TW525253B - Method to contact a semiconductor-element - Google Patents

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525253 五、發明説明（ ) 本 發 明 涉 及 半 導 體 組 件 與 薄膜 上金屬 化物質之接 ;觸方 法 0 在 較 低 的 製 造 溫 度 下 利 用導 電性黏 劑也可產生 .具導 電 效 果 的 接 觸 〇 許 多 此 類 黏 劑需 要在較 高的溫度下 才能 凝 固 如 此 卻 會 損 害 薄 膜 的 合成 物質或 是導致鑛在 其上 面 的 金 屬 化 物 質 脫 落 〇 此 外 ，在 很多應 用層面上， 導電 的 功 能 也 不 足 接 觸 之 處 也 很容 易受濕 氣影響。尤 其黏 接 電 子 組 件 ( 如 矽 1C晶片) 與金屬合成薄膜的金屬層 ( 如 銅 或 鎳 ) 時 同 時 薄 膜 可耐 溫120 度，金屬層 也相 當 薄 ( — ώ/L 7UX 約 爲 10nr η) 時， 此導電黏劑就很難產生足 夠 持 久 且 導 電 良 好 的 接 觸 ? 薄膜 也會受 損。 此 發 明 將 說 明 半 導 體 組 件 與金 屬合成 薄膜接觸之 方法 此 方 法 會 在 一 溫 度 下 進 行 ，如 此該薄 膜將不會受 到損 害 並 且 可 產 生 具 持 久 性 和 足夠 導電性 的接觸。 本 發 明 之 的 是 透 過 串 Ξ主 δ円 專利 範圍第 1項所標記 的方 法 來 達 成 Ο 相 關 聯 的 串 三主 m 專 利範 圍各附 屬項說明本 發明 的 各 種 形 式 〇 依 據 此 方 法 將 焊 料 置 於 半 導體 組件與 薄膜的金屬 層間 欲 接 觸 之 處 焊 料 爲 至 少 結 合二 種金屬 或具半導電 性的 化 學 元 件 所 合 成 的 金 屬 ? 其 熔點 低於薄 膜的臨界溫 度， 而 且 於 熔 解 後 會 產 生 另 —一 種 物質 ，其凝 固後的熔點 會高 於 先 前 的 焊 料 〇 受 熔 解 的 焊 料成 爲一合 金或金屬間 的結 合 物 或 黏 合 薄 膜 的 金 屬 層 或 半導 體組件 上的金屬。 形成 的 焊 接 物 的 熔 點 甚 局 1 所 以 熔解 3- 它時一 定會使薄膜 受損 525253 五、發明説明（2 ) ，或至少使金屬層從薄膜上脫落，導致無法應用。 適合於此處所談及的焊料，是一種化合物，也就是其 至少含有二種成分，結合一起可產生混合金或化學計量 接觸。具有或接近共熔合金點的合成物，爲選用的標準 ，而適用的合成物是端看其熔點是否隨內含成分的改變 而提高。熔解焊料會產生一種合金或金屬間的相互接觸 ，其中包含了部分薄膜的金屬層或半導體組件，因此， 新產生具導電性的組成物，本質上就完全相異於先前組 成焊料的物質，熔點也大大地提高許多，高過薄膜的臨 界溫度。定義此化合物爲近似共熔質的方法是其熔點最 高高於共熔質溫度1 〇度。 含有鉍（化學符號爲Bi )的焊料最合適與銅或鎳金屬 薄層接觸。可成爲焊料的共熔質或近似共熔質（熔點最 高高於共熔質1 0度）的化合物由鉍和銦、鉍和錫、銦 和錫所構成。與之相對應的原子質爲Bi22Iii78、Bi^Sn57 和 I 11 5 2 S η 4 8。 Βΐ22Ιη78組成熔點72.7度的共熔質化合物，溫度約80 度時即可產生接觸。將Bl22ln78噴射於半導體組件上， 在接觸處上會形成一薄層，它將黏接薄膜的金屬表層， &所需輕壓之即可保持黏合。之後再將溫度提高超過焊 %的熔點，使其熔解，熔解物將會融合薄膜的金屬表層 胃形成另一物質，並接觸了半導體組件與薄膜的金屬層 ’且能具有導電效果，其熔點也提高至270度。薄膜的 臨界溫度約爲1 20度，因此在80度時即可毫無問題地 525253 五、發明説明（3 ) 形成接觸。接觸物不會繼續熔解，薄膜也不會受到損害 。圖式簡單說明如下： 第1圖已製成之一種半導體組件（1)之配置。 此半導體組件（1)包含接觸處（2)及薄膜㈠）之施加於此 接觸處（2)上之金屬層（3)。薄膜和半導體組件的大小， 與金屬薄膜相連之接觸處的大小及各層（其形成此薄膜 及金屬層）之數目都是任意的。 爲避免因使用過多的焊料而熔合整個金屬表層，並造 成其從薄膜上脫落，以及殘留下如以往範例中在較低的 7 2.7度下未熔合的焊料，所以需限制欲鍍上的焊料層。 僅能鍍上的焊料厚度必須確定能全部與金屬層熔合，達 到合金或化學計量金屬層結合的效果，並且還能保留一 部份未產生變化附著於薄膜上的金屬層。焊料熔解時， 介於半導體組件與薄膜的金屬層兩者接觸間的焊料會比 金屬層的金屬較快產生反應。因此，金屬層不會完全被 溶解至薄膜，也不會殘留未溶解的焊料。產生的接觸物 質的溶點取決於在接觸區域現有的.熱力形態的最低熔 點。 在一次實驗中，採用厚度1 OOnm的鎳金屬薄層與半導 體組件接觸，可在黏接處噴上厚度l00nm的Bl22ln78。 加溫至8 0度後幾秒鐘內即產生具導電的接觸，此接觸 物的熔點可達65〇度。 其他上述的共熔質化合物的熔點各爲139度（B^3Sn.w) 和Π 7度（ill52Sn48)，這兩者皆可使用，只要薄膜可忍受 525253 五、發明説明（4 ) 些過上述提及的臨界溫度。由鉍和銦組合而成的金 屬間組態的Biln和Biin”，兩者的熔點各爲1 〇9.5度和 8 9度’這樣的溫度剛好適合一般的薄膜。金屬間組態爲 唯一在一定溫下會蒸發的組態，不像有不同蒸發壓力的 混合物，其內含成分會各自蒸發，這是金屬間組態的一 項優點。因此，當這類金屬間組態或化學計量組成物被 當成焊料使用時，藉由電子光束蒸發可將焊料鑛上。
符號說明 1…半導體組件 2…接觸區 3…金屬層 4…薄膜

Claims (1)

  1. 修煩 王請 参委 存貝
    名3 秦所 正提 。之 六、申請專利範圍 第901 16959號「半導體組件之接觸方法」專利案 (91年8月修正） Λ申請專利範圍 1. 一種使半導體組件（1)與設有金屬層（3)的薄膜（4)接觸之方 法，在第一步驟中，一種焊料（其含有至少兩種相異成 分的金屬或半導體物質且其熔點不會損害薄膜）施加於 半導體組件之接觸處（2)及該薄膜之金屬層之間，在第二 步驟中，熔解焊料並使其凝固，以便由一種材料形成一 種持續性之導電性連接，此種材料之熔點較所施加之焊 料之溶點還局。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中焊料在第二步驟會 與薄膜的金屬層的金屬形成一較高熔點的合金或金屬間 的化合物。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中採用的焊料 之熔點最多較此焊料中所含之金屬或半導體物質之共晶 成份的溫度高出10度。 4. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中使用的焊料含 有鉍。 5.如申請專利範圍第丨或2項之方法，其中使用的焊料爲 由鉍和銦、鉍和錫、銦和錫各組所合成的材料。 6·如申請專利範圍第5項之方法，其中焊料爲Bi22ln78、 Bi43Sn5dD In52Sn48各組所合成的材料。 7·如申mi專利範圍第5項之方法，其中焊料爲或 的金屬間化合物或相位。 525253 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中在第一步驟中利用 噴射方法將焊料噴於接觸區或金屬層。 9. 如申請專利範圍第7項之方法，其中在第一步驟中藉由 電子束使焊料蒸鑛在接觸區或金屬層上。 10·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中在第一步驟中 相對於金屬層的厚度，所施加之焊料的厚度需受到限制， 如此在第二步驟後，至少金屬層之位於薄膜上之層成份 才不會改變。 - 2-
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7494041B2 (en) * 2004-06-23 2009-02-24 Intel Corporation In-situ alloyed solders, articles made thereby, and processes of making same
JP4817418B2 (ja) * 2005-01-31 2011-11-16 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路装置の製造方法
EP2046010A3 (en) 2007-10-03 2009-08-26 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha IP telephone system and method for controlling the same
SG11201507371RA (en) 2013-03-14 2015-10-29 Alkermes Pharma Ireland Ltd Prodrugs of fumarates and their use in treating various deseases
US8669281B1 (en) 2013-03-14 2014-03-11 Alkermes Pharma Ireland Limited Prodrugs of fumarates and their use in treating various diseases
CA2940845C (en) 2014-02-24 2019-09-24 Alkermes Pharma Ireland Limited Sulfonamide and sulfinamide prodrugs of fumarates and their use in treating various diseases
JP6685014B2 (ja) * 2016-05-30 2020-04-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 回路部材の接続構造および接続方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3839727A (en) * 1973-06-25 1974-10-01 Ibm Semiconductor chip to substrate solder bond using a locally dispersed, ternary intermetallic compound
JPS61196564A (ja) * 1985-02-25 1986-08-30 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト フイルムキヤリヤ集積回路とその製造方法
JPS63238994A (ja) * 1987-03-25 1988-10-05 Tdk Corp 半田組成物
US4967950A (en) * 1989-10-31 1990-11-06 International Business Machines Corporation Soldering method
US5291371A (en) * 1990-04-27 1994-03-01 International Business Machines Corporation Thermal joint
JPH0652745A (ja) * 1991-09-03 1994-02-25 Nitto Denko Corp 接合部形成用シート又はテープ
JPH06125026A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 端子構造とこれを用いた入出力端子部材及び配線基板
US5320272A (en) * 1993-04-02 1994-06-14 Motorola, Inc. Tin-bismuth solder connection having improved high temperature properties, and process for forming same
JP2664878B2 (ja) * 1994-01-31 1997-10-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体チップパッケージおよびその製造方法
US5391514A (en) * 1994-04-19 1995-02-21 International Business Machines Corporation Low temperature ternary C4 flip chip bonding method
US5415944A (en) * 1994-05-02 1995-05-16 Motorola, Inc. Solder clad substrate
US5540379A (en) * 1994-05-02 1996-07-30 Motorola, Inc. Soldering process
US5907187A (en) * 1994-07-18 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and electronic component connecting structure
DE19531158A1 (de) * 1995-08-24 1997-02-27 Daimler Benz Ag Verfahren zur Erzeugung einer temperaturstabilen Verbindung
US5888841A (en) * 1996-10-01 1999-03-30 Blue Sky Research Method of making an electro-optical device with integral lens
US5729896A (en) * 1996-10-31 1998-03-24 International Business Machines Corporation Method for attaching a flip chip on flexible circuit carrier using chip with metallic cap on solder
US5928404A (en) * 1997-03-28 1999-07-27 Ford Motor Company Electrical solder and method of manufacturing
US6082610A (en) * 1997-06-23 2000-07-04 Ford Motor Company Method of forming interconnections on electronic modules
JPH1135904A (ja) * 1997-07-17 1999-02-09 Alps Electric Co Ltd 導電性組成物およびそれを用いた電子機器
US6025649A (en) * 1997-07-22 2000-02-15 International Business Machines Corporation Pb-In-Sn tall C-4 for fatigue enhancement
US6337509B2 (en) * 1998-07-16 2002-01-08 International Business Machines Corporation Fixture for attaching a conformal chip carrier to a flip chip
US6388185B1 (en) * 1998-08-07 2002-05-14 California Institute Of Technology Microfabricated thermoelectric power-generation devices

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Publication number Publication date
US20030176054A1 (en) 2003-09-18
EP1176639A1 (de) 2002-01-30
DE50014427D1 (de) 2007-08-02
US6773956B2 (en) 2004-08-10
JP2004505468A (ja) 2004-02-19
WO2002011205A1 (de) 2002-02-07
CN1443368A (zh) 2003-09-17
EP1176639B1 (de) 2007-06-20
ATE365378T1 (de) 2007-07-15

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