TW525178B - Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

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五·、發明說明（1) 【發明之背景】 發明之領域 本發明係關於一種非揮發性半導體記憶裝置及其1 方法，其可被設定成使使用者在一旦已設定寫入禁止化 態’就無法改變或重設寫入禁止狀態。 習知拮術之描述 例如EPROM(電可抹除且 揮發性半導體記憶裝置，係 為儲存於那些非揮發性半導 _開亦不會消失，那些記憶 部儲存裝置。 可程式化之唯讀記憶體）之非 為電可重新寫入之記憶體。因 體己憶裝置的資訊，即使電源 體裝置係被廣泛地使用作為外^

那些非揮發性記憶體裝置 割成複數晶片之後，將分離的 農，用以提供給主要的使用者 之程式與資訊寫入至個別的記 置然後被裝設於電子設備中， 舉例而言，在行動電話令 而將供輸入之程式、用以發出 用以銷售給最終使用者之識別 中。最終使用者可在非揮發性 號碼。然而，如果最終使用者 最終使用者將可完全成為另一 括〇 係被製造作為晶圓，且在切 非揮發性記憶體裝置予以封 。主要的使用者將各種型式 憶體裝置中，這些記憶體裝 以供最終使用者使用。 ’主要的使用者使用號碼鍵 郵件到達的聲音之程式、與 號碼寫入至非揮發性記憶體 5己憶體中暫存一連串的電話 基於惡意重寫識別號碼，則 最終使用者而免費使用電

V 525178 五、發明說明（2) 在一遊戲機中，一主要的使用者將一遊戲程式寫入非 =性記憶體中，並在將其設^至—切之後，販售非揮 ^性記憶體給最終使用纟。最終使用者可僅藉由插入卡度 典遊戲機之插槽而享受一種遊戲，並可藉由改變卡匿而享 ^^另/種遊戲。主要的使用者可藉由將一程式寫入至罩式 而生產卡匣。然而，為了產生罩式_，因為對於一 ，的使用者而言，必須製造一種供由主要的使用者生產 2個程式所使用之罩細M，故罩式Rqm變成高成本，且 罩式ROM之製造需要耗時的製程。此外，如果程式包含一 臭蟲，則除非再造罩式ROM，否則無法修正此程式。於發 展初期，上述理由使得主要的使用者利用非揮發性記憶體 乂取代罩式§己憶體，用以減少發展之期間，並用以使臭 蟲之修正便利化。 '

當非揮發性記憶體被使用作為一種遊戲機之卡g時， 對於一主要的使用者必須採取保護措施，以避免重新寫 入，因為如果最終使用者因為錯誤地重寫記憶體之内容， 遊戲將不會被再造。如果最終使用者惡意抹除記憶體之内 谷，且非法輸入另一種遊戲程式，販售卡匣之可能性會喪 失。因此，對於主要的使用者必須採取某些措施以防止^ 除。如上所述，已需求設有用以在一旦資料被寫入後，能 禁止重新寫入之禁止措施的非揮發性記憶體。 一種已經發展以因應這些需求之習知方法，係用以藉 由將複數數值寫入至設置於非揮發性記憶體中之一安全位 元而保護資料，其中，此等數值包含一個用以允許之數

525178 五、發明說明（3) 個用以禁止之數值。於此方法中，冑寫入禁止資料 ί至安全：兀時、就！成不可能以獲得除了同時與整 霖於,，:广外之子取I)。藉由逆種安全位元之資料保護，係揭 = ^lectr〇niC DeSlgn之期財，第此128頁發行 v、丄y 8 年3月。 :本特開：5-356 1 2號公報揭露禁止額外寫入之另一 =方法，丨包含-額外寫入禁止電路，用以孥止在寫入被 最終位址後之額外寫人，4了禁止額外寫入至例如 传用i述：習：設備會面臨一項問題：為保護“，最終 2之設定程序進入至最終使用者端之安全 =位其以-電性信號供應而移除 使用者附加寫入禁止電路’故可能供最終 入至：ii:本=平5-3561 2號公報中，除非資料被寫 :至最終位址’此種設計係使附加寫入禁止狀態無法被設 【發明概要】 μ =，=之一個目的係提供一種非揮發性半導體 ° 2表置里八中’取終使用者可在由主要的使用者出化 =發明之第一實施樣態，===體 置’設有抹除禁止電路，用以在該非揮發性記憶體；= ^5178 、發明說明⑷ 料之内容的抹除，其中，當禁止抹除之一指令係從 久發性記憶體裝置之外部提供時，該抹除禁止電路永 地禁止資料之抹除。 电俗水 發性^據一第二實施樣態，係於依據第一實施樣態之非探 體：：體：r，該抹除禁止電路包含-抹除禁止= 訊』往，ΐ禁止抹除之第一資訊或允許抹除之第二ί 性dii:施樣態，係於依據第二實施樣態之非揮發 寫二電：設，抹除電路’用以寫入該第一資訊；及體= 電路，用以寫入該第二資訊。 又疋 發性U體ί:Γ?;’係於依據第一實施樣態之非揮 -個】 置中’包♦: 一抹除通知暫存器，用』ΐ 路：知資：内容之抹除的解碼抹除指令；以及一抹= 之-耠：：：'己憶體單元陣列中’基於該抹除通知暫：哭 抹除資料内容，，中，該抹除禁止電路 疋否破傳輸至該抹除電路。 f仔15之一輪出 依據一第五實施樣態，係於依 發性記憶體裝置中，非揮發性記憶ίί置：i樣態之非揮 =暫：器’用以儲存一解碼抹心令：抹：：除通 ::資料内容，其t，該抹除禁ί電陣列 制該抹除通知暫存器是否基於該抹除禁】 五 發明說明（5) §己憶體部之設定狀態而重設。 依據一第六實施樣態，依 — =體裝置包，··—抹除通知=樣態之非揮發性 =科内容之抹除的解碼抹除指I·子盗’用以儲存—個通知 =於該抹除通知暫存器之輸出了姑二及一抹除電路，用以 資料内容’其巾，該抹除禁止電路憶體單元陣列中之 路，用以控制該抹除通知暫存禁止控制電 :電:抹；只有當該抹除禁止控= 抹 抹除設定電路係被允許可通電。 抹除許可 依據第七貫施樣態，依據第二奢#接作 =憶體裝置包含：一抹除通 ：實非揮發性 輪出，姑…電基於該抹除通知暫存哭夕 J f抹除一記憶體單元陣列中之一資料内 =时之 通知暫在5 制電路，用以控制該抹除 設’而只有當抹除禁止控制電路輸出 示許可k ’设定抹除電路係被允許可通電。 發性施ΐ態，係於依據第六實施樣態之非揮 除^體裝置中’該抹除禁止電路係設有一抹除禁止解 、置’用以強迫地將該抹除禁止控制電路之輸出 抹除許可狀態。 ®轉換至 依據一第九實施樣態，係於依據第六實施樣態之非揮 發性記憶體裝置中，該抹除禁止電路係設有一抹除禁止初 始化襄置，用以強迫地將第一資訊寫入至該抹除禁止 = 體部。 、< m 525178 五、發明說明（6) 依據一 發性記憶體 圓之型式存 第十實 裝置中 在時， 依據一第十一 揮發性記憶 晶圓之型式 的0 依據一 中，能電性 係設有用以 依據第 電性可寫入 記憶體裝置 只有當一抹 止狀態之任 態；以及一 狀態，且該 依據一 中，於電性 記憶體裝置 該電可抹除 基於儲存於 之非揮發性 止狀態之任 體裝置 存在時 第十二 地可寫 限制抹 十三實 並可抹 ’儲存 除禁止 一個時 抹除禁 抹除禁 第十四 可寫人 ’儲存 之記憶 該記憶 記憶體一個； 施樣態，係於依據第八實施樣態之非揮 ’只有當非揮發性記憶體裝置係以一晶 該抹除禁止解除裝置係為可操作的。 實施樣態，係於依據第九實施樣態之非 中，只有當非揮發性記憶體裝置^以一 ’該抹除禁止初始化裝置係為可操作 實施樣態 並可抹除 除運作之 施樣態， 除之非揮 抹除允許 設定裝置 ，該記憶 止解除裝 止解除裝 實施樣態 與可抹除 抹除允許 體裝置包 體裝置之 襞置予以 以及一抹 ’係於非揮發性記憶體 之該非揮發性半導體記 數目的裝置。 係於非揮發性記憶體裝 發性半導體記憶裝置包 狀態或抹除禁止狀態， 能設定抹除允許狀態或 體裝置係設定於抹除允 置’用以強迫地解除抹 置係處於解除狀態。 ，係於非揮發性記憶體 之非揮發性記憶體裝置 狀態或抹除禁止狀態， 含··一抹除禁止設定裝 資訊，將電性可寫入與 設定成抹除允許狀態或 除限制裝置，用以在抹

裝置 憶裴置 置中， 含：— 其中， 抹除禁 許狀 除禁止 裝置 包含一 其中， 置’能 可抹除 抹除禁 除禁I

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將記憶體裝置設定於抹2 設定裝置係處於抹除禁止狀態時 除允許狀態。 依據一第十五實施樣態，係關於一種非揮發性記 裝置之製造方法，包含以下步驟：在一基板上7形成^數 之非揮發性记憶體晶片；於每個非揮發性記憶體晶片中檢 驗一記憶體單元之一閾值；將設置於一抹除禁止電路中之 一抹除禁止記憶體部初始化，用以禁止一資料内容之抹 除，該資料内容係儲存有禁止抹除之第一資訊或允許抹盼 之第二資訊之任一個；在將晶圓分割成複數之非揮發性言于己 憶體晶片之後，將其裝入到封裝中；將一預先決定的程^ 寫入至該非揮發性記憶體晶片中；以及將抹除禁止資訊^ 入於該抹除禁止記憶體部。 貝s…、 【較佳實施例之說明】 首先’參考圖1而說明依據本發明之非揮發性記憶體 於圖1中，數字1 0 1表示一記憶體單元陣列，於其中， 複數之非揮發性記憶體單元係配置於一矩陣中：數字10 2 表示一行選擇器，用以基於從外部輸入之位址信號，選擇 記憶體單元陣列丨〇 1之一位元線。數字丨03表示一源極井 關，用以控制記憶體單元陣列1 01之半導體基板上之一源汗 極電極與一井的電壓。數字丨04與1〇5表示一列解碼器與^ 行解碼器，其產生信號，用以藉由對從外部輸入之位^传 號予以解碼，以分別選擇一字元線（未顯示）與一位元線5

第11頁 五、發明說明（8) (未顯示）。數字1〇6表示一位址 之位址作辦+ ^® * μ /址解碼器，其將從外部提供 數字ίο?表示一感測放大器，豆片m先進订解碼。 體單元卩車歹μ m > ^ ψ ° 八感測並放大來自記憶 入電路，其係被使用以寫入 貝：數子8表 中。數字m表卜己憶體陣列101 歹川！之輸入資料與一輸出資料狀體單元陣 憶體之心和，/係與非揮發性記 解碼哭」科相通。數字111表示一命令 夂式的處理。上述之各種不同之信號3 =號(RESET) ’用以初始化本非揮發 ，一日日片致能信號（CE)，用以允許至太韭嬸总从；& 之存取；一寫入致允卉至本非揮發性記憶體 性記情雜.ϊ ί ) ’用以允許寫入至本非揮發 與輸出致能信號⑽，用以允許資料輸出。 用以示一命令暫存器*1 ’其具有複數之暫存器， 態機号Γ心：解碼JJ111解碼之命令。數字113表示-狀 性記怜/H一預先決定的狀態轉變圖，操作本非揮發 ⑴並1一狀態控制器’其控制狀態機器 料。數H: 號’用關鎖輸出控制器109中之資 予119表不一寫入控制電路，其在

列時控制電壓產生電路118。數字12G表示」H “產ί雷if寫入資—料至記憶體單元陣列1011時控制 電路118。數字118表示一電壓產生電路，用來產 525178 五、發明說明（9) 生本非揮發性記憶體之各個抹除、 要的電壓。數字117表示一電壓源雷、、〃讀取動作所需 生電路118所產生之電壓至本非記=供由：壓產 述的各種不同的運作模式。 心—以口應上 以下將概略說明顯示於圖1之夂链 些電路之詳細說明將說明於後。數字的電路，而那 電路，當抹除禁止時，其使被提示一抹除禁止 ,,促供至抹除控制雷踗1 ? η少 抹除信號失效。數字122表示一重置雷&田路20之 i被提供至記憶體單元陣列…時'，執行抹 传二述的保護熔絲電路之條件一致，並用以在命令 輸入時’藉由提供一命令至命令暫存器η 石又抹除命令。 憶2電備通電且一重置信號係被輸入至非揮發性記 二守，或§ 一個並非於命令解碼器中定義之命令係從外 ^錯誤地提供時，本重置電路122被啟動，且内部電路係 回復至初始狀態。 數字115表示一抹除禁止解除電路，其僅使用於產生 非揮發性記憶體之後，用以將抹除禁止設定電路11 6設定 f4抹除許可狀態，或用以將抹除禁止設定電路116之設定 ^ ^除禁止狀態改變至解除狀態。此種設定程序可只可由 商執行。數字116表示一抹除禁止設定電路，而一旦 °又疋抹除禁止電路之禁止狀態，則可藉由可只由製造商操 作之抹除禁止解除電路之輸出信號而移除。 §抹除禁止設定電路1 1 6被設定於"可抹除”之狀態

第13頁 525178 五、發明說明（ίο) 時’可於任何次數抹除，而不管抹除禁止電路115之輪出 為何。然後’如果抹除禁止設定命令係輸入與抹除禁止設 定電路設定於’’不可抹除"狀態，則記憶體單元陣列1 01變 成不可抹除。 以下’參考圖示而說明依據本發明之第一實施例的非 揮發性記憶體。 、圖2顯示依本發明之第一實施例的非揮發性記憶體之 f，的方塊圖。於圖2中，由一條點線所包圍之方塊19係 為本發明之抹除禁止電路。 數字17(對應於圖1之101)表示本非揮發性記情舻 憶體單元陣列。從外部提供之一位址信號AD由己 碼器13解碼（對應於圖1之104，105，與解 果選擇之的記憶體單元所儲存 > 由解碼結 或被輸入與寫入。 "’、^讀取與輸出， 當一抹除需求命令係從外部輸入時， 1〇(對應於圖1之中之一個暫存器（未V =存器 需求信號TTERC。 专予、禾顯不）輪出一抹除 般而&，非揮發性記憶 自動的抹除命令盥一 _ 4 #入=侵叹啕個命令，例如一 八、士认士 測武抹除需求命令〇咎έ壬 令被輸入時，在執行寫入過程之田自動的抹除命 集體地被抹除（以下稱為一集彳之記憶體單元會 憶體單元並未達到某一個閾值，會埶 > ，而如果每個記 藉由改變閣值基準而檢 2除動作。此外， 抹除檢驗處理），而穹人你固/兀之閾值（以下稱 而寫入取回處理係為閾轉為過度 __ 係在預先決定

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525178 五、發明說明（11) 的位準下之記憶體單元執行。上述處理係於非揮發性記憶4 體中自動重複，而記憶體單元陣列1 7之閾值收斂於一指示 範圍。此種狀態係被稱為抹除狀態。 9 測試抹除需求命令係為用以僅執行上述集體抹除處理 之命令。當輸入此命令時或當執行集體抹除處理以以因應 自動的祙除命令時，於命令暫存器〗〇之暫存器Μ輸出信號。 Τ 丁 E R C。 各種不同的控制信號係被輸入至命令解碼器丨u (圖

Lii解：後被儲存於命令暫存器10 ’用以控制非揮發 u己隐體。舉例而言，這些信號包含··一重置作赛 用以初始化此非揮發性記憶體；一晶片υ致能信 能v泸(WE用)以ί許至此非揮發性記憶體的存取；-寫入致 =出致此信號⑽）’用以允許資料從此非揮發性記憶體輸 電略數人對之數字ιΐ6)係表示一抹除禁止設定 體單元陣二除ϊ止記憶體元件，用以當記憶 令通知時，儲存抹‘二二=不止係由從外部給予之外部命 路"之輸^之《FTGKv"(其#抹除禁止設定電 抹除。相較之下，當抹除二止i(二邏輯值)時，禁止集體 L"(低邏輯值）時，於?:触„δ又^電路14之輸出係為 為可处, 己憶體單元資料中的資料之技昤拣 ^ 了能。如上所述，可藉 寸/扪貝卄之抹除係 弋電路14為"H",設定 予°卩7而設定抹除禁止設 疋η己隐體早疋成為抹除禁止狀態， 第15頁 525178 五、發明說明（12) 由使用一抹除禁止解除電路U，以移除資料抹除禁止 狀慼。 圖2之數字ιι(對應於圖2之數字11}表示一抹除禁止解 路，其輸出一信號B0TPDIS。當信號B〇TpMS處於丑狀 =日守不_ ^之狀態之數值為何，信號FTOTP變 、不正確，且資料抹除禁止狀態係被移除。亦即，可允許 揮發性記憶體之集體抹除。當信號8〇11>1)15係為"h”時， ^除禁止設定電路中之抹除禁止記憶體元件之内容可被移 “TO用TP以變T正成二可抹Γ、”。當信號β〇而^

^ ^ ^ i ，而資料抹除是否被禁止，係信號FTOTP 之數值所決定。 電路圖2盆之成數Λ15^對應於圖1之數字12)係為抹除禁止控制 電路，其為上述輸入信號（例如信號TTERC，信號 ΓΓ二與Λ號FT0TP)輸出一信號_ ，至抹^控制電路16，而抹除設定開關36輸出指示"可抹 ί存數值為信號FT0TR(實際上，執行一種處理以 抹除禁止記憶體元件中設定"可抹除。 亦即，當抹除禁止設定電路14或抹除止 狀態時，從命令暫存器10輸出之 過抹除禁止控制電路15與信號1'1'®11^ ,然後 相鲈夕下：： 抹除記憶體單元陣列17。 Ϊ S 除電路11被設定於"不可抹除"狀 L 非被提供至棟除控制電路16，且記憶 早兀1之抹除並未被允許’此乃因為抹除需求信號-第16頁 525178 五、發明說明（14) ^抹^開關3〇並未被啟動，且無法得到接點f之連接。然 ΤΠ3 ， ^(p jV 'nr* 了 拖$ 不’抹除設定開關3 6之接點f之連接可從h切 除讯因此，如果信號tter係為"*可抹除"，則抹 不;—之數不值可:是成二抹除"’即使可能用以切換成” 接1^當>從*暫存器N輸出之信號WRC被啟動時，寫入電路34將 為衍至g(=ifh切換至接點§，或如果原始的連接係 設定開n山），則維持此連接狀態、。因此，抹除 際，" 用一個"不可抹除"數值以作為信號FTOTP(實 件中）。不可抹除狀恶之數值係儲存於抹除禁止記憶體元 並夫、重於之下如果k號WRC係被啟動，則一寫入電路3 4 姑^ ί作，而在接點f與接點g間之連接無法切換。因此， 接：之ί :關30與寫入開關34無法改變抹除設定開關36之 值禁止開關20輸出信號FL〇Tp或"可抹除"狀態之數 枯私姑個。當信號B0TpDIS之輸出係處於第一位準 除不止解除開關2〇之接點c係與接點4連接（一 、， "抹^禁止解除開關2〇輸出"可抹除"狀態之 养= 可抹除"數值之位準與第一位準一致，由，由使得 :11輸出之信號BOTPD IS之數值亦可被使用作了解除電 =當信號贿刪之輸出係位於第二位準：為數 ^開關20之接點c係與接點e連接，抹 抹除^止 輪出-信號FT0TP以作為信細。 _除開關20 525178 五、發明說明（15) 抹除禁止控制電路15包含一抹除信號開關21，與一抹3 除禁止解除開關20。抹除信號開關21之斷開與導通動作係 由從抹除禁止解除開關2〇輸出之信號SWE所控制。當信號 SJE係處於"可抹除”狀態時，抹除信號開關係處於導通狀 $ (由圖中之實線顯示），且接點a係連接至接點b。因此， 從$令暫存器10之暫存器％輸出之集體抹除信號TTERC，係 被長至抹除控制電路，用以執行集體抹除動作。 當信號SWE係為不可抹除時，抹除信號切換電路21係 处於斷開狀態（以點線顯示），而接點a並非與接點匕連 ，。因此，集體抹除信號·!^!^並未被提供至抹除控制 路16，俾能使集體抹除並未被執行。 電 係為一流程圖，其顯示非揮發性半導體記憶裝置 之:以下參考圖4與圖3說明非揮發性半導體記憶裝置 上，並“Π里複數之非揮發性記憶體係形成於晶圓 存在之非揮^性；，體：t :Sj〇時，為以-晶圓之型式 在以-晶圓』的檢驗與設定運作。 抹除禁止記憶體元件33之一处埋連作之間， 可寫狀態"）係於步驟321 # > *運作（輸入一數值以設定" 除電路11輸出信號BOTPDIS:第中’抹除禁止解 值。因此，抹除/$+^^止解除開關20輸出"可抹除"之數 然後，電路21變成-導通狀態。 w 之外部的抹除需求

525178 五、發明說明（16) ，令，係被輸入至輸出信號TTER之命令暫存器1〇之暫存哭 Μ。因為抹除信號開關21導通，故抹除需求命令係被輸： 制電路16以作為信號而，且並被輸入至抹除電 2關30。因此’不論初始狀態為何，抹除設定開關心 m與接點h連接，且抹除禁止記憶體元件33中之數值 二ΐί。：：，抹除禁止設定電路14輸出"可抹除"之數 值以作為一輸出信號FTOTP。 接著，於步驟S22中，泡丨畤哭收 ， ητ ^ ^ ^ Τ /則试器將一位址信號AD，資料 控制信號提供至非揮發性記憶體焊墊，而 如晶圓之偏壓測試與寫入/讀取 灯例 對於是否它們滿足需要椤“二'種不同的測试之後’ ^ ^ ^S23 t T ^ ^。 令，與集體抹除全部的記憶體單元』。於此牛動的抹除一命 的抹除命令係從例如一測試器;^ ^ 自動 信號TTERC之命令暫存哭】〇由1 4不）之外部輸入至輸出 關21係處於導通狀態，°°故自動之存=:因為抹除信號開 疋，或記憶體單元之一特定次 中之整個5己憶體早 於步驟S24中，改變抹除貝禁3解 抹除禁止解除電路u輸出解除電路11之5又疋，且 BOTPDIS。抹除禁止解除 一位^準^以作為信號 一測試器提供—偏懕 之設定改變可藉由停止從 於後…，：禁止或解 解除開關2 〇之接點c係被改變，俾

第20頁; 乂5178 五、發明說明（17) 點6除信號切換電路21之開關動作係由設Θ 二抹除π止没定電路14中之信號”〇1^決定。於此，因 為^號FTOTP係被設定成丨丨可姑^丨丨,,^ 21維持導通。 疋成T抹除，故抹除信號切換電路 複數：5’晶圓係藉由一種切割動作而被切割為 以性晶片’係被載入至一引線框之上，而:一樹 於步驟S33中’執行類似於步 的測試與集體抹除等出貨檢驗^^S23之各種不同 電路14中之技“ΐ 此時’在抹除禁止設定 抹除信號開心；成體：：33ff可抹除之數值’ 單元LiAr# ϋ寫人至記憶體單元陣列，則記憶體 從外部輸人—抹除命令至命令暫存器10 -1 - ； ： ： ： ；； "Λ"" ^ ^ ===;=式予二 體之ί^32备中，如果用以抹除被寫入至非揮發性纪伊 體之程式之機會係提供至最發h己= S44，其中，主要 者貝丨*式進行到步驟 出非揮發性記憶體產Y。者如在果積以 以後抹除非揮發性記情 何供取終使用者 U體裝置的機會，或如果抹除禁止， 525178 五、發明說明（18) 則主要的使用者會執行寫入記 寫入抹除禁止記憶體元件己件33。 測試器（未顯示）之一寫入需求么$貝際上係百先將來自一 元件3 3之一暫存器n，用以輪由卩^7寫入至抹除禁止記憶體 點f之連接從接點g改變至接§細s。寫人電路34將接 元件33之數值成為"不可抹除h ’並改變抹除禁止記憶體 "不可抹除"之數值，以作為缒：：：止設定電路14輸出 提供至抹除信號開關21之輪出=〇禁τρ止解關j。而被 號開關變成導通狀態，且d:mp。因此’抹除信 命令TTERC並未傳輸至抹/暫存器10輸出之抹除需求 元陣列π無法被抹除同時俾能使記憶體單 除電壓開關30 ’故抹除設定開，侧R並未傳輸至抹 ^^^S44t . 〇 式之非揮發性記憶體裝置之產品。^出裝°又有^ 3寫入程 在之步驟奶之後可由製造商執行步驟S42與43。 要的使用者無法執行-抹除處理。 圖。==顯示一抹除禁止設定電路14之實際内部電路 之技W移L不一種作為用以儲存一個位元之記憶體元件 至憶體元件，於其中，一感測放大器31係連接 松兀牛之汲極侧，用以輸出抹除禁止設定電路14之 ^值至外部，以作為信號FT0TP。於感測放大器31之内 L 一N型電晶體3lb之源極端子係為接地，且其汲極接 之调：2 一電阻3U而與電源電壓連接。-N型電晶體31c “、端子係連接至抹除禁止記憶體元件33之汲極接點， 525178 五、發明說明（19) 3其广，接點係經由一 *阻31a而連接至i源電堡。再4 者，N里電晶體31c之閘極接點係連接於N型電曰f S1h > $… 接至Ni電晶體31c之源極端子。 ^晶體31b與31c與電阻31a包含一偏麼電路， ; =至抹除禁止記憶體元件33…。於此 / 記憶體元件3 3之電流係經由電晶體 =而㈣至電阻31f，並於電晶舰c之沒極產生電趙 :而：；：器…判斷讀取電壓是否少於-預定的數 者資料在被放大作為信號FT0TP之後被輸出。 ΓΓ捏ΛΛ變成τ ’抹除禁止記憶體元件33輸出指示 之寫入‘程：t f裝置係為"不可抹除"之信號。資料，，〇" 即^藉由從字猎s ί入電路34與字元驅動器32而實現。亦 記憶體元件至12V之電壓至抹除禁止 元件33之-極，並藉由從源極井開

源極井開關35ίί，η禁止記憶體元件33之源極，並從 =關35&供_1〇 至]2V 入至止記憶體裝置33之浮動閉。井電子係，皮主 33之資料被‘除時抹:^ 當抹除禁止記憶體元件 ，，L"，姑晻帝广 貝枓改變至1，，，信號FTOTP亦改變至 藉由抹:電\=°^^ 開關30與字元驅動器32而實現。，亦即，藉由 第23頁 525178 五、發明說明（20) ΐ ί 供~10至_12v之電壓至抹除禁止記憶體 几件33之一控制閘，使得抹除禁止記憶體元 除電壓開關斷開，使得抹除姑止# # 0 及極被抹 除電壓PI ^ Μ 憶體兀件33之源極被抹 除電壓開關30斷開，並提供-1〇至—12V之電壓 係從抹除禁止記憶體裝置33之浮動閘注入至井。 數字35表示一源極井開關，其係 之井間的電壓。藉由從字== 31提供幾tv [ ί 5除禁止記憶體元件33，從感測放大器 k供4乎IV之電壓至抹除禁止記憶體元件”，並藉由從 ，極井開關35提供0V之電壓至抹除禁止記憶體元件^，可 讀取抹除禁止記憶體元件33之資料。 圖7A與7B顯示抹除禁止解除電路丨丨之内部電路之一個 例子。錢示於㈣之例子中，《字4G表示—電阻，於其 中^ 一端係接地，而另一端係與待與一反相器41連接之一 路徑連接。當” H”係從例如一測試器之外部給予時，信號 係被反相，並輸出，，L，，之信號B〇TPDIS。當信號,，L"被提供 至PAD 42時’'或當pAD 42斷開時，信號B〇TpDis係為，，η，，。 顯不於圖7β之例子係由一個取代圖7A之PAD 42之熔絲 43所構成，$接於電源電壓接點與電阻4〇與反相器ο之連 接點之間。當存在有一熔絲43時，信號B〇Tp])IS係正常地 處於’’ L ’且當配線斷線時，輸出"g"。 地亦即’於晶圓測試平台中，信號BOTPDIS係處於"L"狀 態，直到至^抹除禁止記憶體元件3 3被抹除為止。當抹除 禁止記憶體元件33被抹除且信號FT〇Tp係改變成，，可抹除”

第24頁 525178 五、發明說明（21) Λ 時’、熔絲43係由雷射等等所切斷（圖4之步驟S24)。藉由切 ，斷，熔絲43 ’抹除禁止解除電路^之輸出B〇TpDIS係固定於 :狀態，且抹除禁止設定電路之設定是否處於"可抹除 "、狀態，係依據信號FTOTP之數值而、確定。然而，在熔絲已 被切，斷之後，且一旦抹除禁止記憶體元件33改變成，，不可 抹除狀態，則除非其被強迫抹除，否則抹除禁止記憶體 元件33無法回復至"可抹除"狀態。 圖5說明抹除禁止控制電路Η之詳細内部電路。於圖5 中，信號BOTPDIS與信號FTOTP係輸入至一NAND(非and)2〇 中，且輸出與信號TTERC係被輸入至一NAND元件21之雙輸 入NAND 21a中。在對NAND 21a之輸出予以反相之後，可獲 得輸出以作為信號TTER。 如果抹除禁止解除電路丨丨之輪出B0TPDIS係為"L„，且 不論信號FTOTP之數值是否為”H”或，，L”，作為抹除禁止解 除開關（圖3之20)之NAND 20之輸出SWE係固定於"H”狀態， 且抹除禁止設定電路14之輸出FTOTP係為不正確。輸出 BOTPDIS之數值’’ L”係被NAND 20反相，且信號swe係變成 Η (可抹除”狀態）之數值。因此，當抹除需求信號口⑽ 被啟動成為數值Η’’時’NAND 21a之輸出變成” Ln ;而當抹 除需求化降下至數值"L”之非啟動狀態時，nand 21a之輸出變成"Η”，而對應於反相器211)之輸出之信號 TTER變成"L·"。 。儿 其次’當抹除禁止解除電路Η之輸出為"Η,， 時’信號FTOTP之數值決定NAND 20之輸出SWE。如果信號

525178 五、發明說明（22) FTOTP之數值係為” L"(n可抹除”），則作為抹除禁止解除開 關（圖3之2 0)之NAND 20之輸出SWE變成"H，，（”可^除"）。' 因 此’當抹除需求信號TTERC被啟動成"H"時，NANI) 21 a之輸 出係改變成，，Ln，且對應於反相器2.1b之輸出之信號^⑽係 改變成"H”。這個被啟動之信號TTER係被提供至抹除控制 電路16(圖2與3)，且記憶體單元陣列17(圖2)係可被抹 除。

如果信號FTOTP之數值係為” L”（”不可抹除”），則即使 抹除需求信號1^£1^係被啟動成"11"之數值，以4仙213之輸 出係維持為π H，’，俾能使對應於反相器21 b之輸出之信號 TTER維持為nL”，且抹除需求信號TTER無法被啟動。因 此’記憶體單元陣列1 7無法被啟動。 以下參考圖8說明本發明之第二實施例。與第一實施 例，同的元件係以相同的參考數字表示，故省略那些元件 之詳細說明。命令暫存器6〇(對應於圖1之112)係被使用以 儲存從外部輸入之解碼的命令。命令暫存器包含一個用以 儲存抹除需求命令之暫存器Μ與一個用以儲存一重設命令 之暫存器Μ。

暫存器Μ輸出一重置信號⑽^，而當電源係被施加至 發性記憶體裝置時，當使用者錯誤地輸入一命令時， ，，輸入並未定義於命令解碼器lu(圖丨）之一個命令時， ^號BRST係被啟動。信號BRST係送出至一系統重置電路 ’亚分配至非揮發性記憶體之内部電路。信號BRST係正 吊地處於”H’,狀態，且當重置時，其改變至狀態” L"以作為

525178 五、發明說明（23) 脈衝。當信號BRST轉換至”l"狀態時，非揮發性記憶體之 内部電路係被重設且暫存器係被初始化。 “ 當抹除需求命令係維持於暫存器jj時，於命令暫存哭 60之信號TSCR係改變為” H，，，且當袜除需求命令並非處: 暫存器中時，或當輸入另一信號時，信號TSCR係為"L"。 信號TSCR、FTOTP，與BRST係輸入至抹除重置電路 !一2(對應於圖1之122之一部份)中，而抹除重置電路12輸出 士仏號BRSTC ’用以重設暫存μ。當信號BRST係為"l" ="，不論>信號TSCR與FTOTP之數值為何，信號BRSK變成 • ^當信號BRST係為"H”時，與當信號FT〇係"L"("可抹除 /•1!：，IEBRSTC維持”H"之狀態，不論信號TSCR之數 Ϊ出；並未被重設，因此，抹除需求命令可被 %出至抹除控制電路1 6。 之抹:H重ί電路12係對應至說明於第-實施例15中 之允許：禁：：4 ’抹除禁止控制電路係控制抹除運作 抹除當^號BRST係為"Η"時，且信號FT0TP係為"Η"("不可 =改變成"’τ，且如果信號職改變為，,Η"，信號接著 = 2=，且重設暫存器Μ。因此，即使-抹除需求 除電路18並^ ’仏號並未輪出至抹除控制電路16，抹 =2? ’且記憶體單元陣列並未被抹除。 第一杂#办丨士 冤路64(對應於圖19之116)具有與 以抹除杯t抹除禁止設定電路14相同的構造，但是用 抹除抹除禁止記憶體元件33之信號係彼此不同。亦即， 第27頁 525178

抹除電壓開關30並非基於信號TTER，而 始化電路61與㈣贿之輸出以執行抹除^作抹除亦止初 抹除禁止初始化電路61基於從例如一測 :::!二:：號而操作抹除電壓開關3°，；以於抹不除 “ϋΓΓΛ初始化（記憶體資料係轉換成對應於"可 抹除之1 )抹除禁止記憶體元件33。因此，抹除移

定電Γ士4 Γ出一個處於Τ狀態("可抹除"）之信號；〇二 藉由操作命令寫入至抹除禁止記憶體元件33 ,並執行 寫入動作，至抹除禁止記憶體元件33 (記憶體資料係轉換成” 不可抹除狀態之"〇”），抹除禁止設定電路64係類似於 一實施例地操作寫入電路34。 圖9顯示抹除重置電路丨2之詳細電路圖，而圖1〇說明 袜除重置電路122之構造與運作。數字50，53，與54係為 雙輸^NAND電路，數字51與53係為反相器，而52係為一個 延遲兀件’用以在給予一預先決定的延遲至其輸入之後， 輸出一個輸入。 當一重設命令係於時間11 (圖1 〇 A )輸入至命令解碼器 111(圖1)中時，信號BRST係被轉換成，，L”，與於非揮發性 記憶體中之此特定電路係被重設（圖10B)。信號BRST係亦 輸入至重置電路12中，而且，不論NAND 53之輸出為何， NAND 54係位於"H”，且反相器55之輸出BRSTC係處於 "L"(圖10H)。因此，於命令暫存器6〇中之暫存器μ係被重 設。在正常的運作期間，信號BRST與輸出BRSTC兩者係分 別維持於"H"。

第28頁 525178 五、發明說明（25) 當第一抹除命令係於時間t2(圖10A)被輸入時，當抹 除命令係被輸入（圖1 〇 C)時，此信號係被轉換成"H ”。而抹 除命令係被解碼，且信號TTERX係儲存於暫存器^|(圖 1〇1)。如果信號FT0TP係處於"L"狀態（，，可抹除"）（圖 10D) ’則NAND 50之輸出係維持於"η"(圖log)，且NAND 53 之輸出維持於” （圖1〇G)，此乃因為反相器51與延遲元件 52之輸，出維持於” L”（圖1〇F)之故。因此，nand 54之輸出 維持於"L”，且反相器55之輸出BRSTC維持於"H"(圖ι〇Η)。 亦即，重置信號BRSTC係維持於一非啟動狀離。 广雷用於時間^(圖10J)重設的狀況下了藉由啟動抹 ^ ，執行集體抹除動作，儲存於暫存器μ之作號 TTm係被輸出至抹除控制電路16以作為信=二= (次圖;(Td號，τρ於時間t4轉換成"r ("不可抹除"狀態) 則信號TSCI? r果絲弟二、抹^命令係於時間t5(圖10A)被輸入， 期“二抹卜：入:奐fH" ’在輸入抹除命令之週期（圖10C) Λ\°ρ 解碼，且解碼的信號^⑶係儲存於暫 =成:L (為 =Ε〇)5〇2Γ係變成"Η"，故_D5之輸出 遲一預先。此種信號係被反相器51反相，且在延 遲=決定的時間之後被輸出（圖1〇F)。 妓 換成"田L" d ΟΙ)之兩Λ入皆變成T時，NAND 53之輸出轉 相器55 i = s;c因二’咖54之輸出改變成"『，且反 存器μ目而 1 皮之重 ，儲此存/门暫存㈣之信號TTm係藉由重置暫 铍重汉，此乃因為抹除重置信號·代暫時變成 第29頁 )25178 五、發明說明（26) 電路16(圖i0j』點=為抹除信號TAER並未輸出至抹除控制a 集體抹除。然後’:於時二除電路並不運作，故無法執行 位址之資料，自因A p f I7，雖然輸入指示抹除資訊塊之 被刪除。 一口為已5又疋抹除需求信號TAER，故資料係 匯流第it第二抹除命令係分別地由複數之 除標頭"AAH" ，"^W 於第一至弟四匯流排週期中，抹 -、丄、/ AH 55H ，AAH”，與”55H”（H表示十六近制表 Γ抶：5PU輸入至非揮發性記憶體之資料匯流排，與晶 片，除命令"10Η”係於第六匯流排週期輸出。因此，從解 ^第一抹除命令與儲存信號TTERX於暫存器以（圖1〇之時間 2)時到輸出信號TAER之時間t3，花了一些時間。如果其 ，被設計成當晶片抹除命令丨〇H係於第六匯流排週期輸二 時，可啟動重置信號BRST，則抹除需求信號可被重設。 於上述說明中，這些設定已使抹除禁止初始化電路61 之輸出信號BOTPD IS直接地輸入至抹除禁止設定電路64 中。然而’可能改變構造以使抹除禁止初始化電路6丨與使 用於第一實施例中（圖7A與7B)之構造相同，且輸出信號 BOTPDIS可能被輸入至取代雙輸入型式之nand電路50的三 輸入型式之NAND電路50，之其中一個之中。 如上所述’本發明之苐一實施例決定輪入抹除命令是 否依據抹除禁止設定電路64之設定條件而重設，且如果設 定係處於”抹除禁止”狀態，則即使輸入抹除命令，其並非 ϋΒ 第30頁 525178 五、發明說明（27) 可抹除3己憶體早7〇陳歹1丨1 7。々k r〇 除杯止-定雷因為其變成不可能於抹 抹除抹除禁止記憶體裝置33，故除非 離二纪心裂置传%1被通電，否貝無法達到"可抹除"狀 ^田隱體裝置係處於晶圓狀態、時，抹除孥止如私彳h雷 路61可被設定於一期望的彳士辨 抹除不止初始化電 封於-封裝中日#，: 但是當記憶體裝置係密

、 、 仏號值無法從外部改變，俾能你JL X I 能將記憶體裝置轉換成”可抹除"狀熊。 ’、 然而，藉由在組裝至封桊中义 電路64至一可抹除狀離，記情體=，設疋抹除禁止設定 d士能ra义e ."焓體裝置可被設定為"可抹除，， 狀L。因此，即使在寫入測試資 ^ 後，記憶體單元陣列17可被抹除。如m:二m 入一程式於記憶體單元陣列j 7中 虫 ”·' 枝险祐舌鉼宦Λ > j干N ^ f T之後哥得臭蟲等等，則可 、二製1 ^ 而不需放棄非揮發性記憶體裝置。 虽製造商或主要的使用去j丨齡 容並未需要更進一步的於記憶體裝置之内 :二/憶體元件33中而被提供。於 俜：i: 订一抹除運作，此乃因為抹除命令 藉"由輸出用以禁止抹除禁止記憶體元件之抹除 斤达 抹除…p，抹除禁止電路可不抹可除/二隐，件33之 除„狀態。 j不可圯地地設定到”不可抹 膜之：揮發性記憶體裝置時，閘極絕緣 膜之时貝係由於製造條件之變動而被改變。由㈣複的抹

第31頁 —---- 五、發明說明（28) --— 4： 因：作浮置之閘極絕緣膜常劣化，: 憶體裝置需要增加複數之 ^己巴，裝置。因為這種記 少，而導致電荷保持特性之減少。：閘極絕緣膜將被減 一種可被使用作為一 / ^ 係藉由利用本發明並藉由限：發性記憶體裝置， 會產生雖然寫入動：：常採：發性記憶體裝置，不' 成之缺陷產品。 僅因為抹除動作之故障而構 除次作之數目之裝置，並在抹 :抹除狀態，可達到抹除運；：數轉換此裝置成為* 叹置於一CPU中，連接至限制。此裝置可能 除狀態係可藉由窩入士 t非揮^性纪憶體裝置，而不可抹 憶體裝置33而獲得。本非揮發性記憶體裝置之抹除禁止記 駕头之抹除禁止電路係一 一 可抹除狀態之旗標的電路之型：儲^示不可抹除狀態或 被提供至最終性記憶體裝置的電腦係 -特定命令而抹除；4ίΐ;ϋ者變成可能藉由輸入 新的！：到非揮發性記憶體中使最終使用者可寫入 其不可ϊί:從：：：：：：；性記憶體裝置係設計成使 外指予之命令而執行抹除，即使最終使 --—一 第32頁 525178 五、發明說明（29) 用T意，執行不當的重新寫入’使用者仍無法實現 ^外，取終使用者將不會於記憶體中錯誤地抹除重要$。 記伊體ίΐΓ字母m並未被允許寫人於非揮發性 體單元係藉由抹除運作而轉換成"H"，舉ϋ’整體記憶 以轉換成，，L”之—記情_ ^ > 且冩入係為被選擇 運作，其變成不可能〜為記伊體⑽订。因此，藉由禁止抹除 之"L"。亦即，如果最\^用體/^寫入再度被轉換成” Η" 終使用者意圖儲存之資U、//法執行抹除運作’則最 此，為了避免=入至記憶趙單元中。因 係更需要以禁止寫入寫::避抹除。然而，其 於顯示於第一或第二實施 =°、除或錯誤寫入。類似 中-個測量，係、為能；對於禁止寫入之其 當直到抹除禁止被設定 並±數目的電路提供。 記憶體裝置係能執行抹除運而要時’本發明之非揮發性 期間執行測試之後，抹除出測35在在封裝後之在測試 鞋—、：主要的使用者於-非揮發性:二φ宜 程式時，且當存在有程式錯誤^『生5己憶體中寫入並檢驗一 重寫一修正程式。如上所4s，、時’可在抹除程式錯誤之後 被使用，而不需捨棄它們T，非揮發性記憶體裝置可再度 於降低的成本。 且非揮發性記憶體裝置可維持 如上所述，本發明之非 次受到一種資料禁止運作，平t性記憶體裝置，係藉由一 而從一可寫的非揮發性記憶體 525178 五、發明說明（30) 轉換成一種一次PR0M。而在封裝與出 性記憶體裝置而言，不可能再度 7於非揮發 隱體。當期望重新轉換時，首先，"H"之 1赞性记 PAD :2。信號B〇TpMS係接著改變成"l此、 ；；ERC Γ0ΤΡ="Η"，且一旦產生資料抹除需求信號 τ除TERC=h ，從而使信號TTER="H"，這表示允許資料抹 14之圖6所示，信號咖啟動抹除禁止設定電路 、之抹除電壓開關3 〇，於抹除禁止記 一 被抹除，信號FTOTP =，，L，，，麸後，π 中之資料 圖5所示。當TTER = "H"時，^ =信號TTER = ”H"，如 可允許資料抹除運作，#能使非揮即可 資料之快閃式記憶體 '然而，當：PAD 42在：Ϊ 給使用者時，PAD 42係處於斷開狀 1 接至封裝之接腳。因：為 並非可執行用以允許資料抹除運作 1 ::使：者， 次PROM處理過之後出貨之非揮發性記憶琶，p仫在被了 使用作為一種一次pR〇M。 叫 糸僅可被 本發明之抹除禁止電路可能 陣列之整個面積之抹除被禁Α‘二體單元 之抹除係藉由與位址信號組合而》：:己隐體“之-部份 行林τ ί:之Ν，本發明之非揮發性記憶體裝置中，在執 仃π止之後，内部資料之禁止與林 在執 之前由製造商執行。然，如果：示社糸可在封裝 如果内部資料之抹除被禁止， 或最終使用者無法解除禁止。如果，相較 之抹除在出貨時係被允許，主要的或最終 止處理。當然，主要的使用者無法解 = 止。 t ，、 n 本發明之非揮發性記憶體裝置具有下述的 後出貨時，或對於主要的使用 禁止處理係為可能的，可藉由 行動電話，彈珠遊戲或遊戲機 性記憶體裝置之不當利用。 非揮發性記憶體裝置可被選擇 525178 五、發明說明（31) 則主要的使用者 之下，内部資料 使用者可執行禁 部資料之寫入禁 如前所述， 效果。 1 ·在製造之 重寫内部資料之 改使用於IC卡， 料，避免非揮發 2 ·本發明之 一種電可抹除之快閃式記憶體，或一種允許一 次記憶體裝置，且製造商可在直到出貨以前， 使用者的選擇。 3.對於經由記憶體單元測試沾 慢或開極絕緣膜的膜質不佳，而不； 快閃式記憶體裝置的非揮發性記憶體裝置，藉 -次記憶體之處理，此非揮發性記憶體裝置‘ -次刚Μ，如此可改善製造非揮發性記憶體裝 者，抹除或 不誠實地修 之内部資 性地設定為 次寫人 < 二 S應、主要的 為抹除較g 電可抹除< 由對其執行 被使用作為 置之良率。 麵

525178 圖式簡單說明 = :依本發明之一種非揮發性記憶體之方塊圖 構造的方塊圖。月之第一實加例的非揮發性記憶體之 以說明抹除禁止電路之原理的方塊圖。 菌圖4係顯示非揮發性半導體記憶裝置之製程的流程 圖。 之抹除禁止控制電路15之内部電路。 示音圖。’、”、、”兄明圖2之抹除禁止設定電路14之内部電路之 路。圖7A與几係顯示圖2之抹除禁止解除電路11之内部電 圖8顯示本發明之笛 圖9顯示圖2之重實施例。 Ο 圖㈣示圖9之重\\路12之内部電路 之重置電路12之信號狀薄 【符號之說明】

M〜暫存器 N~暫存器 5 〜NAND 1 0〜命令暫存器 19〜抹除禁止解除電路 以〜抹除重置電路 1 3〜位址解碼器

525178 圖式簡單說明 15〜抹除禁止控制電路 1 6〜抹除控制電路 1 7〜記憶體單元陣列 18〜抹除電路 19〜抹除禁止電路

2 0〜抹除禁止解除開關 2 1〜抹除信號切換電路 21a〜NAND 2 lb〜反相器 3 0〜抹除電壓開關 3 1〜感測放大器 31 a〜電阻 31b、31c〜電晶體 31e〜反相器 31 f〜電阻 3 2〜字元驅動器 33〜抹除禁止記憶體元件 34〜寫入電路 3 5〜源極井開關 3 6〜抹除設定開關 40〜電阻 41〜反相器

42〜PAD 43〜熔絲

第37頁 525178 圖式簡單說明

50〜NAND電路 50’〜NAND電路 5 1〜反相器 5 2〜延遲元件 53〜NAND 54〜NAND 5 5〜反相器

60〜命令暫存器 61〜抹除禁止初始化電路 64〜抹除禁止設定電路 65〜抹除禁止電路 6 9〜系統重置電路

1 0 1〜記憶體單元陣列 1 0 2〜行選擇器 1 0 3〜源極井開關 104〜列解碼器 1 0 5〜行解碼器 1 0 6〜位址解碼器 1 0 7〜感測放大器 108〜寫入電路 I 0 9〜輸出控制器 II 0〜缓衝器 111〜命令解碼器 11 2〜命令暫存器

第38頁 525178 圖式簡單說明 11 3〜狀態機器 11 4〜輸出資料狀態控制器 115〜抹除禁止解除電路 116〜抹除禁止設定電路 11 7〜電壓源電路 11 8〜電壓產生電路 11 9〜寫入控制電路 1 2 0〜抹除控制電路 121〜抹除禁止控制電路

122〜抹除重置電路

第39頁

Claims (1)

1. 525178 六、申請專利範圍 1 · 一種非揮發性 以在該非揮發性記憶二體裝置，設有抹除禁止電路，用 中，當禁止抹除之一於^置中禁止資料之内容的抹除，其 部提供時，該抹除苹f t係從該非揮發性記憶體裝置之外 2·如申請專利路永久地:禁止資料之抹除。 中 中，該抹除禁止電路勺項之非揮發性記憶體裝置，其 禁止抹除之第一資訊=含二抹除禁止記憶體部，用以儲存 3·如申請專利範圍^許抹除之第二資訊之任一個。 該抹除禁止電跋认2項之非揮發性記憶體裝置，其 一設定抹除電路/抹除禁止記憶體部中包含： 含 -設定寫入電路’：以寫入該第-資訊；及 4·如申請專利Ϊ円用以寫入該第二資訊。 ^第1項之非揮發性記憶體裝置，包 一抹除通知暫存哭，田、 除的解碼抹除指令；:及用以儲存一個通知資料内容之抹 抹除電路，、 除通知暫存器二2二s己憶體單元陣列中，基於該抹 包含-抹除中，該抹除禁 、是否被傳輪至該抹除電路抹除通知暫 非揮發性記憶體裝置包含非揮發性记憶體裝置，其 暫Ϊ器其用以儲存-解碼抹除指令，、 除記憶體單元 以土於該抹除通知暫存哭之_出及 早疋陣列中之資料内容，Α中：之輸出，祙 "中，該抹除禁止電路 525178 六、申請專利範圍 包^抹除禁止控制電路，用以扯庄丨 否基於該抹⑨禁止記憶體部之設^ f抹除通知暫存器是 6.如申請專利範圍第3項之 項之非揮發性記憶體衷置，包 含 抹除通知暫存器， 除的解碼抹除指令；以及 儲存一個通知資料内容之: 一抹除電路，用以基於該抹降、# 除記憶體單元陣列中之資料内J =暫存器之輪出，, 包含一抹除禁止控制電路， ^ ，該抹除禁止電5 輸出是否被傳輪至該抹除 二制該抹除通知暫存器二 電電，-抹除許可時，-抹除m控， 含：…請專利範圍第3項之非揮發性記憶雜裝置包 一抹除通知暫存器，用 一抹除電路，用以基於談—解碼抹除指令；以及 除-記憶體單元陣列中之」資：通知暫存器之輪出 電路包含-抹除禁止控制電；枓：容’其巾，該抹除禁止 器是否被重設，而：以控制該抹除通知暫 可時，：定；除電路係被；:可禁=制電路輪出—抹“ 8· ★申明專利範圍第6項 中，該抹除禁止電路係嗖一揮發性記憶體裝置，其 迫地將該抹除禁止控制電路：：=解除褒置，用以強 9.如申#專利範圍第6 ^轉換至抹除許可狀態。 貝之非揮發性記憶體裝置，龙 六、申請專利範圍 中，該抹除禁止電 中 時 中 時 強迫地將第一次=路係設有一抹除禁止初始化裝置，用以 10.如申訊寫Λ至該抹除禁止記憶體部。 只有當非L双利1a圍第8項之非揮發性記憶體裝置，其 該抹除# p :性記憶體裝置係‘以一晶圓之型式存在 如申二解二裝置係為可操作的。 只有去非揎執圍第9項之非揮發性記憶體裝置’其 該抹二林發性記憶體裝置係以一晶圓之型式存在 12· 一種非捏恭裝係為可裇作的。 並可抹除之該 7記憶體裝置，其中，能電性地可寫 除運作之數目/的襞】性半導體記憶裝置係設有用以限制抹 叮钍I!. 一種非揮發性記憶體裝置，苴中，帝性可耷入if 可抹非揮發性半導體記憶裝置包含寫亚 一吕己，體裝置，儲存抹除 其中，只有當一抹除禁止今定择罢次抹除不止狀恶， 抹除禁止狀態之任一個聍^此设定抹除允許狀態或 許狀態；以及 $以°己fe體裝置係設定於抹除允 抹除禁止解除裝署，田 態，且該抹除禁止解除装置係處於抹除禁止狀 14. 一非揮發性半導體記憶裝置，复心 入與可抹除之非揮發性記憶體裝置包含、一宁’於電性可寫 存抹除允許狀態或抹除禁止狀態， $憶體裝置’儲 憶體裝置包含： ^ ’該電可抹除之記 一抹除禁止設定裝置，能基於 廿於該纪憶體裝置之

   第42頁 〜明寻刊範圍 資’將電性可寫 設定成抹除分舜二k二可抹除之非揮發性記憶體裝置予以 —枯W " 悲、或抹除禁it狀態之任一個；以及 才末除限告I奘番 除禁止壯〜 ’用以在抹除禁止設定裝置係處於抹 1 5 _ 肿3己丨思體裝置設定:於抹除允許狀態。 步驟：· 種非揮發性記憶體裝置之製造方法，包含以下 2 t，板上’形成複數之非揮發性記憶體晶片； 閾值·、母固非揮發性記憶體晶片中檢驗一記憶體單元之一 :,又置於一抹除禁止電路中之一抹除禁止記憶體部初 二，用以禁止一資料内容之抹除，該資料内容係儲存有 示止抹除之第一資訊或允許抹除之第二資訊之任一個； 在將晶圓分割成複數之非揮發性記憶體晶片之後， 其裝入到封裝中封裝中； 、 將一預先決定的程式寫入至該非揮發性記憶體晶 中；以及 將抹除禁止資訊寫入於該抹除禁止記憶體部。 第43頁