TW520537B - Plasma treatment apparatus and method of producing semiconductor device using the apparatus - Google Patents

Plasma treatment apparatus and method of producing semiconductor device using the apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW520537B
TW520537B TW090121862A TW90121862A TW520537B TW 520537 B TW520537 B TW 520537B TW 090121862 A TW090121862 A TW 090121862A TW 90121862 A TW90121862 A TW 90121862A TW 520537 B TW520537 B TW 520537B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
standing wave
film
wafer
dielectric window
plasma
Prior art date
Application number
TW090121862A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoshi Itabashi
Naoyuki Kofuji
Yasunori Goto
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW520537B publication Critical patent/TW520537B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
    • H01J37/32284—Means for controlling or selecting resonance mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

520537 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明係有關於電漿處理技術，用以將一來源氣體引入 電漿、及在使用激勵粒子的物理或化學互作用的例如一半 導體的固態材料表面上實施例如蝕刻、灰化、薄膜沈積、 及濺射等的處理。特別地，本發明係有關在製造一半導體 裝置（半導體積體電路裝置）過程期間用以有效率蝕刻閘極 或金屬的一電漿處理裝置。 相關技藝 傳統上，隨著一電漿處理裝置，爲了改善一半導體材料 表面電漿處理的一致性或穩定性，下列結構是已知的。 (a) —電漿處理裝置，其包含一介電質窗，而可將電磁波 引入排空成低壓的密室内部，及排空成低壓密室端的介電 質窗開口的大小與形狀，即是，在介電質窗下面排空成低 壓的密室大小與形狀。 例如，JP-A-1 1-1 1 1 696規格是揭露在排空成低壓密室端 的一矩形介電質窗開口的大小及形狀與電磁波頻率之間的 關係。此外，JP-A-10-199699規格是揭露在排空成低壓密 室端的一圓形介電質窗開口的大小及形狀與電磁波頻率之 間的關係。 (b) —電漿處理裝置，其包含一介電質窗而可將電磁波引 入排空成低壓的密室；朝向介電質窗空氣端的一碟型、一 環型、及一間隙型等的天線，而且天線的大小與形狀可依 規定要求。 例如，JP-A-2000-164392規格是揭露在介電質窗的空氣 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（2 ) 端所包含一環型天線的大小及形狀與電磁波頻率之間的關 係。此外，JP-A-2000-223298規格是揭露在該介電質窗的 空氣端所包含一間隙型天線的大小及形狀與電磁波頻率之 間的關係。 此外，例如，JP-A-2000-77384規格是揭露有關上述（a)和
(b) 的電漿處理裝置，及經由介電質窗的空氣端所包含一 圓型天線的大小及形狀與排空成低壓的密室端的一圓形介 電質窗開口的大小與形狀比率的一致性電漿控制。 (c) 一電漿處理方法，其包含排空成低壓的密室；一天線， 用以將電磁波引入排空成低壓的密室，而且該天線的大小 與形狀可依規定要求。例如，JP-A-2000-268994規格是揭 露在排空成低壓的密室内所包含一天線大小及形狀與電磁 波頻率之間的關係。此外，JP-A-10-134995規格是揭露在 排空成低壓的密室内所包含一天線大小與形狀之間的關 係，其包括排空成低壓的一密室側壁可視爲一部分的天線 與電磁波頻率的情況。
(d) —電漿處理裝置，一介電質窗周圍部分的大小與形狀 可用以將電磁波引入排空成低壓的密室、或結構，而且材 料品質可依規定要求。 例如，JP-A-3-68771規格是揭露一電漿處理裝置，其中 一微波吸收體可安置在一微波傳輸線的末端。 而且，例如JP-A-1 1-354502規格是揭露有關上述（c)和（d) 的電漿處理裝置，及在天線末端與在排空成低壓的密室内 所包含天線周圍部分功能有關的一地端部分的形狀/大小 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 、發明説明（ 9 ]?^2000^^ 關的全屬二低壓的密室内所包含天線周圍部分功能有 之間電質所製成的-電磁波修正器的形狀-小 大直徑(30〇公釐(或更多)半導體晶圓内的 …f 率改善是電漿處理的要求，供製造所謂大型 =電路⑽）的半導體積體電路裝 程處理讀的廣泛應用可要求。 ⑴一 I虫刻步驟的應用可用於古 於”呵度各向異性及選擇性的 做』权子化，一閘極、一全 處理。 至屬/辱膜、或一隔離薄膜的目標 ⑺在上述I虫刻步驟前，例如底部抗反射塗層(BARC)等的 =射薄膜處理步驟應用’及由薄膜氧化物或薄膜氮化 物衣成的一硬遮罩處理步驟。 制一遮罩 (3) —調整步驟應用，用以在上述蝕刻步驟前控 大小〇 (4) 用以處理裝置分離、或一閘極端側壁襯墊溝渠的一步 驟應用，而且是有關需要在例如形狀或圓形等角度上的廣 泛控制。 、 (5) —薄膜沈積步驟的應用，其需要例如壓力廣圍的廣泛 情況設定。 (6) 在蝕刻處理後，移除阻抗及蝕刻其餘（蝕刻殘留）、及 毀壞層的一步驟（後處理步驟）應用。 (7) —賤射應用。 -6 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 520537 A7 B7 五、發明説明（4 ) 特別地，有關形成一 MOS電晶體閘極的蝕刻步驟（包括 最初閘極處理、以及在該處理前及之後的蝕刻步驟）包括 許多步驟，其涵蓋上述溝渠處理、抗反射薄膜遮罩處理、 產生藉此伴隨的一調整遮罩處理、閘極本身處理、及其後 的襯墊處理、及可多方面實施他們要求的一裝置。 此外，由於最近小量多類型製造的需求，及複數個裝置 結構可於相同晶圓以混合方式安裝的例如一系統LSI應用 需求，所以非常高度一致性電漿產生從處理壓力觀點，具 0· 1 Pa至10 Pa廣泛情況範圍内的大直徑，及從與各種不同 氣體速度有關的一晶圓的離子注入流通量觀點，具0.3至3 mA/cm2的一晶圓處理是需要的。 本發明家明白表示在本發明前的既有電漿處理裝置問 題。這些問題將在下面參考圖17和圖18描述。 圖17是發明家考慮的一電漿處理裝置圖。此電漿處理裝 置包含排2成低壓（密室）2 06的一圓筒形密室，其是供配 置處理的一物件。圖17是顯示從此密室206的中心到外部 周圍半徑方向的一右半部截面圖。 根據此電聚處理裝置’一介電質窗是由一石英板202組 成，而且一石英簇射板203是在面對排空成低壓206密室内 的一晶圓區201中提供。此外，石英板202與石英簇射板 203是固定到排空成低壓206具眞空密封材料204的密室。 爲了要產生電漿205，一氣體是引入排空成低壓206的密 室，至於使用450 MHz的一高頻電源頻率可產生供製造此 電漿氣體的電磁波。石英玻璃的半徑設計是大於排空成低 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（5 ) 壓206大約23公釐的密室内壁表面半徑。在此，23公釐是 在 d=//4 + //2 X (n-1) 土 //8 ·· (η :正整數，/=c(光速度）/f/V^) 的特性長度範圍内，ε :介電質常數。具一薄氣體層的間 隙207是在石英板202後面提供。由礬土（Α12〇3)製成的一天 線208及一天線襯墊209是在石英板202上面部分提供。 在密室206内的一電場分佈是在圖1 8顯示。此電場分佈 已計算出。 (a)對於不超過2.8 X 101GcnT3(從入射離子流通量（ICF)觀 點等於1.0 mA/cm2)的電漿密度而言，具一強電場強部分會 出現在略微偏壓位於晶圓區上面的空間中央部分的區域。 電漿最初是在此強電場分配產生，·而且電漿會由於擴散而 向外散佈，所以一製性離子流會注入一晶圓。然而，如圓 圈210所示，當電漿密度增加到（b)4.0xl01GcnT3(從ICF觀 點等於 1.4 mA/cm2)、或（c) 8.0 X 101GcnT3(從 ICF觀點等於 2.8 mA/cm2)，而且如圓周211所示，強電場的部分會逐漸 在排空成低壓的密室周圍部分出現，且會較大。此可增加 排空成低壓206的密室内的周圍部分（在密室内壁附近）的 密度，而且一致性破壞。 發明概述 本發明是根據發明家的上述問題認知而完成。 本發明的一目的是將氣體與電磁波引入排空成低壓的密 室而形成電漿，並且減少在供物件處理的一電漿處理裝置 的駐波分佈變化。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 A7
裝 訂 線
520537 A7 B7 五、發明説明（7 ) 分，而且一部分是等於該密室的内壁表面。 如果高頻的電漿品質常數可由一介電質常數表示，他們 便可透過提供一負値的實數部分及表示電漿損失的一虛數 部分表示，其中該等品質常數是在高頻電漿的技術文獻中 描述，例如由 M. A. Lieberman和 A. J. Lichtenberg發表名 稱·· ，，Principles of Plasma Discharges and Materials
Processing"，（John Wiley 和 Sons，Inc.公司）第 93-96 頁，第 108-1 10頁）。一負介電質常數是表示一謗導媒體。根據 此’例如’隨著下列電聚品質常數：例如，在2 § X 101GcnT3(從一入射離子流通量（ICF :離子流）觀點等於1〇 mA/cm2)、4.0 X 101()cm·3(從 ICF觀點等於 1.4 mA/cm2)、和 8.0x 101Gcm_3(從ICF觀點等於2.8 mA/cm2)電漿密度下的0.4 Pa氯化物電漿，電漿媒體的介電質常數能以ε (2 8 X 10,0cm'3)--10.1+j0.0816 - ε(4.0 x 1 010cm'3)=-14.9+jO. 1 1 7 ^ 和 6(8.0/10^(:1113) = -30.8+)0.233 表示。隨著這些，在電漿 的電磁波傳遞可被分析。當一電磁波從一介電質窗進入由 上述品質常數所表示的一電漿時，一媒體的變化可用表示 在等於一密室内壁位置中的駐波電場分佈的一最小振幅位 置與一最大振幅位置之間的相反關係。因此，在介電質窗 材料下面的電漿中形成的駐波電場分佈可在等於一密室内 壁表面的位置中到達一最小量（即是，駐波的一最小振幅 位置）。如果控制駐波部分的一入口是窄於某範圍，電漿 便不會擴展它的影響力。因此，在控制駐波部分内形成的 駐波電場波長將不易受到在電漿内達成氣體的影響、及改 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 520537 A7 B7 五、發明説明（8 y" --—-- 變密度與壓力。 因此，即传雷舰k 水媒體的品質常數改變，對於包含調整成 具有上述深慶的 ， 晋 立 一郅分控制駐波的一密室而言，在半徑位 ，7疋人排戈成低壓的上述密室的内部直徑相同，在 (;i %貝‘材科下面的電漿端中形成的駐波電場分佈將 始終是一最小旦 里（即疋’駐波的一最小振幅位置）。此可在 t述介％、w材料下面電漿端側壁表面附近的電場，而且 :磁波功率可引入-有效空間區i或，該有效空間區域在晶 圓區上具有一預期目的地的固定距離，其中供處理的一物 件是始終配置。
即是’根據本發明，控制駐波部分的深度在d = //4 + //2 X U-l)±//8(n=正整數，/=c(光速度）/f/‘）範圍内的情況將 炎成有效。因此，在較大範圍情況下，具有電磁波功率的 问一致性與電漿密度線性、及穩定與連續特性的一電漿處 理裝置可提供。 本發明控制駐波部分是充滿眞空、空氣、及幾乎不在本 身内部損失的一介電質，而且從大小與形狀的觀點，可在 裝置的適當密室内壁附近產生電場，因此將不會在該部分 發生例如功率損失及過熱的不良影響。 此外’既然配置是在介電質窗周圍部吩的眞空外面發生 的$又计疋谷易實施，所以由金屬材料製成的一環不需要在 排空成低壓的密室内直接插入。 而且’在控制駐波部分内形成的駐波電場波長是近似不 變，而且是與電漿的情況無關，不需要在使用一些移動機 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x 297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 的一基礎構造； 圖12A和—12B是顯示在圖17顯示的電漿處理裝置及與本發 明的具體實施例6有關的一雨將南 裝特性圖；1有關“榮處理裝置之間相比較的電 是顯示本發明家在完成本發明之 理裝置（隔離薄膜蝕刻劑）圖； 包水處 圖14是顯示與本發明的具體實施m有關卜f t _ 裝置（隔離薄膜蚀刻劑）圖； 圖15是顯示與本發明的具體實 W 9有關的一丰導體缓： 置製造處理截面圖； t夺恤裝 圖16是顯示與本發明的具體實 貝她例9有關的一半導體 置製造處理截面圖； 辛&裝 圖17是顯示本發明家在完成本發明卞 理裝置（閘極處理蝕刻劑）圖；及 慮的見臬氣 圖18A、18B和18C是顯示在圖17¾千认 密室内的電場分佈圖。 ‘一的-電聚處理裝置 符號説明 101···排空成低壓的密室 10 2…晶圓區 103···介電質窗 104. ··電磁波 105. ··具頻率f的高頻電源 106···—部分控制駐波 107···在介電質窗後的區域 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 A7 B7 五 、發明説明（11 ) 1 0 8…一部分控制駐波的入口 109.. .—部分控制駐波 100.. .晶圓 I 10.··在介電質窗材料中形成的駐波電場分佈 II 1...駐波的最大振幅位置 112.. .電漿 1 1 3 ...駐波的最小振幅位置 2 0 1...晶圓區 202·.·石英板 203…石英簇射板 204.. .眞空密封材料 205…電漿 206…排空成低壓的密室 207…氣體層間隙 208…天線 209…天線襯墊 210…在排空成低壓的密室周圍部分中的電場（媒體） 2 11…在排空成低壓的密室周圍部分中的電場（強度） 300.. .晶圓 3 0 1...石英板 302.. .氣體層間隙 303…電漿 304.. .眞空密封材料 305…排空成低壓的密室 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（12 )
：> 0 6…晶圓區 307···石英叙射板 3 0 8…天線 309·.·天線襯塾 3 10…在排空成低壓的密室周圍部分中的電場（較弱） 3 11·.·在排空成低壓的密室周圍部分中的電場（較弱） 401···在圖2的一結構使用情況中的相同ICF 402…在圖3的一結構使用情況中的相同ICF 403···在圖2和圖3的結構使用情況中有關ICF的電磁波功率 404···在圖2的結構使用情況中有關ICF的電磁波功率 ^ 405··.在圖3的結構使用情況中有關ICF的電磁波功率 5 0 1…一部分控制駐波 502···排空成低壓的密室 503.·.電漿 5 04…晶圓區 505··.石英板 506…石英簇射板 507·.·眞空密封材料 508···氣體層間隙 509.··天線 510···天線襯墊 511…一部分控制駐波 512…一部分控制駐波 5 13…天線襯塾 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)
裝 訂
線 520537 A7 B7 五 、發明説明（13 ) 601…一部分控制駐波 602.. .石英板 603.. .排空成低壓的密室 604…電漿 6 0 5...晶圓區 606.. .石英簇射板 607.. .眞空密封材料 6 0 8…天線 6 0 9…天線觀塾 610…氣體層間隙 611.. .— L形導體部分的長度· 612.. .朝向一 L形導體部分長度的有關電磁波功率的ICF線性 701.. .電漿蝕刻的反應器 702.. .用於電漿而具f=450 MHz的高頻電源 703.. .電漿調節器 704···用以產生及控制磁場的螺旋線圈 705.. .基礎構造 7 0 6...晶圓區 707…晶圓（300公釐（φ) 708…用於晶圓偏壓的f=400仟赫的電源 709···用於晶圓偏壓的匹配盒 710…電漿蝕刻的反應器 711…電漿灰的反應器 712…晶圓盒載入位置 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 A7 __— —__ B7 五、發明説明（14 ) 713.. ·晶圓運送裝置機械人 801…在圖2的結構使用情況中的相同蝕刻率 802…在圖3的結構使用情況中的相同蝕刻率 803…根據圖2的結構而在電磁波功率36〇 w下的相同蝕刻率 804…根據圖2的結構而在電磁波功率72〇 w下的相同蝕刻率 805··.根據圖3的結構而在電磁波功率36〇 w下的相同蝕刻率 806…根據圖3的結構而在電磁波功率72〇 w下的相同蝕刻率 900…晶圓（ 300公 901.. .晶圓區 902.. ·石英板 903···圓形簇射天線 904···天線襯塾 905···—部分控制駐波。 發明的較佳具體實施例 (具體實施例1) 本發明的具體實施例丨將在下面參考圖丨至圖4描述。 圖1Α是顯示提供一部分控制駐波的—電聚處理裝置的主 要部分截面圖。 此電漿處理裝置是由可排空成低壓（排空成低壓的密室） 的-密室101 ;位在密室101内處理一物件（半導體晶圓⑻） 的-晶圓區102 ;面對上述供處理的物件的一碟形介電質 窗103;具頻率=fl05的一高頻電源，以產生電磁波二： 用以產生可引入電襞的上述密室内的_預定氣體；及—部 分控制駐波，用以產生在上述介電質窗周圍部分附近配置 •17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（15 ) 7駐波電場分佈106所組成。此外，雖然圖丨並未顯示，但 疋天線是仅在介電質窗103後面的一區域丨07，如此可從 密罜（電漿產生區域）的内部112的電漿112區分。對於此天 、、泉而3，各種形狀的天線系統及各種形狀的波導系統需對 應選取。 如圖1B所示，控制部分駐波1〇6的部分具有除了與介電 質窗103接觸的入口 i〇8之外的部分，該等部分是由一導體 %繞的缺口部分106，即是，控制駐波1〇6的部分是在介電 質窗103的側壁構成，其具有一頂板1〇以；一底板1〇讣； 一側板106c，其是接近於該等板1〇以和1〇讣的末端；及一 入口 108，其是位於側板106c的相反方向，而且是與介電 質窗103接觸；及透過這些板1〇6a、1〇6b和1〇6c劃分的缺口 部分106的一内部是充滿一眞空、氣體、或具介電質常數ε 的一介電質。此外，控制駐波丨〇6的此部分是在一碟形介 笔、窗103的周圍構成一環形結構。缺口部分1 〇6是充滿一 具2、氣體、或介電質常數£的一介電質之中任一者。產 生缺口邵分1 〇 6的深度（從入口端1 〇 8到側板1 〇 $ c内壁的距 離）從電磁波特性長度、、用以控制駐波丨的該部分入口位 置（即是，在此基本結構中，介電質窗周圍的一端位置， 其中配置此部分的控制駐波，而且一半徑位置是等於排空 成低壓的密室内壁表面）的觀點是等於//4 + //2 X (η-1): (η :正整數，/=c(光速度，在介電質窗内形成的駐 波電場分佈110將變成最大（即是，駐波的一最大振幅位置 111)。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 520537 A7 _—____B7 五、發明説明（16 )
另方面’如上述’如果高頻的電漿品質常數可透過一 介=質常數表示，他們可透過一負値的實數部分及表示電 水知失的虛數邵分表示。一負介電質常數是表示一謗導媒 體。例如，隨著在例如電漿密度2 8 xi〇1Gcm-3(從一射入離 子^里}ICF :離子流通量）觀點等於L0 mA/cm2)、4.0 X 10 cm ( k ICF觀點等於 1 4 mA/cm2)、與 8.0 X 1010cm-3(從 ICF觀點等於2·8 mA/cm2)下在〇4〜的一氯化物電漿中的 電，品質常數，電漿媒體的介電質常數可表示成ε(2 8>< 10 cm )〜l〇.i+j〇 〇816、ε(4.0 X 101Gcnr3)=-i4.9+j0.117、 與 ε(8·0χ l〇i〇cm-3)=_3〇 8+j〇 233。隨著這些，一電漿的電 磁波傳遞可被分析。當一電磁波從一介電質窗1〇3進入透 過上述品質常數所表示的一電漿丨12，在媒體的一電荷可 用來表示在等於一密室内壁表面的一位置中駐波電場分佈 的一最大振幅位置與一最小振幅位置之間的相反關係。因 此在笔浪中开〉成的駐波電場分佈正好低於介電質窗材料 1 〇3將可到達等於一密室内壁表面位置的最小値（即是，駐 波的一最小振幅位置113)。 用以控制駐波106部分的一入口 1〇8是較窄，如此便不會 文到電漿112的影響。因此，在一部分控制駐波内形成的 駐波電場波長將變成不受電漿所產生各類氣體的影響及改 •交舍度與壓力。因此，對於一密室包含一部分控制駐波調 整而具有上述深度而言，即使電漿的品質常數媒體改變與 上述舍室的内部直徑相同的位置，正好在上述介電質窗材 料下面的電漿旁邊形成的駐波電場分佈將始終是一最小量 -1 9 -
本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4規格(210X297公釐) 520537 A7 一 —____B7 五、發明説明（17 ) (即是，駐波的一最小振幅位置丨13)。此可調整正好在上 述介電質窗材料下面的電漿端中側壁表面附近的電場，而 且笔磁波功率可引用在晶圓區1〇2上面具有一固定距離的 有政空間區域’其中供處理（半導體晶圓）的物件可始終配 置。因此，在廣泛情況下，具有電磁波功率及穩定與連續 特性之電漿密度之高一致性與線性的一電漿處理裝置可提 供。 順便一提’根據目前具體實施例，在土 1 /8範圍内一部分 控制駐波的深度可生效，但是如果它不在範圍内，只有一 部分控制駐波不包含情況的固定窄範圍内不提供一致性的 一電漿特性將可重新裝配。因此，一部分控制駐波的深度 將會在¢1=//4 + //2 X (n-1) 土 //8(n=正整數，卢c(光速 度）/f/‘）範圍内降低的情況變成有效。 控制目前具體實施例駐波部分是充滿眞空、氣體、與内 部本身幾乎沒有損失的一介電質，而且從大小與^狀的觀 點可在裝置的適當密室内壁附近產生電場，因此將不會引 起例如功率損失與過熱現象。 此外，既然影響是在介電質窗周圍部分的眞空外部發生 的設計是容易實施，所以金屬材料製成的一環狀不需要直 接插入排空成低壓的密室。 而且，在一部分控制駐波内形成的駐波電場的波長是近 似固定，而與電漿的情況無關，在某移動機構晶圓形：： 期間不需要改變結構模式。 (具體實施例2) -20- 張尺度適财_家標準_)峨格⑽χ 297/涵 520537 ------------- B7 五、發明説明（18 )
本發明的具體實施例2將在下面參考圖2、圖3A、3B和3C 描述。 目可具體實施例2的構成可如圖2所示具有一部分的控制 駐波，其中一石英板3〇1與一薄氣體層（間隙）3〇2是延伸到 等於在上述具體實施例丨中所增加控制駐波丨〇6部分特性長 度的一部分。 —在圖17顯示的電漿處理裝置中，在石英板2〇2的半徑與 在1的内邵直徑之間的平衡設計大小是近似23公釐。另一 方面，在目前具體實施例2中，在石英板301的半徑與密室 J〇5的内邵直徑之間的平衡設計大小可適於將密室3〇5封 ，，具有的一眞空密封材料3〇4是大於圖2的設計大小。即 疋，石英板30 1的半徑設計是大於密室3〇5的内部直徑大約 1〇8公釐。順便一提，對於一晶圓區3〇6而言，一石英簇射 板307、一天線308 '及一天線襯墊3〇9是與在圖2顯示的相 同0 根據此結構的電漿303製造將參考3A、邛和3〇：描述。 上述設計大小108公釐是在d=//4 + //2 X (η_ι)± //8 : (^正 整數，而且在此，/=C(光速度）/f/‘）的特性長度範圍 内’其计算疋假设物質（介電質常數ε ••大約3 ·3至3 6)的介 電質常數是略低於石英（介電質常數3 5至3 8)，其亦考慮 在石英板301後面提供的一薄氣體層間隙3〇2的影響。此時 夠過計算的電場分佈的計算結果是在圖3Α、⑶和儿顯 不。增加電漿密度（a) 2.8x l〇iGcm，3、（b) 4 〇χ 1〇1〇cm-3、和 (c) 8·0χ10\π^不會出現在一圓圈31〇及一圓圈3ΐι的現 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（19 ) 象，電場會在密室（密室内部的周圍部份）的内壁附近增 加。此時，即使電源的強度引用於供產生電磁波的密室 305增加，而且電漿密度增加，功率引用的一空間區域將 不會對周圍部分偏壓，但是在任何功率情況下，高度相同 離子流將注入一晶圓。在此結構中，假設氣體晶種或壓力 改變很多，而且固定表示進一步寬廣改變所達成的電漿媒 體品質，在密室周圍部分的電場現象的持續增加將不致於 發生。 從可獲得的電漿特性觀點，在圖17顯示的電漿處理裝置 與目前具體實施例2的結構之間的比較是在圖4A、4B和4C 顯示。圖4 A是顯示在圖2顯示的電漿處理裝置結構的一電 漿特性。此外，圖4B是顯示在目前具體實施例2的結構中 的一電漿特性。這些電漿特性是顯示氯化物當作氣體使用 及壓力是設定在0·4 Pa情況的相同ICF。此外，圖4C是顯示 兩方的電磁波功率線性的電漿特性。 至於在圖1 7顯示的電漿處理裝置的電漿特性401，如圖 4A所示，當電磁波功率是從360 W增加到500 W時，ICF分 配是大約與中央部分相同，但是略高於改變成具略高周圍 部分的ICF分配，而且一增加到1000 W可提供具較高周圍 部分的ICF分配。 另一方面，至於目前具體實施例2的電漿特性402，如圖 4B所示，幾乎平坦ICF分配的範圍是從360 W至1000 W， 而且在所有功率情況下的結果是土 5% ( 3σ ·· σ是一標準偏 差）範圍内。此外，雖然它並未描述，但是圖17的結構不 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 520537 A7 __________B7 五、發明説明（2〇 ) $將電漿維持在具25G w或更少的—穩定方式。然而，目 前具體實施例2發現可將電漿維持甚至低於到達％ w功 的一穩定方式。 此外，馬了要確定兩方功率的ICF線性，-電衆特性4〇3 是在圖4C顯示，其中功率是在水平轴上緣製，而且在晶圓 的300公釐φ内的ICF平均値是在垂直軸上繪製。 對於在圖17顯示的電漿處理裝置（4〇5)而言，ΐ(：ρ顧示且 500 W或更多的—飽和趨向。另—方面，纟目前具體實施 例2 (404)中’到達10〇〇评的所有點是在近似直線的軌跡上 發生。 順便一提，為了要確保根據目前具體實施例2(圖2)結構 一的電聚特性，而且其中石英本身的介電質窗是向外延伸， €私^特性原則上是類似圖i顯示的基本結構’在圖2顯示 而於一眞空密封材料3〇4外部立即分開的介電質窗3〇1此部 分可產生，而且可實施實驗比较，但是包括分開的情況與 包括不分開的情況具有完全相同的特性。 此外，在目1Γ具體實施例2的效果可具有例如蓉土的不 同介電質常數的一材料，以取代由一石英板及一石英誤射 板組成的介電質窗。此外，即使蔟射板移除，引進氣體的 方法可改變，本發明的根本要素一點有沒有如圖2的具體 實施例1所描述的影響。 (具體實施例3) 隨者本發明的具體實施例3，一部分控制駐波配置的變 化將在下面參考圖5描述。 _ -23- 本紙張尺度適用中S S家鮮(CNS) A4規格(2l〇X297公爱) 520537 A7 B7 五、發明説明（21 如圖5所不，在石英板5 〇5上方，安裝與石英板連接而達 成石英（介電質常數3·5至3.8)控制駐波5〇1的一部分。安裝 口疋此的亿置的一晶圓區504、石英板505、與石英簇射板 3〇6 ’安裝在其上面的一眞空密封材料507與一薄氣體層間 隙508、及一天線5〇9是完全與圖17顯示的相同。此外，需 要向上提供控制駐波501，從外部將它覆蓋的天線襯墊51〇 與導體元件的設計具有大約40公釐的較小半徑。 具35公釐入口寬度的控制駐波5〇1部分的大小可透過與 在上述具體實施例1相同的計算技術而考慮。結果，隨著 包含一 ^英板505、控制駐波50 1部分與一薄氣體層508的 結構，溥氣體層5〇8是在石英板5〇5的頂端平面與控制駐波 5〇1部分之間插入，如果控制駐波5〇1部分的高度是几公 變，具2.8xlCcm-3(從ICF觀點等於1〇1^/咖2)、4〇χ ΙΟ'πΛ從ICF觀點等於i 4 mA/cm2)、與8 〇 χ Μ。⑽丨從 ICF觀點等於2·8 mA/cm2)電漿密度的駐波電場分佈計算結 果可發現是對應在圖2顯示結構的結果（圖3)。即是^二目° 前具體實施例3，隨著方向90度改變的—社姐 又 又日J 結構可明顯發現 到，一形狀與大小會變成類似電磁波的特性長度。此是於 水平方向凸出而避免干擾任何其他部分的一裝2投計的有 效知識。 又 (具體實施例4) 隨著本發明的具體實施例4，一部分拆制，、丄 |刀ί工制駐波配置的另 一變化將下面參考圖6描述。 根據目前具體實施例4，爲了要計劃進一步增強一部分 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 520537 A7 B7 五、發明説明（a 控制駐波較小形狀與大小，具較高介電質常數的礬土（具 介電質常數9.8)可當作構成在上述具體實施例3中一部分控 制駐波的材料使用。此外，一最適宜形狀與大小可透過一 類似計算技術而考慮。 如圖6所不，控制駐波5丨丨部分的入口寬度是設定成25公 釐，而且其他結構的達成是與圖5的顯示相同。
、根據目則具體實施例4，在一部分控制駐波的高度是設 疋成50么厘的情況中，具28xl〇1〇cm.3(從π觀點等於 mA/cm2)、4·〇 x 1〇1〇cm-3(從❹觀點等於】* 、8〔 装 y〇iw:(從ICF觀點等於u mA/cm2)電漿密度的駐波電 % >㈣Μ ^果很明顯是對應具體實施例2(圖3)與具體 =3(圖5)的結果。此可用來計劃進—步增強具材料介 私貝木數的較小形狀與大小，以充、、黑 ， 左一 J以无滿—郡分控制駐波。 Γ以使用在-部分㈣駐波的_介電質，石英與蓉土等 可由於成本問題而選取，但是例如氧 鈇⑽2)、與YAG陶質（γ3Αΐ5〇|2)之中任 2) 一=匕
高介電質常數的材料可使用，所广一/較 能的。 進步增進小型化是可 (具體實施例5) 邠分控制駐波配置的 隨著本發明的具體實施例5， 變化將在下面參考圖7描述。 目前具體實施例5的構成具有具 分，其可進一步彎曲構成向内的_、她」的波控制 步增強-部分控制駐波縮小。如 _’馬了要計劃進 斤不’控制駐波512
520537 A7
刀疋内部充滿礬土，而且是向内彎曲形狀。此外，入口寬 度與内邵寬度是分別是3G公|。^ 了固定空間，_天線觀 ^疋以稍微較小達成，而且其他結構是與圖5和圖6 考慮可使用類似上述具體實施例2的計算技術處理。結 果，具圖5顯示的形狀與大小的駐波電場分佈的計算結 果’二隨著 2.8xl〇10cm-3(從 ICF 觀點等於1〇 mA/cm2)、4〇 X 1〇 cm (攸 ICF 觀點等於 i 4 mA/cm2)、8 〇 χ 從 ICF觀點等於2·8 mA/cm2)電漿密度很明顯是對應具體實施 例2(圖3)、具體實施例3(圖5)、與具體實施例*(圖幻的相 對結構所提供的結果。 此達成可清楚看出一部分控制駐波可根據設計的方便性 而適當彎自，所以縮小的增強可計畫，而且目前具體實施 例5的形狀與大小從電磁波的特性長度觀點是類似^二實 施例2 '―具體實施例3、與具體實施例4。在與具體實施= 的相同實驗情況下，由於分別在具體實施例3、且髀實施 例4、與具體實施例5的電漿特性考慮結果，對應從：_ 與圖4C顯示的電磁波的每個功率的相同icf觀點特性的 井，及朝向電磁波功率的ICF線性可確定出現。 在具體實施例3、4和5中，一部分控制駐波是安裝在介 電質窗周圍部分、或彎曲的變化將分別描述，但是隨著^ 側邊方向延伸，及在空氣端向下彎曲、或除了入 、 口 夕卜的 部分透過在肖下眞空端的導體所圍·繞、或隨著曲線厚戶鋒 化、形狀與大小設計調整以製造類似特性長度的—=二: 、、、〇構疋 -26-
520537 A7 一 —__ B7 五、發明説明（24 ) 可能的。 (具體實施例6) 如本發明的具體實施例6，在一部分控制駐波配置中的 另一變化將在下面參考圖8描述。 目前具體實施例6是一邵分控制駐波的結構，其實施可 進一步增進小型化。如圖6所示，控制駐波部分601是安裝 在從一石英板602末端位置向内的位置。一晶圓區6〇5、安 裝在面對此位置的一石英板602、及一石英蔟射板6〇6、一 興空密封材料607、及在其安裝的一天線6〇8是完全與具體 貫施例3 (圖5)相同。 天線襯塾609的形狀與大小的達成是略小於圖5(c)，爲了 方便使控制駐波部分601向内偏。此外，薄氣體層間隙61〇 的形狀亦略受變化。 控制駐波601部分的入口是在石英板6〇2上方，而且是從 —石英板602的外端部分向内17公釐配置。此外，用以充 滿控制駐波60 1部分的礬土厚度與圖5顯示的結構相比較是 薄7公釐，而且，控制駐波部分的入口寬度是窄到9·5公 變。由於此一設計，結構的完成是將全部包裝在與圖17顯 示的電漿處理裝置的相同空間。 隨著類似在具體實施例2的一計算技術，控制駐波部分 的深度可考慮。結果，隨著圖6顯示的深度設計及在控制 駐波邵分圍繞的一 L型導體部分長度61 1，具2·8 X l〇1Gcm·3 (從 ICF觀點等於 1 〇 mA/cm2)、4·〇 X 101GcnT3(從 ICF觀點等 於 1.4 mA/cm2)、和 8.0 X l〇1Gcm-3(從 ICF 觀點等於 2.8 L·________ -27- 本紙張尺度適财國@家標準(CNS) Μ規格(·χ挪公愛) 520537 A7 五、發明説明（25 _ B7 ) ^
計算結果可發現是對 mA/cm2)電漿密度的駐波電場分佈的 應具體實施例2所提供的結果。 厫格來說 ，〜匕百丨-”…π眩貝他捫〇的構成可包括電磁 波的兩分枝路徑，而該電磁波會受到石英介電質窗末端白、 反射及返回，而且電磁波可進入控制波動部分^及到 心部分，並且返回物體反射，但是結果，可將他們良=多 工’政果是類似到目前爲止所描述的效果。 因此，即使具包括電磁波路徑分岐的結構，及經過時間 變化的控制駐波等邵分入口的彎曲方向或寬度，如果气有 電磁波特性的設計是相同，它明顯變成可提供類似具體實 施例2、3、4和5的效果。 . 具體實施例6是包裝在到目前止所描述具體實施例中的 最小設計。隨著例如基底的具體實施例6的結構，在圖8顯 示的大小與形狀的中央情況下，使控制駐波部分的特性長 度改變的經驗可實施。在經驗方面，L型導體部分的長度 6 1 1可改變，所以控制駐波部分的有效深度會改變。 如圖9顯示的結果，L部分的長度的達成是否應該長於或 短於中間大小（L = 3 1.5公變），該等特性可惡化。明顯地， 例如，隨著不足1 8公變，朝向電磁波功率的ICF線性會惡 化，而到達類似控制駐波部分不包含情，況的一特性位準。 即是，控制駐波部分發現可擴大在具有從L型導體部分（L 型金屬配件）6 11的L部分長度中間大小的某寬度範圍内的 效果。電磁波可先在介電質窗内向外傳遞，而且在L部分 的頂部分返回，並且進入控制駐波部分。以此考慮，L部 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 五、發明説明（26 ) 分長度的18公釐變化可説是等於18公愛相互路徑電 遞路徑變化。基於在此的估計，當控制駐波部分是在U 未使用情況相比較中間大小至少士1/8區域的範圍内時:、 制駐波部分便可擴大其效果。爲了要使用一簡單實驗系^ 貫施再確認，如在一結構的±1/8範圍内的半徑改變結果狁 =中石^板與薄氣體層間隙的半徑範圍是如圖2顯示改 ^，目前具體實施例的效果的提供是在士1/8的範圍内，但 是當它脱離時，惡化可再證實發生，如同沒有控制駐波部 分。 。 圖10是顯示在目前具體實施例6中的電漿處理裝置（間極 處理蝕刻劑、或金屬處理蝕刻劑）的整個結構。此電漿處 理裝置的功能將在下面描述。 k。 在圖10中，在具f=450 MHz的一高頻電源中所產生有關
電漿702的電磁波可經由電漿7〇3的調節器而引入電漿蝕刻 701的反應器内。 X 電漿透過應用由用以產生及控制磁場7〇4的一螺線圈所 產生的磁場而可高度有效率達成。用以產生及控制磁場 7 〇 4的一電漿蝕刻反應器7 〇丨及一螺線圈是安裝具有泵設備 的基礎構造705上。一氣體供應管是如圖所示掩埋在此基 钬構造705。氣體是引入在石寒板6〇2與石英簇射板6〇6之 間的間隙，而且經由在石英簇射板中提供的複數個細孔而 引入反應器701。另一方面，在具有向上/向下機構的晶圓 區706上，例如，有3〇〇公釐直徑的一晶圓7〇7可裝載，而 且透過f=400 kHz的一電源產生有關晶圓偏壓7〇8的高頻波 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 520537
可經由供晶圓偏壓709的一匹配方塊而運用於該晶圓7〇7。 而且晶圓707的表面可進行蝕刻處理。 圖11是顯示一整個基礎構造平面圖。在圖1〇顯示的電將 |虫刻f應器71〇是安裝在基礎構造705上。具有兩電漿蝕ς 反應器710的結構允許在大量製造的情況具有良好效率的 平行處理。對於目前具體實施例6而言，這些的其中一者 可用來評估蝕刻。此外，在相同的基礎構造7〇5上，兩電 漿灰反應器7 Π的安裝可構成允許阻體遮罩及移除蝕刻表 面聚合體的一結構。此外，在晶圓盒載入位置712中，在 蝕刻之前提供一晶圓的等待位置及蝕刻的一晶圓物體的等 待位置，而且晶圓的構成可使用一晶圓傳輸裝置機械人 7 13而傳送到對應位置。 即是，在圖1 1顯示的具體實施例基本結構在基礎構造上 具有複數個反應為，其每個反應器的特徵是在排空成低壓 的密室中包含供處理的一物件的晶圓區；一介電質窗，其 是面對上述供處理的物件，供引入電磁波，具頻率=f的一 高頻電源，以產生電磁波用以將一預定氣體引入排空成低 壓的上述密1：的電漿；及在上述介電質窗周圍部分附近提 供的一部分控制駐波，該周圍部分是充滿眞空、氣體、或 具有介電質常數ε的一介電質，並且具有除了導體/附近的 入口之外的一些部分，其深度是土 //8 : (n二正整數，/=c(光速）/f/‘）的特性長度範圍。 在圖12A，其是分別顯示與圖π的電漿處理裝置的一致 性有關的電漿特性801，而且在圖12B中，及與具目前體實 -30- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 520537 A7 B7 五、發明説明（28 ) 施例6的一致性有關的電漿特性802。對於相對的裝置而 言，氯是當作氣體使用，而且壓力是設定在0.4 Pa。此 外，在360 W和720 W當作電磁波功率使用情況中，多晶石夕 I虫刻的一致性可評估。 如圖12A所示，圖17的電漿處理裝置是藉由從特性803轉 變成特性804改變電磁波功率而使其一致性惡化。 另一方面，如圖12B所示，目前具體實施例6未顯示特性 805與特性806的一致性變化，而不管電磁波功率是否改 變。即是，根據目前具體實施例6，一致性不會惡化，並 且可提供良好結果。 順便一提，在類似情況下，相同多晶矽的一致性是分別 在具體實施例2、3、4和5上確認，但是可提供對應圖12B 顯示的電漿特性結果。 隨著目前具體實施例6的電漿處理裝置，在各種不同步 驟的處理績效一致性及在LSI製程中的各種不同薄膜晶種 可確認。如一範例所示，在與使用單一密室形成閘極有關 的蝕刻上的一致性處理可考慮。如一實驗，下列LSI製造 步驟的蝕刻處理可實施。 (a) 具當作一基礎的CF4的STI(淺溝隔離）圖案之BARC處理 步驟：電磁功率400 W。 (b) 具當作一基礎的CF4的STI之頂端圓形處理步驟：電磁 功率350 W。 (c) 具當作一基礎的HBr的STI之逐漸尖細處理步驟：電磁 功率800 W。 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 訂
520537
A7 B7 五、發明説明（29 ) ------ (d) 有加入氧體的STI之底邵圓形處理步驟：電磁功率w。 (e) 具ο?與鹵素混合系統的閘極遮罩圖案調整步驟：電磁 功率400 W。 (0具當作一基礎的CF4的閘極圖案之BARC處理步驟：電 磁功率600 W。 (g) 具當作一基礎的CF4的閘極圖案之siN遮罩處理步驟·· 電磁功率700 W。
(h) 具當作一基礎的ch的多晶矽閘極之垂直處理步驟：電 磁功率450 W。 (0具當作一基礎的HBr的多晶矽閘極之過度蝕刻步驟：電 磁功率4 5 0 W。 裝 對於（a)到的這些步驟而言，在未圖案化案晶圓公 釐Φ)上的一致性與在圖案化晶圓（3〇〇公釐φ)中的微處理一 致性可確認。 訂
。結果，對於（a)到（i)的所有步驟而言，隨著無圖案化 圓，在土 3% ( 3σ)範圍内的一致性處理可確認，而且隨著 案化晶圓，包括蝕刻角、圓、圖案遮罩的殘餘量等，在 圓平面内的中央部分與周圍部分之間沒有形狀不同及大 不同的㈣處理可使用排空成本發明低壓的單_密室 施。與-連串處理可透過從m裝置提供及採用 圓的相對步驟所專屬的裝置實施的情況、或他可在且有 空成低壓的複數個專屬密室的一裝置中實施的情況相 較’用以將晶圓傳人及從排空成低壓的相對專屬裝置或 星傳出的額外時間可節纟，而且總時間可縮減到不超3
五、發明説明（3〇 成低壓輸貝量可增加兩倍和更多。因&，達成具排空 大量製造效率改呈觀不同處理情況，而且從 菸明排列是非常高。不用説，使用本 t月的系統可利用雪难二 .# 7斤建互的晶種的物理與化學反應而 :曰、：半導體處理的廣泛情泥下可顯示一致性處理效率， 匕工作同樣是涵蓋單_電聚裝置可引起―效果以改善 以效率的廣泛特徵範圍的其他各種不同步驟。 "便^ ’在目則具體實施例6中，達成電漿的磁場應 用不僅可提高電数製告 KI、政辜，而且可使晶圓表面内部的處 理致性可進一步到一更高範圍。 此外，在目前具體實施例6中所使用的密室設計大致上 :在電磁波的任何波長下設計。對^_實際裝置的設計而 y，一限制是空間應符合頻率較低且波長較長的情況，但 是可利用材料的介私負常數提鬲的增強，而該材料的内部 疋充滿-邵分控制駐波、及_結構，其包括到達1G廳2低 頻的多重彎曲致能設計。另一方面，當頻率增，波長變短 時，密室的一少步驟結構可使駐波局部存在，因此，需要 >王意除了一邵分控制駐波之外的密室邊界形狀，但是隨著 /王思可攸舍室的逐一角落減輕的設計可提供設計處理到達 3 GHz的高頻。 (具體實施例7) 如本發明的具體實施例7，天線配置變化將在下面參考 圖13和圖14描述。 到目前爲止描述的具體實施例具有在介電質窗外部安裝 •33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公爱） ^0537 A7 發明説明（31 ^天線，對於閘極蝕刻或金屬蝕刻是特別有效。 =而’本發明可經由穿過介電質窗而將電磁波的波導引 密室，而且亦可應用於一結構具有在密室内安裝的一天 =。特別是，此結構可運用於隔離薄膜（氧化物薄膜等）的 蝕刻。 爲了要確認一部分控制駐波效果，沒有一部分控制駐波 勺％構是如圖13所示，而且如圖丨4所示包含一部分控制駐 波的一結構（目前具體實施例7)可用於一晶圓（300公釐Φ)表 面内的ICF —致性與蝕刻一致性的比較及研究。 首先’圖13係顯示一電漿處理裝置的結構，該電漿處理 装置只由一天線襯墊904組成，而沒有控制駐波控制。對 於—晶圓區901而言，到目前爲止與具體實施例相同的規 #°了使用’而且可用於石英板902，電磁波的一波導可造 成穿過中央部分。此外，到目前爲止的石英簇射板可移 除，並且將它取代，一圓形簇射天線9〇3是固定在石英板 9〇2。此外，一晶圓900是安裝在晶圓區9〇1。 另一方面，圖14是透過使用與在具體實施例6描述的控 制駐波部分近似相同的一部分控制駐波905而顯示一電漿 處理裝置的結構。對於一晶圓區901而言，到目前爲止與 具體實施例相同的規格可使用，而且對於〆石英板902而 了，電磁波的波導可造成穿過中央部分。此外，一圓形誤 射天線903是固定在石英板902上。一晶圓9〇〇是安裝在晶 圓區9 01。 首先，ICF的一致性可考慮。在包括一小量CF系統氣體 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 520537 A7 B7 五、發明説明（32 ) 與〇2氣體的一 Ar基底增加的情況下，400 W和900 W的電磁 波功率情況可比較。結果，最大不同不能在具900 W電磁 波高功率的此結構兩端看到，但是在具400 W電磁波低功 率的此結構情況下，對於不使用控制駐波部分的一結構 中，另一電漿模式可使具ICF只在中央部分局部增強。此 外，由於詳細調查結果，有一模式的轉移點是在500 W附 近，而且在其接近，電漿狀態會變得不穩定。另一方面， 對於使用控制駐波部分的結構而言，亦即具400 W，類似 900 W情況的ICF分配能以穩定方式提供，而且沒有不穩定 狀態是容許在500 W附近。 在天線安裝在排空成低壓的密室内的情況中，有兩種 類，即是，電磁波從天線直接引入電漿，而且元件是引入 在天線周圍傳遞的電漿、及在後面的介電質窗内。從先前 天線直接引入電漿可認爲幾乎引用，而不管本發明的控制 駐波部分，但是至於在介電質内的水平方向傳遞的後者元 件，駐波電場分佈可在控制駐波部分的周圍中適當達成， 用以提供模式遷移與不安定排除。 (具體實施例8) 在具體實施例6描述的L型金屬附件是安裝在空氣端，而 且是在地電位，因此，可容易達成一可動系統。金屬污染 將不必可慮在一可動部分是在密室内提供的情況，而且設 計的困難度將不會直接在一電磁波功率應用的天線達成可 動的情況中造成。爲了要符合大量製造，儘可能避免機械 式逐一移動晶圓的此一機構是想要的，但是本發明是顯示 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 520537 五、發明説明（33 在廣泛處理情況下可維持一致性及 因此，不ϋΐ二，、 、j u疋結構的效果， 在晶圓本Γ厂可在每個處理情況操作可動機構。然而， 曰α本身疋明顯不同的情況， 特殊品質愔7 ^ , 甘"在矽日曰®不受蝕刻的 % 、 ^况、或在反應生成物很多的情況， 微碉可執行調整 了勤口ρ刀的 空氣端安癸… 處理情況。此外，在 4= 電位的情況’該等可動部分不能根據這 二&况而進行母個晶圓的調整。 (具體貫施例9) t具體實施例6描述的電漿處理裝置基本結構是由下列 二於：密室，其可：空成一低壓；—晶圓區，供-晶圓 上…、文裝的上述密室内.；一天線及-介電質窗，其是 面對上述晶圓的一位置上提供；—高頻率電源，其具有 =率f可產生电磁波，用以製造將一預定氣體引入上述密 堇的電衆；及一部分控制駐波，用以產生在上述介電質窗 周圍邵分附近中所提供的駐波電場分佈。 ，隨著此電漿處理裝置，一半導體裝置(例如，m〇slsi)的 製造方法將在下面參考圖15和圖16描述。 ⑴sti形成步驟： 在圖15，首先，隨著上述電漿處理裝置，一半導體基材 (曰曰圓）1001的主要表面是使用一 SiN薄膜（未在圖顯示）遮 罩，而且溝渠可選擇性形成。此外，在溝渠構成後，在具 體實施例6描述的（b)、（c)、和（d)可執行。隨後，一隔離 薄膜（SiO^是在溝渠形成的晶圓1〇〇丨主要表面上沉積。隨 後，在晶圓主要表面上沉積的隔離薄膜是經由一化學機 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 訂 線 520537 A7 ____B7 五、發明説明（34~~ ~--- 製拋光方法（CMP)而拋光，所以隔離薄膜嵌入溝渠的一淺 溝渠隔離（STI) 1002區域可形成。 (2)形成MOS閘極的一導體薄膜步驟： 在圖15中，在閘極氧化物薄膜（未在圖顯示）於一元件的 平面表面上形成，以形成由淺溝渠隔離（STI) 1〇〇2的區域 所包圍的區域後，MOS閘極1003的導體薄膜（第一薄膜）可 形成。MOS閘極1003的此導體薄膜可例如由多晶矽或多金 屬製成。隨後，在MOS閘極1〇〇3的此導體薄膜上，Si〇2或 SiN薄膜可形成一硬遮罩（第二薄膜）1〇〇4。此硬遮罩可在 閘極處理時供採行足夠選擇率。目前具體實施例9是將一 SiN當作硬遮罩使用。隨後，稱爲一BARC的抗反射薄膜 (第三薄膜）1005可此硬遮罩1004形成。此外，一光阻遮罩 1006可經由正常應用十版影印技術而在抗反射薄膜1〇〇5上 形成一預定圖案。圖15是當光阻遮罩1006形成圖案的截面 圖。 處理MOS閘極導體薄膜的步驟： 在圖15和圖16，上述遮罩圖案1〇〇6是分別複製到m〇s閘 極1003的上述抗反射薄膜1〇〇5、硬遮罩ι〇〇4、與導體薄 膜，以便在MOS閘極1〇〇3的上述抗反射薄膜1〇〇5的乾蝕刻 處理、硬遮罩1 〇〇4、與導體薄膜上使用前述的電漿處理裝 置持續乾姓刻處理。此時，使用遮罩圖案丨〇〇6在前述抗反 射薄膜1 005及硬遮罩丨0〇4上選擇性蝕刻，該等阻體遮罩 1004與抗反射薄膜1〇〇5可移除，所以m〇s閘極1〇〇3的導體 薄膜圖案可使用硬遮罩1004形成。在此步驟，在具體實施 _ -37- 本紙張尺度適财國目家標準(CNS) A4規格(2igχ挪公爱) 520537 A7 B7 五 、發明説明（35 ) 例6描述的（e)到（i)可實施。 此後，具當作一遮罩的閘極（電極）1003之一源極及一汲 極可形成。此外，在閘極（電極）1 003側壁上，一側壁（SiN) 襯墊可形成。當此側壁襯墊形成時，上述電漿處理裝置亦 可運用到各向異性蝕刻。 畢竟，根據目前具體實施例，一般目的電漿處理裝置使 用允許輸貫量的改善、及良率改善。 根據使用本發明高頻的一電漿處理裝置，一部分控制駐 波是包含在一介電質窗周圍部分附近的位置，而且當電磁 波從介電質窗引入排空成低壓的密室時，在介電質窗材料 内的駐波電場分佈便可適當達成。此可在氣體速度、壓 力、與密度的廣泛條件下用來處理一致性測試取樣。此 外，在廣泛的條件下，透過將排空成低壓的單一密室以一 致性方式應用到許多許多步驟，具高製造率的一電漿處理 裝置便可提供。 此外，透過應用電漿處理裝置，其本發明的高頻可供製 造一 LSI的步驟，一致性微處理可在一晶圓表面内實施， 而且具高良率的一 LSI可達成。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 520537
    •-種電漿處理裝置，&含：一密室，其可排空成低壓； 晶圓區，其是供在其上載置待處理的一物件；一介電 質窗，其面對供處理的該物件，可供引入電磁波；一高 頻電源，其具頻率=f而可用來產生用以將導入該密室之 一預定氣體予以電漿化的電磁波；及一控制駐波部分， 其是設置在該介電質窗周圍部分附近，其可充滿真空、 氣體、或具介電質常數ε的一介電質，而且其除了入口 之外的該等部分是由導體所圍繞，其具有深度在 扣//4+//2χ(η-ΐ)±//8: (11=正整數，/=c(光速）/f/‘）的 特性長度範圍内。 2·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中形成在該 A黾貝囱内的該駐波電場強度可在與該密室内部直徑相 同的一半徑位置上到達一最大值。 3·如申請專利範圍第〗項之電漿處理裝置，其中形成在該 介電質窗材料正下方的電漿端的該駐波電場強度可在與 該密室的内部直徑相同的一半徑位置上到達一最小值。 4 ·如申印專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中從電磁波 特性長度觀點，該介電質窗的半徑大小增加是等於該控 制駐波部分是在該介電質窗端方向設置該控制駐波部分 的情況，而且將該介電質窗與其附近的該控制駐波部分 整合成一體。 5·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該控制駐 波邵分是設置在該介電質窗周圍部分之上方或下方，而 且從電磁波特性長度觀點，其形狀與大小是等於在該介 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X297公釐) 520537
    電質窗端方向設置該控制駐波部分的情況。 控制駐 面、下 而且形 控制駐 從電磁 介電質 由在該 所製成 飧申叫專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其中該 波邵分是設置在該介電質窗周圍部分上方、側 万，而且從電磁波的特性長度觀點可維持相同， 狀可造成進一步彎曲、或改變寬度或曲率。 7·如中請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該 波邵分可設置在該介電質窗之上方或下方，而且 波的特性長度觀點可維持相同，該部分是朝向該 ®的一末端部分内部而配置。 8·如申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其包含 介電質窗的一空氣端或一真空端的導體或半導體 的一天線。 9·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其包含可改變 該控制駐波部分大小的一裝置。 10·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中在該介電 質窗内所使用的一介電質及該控制駐波部分可由馨土 (Al2〇3)與石英（si〇2)、或前述混合之中任一者構成。 Π·如申請專利範圍第i項之電漿處理裝置，其在一基礎構 造上具有複數個反應器，其中該等反應器之中每一者包 含：一密室，其可排空成低壓；一晶圓區，其是供在其 上載置待處理的一物件；一介電質窗，其面對供處理的 該物件，可供引入電磁波；一高頻電源，其具頻率=£而 可用來產生用以將導入該密室之一預定氣體予以電漿化 的電磁波；及一控制駐波部分，其是設置在該介電質窗 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537
    々、申請專利範圍 周圍部分附近，其可充滿真空、氣體、或具介電質常數 ε的一介電質，而且其除了入口之外的該等部分是由導 體所圍繞，其具有深度在d=//4 + //2 X (n-l)± //8 : (η=正 整數，/=c(光速）/f/‘）的特性長度範圍内。 12. —種製造半導體裝置之方法，其透過使用一電漿處理裝 置，包含：一密室，其可排空成低壓；一晶圓區，其是 供在其上載置待處理的一物件；一介電質窗，其面對供 處理的該物件，可供引入電磁波；一高頻電源，其具頻 率=f而可用來產生用以將導入該密室之一預定氣體予以 電漿化的電磁波；及一控制駐波部分，其是設置在該介 電質窗周圍部分附近，其可充滿真空、氣體、或具介電 質常數ε的一介電質，而且其除了入口之外的該等部分 是由導體所圍繞，其具有深度在(1=//4+//2\(11-1)土//8·· (η=正整數，/=c(光速）/f/Vi)的特性長度範圍内，該方法 包含下述步驟： 一供在該晶圓的一主要表面上形成一第一薄膜之步 騾； 一供形成一遮罩，以便在該第一薄膜上產生一預定圖 案形狀之步驟；及 一供安裝該晶圓之步驟，其中該遮罩是在該電漿處理 裝置的晶圓區上形成，並且造成一部分的該第一薄膜， 其中該遮罩並未在蝕刻處理時形成。 13. 如申請專利範圍第12項之製造半導體裝置之方法，其中 該第一薄膜是由多晶矽製成。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520537 ^ Ί A8 丨 S 一- ，.….j D8 六、申請專利範圍 —s.s、 Η·-種製造半導體裝置之方法，其透過使用一電 置，包含-密室，其可排空成低壓；一晶圓區水T装 在其上載置該密室内的一晶圓；_天線及一介電神：供 其是設置在面對該晶圓的一位置上；一高頻電：貝：’ 一預定頻率而可用來產生用以將導入該密室之_預二， 體予以電漿化的電磁波；及一控制駐波部分，其是2氣 在该介電質窗周圍部分附近用以控制駐波電場分佈，$ 方法包含下述步驟： 二 一供在該晶圓的一主要表面上形成一第一薄膜之 騾； < 一供在該第一薄膜上形成一第二薄膜之步驟，一供在 遠第一薄膜上形成一第三薄膜之步驟； 一供形成一遮罩之步驟，以便在該第三薄膜上產生一 預定圖案形狀；及 一供安裝該晶圓之步驟，其中該遮罩是在該電漿處理 裝置的晶圓區上形成，以造成遮罩未在蝕刻處理時形成 的一部分該第三薄膜，並且將該遮罩的圖案複製到該等 第三、第二、及第一薄膜。 15·如申請專利範圍第Μ項之製造半導體裝置之方法，其中 該第一薄膜是形成MOS閘極的一導體薄膜，該第二薄膜 是一隔離薄膜，該第三薄膜是一抗反射薄膜，而且該遮 罩是一光阻遮罩。 16.如申請專利範圍第I4項之製造半導體裝置之方法，其中 在該（5)步驟中，在該等第三及第二薄膜使用該電漿處理 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 520537
    裝置而選擇性姓刻處理後，一第一薄膜可選擇性使用由 孩電滎處理裝置選擇性蝕刻的第二薄膜而進行#刻處 理。
    17·如申凊專利範圍第14項之製造半導體裝置之方法，其中 在孩（1)步驟之前包含：一使用該電漿處理裝置而在該晶 圓的王要表面上形成元件隔離的溝渠之步驟及一將一隔 離薄膜嵌入所包括的溝渠内之步騾。 裝 18.如申請專利範圍第17項之製造半導體裝置之方法，其中 在孩等溝渠内嵌入一隔離薄膜的該步驟包含下列·· 一在 溝渠形成的該晶圓主要表面上沉積—隔離薄膜之步驟， 及一經由化學機械拋光而移除在該晶圓 沉積隔離薄膜之步驟。 上的
    •5- 520537 第090121862號專利申請案 中文圖式修正頁晶年避)
TW090121862A 2001-03-19 2001-09-04 Plasma treatment apparatus and method of producing semiconductor device using the apparatus TW520537B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001077423A JP3893888B2 (ja) 2001-03-19 2001-03-19 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW520537B true TW520537B (en) 2003-02-11

Family

ID=18934185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090121862A TW520537B (en) 2001-03-19 2001-09-04 Plasma treatment apparatus and method of producing semiconductor device using the apparatus

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20020129904A1 (zh)
JP (1) JP3893888B2 (zh)
KR (1) KR20020074372A (zh)
TW (1) TW520537B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4209612B2 (ja) * 2001-12-19 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4204799B2 (ja) * 2002-04-09 2009-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3723783B2 (ja) * 2002-06-06 2005-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5312411B2 (ja) * 2003-02-14 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生装置およびリモートプラズマ処理装置
US20080190560A1 (en) * 2005-03-04 2008-08-14 Caizhong Tian Microwave Plasma Processing Apparatus
JP2006244891A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US20080029032A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
JP2010232493A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2012217761A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Hitachi Ltd プラズマ滅菌装置
US9916998B2 (en) 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9685356B2 (en) 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
KR20190005029A (ko) * 2017-07-05 2019-01-15 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
CN107421713B (zh) * 2017-08-01 2020-02-18 大连理工大学 一种测量管内波动液膜波频和波速的系统
CN117795640A (zh) * 2021-08-06 2024-03-29 朗姆研究公司 用于薄介电膜沉积的变压器耦合等离子体源设计

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0368771A (ja) 1989-08-04 1991-03-25 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
EP0478283B1 (en) 1990-09-26 1996-12-27 Hitachi, Ltd. Microwave plasma processing method and apparatus
JPH10199699A (ja) 1997-01-11 1998-07-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6143081A (en) 1996-07-12 2000-11-07 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method
JPH10134995A (ja) 1996-10-28 1998-05-22 Toshiba Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3815868B2 (ja) 1997-10-07 2006-08-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3555447B2 (ja) 1998-06-05 2004-08-18 株式会社日立製作所 ドライエッチング装置
JP2000077384A (ja) 1998-09-03 2000-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置
JP4165946B2 (ja) 1998-11-30 2008-10-15 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP3430053B2 (ja) 1999-02-01 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000268994A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Fuji Electric Co Ltd 高周波グロー放電を利用した表面処理方法
JP3640204B2 (ja) 1999-04-14 2005-04-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002280361A (ja) 2002-09-27
US6797112B2 (en) 2004-09-28
KR20020074372A (ko) 2002-09-30
US20030203641A1 (en) 2003-10-30
US20020129904A1 (en) 2002-09-19
JP3893888B2 (ja) 2007-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW520537B (en) Plasma treatment apparatus and method of producing semiconductor device using the apparatus
US8497213B2 (en) Plasma processing method
TWI308036B (en) Plasma processing system for treating a substrate
JP4733214B1 (ja) マスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
JP5086083B2 (ja) 基板を処理するための方法
TWI453793B (zh) A pattern forming method and a method of manufacturing the semiconductor device
KR101569938B1 (ko) 임계 치수 바이어스가 감소된 실리콘 함유 반사 방지 코팅층의 에칭 방법
US7470628B2 (en) Etching methods
JP5264834B2 (ja) エッチング方法及び装置、半導体装置の製造方法
EP1865548A1 (en) Method for producing silicon oxide film, control program thereof, recording medium and plasma processing apparatus
EP1230668A2 (en) Method and apparatus for producing uniform process rates
JP6033785B2 (ja) エッチング方法及び装置
JP2010080846A (ja) ドライエッチング方法
JPH09283503A (ja) 高密度プラズマエッチング装置を用いた半導体のスロープコンタクトホール形成方法
US6521546B1 (en) Method of making a fluoro-organosilicate layer
KR20100065157A (ko) 최소의 ｒｉｅ 래그를 이용하여 비아 패싯을 조정하는 방법
TW497370B (en) Plasma processing apparatus
JP4142492B2 (ja) プラズマ処理方法
TWI306363B (en) Pre-loaded plasma reactor apparatus and application thereof
JP2003234328A (ja) エッチング方法
JP2013021197A (ja) ドライエッチング方法
TW426912B (en) Method for improving absolute dimension uniformity of integrated circuit in dual-coil inductively coupled plasma etching reaction chamber
Fukumoto Model Analysis of Plasma-Surface Interactions during Silicon

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees