TW512547B - Patterning of electrodes in OLED devices - Google Patents

Description

512547 五、發明說明（1 ) 發明背景 發明領域 本發明係有關一種有機發光二極體元件（〇LED)。更特別 的是本發明係有關一種將導電層製作成圖形以形成例如 OLED內的陰極。 相關枝術說明 第1圖顯示的是一種習知具畫素OLED元件100。吾人 能夠於包含蜂巢式行動電話、蜂巢式靈巧行動電話、個人 組織器、傳呼器、廣告看板、觸控式屏幕顯示器、無線電 會議設備、多媒體設備、虛擬實境產品、以及顯示器話亭 之類各種商業電子裝置中使用具畫素OLED元件當作顯示 器。 通常，該OLED元件係包括由落在透明導電層1〇5與導 電層1 1 5之間一個或更多個有機功能性層丨丨〇構成的功能 性堆疊。該功能性堆疊係形成於透明基板1 〇 1上。吾人能 夠將導電層製作成圖形以便沿著第一方向形成陰極列並沿 著第二方向形成陽極行。OLED畫素係位於各陰極及陽極 重疊處。銲線襯墊150耦合於陰極及陽極上以控制OLED 畫素。用來在其與畫素之間形成空腔145的頂蓋160會封 裝該元件以保護OLED畫素不受諸如溼度/或空氣之類環境 因素的影響。 於作業中，係透過陰極及陽極注入電荷載子以便於各 功能性層內以便進行重組。電荷載子的重組會造成該功能 512547 五、發明說明（2) 性層發射可見輻射。 爲了提供具有高解析度及高塡充係數的顯示器，畫素 之間的間隔應該是很小的’例如大約小於50微米。畫素 之間的間隔係藉由用來形成陰極及陽極的圖形製作方法而 定義出的。吾人已使用諸如陰影遮蔽法、光刻技術（以溼 或乾蝕刻）、雷射燒鈾技術、或昇空（lift-off)技術（溼或 乾阻抗材料）之類各種習知圖形製作技術形成陰極。不 過，習知圖形製作技術並非完全相容或可用於製造 0LED。例如，光刻技術會用到可能破壞有機功能性層或陰 極材料的化學物質。使用陰影遮蔽或昇空技術（溼阻抗材 料或乾阻抗材料箔片），則很難達成高解析度（例如小於 50微米），特別是在製造或生產環境內。 如上所述，必要的是提供一種圖形製作技術以便在不 致破壞已沈積材料下形成會達成高解析度的導電層。 曼明之扼要說明 一般而言本發明係有關一種諸如0LED元件之類的製造 方法。更特別的是，本發明係有關一種將導電層製作成圖 形的方法。於某一實施例中，提供了具有底切（u n d e r c u t ) 結構（例如具有較寬頂部的截面）的墩柱。於某一實施例 中，墩柱係包括錐狀輪廓。墩柱係藉由光刻技術而形成 的。於某一實施例中，墩柱係由光敏材料製成的。墩柱對 用來沈積有機功能性層的溶劑而言都是呈惰性的。墩柱的 錐狀輪廓會於沈積期間對導電層施行圖形製作以形成淸楚 512547 五、發明說明（3) 的第一和第二部分。第一部分皆係落在墩柱之間，而第二 部分皆係落在各墩柱的頂部。於某一實施例中，第一部分 係扮演著OLED元件之陰極的角色。 圖式簡述 第1圖顯示的是一種習知OLED元件。 第2圖顯示的是一種根據本發明的實施例。 第3到7圖顯示的是一種根據本發明某一實施例用於製 造OLED元件的方法。 較佳實施例的詳細說明 第2圖顯示的是一種根據本發明實施例的OLED元件 200。該OLED元件係包括其上形成有畫素的基板201。於 某一實施例中，該基板係包括諸如玻璃之類的透明基板。 能夠扮演著基板角色以支撐OLED畫素的其他型式透明材 料也是很有用的。OLED畫素係包括三夾於該第一電極205 和第二電極2 1 5 a之間的一種或更多種有機層2 1 0。於某 一實施例中，第一電極205是陽極，而第二電極215a都 是陰極。形成用來當作陽極的第一電極以及用來當作陰極 的第二電極也是很有用的。陰極及陽極都是沿著個別的第 —和第二方向而形成的長條結構。通常，該第一和第二方 向係互爲正交的。銲接襯墊250係依電氣方式耦合於陰極 及陽極上。提供頂蓋260以封裝各OLED畫素。該頂蓋會 產生空腔24 5以保護畫素不致因爲與該頂蓋的實體接觸而 受到破壞。 512547 五、 發明說明 (4) 墩 柱 270 係提供於該基板表面上< 。墩柱270 係沿 著 第 二 方 向 而配 置的。各墩柱延伸於該功 能 性堆疊之 上 的 筒 度 (例如 1到 10微米），會將陰極及各有 機功能性 層 分 開 成 長 條 結 構。 於替代實施例中，墩柱也 能 夠延伸該 空 腔 的 寬 度 以 扮 演著 用於該頂蓋2 6 0之支撐結 構 的角色。 這 對 產 生 有 弓早 性的OLED畫素是很有用的，由 於 該頂蓋能 夠 防止 接 觸 並 破 壞畫 素的緣故。 根 據 本發 明，墩柱都包含底切結構 ，而得到 頂 部 比 底 部 更 寬 的結 構。該底切結構會於沈積 期 間扮演著 將 導 電 層 21 5 製 作成 圖形的角色，而於功能性 層 之上形成 區 分 或 分 離 部 分 215 a以及位於墩柱頂部的部 分 215b。部分 215a 係扮 演 著陰 極的角色。於某一實施例 中 ，該底切 結 構 係 藉 由 形成 具有 錐狀輪廓的墩柱而提供的 〇 於某一實 施 例 中 9 該 第 — 和第 二側壁都是錐狀的，產生 ：7 _具有 v - 形 截 面 的 墩 柱 〇 於 某 -實 施例中，墩柱都是由單- -元件層形 成 的 0 由 單 一 元 件層 形成墩柱會有利地降低製 造 成本。由 於 諸 如 用 來 沈 積 有機 功能性層的溶劑之類化學 物 質可能是 具 腐 蝕 性 的 故 墩柱 都是由能夠於處理期間維 持其原樣的材料形成 的 〇 於 某一 實施例中，墩柱都是利用 諸 如光阻材料 之 類 光 敏 材料形成 的。該光阻材料會接受處 理 而變成對 溶 劑 而 言 係 呈 惰 性的 。諸如光敏性聚亞醯胺及 光 敏性聚苯 並 噁 唑 之 類 其 他 型式 的光敏材料也是很有用的 -6 - 0 另外，吾 人也 能 夠

五、發明說明（5) 使用諸如由Allied Signal公司製造的的電子烘烤式光阻 系統以形成具有所要截面形狀的墩柱。 第3到7圖顯示的是一種根據本發明某一實施例用於 製造OLED元件的方法。參照第3圖，提供了基板301。 於某一實施例中，該基板係包括諸如鈉鈣玻璃或硼矽玻璃 之類的透明基板。吾人也能夠使用其他型式的透明材料以 扮演該基板的角色。通常該基板的厚度是大約0.4到1 . 1 毫米。 於另一實施例中，該基板係包括一很薄的彈性基板。 該彈性基板係由例如塑膠薄膜形成的，吾人也能夠使用諸 如聚乙烯對苯二甲酸酯（PET)、聚丁烯對苯二甲酸酯 (PET)、聚乙二醇萘二甲酸酯（PEN)、聚羰酸酯（PC)、聚亞 醯胺（PI)、聚® (PSO)、以及聚對位苯撐醚基碾（PES)、聚 乙烯（PE)、聚丙烯（PP)、聚氯乙烯（PVC)、聚苯乙烯 (PS)、或聚2 -甲基丙烯酸甲酯（PMMA)之類以形成該基 板。可替代地，吾人也能夠使用諸如超薄玻璃（例如其厚 度落在10到100微米）、包括玻璃及聚合物的複合式堆 疊、或是塗覆有無機阻擋層的聚合物薄膜之類材料。 該基板係包括形成於其表面上的第一電極305。該第一 電極係扮演著例如陽極的角色。各陽極都是由導電材料形 成的。於某一實施例中，該導電材料係包括諸如錫銦氧化 物（ΙΤ0)之類的透明導電材料。諸如銦鋅氧化物、氧化 鋅、及氧化錫之類的其他導電材料也是很有用的。於某一 512547 五、 發明說明 (6) 實 施 例 中 ， 陽極係配置成沿著第一方向由 空間層間 隔 開 的 長 條 結 構 〇 較佳的是，用來分開陽極的空 間層的寬 度 是 小 於 50 微 米 的。吾人也能夠在各接合襯〗 墊上提供 連 接 結 構 〇 吾 人 能 夠使用諸如光刻技術之類的各 種技術以 形成 陽 極 0 參 照 第 4 圖，其中係將元件層4 6 9形成於該基 板 上 〇 使 用 該 元 件 層以產生有利於對導電層施行 圖形製作 以 形 成 第 二 電 極 (例如陰極）的墩柱。該元件層的 厚度係等 於 墩 柱 的 局 度 〇 該 元件層的厚度是例如大約0 . 5 到50微 米 9 較 佳 的 是 大 約 1到1 0微米。 於 一 實 施 例中，該元件層係包括諸如由 C1 a r i an t 公 司 製 造 其 型 號 爲AZ 5214E的產品之類的負 光阻材料 〇 吾 A ' 也 能 夠 使用 其他光敏材料。該光阻材料係 藉由例如 旋 轉 塗 覆 法 而 沈 積 於該基板上。於某一實施例中 ，該阻抗材料係 藉 由 利 用 由 KarlSuss公司製造其型號爲 RC8的旋 轉 塗 覆 器 在 1 000 r pm下使基板旋轉20秒而沈積 成的。在沈 積 該 阻抗材料 之 後，在例如90°C下爲該基板施行大約 2 分 鐘 的 烘 烤 以 去 除該光阻溶劑。 於 第 5 :圖中，透過遮罩520選擇性地使該元件 層 接 受 來 白 曝 光 源 之光的曝光作用。設計該曝光 處理以便 形 成 具 有 必 要 底 切 結構或錐狀輪廓的墩柱。該曝 光處理係 包括 例 如 接 續 地使 該光敏層接受具有不同能量以 及不同穿 透 深 度 之 電 子 或 帶 電粒子的曝光作用，以便於顯 -8- 影期間形成 錐 狀

512547 五、發明說明（7) 輪廓。對負性光敏層而言，該曝光作用係包括選擇性地使 該元件層之上邊區域曝露在比其下邊區域更大量的能量 下。對正性光敏層而言，該曝光作用係包括選擇性地使該 元件層之上邊區域曝露在比下邊區域更小量的能量下。 於某一實施例中，係選擇性地使該負性阻抗層接受曝 光源的曝光。該曝光作用會造成區域566的上邊部分會比 其下邊部分吸收更大量額的光（亦即使該區域5 6 6的下邊 部分曝光不足）。區域5 6 6係對應到將要形成墩柱的位 置。於某一實施例中，係利用由K a r 1 S u s s公司製造其型 號爲MJB 3的曝光源使該阻抗材料接受I譜線輻射的曝 光。 然後，令該阻抗材料準備接受顯影以去除未經曝光部 分。用於負性作用阻抗材料的準備作業係包含後曝光烘烤 作業以便使位於各經曝光區域內的阻抗材料產生交聯作 用。該後曝光烘烤作業係在例如大約120°C下施行大約60 到90秒。該交聯作用會使阻抗材料變得不溶於阻抗性顯 影化學物質中。在該後曝光烘烤作業之後，令該阻抗材料 接受來自曝光源的氾濫式曝光作用（例如在沒有遮罩下接 受曝光）。該氾濫式曝光作用會使先前該阻抗材料的未經 曝光部分變成可溶的。該氾濫式曝光作用的劑量是例如大 約1〇〇〇微焦/平方厘米。 參照第6圖，使該元件層接受阻抗性顯影化學物質的 顯影以去除未經曝光區域而留下墩柱670。於某一實施例 512547 五、發明說明（8) 中，該阻抗性化學物質係包括諸如由Clari ant公司製造 其型號爲A2 7 26的鹼性顯影劑。該阻抗材料係在室溫下 接受顯影化學物質的顯影作用達大約60秒。因爲曝光區 域的下邊部位是未經曝光的，故它們會更容易溶解於該阻 抗性化學物質中。這會產生具有底切結構的墩柱而得到底 部比頂部更窄的截面。然後使該阻抗材料接受去離子水的 沖洗以去除顯影劑。 在形成墩柱之後，使該阻抗材料接受烘烤以改良各墩 柱的機械穩定性，並使墩柱變成對用來形成功能性有機層 的有機溶液而言呈惰性的。於某一實施例中，係藉由在大 約160°C的溫度下對該基板進行加熱使該阻抗材料接受烘 烤達大約6小時。於某一實施例中，係根據下列參數使該 基板接受烘烤： a) 於2小時內進行從100°C到160°C的線性斜坡（加熱作 用）； b) 在160°C下進行4小時的定溫烘烤作業；以及 c )在未使用活性冷卻作用下進行冷卻。 吾人也能夠使用諸如電子束U -束）、粒子（質子、α粒 子）、或UV(紫外線）烘烤之類的其他烘烤技術。在烘烤作 業之後，藉由使該基板接受1^-03進行大約3分鐘的淸潔 作業，以去除該基板之未經曝光部分的小型有機殘留物。 參照第7圖，係將功能性有機層沈積於該基板上。於 某一實施例中，該功能性有機層係包括共軛性聚合物。將 -10- 512547 五、發明說明（9) 該聚合物溶解於溶劑內並藉由旋轉塗覆技術加以沈積。於 某一實施例中，該功能性有機層係包括將1 %的電發光聚 合物溶解於二甲苯內，並藉由使該基板在4000 r pm下旋轉 進行大約30秒的沈積作業。其他溼式澱積技術也是很有 用的。包含例如印刷技術（例如屏幕印刷、平版印刷、噴 墨印刷）的這類技術中，係將該有機功能性層溶解於溶劑 內（例如N -甲基吡咯烷酮（匪P )或己烯）。有利的是藉由溼 式方法沈積該有機功能性層，因爲它是實質上具有自動平 坦化作用，使得用來塡充位於墩柱之間面積的層具有實質 上呈平坦的表面。肇因於烘烤作用，墩柱不會因爲溶劑而 受到有害的影響。吾人能夠沈積額外的功能性有機層以形 成功能性有機堆疊。該有機層或堆疊的厚度通常是大約2 到200奈米。在沈積該功能性有機層之後，將該基板加熱 到大約85°C的溫度達大約1分鐘以蒸發該溶劑。 例如吾人能夠選擇性地去除該有機層，而露出該區域 470內的底下各層以便用於各接合襯墊的連接結構。吾人 能夠藉由刨光處理達成選擇性地去除該有機層。吾人也能 夠使用諸如蝕刻、擦刮、及雷射燒蝕之類的其他技術以便 選擇性地去除部分的有機層。 將導電層7 1 a沈積於該基板上。該導電層係包括例如 鈣、鎂、鋇、銀、鋁、或是其混合物或合金。吾人也能夠 使用其他導電材料特別是那些具有低功函數以形成該第二 導電層。於某一實施例中’該第二導電層係包括鈣。該鈣 -11- 512547 五、發明說明（1〇) 係在大約l(T5mbar的壓力下以1奈米/秒的速率藉由熱蒸 鍍而成的。諸如濺鍍法（PVD)、化學氣相沈積法（CVD)、電 漿強化化學氣相澱積法（PEC VD )、或金屬有機化學氣相沈 積法（MOCVD )之類的其他沈積技術也是很有用的。 該導電層的沈積作業會肇因於墩柱的高度和輪廓而受 到干擾，導致墩柱之間的區域內沈積有該導電層的部分 7 1 5 a，且在墩柱之頂部表面上形成該導電層的部分 715b。該導電層落在各墩柱之間的部分會扮演著陰極的角 色。陰極及陽極的交點會形成有機LED畫素。 該方法會繼續以完成該LED元件。例如，將空腔頂蓋 裝設於該基板上以封裝該元件，且形成接合襯墊以便爲 LED畫素提供電氣接觸。 雖則吾人已藉由參照各種實施例而做特定方式顯示並 說明了本發明，然而熟悉習用技術的人應該能夠在不偏離 本發明所附申請專利範圍之精神及架構下作各種修正及改 變。因此，本發明的架構並非藉由參照上述說明而是藉由 參照本發明所附申請專利範圍連同其等效項目的全部架構 而定出的。 符號說明 100 .........習知具畫素OLED元件 101 .........透明基板 1〇5.........透明導電層 110.........有機功能性層 -12- 512547 五、發明說明（11) 115.........導電層 145，245…空腔 150,250· ••接合襯墊 160,260· ••頂蓋 200........ •OLED元件 201，301 · ••基板 205,305…第一電極 210........ •有機層 215........ •第二電極 270,670…墩柱 469 ........ •元件層 470,566· ••區域 520 ........ •遮罩 715........ •導電層 7 15a，71 5b·.·部位 - 13-

Claims (1)

1. 512542 pnS_六、申請專利範圍 第9 0 1 2 2 2 2 5號「形成有機發光二極體元件的方法」專利 案 （9 1年9月修正） A申請專利範圍 1· 一種用於形成有機發光二極體元件的方法，其包括： 於基板上形成元件層； 將該元件層製作成圖形以便沿著該基板上第一方向 形成墩柱，其中墩柱都包括有錐狀輪廓； 使該基板塗覆有包括有溶解於溶劑內的有機功能性 層，其中墩柱對該溶劑而言係呈惰性的； 去除該溶劑以形成有機功能性層；以及 將導電層沈積於該基板上， 其中墩柱的錐狀輪廓會將該導電層分開成第一和第 二區分部分。 2·如申請專利範圍第1項之方法，也包括將頂蓋裝設於 該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極體元件 〇 3.如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係包括彈 性基板。 4·如申請專利範圍第3項之方法，其中該基板係包括沿 著其表面上第二方向的電極。 5·如申請專利範圍第4項之方法，其中又包括將頂蓋裝 設於該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極體 元件。 -14- 512547 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該功能性有機層 係包括溶解於溶劑內的共軛聚合物。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中又包括將頂蓋裝 設於該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極體 元件。 8. 如申請專利範圍第3項之方法，其中又包括將頂蓋裝 設於該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極體 元件。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係包括沿 著其表面上第二方向的電極。 10·如申請專利範圍第9項之方法，其中該功能性有機層 係包括溶解於溶劑內的共軛聚合物。 11·如申請專利範圍第1 0項之方法，其中又包括將頂蓋 裝設於該基板上以便依氣密方式封裝該OLED元件。 12·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中又包括將頂蓋 裝設於該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極 體元件。 Π如申請專利範圍第1項之方法，其中又包括將頂蓋裝 設於該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極體 元件。 14.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中又包括將頂蓋 裝設於該基板上以便依氣密方式封裝該有機發光二極 體元件。

   -15- 512547 六、申請專利範圍 15. 如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8、9、1〇 、11、12、13、或14項之方法，其中該元件層係包 括光敏元件層，該光敏層係藉由對該光敏元件層施行 曝光及顯影而製作成圖形。 16. 如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該光敏層係包 括正性光敏層，其中係於顯影期間將該光敏層的經曝 光部分去除掉。 17. 如申請專利範圍第1 6項之方法，其中該曝光作業係 包括接續地使該光敏層接受具有不同能量以及不同穿 透深度之電子或帶電粒子的曝光作用，以便於顯影期 間形成錐狀輪廓。 18. 如申請專利範圍第1 7項之方法，其中包括烘烤各墩 柱使各墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 19. 如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該烘烤作業係 包括熱烘烤。 20. 如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 21. 如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該烘烤作業係 包括電子束烘烤。 22. 如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 23. 如申請專利範圍第1 6項之方法，其中該曝光作用係 包括使該光敏層之上邊區域曝露在比該光敏層之下邊 -16- 512547 六、申請專利範圍 區域更小量額的能量下’以便於顯影期間形成錐狀輪 廓。 24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中包括烘烤各墩 柱使各墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該烘烤作業係 包括熱烘烤。 26如申請專利範圍第24項之方法’其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 27. 如申請專利範圔第2 4項之方法’其中該烘烤作業 係包括電子束烘烤。 28. 如申請專利範圍第2 4項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 ，其中包括烘烤墩柱 ，其中該烘烤作業係 29. 如申請專利範圍第1 6項之方法 使墩柱變成對該溶劑呈惰@ ° 30. 如申請專利範圍第29項之方法 包括熱學烘烤。 31. 如申請專利範圍第2 9項之方法，其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 32如申請專利範圍第29項之方法，其中該烘烤作業係 包括電子束烘烤。 33,如申請專利範圍第29項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 34如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該曝光作業係 -17- 512547 六、申請專利範圍 包括接續地使該光敏層接受具有不同能量以及不同穿 透深度之電子或帶電粒子的曝光作用，以便於顯影期 間形成錐狀輪廓。 35如申請專利範圍第34項之方法，其中包括烘烤墩柱 使墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 36如申請專利範圍第35項之方法，其中該烘烤作業係 包括熱烘烤。 37. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 38. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該烘烤作業係 包括電子束烘烤。 39. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 40. 如申請專利範圍第1 5項之方法，係包括烘烤墩柱使 墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 41. 如申請專利範圍第40項之方法，其中該烘烤作業係 包括熱烘烤。 42如申請專利範圍第40項之方法，其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 43.如申請專利範圍第40項之方法，其中該烘烤作業係 包括電子束烘烤。 44如申請專利範圍第40項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 -1 8 - 512547 六、申請專利範圍 45如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該光敏層係包 括負性光敏層，其中係於顯影期間將該光敏層的未經 曝光部分去除掉。 46如申請專利範圍第45項之方法，其中該曝光作業係 包括接續地使該光敏層接受具有不同能量以及不同穿 透深度之電子或帶電粒子的曝光作用，以便於顯影期 間形成錐狀輪廓。 47如申請專利範圍第46項之方法，係包括烘烤墩柱使 墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 48如申請專利範圍第47項之方法，其中該烘烤作業係 包括熱烘烤。 49如申請專利範圍第47項之方法，其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 50.如申請專利範圍第47項之方法，其中該烘烤作業係 包括電子束烘烤。 51如申請專利範圍第47項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 52如申請專利範圍第45項之方法，其中該曝光作用係 包括使該光敏層之上邊區域曝露在比該光敏層之下邊 區域更大量額的能量下，以便於顯影期間形成錐狀輪 廓。 53.如申請專利範圍第52項之方法，其中包括烘烤墩柱 使墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 -19-

   六、申請專利範圍 其中該烘烤作業係 其中該烘烤作業係 其中該烘烤作業係 54如申請專利範圍第5 3項之方法 包括熱烘烤。 55.如申請專利範圍第53項之方法 包括UV烘烤。 56,如申請專利範圍第53項之方法 包括電子束烘烤。 57.如申g靑專利範圍第5 3項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。 58. 如申請專利範圍第4 5項之方法，其中包括烘烤墩柱 使墩柱變成對該溶劑呈惰性的。 59. 如申請專利範圍第57項之方法，其中該烘烤作業係 包括熱烘烤。 60. 如申請專利範圍第57項之方法，其中該烘烤作業係 包括UV烘烤。 a如申請專利範圍第57項之方法，其中該烘烤作業係 包括電子束烘烤。 62.如申請專利範圍第57項之方法，其中該烘烤作業係 包括粒子烘烤。