JP5086083B2 - 基板を処理するための方法 - Google Patents
基板を処理するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5086083B2 JP5086083B2 JP2007534588A JP2007534588A JP5086083B2 JP 5086083 B2 JP5086083 B2 JP 5086083B2 JP 2007534588 A JP2007534588 A JP 2007534588A JP 2007534588 A JP2007534588 A JP 2007534588A JP 5086083 B2 JP5086083 B2 JP 5086083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- space
- introducing
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 155
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 78
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 295
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 90
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 87
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 87
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000013400 design of experiment Methods 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 235000008694 Humulus lupulus Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 24
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007745 plasma electrolytic oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
しかしながら、カバープレートの厚さは、単なる波長の部分、従って、電界の減衰深さのより小さい部分であるので、解の上記セットは、不完全である。例えば、カバープレートと、プラズマとの間の界面での付加的な反射は、起こり、x>qに対する異なる崩壊定数が存在する。伝搬定数が、共振器プレート、カバープレート、およびプラズマに対して同じでなければならないという理由から、新しいβが存在する。さらに重要なことに、新しいβは、共振器プレート、カバープレート、およびプラズマにまたがっている新しい位相速度に至る。
Claims (36)
- プラズマ処理システムの基板を処理する方法であって、
プラズマ空間を規定するように構成された第1のチャンバ部分を、処理空間を規定するように構成された第2のチャンバ部分から分離するガス注入グリッドを有する処理チャンバに前記基板を配置することと;
前記プラズマ空間に1つ以上のガス注入オリフィスを介して第1のガスを導入することと;
前記処理空間に1つ以上の第2のガス注入オリフィスを介して第2のガスを導入することと;
前記第1のチャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して前記第1のガスから前記プラズマ空間にプラズマを形成することと;
前記プラズマが前記プラズマ空間から前記処理空間へと拡散することができるように、前記第1のチャンバ部分と、前記第2のチャンバ部分との間に配置された前記ガス注入グリッドを提供することによって、前記処理空間の前記基板を処理するためのプロセス化学を形成することとを具備し、
前記ガス注入グリッドは、前記第1のガスおよび前記第2のガスを供給するためのガス注入オリフィスを備えたガス注入グリッドである、方法。 - 前記プロセス化学を前記形成することは、エッチングプロセスを実行するためのプロセス化学を形成することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記プロセス化学を前記形成することは、堆積プロセスを実行するためのプロセス化学を形成することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記プラズマソースを使用して前記プラズマを前記形成することは、表面波プラズマ(SWP)ソースを使用してプラズマを形成することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第1のガスを前記導入することは、プラズマ形成ガスを導入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第1のガスを前記導入することは、不活性ガスを導入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第1のガスを前記導入することは、希ガスを導入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第2のガスを前記導入することは、前記プロセス化学を形成するためのプロセスガスを導入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第2のガスを前記導入することは、ハロゲン含有ガスを導入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第2のガスを前記導入することは、xおよびyが1以上の整数であるCxFy含有ガスを導入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第2のガスを前記導入することは、不活性ガスを導入することを更に含んでいる請求項10の方法。
- 前記グリッドを提供することは、前記ガス注入グリッド内に1つ以上の通路を提供することによって前記プラズマ空間を前記処理空間に結合させることを含んでいる請求項1の方法。
- 前記第1のガスを前記注入することは、前記プラズマを空間的に制御するために、前記ガス注入グリッドの複数のゾーンを介して前記第1のガスを注入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記プラズマを前記空間的に制御することは、前記プラズマを空間的に制御するために、前記ガス注入グリッドの前記複数のゾーンを介して異なった前記第1のガスの組成を注入することを含んでいる請求項13の方法。
- 前記プラズマを前記空間的に制御することは、前記プラズマを空間的に制御するために、前記ガス注入グリッドの前記複数のゾーンを介して異なったガス流量で前記第1のガスを注入することを含んでいる請求項13の方法。
- 前記プラズマを前記空間的に制御することは、前記ガス注入グリッドの複数のプラズマゾーンの同一中心のパターンから、前記第1のガスを導入することを含んでいる請求項13の方法。
- 前記第1のガスを前記同一中心のゾーンから前記導入することは、前記第1のガスを同一中心の矩形のゾーンから導入することを含んでいる請求項16の方法。
- 前記第1のガスを前記同一中心のゾーンから前記導入することは、前記第1のガスを同心円状ゾーンから導入することを含んでいる請求項16の方法。
- 異なったガス流量で前記第1のガスを前記注入することは、各々のプラズマゾーンに対する流量を、前記基板上に実質的に均一なプロセスを発生するように構成されたプロセスレシピでセットすることを含んでいる請求項1の方法。
- 各々のプラズマゾーンに対する前記流量の前記セットは、前記基板上に前記実質的に均一なプロセスを達成するための流量の最適のセットを決定するために実験計画法(DOE)を実行することを含んでいる請求項19の方法。
- 前記第2のガスを前記注入することは、前記処理空間を空間的に制御するために、前記ガス注入グリッドの複数のゾーンを介して前記第2のガスを注入することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記処理空間を前記空間的に制御することは、前記処理空間を空間的に制御するために、前記ガス注入グリッドの前記複数のゾーンを介して異なった前記第2のガスの組成を注入することを含んでいる請求項21の方法。
- 前記処理空間を前記空間的に制御することは、前記処理空間を空間的に制御するために、前記ガス注入グリッドの前記複数のゾーンを介して異なったガス流量で前記第2のガスを注入することを含んでいる請求項21の方法。
- 前記処理空間を前記空間的に制御することは、前記ガス注入グリッドの複数のプラズマゾーンの同一中心のパターンから、前記第2のガスを導入することを含んでいる請求項21の方法。
- 前記第2のガスを前記同一中心のゾーンから前記導入することは、前記第2のガスを同一中心の矩形のゾーンから導入することを含んでいる請求項24の方法。
- 前記第2のガスを前記同一中心のゾーンから前記導入することは、前記第2のガスを同心円状ゾーンから導入することを含んでいる請求項24の方法。
- 異なったガス流量で前記第1のガスを前記注入することは、各々のプラズマゾーンに対する流量を、前記基板上の実質的に均一なプロセスを発生するように構成されたプロセスレシピでセットすることを含んでいる請求項23の方法。
- 各々のプラズマゾーンに対する前記流量の前記セットは、前記基板上の前記実質的に均一なプロセスを達成するための流量の最適のセットを決定するために実験計画法(DOE)を実行することを含んでいる請求項27の方法。
- 前記グリッドの温度を制御するために、前記グリッドを通って温度コントロール流体を流すことを更に具備する請求項28の方法。
- 前記温度コントロール流体を流すことは、前記プラズマ空間または前記処理空間のうちの少なくとも1つを空間的に制御するために、前記グリッドの複数のゾーンを介して前記流体を流すことを含んでいる請求項29の方法。
- 前記プラズマ空間にプラズマを前記形成することは、前記第1のガスから前記プラズマを形成するように表面波プラズマSWPソースを使用することを含んでいる請求項1の方法。
- 前記SWPソースを使用することは、前記プラズマ空間の前記プラズマの空間均一性を制御するために、前記SWPソースのスロットアンテナのスロットの数、分配、またはサイズのうちの少なくとも1つを調整することを含んでいる請求項31の方法。
- 前記SWPソースを前記プラズマから保護するために、カバープレートを提供することを更に具備する請求項31の方法。
- 前記プラズマのモードホップを抑制するために、前記SWPソースに結合されたモードスクランブラを提供することを更に具備する請求項31の方法。
- 前記プラズマ空間の前記プラズマの空間均一性を制御するために、前記モードスクランブラの止まり穴のサイズ、ジオメトリ、数、または分配のうちの少なくとも1つを調整することを更に具備する請求項34の方法。
- プラズマ処理システムの基板を処理する方法であって、
プラズマ空間を規定するように構成された第1のチャンバ部分と、処理空間を規定するように構成された第2のチャンバ部分とを有する処理チャンバに前記基板を配置することと;
前記第1のチャンバ部分と、前記第2のチャンバ部分との間に配置されたガス注入グリッドを提供することと;
前記ガス注入グリッドから前記プラズマ空間へと前記第1のガスを導入することと;
前記ガス注入グリッドから前記処理空間へと前記第2のガスを導入すること;
前記第1のチャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して、前記第1のガスから前記プラズマ空間にプラズマを形成することと;
前記プラズマが前記プラズマ空間から前記処理空間まで拡散することができるように、前記第1のチャンバ部分と、前記第2のチャンバ部分との間に配置された前記ガス注入グリッドを提供することによって、前記処理空間の前記基板を処理するためのプロセス化学を形成することとを具備する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/954,086 US7268084B2 (en) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | Method for treating a substrate |
US10/954,086 | 2004-09-30 | ||
PCT/US2005/029093 WO2006038990A2 (en) | 2004-09-30 | 2005-08-15 | Method for treating a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008515221A JP2008515221A (ja) | 2008-05-08 |
JP5086083B2 true JP5086083B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=36097835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007534588A Expired - Fee Related JP5086083B2 (ja) | 2004-09-30 | 2005-08-15 | 基板を処理するための方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7268084B2 (ja) |
JP (1) | JP5086083B2 (ja) |
TW (1) | TWI283019B (ja) |
WO (1) | WO2006038990A2 (ja) |
Families Citing this family (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080178805A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-31 | Applied Materials, Inc. | Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode |
TWI349310B (en) * | 2007-07-09 | 2011-09-21 | Nanya Technology Corp | Method of fabricating a semiconductor device |
JP2010118549A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8968588B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-03-03 | Tokyo Electron Limited | Low electron temperature microwave surface-wave plasma (SWP) processing method and apparatus |
US9301383B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Low electron temperature, edge-density enhanced, surface wave plasma (SWP) processing method and apparatus |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
US9147581B2 (en) * | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
KR102074856B1 (ko) * | 2013-08-21 | 2020-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 유리기판 및 이의 제조방법 |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US10475626B2 (en) | 2015-03-17 | 2019-11-12 | Applied Materials, Inc. | Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
JP7301075B2 (ja) | 2018-06-14 | 2023-06-30 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | リモートプラズマ源用のラジカル出力モニタ及びその使用方法 |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
CN109935519B (zh) * | 2019-03-26 | 2020-11-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 提高栅极绝缘层成膜均匀性的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1229855C (zh) * | 2001-03-28 | 2005-11-30 | 大见忠弘 | 等离子体处理装置 |
US6755150B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-06-29 | Applied Materials Inc. | Multi-core transformer plasma source |
US20040040664A1 (en) * | 2002-06-03 | 2004-03-04 | Yang Jang Gyoo | Cathode pedestal for a plasma etch reactor |
TW551782U (en) * | 2002-10-09 | 2003-09-01 | Ind Tech Res Inst | Microwave plasma processing device |
US7265382B2 (en) * | 2002-11-12 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus employing integrated metrology for improved dielectric etch efficiency |
JP2004175927A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Canon Inc | 表面改質方法 |
JP3865692B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2007-01-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-09-30 US US10/954,086 patent/US7268084B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-15 WO PCT/US2005/029093 patent/WO2006038990A2/en active Application Filing
- 2005-08-15 JP JP2007534588A patent/JP5086083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-22 TW TW094132806A patent/TWI283019B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006038990A3 (en) | 2006-08-17 |
WO2006038990A2 (en) | 2006-04-13 |
US20060065629A1 (en) | 2006-03-30 |
US7268084B2 (en) | 2007-09-11 |
JP2008515221A (ja) | 2008-05-08 |
TWI283019B (en) | 2007-06-21 |
TW200629389A (en) | 2006-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5086083B2 (ja) | 基板を処理するための方法 | |
JP4861329B2 (ja) | 基板を処理するためのプラズマ処理システム | |
JP5122966B2 (ja) | 表面波プラズマソース | |
JP5242162B2 (ja) | 表面波プラズマソース | |
US7998307B2 (en) | Electron beam enhanced surface wave plasma source | |
US7416677B2 (en) | Exhaust assembly for plasma processing system and method | |
US20110174778A1 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
TW200408316A (en) | Method and device for plasma treatment | |
US9263283B2 (en) | Etching method and apparatus | |
US7938081B2 (en) | Radial line slot antenna having a conductive layer | |
WO2008033928A2 (en) | Electron beam enhanced surface wave plasma source | |
US20050150863A1 (en) | Etching method and etching apparatus | |
JP5442871B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120906 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |