TW515102B - Method for manufacturing TFT LCD device - Google Patents

Method for manufacturing TFT LCD device Download PDF

Info

Publication number
TW515102B
TW515102B TW089127184A TW89127184A TW515102B TW 515102 B TW515102 B TW 515102B TW 089127184 A TW089127184 A TW 089127184A TW 89127184 A TW89127184 A TW 89127184A TW 515102 B TW515102 B TW 515102B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
electrode
bus line
gate
metal layer
Prior art date
Application number
TW089127184A
Other languages
English (en)
Inventor
Seok-Lyul Lee
Jung Mok Jun
Seung Min Lee
Original Assignee
Hyundai Display Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Display Technology Inc filed Critical Hyundai Display Technology Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW515102B publication Critical patent/TW515102B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

515102 ~--^ 891271SJ 。 五、發明說明(1) " -—-—------邊主 <發明領域> 件,特別是且有查ίί電晶體(TFT)液晶顯示器(LCD)元 背基板表面:;^ =極和對應電極使液晶單元產生平 〈相關技術的描量的薄膜電晶體液晶顯示器元件 和薄膜電晶ί::: 顯示器元件具有多個單元晝 其具有快速反應應7固:元畫素。藉由這個結構,' 質,並能增大榮幕尺寸。口相虽於陰極射線管(CRT)的高晝 在這種薄膜雷Θ w、>
提出液晶單元申的::電件的發展初期,曾、, 相型)模式或是⑽(超力扭基板表面的tn(扭液 模式的液晶顯示器元件且 、式。然而,TN或是STN 問題’提出平面開關模;二的二的缺點。$ 了克服這布 在平面開關模式的二S)干的,,器元件。 把加電場平行於背基板表面,金;=f中,液晶單元中的 :配二在背基板上。在該平面對應電極彼此平 :件:,t素電極和對應電極= 式的液晶顯示器 電場開關模式的:2解严這個問題., 8 yZ43)。 件(韓國專利No 上述柵狀電場模式的液 .‘員…件如第!圖。第w 515102 案號 89127184 五、發明說明(2) 是傳=法的栅狀電場模式液晶顯示器元件的平面圖。 如弟1圖,在柵狀電場槿弋沾- 一 多個由閘極匯流線2和資料匯、U曰曰,4示器元件中具有 列狀排列在背基板所「定義的單元晝素呈陣 4彼此的交點附近具有薄膜Ϊ晶:極匯流線2和資料匯流線 岸泰诱"°明\素干中/對應電極5形成矩形平板狀。對 由透明/電材料所構成並與儲存電容線7連接以 連=妾受共同訊號。儲存電容線7具有第一儲存電容^平 ”極匯流線2延伸’㈣二儲存電容7b由帛一儲 料;=伸而位於對應電極5和資料匯流線4 .^ 儲存电谷73與對應電極5電性連接作是第_儲 存電容7b與資料匯流線4電性絕緣。 接仁疋第一館 在每個單元畫素中’具有由透明導電材料所構 極;;9膜 開==簿梳狀電極部份93彼此之間均等地間隔 包極條9 b 14溥膜電晶體的汲極電極接觸。 由於對應電極5和畫素電極9都是由透 成,所以具有高開口率。 命书材枓所構 而且雖然未圖示出來,前基板位於相 -邊。前基板和背基板i的間距大於對應電:的另 9之間的間距。 々旦f電極 接下來介紹具有上述結構的柵狀電場模式液晶顯示器 515102 —年月 修正
B 案號 89127184 五、發明說明(3) 元件的操作。 當對應電極5和畫素電極9之間產生電壓肖,在液晶 =會產生閘狀電場。由於,前基板和背基板 和蚩夸兩r包極9之間的間距,在對應電極5 旦=素电極9兩個笔極的整個上表面上會產生具有垂直分 二的柵狀電場。因此在兩個電極上面 動。而具有高穿透率。 刀卞θ被啟 第2圖是製造柵狀電場模式 的橫截面。參昭第2圖來1日日制^ 1不w兀件傳統方法 器元件傳的統= 明製造拇狀電場模式液晶顯示 在背基板1 0上形成透明導電層,缺接拼姑# 製程製出圖形而形成對應電極"。根據弟-光蝕刻 形成閘極匯流線的金屬層 基板10上。然後,雖秋耒阓Ί形成對應電極11的背 形成-間極匯流線二用第二純刻製程同時 閘極匯流線沿-個方向:伸=7間極接點。在此, 觸,而閑極接點位於背基板1〇:邊:極線與對應電極η接 依序形成一閘極絕緣層丨2、一铺 此 不)和一歐姆接觸的摻雜半 :I的非晶矽層(未圖 極匯流線和其他的背 ,(:::)在已經形成閉 根據第】光靖程圖形定ί薄:口以和非晶秒層 ;的背基仙上。然後,根據義薄膜電晶體區 %極、1極電極、-資料匯流線:成^ ^0102 ^0102 月 修正 曰 案號 89127184 五、發明說明^ !)中。。在:V二極,電極和汲極電極形成在薄膜電晶體的區 點部份ΐί ㈣間極匯流線,Μ料接點與間極接 1。上。2 %::!13 f已經形成源極電極和其他的背基板 極電極? ί i ί弟蝕刻製程圖形保護層13使部份的汲 = 貧料接點和閘極接點露出。 料接:成透明導電層與保護層13上的汲極電極、資 刻製程二:點的露出部份接觸。然後,根據第六光蝕 i透明導電層製圖而形成梳狀晝素電極1 4。 H的Ϊ Λ中,參考數字15表示在畫素電極14和保護層 的配向膜,參考數字2〇表示相對於背吴板101 板,參考數宏91主-从认义* 和对於月暴板10的別基 數字22表Ϊ:』 刚基板20背面的前配向膜,參考 E1牙 月基板10和刖基板20之間的液晶,而參考數字 的閘狀電場。 U和杈狀晝素電極14之間 ^ “上述6道光蝕刻製程中的每一道都可以包含次 =程土 w ί阻塗佈製程、曝光製程、顯影製程、蝕刻蝕 a 一二=阻製程和其他。而且,每道光蝕刻製裎需I準 _
備不同的光罩。因此,⑺务低製造成本增加良率,必境 減少光蝕刻製程的數目。 A 〈發明之總論〉 因2,本發明的目的是提供—種可以減少光蝕刻製程 數目的义造薄臈電晶體液晶顯示器元件方法以解決上 關技術的問題。
五、發明說明(5) 廷個製造薄膜電晶體液晶顯示器元件的方法且有一 ;反二:目對於該背基板的前基板、-液晶單元;立於前基 f月、基板之間、一畫素電極形成於背基板上、一對應恭 I 基:反上j與晝素電極產生平行背基板表面的: :刀里電场,和一薄膜電晶體具有一閘極電極,一源 極’薄膜電晶體供應影像訊號電壓於該書 素包極和该對應電極之間,具有下列步驟: 旦 依序沈積一對應電極的透明墓雷pg 金屬層於背基板上。之麦开層:―閉極匯流線的 使传在形成該對應電極區域上 2 ^光阻層 之後掣H浓认分枯 飞上方的弟一先阻層部分照光; 声下‘的卩ΐ / δ"弟一光阻層,使得在部份照光的第一光阻 層:方的閘極匯流線的金屬層區域不被照光:2 口只圖形的第_光阻層作為障礙吏用 層製圖,定義該對應電極區域;=匯I線的金屬 使用該圖形的金屬展閘極匯流線區域;之後, 該對之後,使用該圖形的 閘極匯流線;之後,形成_c層製圖,而形成該, 體的該背基板上之:料!瞍層在已經形成該薄膜電晶 r,極電極部ϊΐ出::”:;=得該薄膜電 ϊ層在該已經露出沒極電極的ί 素電極的透明導 -电極的透明導雷制 土板上,以及,對該晝素 :二電層製圖,以形成該畫素電極。 層曝掃描光的步驟中,利用第一光罩使對 曰 修正 案號 891271W 五、發明說明(6) 應電極上方的第一光阻涔& ^ "—一 3電極區域上方該第描光,該光罩對應於對 開口和閉口部分。 g區域具有配置成格子狀的 而且,為了同時形 光曝光該光阻層的步驟中點和資料接點,在以掃描 的資料接點區域和閉極接點=形成資料接點和開極接點 緣;在對該閘極匯流線金_二域分別定義在背基板的邊 層製圖的方式同時形成資=步驟中可以藉由對該金屬 線,·在對該保護層製圖的牛和閘極接點與開極匯流 層的方式使資料接點和閘^技可以藉由製作圖形於保護 極透明導電層的步驟中^以ί j露出;而在形成該畫素電 層與露出的資料接點和閘極^形成畫素電極的透明導電 而且,為了減少光钱刻。 的步驟可以藉由下列步驟來進^的數目,形成薄膜電晶體 依序沈積一閘極絕緣層,二 接觸的摻雜半導體層,一、 I逼的非晶矽層,一歐姆 經形成該對應電心該;:/汲極電極的金屬層在已 成-第二光阻層在該=極匯流線的背基板上;之後,形 後,以掃描光曝光該二#及卩極電極的沈積金屬層上;之. 和汲極電極區域之^且層的部分使定義在源極電極 光;之後,f作^ 汲極電極的金屬層部份照 光阻層下方的金Π =光阻層使在該部份照光第二 第二光阻層作為;域:會露出;之後,使用該圖形的 屬層,以定義^、择:,衣作源極/汲極電極圖形於該金 μ源極電極區域和該汲極區域;之後,使用
第10頁 Λ 一案號891271只4— 曰 羞正 五、發明說明(7) 該圖形的金屬層作為障礙^ 半導體層以定義源極電極和衣^歐姆接觸圖形的該摻雜 區域;之後,使用該圖形的;:=歐姆接觸的歐姆接觸 出該通道的非晶石夕層圖开),开導體層作為障礙層,製 後’使用該圖形的第二光阻@ 電晶體的通道,·之 汲極電極圖形的金屬曰…早礙層,製出該源極/ =極電極汲極電極作及,使用 極電極没極電極的歐姆接觸·,於該摻雜半導 和優點:下列圖形說明將更清楚描述本發明的目的、特徵 <較佳具體實施例之詳細描述> 來圖將在配太合:形來說明本發明較佳實施例° t ^ it ♦ # ^ η γ在背基板上所定義方】 此交又的交點附近具有-薄膜電晶體。“表彼 電極Π個= = 中形成一個畫素電極34與對應 34 、,二由共冋電極線31供應共同電壓給晝素電極 斑繁=1構:栅狀電場模式液晶顯示器元件的操作機制 二弟圖的柵狀電場模式液晶顯示器元相同,製程方法如 第4A圖到第4E圖、第5A圖到第5E圖、第6圖和第7圖。 ,到第4E,分別為沿著第3圖X-X,的橫截面,而第5A圖到 第5E圖、第6圖和第7圖分別為第3圖沿著γ-γ,的橫截面。
第11頁 案號 89127184 五、發明說明(8) Θ 修正 第4A圖到第4E圖,描沭妒姑*々 晶體液晶顯示器元件方法的^ 务明貫施例製造薄膜電
明,背基板41分成三個部:弟:=刻製程…方便說 形成閘極匯流線,一對庫電 ?疋—閛極電極部份A 存電容電極部份部 =形f對應電極,一儲 層為正型光阻。 电谷電極。假設所使用的光阻 百先,依序沈積對應電極的 (ί& ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 線的金屬層43在背基板41上。金JH42和閘極匯流 的金屬如Ta、M〇xTay、Μ〇Λ等:屬層43,使用可以乾钱刻 進行ΐ:弟如ί: n y】43上’然後使用第-光罩 的閑極電極部份A,D2區域對先/f的^區域對應背基㈣ 部分c,E區域對岸背其月基板41的健存電容電極 區域分別位 讓掃描光無法穿透。另一方面 Π 口區域 =,和多個閉口區域讓掃描光:描先了 閉口區域配置成輅子狀。 牙I開口區域和 在顯影上述以第一光罩45照射掃描光的第一 :對1:=ί罩45F1和F2區域的光阻層被完全去除 減少r ^ 45 e區域的光阻層被部份去除,使其厚度 光阻作障流線的金屬層43使用顯影後… 乍為P手械層進行乾钮刻。製作圖形於金屬層43時 第12頁 五、發明說明(9) 對應弟一光罩4 5 F ] :ίσ F ? F 0 λα * H Μ Λ Ί P弓士 區或的邛份被完全去除,而對;t 月基板41閘極電極部份A和 /應 ^ ^ ^ 對應月基板41對應電極部份β的金屬声 43區域被部份去除。在此, 金屬層 的金屬層43區域由於第一光阻J二基二41對應電極部份β 所以可以被部份去除。 層4仍在對應電極部份^ 如第4D圖,然後使用已經製有圖形的金屬#43# 礙層蝕刻對應電極的透明導電# 4 2 口二J1層4 3作為^ 對Π和F2區域被完全去除,而分別 電極部份B的透明導電二電容電靖 ^ ,, a导冤層42區域維持原狀。同時,對應背 土板4 1的對應電極部份β的透明導带居49 ^ 流線的金屬和維持隸所以///42區域由於間極匯 電極42a。 請原狀所以維持原狀。因此,形成對應 如第4 E圖,然後以乾鞋岁f古斗+ A t 雷描邱M r· / 刻式去除對應背基板41對應 I4伤B的閘極匯流線金屬厚γ 流線43b。 深i屬層區域。因此,形成閘極匯 pi — 土处w制丄、應電極42a和閘極匯流線43b可以在 二極後牙二=:Γ成。而且,與對應電極42接觸的共同 月基板41邊緣的閑極接點可以在第一光㈣製 枉Τ元..成。 第5Α圖到第5Ε圖描述裉ν、+、I % Af Φ ^ ^ ^ a ^ -很述根據上述本發明實施例製造柵狀 电%核式液晶顯不器元侔方法沾势 兀忏万忐的弟二光蝕刻製程。 依序沈積-閘極絕緣層54,一通道的非晶石夕層55,— MM02 修正
1^89127184 五、發明說明(10) 的摻雜半導體層56和—源極 :::形:?應電極42a和開極匯流議的背基: 學氣=積的:=和導細是以電衆增強化 以減鑛的方式形成:問極絕電極的金屬層57是 沈積。⑴,極絕緣層54是由氧化石夕所: 以”是以常壓化學氣相沈積的方式形成。 -後2 Γ =層58在源極/汲極電極的金屬層57上, 進行曝光。如第5Α圖,第二光阻層58 域;ΓΛ:域分別對應源極電極和没_ 或,在G1和G2區域之間定義有工區域,在G 之 定義有H1和H2區域。在此,G1和門 &成之外 法穿透,和H2區域為使掃描光無 T F A目士々/ 々网口 k域濃知描光可以穿過。 &域具有夕個開口區域讓掃描光 區域讓掃描光無法穿過。開口 F、和夕個閉口 狀乂 開口 &域和閉口區域配置成格子 在對以上述配置的第二光罩照射掃描 •以顯影時,對應第二光罩59 的弟一先阻層 被完全去除,而對應第二光罩9 = /阻㈣ 除。 尤車59 1區域的光阻層被部份去 如-第5B圖,然後使用顯影後的第二光阻層“ 源極/汲極電極的金屬層57製圖。對源極/汲極: 的金屬層57製圖時,對應第二光罩59 h1#dH2區域的^極 元全去除,而對應G1、G2和I區域的金屬層57區域^
第14頁 515102 曰 修正 案號 891271S4 ———_ 1 1 _ 五、發明說明(11) 原狀。 如第5C圖’然後使用已經顯影的第二 的金屬層W作為障礙層以乾蝕刻的方式圖形歐曰姆接 #雜半導體層5 6和通道的非曰石夕5 5。# 的 非晶矽55的制岡日 對摻雜半導體層56和 非日日夕55的衣圖乃侍以分別對應第二 ,去除’而對應G1、G2w區域的/二的 =區域 …。然後’去除對應第二光罩59 !區域的光:層的通逼 如第5 D圖,然後以留下的第一氺 以濕蝕刻去除對岸第:的層58“乍為障礙層 全屬声57二Λ 域的源極/汲極電極的 鱼屬層57a 域。因此,形成薄膜電 極電極。 的,原極電極和沒 如第5 E圖,然後以留下的第二 電極的金屬層5 7 a作為障礙層以乾二/ 8 a和源極/沒極 二區域歐姆接觸的摻雜半導體層5二區:對::开, 一極的歐姆接“ 根據上述程序,薄膜電晶體的捐 汲極電極、源極#彳 一 ··〜、源極電極、 以在同-光接觸和汲極電極的歐姆接觸可 t J光蝕刻製程中完成。而且,蕻由筮, 與閘極接點重疊的資料接點叮VJf, ^猎由第二光蝕刻製程 第6圖描述根據本/:·二以形成m 很像本癸明戶、施例製造蘭 器元件的第三光钱刻製程。/ 拉式液晶顯示 電_式液曰曰顯不器元件第三光餘刻製程的橫截 第15頁 515102 案號 89127184 五、發明說明(12) 面。 =圖形成保護層68在已經形成源極電極和 月基板41上。然後利用第四光钱刻製程®形㈣⑽使得 =電^資料接點(未圖示)*閉極接點(未圖示)的部份 製程與傳統製造開狀電場模式液-的】 五光蝕刻製程以相同方式進行。 兀忏万凌〒的弟 最後,參考第7圖,描述根據本發明 、& 電場模式液晶顯示器元件的第四光 、^衣&閘狀 據本發明實施例的製造閘狀電場‘::。第7圖是根 光蝕刻製程的橫截面。 “果式液晶顯示器元件第四 :第7圖’形成透明導電層使. 極或其他露出的汲極電極、資料 曰μ中及極毛 份接觸。然後根據第四光餘圖W接點露出的部 W四細製程與傳= 狀畫素電極 儿件方法中的第六光#刻製程以相同^ =液晶顯示器 如上述,使用本發明實施例的方法f造t 带 對應電極和閘極匯流錄是在同一光蝕:2㉟包晶體, 且,薄膜電晶體的通道,源極電;中完成。而 接^和没極電極的歐姆接觸是在同f光極 中凡成―。因此,具有許多優點’ 先蝕刻製程 目、降低製造成本、節省時間並提昇減少光银刻的數 雖然上述實施例參照閘狀 描述,但是本發明也適 :=液曰曰顯示器元件來 用其他千面開關模式的液晶顯示器 515102
第17頁 案號 89127184
— 案號 89127184 圖式簡單說明 第1圖是根據傳統方法製造栅狀電場模 元件的平面圖; 、式液晶顯示器 第2圖是傳統製造柵狀電場模式液晶 的橫截面圖; 為兀件方法 第3圖是本發明製造栅狀電場模式液晶 抑 法的平面圖; …員不裔元件方 第4A圖到第4E圖是本發明實施例穿造 晶顯示器元件方法第一光钱刻製程的橫截面^電場模式液 第5A圖到第5E圖是本發明實施例製電 晶顯=器元件方法第二光蝕刻製程的橫截面圖冤穷杈式液 一第6圖是本發明實施例製造柵狀電場模式液晶 — 元件方法第三光钱刻製程的橫截面圖; ”'、不益 一第7圖是本發明實施例製造柵狀電場模式液晶 兀件方法第四光蝕刻製程的横截面圖。 ’不為 <圖式中元件名稱與符號對照> 1 :背基板 1 〇 :背基板 11 :對應電極 12 :閘極絕緣層 1·保護層 14 :梳狀畫素電極 15 :背配向膜 2 :閘極匯流線
第18頁 515102 _案號89127184_年 月 日 修正 圖式簡單說明 20 前 基 板 21 前 配 向 膜 22 液 晶 31 極 線 32 資 料 匯 流 線 33 閘 極 匯 流 線 34 晝 素 電 極 4 :資料匯流線 41 :背基板 4 2 :透明導電層 4 2 a :對應電極 4 3 :金屬層 43b :閘極匯流線 4 4 :第一光阻層 45 :第一光罩 5 :對應電極 5 4 :閘極絕緣層 5 5 :非晶矽層 5 5 a :通道 56、56a :摻雜半導體層 5 7、5 7 a :金屬層 58、58a :第二光阻層 59 :第二光罩 6 8 :保護層
第19頁 515102 _案號89127184_年月日 修正 圖式簡單說明 7 :儲存電容線 79 :晝 素電 極 7a :第 一儲 存 電 容 7b :第 二儲 存 電 容 9 : 晝素電極 9 a :梳 狀電 極 部 份 9b :電 極條 D1 、D2 :閉 a 區 域 El 、E2 :閘 狀 電 場

Claims (1)

  1. 3丄:)丄112
    曰 修正 日日體液晶蔡員示器元件的 背基板、〜相對於該背 前基板和背基板之間、 一對應電極,形成於背 背基板表面的水平分量 閘極電極,一源極電極 影像訊號電壓於該畫素 件的製造方法,具有下 已經形成薄膜電晶體的 使該薄膜電晶體的汲極 明導電層在該已經露出 明導電層製圖,以形成 種方法更包括下列步驟 槁的透明導電層和一閘 於該閘極匯流線的沈積 阻層使得在形成該對應 光; 圖’使得在部份照光的 屬層區域不被照光; 1 · 一種製造薄膜電 晶顯示器元件具有:一 板、一液晶單元,位於 極,形成於背基板上、 晝素電極一起產生平行 薄膜電晶體,其具有_ 笔極’薄膜電晶體供應 應電極之間; 是種液晶顯示器元 形成一保護層在該 對該保護層製圖, 出; 形成晝素電極的透 背基板上;以及 對該晝素電極的透 極; 而其特徵在於:是 依序沈積一對應電 金屬層於背基板上; 形成一第一光阻層 以掃描光曝光該第一光 方的第一光阻層部分照 對該第一光阻層製 下方的閘極匯流線的金 方法’該液 基板的前基 一晝素電 基板上並與 %場、和_ ,和一沒極 電極和該對 列步驟: 月基板上; 電極部份露 汲極電極的 該晝素電 極匯流線的 金屬層上; 電極區域上 第一光阻層
    第21頁 515102 ΛΜ 891271R4 六、申請專利範圍 曰 修正 斤對。亥閘極匯流線的金屬層製圖,其係藉著使用已制 的第一光阻層作為障礙層,如此,所述對應電極區^回 極匯流線區域乃被定義; Q和閘 對省對應電極的透明導電層製圖,其係藉著使 , 作圖形的所述金屬層作為障礙層,以形成該對應電極·製 對該閑極匯流線的金屬層製圖,其係藉著使’ 圖形的第:光阻層作為障礙層,以形成該閘極匯流線衣作 上。形成薄膜電晶體在該已經形成閘極匯流線的背基板 2.根據申請專利範圍第1項之方法,其中哕查 的透明導電層為ΙΤ0金屬層。 /旦素電極 線的3金:Ϊ:請專利範圍第1項之方法,其中該閘極匯 的金屬層乃可以用乾钱刻製圖者。 1凌 4思根據申請專利範圍第卜 先阻層的步驟中, /、中曝先遠第〜 的第一井 弟 光罩,其對應電極上方p . 分。先阻層部份區域具有配置成格子狀的開口和 r ^ 部 瞧::申請專利範圍第1項之方法,1中. 光阻。:ϊ 了 的係以掃描光曝光讀第 如對該間極匯流線金屬背基板的邊緣;接 製圖而使閘極匯& @ 1二t 步驟乃藉由對該I π 形成; 胃机線可以同時與資料接點和“接 第22頁 M5I02 修正 a __ΜΨ. 89127184 /、、申請專利範圍 、 對該保護層製圖的步驟乃是確 和開極接點露出,·而且 疋對保隻層製圖使資料接點 電朽Ζ成該畫素電極透明導電層的步驟,係藉由开彡出金 -極的透明導電層與露 ::由形成畫素 6枳祕山& * 貝卞十稷"、,占和閘極接點接觸。 曰沾根據申㈣專利範圍第i項之方法, 曰曰肢的步驟具有下列步騾·· 一甲形成溥m電 又序沈積一閘極絕緣層,一 土甬请沾非曰 接觸的摻雜半導體層,和H非曰曰石夕層,一歐姆 經形成該對岸带朽4”才/極电極的金屬層在已 ^二對,包極和該閘極匯流線的背基板上; 形成一第二光阻層在該源極/ 上; 4/次位冤極的沈積金屬層 以掃描光曝光該第二光阻層的 和沒極雷托p a B 口戸刀使疋義在源極電極 次枝電極區域之間的源極/ 私枝 光; 1私杜的金屬層部份照 對該第二光阻層製圖,使得 層下方的金屬層區域不會露.出;“刀"、、先的第二光阻 使用已製作圖形的第二光阻層 /汲極電極的金屬声掣圖,以定羞兮為F早礙層,對該源極 極區域; ㉟層衣目W疋義该源極電極區域和該汲 使用已製作圖形的金屬層作為隆 該摻雜—半導體層製圖,以定義極 ' ::,接觸= 觸的歐姆接觸區域; 電極和汲極電極歐姆接 使用已製作圖形的摻雜半導體声 逼的非晶矽層製圖,以形成薄膜:二早礙曰’對名^ 研电曰曰體的通道; ^15102 修正 a 案號 89127184 六'申請專利範圍 使用已製作圖形的第—一 ^ /汲極電極的金屬層製圖,—光阻層作為障礙層,對該源極 使用已製作源極電極^形成源極和汲極電極;以及 半導體層製目,以形成源極3極作為障礙層,對該摻雜 7·根據申請專利範圍:及極電極的歐姆接觸。 罩對該第二光阻層曝光::6項之方法,其,使用第二光 區域和汲極電極區域之間炻係其對應定義在源極電極 上方的該第二光阻声、"、木/汲極電極的金屬層區域 分。 層&域配置成格子狀的開口和閉口部 層、項之方法,其…極絕緣 浆增广氣相接觸的推雜半導體層以電 層為以常壓二::2範圍第6項之方法,其中該閘極絕緣 私相化學沈積所形成的氧化;ε夕。
TW089127184A 1999-12-29 2000-12-19 Method for manufacturing TFT LCD device TW515102B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0064383A KR100500684B1 (ko) 1999-12-29 1999-12-29 4-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW515102B true TW515102B (en) 2002-12-21

Family

ID=19631682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089127184A TW515102B (en) 1999-12-29 2000-12-19 Method for manufacturing TFT LCD device

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6335148B2 (zh)
JP (1) JP3876430B2 (zh)
KR (1) KR100500684B1 (zh)
TW (1) TW515102B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3186701B2 (ja) * 1998-07-13 2001-07-11 日本電気株式会社 半導体装置
JP2002141512A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Advanced Display Inc 薄膜のパターニング方法およびそれを用いたtftアレイ基板およびその製造方法
KR100413668B1 (ko) * 2001-03-29 2003-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
SE523309E (sv) * 2001-06-15 2010-03-02 Replisaurus Technologies Ab Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
JP4305811B2 (ja) 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
KR100886241B1 (ko) * 2002-09-10 2009-02-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조방법
WO2005000449A1 (en) * 2003-06-23 2005-01-06 Entegris, Inc. Apparatus and method for purification of corrosive gas streams
KR100968566B1 (ko) * 2003-07-24 2010-07-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이에 포함된 표시판의 제조 방법
KR101107245B1 (ko) * 2004-12-24 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101125254B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107265B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101146444B1 (ko) * 2005-06-24 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 제조방법
KR101127836B1 (ko) * 2005-06-30 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2007310334A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Mikuni Denshi Kk ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法
TWI321362B (en) * 2007-02-16 2010-03-01 Au Optronics Corp Semiconductor structures and fabrication method thereof
KR100958640B1 (ko) 2008-06-09 2010-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 커패시터와 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 및 상기 커패시터와 박막트랜지스터를 갖는 기판의 제조방법
CN103472694B (zh) * 2013-09-26 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
CN103995409A (zh) * 2014-05-29 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板配线及其制造、修复方法以及阵列基板、显示面板、显示装置
KR102341644B1 (ko) 2015-08-04 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
US20200249534A1 (en) * 2017-04-01 2020-08-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4231811A (en) * 1979-09-13 1980-11-04 Intel Corporation Variable thickness self-aligned photoresist process
JP2530990B2 (ja) * 1992-10-15 1996-09-04 富士通株式会社 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法
KR100259611B1 (ko) * 1997-07-02 2000-06-15 구본준 액정표시장치의 기판 및 그 액정표시장치의 기판의 제조방법
KR100293433B1 (ko) * 1997-09-04 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 복합전계방식액정표시소자
US6255130B1 (en) * 1998-11-19 2001-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same
KR100325079B1 (ko) * 1999-12-22 2002-03-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법
KR100322968B1 (ko) * 1999-12-22 2002-02-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법
KR100322970B1 (ko) * 1999-12-24 2002-02-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001228493A (ja) 2001-08-24
KR20010061841A (ko) 2001-07-07
KR100500684B1 (ko) 2005-07-12
US6335148B2 (en) 2002-01-01
JP3876430B2 (ja) 2007-01-31
US20010006765A1 (en) 2001-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW515102B (en) Method for manufacturing TFT LCD device
TWI237726B (en) Active matrix substrate having column spacers integral with protective layer and process for fabrication thereof
TW533327B (en) Active matrix substrate and manufacturing method thereof
TW575776B (en) Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof
TWI254181B (en) Liquid crystal display device having array substrate and manufacturing method thereof
TWI293138B (en) Contact structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, thin film transistor array panel including contact structure, and manufacturing method thereof
TWI262612B (en) Organic thin film transistor and substrate including the same
TWI233695B (en) Method of fabricating bottom-gated polycrystalline silicon thin film transistor
TW471027B (en) Method for fabricating self-aligned thin-film transistors to define a drain and source in a single photolithographic step
TW200822369A (en) Method for manufacturing substrate of a liquid crystal display device
TWI245151B (en) Method of fabricating liquid crystal display device
TW200921228A (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
TWI332266B (en) Method for manufacturing a pixel structure of a liquid crystal display
TW200830553A (en) Method for manufacturing an array substrate
TW588462B (en) Method of fabricating a thin film transistor array panel
TWI240111B (en) Array substrate for use in TFT-LCD and fabrication method thereof
TWI252955B (en) Array substrate of liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2003517641A (ja) アクティブマトリクスデバイスの製造方法
JP2678044B2 (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法
TW200832719A (en) Array substrae, display device, and method for manufacturing the array substrate
TWI305420B (en) Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same
TW200820443A (en) Method for making thin film transistor and structure of the same
TW471181B (en) Manufacturing method of wide view angle flat panel display cell
TW200420945A (en) Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate
TW200918992A (en) Display device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent