TW521100B - Exhausting method in film forming apparatus - Google Patents
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521100 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(1 ) 發明所屬之技術領域 本發明係關於濺鍍裝置或是蒸鍍裝置等的成膜裝置,特 別是具備反應室與真空準備室的成膜裝置之排氣方法。 先行技術 近年來,濺鍍裝置或是蒸鍍裝置等的成膜裝置,被大量 利用於半導體、光碟、電子零件等的薄膜形成,其中大多 數為了謀求生產節拍的提高而鄰接反應室設有可K連通的 真空準備室。 K下參照圖3說明從前的具備反應室與真空預備室的灑 鍍裝置的排氣方法。 首先,將反應室內部真空排氣到1 0 - 6 To r r程度的真空 度。其次,如圖3 ( a )所示將基板設置於處在大氣壓下的 真空準備室22的內部之後,如圖3 ( b )所示進行真空排氣 。接著,打開兩室2 1、22之間的阐門関,將基板從真空準 備室2 2移載至反應室2 1再將閘門閥關閉。 其後,對反應室21內部導入氩氣氣體設定為5X 3 T 〇 r r程度的真空度,於陽極旛邡直流或是高周波電壓,使 反應室2 1内部產生電漿,於基板堆積指定的薄膜。其後停 止產生電漿,停止導入氬氣氣體。接著,打開閘門閥,將 基板移載至真空準備室22,再度_閉閘門閥。其次,對真 空準備室2 2導入氮氣氣體如圖3 ( a )所示回到大氣壓下, 取出基板。 發明所欲解決之課題 然而,如上述從前的真空準備室2 2的排氣方法,將真空 本紙張尺度適用中國國家標準(〇奶)/\4規格(210/ 297公1) _ 4 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---.--裝-
、1T # 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 521100 A7 B7 五、發明説明(2 ) 準備室2 2開放於大氣壓而取出/放入基板時大氣流入真空 準備室2 2内,其後即使於排氣真空準備室2 2的狀態下,鼷 於大氣中的成分之氧氣或是水分無法充分被排出而會殘留 下來,在打開閘門閥時這些氧氣或是水分混入反應室2 1內 ,使得濺鍍標靶或是蒸鍍材料的表面由於氧化等而產生組 成成分上的變化,會有使得堆積於基板上的薄膜厚度或是 組成成分不安定的問題點。此外,在濺鍍金屬材料的場合 ,會有產生異常放電或是未放電的問題。 本發明係有鑑於上逑從前的問題點,目的在於提供於具 備真空準備室的成膜裝置,可Μ防止氧氣或是水分混入反 應室内的成膜裝置的排氣方法。 供解決課題之手段 本發明之成膜裝置的排氣方法,係具備反應室與真空準 備室的成膜裝置之排氣方ik,在將真空準備室開放於大氣 中交換基板之後,在將真空準備室排氣之前封入氮氣氣體 使成為加壓狀態,其後再進行排氣者。 藉此,在將真空準備室排氣之前利用氮氣氣體使真空準 備室内成為加壓狀態的緣故,在排氣時可Μ提高非活性氣 體之氮氣氣體的分壓,可Κ大幅度減少大氣中的成分之氧 氣與水份混入反應室內。其結果,可以防止濺鍍標靶或是 蒸鍍材料的氧化,使堆積於基板的薄震的膜厚與組成成分 安定,進而可Κ防止濺鍍金屬材料的場合的異常放電或是 未放電的產生。 此外,藉由在使真空準備室的出口附近處於氮氣氣體環 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規桔(210Χ 297公1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 1- —4 · ^衣· 521100 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(3 ) 境狀態之狀態下將真空預備室開放於大氣壓交換基板之後 ,將真空預備室進行排氣,也可K達到同樣的作用、效果。 發明之實施形態 K下,參照圖1、圖2說明本發明之成膜裝置的排氣方法 之一實施形態。 於顯示濺鍍裝置的構成之圖2,1係反應室,內部相對方 向地配置著陽極2與藉由濺鍍而被堆積薄膜的基板3。4係 保持基板3之基板載持具,5係供對陽極2施加電壓使陽極2 的表面產生電漿之用的電源。6係供使反應室1内成為減壓 環境之用的第1真空幫浦,7係對反應室1内供給濺鍍氣體 之用的第1氣體供給系5 8係調節反應室1內的真空度之調 壓閥。 1 0係鄰接於反應室1而被配設的真空準備室,透過閘門 閥9可Μ相互連通地被構成。11係供使真空準備室1 0內成 為減壓環境之用的第2真空幫浦,1 2係對真空準備室1 0內 供給氮氣氣體,使回到大氣壓壓力,進而使成為加壓狀態 之用的第2氣體供給系。 於如Μ上所逑所構成的濺鍍裝置,接著說明其動作。首 先,將反應室1的內部藉由第1真空幫浦6進行真空排氣到 10 - 6 Torr程度的真空度。其次,如圖1 ( a )所示將基板3 設置於處在大氣壓下的真空準備室10的内部之後,藉由第 2氣體供給:系1 2如圖1 ( b )所示般的供給氮氣氣體,加壓至 大氣壓Μ上的壓力。其後,藉由第2真空排氣幫浦11如圏 1 ( c )所示進行真空排氣。接著,打開兩室1、1 〇之間的閘 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規枱(210X2Q7公f ) Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •·"- -"........ · ¾衣· 、1Τ 521100 A7 B7 五、發明説明(4 ) P3閥9,將基板3從真空準備室1 0移載至反應室1保持於基 板載持具4,再將閘門閥9藺閉。其後,從第1氣體供給糸7 對反應室1内部導入氬氣氣體,藉由調壓閥8設定為5X 10~ Tor r程度的真空度,藉由電源5對陽極2施加直流或 是高周波電壓,使反應室1內部產生電漿,於基板3堆積指 定的薄膜。其後停止產生電漿,停止導入氬氣氣體。接著 ,打開閛門园9,將基板3移載至真空準備室1 0,再度關閉 閘門閥9。其次,對真空準備室1 0藉由第2氣體供紿条1 2導 入氮氣氣體如画3 ( a )所示回到大氣壓下,取出基板3。 如此藉由在將真空準備室1 0排氣之前利用氮氣氣體使真 空準備室1 0內成為加壓狀態,使得在排氣真空準備室1 〇時 非活性氣體之氮氣氣體的分壓變高,藉此可Μ大幅度減少 大氣中的成分之氧氣與水份混入反應室1內。也就是說, 可Μ防止濺鍍標靶或是蒸鍍材料的氧化,可Μ使堆積於基 板3的薄膜的膜厚或是組成成分安定化。此舛,在濺鍍金 屬材料的場合*也可Κ防止異常放電或是未放電的產生。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -----------裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,在上逑實施形態係將真空準備室1 0內Μ氮氣氣體使 其成為加壓狀態,但是藉由使真空準備室的出口附近成為 氮氣氣體環境狀態也可以得到同樣的效果。但是,如上逑 實旛般的Μ氮氣氣體使真空準備室1 0內成為加壓狀態的作 法不須大幅添加裝置,可Μ簡便地實施。 發明之效果 根據本發明的成膜裝置之排氣方法,由Μ上的說明可知 ,因為在將真空準備室進行排氣之前藉由氮氣氣體使真空 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Λ4規枱( 210X 297公t) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 521100 A7 B7 五、發明説明(5 ) 準備室内成為加壓狀態,使得在排氣時非活性氣體之氮氣 氣體的分壓變高,可以、大幅度減少大氣中的成分之氧氣與 水份混入反應室內,可Μ防止濺鍍標靶或是蒸鍍材料的氧 化。因此,可Μ使堆積於基板的薄膜的膜厚或是組成成分 安定化進而也可Μ防止在濺鍍金屬材料的場合之異常放電 或是未放電的產生。進而,近年來在光磲等的濺鍍係以、秒 為單位之短時間進行著成膜工程,真空準備室的排氣時間 變得非常短,因為無法充分排氣到與反應室同等的真空度 ,所以特別能夠發揮上述效果。 此外,藉由在使真空準備室的出口附近處於氮氣氣體環 境狀態之狀態下將真空預備室開放於大氣壓交換基板之後 ,將真空預備室進行排氣,也可Μ達到同樣的作用、效果。 圖面之簡單說明 圏1係本發明之成膜裝置的排氣方法之一實施形態之排 氣工程圖。 圏2係本發明之成_裝置的排氣方法之一實旛形態之濺 鍍裝置的概略構成圏。 圏3係先行技術例之成膜装置之排氣工程圖。 符號說明 I 反應室 10 真空準備室 II 第2真空排氣幫浦 12 第2氣體供給系 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規枱(210X297公着) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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Claims (1)
- 521100广K)· 12 I身正本 六、申請專利範 1 . 一種成膜裝置之排氣方法,係具備反應室與真空準備 室的成膜裝置之排氣方法,其特徵爲:在將真空準備室開 放於大氣壓下交換基板之後,將真空準備室排氣之前封入 氮氣氣體使成爲大於大氣壓之加壓狀態,其後再進行排氣。 2. —種成膜裝置之排氣方法,係具備反應室與真空準備 室的成膜裝置之排氣方法,其特徵爲:在使真空準備室的 出口附近處於氮氣氣體環境狀態之狀態下將真空準備室開 放於大氣壓交換基板之後,將真空準備室進行排氣。 3. —種成膜裝置之排氣方法,係具備反應室與真空準備 室的成膜裝置之排氣方法,其特徵爲:藉由與供入氮氣氣 體至真空準備室的氮氣氣體供給機構不同的氮氣氣體供給 機構,在使真空準備室的出口附近處於氮氣氣體環境狀態 之狀態下將真空準備室開放於大氣壓交換基板之後,將真 空準備室進行排氣。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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CN114892139A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-08-12 | 宣城开盛新能源科技有限公司 | 一种控制蒸发源材料水分及杂质的方法及装置 |
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