TW515102B - Method for manufacturing TFT LCD device - Google Patents

Description

515102 ~--^ 891271SJ 。 五、發明說明（1) " -—-—------邊主 <發明領域> 件，特別是且有查ίί電晶體（TFT)液晶顯示器（LCD)元 背基板表面：；^ =極和對應電極使液晶單元產生平 〈相關技術的描量的薄膜電晶體液晶顯示器元件 和薄膜電晶ί::: 顯示器元件具有多個單元晝 其具有快速反應應7固：元畫素。藉由這個結構，' 質，並能增大榮幕尺寸。口相虽於陰極射線管（CRT)的高晝 在這種薄膜雷Θ w、>

提出液晶單元申的：：電件的發展初期，曾、， 相型）模式或是⑽（超力扭基板表面的tn(扭液 模式的液晶顯示器元件且 、式。然而，TN或是STN 問題’提出平面開關模；二的二的缺點。$ 了克服這布 在平面開關模式的二S)干的，，器元件。 把加電場平行於背基板表面，金;=f中，液晶單元中的 :配二在背基板上。在該平面對應電極彼此平 :件：，t素電極和對應電極= 式的液晶顯示器 電場開關模式的：2解严這個問題.， 8 yZ43)。 件（韓國專利No 上述柵狀電場模式的液 .‘員…件如第！圖。第w 515102 案號 89127184 五、發明說明（2) 是傳=法的栅狀電場模式液晶顯示器元件的平面圖。 如弟1圖，在柵狀電場槿弋沾- 一 多個由閘極匯流線2和資料匯、U曰曰,4示器元件中具有 列狀排列在背基板所「定義的單元晝素呈陣 4彼此的交點附近具有薄膜Ϊ晶：極匯流線2和資料匯流線 岸泰诱"°明\素干中/對應電極5形成矩形平板狀。對 由透明/電材料所構成並與儲存電容線7連接以 連=妾受共同訊號。儲存電容線7具有第一儲存電容^平 ”極匯流線2延伸’㈣二儲存電容7b由帛一儲 料；=伸而位於對應電極5和資料匯流線4 .^ 儲存电谷73與對應電極5電性連接作是第_儲 存電容7b與資料匯流線4電性絕緣。 接仁疋第一館 在每個單元畫素中’具有由透明導電材料所構 極;;9膜 開==簿梳狀電極部份93彼此之間均等地間隔 包極條9 b 14溥膜電晶體的汲極電極接觸。 由於對應電極5和畫素電極9都是由透 成，所以具有高開口率。 命书材枓所構 而且雖然未圖示出來，前基板位於相 -邊。前基板和背基板i的間距大於對應電：的另 9之間的間距。 々旦f電極 接下來介紹具有上述結構的柵狀電場模式液晶顯示器 515102 —年月 修正

B 案號 89127184 五、發明說明（3) 元件的操作。 當對應電極5和畫素電極9之間產生電壓肖，在液晶 =會產生閘狀電場。由於，前基板和背基板 和蚩夸兩r包極9之間的間距，在對應電極5 旦=素电極9兩個笔極的整個上表面上會產生具有垂直分 二的柵狀電場。因此在兩個電極上面 動。而具有高穿透率。 刀卞θ被啟 第2圖是製造柵狀電場模式 的橫截面。參昭第2圖來1日日制^ 1不w兀件傳統方法 器元件傳的統= 明製造拇狀電場模式液晶顯示 在背基板1 0上形成透明導電層，缺接拼姑# 製程製出圖形而形成對應電極"。根據弟-光蝕刻 形成閘極匯流線的金屬層 基板10上。然後，雖秋耒阓Ί形成對應電極11的背 形成-間極匯流線二用第二純刻製程同時 閘極匯流線沿-個方向：伸=7間極接點。在此， 觸，而閑極接點位於背基板1〇:邊：極線與對應電極η接 依序形成一閘極絕緣層丨2、一铺 此 不）和一歐姆接觸的摻雜半 :I的非晶矽層（未圖 極匯流線和其他的背 ，(：：：)在已經形成閉 根據第】光靖程圖形定ί薄：口以和非晶秒層 ;的背基仙上。然後，根據義薄膜電晶體區 %極、1極電極、-資料匯流線:成^ ^0102 ^0102 月 修正 曰 案號 89127184 五、發明說明^ !)中。。在:V二極，電極和汲極電極形成在薄膜電晶體的區 點部份ΐί ㈣間極匯流線，Μ料接點與間極接 1。上。2 %::!13 f已經形成源極電極和其他的背基板 極電極？ ί i ί弟蝕刻製程圖形保護層13使部份的汲 = 貧料接點和閘極接點露出。 料接：成透明導電層與保護層13上的汲極電極、資 刻製程二:點的露出部份接觸。然後，根據第六光蝕 i透明導電層製圖而形成梳狀晝素電極1 4。 H的Ϊ Λ中，參考數字15表示在畫素電極14和保護層 的配向膜，參考數字2〇表示相對於背吴板101 板，參考數宏91主-从认义* 和对於月暴板10的別基 數字22表Ϊ:』 刚基板20背面的前配向膜，參考 E1牙 月基板10和刖基板20之間的液晶，而參考數字 的閘狀電場。 U和杈狀晝素電極14之間 ^ “上述6道光蝕刻製程中的每一道都可以包含次 =程土 w ί阻塗佈製程、曝光製程、顯影製程、蝕刻蝕 a 一二=阻製程和其他。而且，每道光蝕刻製裎需I準 _

備不同的光罩。因此，⑺务低製造成本增加良率，必境 減少光蝕刻製程的數目。 A 〈發明之總論〉 因2，本發明的目的是提供—種可以減少光蝕刻製程 數目的义造薄臈電晶體液晶顯示器元件方法以解決上 關技術的問題。

五、發明說明（5) 廷個製造薄膜電晶體液晶顯示器元件的方法且有一 ;反二:目對於該背基板的前基板、-液晶單元;立於前基 f月、基板之間、一畫素電極形成於背基板上、一對應恭 I 基:反上j與晝素電極產生平行背基板表面的： :刀里電场，和一薄膜電晶體具有一閘極電極，一源 極’薄膜電晶體供應影像訊號電壓於該書 素包極和该對應電極之間，具有下列步驟： 旦 依序沈積一對應電極的透明墓雷pg 金屬層於背基板上。之麦开層：―閉極匯流線的 使传在形成該對應電極區域上 2 ^光阻層 之後掣H浓认分枯 飞上方的弟一先阻層部分照光； 声下‘的卩ΐ / δ"弟一光阻層，使得在部份照光的第一光阻 層:方的閘極匯流線的金屬層區域不被照光：2 口只圖形的第_光阻層作為障礙吏用 層製圖，定義該對應電極區域;=匯I線的金屬 使用該圖形的金屬展閘極匯流線區域；之後， 該對之後，使用該圖形的 閘極匯流線；之後，形成_c層製圖，而形成該, 體的該背基板上之：料！瞍層在已經形成該薄膜電晶 r，極電極部ϊΐ出：：”：；=得該薄膜電 ϊ層在該已經露出沒極電極的ί 素電極的透明導 -电極的透明導雷制 土板上，以及，對該晝素 :二電層製圖，以形成該畫素電極。 層曝掃描光的步驟中，利用第一光罩使對 曰 修正 案號 891271W 五、發明說明（6) 應電極上方的第一光阻涔& ^ "—一 3電極區域上方該第描光，該光罩對應於對 開口和閉口部分。 g區域具有配置成格子狀的 而且，為了同時形 光曝光該光阻層的步驟中點和資料接點，在以掃描 的資料接點區域和閉極接點=形成資料接點和開極接點 緣；在對該閘極匯流線金_二域分別定義在背基板的邊 層製圖的方式同時形成資=步驟中可以藉由對該金屬 線，·在對該保護層製圖的牛和閘極接點與開極匯流 層的方式使資料接點和閘^技可以藉由製作圖形於保護 極透明導電層的步驟中^以ί j露出；而在形成該畫素電 層與露出的資料接點和閘極^形成畫素電極的透明導電 而且，為了減少光钱刻。 的步驟可以藉由下列步驟來進^的數目，形成薄膜電晶體 依序沈積一閘極絕緣層，二 接觸的摻雜半導體層，一、 I逼的非晶矽層，一歐姆 經形成該對應電心該；：/汲極電極的金屬層在已 成-第二光阻層在該=極匯流線的背基板上；之後，形 後，以掃描光曝光該二#及卩極電極的沈積金屬層上；之. 和汲極電極區域之^且層的部分使定義在源極電極 光；之後，f作^ 汲極電極的金屬層部份照 光阻層下方的金Π =光阻層使在該部份照光第二 第二光阻層作為;域：會露出；之後，使用該圖形的 屬層，以定義^、择:，衣作源極/汲極電極圖形於該金 μ源極電極區域和該汲極區域；之後，使用

第10頁 Λ 一案號891271只4— 曰 羞正 五、發明說明（7) 該圖形的金屬層作為障礙^ 半導體層以定義源極電極和衣^歐姆接觸圖形的該摻雜 區域；之後，使用該圖形的;：=歐姆接觸的歐姆接觸 出該通道的非晶石夕層圖开），开導體層作為障礙層，製 後’使用該圖形的第二光阻@ 電晶體的通道，·之 汲極電極圖形的金屬曰…早礙層，製出該源極/ =極電極汲極電極作及，使用 極電極没極電極的歐姆接觸·，於該摻雜半導 和優點:下列圖形說明將更清楚描述本發明的目的、特徵 <較佳具體實施例之詳細描述> 來圖將在配太合：形來說明本發明較佳實施例° t ^ it ♦ # ^ η γ在背基板上所定義方】 此交又的交點附近具有-薄膜電晶體。“表彼 電極Π個= = 中形成一個畫素電極34與對應 34 、，二由共冋電極線31供應共同電壓給晝素電極 斑繁=1構：栅狀電場模式液晶顯示器元件的操作機制 二弟圖的柵狀電場模式液晶顯示器元相同，製程方法如 第4A圖到第4E圖、第5A圖到第5E圖、第6圖和第7圖。 ，到第4E，分別為沿著第3圖X-X，的橫截面，而第5A圖到 第5E圖、第6圖和第7圖分別為第3圖沿著γ-γ，的橫截面。

第11頁 案號 89127184 五、發明說明（8) Θ 修正 第4A圖到第4E圖，描沭妒姑*々 晶體液晶顯示器元件方法的^ 务明貫施例製造薄膜電

明，背基板41分成三個部：弟：=刻製程…方便說 形成閘極匯流線，一對庫電 ？疋—閛極電極部份A 存電容電極部份部 =形f對應電極，一儲 層為正型光阻。 电谷電極。假設所使用的光阻 百先，依序沈積對應電極的 （ί& ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 線的金屬層43在背基板41上。金JH42和閘極匯流 的金屬如Ta、M〇xTay、Μ〇Λ等：屬層43，使用可以乾钱刻 進行ΐ:弟如ί: n y】43上’然後使用第-光罩 的閑極電極部份A，D2區域對先/f的^區域對應背基㈣ 部分c，E區域對岸背其月基板41的健存電容電極 區域分別位 讓掃描光無法穿透。另一方面 Π 口區域 =，和多個閉口區域讓掃描光：描先了 閉口區域配置成輅子狀。 牙I開口區域和 在顯影上述以第一光罩45照射掃描光的第一 :對1:=ί罩45F1和F2區域的光阻層被完全去除 減少r ^ 45 e區域的光阻層被部份去除，使其厚度 光阻作障流線的金屬層43使用顯影後… 乍為P手械層進行乾钮刻。製作圖形於金屬層43時 第12頁 五、發明說明（9) 對應弟一光罩4 5 F ] ：ίσ F ? F 0 λα * H Μ Λ Ί P弓士 區或的邛份被完全去除，而對；t 月基板41閘極電極部份A和 /應 ^ ^ ^ 對應月基板41對應電極部份β的金屬声 43區域被部份去除。在此， 金屬層 的金屬層43區域由於第一光阻J二基二41對應電極部份β 所以可以被部份去除。 層4仍在對應電極部份^ 如第4D圖，然後使用已經製有圖形的金屬#43# 礙層蝕刻對應電極的透明導電# 4 2 口二J1層4 3作為^ 對Π和F2區域被完全去除，而分別 電極部份B的透明導電二電容電靖 ^ ,, a导冤層42區域維持原狀。同時，對應背 土板4 1的對應電極部份β的透明導带居49 ^ 流線的金屬和維持隸所以///42區域由於間極匯 電極42a。 請原狀所以維持原狀。因此，形成對應 如第4 E圖，然後以乾鞋岁f古斗+ A t 雷描邱M r· / 刻式去除對應背基板41對應 I4伤B的閘極匯流線金屬厚γ 流線43b。 深i屬層區域。因此，形成閘極匯 pi — 土处w制丄、應電極42a和閘極匯流線43b可以在 二極後牙二=:Γ成。而且，與對應電極42接觸的共同 月基板41邊緣的閑極接點可以在第一光㈣製 枉Τ元..成。 第5Α圖到第5Ε圖描述裉ν、+、I % Af Φ ^ ^ ^ a ^ -很述根據上述本發明實施例製造柵狀 电％核式液晶顯不器元侔方法沾势 兀忏万忐的弟二光蝕刻製程。 依序沈積-閘極絕緣層54，一通道的非晶石夕層55，— MM02 修正

1^89127184 五、發明說明（10) 的摻雜半導體層56和—源極 :::形：？應電極42a和開極匯流議的背基： 學氣=積的:=和導細是以電衆增強化 以減鑛的方式形成：問極絕電極的金屬層57是 沈積。⑴，極絕緣層54是由氧化石夕所： 以”是以常壓化學氣相沈積的方式形成。 -後2 Γ =層58在源極/汲極電極的金屬層57上， 進行曝光。如第5Α圖，第二光阻層58 域；ΓΛ:域分別對應源極電極和没_ 或，在G1和G2區域之間定義有工區域，在G 之 定義有H1和H2區域。在此，G1和門 &成之外 法穿透，和H2區域為使掃描光無 T F A目士々/ 々网口 k域濃知描光可以穿過。 &域具有夕個開口區域讓掃描光 區域讓掃描光無法穿過。開口 F、和夕個閉口 狀乂 開口 &域和閉口區域配置成格子 在對以上述配置的第二光罩照射掃描 •以顯影時，對應第二光罩59 的弟一先阻層 被完全去除，而對應第二光罩9 = /阻㈣ 除。 尤車59 1區域的光阻層被部份去 如-第5B圖，然後使用顯影後的第二光阻層“ 源極/汲極電極的金屬層57製圖。對源極/汲極： 的金屬層57製圖時，對應第二光罩59 h1#dH2區域的^極 元全去除，而對應G1、G2和I區域的金屬層57區域^

第14頁 515102 曰 修正 案號 891271S4 ———_ 1 1 _ 五、發明說明（11) 原狀。 如第5C圖’然後使用已經顯影的第二 的金屬層W作為障礙層以乾蝕刻的方式圖形歐曰姆接 #雜半導體層5 6和通道的非曰石夕5 5。# 的 非晶矽55的制岡日 對摻雜半導體層56和 非日日夕55的衣圖乃侍以分別對應第二 ，去除’而對應G1、G2w區域的/二的 =區域 …。然後’去除對應第二光罩59 !區域的光：層的通逼 如第5 D圖，然後以留下的第一氺 以濕蝕刻去除對岸第：的層58“乍為障礙層 全屬声57二Λ 域的源極/汲極電極的 鱼屬層57a 域。因此，形成薄膜電 極電極。 的，原極電極和沒 如第5 E圖，然後以留下的第二 電極的金屬層5 7 a作為障礙層以乾二/ 8 a和源極/沒極 二區域歐姆接觸的摻雜半導體層5二區：對：：开, 一極的歐姆接“ 根據上述程序，薄膜電晶體的捐 汲極電極、源極#彳 一 ··〜、源極電極、 以在同-光接觸和汲極電極的歐姆接觸可 t J光蝕刻製程中完成。而且，蕻由筮， 與閘極接點重疊的資料接點叮VJf, ^猎由第二光蝕刻製程 第6圖描述根據本/:·二以形成m 很像本癸明戶、施例製造蘭 器元件的第三光钱刻製程。/ 拉式液晶顯示 電_式液曰曰顯不器元件第三光餘刻製程的橫截 第15頁 515102 案號 89127184 五、發明說明（12) 面。 =圖形成保護層68在已經形成源極電極和 月基板41上。然後利用第四光钱刻製程®形㈣⑽使得 =電^資料接點（未圖示）*閉極接點（未圖示）的部份 製程與傳統製造開狀電場模式液-的】 五光蝕刻製程以相同方式進行。 兀忏万凌〒的弟 最後，參考第7圖，描述根據本發明 、& 電場模式液晶顯示器元件的第四光 、^衣&閘狀 據本發明實施例的製造閘狀電場‘：：。第7圖是根 光蝕刻製程的橫截面。 “果式液晶顯示器元件第四 :第7圖’形成透明導電層使. 極或其他露出的汲極電極、資料 曰μ中及極毛 份接觸。然後根據第四光餘圖W接點露出的部 W四細製程與傳= 狀畫素電極 儿件方法中的第六光#刻製程以相同^ =液晶顯示器 如上述，使用本發明實施例的方法f造t 带 對應電極和閘極匯流錄是在同一光蝕：2㉟包晶體， 且，薄膜電晶體的通道，源極電；中完成。而 接^和没極電極的歐姆接觸是在同f光極 中凡成―。因此，具有許多優點’ 先蝕刻製程 目、降低製造成本、節省時間並提昇減少光银刻的數 雖然上述實施例參照閘狀 描述，但是本發明也適 ：=液曰曰顯示器元件來 用其他千面開關模式的液晶顯示器 515102

第17頁 案號 89127184

— 案號 89127184 圖式簡單說明 第1圖是根據傳統方法製造栅狀電場模 元件的平面圖； 、式液晶顯示器 第2圖是傳統製造柵狀電場模式液晶 的橫截面圖； 為兀件方法 第3圖是本發明製造栅狀電場模式液晶 抑 法的平面圖； …員不裔元件方 第4A圖到第4E圖是本發明實施例穿造 晶顯示器元件方法第一光钱刻製程的橫截面^電場模式液 第5A圖到第5E圖是本發明實施例製電 晶顯=器元件方法第二光蝕刻製程的橫截面圖冤穷杈式液 一第6圖是本發明實施例製造柵狀電場模式液晶 — 元件方法第三光钱刻製程的橫截面圖； ”'、不益 一第7圖是本發明實施例製造柵狀電場模式液晶 兀件方法第四光蝕刻製程的横截面圖。 ’不為 <圖式中元件名稱與符號對照> 1 :背基板 1 〇 :背基板 11 :對應電極 12 :閘極絕緣層 1·保護層 14 :梳狀畫素電極 15 :背配向膜 2 :閘極匯流線

第18頁 515102 _案號89127184_年 月 日 修正 圖式簡單說明 20 前 基 板 21 前 配 向 膜 22 液 晶 31 極 線 32 資 料 匯 流 線 33 閘 極 匯 流 線 34 晝 素 電 極 4 :資料匯流線 41 :背基板 4 2 :透明導電層 4 2 a :對應電極 4 3 :金屬層 43b :閘極匯流線 4 4 :第一光阻層 45 :第一光罩 5 :對應電極 5 4 :閘極絕緣層 5 5 :非晶矽層 5 5 a :通道 56、56a :摻雜半導體層 5 7、5 7 a :金屬層 58、58a :第二光阻層 59 :第二光罩 6 8 :保護層

第19頁 515102 _案號89127184_年月日 修正 圖式簡單說明 7 :儲存電容線 79 :晝 素電 極 7a :第 一儲 存 電 容 7b :第 二儲 存 電 容 9 ： 晝素電極 9 a :梳 狀電 極 部 份 9b :電 極條 D1 、D2 :閉 a 區 域 El 、E2 :閘 狀 電 場

Claims (1)

1. 3丄：）丄112

   曰 修正 日日體液晶蔡員示器元件的 背基板、〜相對於該背 前基板和背基板之間、 一對應電極，形成於背 背基板表面的水平分量 閘極電極，一源極電極 影像訊號電壓於該畫素 件的製造方法，具有下 已經形成薄膜電晶體的 使該薄膜電晶體的汲極 明導電層在該已經露出 明導電層製圖，以形成 種方法更包括下列步驟 槁的透明導電層和一閘 於該閘極匯流線的沈積 阻層使得在形成該對應 光； 圖’使得在部份照光的 屬層區域不被照光； 1 · 一種製造薄膜電 晶顯示器元件具有：一 板、一液晶單元，位於 極，形成於背基板上、 晝素電極一起產生平行 薄膜電晶體，其具有_ 笔極’薄膜電晶體供應 應電極之間； 是種液晶顯示器元 形成一保護層在該 對該保護層製圖， 出； 形成晝素電極的透 背基板上；以及 對該晝素電極的透 極； 而其特徵在於：是 依序沈積一對應電 金屬層於背基板上； 形成一第一光阻層 以掃描光曝光該第一光 方的第一光阻層部分照 對該第一光阻層製 下方的閘極匯流線的金 方法’該液 基板的前基 一晝素電 基板上並與 %場、和_ ，和一沒極 電極和該對 列步驟： 月基板上； 電極部份露 汲極電極的 該晝素電 極匯流線的 金屬層上； 電極區域上 第一光阻層

   第21頁 515102 ΛΜ 891271R4 六、申請專利範圍 曰 修正 斤對。亥閘極匯流線的金屬層製圖，其係藉著使用已制 的第一光阻層作為障礙層，如此，所述對應電極區^回 極匯流線區域乃被定義； Q和閘 對省對應電極的透明導電層製圖，其係藉著使 ， 作圖形的所述金屬層作為障礙層，以形成該對應電極·製 對該閑極匯流線的金屬層製圖，其係藉著使’ 圖形的第:光阻層作為障礙層，以形成該閘極匯流線衣作 上。形成薄膜電晶體在該已經形成閘極匯流線的背基板 2.根據申請專利範圍第1項之方法，其中哕查 的透明導電層為ΙΤ0金屬層。 /旦素電極 線的3金：Ϊ:請專利範圍第1項之方法，其中該閘極匯 的金屬層乃可以用乾钱刻製圖者。 1凌 4思根據申請專利範圍第卜 先阻層的步驟中， /、中曝先遠第〜 的第一井 弟 光罩，其對應電極上方p . 分。先阻層部份區域具有配置成格子狀的開口和 r ^ 部 瞧：：申請專利範圍第1項之方法，1中. 光阻。:ϊ 了 的係以掃描光曝光讀第 如對該間極匯流線金屬背基板的邊緣；接 製圖而使閘極匯& @ 1二t 步驟乃藉由對該I π 形成; 胃机線可以同時與資料接點和“接 第22頁 M5I02 修正 a __ΜΨ. 89127184 /、、申請專利範圍 、 對該保護層製圖的步驟乃是確 和開極接點露出，·而且 疋對保隻層製圖使資料接點 電朽Ζ成該畫素電極透明導電層的步驟，係藉由开彡出金 -極的透明導電層與露 ：：由形成畫素 6枳祕山& * 貝卞十稷"、，占和閘極接點接觸。 曰沾根據申㈣專利範圍第i項之方法， 曰曰肢的步驟具有下列步騾·· 一甲形成溥m電 又序沈積一閘極絕緣層，一 土甬请沾非曰 接觸的摻雜半導體層，和H非曰曰石夕層，一歐姆 經形成該對岸带朽4”才/極电極的金屬層在已 ^二對，包極和該閘極匯流線的背基板上； 形成一第二光阻層在該源極/ 上； 4/次位冤極的沈積金屬層 以掃描光曝光該第二光阻層的 和沒極雷托p a B 口戸刀使疋義在源極電極 次枝電極區域之間的源極/ 私枝 光； 1私杜的金屬層部份照 對該第二光阻層製圖，使得 層下方的金屬層區域不會露.出；“刀"、、先的第二光阻 使用已製作圖形的第二光阻層 /汲極電極的金屬声掣圖，以定羞兮為F早礙層，對該源極 極區域； ㉟層衣目W疋義该源極電極區域和該汲 使用已製作圖形的金屬層作為隆 該摻雜—半導體層製圖，以定義極 ' ::,接觸= 觸的歐姆接觸區域； 電極和汲極電極歐姆接 使用已製作圖形的摻雜半導體声 逼的非晶矽層製圖，以形成薄膜：二早礙曰’對名^ 研电曰曰體的通道； ^15102 修正 a 案號 89127184 六'申請專利範圍 使用已製作圖形的第—一 ^ /汲極電極的金屬層製圖，—光阻層作為障礙層，對該源極 使用已製作源極電極^形成源極和汲極電極；以及 半導體層製目，以形成源極3極作為障礙層，對該摻雜 7·根據申請專利範圍:及極電極的歐姆接觸。 罩對該第二光阻層曝光：：6項之方法，其，使用第二光 區域和汲極電極區域之間炻係其對應定義在源極電極 上方的該第二光阻声、"、木/汲極電極的金屬層區域 分。 層&域配置成格子狀的開口和閉口部 層、項之方法，其…極絕緣 浆增广氣相接觸的推雜半導體層以電 層為以常壓二：：2範圍第6項之方法，其中該閘極絕緣 私相化學沈積所形成的氧化;ε夕。