜Β”η (1) 式中’η表2〜12之整數，k表1〜η之整數； Α表可具有取代基之η價碳環式芳香族環或雜環八方香族

526225 五、發明說明（9) 環； βϊ〜妒分別獨立地表可具有取代基之碳環式婪4 雜環式芳香族基。香姨基或首先’茲就形成中心構架之通式（1)的Α說明之 #雜環式芳香族環係由兩種或兩種以上之元素、環。兩種以上之元素的原其可舉例：：子構成乳原子、磷原子、硫原+、氮原子等 ,呶原子、元素之原子構成，更好的是由2〜店疋由2〜5 又’碳原子以外之原子在此予以記憶：=原子構成。種雜環式芳香族環係由五員環或六員”原子」。或1〜4個芳香族環縮合構成，更好的：二構成。宜為單環香族環縮合構成。疋由單環或2〜3個; 宜為4 雜環式芳香族環中所含之碳數〜11個。宜為4〜14個以I兹就較佳的料式芳香一 I先，兹舉通式（2)中所示之^二體例記述之。、7-MU弋（2)中，可舉的是z=〇之呋略子之五員環為例 θ .之咄咯環。其中較好的是售吩f長、z==s之噻吩環疋嗔吩環。 …心南環，更好的又，另外可舉的是纟通式（2) 上縮合有茗本每之通式（3) C:\2D^WDE\90^09\90113179.ptd 第13頁 1 526225 五、發明說明（ίο) 在通式（3 )中，較佳的是Z = N Η之吲哚環，Z = 0之苯並咬喃環、Z = S之苯並噻吩環。

⑶ 又，通式（2)之z = s的噻吩環上縮合有芳香環者，可舉的是式（4a)〜（4 f )。其中較佳的是異苯並噻吩噻嗯並噻二唑環、噻嗯並[3，2 -b ]噻吩環，更好的是噻嗯並噻二唑環、 σ塞嗯並[3，2 - b ]鳴吩環。

(4c)

NT S" (4b)

(4e)

(4f) 其次，茲舉通式（5a)或（5b)所示之含2個雜原子之五員環為例說明：通式（5 a)中，可舉的是Z1 = 0之ϋ惡唾環、Z1 = S之噻唑環、Ζ^ΝΗ之咪唑環。又，通式5(b)中，可舉的是Ζ2 = 0 之異°惡峻環、Z2 = S之異°塞σ坐環、Z2 = Ν Η之ρ比嗤環。其中較佳的是。惡17坐環、°塞σ坐環’更好的是嚷σ坐環。

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第14頁 526225 五、發明說明（11)

(5a)

(5b) 又，通式（5a)或（5b)之五員環上縮合有苯環者，可舉的是通式（6a)或（6b)者。於通式（6a)中，可舉的是Z1=0之苯並噁唑環、Z1 =S之苯並噻唑環、Z1 =NH之苯並咪唑環。又，通式（6 b)中，可舉的是Z2 = 0之苯並異°惡°坐環，Z2 = S之苯並嘆哇環、Z2 = N Η之苯並吼吐環。

含3個以上雜原子之五員環，可舉的是正三唑環、s -三 σ坐環、1，2，4 -嗔二唆環、1，3，5 -嗔二唾環、1，2，5 - °惡二峻環、1，2，4 -嚷二唑環、1，3，5 -嚷二唑環、1，2，5 - ϋ塞二唑環、四ϋ坐環等。其中，較佳的是1，3，5 - σ惡二哇環、1，3，5 -嘆二吐環，更好的是1，3，5 - σ塞二唾環。含1個雜原子之六員環，可舉的是咄啶環。另外可舉的是，在咄啶環上縮合有苯環之喳啉環、異喳啉環。其次，含有2個雜原子之六員環，可舉的是噠嗉環、嘧啶環、咄嗉環。又，另外可舉的是此等六員環上縮合有苯

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第15頁 526225 五、發明說明（12) ___ 環之苯並[d ]噠啳環、 """"""〜環。並[C]噠嗉m、喳吐啉環、喳另外，作為含3個雜％ ^ 又，通式⑴中之A可為多1衷六系員環具體可而舉/，是三唉環。 (7 )所示般之複數個環系以單鍵一一 _ 。了為如通式成之多環系。〃條地作一次元連結此處，Z係表氧原子或硫原子。又，中較佳的是Z為硫原子者。 ^表〇〜2之整數。复的範圍為〇。 m之較佳範圍為〇或1，更ς

(7) 通式（1 )中之A 子均為碳原子之或六員環所構成構成’更好的是含於碳環式芳是6〜1 8個。作参此種碳環環式芳香族環。亞苯環、二萘嵌環等。其中較佳的碳ί哀環式化。較佳由單環香族環式芳香可舉實苯環、的是組 ^芳香族環，係構成芳香族合物。碳環式芳香族環係由五^ 的是由單環或2〜5個芳香族或2〜4個娑头# π ^ a ^ ^ i 4個方香族環縮合構成。中之碳數目宜為6〜22個，f 文好的族環的具I# - 叮幽例A # 例不，可舉的是飨人扪為戍榕烁 ^ 疋、％合！夺環ιϊ二1-本並萘環、三合刑# 、展：菲環、嵌二苹―4 σ形方香斿奈％、巴

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 知裱。具體可舉實例為」 526225 五、發明說明（13) 環、萘環、蒽環、萘並萘環、戊搭烯環等等。其中更好的是苯環、萘環、蔥環，尤其好的是苯環、萘環。其次，通式（1 )中之A也可為多環系。具體而言，其為如通式（8 )所示般之由單鍵一條一條地將複數個環系一次元連結成之多環系。此處，m係0〜2之整數。又，m之較佳範圍為0或1 ，更好的範圍為0。

再者，通式（1)中之A也可為通式（9)所示之構造。其可舉的具體實例為Z3 = NH之咔唑環、Z3 = 0之二苯並呋喃環、Z3 =S之二苯並噻吩環、Z3 = CH2之苟環、Z3 = 0之苟酮環、Z3 = S02 之二苯並二氧基噻吩環。其中較佳的是二苯並噻吩環、芴環、苟酮環、二苯並二氧基噻吩環，更好的是二苯並噻吩環、苟環、芴酮環。

(9) A所示之碳環式芳香族環或雜環式芳香族環，其較佳構造為以下之結構式。

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第17頁 526225 五、發明說明（14) 0

N

碳環式芳香族

N 通式（1)中之A所表的雜環，也可具有取代基；;式芳香族環或碳環式芳基、鹵素原子等等。取代基’可舉的是烧基、烷氧作為燒基，較佳的是硝佳的是甲基、乙基、正〜4之烷基。具體而言，較丙基、第二丁基、第二^^ 丁基之直鏈狀者，或是異作Λ俨ϋ其 & : 一丁基之支鏈狀者。作馮烷虱基，較佳的是碳數言，較佳的是甲氧基、乙氧基、〜片之烷氧基。具體而作為鹵素原子，可舉的是 2氧基、異丙氧基。原子。較佳的是氟原子、氣原子。、氯原子、溴原子、碘此等取代基可在考慮熔點或對於定。對於聚合物之相容性不佳的pσ物之相容性下決大的第三丁基。 δ 有效的是導入體積其次，兹就通式（1)之Βι〜βη進行地表可具有取代基之碳環式芳香族美3。Β1〜Bn分別獨立雜環式芳香族基係由2種或2種以^或雜環式芳香族基。香族環。作為2種以上之元素的原子，之^元素的原子構成芳可舉的是碳原子第18頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（】5) 、氧原子、磷原子、炉 ^ 種元素的原子所構成二更的，原子等。較佳的是由2〜5 成。又，碳原子以外之肩、7由2〜4種元素的原子所構雜環式芳香族基係由五員環為雜原子。由1〜4個芳香族環縮合 =貝裱所構成。較佳的是縮合構成。更好的是由I〜3個芳香族枣雜環式芳香族基中所含之聲I 、衣是4〜11個。 3之厌數目宜為4〜14個，更好的作為此種雜環式芳香式（10)所示之含！個雜原子土之之五具體實例，首先可舉的是通式（10)中，LO之咬喃基、Z=S<H更可舉的是，在通其中較好的是嗔嗯基”夫。南基基、z嚼之吼,各基。 _ 更好的是°塞嗯基。 (1〇) Ύ :，還可舉的是在通式(10)上縮合 k式（11)中，可舉的是Z=NH之吲哚美承一、式（11) c 基、Z = s之笨並嘴λ。盆中土 Ζ-0之本並呋喃呋喃基，f h 的是笨並噻嗯基、笨If X昀丞，更好的是苯並噻嗯基。本並 (11) 1 C:\2D-CODE\90.09\90H3i79.

Ptd 第19頁 526225 五、發明說明（16) 嗔峻基、Z1=NH之哺嗤基。又，通式（12b)中，可舉的是 Z2 = 0之異噁唑基、Z2 = S之異噻唑基、z2 = NH之咄唑基。其中較好的是噁唑基、噻唑基，更好的是噻唑基。

(12a) (12b) 又，合有笨 Z1 = 0 之基。又 Z2=S 之笨並噁作為第二-」 1.2.5- 2，5 -口塞 1.3.5-作為可舉的佳的是逋式AiZb)或（12b)所示之還可舉的是 ________ _________ ^ ^ _ v< 環之通式（13a)或（13b)。通式d3a)中，可舉的是本並°惡唾基、Z1 = S之苯並鳴π坐基、π = n Η之苯並咪°坐 /通式（13b)中，可舉的是Ζ2 = 〇之苯並異噁唑基、苯並異噻唑基、Ζ2 = ΝΗ之笨並咄唑基。其中較佳的是

唑基、y噻唑基^^好的是苯並噻唑基 21

N (13a) (13b) 含3個以上雜月+ 昌 -.^ Ί 原子之五貝裱，可舉的是正三嗉基、二嗉基、1，2, 4…亞-岫其Ί 0 噁二 4心一唑基、1，3, 5-噁二唑基、二唑美:，2,4 —噻二唑基、1，3, 5-噻二唑基、1，嚷-^美四唑基。其中較佳的是h 3, 5一噁二唑基、塞一口坐基，更好的是L 3 5一含1個雜原子之丄昌 ~ 土是在吡一其，、貝％，可舉的是吼啶基。又，還咄啶基7 土上縮合有苯環之喳啉基、異喳啉基。較

C:\2D-CODE\90-09\90113l79.ptd 第20頁 526225 五、發明說明（17) 其次，作為含2個雜、嘧啶基、咣嗉基。，、子之六員環，可與苯環之苯並⑷噠，、還j舉的是在？是，基、啉基。本並[c J。建嗜寺^貝裱上縮合有另外，作為含3個雜斤子之。Ί⑼基…奎嗓通式⑴中之Β丨〜Βη/Ί之六貝環，可兴的曰之原子均為碳原子之# 式芳香麩基/伟疋二嗉基。五員環或丄屬严跖^式化合物基。α π構成芳香族環構成’更好的是由罝。疋由2〜ς侗-关土係由石卢产—、^ Γ 早％或2〜4個芳香# 5個方香族環縮合 =方香族基中所含之：J環縮合構成。疋6〜18個。為6〜22個，更好的此種碳環式芳香族基之銀且雕、許基，、菲基嵌二萘基，λ笨 =2較佳的是組合形芳香族基。具體 j 5、秦基、蔥&、萘並萘基、戊省基等等。】：本本基、萘基、蔥基，尤其好的是苯基、萘基。的是通式（1 )中之〜的較佳結構，係如;ς示之結構t

N一 N

αν

C:\2D-GODE\90-09\90113179.ptd 第21頁 526225 五、發明說明（18) 通式（1)中，B1〜Bn可完全相同，也可完全不同。 B1〜Bn所表之碳環芳香族基或雜環式芳香族基也可經取代。作為取代基，可舉的是烷基、烷氧基、li素原子等等。作為烷基，較佳的是碳數目1〜4之烷基。具體而言，較佳的是曱基、乙基、正丙基、正丁基之直鏈狀者，或是異丙基、第二丁基、第三丁基之支鏈狀者。特別好的是曱基、乙基、正丁基、第三丁基。作為烷氧基，較佳的是碳數目1〜3之烷氧基。具體而言，較佳的是甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基，特別好的是曱氧基。作為鹵素原子，可舉的是氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。較佳的是氟原子、氯原子，特別好的是氟原子。此等取代基可在考慮熔點或對於聚合物之相容性下決定。對於聚合物之相容性不佳的場合，有效的是導入體積大的第三丁基。又，在直鏈狀烷基之場合，若在非對稱位置，例如在苯基中導入曱基之場合，較之對位，以間位為宜。通式（1)中，η表2〜1 2之整數。η係由A之分子結構所決定，並無特殊限制。當A為雜環式芳香族環之場合，η之較佳範圍為2〜6，更好的範圍為2〜4。又，當Α為碳環式芳香族環之場合，η之較佳範圍為2〜1 0，更好的範圍為2〜 6 ° 通式（1)中，k表1〜η之整數，取代位置宜為盡可能使導

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第22頁 526225 五、發明說明（19) 入後分子之對稱性增高。具體而言，n = 3之場合，較之苯環的1，2, 4-位，以在1，3, 5-位導入取代基為宜。利用本發明芳香族硫化物化合物之光學材料，辟由與透鏡或光學過濾器等之材料、或是低折射率材料組合形成積層薄膜，也可作為反射防止膜使用。可舉的適用例為一般照相機用透鏡、視頻攝像機用透鏡、雷射拾取透鏡\雷射印表機用f 0透鏡、菲淫爾透鏡、液晶投影機用透鏡、目艮鏡用透鏡等之透鏡、投影機用螢幕、光纖、光波導&路、棱鏡等之光學零件等等。其中，可作為POF之材料適當地使用。此種光學零件可分為透明性聚合物與摻雜劑均一分散之 %合’以及具有分布之場合。具有折射率分布之場合，較佳的是適用於用於GI型POF及複印機之陣列式透鏡。有關本發明光學材料之製造方法’係可利用射出成形法、壓縮成形法、微模製法、浮動模製法、羅林克斯法、注杈法等之習知成形法。在注模法中，也可在使聚合部份進行後，將材料注入模作最終聚合，而在獲得成形品的同時製造本發明光學材料。又，成形用樣本’在射出成形法之場合，可藉由將摻雜劑混配於熱塑性樹脂中攪拌至均— 為止而獲彳于，另，在注入法之場合，例如可藉由將摻雜添加於UV硬化性單體中攪拌至均一為止而獲得。再者，藉由在依上述成形法所獲得之成ς品表面，以真 =蒸鍍法、噴濺法、離子鍍敷法等被覆MgF2、Si〇2等之無、十’化合物，或在成形品表面硬式被覆矽烷偶合劑等之有機

526225 五、發明說明（20) 矽化物、乙烯基„σ — — 脂、矽樹脂等，=摅、:，氰胺樹脂、環氧樹脂、氟系樹性、耐磨耗性、以j呵耐濕性、光學特性、耐藥品以下，兹就作：二1 等等。化物化合物之場二 0F之材料，使用本發明芳香族硫將本發明芳；二：進行詳細說明。於一般係作為汽ϋ 物化合物用於相關用途之場合，由 U之範圍更好折二^^ 又，士接丄疋1,63〜190之範圍》其中選擇複；單獨含於芯部中，也可自其他之習知推雜；芯=以其中之一或複數種與料7所之期^部中所含的高折射率摻雜劑的含量，只要日处何限制。較佳損光纖之機械強⑨，並無任逆％，添加於構成芯部之聚合物 ♦。衣 :高折射率摻雜劑之混合物令其行聚合反應精 Ϊi 7JIVV!P0F^^#；#J; 的是祕的是在5Gf…下’再好

本，明POF中所使用之高折射率摻雜劑化合物的 L 積，係依與使用之芯部POF材料的單體之組合而決，，特殊限制。若考慮習用之P〇F中所使用&甲基丙烯體積為1〇1 A3左右’將甲基丙稀酸甲酷作為芯部母材早體使用之場合，宜為100〜5〇〇入3之範圍，

C:\2D-CODE\90-09\90ll3179.ptd

526225 五、發明說明（21) 是150〜40 0 A3之範圍。光纖之中心部與外周部間有高折射率差，令人滿意的不只是使開口數增大，使傳送損失降低，其實還有減低結合損失及彎曲損失此數點也令人滿意。本發明塑膠光纖中之開口數宜為0 . 1 5〜0 · 4 0之範圍，更好的是0 · 1 8〜0 · 3 0之範圍。如上所說明，本發明芳香族硫化物化合物，係由具有通式（1)所示結構之化合物所構成，作為此種芳香族硫化物化合物，具體可舉的是下表中所記載之化合物。

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第25頁 526225

五、發明說明（22) η = 2之具體例示編號 A Β1 Β2 1 ρ- h3c p- h3c 2 同上 λ-Ν cN>- 3 同上 4 同上〇6 〇ό 5 同上 α〇>- 6 同上 7 同上/ rrv H3C^^S 8 同上 Ν-Ν H3C^S^ N-N H3C^S^ C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第26頁 526225 五、發明說明（23) η = 2之具體例示編號 A 巳I 巳2 9 9H3 A h3co-h^- H3C〇-〇- 10 同上 cv CV 11 :同上 12 同上〇6 οό 13 同上 h3cck^^0 Η3〇〇ΧΪ}- 14 同上 c4h9x 15 同上〔V 吣s 〔广 16 同上 N-N H3C^S^ N-N H3C^S^

C:\2D-CODE\90-09\90] 13179.ptd 第27頁 526225 五、發明說明（24) n = 2之具體例示編號 A 巳1 巳2 17 18 同上 /Γ-Ν frW 19 同上 _^>c(ch3)3 _^3~C(CH^ 20 同上〇6 οό 21 同上 Q>- Q>- 22 同上 c,h7 ςΓ 23 同上 24 同上 Ν-Ν H3C^S^ Ν-Ν H3C^S^ ❿

Bii C:\2D-TODE\90-09\90J13179.ptd 第28頁 526225 五、發明說明（25) n = 2之具體例示編號 A 巳1 Β2 25 界〇- ο- 26 同上 CV CV 27 同上 28 同上 C0 οό 29 同上 α〇>- 30 同上 31 同上 ar cxv 32 同上 Ν-Ν h3c^s^ Ν-Ν H3C』sk

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第29頁 526225 五、發明說明（26) n = 2之具體例示編號 A B1 B2 33 c2h5-〇- c2h5^Q- 34 同上 Λ-Ν cN>- (V 35 同上 36 同上〇6 00 37 同上 αν a:卜 38 同上 h3c女、cXr 39 同上 ay 40 同上 N-N h3c^s^ N-N H3C^S^ mm 第30頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（27) η二2之具體例示編號 A B1 Β2 41 H3C-0- Η3°-0- 42 同上 CV 43 .同上 44 同上 οό οό 45 同上 α〇>- α〇>- 46 同上 47 同上讲 48 同上 Ν-Ν Ν-Ν H3C^S^ Φ ΒΒ C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第31頁 526225 五、發明說明（28) η二2之具體例示編號 A 巳1 Β2 49 Q- ch3 Q- ch3 50 同上 Π-W cN>- 51 同上 d> 52 同上 οό 〇ό 53 同上 α〇>- 54 同上 H3C"^S^ H3C^S^ 55 同上 α>- αν 56 同上 Ν-Ν H3C^SK' Ν-Ν Φ

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第32頁 526225 五、發明說明（29) η二2之具體例示

編號 A B1 巳2 57 CH, h3c h3c p- h3c 58 同上 cl· zrH Or- 59 同上 60 同上 00 06 61 同上〇〇 αν 62 同上 63 同上 j3c^- h3c\人 s j3^>- h3c^^s 64 同上 N-N h3c^s^ N-N H3C』Sk 第33頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（30) η二2之具體例示 Φ 編號 A B1 Β2 65 h3c ρ- h3c 66 同上 cv /rhi 67 同上 68 同上' 00 οό 69 同上 αν α〇>- 70 同上 c2h^ 71 同上 7 2 同上 Ν-Ν Ν-Ν h,cJLs^

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第34頁 526225 五、發明說明（31) n = 2之具體例示編號 A B1 Β2 73 c2h5-〇- c2h5-<Q- 74 同上 /γ-Ν /γ-Ν 75 同上 76 同上 οό οό ΊΊ .同上 co· αν 78 …同上 η办 H3C^V^ 79 ，同上 σκ α:[ 80 同上 Ν-Ν H3C^S^ Ν-Ν H3C^S^ ! C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第35頁 526225 五、發明說明（32) η二2之具體例示編號 A B1 Β2 81 來 p- h3c ρ- h3c 82 同上 CV 83 同上 84 同上 00 οό 85 同上 αν αν 86 同上 87 同上 αν αν 88 同上 Ν~Ν H3C^S^ Ν-Ν

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第36頁 526225 五、發明說明（33) η二2之具體例示編號 A 巳1 Β2 89 XI c2h5-〇- 90 同上 /rN cr CN>- 91 同上 92 同上〇ό 00 93 同上 α〇>- αν 94 同上 Η3〇·^ζ^· H3C^Q^ 95 同上 αν 96 同上 Ν-Ν 人Κ h3c^ Φ C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第37頁 526225 五、發明說明（34) n = 2之具體例示編號 I - · A 巳1 B2 97 冬 h3c p- h3c 98 同上 irW 99 同上 100 同上 οό 00 101 同上 αν 102 同上 c2Hr^- C2H5-^S^ 103 同上 Crh αν 104 同上 N-N N-N h3c 乂

画HH 第38頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（35) η二2之具體例示編號 A 巳1 B2 105 ¥ c2h5-〇- c2h5-〇- 106 同上 /γ~Ν CN>- Ί07 同上 d> 108 同上 οό 00 109 同上 CO· 110 同上 H3C^S^ H3C-^S^ 111 同上 αν αν 112 同上 N-N H3C'k N-N H3C^S^ IBi C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第39頁 526225 五、發明說明（36) η = 2之具體例示 ❿ 編號 Α· Β1 B2 113 h3c p- h3c 114 同上 n-W 115 同上 d^" 116 同上 οό 00 117 同上 CO· CO· 118 同上 C2H5^?^ 119 同上 αν ah 120 .同上 N-NI H3C^S^ N-N H3C^S^

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第40頁 526225 五、發明說明（37) η二2之具體例示編號 A B1 B2 121 农 C2H5-hQ- c2h5-〇- 122 同上 CV CV- 123 同上 d> (S^ 1 24 同上 οό 00 125 同上 h3c〇XX^ 126 同上 H3C^S^ Ί27 同上 αν αν 128 同上 N-Μ H3C*^S^ N-N H3C^S^

II 11 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第41頁 526225 五、發明說明（38) η二2之具體例示編號 A B1 B2 129 粟 p- h3c p- h3c 130 同上 €V 131 同上 132 同上 οό 〇6 133 同上 α〇>- 134 同上 c2h5冬 c2h6冬 135 同上 αν 136 同上 N-N H3C 乂 Sk N-N H3C^S^

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第42頁 526225 五、發明說明（39) η二2之具體例示編號 A 巳1 Β2 137 -ΟςΟ- II ο c2h5-^Q- c2h5-^Q- 138 同上 /γΗ 139 同上 140 同上〇ό οό 141 同上 αν α〇>- 142 同上 H3C*^S^ Η办 143 同上 α>- 144 同上 Ν-Ν H3C^S^ Ν-Ν H3C^S^ ΪΒΪ C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第43頁 526225 五、發明說明（40) η二2之具體例示編號 A B1 Β2 145 Or h3c 146 同上 cv Ν-Ν 147 同上 η3〇^- 148 同上〇6 0- 149 .同上 αν 150 同上 H3CHQ- 151 同上 ch3 152 同上 Ν-Ν h3c^s^

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第44頁 526225 五、發明說明（41) η二2之具體例示

編號 A B1 Β2 153 XX ch3 Or 154 同上 cv 155 同上 h3c-〇- 156 同上〇6 叫Xr 157 同上 (P~ 158 同上 π h3c 159 同上 «>- CO· 160 同上 h3c^ 第45頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（42) η二2之具體例示編號 A 巳1 巳2 161 h3c η3〇-〇- 162 同上 .CV d> 163 同上 p- h3c 164 同上 00 N-N Η〆〆 165 同上 H3C^S^ ay 166 同上叫Χγ cv- 167 同上. Q- CH3 168 同上 P" h3c N-N H3C^S^ 画_ 第46頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（43) n = 2之具體例示編號 A B1 B2 169 N~N /ΤΝ cr p- h3c 170 同上 α〇>- 同上 οό Q- ch3 172 同上 αν Ί73 同上 h3c合 174 同上 h3〇£Es^ 175 同上 N-N H3C^S^ H3C^^S^ 176 同上 Cs>- p- h3c _ 1VII1 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第47頁 526225

五、發明說明（44) η二2之具體例示編號 A 巳1 B2 177 养〇- d> 178 同上 CV p- h3c 179 同上. αν d> 180 同上 οό Q- ch3 181 同上 h3c^ ^c〇^y 182 同上 H3°-0- 183 同上 ay 184 同上 H3C^S^ N-N H3C^S^ 第48頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（45) n = 2之具體例示

編號 A B1 B2 185 〇- h3c^Q^ 186 同上 CV 187 同上 188 同上 00 189 同上 N-N αν 190 同上 η3°-〇- H3C^S^ 191 同上’ p- h3c 192 同上 N-N h3c^s^ 第49頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第50頁 526225 五、發明說明（47) η二2之具體例示

編號 A B1 B2 201 H3C^^ 202 同上 —^^-C(CH3)3 乙V 203 同上 ~JQrz、 204 同上 205 同上 -〇-〇ch3 h3co^^〇 206 同上 H3C^S^ 207 同上 αν j3^ h3c"^^s 208 同上 Ν-Ν N-N H3C^S^ 第51頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（48) n = 2之具體例示編號 A Β1 B2 209 ρ- h3c 210 同上 /γ-Ν HsC^S^ 211 同上 a〇>- 212 同上 00 h3c 213 同上 α〇>- H3°-〇- 214 同上 H3C^S^ 215 同上办 α〇>- 216 同上 N-N H3C^S^ d>

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第52頁 526225 五、發明說明（49) η二2之具體例示編號 A B1 Β2 217 p- h3c 218 同上 /rH Q>- 219 同上 -〇^c(ch3)3 220 同上 00 h3c 221 同上 α〇>- Η3°-〇- 222 同上 Η办 c2Hr^- 223 同上 αν α〇>- 224 同上 Ν-Ν _隱_ 第53頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225 五、發明說明（50) η = 3之具體例示編號 A B1 B2 巳3 225 A -〇-c3h9 ~^0^C3H9 -〇~c3h9 226 同上 Q>- 227 同上 228 同上 229 CH. -d-CH3 ch3 -^-ch3 CH, -^W^CH3 230 同上 cv 0 0 231 同上〜 232 同上 233 y~y~ Or 〇- Or 234 同上 cv 0 cv 235 同上冬 236 同上 V^c2h5 [r(^ V^c2h5 f5l S^c2h5

C:\2D-CODE\90-O9\9O113179.ptd 第54頁 526225 五、發明說明（51) η二3之具體例示

編5虎 A B1 B2 B3 237 A p- h3c p- h3c P- h3c 238 同上 /Γ-Ν CN>- 0 /r-N cr 239 同上 240 同上 0- 241 TX -^Q-C(CH3)3 -〇3c《ch3)3 ~〇-C(CH3)3 242 同上 /γ-Ν ΗΧΟ—χ>— 3 Η3〇〇-^ν- 243 同上 244 同上 245 \ CH. Or Or o- 246 同上 cy o cv 247 同上 248 同上 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第55頁 526225

C:\2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第56頁 526225 五、發明說明（53) η二4之具體例示編號 η A 257 4 258 ’同上 .同上 /rH 259 同上 ‘同上. d> 260 同上同上 261 同上. 同上 αν 262 .同上同上 263 同上同上 αν 264 同上同上 Ν-Ν h3c^s^- C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第57頁 526225 五、發明說明（54) η二4之具體例示編號 η A B1 〜Bn 265 4 善 p- h3c 266 同上同上 /γ-Ν 267 '同上同上 268 同上同上〇6 269 同上同上卜〇> .’ 270 同上 .同上 H3C*^S^ 271 同上同上 αν 272 同上 .同上 Ν-Ν H3C^S^ 1»111 C: \2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第58頁 526225 五、發明說明（55) η二4之具體例示 :編號 η A B1 〜Bn _/CH3 273 4 XC A ch3 274 同上同上 cv 275 同上同上 276 同上同上 C0 277 同上同上 η3〇ΧΧ}- 278 同上同上 279 同上同上 αν 280 同上同上 N-N H3C^S^ _

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第59頁 526225 五、發明說明（56) η = 4之具體例示編號 η A B*1 〜Bn 281 4 h3c 282 同上同上 CV 283 同上同上 284 ;同上，同上〇ό 285 同上同上 α:>- 286 同上同上 287 同上同上 αν 288 同上同上 Ν-Ν «

C:\2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第60頁 526225 五、發明說明（57) η二4之具體例示編號 η A B1 〜 289 4 h3c 290 同上同上 CV 291 同上同上 292 同上同上 οό 293 同上同上 αν 294 同上同上 295 同上同上 296 ’同上同上 Ν-Ν H3C^S^ mi C:\2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第 61 頁 526225

C:\2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第62頁 526225 五、發明說明（59) η二6之具體例示編號 η A ΒΊ〜Βη 305 6 ψ -O-c 306 同上同上 cv 307 同上同上 308 同上同上〇6 . 309 同上同上 cc>- 310 同上同上 31 1 同上同上 ay 312 同上同上 N-N H3C^S^

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第63頁 526225 五、發明說明（60) n = 8之具體例示編號 η A B1 〜Bn 313 8 你 h3c 314 同上同上 cv 315 同上同上 316 同上同上 -^^•c(Ch3)3 317 同上同上 αν ' 318 同上同上 H3C^S^ 319 同上同上 αν 320 同上同上 Ν-Ν H3C^S^ «

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第64頁 526225 五、發明說明（61) η二10之具體例示編號 η A ΒΊ-Βη 321 10 ~h0MDCH3 322 同上同上 cv 323 同上同上 324 同上同上 -〇~c(ch3)3 325 同上同上 a〇>- 326 同上同上冬 327 同上同上 χχΝ>_ H3Cx^^S 328 同上同上 N-N H3C^S^ C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第65頁 526225 五、發明說明（62) η二10之具體例示編號 η A B1 〜Bn 329 10 撒 p- h3c 330 同上同上 c2h5·^^ 331 同上同上 332 同上同上〇6 . 333 同上同上 α:>- 334 同上同上 H3C^S^ 335 同上同上 αν 336 同上同上 Ν-Ν H3C^S^ 圓_勝1 C:\2D-C0DE\90-09\90113179.ptd 第66頁 526225 五、發明說明（63) 本發明之芳香族硫化物化合物，係可藉由將鹵素體與硫醇體在驗之存在下反應而獲得。

X-A-X | B1 - SH B1-S-A 一 X

HS-A-SH

B1-X

B1 一 S-A—SH

B2 一 X

B2—SH

方法I 方法Π B1 一 S—A—S——B2 其次，茲將本發明η = 2時之芳香族硫化物化合物的製造方法詳細說明。有關製造方法，可以上述任一種合成途徑製造，但不受此限制。以下，茲就方法I詳細說明之。具體而言，本發明之含於POF中的芳香族硫化物化合物，係可藉由將二鹵素體與硫醇體在驗之存在下反應而獲得。反應中所用之二ii素體係可藉由將目的芳香族化合物鹵化而容易地獲得。反應中所用之硫醇體，例如可由C a η · J. C h e in.， 5 3， 1 4 8 0 ( 1 9 7 5 )等所記載之重氮鹽與硫化陰離子的親核取代反應而容易地獲得。硫醇體之合計使用量，相對二齒素體為2〜5倍莫耳，宜為2〜3倍莫耳。本發明中所用之鹼，可舉實例為氫氧化鈉、氫氧化鉀等之金屬氫氧化物，碳酸鈉、碳酸鉀等之金屬碳酸鹽，三曱

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第67頁 526225 五、發明說明（64) 胺、二乙胺、二丙胺、二丁胺、N，N—二甲基苯胺第之三級胺，甲氧化鈉、乙氧化鈉、第三丁氧化鉀等之金屬醇化物等，較佳的疋曱氧化鈉或乙氧化鈉等之金屬醇化物。鹼之使用量相對二鹵素體為2〜5倍莫耳，宜為2〜3倍莫耳。、反應溫度為100〜200 °c之範圍，宜為13〇〜18(rc之範圍。反應溫度若超過18〇t，副生成物將會增加，以致目的芳香族硫化物化合物的收率降低。又，當反應溫度較 100C為低時，反應速度會降低，並不實用。反應溶媒宜使用極性有機溶媒。作為極性有機溶媒，例如可為N一曱基一2一吡咯烷_、N一丙基一2一吡咯烷酮、二曱基乙醯胺、二甲基曱醯胺、二甲亞砜等等。有關其他之製造方法，例如可使用Tetrahedron lett.， 39，543 ( 1 988 )中所記載之方法進行製造。又，上述方法係本發明中作為高折射率摻雜劑使用之香族硫化物化合物的製造方法之一例折射率摻雜劑#用夕—& ^ ^ 用之方香族硫化物化合物，並不只限於. 此製造方法所獲得之化合物。 '由

I 本發明之POF材料，係由芯部及較芯部之中心部具有較低折射率之包覆部所構成。 s 5 3 月P〇F之芯部白勺聚合物’只要*可形成透明之 …勿者即可，可無特別限制地使用，口，可舉的是甲基丙稀酸^、甲基丙烯酸乙醋、甲基丙烯酸正丙酿; 基丙稀酸異㈣、甲基㈣酸正丁s|、甲基丙烯酸異丁甲

526225 五、發明說明（65) 酯、甲基丙烯酸第二丁酯、曱基丙烯酸第三丁酯、曱基丙烯酸環己酯、曱基丙烯酸爷酯、曱基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸冰片酯、甲基丙烯酸金剛酯、曱基丙烯酸三環癸酯、曱基丙烯酸二環戊酯、曱基丙烯酸2, 2, 2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2, 2, 3, 3_四氟丙酯、曱基丙烯酸2, 2, 3, 3, 3 -五氟丙酉旨、甲基丙烯酸2, 2, 3, 4, 4, 4-六氟丁酯、曱基丙烯酸卜三氟甲基-2, 2, 2-三氟乙酯、曱基丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯等之甲基丙烯酸酯類的均聚物或共聚物或其混合聚合物；作為取代基具有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環己基等之脂肪族N—取代馬來醯亞胺單體類之均聚物或共聚物或其混合聚合物；或是苯乙烯及其衍生物之均聚物或共聚物或其混合聚合物。構成本發明POF之包覆部的聚合物，只要是可形成透明之聚合物者即可，可無特別限制地使用。例如，可使用聚甲基丙烯酸曱酯（PMMA)、聚碳酸酯（PC)、甲基丙烯酸或甲基丙烯酸曱酯與其他單體之透明共聚物。作為其他之單體，可使用的是單官能之（甲基）丙烯酸酯類、（甲基）丙烯酸氟化烷酯類、丙烯酸、甲基丙烯酸等之丙烯酸系單體。本發明之POF，可以習知之方法製造，但一般而士可以 ::戶: = 種方法製造。一種是自預成形體材)將 2j延伸之：法另一種是不介以母材而連續形成纖維 •料^ ϋ ίρΜ此係將紡絲成聚合物光纖前之狀態的光學材料疋義成POF母材。預成形體法，係在預先製作之聚合物製中空管的中空内

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五、發明說明（66) 部，充填可將中空管之聚合物溶解且分散含有非聚合性低分子化合物之聚合性溶液（含單體成分、聚人起始子量調整劑之單體混合物），藉由從外部加‘或射= 單體自外部聚合，而獲得桿狀之預成形體後，予以“力献、伸成所期望直徑之方法。此時之聚合物製中空管，^ ^延含非聚合性低分子化合物以外，可由與充填於$空|卩内^ 物相同的單體混合物形成，又，其主成分之單體若為相同，則可由不同之單體混合物形成。

又’作為分子量調整劑’可使用正丁硫醇等之硫醇類等等的一般性自由基鏈移動劑。又，作為聚合起始劑，可使用偶氮二異丁猜等之偶氮化合物、過氧化苯醯等之過氧化物等等的一般性自由基聚合起始劑。此時，過氧化苯酿、過氧化月桂醯等之在約4 0 °C〜約1 0 0 °C可有效產生自由美的中溫起始劑可適當地供使用。是以，在使用此種中溫&起始劑之場合，聚合反應之溫度條件宜為約4 0 °C〜約1 〇〇 °C。為了使反應熱或反應本身所造成之膨脹收縮在聚合反應中或反應後不致使聚合物中產生龜裂等，以及為了使$ 合物不致因反應熱在反應中沸騰，聚合反應速度有調節的必要，可藉聚合溫度與起始劑濃度之組合進行調節。自由基聚合反應之起始劑的添加量，就約4 0 °C〜約1 0 0 °C之聚合反應開始的條件，相對系整體為0 · 0 0 1〜1 0質量％左右，更好的是0 · 0 1〜0 · 3質量％左右。又，除了此種利用熱能之塊狀聚合以外，使用光能之塊狀聚合等也可使用。於此— 場合也是，藉由溫度等之導入能量及起始劑濃度之組合，

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作為連續方式 526225 五、發明說明（67) 可調節聚合反應速度。就將POF母材加熱熔融紡成POF時的拉吟，「示從〜π _ π 吕’構成Ρ 0 F母材之芯部及包覆部的聚合物之重量平均分子量為10000以上300000以下，更好的是在30000以上 250 0 00以下，特別好的是在500 0 0以上20 0 000以下。當塑膠光纖材料之芯部或包覆部以利用加熱而開始之聚合反應製造的場合，使用於芯部或包覆部之製造的 = 置，只要是可迴轉POF母材且具有具備溫度控制機能之加熱手段的裝置，不問形態均可適當地使用於本發明中，因此一聚合反應中也有反應之進行受空氣中之氧阻 = 合，故將POF母材插入模具設置時，最、劳封閉之機能。敢子具備此將其兩端又之低聚合度聚合物及不含非艾f非聚合性化合物，以不含非聚合性化合物勿之回來合度聚式作複合紡絲，令内部之#二i σ =忒合物為外側的法。非聚合性化合物加熱擴散之方在依此所製作之GI型P0F的套層）。被覆層可採2層以上。Η &也可設置被覆層（外可使用聚乙稀、聚氯乙烯。被覆層（外套層) 烯烴彈性體、聚胺基甲酸” Λ 、父聯聚乙烯、聚醋共聚物等之習知物“曰、耐隆樹脂、6烯-醋酸乙烯以下，兹將本發明以實施本發明芳香族硫化物化合物=

’係示於實施例工

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本發明光學材料之折射率測定’係以下述方式進行。首先，將PMMA(阿魯得里奇公司製試藥，Mw=i2〇〇〇〇)中 (比、本旋轉塗布於石夕基板上，利用稜鏡耦合器法 (:長定其折射率…自組成比與折射率之關係’异出本么明芳香族硫化物化合物的折射率。 1 ί \:光學材曰料之玻璃轉移溫度，係使用馬克赛恩斯公司衣之D S C ’在昇溫速度1 q °c / m i η下測定。使用本發明芳香族硫化物化合物的p〇F之光學零件，其性能係示於實施例丨6〜21中。折射率分布之測定'係使用 ^魯茲艾斯公司製之英特華可干涉顯微鏡以習知方法测定。光傳送損失係使用He_Ne雷射光（波長633nm)以縮小 (cut back)法測定。實施例1 : 2, 5-二（笨硫基）噻吩之合成將2,5-二溴噻吩I2.i〇g(〇.〇50mol)、噻吩醇i2.12g (O.llOmol)、氧化鋼（I)3.58g(0.〇25mol)置入吼啶 / 喳啉 (1 / 4 ) 1 0 0 m 1中，在1 6 〇。〇下回流4 2小時。將反應液以6 N鹽酸處理’並以曱苯萃取之。而後，將有機層取出以蒸發器除去溶媒，獲得淡黃色之液體。藉由將所獲得之液體以乙醇再結晶’獲得目的物。收量：；1〇· lg(收率67. 0%)。熔點：47〜48 °C。

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實施例2 : 4，4 ’ -二（苯硫基）聯苯之合成將4,4’-二溴聯苯 12.50g((K 040mol)、噻吩醇9.7〇g (〇· 〇88mol)、K0H4. 9 4g( 0. 0 8 8mol)置入DMI l〇〇mi 中，在 1 6 0 °C下反應6 2小時。在將反應液以曱苯萃取後，除去溶媒獲得白色固體。將其以曱苯/己烷（2/8)作為展開溶媒^乍層析柱純化’獲得白色固體。而後，以I p A /醋酸乙g旨、 (9 / 1 )作再結晶，獲得具有光澤之薄板狀白色固體之目的物。收量：1 1· 5g(收率78· 0%)。

熔點：11 7 · 7 °C

實施例3 : 1，4 -二（苯硫基）苯之合成將對-二溴苯11.8〇g(〇.〇50mol)、°塞吩醇13.22g (〇· 12 0mol)、K0H 6· 73g(0· 120mol )置入DMI 100ml 中，在1 6 0 °C下令其反應5 7小時。在將反應液以曱苯萃取後，

除去溶媒獲得白色固體。將其以曱苯/己烷（1 / 9 )作為展開溶媒作層析柱純化，獲得淡黃色固體。而後，以乙醇作再結晶’獲得具有光澤之薄板狀白色固體之目的物。收量 7.18g(收率 49.0%)。熔點 80 〜81°C。

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五、發明說明（70)

實施例4: 1，3, 5-三（苯硫基）苯之合成將1，3,5-三溴苯 i5.40g( 0.0489mol)、噻吩醇 l 6 43g( 0.149mol)、氧化銅（I)3.56g(〇〇25m〇1)置入％。定广袭啉 (l/4)100ml中，在16〇 t下回流57小時。而後，^反應浪 (固體）溶解於甲苯中水洗之。而後，以6N鹽酸予以洗淨，將其甲苯層萃取之，再除去溶媒，獲得淡黃色液體\之後’以曱苯/己烷（2/8)作為展開液作層析柱層析，獲得白色固體之目的物。收量：13· 0g(收率66· 0%)。熔點·4〇〜41 〇C。 ·

實施例5 : 2，5 ’ -二（苯硫基）二噻吩之合成在備有攪拌機、溫度計、吉姆羅特回流型冷卻管之四頸燒瓶中’饋入5，5-二漠一2，2’-二°塞吩4.86运（0.015111〇1)、噻吩醇6.78g( 0.062mol)、氫氧化鉀4.〇4g( 0.072mol)、脫水DMI 50ml，在反應溫度13〇 °c下回流13小時30分鐘，在

C:\2D-CQDE\90-09\90113179.ptd 第74頁 526225 五、發明說明（71) 1 6 0 C下回流6小時3 0分鐘。在此反應液中加入水5 〇〇 g攪拌之’再加入甲苯攪拌之，而後再將反應液分液。在將其有機層以飽和NaC 1水溶液洗淨後，以無水硫酸鎂脫水之，再將甲苯餾去，獲得淡黃色固體。將此固體自丨p A再結晶予以純化，獲得淡黃色針狀結晶之目的物。收量：5. 2 3 g (收率 9 1. 1 % )。熔點：1 〇〇〜11 2 °C。

_ 實施例6 : 4，6 -二（苯硫基）嘧啶之合成在備有授拌機、溫度計、吉姆羅特回流型冷卻管之四頸燒瓶中，饋入4,6-二氯嘧啶7.452(〇.〇5〇111〇1)、噻吩醇22· 12g((K201mol)、氫氧化鉀 11.32g( 0.202mol)、脫水DMI 80ml，在反應溫度130 °C下回流1小時50分鐘，在1 50 °C下回流4小時3 0分鐘。在此反應液中加入水1 〇〇〇 g授拌之，再加入乙酸乙酯攪拌之，而後再將反應液分液。在將其有機層以飽和NaCl水溶液洗淨後，以無水硫酸鎂脫水之，再將乙酸乙酯餾去，獲得茶色固體與液體混合物。將此液體以曱苯/乙酸乙酯（8/2)作枉層析純化，獲得黃色固體。將此固體與早先之固體自IP A再結晶予以純化，獲得淡黃色結晶之目的物。收量：7· 75g(收率52· 3%)。熔點：1 Π °C。

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實施例7: \ 3, 5-三（苯硫基）三嗉之合成

在備有攪拌機、溫度計、吉姆羅特回流型冷卻管之四頦燒瓶中’饋入嘍吩醇1 6 58g(0150m〇1)、氫氧化_9·9〇β (2· 1 76mol)、脫水DMI 8〇ml，在反應溫度8〇艺下加熱2小日可’在此反應液中加入氰尿醯氯922g(〇.〇5〇m〇i)在反應溫度120 °C下反應3小時，在丨4〇 °c下回流9小時。然後，在此反應液中加入水攪拌之，再加入乙酸乙酯攪拌之，而後再將反應液分液。在將其有機層以飽*NaC1水溶液洗淨後’以無水硫酸鎂脫水之，再將乙酸乙酯餾去，獲得黃色具有黏性之液體。將此液體以曱苯/己烷（6/4)作柱層析純化’獲得黃色具有黏性之液體。（放置後結晶化）將此固體自I PA再結晶予以純化，獲得白色針狀結晶之目的物。收量：8.79g(收率 43.3%)。熔點：97 〜99°C。

[折射率之測定]

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第76頁 526225 五、發明說明（73) 實施例8 將實施例4中所記載之1，3，5 -三（苯硫基）苯以組成比變化之方式分散於PMMA於中所得之旋轉塗布膜，以稜鏡耦合器法測定其折射率。其結果係示於圖1中。藉由將此直線外插，得知1，3, 5-三（苯硫基）苯具有n = l · 70 2之折射率。比較例1 將二苯基硫醚分散於PMMA中所得之旋轉塗布膜的折射率，依同於實施例8之方式測定。其結果係如圖1所示。以外插得知二苯基硫醚具有n= 1. 6 1 5之折射率。實施例9〜1 4 依同於實施例8之方式測定折射率之組成比依存性，以直線外插法算出本發明化合物之折射率。其結果係如下第 1表所示。由此表可知不管是任何一種化合物，均具有較二苯基硫醚為高之折射率。

C:\2D-CQDE\90-09\90113179.ptd 第77頁 526225 五、發明說明（74) 第1表分子構造折射率(外插値) *) 1.690 1.723 實施例9 ' (實施例d 實施例 10 ^ ^一s~~^\ ^一〈~~^一s~~^ ^ (實施例 2 ) 實施例 11 (〇^s~H(Z)^S_C^ (實施例 3) 1.700 實施例 12 (實施例 5) 1.738 實施例13

(實施例6) 1.672 實施例14

Vs、 (實施例7) 1.698

9分散於PMMA中之薄膜

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第78頁 526225 五、發明說明（75) [破璃轉移溫度之測定] 實施例1 5 將實施例4甲所記载之】3 化組成比分散所得之薄膜的破二(^基）苯在PMMA中變所示的是，測定之破璃轉移离轉，溫度測定<。圖2 t 比較例2 里X相對折射率繪製之結果。將二苯基硫醚分散於PMMA中度，依同於實施例1 5之方于之缚膜的玻璃轉移溫示。 ^ 疋之。結果係如圖2中所 [光學零件;| 實施例1 6 在保持成水平之長5〇()mm、作為單體、聚合起始劑、鏈㈣工8_之破璃管中，充填 (MMA)112g、過氧化苯酿〇 5 基丙烯酸甲酉旨璃管之兩端密封後，在以贿。在將玻加熱2〇小時，而後中止迴轉，以9〇f下，以70t予以製作由聚甲基丙烯酸甲酯（pMMA)所構時聚合之，聚合物桿之中心以鑽頭形 & ♦ 5物桿。在此管。 < 干空部，獲得中空將此PMMA製中空管之一側端封閉下示之高折射率摻雜劑12g、作為聚合起、中充填MMA48g、第二丁基54 # 1、作為鏈移動劑之正月^ ^之過氧化二後，在將§亥官之另一側端封閉後，予以醇1 6 0 #1，而 lOrpm令其迴轉下以95t加熱24小時，繼、持成水平，在以、趣之，中止迴轉，第79頁 C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 526225

以11 〇。(：加熱聚合48小時，獲得外徑1 8mm之桿。

將此桿垂直地安裝於桿饋送裝置，以2 2 〇〇c之圓筒狀加熱爐加熱熔融並一面以定速拉引捲取，據此作熔融紡絲，獲得直徑0 · 7 5mm之光纖。測定所得之光纖的纖維斷面之折射率分布發現’折射率係自中心部朝外側方向連續減少。評估所得之光纖的1 00m長度下之傳送特性的結果發現，傳送損失在波長6 5 0nm下為17.8dB，傳送頻帶為3.4GHz，作為折射率分布型P〇F具有良好之性能。又，將所得之光纖置入8 5。(3之電爐進行加熱試驗，測定其3〇〇〇小時後之折射率分布的結果發現，其保有初期之折射率分布。實施例1 7 使用依同於實施例16之方式製作之PMMA製中空管，名 PMMA製中空管中充填〇A48g、下示之高折射率摻雜劑^ 、作為聚合起始劑之過氧化二第三丁基54 “ i、作為鏈" 動劑之正月桂硫醇1 60 // 1，而後，在將該管之另一側#

閉後’予以保持成水平，在以lOrpm令其迴轉下以。熱24小日夺，繼之，中止迴轉，以11〇t加熱聚合48:: 獲得外徑18mm之桿。 κ 口 4« j蚪

526225 五、發明說明（77) =此桿垂直地安裝於桿饋送裝置，以22〇之圓筒狀加加熱熔融並一面以定速拉引捲取，據此作熔融纺絲，二=直彳二0.7 5 _之光纖。測定所得之光纖的纖維斷面之折 1ί分布發現，折射率係自中心部朝外側方向連續減少。得之光纖的100m長度下之傳送特性的結果發現，傳 ΪΪΪΪ波長65〇nm下為15.3犯，傳送頻帶為3.1GHz，作 idt;型塑膠光纖具有良好之性能。又，將所得之折= =之電爐進行加熱試驗，測定其3_小時後之實施例1刀8、、、、°果發現’其保有初期之折射率分布。簡====方式製作之咖製中空管，在該、作為聚合起始劑f ：不之南折射率摻雜劑12g 動劑之正月桂硫二過，化二第三丁基5“卜作為鏈移閉後，予以保持成水平…在：熱24小時，繼之在以10rPm令其迴轉下以95t加獲得外禋17· 6_之桿。迴轉，以110。〇加熱聚合48小時，

S 也文裝於桿饋送裝置，以22〇°c X) 將此桿垂直之圓筒狀加

Ptd C.· \2D-CODE\90-〇9\9〇] 13179 第81頁 526225 五、發明說明（78) ，，加熱熔融並一面以定速拉引捲取，據此作熔融紡絲，獲得直徑0.75mm之光纖。測定所得之光纖的纖維斷面之折射率分布發現，折射率係自中心部朝外側方向連續減少。評估所得之光纖的1 00m長度下之傳送特性的結果發現，傳送損失在波長65〇nm下為i4.5dB，傳送頻帶為2.3GHz，作為折射率分布型塑膠光纖具有良好之性能。又，將所得之，纖置入8 5 C之電爐進行加熱試驗，測定其3 〇〇〇小時後 =射率分布的結果發現，其保有初期之折射率分實施例1 9 使用依同於實施例〗6之方式製作之PMMA PMMA製中空管中右谊π 丫工e 在5亥、你么=ΙΓ充填 g、下示之高折射率摻雜劑12g ，為聚s起始劑之過氧化二第三丁 =之…而後，在將該心二

熱24小時，繼之，；：、: =以1()rPm令其迴轉下以9「C加獲得外徑！8關之桿Γ止迴轉’以11(rC加熱聚合48小時， S- 將此桿垂直地安奘协4曰熱爐加熱熔融並一^以Z，送裝置，以220 °c之圓筒狀加獲得直徑0.75_之：：…引捲取’據此作炫融紡絲，射率分布發現，折定所得之光纖的纖維斷面之折耵旱係自中心部朝外側方向連續減少。

526225 五、發明說明（79) 下之傳送特性的結果發現，傳 8dB ’傳送頻帶為3.5GHz，作有良好之性能。又，將所得之熱試驗，測定其3 〇〇〇小時後之保有初期之折射率分布。式4作之PMMA製中空管，在該二了示之高折射率摻雜劑1 一第三丁基54 // 1、作為鏈移而後，在將該管之另一側端封以l〇rpm令其迴轉下以95^加 ’以1 1 〇 °C加熱聚合4 8小時，評估所得之光纖的1 0Om長度送損失在波長650 nm下為17. 為折射率分布型塑膠光纖具光纖置入8 5 °C之電爐進行加折射率分布的結果發現，其實施例2 0 使用依同於實施例1 6之方 PMMA製中空管中充填MMA48g 、作為聚合起始劑之過氧化動劑之正月桂硫醇160 //1，閉後，予以保持成水平，在熱2 4小時，繼之，中止迴轉獲得外徑1 8mm之桿。

將此ί干垂直地安裝於桿饋送裝置，熱爐加熱熔融並一面以定速& 0离狀力獲得直^ + 疋速拉引捲取，據此作炫融紡絲二纖。測定所得之光纖的纖維斷面之斤射率係自中心部朝外側方向連續減少 °所侍之光纖的100m長度下之傳送特性的結果發現，

526225 五、發明說明（80)

送損失在波長65〇nm下為16 2dB 為折射率分布型塑脒傅运頻▼為3.1GHz，作光纖置入85t之=ίΪ 性能。又，將所得之 U %爐進订加熱試驗，測宏甘折射率分布的結：測疋其3〇〇〇小時後之實施例21 禾1 %纟保有初期之折射率分布。將實施例1中所記載之2, 5-二（苯硫基）噗„八以9n舌曰。/ % 加於PMMA中，以研鉢作1〇八#夕=二吩以2〇重罝％添埶壓機步忐莹瞄乍刀釦之此& 。而後，將此試料以 :祙形成涛Μ，在測定其光學物性：；^V/"3-5'nd1·5187'^^ 折射ί 成乎未變化隱單獨之透過率或色相下提高 [產業上之可利用性] 射ΐΓΐΐ;材料可較習知之摻雜劑更能有效率地高折料之信賴;生。效果小，耐熱性優異’可提高作為光學材，又呈ί!:月光學零件之一種的gi型pof，與習用物相 :，、有折射率分布之耐熱安定性優異，提高時^傳送特性的可㈣性。作為先纖【ί耸本發明之p〇f，也可在習用p〇F所無法使用之汽車至：之被要求具有耐熱性的領域上長期供使用。

526225 圖式簡單說明圖1係實施例8及比較例1所測定之摻雜劑濃度變化所造成的旋轉塗覆膜之折射率的變化表示用曲線圖。圖2係實施例1 5及比較例2所測定之玻璃轉移溫度與折射率的關係表示用曲線圖。

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Claims

六、申請專m 1夭：種光學材料，含有至少一種以芳香族硫化物化合物：、VA U所不之 … A，-B”n (1) H，n表2〜12之整數，k表1〜n之整數；環；、可〃有取代基之η價碳環式芳香族環或雜環式芳香族 Β1〜Βη分別獨立地表可呈^ ^ ^ ^山^ ^ 雜環式芳香族基]。有取代基之w式方香族基或中 2·如申請專利範圍第！項之光學材料，其中，料式⑴ η為2〜4之整數，且a為可具有取代基之雜環式芳香族 3 ·如申明專利範圍第2項之光學材料，其中，該通式（1) 中，B1〜妒分別獨立地表可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯^ 。惡唾基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任一者。 4 ·如申清專利範圍弟2項之光學材料，其中，該通式（1) 中，A為自可具有取代基之噻吩環、可具有取代基之噻吩 -1，1 -二氧基環、可具有取代基之噻吩噻二唑環、可具有 · 取代基之噻嗯並[3，2 - b ]噻吩環、可具有取代基之三啳環、可具有取代基之嘧啶環之任一者所選出的二價雜環式芳香族環。 5 ·如申請專利範圍第4項之光學材料，其中，該通式（1)

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第86頁 526225 六、申請專利範圍中，Bi〜B"分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之嘍嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之笨^ 。惡唑基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之嘍唑基中之任一者。 6·如申請專利範圍第2項之光學材料，其中，該通式（1) 中’該A為自可具有取代基之噻吩環、可具有取代基之二嗉環、可具有取代基之嘧啶基之任一者所選出的三價雜環式芳香族環。 7·如申請專利範圍第6項之光學材料，其中，該通式（i) 中，B1〜Bn分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之哺咬基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之嘍嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並。惡峻基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任一者。 8 ·如申請專利範圍第2項之光學材料，其中，該通式（j) 中’ A為自可具有取代基之噻吩環、可具有取代基之噻嗯並[3，2 -b ]嚷吩環之任一者所選出的四價雜環式芳香族環0

9 ·如申凊專利範圍第8項之光學材料，其中，該通式（1) 中，B1〜Bn分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之。密咬基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之笨並噻唑基、可具有取代基之苯並噁唾基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第87頁 526225 六、申請專利範圍基中之任一者。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之光學材料，其中，該通式 (1)中，η為2〜6之整數，且A為可具有取代基之碳環式芳香族環。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之光學材料，其中，該通式 (1 )中，B1〜Bn分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並鳴嗤基、可具有取代基之嘴二嗤基、可具有取代基之嚷吐基中之任一者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之光學材料，其中，該通式 (1)中，A為自可具有取代基之苯環、可具有取代基之萘環、可具有取代基之苟環、可具有取代基之聯苯環之任一者所選出的二價碳環式芳香族環。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之光學材料，其中，該通式 (1)中，B1〜Bn分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之噻嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並σ惡唾基、可具有取代基之σ塞二峻基、可具有取代基之σ塞嗤基中之任一者。 · 1 4 ·如申請專利範圍第1 0項之光學材料，其中，該通式 (1)中，Α為自可具有取代基之苯環、可具有取代基之芴環之任一者所選出的三價碳環式芳香族環。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之光學材料，其中，該通式

C:\2D-CODE\90-09\90113179.ptd 第88頁 526225 六、申請專利範圍 (1 )中，B1〜Bn分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之喷啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之塞嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並噁唑基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唑基中之任一者。 1 6.如申請專利範圍第丨〇項之光學材料，其中，該通式 (2 )中，A為自可具有取代基之苯環、可具有取代基之聯苯環之任一者所選出的四價碳環式芳香族環。 1 7.如申請專利範圍第丨6項之光學材料，其中，該通式

(1 )中，B1〜驴分別獨立地為可具有取代基之苯基、可具有取代基之嘧啶基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之嘍嗯基、可具有取代基之苯並噻唑基、可具有取代基之苯並噁唑基、可具有取代基之噻二唑基、可具有取代基之噻唾基中之任一者。 18·如申請專利範圍第}至17項中任一項之光學材料，其中’这光學材料係為聚合物光纖材料。 1 9 · 一種光學零件，其係含有申請專利範圍第丨8項之聚合物光纖材料。

20.如申請專利範圍第19項之光學零件，其中，該光學零件係為G I型聚合物光纖。八 2 1 · —種芳香族硫化物化合物，係以下列通式（丨a)表示：、 A-fS 一 b”2 (la) [式中，k表1〜2之整數； A表自可取代之苯環、可取代之萘環、可取代之苟環、

526225 六、申請專利範圍可具有取代基之聯苯環、可具有取代基之嘍吩環、可具有取代基之噻吩-1，1 _二氧基環、可取代之嘍吩噻二唾環、 _可具、有取代-基-之~會嗯-並[-3「2—-七]—書吩1 三嗉環、可具有取代基之嘧啶環所選出之二價破環式芳香族環或雜環式芳香族環； B1、B2分別獨立地表自可取代之苯基、玎取代之P密唆基、可取代之萘基、可取代之噻嗯基、可取代之苯並。塞"坐基、可取代之苯並噁唑基、可取代之噻二唑基、可取代之噻唑基所選出之碳環式芳香族基或雜環式芳香族基]。 2 2 · —種芳香族硫化物化合物，係以下列通式（1 b )表示： A-fS-Bk)3 (lb) [式中，k表1〜3之整數； A表自可取代之苯環、可取代之苟環、可取代之噻吩環、可取代之三嗉環、可取代之嘧σ定環所選出之三價碳環式芳香族環或雜環式芳香族環； Β〗、Β2、Β3分別獨立地表自玎取代之苯基、可取代之嘧啶基、可取代之萘基、可取代之嘍嗯基、可取代之苯益噻。坐基、可取代之苯並噁唑基、玎取代之重二σ坐基、可取代之噻唑基所選出之碳環式芳香族基或雜環式芳香族基]。 2 3 · —種芳香族硫化物化合物，係以下列通式（丨c )表示： MS-B”4 (lc) [式中，k表1〜4之整數； A表自可取代之本環、可取代之知本環、可取代之σ塞口分環、可取代之噻嗯並[3, 2-b ]嘍吩環所選出之碳環式芳香

\\312\2d-code\90-09\90113179.ptd 第90頁 526225 六、申請專利範圍族環或雜環式芳香族環； B1、B2、B3、B4分別獨立地表自可取代之苯基、可取代之嘧啶基、可取代之萘基、可取代之噻嗯基、可取代之苯並噻唑基、可取代之苯並噁唑基、可取代之噻二唑基、可取代之噻唑基所選出之碳環式芳香族基或雜環式芳香族基]。

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