TW512428B - Stage apparatus, measurement apparatus and measurement method, and exposure apparatus and exposure method - Google Patents

Description

512428 A7 ____B7__ 五、發明說明（/ ) [發明所屬之技術領域] 本發明，係關於平台裝置、測量裝置及測量方法、曝 光裝置及曝光方法，更詳言之，係關於作爲基板之定位裝 置合適的平台裝置，測量標記偵測系統所固有之檢測偏差 的測量裝置及測量方法，該標記偵測系統，係用以使用該 平台裝置對形成於基板上之標記作光學偵測，以及使用該 測量裝置及測量方法的曝光裝置及曝光方法。 [習知技術] 目前，用以製造半導體元件、液晶顯示元件等之微影 製程，係使用透過投影光學系統將光罩或標線片(以下，總 稱爲「標線片」）上形成之圖案轉印於塗有光阻劑之晶圓或 玻璃板等之基板（以下，總稱爲「晶圓」）上的曝光裝置。 近年來，隨著半導體元件之高積體化，步進重複(step and repeat)方式之縮小投影曝光裝置（所謂之步進器），或對該 步進器加以改良之步進掃描(step and scan)方式之掃描型投 影曝光裝置（所謂之掃描步進器）等之逐次移動型投影曝光 裝置漸成主流。 半導體元件等，由於係在基板上重疊複數層圖案而形 成，因此步進器等曝光裝置，須高精度的進行晶圓上已形 .成之圖案與標線片上形成之圖案的重疊。因此，必須要正 確地測量已形成於晶圓上之圖案的曝光照射區域之位置， 作爲此測量方法，係使用校準顯微鏡來測量設於晶圓上各 曝光照射區域之校準標記的位置。此時，爲正確地測量校 準標記之位置，構成校準顯微鏡之光學系統以無像差等者 3 P氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 it ) ' ---- ---------------------訂---------線 IAV— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512428 A7 五、發明說明（i ) 較佳。此係因有此種像差時，會產生校準標記之位置測量 誤差之故。 然而，由於欲製造完全沒有光學系統之像差（零像差) 的校準顯微鏡實際上不可能，因此，通常係測定校準顯微 鏡之檢測偏差，使用該測定結果來修正校準結果（測定値) Ο 一般來說，校準顯微鏡之光學像差中，作校準測量(使 用校準顯微鏡之標記位置測量)時會成爲問題者，爲慧形像 差。所謂慧形像差，係視透鏡之光束穿透位置與透鏡中心 之位置關係，穿透透鏡之成像光束之成像位置向橫偏移的 現象。因此，若光學系統有慧形像差的話，當檢測之標記 線寬、節距較寬，繞射光角度較小時，雖然標記之位置檢 測偏差成爲幾乎可忽視之程度，然而，當檢測之標記線寬 及間距較、繞射光之角度較大時，標記之位置檢測偏差會 成爲不可忽視之程度。亦即，若光學系統有慧形像差的話 ，即使是同一位置之線圖案，由於線寬不相同即會就被成 像於不同位置，結果即會產生檢測偏差。 作爲求出起因於校準顯微鏡之檢測偏差(雖然絕大部分 係起因於上述光學系統之慧形像差之檢測偏差，但亦包含 ‘起因於檢測對象之標記之製程的檢測偏差等），亦即作爲求 出TIS(T〇〇l Induced Shift)的方法，以晶圓之方向〇。時與 180°時的二狀態下，以校準顯微鏡進行標記檢測，根據該 測量結果求出TIS的方法較爲人知。如前所述，若光學系 統有慧形像差的話會因圖案線寬使成像位置不同，因此 4 Ϊ紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公餐----- -------------餐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 512428 A7 _ B7____ 五、發明說明（；） TIS測量，係以粗線寬之標記爲基準’來測量細線寬之標 記位置以進行評價。 以下，簡單說明習知TIS之測量方法。又，實際之晶 圓校準，係進行2維面內之位置測量，但此處爲簡化說明 ，僅提出1維之測量來說明。 準備一表面形成有線寬較廣之基準標記與線寬較窄之 校準標記的測量專用晶圓(以下’爲方便起見’稱「工具晶 圓」）。然後’將該工具晶圓裝載於晶圓保持具上。此時’ 係以基準標記與校準標記’沿平行於既定之正交座標系統 上既定一軸(例如X軸）之軸排列的方式’將工具晶圓裝載 於晶圓保持具上，使用校準顯微鏡分別測量基準標記與校 準標記之X座標，自該測量結果求出兩標記之距離χ〇。此 處，假設與以工具晶圓之中心點（α、/3)爲原點之上述正 交座標系統分別平行之正交座標系統的晶圓座標系統上之 基準標記之X座標爲RM、校準標記之X座標爲AM。設 兩標記之距離爲X，則X= AM—RM(此爲真値）。 如上所述，校準標記因線寬窄，故其測量結果雖包含 無法忽視之校準顯微鏡之TIS，但線寬較廣之基準標記之 測量結果中所含的TIS可視爲零。因此，上述實測値X〇， ，如設校準標記之X座標測量値爲AM⑼、基準標記之測量 値爲RM(〇)，就能表示如下式（1)。 X〇 = AM(〇) — RM(〇) =(AM+ a +TIS) - (RM+ a ) =AM—RM+TIS ---(1) 5 -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512428 A7 _ B7___ 五、發明說明（4 ) 其次，將晶圓從晶圓保持具上收回，以晶圓之中心(前 述晶圓座標系統之原點)爲中心將晶圓旋轉180°後’再裝 載於晶圓保持具上，與上述同樣的測量基準標記與校準標 記之位置，求出兩者之距離X18〇。此時，實測値Χ180 ’假 設校準標記之X座標之測量値爲AM(18Q)、基準標記之測量 値爲RM(18〇)，就能表示如下式(2)。

Xl 80 = AM(i8〇) — RM(180) =a -RM-(a -AM+TIS) =AM-RM-TIS *··(2) 從上述式（1)、（2)，求出校準顯微鏡之TIS如下’ TIS=( X〇-X18〇)/2 …(3) 以述方式求出之TIS，係使用爲對形成於實際曝光(實 際製程之)之晶圓上之校準標記之測量値的校正値。 [發明欲解決之課題] 然而，上述校準顯微鏡之TIS測量方法，必須準備形 成有基準標記與校準標記兩方之特別晶圓（工具晶圓），且 僅能測量對形成於該工具晶圓之校準標記的校準顯微鏡之 TIS。因此，欲正確求出相對實際欲曝光之晶圓（實際處理 晶圓)上所形成之校準標記的校準顯微鏡之TIS是非常困難 ，，無法正確修正各實際處理晶圓之校準結果。 又，由於如上述般進行將工具晶圓從晶圓保持具上回 收、旋轉180°再裝載於晶圓保持具上的動作，因此測量 作業麻煩，且亦有在旋轉180°之前後導致晶圓之中心位 置偏移或旋轉偏移之憂慮。此種情形下，結果上會降低 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------^ IAWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512428 A7 _ B7_____ 五、發明說明（t ) TIS之測量精度。 本發明，有鑑於上述情事，其第1目的，例如，係提 供一能適合使用於校準顯微鏡之TIS測量的平台裝置。 本發明之第2目的，在提供一能以短時間且高精度地 測量起因於對實處理基板之標記檢測系統的檢測偏差的測 量裝置及測量方法。 本發明之第3目的，在提供一能提高曝光精度的曝光 裝置及曝光方法。 [用以解決課題之手段] 申請專利範圍第1項之發明，係用以保持基板(W)之 平台裝置，其特徵在於，具備：於2維面內移動的平台 (WST);搭載於前述平台上，能保持前述基板繞與前述2 維面正交之既定旋轉軸作大致180°旋轉的基板保持具(25) ;以及用以旋轉驅動前述基板保持具的驅動裝置(74)。 據此，在2維面內移動之平台上搭載基板保持具，該 基板保持具，藉驅動裝置，能保持基板繞與前述2維面正 交之既定旋轉軸作大致180°旋轉。亦即不需將基板自基 板保持具上取下而能旋轉大致180° 。因此，不需進行如 下之麻煩的作業，例如，在前述校準顯微鏡之TIS測量時 .，將基板從基板保持具卸下，旋轉後將基板再度裝載於基 板保持具上等之作業。又，此時，由於基板之旋轉係在將 基板保持於基板保持具上的狀態下進行，因此亦不必擔心 在旋轉之前後產生基板之中心位置偏移等情形。因此，能 以短時間且高精度地進行校準顯微鏡之TIS測量。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4須^各（210 X 297公爱) -- ------------敷------- —訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512428 A7 ______B7_____ 五、發明說明（έ ) 此處，所謂「大致180°」，係指除正確的180°外 ，亦包含例如180° ±10分程度(數mrad程度)之角度，又 ，由於「能大致旋轉180°」，因此當然亦包含能超過大 致180°角度之旋轉。 申請專利範圍第2項之發明，爲一種測量裝置，其係 測量對基板(W)上形成之標記作光學檢測之標記檢測系統 (AS)所引起的檢測偏差，其特徵在於，具備：於2維面內 移動的平台(WST);檢測前述平台之位置的位置檢測系統 (18);搭載於前述平台上，能保持基板繞與前述2維面正 交之既定旋轉軸作大致180°旋轉，且在前述基板之保持 面外側部分至少配置1個基準標記(FMn)的基板保持具(25) :旋轉驅動前述基板保持具的驅動裝置(74);將前述標記 中至少1個特定之基準標記之位置資訊與前述標記中至少 1個被選擇之位置對準標記(AMn)之位置資訊，在前述基板 保持具之面向係設定於既定方向之第1狀態下，使用前述 標記檢測系統與前述位置檢測系統來加以檢測的第1檢測 控制系統(20);在透過前述驅動裝置將前述基板保持具從 前述第1狀態旋轉180°之第2狀態下，將在前述第1狀 態下檢測出前述位置資訊之前述各標記之位置資訊，使用 ,前述標記檢測系統與前述位置檢測系統來加以檢測的第2 檢測控制系統(2〇);以及使用前述第1檢測控制系統與前 述第2檢測控制系統之檢測結果來算出起因於前述標記檢 測系統之檢測偏差的運算裝置(20)。 此處，所謂「起因於標記檢測系統之檢測偏差」，係 8 ____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) '— -- --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512428 A7 ___B7 _ 五、發明說明（7 ) 指雖然絕大部分係構成標記檢測系統之光學系統的像差分 ，但亦包含起因於形成有檢測對象標記之基板製程的檢測 偏差分等，標記檢測系統固有之檢測偏差，例如，前述 TIS即相當於此。 根據本發明’在平台上將基板保持具之面向設定於既 定方向的第1狀態下，藉第1檢測控制系統，使用標記檢 測系統與位置檢測系統，來檢測基板保持具上形成之基準 標記中特定之至少1個位置資訊，與基板保持具上所裝載 之基板上至少1個被選擇的位置對準標記之位置資訊。其 次，藉第2檢測控制系統，透過驅動裝置將基板保持具從 第1狀態旋轉180° ，於此第2狀態下，使用標記檢測系 統與位置檢測系統，檢測於第1狀態下檢測位置資訊之各 標記之位置資訊。然後，藉運算裝置，使用第1、第2檢 測控制系統之檢測結果來算出起因於標記檢測系統之檢測 偏差。根據本發明，在第1狀態、與第2狀態下，分別求 出位置對準標記與基準標記之位置關係資訊，藉由使用該 兩者之位置關係資訊進行既定運算，即能簡易且高精度地 算出起因於標記檢測系統之檢測偏差。其理由如下。 只要基板相對基板保持具沒有位置偏移，在第1狀態 .與第2狀態之間，實際上，基準標記與位置對準標記’縱 使不產生位置關係之產生，然而所求得之兩者位置關係資 訊卻不相同。此係因，各位置關係之資訊中含有起因於標 記檢測系統之檢測偏差之故。因此，根據第1狀態下兩者 之位置關係資訊，與第2狀態下兩者之位置關係資訊’進 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512428 A7 ___ B7___ 五、發明說明（S ) 行既定之運算，即能簡易且高精度地算出起因於標記檢測 系統之檢測偏差。又，此時，由於基準標記係形成於基板 保持具上，因此無論將何種基板裝載於保持具上，皆能進 行上述檢測偏差之測量，進而能進行相對實際使用於曝光 之基板上標記的檢測系統之檢測偏差之測量。 此時，如申請專利範圍第3項之發明，前述第1檢測 控制系統及前述第2檢測控制系統之檢測結果，亦可是1 個基準標記與前述基板上之特定之1個位置對準標記的位 置資訊。此情形中，由於係在第1狀態、第2狀態下一個 個檢測基準標記與位置對準標記，因此能以短時間算出起 因於標記檢測系統之檢測偏差。 上述申請專利範圍第2項發明之測量裝置，如申請專 利範圍第4項之發明般，前述第1檢測控制系統及前述第 2檢測控制系統之檢測結果，分別包含同一複數個基準標 記之位置資訊，前述運算裝置，亦可分別統計處理前述複 數個基準標記之位置資訊來算出關於前述第1、第2狀態 下前述基板保持具之位置的資訊，使用該算出結果來算出 起因於前述標記檢測系統之檢測偏差亦可。此情形中，由 於係對在第1、第2狀態下檢測之同一複數個基準標記之 位置資訊進行統計處理，來算出關於各狀態下之基板保持 具之位置的資訊，因此能算出更正確之關於基板保持具之 位置的資訊，進而能算出更正確之起因於標記檢測系統之 檢測偏差。 上述申請專利範圍第2及4項之發明，如申請專利範 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） n 1 n n ϋ I §Mmm B^i n 1 -1 —Bi n i I I 一 •口V > ϋ ϋ n ϋ ϋ i^i «ϋ I 線----------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512428 A7 ____B7______ 五、發明說明（？） 圍第5項之發明般，前述第1檢測控制系統及前述第2檢 測控制系統之檢測結果，分別包含同一複數個位置對準標 記之位置資訊，前述運算裝置，分別統計處理前述複數個 位置對準標記之位置資訊來算出關於前述第1、第2狀態 下前述基板之位置的資訊，使用該算出結果來算出起因於 標記檢測系統之檢測偏差亦可。此情形中，由於係對在第 1、第2狀態下檢測之同一複數個位置對準標記之位置資訊 進行統計處理，來算出關於各狀態下之基板之位置的資訊 ，故能算出更正確之關於基板之位置的資訊，進而，能算 出更正確之起因於標記檢測系統之檢測偏差。 申請專利範圍第6項所述之發明，爲一曝光裝置，係 以能量束(IL)使基板(W)曝光以在前述基板上形成既定之圖 案，其特徵在於，具備：申請專利範圍第2〜5項中任-項 之測量裝置（18, 20, 50等）；以及，控制曝光時前述平台之 位置，來修正以前述測量裝置所測量之起因於前述標記檢 測系統(AS)之檢測偏差的控制裝置(20)。 根據本發明，由於係藉由控制裝置控制曝光時平台之 位置，來修正以測量裝置所測量之起因於標記檢測系統之 檢測偏差，因此能高精度的進行基板之曝光。 申請專利範圍第7項之發明，爲一測量方法，係用以 測量起因於對基板(W)上形成之標記作光學檢測之標記檢 測系統(AS)的像差，其特徵在於，包含：第1步驟，係在 外周部附近至少形成有1個基準標記(FMn)之基板保持具 上(25)，裝載至少形成有1個位置對準標記(AMn)之基板； 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------鼇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Μ· Μ·· Μ* 瞧 W W — Wk Ο·». -ΚΟΚ MM MM MB MM MM I 512428 A7 ___ Β7___ 五、發明說明（f。） 第2步驟，係將前述基準標記中之至少1個特定之基準標 記，與前述基準標記中之至少1個被選擇之位置對準標記 ，在將前述基板保持具之面向設定於既定方向的第1狀態 下，使用前述標記檢測系統檢測，根據該檢測結果與前述 各標記之檢測時之前述基板保持具之位置來求出前述檢測 對象之各標記之位置資訊；第3步驟，係在將前述基板保 持具從前述第1狀態繞大致正交於前述基板之裝載面之既 定旋轉軸旋轉180°的第2狀態下，使用前述標記檢測系 統來檢測前述檢測對象之各標記，根據該檢測結果與前述 各標記之檢測時之前述基板保持具之位置來求出前述檢測 對象之各標記之位置資訊；以及，第4步驟，係使用在前 述第2、第3步驟中分別求出之前述檢測對象之各標記之 位置資訊，算出起因於前述標記檢測系統之檢測偏差。 根據本發明，於第1步驟中，在外周部附近至少形成 有1個基準標記之基板保持具上，裝載至少形成有1個位 置對準標記之基板，於第2步驟中，在將基板保持具之面 向設定於既定方向的第1狀態下，將基準標記中至少1個 特定之基準標記，與基板上之至少1個被選擇之位置對準 標記，使用標記檢測系統檢測，根據該檢測結果與各標記 之檢測時之基板保持具之位置來求出檢測對象之各標記之 位置資訊。又，於第3步驟中，在將基板保持具從第1狀 態繞大致正交於基板裝載面之既定旋轉軸旋轉180°的第2 狀態下，使用標記檢測系統來檢測檢測對象之各標記’根 據該檢測結果與各標記之檢測時之基板保持具之位置來求 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂ί -線-Φ---------------------- 512428 A7 B7 - — 一 " —"""" -- 五、發明說明（α) 出檢測對象之各標記之位置資訊。然後，於第4步驟中， 使用在第2、第3步驟分別求出之檢測對象之各標記之位 置資訊，算出起因於標記檢測系統之檢測偏差。此時，亦 由於與申請專利範圍第2項相同之理由，而簡易且高精度 地算出起因於標記檢測系統之檢測偏差。 此時，如申請專利範圍第8項之發明般，於前述第2 步驟及第3步驟中，求出1個基準標記與前述基板上之特 定之位置對準標記的位置資訊亦可。此情形中，由於係在 第1狀態、第2狀態下一個個檢測基準標記與位置對準標 記，因此能以短時間算出起因於標記檢測系統之檢測偏差 〇 上述申請專利範圍第7項發明之測量方法，如申請專 利範圍第9項之發明般，於前述第2步驟及第3步驟求出 之位置資訊中，分別包含同一複數個基準標記之位置資訊 ，於前述第4步驟中，分別統計處理前述複數個基準標記 之位置資訊來算出關於前述第1、第2狀態下之前述基板 保持具之位置的資訊，使用該算出結果算出起因於前述標 記檢測系統之像差亦可。此情形中，由於係對第1、第2 狀態下檢測之同一複數個基準標記之位置資訊進行統計處 理，來算出關於各狀態下基板保持具之位置的資訊，因此 能算出更正確之關於基板保持具之位置的資訊，進而算出 更正確之起因於標記檢測系統之檢測偏差。 上述申請專利範圍第7項及第9項之發明相關之測量 方法，如申請專利範圍第10項之發明般，於前述第2步驟 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------嗓—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11111 線丨# 512428 A7 __ ___B7___ 五、發明說明（p ) 及第3步驟求出之位置資訊中，分別包含同一複數個位置 對準標記之位置資訊，於前述第4步驟中，分別統計處理 前述複數個位置對準標記之位置資訊來算出關於前述第1 、第2狀態下之前述基板之位置的資訊，使用該算出結果 算出起因於前述標記檢測系統之檢測偏差亦可。此情形中 ，由於係對第1、第2狀態下檢測之同一複數個基準標記 之位置資訊進行統計處理，來算出關於各狀態下基板保持 具之位置的資訊，因此能算出更正確之關於基板保持具之 位置的資訊，進而算出更正確之起因於標記檢測系統之檢 測偏差。 此時，如申請專利範圍第11項之發明般，關於前述基 板位置之資訊，亦可是根據前述複數個位置對準標記之位 置資訊的平均値求得者。 上述申請專利範圍第9項及第10項發明之測量方法， 如申請專利範圍第12項及第13項之發明般，亦可使前述 統計處理之結果所得之關於前述位置的資訊，爲規定前述 基板保持具之移動的正交座標系統上之座標軸方向的偏心 量。 申請專利範圍第14項之發明，爲一曝光方法，係以能 量束(IL)使基板(W)曝光以在前述基板上形成既定圖案，其 特徵在於，包含：測量步驟，係以申請專利範圍第7〜12 項中任-項之測量方法，來測量起因於前述標記檢測系統 之檢測偏差；以及，控制步驟，係控制曝光時前述基板保 持具之位置，以修正起因於所測量之前述標記檢測系統之 14 t氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ---------------------訂— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) έιψ----------------------- 512428 A7 __B7___ 五、發明說明（6 ) 檢測偏差。 根據本發明，由於係控制曝光時平台之位置，來修正 起因於以申請專利範圍第7〜12項之各測量方法所測量之 標記檢測系統之檢測偏差’因此能高精度地進行基板之曝 光。 [圖式之簡單說明] 圖1，係槪略顯示一實施形態之曝光裝置之構成的圖 〇 圖2，係顯示圖1之Z傾斜平台與晶圓保持具的部分 剖斷圖。 圖3，係顯示測量用基板上形成之基準標記的擴大圖 〇 圖4(A)、（B)，係用以說明一實施形態之曝光裝置之 校準顯微鏡AS之TIS之算出方法的圖。 圖5(A)、（B)，係具體顯示校準標記與基準標記之測 量順序例的圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂· — -線 ---------------------- [符號說明] 18 晶圓雷射干涉計系統（位置檢測系統、測量裝 置的一部分） 19 平台控制系統(控制裝置的一部分） 20 主控制系統(第1檢測控制系統、第2檢測控 制系統、運算裝置、測量裝置的一部分、控制 裝置的一部分） 25 晶圓保持具（基板保持具、平台裝置的一部分 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512428 A7 ______B7__ 五、發明說明（#) 、測量裝置的一部分） 50 平台裝置 74 上下動/旋轉機構(驅動裝置、平台裝置的一 部分、測量裝置的一部分） 100 曝光裝置 AS 校準顯微鏡(標記檢測部） AMn 校準標記(位置對準標記） FMn 基準標記 IL 照明光(能量束） W 晶圓(基板） WST 晶圓平台(平台、平台裝置的一部分） [發明之實施形態] 以下，根據圖1〜圖5，說明本發明之一實施形態。圖 1中，顯示一實施形態之曝光裝置1〇〇的槪略構成。此曝 光裝置100，係步進掃描(step and scan)方式之投影曝光裝 置。該曝光裝置100，具備：照明系統10，保持標線片R 之標線片平台RST，投影光學系統pl，搭載作爲基板之晶 圓W之平台裝置50,以及統籌控制裝置全體之主控制系 統20 〇 前述照明系統10，例如如特開平10-112433號公報等 所揭示般，包含：光源，以複眼透鏡或棒狀積分器（內面反 射型積分器)等構成之照度均一化光學系統，中繼透鏡，可 變ND濾光器，標線片遮簾，以及分色鏡等（均未圖示）。 該照明系統10，係將繪有電路圖案等之標線片R上以標線 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) 癜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i -線丨Φ丨丨 512428 A7 _____B7___ 五、發明說明（G ) 片遮簾所規定之狹縫狀照明區域部分，藉由作爲能量束之 照明光1L以大致均一之照度加以照明。此處，作爲照明 光1L，係使用KrF準分子雷射光(波長248mn)等之遠紫外 光，ArF準分子雷射光(波長193nm)、或F2雷射光(波長 157mn)等之真空紫外光。作爲照明光1L，亦可使用發自超 高壓水銀燈之紫外域輝線(g線、i線等）。 於前述標線片平台RST上，例如以真空吸附方式固定 有標線片R。標線片平台RST，例如係以包含線性馬達等 未圖示之標線片平台驅動部，爲進行標線片R之定位，而 能在垂直於照明系統10之光軸(與後述投影光學系統PL之 光軸AX —致)之XY平面內微小驅動，且能以指定之掃描 速度驅動於既定之掃描方向（此處假設爲Y方向）。 標線片平台RST之平台移動面內之位置，係以標線片 雷射干涉計（以下，稱「標線片干涉計」）16，透過移動鏡 15，例如以0.5〜lnm程度之分解能力隨時檢測。得自標線 片干涉計16之標線片平台RST之位置資訊，係供給至平 台控制系統19及透過該系統供給至主控制系統2〇。平台 控制系統19，視來自主控制系統20之指示，根據標線片 平台RST之位置資訊透過標線片平台驅動部(省略圖示)來 驅動控制標線片平台RST。 標線片R之上方，雖未圖示，但配置有一對標線片校 準系統。此標線片校準系統，分別包含：以和照明光IL相 同波長之照明光來照明檢測對象之標記的落射照明系，統， 與用以拍攝該檢測對象之標記像的標線片校準顯微鏡。標 17 度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂--- -線丨#丨丨 512428 A7 _ B7 ____ 五、發明說明（4 ) 線片校準顯微鏡，包含成像光學系統與攝像元件，得自標 線片校準顯微鏡之攝像結果係供給至主控制系統20。此時 ，以移動自如之方式配置有用以將來自標線片R之檢測光 導引至標線片校準系統之未圖示的偏向反射鏡，當開始曝 光程序時，根據來自主控制系統20之ί曰"π ’偏向反射鏡即 藉由未圖示之驅動裝置分別與標線片校準系統一起退避至 照明光IL之光程外。 前述投影光學系統PL，係配置於標線片平台RST之 圖1下方，以其光軸ΑΧ之方向爲Ζ軸方向。投影光學系 統PL，係使用例如兩側遠心且具有既定縮小倍率(例如1/5 、或1/4)的屈折光學系統。因此，以來自照明系統10之照 明光IL照明標線片R之照明區域時，藉由通過該標線片R 之照明光IL，透過投影光學系統PL將該照明區域內之標 線片R之電路圖案縮小像(部分倒立像)形成於表面塗有光 阻(感光劑)之晶圓W上。 前述平台裝置50，具備：作爲平台之晶圓平台WST ，作爲基板保持具之晶圓保持具25，以及驅動該等晶圓平 台WST與晶圓保持具25之晶圓平台驅動部24。前述晶圓 平台WST，具備··於投影光學系統PL之圖丨下方、配置 在未圖示之基座上、藉由構成晶圓平台驅動部之未圖示之 線性馬達等驅動於XY方向的XY平台31，以及裝載於該 χγ平台31上、藉未圖示之Z傾斜驅動機構，向z方向與 對XY面之傾斜方向微小驅動的Z傾斜平台3〇。又，前述 晶圓保持具25，係設置於Z傾斜平台3〇上，用以吸附保 18 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂----- -----線 1·--------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 一 512428 A7 __B7___ 五、發明說明（17 ) 持晶圓W。 晶圓保持具25，若綜合將晶圓保持具25與Ζ傾斜平 台30部分剖開顯示之圖2及圖4(A)等即可知，其具有圓 板狀之形狀，其上面，如圖2所示，形成有複數個呈同心 圓且直徑相異之槽64。該等槽64上設有多數個未圖示之 吸引孔，透過該等吸引孔以真空泵之真空吸引力，將晶圓 W吸附保持於晶圓保持具25上。 又，於Ζ傾斜平台30，如圖2所示，形成有能嵌合晶 圓保持具25之下半部的圓孔72。晶圓保持具25，係在其 下半部嵌合於該圓孔72之狀態下，藉未圖示之真空吸引機 構所產生之真空吸引力，固定於Ζ傾斜平台30。 於前述Ζ傾斜平台30之底部，在相當於前述圓孔72 之內部底面中心部位置，埋有上下動/旋轉機構74。該上 下動/旋轉機構74，包含未圖示之馬達，係用以使一端固 定於晶圓保持具25底面之驅動軸75進行上下動及旋轉大 致180°的機構。該上下動/旋轉機構74，構成圖1之晶 圓平台驅動部24的一部分，由圖1之平台控制系統19加 以控制。 又，在圓孔72之內部底面上，設有3支以構成晶圓平 台驅動部24之驅動機構來驅動的上下動銷（中心向上)78。 該等上下動銷78，在晶圓保持具25被吸附固定於Ζ傾斜 平台30上之狀態時，其各個之前端部，能分別透過未圖示 之圓孔(於各上下動銷78對向之晶圓保持具25之既定位置 分別形成者)出入於晶圓保持具25之上面側。因此’在交 19 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂· — -線丨·! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512428 A7 ___B7___

五、發明說明（fM 換晶圓時，能藉由3支上下動銷78以3點支撐晶圓W、 或使其上下動。 晶圓保持具25之上面，如圖4(A)所示，在晶圓周圍 部分之既定位置關係處，具體而言在正方形之各頂點位置 ，設有4個測量用基準板21A，21B，21C，21D。該等測量 用基準板21A，21B，21C，21D之上面，係設定成與晶圓保 持具25上所裝載之晶圓W表面爲相同高度。 在該等測量用基準板21A，21B，21C，21D之上面，分 別形成有基準標記FM1，FM2，FM3，FM4。該等基準標記 FM1〜FM4，如圖3之擴大俯視圖所示，具備：排列於X 軸方向、例如以6pmL/S標記構成之X軸標記26X ;排列 於Y軸方向、例如以6pmL/S標記構成之Y軸標記26Y ; 由排列於X軸方向之例如0.2mL/S標記構成之區段(全寬 6μηι)，例如以6μηι之間距排列於X軸方向之區段標記27X ;以及由排列於Υ軸方向、例如由〇.2mL/S標記構成之區 段(全寬6μηι)，例如以6μηι之間距排列於Y軸方向之區段 標記27Υ。又，該X軸、γ軸標記(26Χ，26Υ)及區段標記 (27Χ，27Υ)在測量用基準板上至少形成一方即可，若線寬 廣闊爲6μηι之X、Υ軸標記(26Χ，26Υ)之形成困難時，亦 可僅形成線寬狹窄之區段標記(27Χ，27Υ)。 又，測量用基準板21Α〜21D，由於係後述校準顯微 鏡AS之TIS測量之基準，因此爲避免因校準顯微鏡AS之 光學像差_使測量結果產生變動，係形成爲不易受像差影 響的形狀(間距、高低差、組成等）。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· — -線丨Φ丨丨 512428 A7 _______B7___ 五、發明說明（I?) 又，如圖2所示，在構成晶圓平台WST之Z傾斜平 台30上之晶圓W附近，固定有基準標記板40。該基準標 記板40之表面，設定成與晶圓保持具25之表面爲相同高 度，於該表面，以如圖4所示般之既定位置關係，形成有 一對第1基準標記MK1，MK3，與第2基準標記MK2。 回到圖1，XY平台31，其構成不僅能移動於掃描方 向（Y方向），爲能使晶圓上之複數個曝光照射區域定位於 與前述照明區域共軛之曝光領域，亦能移動於與掃描方向 正交之非掃描方向（X方向），以進行反覆將晶圓上各曝光 照射區域加以掃描(scan)曝光之動作、與移動至用以進行下 一曝光照射之掃描開始位置之動作的步進掃描動作。 晶圓平台WST於又¥平面內之位置(包含02旋轉）， 係透過設於Z傾斜平台3 0上面之移動鏡17，以作爲位置 檢測系統之晶圓雷射干涉計系統18，例如以0.5〜lnm程 度之分解能力隨時加以檢測。此處，實際上，於Z傾斜平 台30上，例如如圖4(A)所示，設有γ移動鏡17Y(具有與 掃描方向(Υ方向)正交之反射面)及X移動鏡17Χ(具有與非 掃描方向(X方向）正交之反射面），與此對應的，晶圓雷射 干涉計系統18，亦設有對Υ移動鏡垂直照射干涉計光束之 Υ干涉計，與對X移動鏡垂直照射干涉計光束之X干涉計 ，然而圖1中僅代表性的顯示移動鏡17、晶圓雷射干涉計 系統18。亦即，本實施形態中，用以規定晶圓平台wst 之移動位置的靜止座標系統（正交座標系統），係以晶圓雷 射干涉計系統18之Υ干涉計及X干涉計之測長軸加以規 21 H張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂ί ，線 —·! 512428 A7 —"— --— --—— __ 五、發明說明（>。） 定。以下，亦將該靜止座標系統稱爲「平台座標系統」。 又’晶圓雷射干涉計系統18之Y干涉計及X干涉計之至 少一方，係具有複數支測長軸之多軸干涉計，藉該干涉計 ，亦測量晶圓平台WST(正確而言，係Z傾斜平台30)之6> z旋轉(偏轉量）。 晶圓平台WST在平台座標系統上之位置資訊(或速度 資訊），係供給至平台控制系統19，及透過平台控制系統 19供給至主控制系統20。平台控制系統19，應主控制系 統20之指示，根據晶圓平台WST之上述位置資訊(或速度 資訊），透過平台控制驅動部24來控制晶圓平台WST。 投影光學系統PL之側面，設有作爲離軸方式之標記 檢測系統的校準顯微鏡AS。該校準顯微鏡AS，此處，使 用例如揭示於特開2000-7729號公報等之FIA系統(Field Image Alignment)。該校準顯微鏡AS，係用以將具有既定 波長寬之照明光（例如白色光）照射於晶圓，使晶圓上作爲 定位標記的校準標記之像，與藉物鏡配置於與晶圓共軛之 面內之指標板上的指標標記之像，成像於攝像元件（CCD 攝像機等）之受光面上來加以檢測者。校準顯微鏡AS，將 校準標記及基準標記板40上之第1基準標記之攝像結果， 輸出至主控制系統20。 又，本實施形態之曝光裝置100，對晶圓W之Z方向 位置，雖省略圖不，但係以例如揭示於特開平6-283403號 公報等之多點焦點位置檢測系統所組成之焦點感測器來加 以測量，此焦點測感器之輸出供給至主控制系統20，主控 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f 訂ί 線丨--- 512428 A7 ___B7__ 五、發明說明（ >丨） 制系統20控制Z傾斜平台30，進行所謂之焦點水平控制 〇 主控制系統20，係包含微電腦或工作站而構成，統籌 控制裝置之構成各部。 其次，說明使用以上述方式構成之本實施形態的曝光 裝置100，對1批量(例如25片)之晶圓W進行第2層 (second layer)以後之層之曝光處理時的動作。 首先，以未圖示之標線片裝載器，將標線片R裝載於 標線片平台RST。裝載該標線片R後’主控制系統20，即 進行標線片校準及基礎線測量。具體而言，主控制系統20 ，透過平台控制系統19及晶圓平台控制驅動部24將晶圓 平台WST上之基準標記板40定位於投影光學系統PL之 正下方，使用未圖示之標線片校準系統來檢測標線片R上 一對標線片校準標記與分別對應於基準標記板40上之前述 一對標線片校準標記的標線片校準用之一對第1基準標記 MK1，MK3的相對位置。然後，主控制系統20，使晶圓平 台WST在XY面內僅移動既定量，例如僅移動基礎線量之 設計値，使用校準顯微鏡AS來檢測基準標記板40上基礎 線測量用第2基準標記MK2。此處，第2基準標記MK2， 係使用位相圖案(線寬與線距高低差標記），主控制系統20 ，使用該校準顯微鏡AS進行基準標記板MK2之檢測時， 例如以特開2000-77295號公報所揭示之方式，藉由將晶圓 保持具25透過Z傾斜平台30以既定步進移動於Z軸方向 ’同時測量對應位相圖案之邊緣之像之非對稱性或位相圖 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂---- 512428 A7 p-------___ 五、發明說明（A) 案之凹凸部之像強度之差異，據以檢測焦點位置，以該位 置(最佳焦點狀態)檢測第2基準標記MK2。 又，主控制系統20，根據此時所得之該校準顯微鏡 AS之檢測中心與第2基準標記MK2之相對位置關係、及 先測量之標線片校準標記與基準標記板40上之第1基準標 記MK1，MK3的相對位置關係，以及分別對應之晶圓雷射 干涉計系統18之測量値，來測量基礎線量(標線片圖案之 投影位置與校準顯微鏡AS之檢測中心(指標中心)之相對位 置關係）。 在完成上述一連串之準備作業之時間點，即開始下述 之晶圓處理動作。 首先，晶圓處理動作，係以未圖示之標線片裝載器， 將批量最前面(批量內第1片)之晶圓W裝載於晶圓保持具 25上，加以真空吸附。 晶圓W上，如圖4(A)所示，複數個曝光照射區域排 列爲矩陣狀，於各曝光照射區域上以前步驟爲止之曝光及 顯影等分別形成晶片圖案。又，於各曝光照射區域，如使 用校準標記AM1〜AM4代表性地顯示般，附帶設有作爲位 置對準標記之校準標記。又，校準標記，實際上，係設置 於相鄰曝光照射區域間之道線(street line)上，但此處爲便 於說明，係顯示設於曝光照射區域之內部位置的情形。 又，此時，晶圓W，係以未圖示之預校準裝置，進行 定心及旋轉定位。又，該晶圓裝載時之晶圓平台WST之偏 轉量亦以晶圓雷射干渉計系統18加以管理。因此，晶圓 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂— _線丨— 512428 A7 ____B7 __ 五、發明說明（W) W，係在從晶圚中心所視之切口（V字狀缺口）方向與平台座 標系統上之+ Y方向大致一致之方向（以下，稱「180°之 方向」），裝載於晶圓保持具25上。將該晶圓裝載後之晶 圓平台WST(晶圓W及晶圓保持具25)之狀態，顯示於圖 4(A)，此處之晶圓W及晶圓保持具25之狀態，在以下之 說明將稱爲「第1狀態」。 此時，開始使用晶圓保持具25，與保持於該晶圓保持 具25上之晶圓W的起因於校準顯微鏡AS之檢測偏差， TTIS(Tool Induced Shift)之測量。 首先，主控制系統20，測量晶圓W上形成之校準標 記AMn(n=l，2, 3, 4)之位置座標AMn⑴(AM1⑴，AM2⑴， AM3⑴，AM4⑴），與設置於晶圓保持具25之基準標記FMn 之位置座標FMn⑴（FM1⑴，FM2⑴，FM3⑴，FM4⑴）。 具體而言，平台控制系統19，應來自主控制系統20 之指示，監測晶圓雷射干涉計系統18之測量値，控制晶圓 平台WST之XY2維方向之移動，將基準標記、校準標記 依序定位於校準顯微鏡AS之正下方。而且，於每一定位 ，主控制系統20，即將此時校準顯微鏡AS之測量値，亦 即相對該檢測中心（指標中心）之檢測對象標記之位置之資 訊，與此時晶圓雷射干涉計系統18之測量値’依序收納於 記憶體內。此時，主控制系統20，例如如特開2000-77295 號公報之揭示般，藉由將晶圓保持具25透過Z傾斜平台 30以既定步驟移動於Z軸方向，同時測量對應位相圖案所 構成之基準標記或校準標記之邊緣像之非對稱性’或凹凸 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

n n n ϋ ϋ n^OJa an I I I ·.1 I n n I n n ϋ ϋ ίβ I ϋ n t— ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ H ϋ I 512428 A7 ______B7 __ 五、發明說明（4) 部之像強度之差異，來檢測焦點位置，以該位置(最佳焦點 狀態)檢測各標記。 此處’作爲上述各標記之測量順序，可如圖5(A)所示 ，沿圓周依序測量晶圓W上之校準標記AMn，之後沿圓 周依序測量晶圓保持具25上之基準標記FMn，或者，爲 縮短測量時間及晶圓平台WST之驅動距離，可如圖5(B) 所示，沿圓周、交替測量校準標記AMn與基準標記FMn 〇 其次，主控制系統20，根據上述測量所得之各測量結 果，與預先測量之基礎線量，算出晶圓W上形成之校準標 記AMn(n=l，2，3，4)於平台座標系統上的位置座標 AMn⑴(AM1⑴，AM2⑴，ΑΜ3(υ，AM4⑴），與晶圓保持具25 上所設之基準標記FMn於平台座標系統上的位置座標FMn ⑴（FM1⑴，FM2⑴，FM3⑴，FM4⑴）。 其次，主控制系統20，進行下式(4)之運算，求出將晶 圓W之方向設定於180°之方向之第1狀態的晶圓保持具 25之中心位置H180。 H180= (FM1 ⑴+FM2⑴+FM3⑴+FM4⑴）/4 …（4) 當然，該H18G實際上係2維之座標値。 其次，主控制系統20，將第1狀態之晶圓W上之代 表點(爲方便起見，稱P點)的位置座標W18Q，根據下式(5) 加以算出。

Wiso= (AM1(i)+AM2(i)+AM3(i)+AM4(i))/4 …（5) 當然，該W18G實際上係2維之座標値。 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f

^eJI ϋ ϋ I ϋ ϋ ·1_— I ·ϋ n n n n -ϋ n ·ϋ ϋ ϋ —.1 ·ϋ n ·ϋ ^1 ϋ ϋ n n I 512428 A7 __B7____ 五、發明說明（ 其次，主控制系統20，將第1狀態之保持具中心位置 與晶圓上之代表點的X軸方向之距離L18Gx、Y軸方向之距 離L18〇y，各根據下式（6)、（7)加以算出，將該等算出結果 記憶於記憶體。

Ll80x = Wΐ8〇χ — Hi80x …(6)

Ll 80y = W1 8〇y — Hi 80y …(7) 此處，第1狀態之x軸方向之距離L18Qx、Y軸方向之 距離L18Gy，亦可分別表示如（6)’、（7)’。

Li80x= (Wx + Hi80x+TISx)- Hi8〇x =Wx+ TISx …⑹’ 此處，Wx，係以晶圓保持具之中心爲原點，且具有平 行之座標軸於平台座標系統(X、γ)之晶圓保持具座標系統 上的上述晶圓上之代表點之X座標値(真値）。又，TISx， 係校準顯微鏡AS之TIS之X成分。

Ll80y= (Wx + Hi8〇y+TISx) — Hi8〇y =Wy+ TISy …（7)， 此處，Wy，係上述平台座標系統上之上述晶圓上之代 表點之Y座標値(真値）。又，TISy，係校準顯微鏡AS之 TIS之Y成分。 以上述方式，完成第1狀態之測量後，應來自主控制 系統20之指示，藉平台控制系統19，控制上下動/旋轉 機構74，在吸附保持晶圓w之狀態下將晶圓保持具25上 升至圖2所示之程度。然後，在上升至既定高度後，藉平 台控制系統19，透過上下動/旋轉機構74將晶圓保持具 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

- -ϋ n I- n I- n n^OJ· ϋ I I ϋ n ϋ I I I I n I 1« n n ϋ .1 ϋ n n ϋ n ϋ ϋ 1 n ϋ ϋ ϋ n I 512428 A7 _______B7______ 五、發明說明（) 25旋轉180° 。然後，藉平台控制系統19，控制上下動/ 旋轉機構74，將晶圓保持具25下降至原來高度。又，圖 4(B)係顯示該180°旋轉後之晶圓W及晶圓保持具25之狀 態，以下，將該狀態稱爲「第2狀態」。 該第2狀態中，晶圓W，其缺口之方向係朝向從晶圓 中心所視與一 Y方向大致一致之〇°方向。然後，與上述 第1狀態之情形同樣地，在主控制系統20之管理下，進行 校準標記 AMn(n=l，2，3，4)之位置座標 ΑΜη(2)(ΑΜ1(2)， AM2(2), AM3(2)，AM4(2))，與晶圓保持具25上所設之基準 標記 FMn 之位置座標 FMn(2)(FMl(2)，FM2(2)，FM3(2)， FM4(2))之測量。 此時，實際所測定之校準標記之測量値中亦包含校準 顯微鏡AS之TIS。另一方面，基準標記之測量値中所含之 校準顯微鏡AS之TIS則可視爲零。 其次，主控制系統20，進行下式(8)之運算，求出將晶 圓W之方向設定於0°之方向之第2狀態的晶圓保持具25 之中心位置H〇。 H〇= (FM1(2)+FM2⑺+FM3(2)+FM4⑺)/4 …⑻ 當然，該H〇實際上係2維之座標値。 其次，主控制系統20，將第2狀態之晶圓上之代表點 P的位置座標W〇，根據下式(9)加以算出。 W〇 = (AM 1 (2)+AM2(2)+AM3(2)+AM4(2))/ 4 …（9) 當然，該W〇實際上係2維之座標値。 其次，主控制系統20，將第2狀態之保持具中心位置 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂ί •線丨---- 512428 A7 _ B7 ___ 五、發明說明（>7) 與晶圓上之代表點P的X軸方向之距離L〇x、Y軸方向之 距離L〇y，各根據下式（10)、（11)算出’將該等算出結果記 憶於記憶體。 L〇x= H〇x-W〇x …（10) L〇y= H〇y-W〇y …（11) 在此，在從「第1狀態」移至「第2狀態」時，係在 將晶圓保持具25與晶圓W之位置關係保持在一定關係之 狀態下，以晶圓保持具25之旋轉軸中心(與晶圓保持具之 中心大致一致)爲中心使保持晶圓W之晶圓保持具25旋轉 180° ，且維持校準顯微鏡AS爲同一姿勢。因此，保持具 中心位置與晶圓上之代表點P的X軸方向之距離L0X、Y 軸方向之距離LQy，能分別以下式（10)’、（11)’表示。 L〇x= H〇x-( H〇x-Wx + TISx) =Wx—TISx "•(10) L〇y= H〇y— ( H〇y— Wy + TISy) =Wy—TISy …（11) 由上述之式（6)’與式（10)’，及式（7)，與式（11)’，能得如 下TISx、TISy之算出式。 TISx = (Li8〇x — L〇x)/2 ---(12) TISy = (L18〇y — L0y)/2 …（13) 此處，主控制系統20，根據上式（12)、（13)算出校準 顯微鏡AS之TIS之X成分、Y成分。 如上所求得之校準顯微鏡AS之TIS，從在第2狀態測 量之校準標記AMn(n=l，2，3，4)之位置座標AMn(2) 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f I I ι_ϋ ·ϋ 1 ϋ ϋ i··— I ϋ Hi in —Bi · mmmmmm l I ·ϋ 1 11 11 ϋ I I m n n ^^1 i 11 I n 512428 A7 _ B7_ 五、發明說明（d ) (AM1(2)，AM2(2)，AM3(2)，AM4(2))扣除，求出真校準標記 AMn(〇) 〇 亦即，主控制系統20，根據下式（14)，對校準標記位 置之測量結果進行TIS校正。 AMn(0)= AMn(2)-TIS …（14) 以該校正後之値爲本，進行使用增強型全面校準 (enhanced global alignment，EGA)方式之精細校準，該 EGA方式，係藉由例如使用在特開昭61_44429號公報等 所詳細揭示之最小平方法之統計運算，算出晶圓W上之曝 光照射區域的排列座標。 其次，主控制系統20，以步進掃描方式使晶圓W上 之曝光照射區域曝光。該曝光動作，係以下述方式進行。 亦即，平台控制系統19，應主控制系統20根據前述 校準結果所賦予之指令，一邊監測X軸、γ軸干涉計之測 量値，一邊控制晶圓平台驅動部24，將晶圓平台WST移 動至用以進行晶圓W之第1步驟照射區域之曝光的掃描開 $口位置。此日寸’作爲校準結果’由於係使用校正校準顯微 鏡AS之TIS的位置資訊，根據視此求得之曝光照射區域 排列座標來算出掃描開始位置，因此應來自上述主控制系 統20之指令來移動晶圓平台WST的話，其結果即行晶圓 平台WST(晶圓保持具25)之位置控制，以修正校準顯微鏡 AS 之 TIS。 其次，平台控制系統19，應主控制系統20之指示， 開始標線片R與晶圓W，亦即，開始標線片平台RST與晶 30 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t

一5J • —^1 ^1 ϋ ϋ ϋ— ϋ·1 i^i I n ·_1 1 n 1 n I 1 ϋ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) "~" 512428 A7 ___ B7___ 五、發明說明（β) 圓平台WST之Υ軸方向的相對掃描。當兩平台RST、 WST分別達到目標掃描速度，達到等速同步狀態時，即開 始以來自照明系統10之紫外脈衝光照明標線片R之圖案 區域，開始掃描曝光。上述相對掃描，係藉由平台控制系 統19，一邊監測晶圓雷射干涉計18及標線片干涉計16之 測量値，一邊控制未圖示之標線片驅動部及晶圓平台驅動 部24來進行。 平台控制系統19，特別是在上述掃描曝光時，係以使 標線片平台RST之Υ軸方向之移動速度Vr與晶圓平台 WST之Y軸方向之移動速度Vw，維持於對應投影光學系 統PL之投影倍率（1/4倍或1/5倍)的速度比之方式，進行 同步控制。 然後，逐次以紫外脈衝光照明標線片R之圖案領域之 不同領域，完成對圖案領域全面之照明，即結束晶圓W上 之第1曝光照射區域之掃描曝光。據此，標線片R之圖案 即透過投影光學系統PL縮小轉印於第1曝光照射區域。 以上述方式，結束第1曝光照射區域之掃描曝光後， 根據來自主控制系統20之指示，以平台控制系統19，透 過晶圓平台驅動部24使晶圓平台WST步進移動於X，Y軸 方向，移動至用以進行第2曝光照射區域之曝光的掃描開 始位置。 然後，應主控制系統20之指示，藉平台控制系統19 、及未圖示之雷射控制裝置，與上述同樣地控制各部之動 作，對晶圓W上第2曝光照射區域進行與上述同樣之掃描 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂---

mmmmme I ϋ 1 n ϋ ϋ ί n ϋ ϋ I ϋ I m n I m n m ϋ n n n I 512428 A7 ___B7_____ 五、發明說明O。） 曝光。 如上述般，反覆進行晶圓W上曝光照射區域之掃描曝 光與用以進行下一曝光照射之步進動作，依序將標線片R 之圖案攝像至晶圓W上之所有曝光對象照射區域。 對晶圓W上所有曝光對象照射區域之圖案轉印完成後 ，與下一晶圓交換，進行與上述同樣之校準、曝光動作。 但是，對批內第2片以後之晶圓，可省略上述校準顯微鏡 之TIS測量。此係因，由於對同一批內之晶圓，係經同一 製程形成同一校準標記，因此即使直接使用測量該批最前 面所求得之TIS値，對校準測量結果進行TIS校正，亦能 進行充分高精度之TIS校正之故。 因此，針對批內第2片以後之晶圓，可省略基準標記 FM1〜FM4之位置測量，而僅需進行附設於預先被選擇之 複數個曝光照射區域（樣本攝像）的校準標記之位置測量， 而進行EGA方式之晶圓校準。 由上述之說明可知，本實施形態中，係以晶圓雷射干 涉計18、主控制系統20、晶圓保持具25、上下動/旋轉 機構74等，來構成測量校準顯微鏡AS之TIS的測量裝置 。又，以主控制系統20，構成第1檢測控制系統、第2檢 測控制系統、運算裝置，以該主控制系統20與平台控制系 統19來構成控制裝置。 如以上所詳細說明，根據本實施形態之曝光裝置100 ’以在晶圓平台WST上將晶圓保持具25之方向設定於既 定方向的「第1狀態」，使用校準顯微鏡AS與晶圓雷射 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ I n I ϋ n I I I ϋ ·ϋ n ϋ ϋ ·ϋ I in n ϋ in I n I ϋ 512428 A7 ____Β7___ 五、發明說明（U ) 干涉計18，檢測形成於晶圓保持具25上之基準標記FM1 〜FM4之位置資訊，與搭載於晶圓保持具25上之晶圓W 上之校準標記AM1〜AM4之位置資訊，進一步使晶圓保持 具25從「第1狀態」成爲旋轉180°之「第2狀態」，進 一步檢測在「第1狀態」中所檢測之位置資訊的各標記之 位置資訊。然後，使用各檢測結果算出起因於校準顯微鏡 AS之檢測誤差，亦即TIS。又，TIS測量，因能使用實際 處理之晶圓來進行，故不需要準備工具晶圓，且根據實際 使用於曝光之晶圓上的校準標記之位置測量結果算出TIS 。因此，能以短時間且高精度測量實處理之晶圓的校準顯 微鏡AS之TIS。 又，由於係自實際測量之値扣除以上述方式求得之校 準顯微鏡AS之TIS，根據此値進行標線片R與晶圓W上 之各曝光照射區域的位置對準（精細校準），因此藉重疊精 度之提昇，能實現高精度之曝光。 又，本實施形態中，保持晶圓之晶圓保持具25，其構 成係能在晶圓平台WST上旋轉大致180° 。因此，即使是 使用前述工具晶圓進行習知之校準顯微鏡AS之TIS測量 ，僅需將晶圓保持具25之方向從設定於既定方向之「第1 狀態」移至「第2狀態」，即可進行測量。因此，不需要 旋轉180°後再度搭載於基板保持具之步驟，且亦能防止 該旋轉前後晶圓之位置偏移。因此，本實施形態之平台裝 置，能適合使用於校準顯微鏡AS之TIS測量。 又，上述實施形態，雖係就在晶圓保持具上設置4個 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—丨丨丨丨訂---------I---- 512428 B7 _ 五、發明說明（P ) 測量用基準板(基準標記），將該等4個基準標記全部作爲 位置測量對象，與此對應的從晶圓W上之校準標記內選擇 4個校準標記，進行該等校準標記之位置測量，以4個基 準標記之位置之平均、4個校準標記之位置平均，分別作 爲位置資訊加以使用，根據該等位置資訊算出校準顯微鏡 AS之TIS的情形做了說明。然而，本發明當然不限定於此 〇 亦即，用以求出起因於標記檢測系統之檢測誤差之算 出的位置資訊之基準標記、校準標記之位置資訊之數量’ 並無特別限定，只要能求出基準標記與校準標記之位置關 係即可。因此，基準標記、校準標記亦可均爲1個，或亦 可僅其中之一爲1個。 又，上述本實施形態中，雖係就分別測量複數個基準 標記、複數個校準標記之位置，分別將各測量結果加以平 均化之情形做了說明，然而，作爲此統計處理，亦可使用 最小平方法。 亦即，使用上述之EGA方式之晶圓校準中’係假定： 顯示例如以下式（15)所示之含(a，b，c，d，Ox，〇y)之合計6個 未知參數（誤差參數）之晶圓上照射區域排列座標的標準式 。式（15)中，Fxn，Fyn，係晶圓W上曝光照射區域之平台 座標系統上之定位目標位置之X座標、Y座標。又’ Dxn， Dyn，係曝光照射區域之設計上之X座標、Y座標。 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曠 .

— — — — — — — — I — III 512428 A7 __ —_B7 五、發明說明（0 ) (式 15) _FxrT a bTDxn + "Ox' -••(15) Fyn c dj[Dyn 然後，以上述校準標記之測量所求得之排列座標之資 訊（實測値）與上述標準式所決定之計算上之排列座標的平 均偏移爲最小之方式，決定上述6個參數。此外’藉由將 所決定之參數代入上述標準式，以運算求出各曝光照射區 域之排列座標。此處，6個參數中，含有對攝像排列之平 台座標系統之X方向、γ方向之偏心量〇x，〇y。因此，主 控制系統20，與上述本實施形態同樣地進行校準標記之位 置測量，使用該測量結果以第1狀態、第2狀態之各狀態 求出偏心量〇x，〇y。 又，將來自晶圓保持具25上之基準標記FM1〜FM4 之排列座標之平台座標系統之X方向、Y方向的偏心量 Ox，Oy，作爲未知參數而包含之標準式，以和EGA方式之 晶圓校準同樣的加以假定。然後，以使自基準標記FM1〜 FM4之位置測量結果所求得之位置資訊，與上述標準式所 決定之計算値的偏移爲最小之方式，使用最小平方法來決 定X方向、Y方向之偏心量Ox，Oy。主控制系統20，與上 述本實施形態同樣地進行基準標記之位置測量，使用該測 量結果以第1狀態、第2狀態之各狀態算出偏心量Hox， HOy。 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

- ϋ ϋ ϋ n ϋ n n I n ϋ ϋ ϋ n ϋ ϋ I I ϋ ϋ 1 I n —.1 n m ϋ -I ϋ n ϋ ϋ ϋ n -I I i-i -I ϋ I 然後，主控制系統20，將各偏心量彼此間之差八 〇FF180X5 △OFFGx，△OFF18Gy，△OFFoy，根據下式（16)〜 (19)加以算出，記憶於記憶體內。 Δ OFFigox =〇180x — H〇i8〇x •••(16) △ 〇FF0x =HO〇X- O〇x …（17) Δ OFFlSOy =〇180y — H〇is〇y "•(18) △ 〇FF0y =HO〇y — O〇y •"(19) 512428 A7 _B7_ 五、發明說明（W ) 此處，設關於晶圓、晶圓保持具之X方向之真偏心量 爲Ox，Hox的話，式（16)、（17)，則如下。 △ OFF18〇X= (Ox+TISx)— HOx =Ox— HOx+TISx ."(16)’ △ OFF〇X= — HOx— (— Ox+TISx) = Ox—HOx—TISx ."(17)， 同樣的，設關於晶圓、晶圓保持具之Y方向之真偏心 量爲Oy，HOy，式（16)、（17)，則如下。 Δ OFFi8〇y = (Oy+TISy)—HOy =Oy — HOy+TISy …（18)， △ 〇FF0y = =—HOy— (— Oy+TISy) =Oy— HOy— TISy •••(19) 根據式（16)’與式（17)’，校準顯微鏡AS之TIS的X方 向成分爲

TlSx= (A〇FF180x- A〇FF0x)/2 …(20)

又，由式（18)’與式（19)’，校準顯微鏡AS之TIS的Y 方向成分就成爲 36 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I I---訂---------I AW---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512428 A7 ___B7___ 五、發明說明（U ) TISy 二（△OFF18〇y — △〇FF〇y)/2 …(21) 如此，主控制系統20，即根據式(20)、式(21)，算出 TISx，TISy，使用該等算出結果，將第2狀態所得之晶圓之 偏心量校正的値設爲新的Ox，Oy。 然後，主控制系統20，使用包含新Ox，Oy之所有參 數已決定的式（15)之標準式，算出晶圓W上之曝光照射區 域之排列座標。然後，根據該排列座標’應來自主控制系 統20之指示，藉平台控制系統19，控制晶圓平台WST(晶 圓保持具25)之位置，進行與前述實施形態同樣之步進掃 描方式之曝光。進行該曝光時，係行晶圓平台WST(晶圓 保持具25)之位置控制，以結果上修正校準顯微鏡AS之 TIS。 又，晶圓之校準方式，並不限於EGA方式，亦可採用 各步驟皆進行之(die by die)方式，此時，亦可將欲測量之 各曝光照射區域座標，如上述般使用預先求得之校準顯微 鏡AS之TIS加以修正即可。 此處，上述實施形態中，雖記載大致使晶圓保持具旋 轉180° 。保持具之旋轉，以180° ±0較佳。然而，由於 實現旋轉機構之手段造成之精度限制，與TIS測量上所要 求之精度，實際上，對180°含有容許値(例如180。±1〇 分程度，數mrad程度）之旋轉角即可，因此使用了大致 180°之表現。亦即，本說明書所述之「大致180°」，係 於180°中含有上述容許値之旋轉角。 又，晶圓保持具之基準標記之配置方法，不限於上述 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

·1111111 — — — — — — — — — I H 1 I 1· n ϋ —— — — — — — n I I I I I 512428 A7 ___B7___ 五、發明說明（4 ) 各實施形態所示，在晶圓保持具上固定形成基準標記之測 量用基準板的方法，亦可採用保持具上直接形成基準標記 的方法。此時，宜在保持具中央部設置凹部，使晶圓表面 、與晶圓保持具表面爲同一高度，晶圓保持具之材質，宜 使用剛性尚、熱膨膜率低之材料。 又，上述實施形態中，雖係針對將本發明適用於具有 1個晶圓平台與1個離軸校準顯微鏡AS之曝光裝置的情形 做了說明，但本發明不限於此，亦能適用於例如在特開平 10-163098號等所揭示之雙平台型、具有2個校準系統 (FIA)的曝光裝置，亦能分別測量各FIA之TIS。 又，上述實施形態中，作爲光源，雖係使用KrF準分 子雷射光源等之紫外光源、F2雷射光、ArF準分子雷射光 等之真空紫外域之脈衝雷射光源，但不限於此，亦可使用 Af2雷射光源(輸出波長126nm)等之其他真空紫外光源。又 ，例如，作爲真空紫外光不限於從上述各光源所輸出之雷 射光，亦可使用將DFB半導體雷射或纖維激光器所振盪之 赤外域、或可視域之單一波長雷射光，以摻雜餌(Er)(或餌 與鏡(Yb)之雙方）之光纖放大器加以放大，使用非線形光學 結晶變換波長爲紫外光的高次諧波。 又，上述實施形態，雖係就將本發明適用於步進掃描 方式等之掃描型曝光裝置之情形做了說明，但當然本發明 之適用範圍並不限定於此。亦即，對步進重複方式之縮小 投影曝光裝置亦能適用本發明。 又，藉由將由複數個透鏡構成之照明光學系統、投影 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 512428 A7 ____B7___ 五、發明說明（VI ) 光學系統裝入曝光裝置本體，進行光學調整、且將由多數 機械部件所組成之標線片平台或晶圓平台裝設於曝光裝置 本體，連接配線或配管，進一步進行總合調整(電氣調整、 動作確認等），即能製造出上述實施形態之曝光裝置。又， 曝光裝置之製造，最好是能在溫度及淸潔度等受到管理之 無塵室進行。 又，本發明，不限於半導體製造用之曝光裝置，亦可 適用於製造包含液晶顯示元件等之顯示器所使用的將元件 圖案轉印於玻璃板上的曝光裝置，製造薄膜磁頭所使用之 將元件圖案轉印於陶瓷晶圓上的曝光裝置，以及製造攝像 元件(CCD等）、微機器、DNA晶片等所使用的曝光裝置。 又，不僅是半導體元件等之微小元件，本發明亦能適用於 爲製造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、及電 子束曝光裝置等所使用的標線片或光罩，而將電路圖案轉 印於玻璃基板或矽晶圓等的曝光裝置。此處，使用DUV( 遠紫外)光或VUV(真空紫外)光等的曝光裝置，一般係使用 穿透型標線片，作爲標線片基板係使用石英玻璃、氟摻雜 石英玻璃、螢石、氟化鎂、或水晶等。又，近接方式之X 線曝光裝置、或電子束曝光裝置等，係使用穿透型光罩(模 板（stencil)光罩，薄膜(membrane)光罩），作爲光罩基板係 使用矽晶圓等。 [發明效果] 如以上所說明，本發明之平台裝置，例如，非常適合 使用於校準顯微鏡AS之TIS測量。 39 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « an ϋ n n n n n ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ I n n i-i n ϋ n ϋ 512428 A7 _____B7____ 五、發明說明（W ) 又，根據本發明之測量裝置及測量方法，有能以短時 間且高精度測量起因於對實處理基板之標記檢測系統之檢 測偏差的效果。 根據本發明之曝光裝置及曝光方法，有提高曝光精度 的效果。 40 本紙張尺度國國家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I .1 ϋ n ϋ ϋ n I ϋ I I ϋ I n I I ϋ n ϋ I n ϋ n n ϋ ϋ I n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ n I n ϋ

Claims (1)

1. 2428 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種平台裝置，係用以保持基板，其特徵在於，具 備： 平台，係於2維面內移動； 基板保持具，係搭載於前述平台上，能保持前述基板 繞與前述2維面正交之既定旋轉軸作大致18〇。旋轉；以 及 驅動裝置，係用以旋轉驅動前述基板保持具。 2 · —種測量裝置，係測量對基板上形成之標記作光學 檢測之標記檢測系統所引起的檢測偏差，其特徵在於，具 /-H-. · 備· 平台，係於2維面內移動； 位置檢測系統，用以檢測前述平台之位置； 基板保持具，搭載於前述平台上，能保持前述基板繞 與述2維面正交之既定旋轉軸作大致18〇。旋轉，且在 前述基板之保持面外側部分至少配置1個基準標記； 驅動裝置，用以旋轉驅動前述基板保持具； 第1檢測控制系統，係將前述標記中至少i個特定之 基準標記之位置資訊與前述標記中至少1個被選擇之位置 Μ準彳示5己之位置資訊，在即述基板保持具之面向係設定於 既定方向之第1狀態下，使用前述標記檢測系統與前述位 置檢測系統來加以檢測； 第2檢測控制系統，係在透過前述驅動裝置將前述基 板保持具從前述第1狀態旋轉180。之第2狀態下，將在 則述第1狀態下檢測出前述位置資訊之前述各標記之位置 _____1 Ϊ紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公變) " -- (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂： 線 512428 028895 ABCD 六、申請專利範園 資訊，使用前述標記檢測系統與前述位置檢測系統來加以 檢測；以及 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 運算裝置，係使用前述第1檢測控制系統與前述第2 檢測控制系統之檢測結果來算出起因於前述標記檢測系統 之檢測偏差。 3 ·如申請專利範圍第2項之測量裝置，其中前述第1 檢測控制系統及前述第2檢測控制系統之檢測結果，係i 個基準標記與前述基板上特定之1個位置對準標記的位置 資訊。 4 ·如申請專利範圍第2項之測量裝置，其中前述第1 檢測控制系統及前述第2檢測控制系統之檢測結果，分別 含有同一複數個基準標記之位置資訊； 線 前述運算裝置，分別統計處理前述複數個基準標記之 位置資訊以算出關於前述第1、第2狀態之前述基板保持 具之位置的資訊，使用該算出結果來算出起因於前述標記 檢測系統之檢測偏差。 5 ·如申請專利範圍第2或4項之測量裝置，其中前述 第1檢測控制系統及前述第2檢測控制系統之檢測結果， 分別含有同一複數個位置對準標記之位置資訊； 前述運算裝置，分別統計處理前述複數個位置對準標 記之位置資訊而算出關於前述第1、第2狀態之前述基板 之位置的資訊，使用該算出結果來算出起因於前述檩記檢 測系統之檢測偏差。 6 ·—種曝光裝置，係以能量束使基板曝光以在前述基 ____ 2 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(21〇 X 297公釐） 512428 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 板上形成既定之圖案，其特徵在於，具備： 測量裝置，係申請專利範圍第2〜5項中任一項之測量 裝置；以及 控制裝置，係控制曝光時前述平台之位置，來修正以 前述測量裝置所測量之起因於前述標記檢測系統的檢測偏 差。 7 · —種測量方法，係用以測量起因於對基板上形成之 標記作光學檢測之標記檢測系統的像差，其特徵在於，包 含： 第1步驟，係在外周部附近至少形成有1個基準標記 之基板保持具上，裝載至少形成有1個位置對準標記之基 板； 第2步驟，係將前述基準標記中之至少1個特定之基 準標記、與前述基準標記中之至少1個被選擇之位置對準 標記，在將前述基板保持具之面向設定於既定方向的第1 狀態下，使用前述標記檢測系統檢測，根據該檢測結果與 前述各標記之檢測時之前述基板保持具之位置來求出前述 檢測對象之各標記之位置資訊； 第3步驟，係在將前述基板保持具從前述第1狀態繞 大致正交於前述基板之裝載面之既定旋轉軸旋轉180°的 第2狀態下，使用前述標記檢測系統來檢測前述檢測對象 之各標記，根據該檢測結果與前述各標記之檢測時之前述 基板保持具之位置來求出前述檢測對象之各標記之位置資 訊；以及 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) . I 線 512428 A8B8C8D8 κ、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 第4步驟，係使用在前述第2、第3步驟中分別求出 之前述檢測對象之各標記之位置資訊，算出起因於前述標 記檢測系統之檢測偏差。 8 ·如申請專利範圍第7項之測量方法，其中前述第2 步驟及第3步驟，係求出1個基準標記與前述基板上特定 之1個位置對準標記的位置資訊。 9 ·如申請專利範圍第7項之測量方法，其中前述第2 步驟及第3步驟所求出之位置資訊，分別含有同一複數個 基準標記之位置資訊； 前述第4步驟，係分別統計處理前述複數個基準標記 5：位置資訊以算出關於前述第1、第2狀態之前述基板保 持具之位置的資訊，使用該算出結果來算出起因於前述標 記檢測系統之檢測偏差。 線 10 ·如申請專利範圍第7或9項之測量方法，其中前 述第2步驟及第3步驟所求出之位置資訊，分別含有同一 複數個位置對準標記之位置資訊； 前述第4步驟，係分別統計處理前述複數個位置對準 標記之位置資訊以算出關於前述第1、第2狀態之前述基 @之位置的資訊，使用該算出結果來算出起因於前述標記 檢測系統之檢測偏差。 11 ·如申請專利範圍第10項之測量方法，其中關於 前述基板位置之資訊，係根據前述複數個位置對準標記之 位置資訊的平均値求出。 12 ·如申請專利範圍第9項之測量方法，其中作爲前 — —___ 4___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 512428 09800¾ ABCD κ、申請專利範圍 述統計處理之結果而得之關於前述位置的資訊，係規定前 述基板保持具之移動的正交座標系統上之座標軸方向的偏 心量。 13 ·如申請專利範圍第10項之測量方法，其中作爲 前述統計處理之結果而得之關於前述位置的資訊，係規定 前述基板保持具之移動的正交座標系統上之座標軸方向的 偏心量。 14 · 一種曝光方法，係以能量束使基板曝光以在前述 基板上形成既定圖案，其特徵在於，包含： 測量步驟，係以申請專利範圍第7項之測量方法，來 測量起因於前述標記檢測系統之檢測偏差；以及 控制步驟，係控制曝光時前述基板保持具之位置，以 修正起因於所測量之前述標記檢測系統之檢測偏差。 C請先閱讀背面之注意事項再塡.寫本頁} '一叮 5