TW512468B - Method for manufacturing semiconductor carrier film - Google Patents
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Description
512468 A7 B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 方法’其詳細係關 ’可形成微細圖案 本發明係有關半導體載體用膜之製造 於藉由減少銅洛厚度並且構成平滑表面 間距的半導體載體用膜之製造方法。 背景技術 LSI等所構成的半導體晶片（電子零件）之組裝技術’其有 薄膜覆晶封裝（COF;ChiponFilm)等。 ' 於此所使用之薄膜覆晶封裝基板，係於基底薄膜之聚醯 亞胺系薄膜上使用銅電鍍法或使用鋼箔直接壓鑄黏貼於聚 醯亞胺系薄膜之膠帶狀半導體載體用膜（以下，時而稱: 為兩層基材）。 對銅羯直接壓鑄黏貼於聚醯亞胺系薄膜的情形，使用厚 度1 2 μΐη以上的銅箔時，最後所得到的電路基板之圖案間 距極限為4 Ο μ m。 近年’要求更加微細圖案間距，例如具有3 〇μηι的電路 基板。從此般觀點’壓麵所使用的銅羯期望能更薄。 雖可製作厚度5〜9μηι的銅箔，但少量時，成本變高， 生產性差。另外’銅结厚度變薄時，因搬運或處理上的問 題’必須貼補強材，貼上鋁’並對鋁做電著析出等，此使 材料價格變高。此外，亦必須剥離補強材，溶解除去之工 程、裝置。 另外，對此般厚度的薄銅箔直接壓鑄黏貼於聚醯亞胺系 薄膜之情形’壓鑄時具有產生皺紋等問題，製造過程困難 而且成品率差，兩層基材的製品化於實質上有困難。 _-4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 Χ297公釐） A7 B7
五、發明説明（ 如上，，即使製作厚度5〜9μπι的銅洛，因其具育處嫂 上的問通或製造上的問題，使用此般厚度的薄銅洛製造雨 層基材，其包含費用等實質上有困難。 發明之揭示 本發明即在解決上述問題，其目的在於，可實施具者微 細圖案間距的電路基板之製造，而且具有信賴性，另、夕卜在 於提供低價位的半導體載體用膜之製造方法。 f發明係諸位檢討的結果，發現藉由使用具有一定以上 銅泊厚度之兩層基材的銅箔，蝕刻至所定之厚度，吁it成 上述目的。 本發明係基於上述發現，提供一種半導體載體用膜之製 k方法其特欲在於使用厚度1 2 μ m以上的銅箔與聚gl：变 胺系薄膜所構成之基材，且該銅箔蝕刻成厚度5〜9 。 圖式之簡要說明 圖1為顯示實施例一之蝕刻狀態的斷面圖； 圖2為顯示實施例一之蝕刻狀態的斷面圖； 圖3為顯示實施例一及實施例二所得到半導體載體用膜 之銅箔厚度測量位置的平面圖。 發明之最佳實施形態 以下’說明本發明之半導體載體用膜製造方法的實施形 態。 本發明，係使用厚度1 2 μΐη以上的銅箔與聚醯亞胺系薄 膜所構成之兩層基材。此兩層基材，係薄膜厚度3 8〜 5 Ο μπι，銅箔厚度1 2 μΓη以上直接貼附（無接著劑）之基材。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Λ4規格(210 X 297公釐） 512468 A7 ______B7_ ____ 五、發明説明（3 ) 基材宽度的標準規格為35 mm，48 mm, 70 mm。此般膠帶狀之 兩層基材，係以ESPANEX (商品名：薄膜厚度40μΐΉ，銅層 厚度1 2 μηι，新曰鐵化學社製）等為範例。 本發明’係將此兩層基材的銅箔姓刻成厚度5〜9 μ m。 銅箔厚度未滿5 μηι時，銅箔厚度不足以成為導體，電路的 電性或通電容量上有問題，超過9μΐη時，具有30μΠ1左右 的圖案間距之電路基版形成上有困難。 蝕刻條件雖為任意值，蝕刻後銅箔的厚度差對平均值最 好選擇為士 〇·5 μ m以内之條件。 如上述’基材的寬度以35 _，48 mm, 70 mm為標準規格， 可使用此寬度進行姓刻，亦可用基材的供給寬度（例如5〇〇 mm)一次全面進行蝕刻使銅箔厚度為5〜9μΐη ,之後，縱切 加工成上述標準規格。 如此所得到的半導體載體用膜，係根據通常的方法，於 銅洛側塗佈光阻劑，乾燥後，藉由曝光，沖洗，蝕刻，剝 離光阻劑的步驟，形成配線電路圖案，另外視需要塗佈防 焊光阻劑、實施硬化及無電解錫鉛電鍍，可得到薄膜覆晶 封裝基板等電路基板。 根據本發明，半導體載體用膜的銅箔厚度可自由控制， 可製造具有任意厚度的配線圖案之電路基板。特別是，圖 案間距3 〇 μ m之微細圖案間距的電路基板。例如可實現薄 膜覆晶封裝基板之製造。 上述說明係關於兩層基材，即使為附接著劑的3層芙 材，藉由鋼箔於積層後蝕刻，可得到一定厚度的綱窄Y 〇 ________ - 6 - 本紙張尺度適财S S轉準(CNS) A4規格(21Q x 297公& ~ ·«^ -
裝 訂
線 512468 A7 B7 五、發明説明（4 ) 製造具有微細圖案間距的電路基板。 [實施例1 ] 對40 μΠ!的聚酿亞胺系薄膜壓鎊厚度1 2μΐη白勺銅箔（商品 名·· SQ-VLP，三井金屬社製）之ESPANEX基材（兩層基材， 新曰鐵化學社製）縱切成寬度70mm，藉由蝕刻裝置依照下 述之蝕刻條件，如圖1所示蝕刻銅箔厚度成9 μπι，得到半 導體載體用膜。 <蝕刻條件> •蝕刻溫度：4 0 °C •速度：1.7 m /分 •噴嘴：1支 •嘴壓：2 kg/cm2 •蝕刻液：HC1與含有H202之氯化亞銅溶液 •兩層基材至噴嘴的距離：1 5 c m [實施例2 ] 使用與實施例一同樣的ESPANEX基材（兩層基材），縱切 成寬度7 0 m m，藉由蝕刻裝置依照下述之蝕刻條件，如圖 2所示蝕刻銅箔厚度成5 μπι，得到半導體載體用膜。 <蝕刻條件> •蝕刻溫度：4 0 °C •速度：1.85m/分 •噴嘴：4支 •噴壓：2 kg/cm2 •蝕刻液：HC1與含有H202之氯化亞銅溶液 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格（210 X 297公釐） 裝 訂
線 512468 A7 _____B7 五、發明説明（5 ) •兩層基材至噴嘴的距離：1 5 c m 測量於實施例一及實施例二所彳單$丨 K于到的半導體載體用膜之 銅羯厚度。如圖3所示’測量的實施係於^(前），p2(中 央）’P3(後)的長邊方向3個位置及其寬度方向…固位置。 實施例一的結果與實施例二的結果分別表示於表丨與表2。 [表1] 前(Pi) 中央(P2) 後(PO 1 9.0 9.0 9.0 2 9.0 9.0 9.0 次 3 9.0 9.0 9.0 4 8.5 8.5 8.5 5 8.5 8.5 8.5 6 8.5 8.5 8.5 7 8.5 8.5 8.5 數 8 9.0 9.0 8.5 9 9.0 9.0 8.5 10 9.0 9.0 9.0 最大值 9.0 9.0 9.0 最小值 8.5 8.5 8.5 最大值一最小值 0.5 0.5 0.5 平均值 8.80 8.80 8.70 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格（210 X 297公釐） 512468 A7 B7 五、發明説明（6 [表2] (單位：μπι) 前(Pi) 中央(P2) 後(p3) 1 5.5 5.5 5.5 2 5.5 5.5 5.5 次 3 5.5 5.5 5.5 4 5.5 5.5 5.5 5 5.5 5.5 5.5 6 5.5 5.5 5.5 7 5.5 5.5 5.5 數 8 5.5 5.5 5.5 9 6.0 5.5 5.5 10 6.0 6.0 6.0 最大值 6.0 6.0 6.0 最小值 5.5 5.5 5.5 最大值一最小值 0.5 0.5 0.5 平均值 5.6 5.6 5.5
根據通常 曝光，沖 案，實施 ☆名：SN 使用實施例一及二所得到的半導體載體用膜， 的方法，於銅箔側塗佈光阻劑，乾燥後，藉由 洗，蝕刻，剝離光阻劑的步驟，形成配線電路圖 無電解錫鉛電鍍，另外塗佈防焊光阻劑（商， -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210X 297公釐） 512468 A7 B7 五、發明説明（7 ) 9000 )、硬化，得到圖案間距3 Ο μπι的薄膜覆晶封裝基板。 產業上之利用可能性 根據本發明之製造方法，可製造具有微細圖案間距的電 路基板，特別是薄膜覆晶封裝基板，並且具有信賴性，此 外可得到低價位之半導體載體用膜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- 512468 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍 1. 一種半導體載體用膜之製造方法，其特徵在於使用一基 材，共係包含厚度1 2 μηι以上的銅箔與聚醯亞胺系薄膜 者，且該銅箔蝕刻成厚度5〜9 μ m。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體載體用膜之製造方法， 其中上述蝕刻後銅箔的厚度差對平均值為土 0.5 μΐη以 内0 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）
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