TW506233B - A method of hot switching a plasma tuner - Google Patents

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TW506233B
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TW
Taiwan
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switch
bias
switching
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pin diode
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TW090120301A
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Sean O Harnett
Richard W Brounley
Richard E Chruch
Original Assignee
Eni Technology Inc
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Description

506233 • kl __ B7_ 五、發明説明(1 ) 本發明之背景: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明一般係有關一種電漿室調諧器,尤指一種固態 調諧器,被用來使RF產生器之阻抗與電漿室或類似之非線 性負載匹配。 電漿室係一低壓、充滿氣體之封閉體,被用在處理操 作方面,例如RF濺擊、電漿沉積、及反應離子蝕刻,這些 處理操作主要被用於積體電路及光碟製造。對於那些需要 RF電力訊號的處理操作而言,電漿室被RF產生器所激勵 ,而RF產生器一般操作於13.56 MHz、27.12 MHz、及 40.68 MHz之ISM頻帶中,電漿室之輸入阻抗係高度非線性 的,在該室之不同的操作模式期間改變。雖然電漿處理系 統能夠使用較低及較高的頻率,但是在RF產生器市場上所 使用之頻率中佔優勢的是13.56 MHz。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 典型上,RF產生器在預定的頻率處(例如13.56 MHz)產 生RF電波,產生器經由一電源導線管而被連接至電漿室, RF產生器之輸出典型上被設計爲一固定、已知的阻抗,例 如50歐姆。典型上,因爲有一伺服器阻抗在RF產生器與 電漿室之間不匹配,所以一自動阻抗匹配調諧器一般被連 接在該產生器與該室之間。 阻抗匹配調諧器最近已從機電調諧器發展至固態調諧 器,機電調諧器典型上係電動機驅動裝置,其控制一可變 電容器來使產生器之輸出阻抗與電漿室匹配。雖然,機電 調諧器能夠使RF產生器匹配於廣大範圍的電漿室輸入阻抗 ,但是他們擁有許多固有的缺點,包含了緩慢的響應、不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 二_ 506233 , A7 B7 五、發明説明(2) 良的可靠度、高且不可預測的功率損耗、以及高成本。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 回應機電調諧器的前述缺點,最近硏發出固態調諧器 ,如同在美國專利第5,4 7 3,2 9 1號中所敘述的,其整個內容 在此被倂入而當作參考資料,固態調諧器的到來修正了許 多機電調諧器的表列缺點,提供快速的響應及在低功率位 準處所增加之可靠度、可預測的功率損耗、及較低的成本 。但是,習知固態調諧器被限制於RF功率位準,其可以被 施加而同時調整阻抗,調整調諧器之阻抗而同時施加RF電 力被稱作熱切換,當在超過大槪300瓦之RF功率位準處嘗 試熱切換時,習知固態調諧器普遍地展現出不良的可靠度 本發明之槪述: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本熱切換方法及阻抗匹配電路擴展匹配電路之調諧範 圍,以包含所增加之功率位準,此熱切換方法及電路包含 將一受控阻抗網路連接在一 RF產生器輸出與一用以匹配阻 抗的電漿室輸入之間,受控阻抗網路包含一 RF開關,用以 切換預定的阻抗,此RF開關之裝置性能特性被決定。RF 電力從RF產生器,經由受控阻抗網路而被施加至電漿室, 阻抗匹配之訊號特性被測量,根據所測量之訊號特性來控 制RF開關,使得阻抗匹配被驅動而朝向預定的匹配範圍, 根據裝置性能特性而以任何速度來切換RF開關。 爲了爲本發明及其目的和優點有更完全的了解’參考 下面的說明書及伴隨之圖形。 本紙張尺度it用中國國家標準(CMS ) A4規格1ϋχ 297公釐) _ 5 - ~~ 506233 Α7 Β7 五、發明説明(3) 附圖之簡略說明: 圖1例舉依據本發明教旨之包含受控阻抗網路的RF電 力系統; 圖2係例舉依據本發明教旨之目前較佳實施例受控阻 抗網路的方塊圖; 圖3例舉依據目前之較佳實施例的幾個RF開關網路; 洗:例舉依據本發明之教旨的驅動器電路; 舉依據本發明之教旨的電流調整器電路; 圖例舉依據本發明教旨之驅動器電路的替換實 施例;以及 圖7例舉依據本發明教旨之熱切換方法的流程圖。 ('#先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 元件對照表 ίο:受控阻抗網路 12:RF產生器輸出 1 4 ·•電漿室輸入 1 6:RF輸入 18:RF輸出 20:阻斷電容器 22:耦合變壓器 24:—次切換元件電路 2 6:偏壓感測電路 27.DC偏壓輸出 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) Μ規格(210Χ297公釐) -6- 506233 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ Β7五、發明説明(4) 2 8 :驅動器電路 30,30a,30b,3 0c:RF 開關網路 32:控制器 34:二次切換元件電路 3 6:二次線圈 36a,36c:接腳二極體 3 8,3 8b:切換電容器 40,40b:RF抗流圈 36b:非隔離之接腳二極體 42切換電感器 50:順向偏壓開關 52:逆向偏壓開關 5 4 :電流調整器電路 55:順向偏壓電源供應器 56:箝位網路 60.·電流感測裝置 6 2 :箝位開關 64:自益放大電路 66:電容器 51:逆向偏壓電壓源 58:隔離之疊接開關 68:隔離器電路 70:CMOS驅動器 72:限制電阻器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 猶飞- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 506233 A7 B7 五、發明説明(5 ) 較佳實施例之詳細說明: , 參照圖1,例舉一被連接在一 RF產生器輸出1 2與一電 漿室輸入1 4之間的受控阻抗網路1 〇,此受控阻抗網路1 0 提供~可調諧之阻抗,用以減少產生器輸出12與電漿室輸 入14之間的阻抗不匹配。通常,RF產生器的輸出阻抗大槪 是固定的50歐姆,而電漿室之輸入阻抗爲廣泛變化的複數 阻抗,典型上,在1 -1 0歐姆及_j 5到-j 2 0歐姆的範圍中。 參照圖2,例舉一依據本發明之原理之受控阻抗網路的 目則較佳實施例,此受控阻抗網路1 0包含一 R F輸入1 6, 其經由一阻斷電容器20及一耦合變壓器22而被連接至一 RF輸出18,一偏壓感測電路26被連接至RF線路,用以監 視在電漿室所發展之DC偏壓電壓,偏壓感測電路26之DC 偏壓輸出2 7被連接至控制器3 2,一次和二次切換元件電路 24及34被連接至RF線路,以分別提供可控制之電容性及 電感性阻抗,一次切換元件電路24被連接在阻斷電容器20 與耦合變壓器22之間,二次切換元件電路34經由耦合變 壓器22之二次線圈36而被連接至RF線路,一控制器32 控制一次和二次切換元件電路24及34的切換。 一次切換元件電路24被用來調掉電漿室負載的實數部 分’電抗部分被選擇性地接入或切斷電路,以提供負載調 整。一次切換元件電路24包含多對的驅動器電路28及RF 開關網路30,用以選擇性地切換電抗部分,在目前的較佳 實施例中,電抗部分被組構成二進位加權配置,但是,本 本^張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 506233 A7 B7 五、發明説明(6) 發明之範疇包含其他的配置,例如均等加權的電抗部分。 二次切換元件電路34經由變壓器22而連接受控阻抗 ’用以調掉電漿室負載的電抗部分。類似於一次切換元件 電路24,驅動器電路28及RF開關網路30對包括二次切換 元件電路34,二次切換元件電路34之操作先前已被揭示及 主張於美國專利第5,473,29 1號中,其整個內容在此被倂入 而當作參考資料。 參照圖3,例舉幾個RF開關網路的替換實施例,本發 明之目前的較佳實施例包含一陰極接地之接腳二極體(pin diode)3 6a,如顯示於RF開關網路30a中,連接至接腳二極 體3 6a之陽極的是一切換電容器38及一 RF抗流圈40,切 換電容器38連接至個別切換元件電路之其他共同連接的RF 開關網路30之切換電容器38,以提供可切換阻抗,RF抗 流圈40使流經切換電容器38之RF訊號與連接至RF開關 網路30之相關聯的接腳(pin)驅動器電路28隔離,本發明 之範疇包含具有陽極防護組態之RF開關網路。
第一替換RF開關網路30b使用一連接至一切換電容器 3 8b及一 RF抗流圈40b的非隔離之接腳二極體36b,RF抗 流圈40再次使RF訊號與相關聯之接腳驅動器電路28隔離 ,並且切換電容器38b提供一可切換阻抗。包含有第一替 換RF開關網路30b的是一連接至變壓器22之一次側的DC 電流路徑,此DC電流路徑包括一從變壓器22之一次側耦 合至接地的RF抗流圈。除此之外,阻斷電容器20被連接 在變壓器22與RF輸出18之間,感測電路26被連接至RF (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 衣 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 9 - 506233 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ Β7 ____五、發明説明(7 ) 輸出18,一第二替換RF開關網路30c包含一切換電感器 42,以提供一可切換阻抗,一與切換電感器42串聯之接腳 二極體36c控制阻抗之施加。 參照圖4,例舉驅動器電路28之目前的較佳實施例, 驅動器電路2 8產生低阻抗訊號於驅動器輸出上,用以驅動 相關聯的RF開關網路30,此驅動器電路包含一順向偏壓開 關50及一逆向偏壓開關52,用以分別切換一 + 5安培之順 向偏壓電壓,藉以提供一 0.5安培之順向偏壓電流,以及一 —1000伏特之逆向偏壓電壓。在較佳實施例中,MOSFETs 被用於順向及逆向偏壓開關50及52,但是,本發明之範疇 包含使用其他開關,例如BJT’s及IGBT’s。 電流調整器電路54與一順向偏壓電源供應器55及順 向偏壓開關50串聯連接,以調整供應至RF開關的順向偏 壓電流,此電流調整器電路54包含一與R-C負載網路並聯 連接之電阻器,而R-C負載網路被用來限制供應電源至RF 開關之順向偏壓電流的振幅。雖然此目前的較佳實施例使 用一電阻器-電容器網路,但是,本發明之原理可以很容易 地擴展至其他的被動網路以及主動電流調整器電路,例如 圖5中所例舉之調整器電路。 一箝位網路56被連接在順向偏壓開關50與逆向偏壓 開關52之間,用以減少順向偏壓開關50的切換時間,並 限制交互導通電流,一被連接在順向偏壓開關50與逆向偏 壓開關52之間的電流感測裝置60觸發一箝位開關62,其 加速順向偏壓開關50的關閉。在目前的較佳實施例中,~ 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) ~\〇1 ~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) β. 丁 -5 -· 506233 A7 B7 _ 五、發明説明(8 ) -電阻器被使用作電流感測裝置60,而一切換電晶體被用作 箝位開關62。 一自益放大(bootstrap)電路64提供一低阻抗能量源, 用以打開順向偏壓開關50,自益放大電路64包含串聯電阻 器及一電容器66與一齊納(Zener)二極體並聯,在順向偏壓 開關50被關閉的同時,儲存在電容器66中之能量被供應 至打開時之順向偏壓開關50,以增加順向偏壓開關50的切 換速度。 一隔離之疊接(cascode)開關58從逆向偏壓開關52而被 連接至逆向偏壓電壓源51,除了在驅動器輸入與逆向偏壓 電源供應器之間提供電壓隔離以外,疊接開關58控制逆向 偏壓開關52之操作,較佳地,一光耦合器被用作此隔離之 .疊接開關58,在較佳實施例中,使用HP 4N37光耦合器。 使用一隔離之疊接開關58連同逆向偏壓開關52擴大了疊 接開關58的耐電壓能力,並且自驅動輸入提供電壓位準轉 換,用以切換相對高的逆向偏壓電壓。 一隔離器電路68提供從驅動器輸入到連接至順向偏壓 開關50之電路的電壓位準轉換,在此較佳實施例中,一對 光耦合器被用作隔離器電路68。 圖6A例舉驅動器電路28的替換實施例,在此實施例 中,藉由一具有磁滯輸入之CMOS驅動器來驅動順向偏壓 開關50,除此之外,隔離器電路68係由一單一光耦合器所 構成的,而此單一光耦合器係與隔離之疊接開關58串聯而 被驅動。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·-% 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 506233 1 A7 _ B7 五、發明説明(9) 參照圖6B,例舉驅動器電路28的第三實施例。第三實 施例與先前之驅動器電路實施例的差異在於驅動器電路28 被組構來驅動一陽極接地RF開關。因而,順向偏壓開關50 和逆向偏壓開關52之組態係相反的,- 5伏特之順向偏壓 電壓供應一偏壓電流至由電阻器之値所限制的RF開關,而 此電阻器被用作電流調整器54。疊接開關58再次被用來操 作逆向偏壓開關52,切換+ 500伏特以逆向偏壓RF開關, 驅動器輸入經由光耦合器而被連接至偏壓開關50及52,而 光耦合器被用於疊接開關58及隔離器電路68。 參照圖6C,例舉驅動器電路28的第四實施例。第四實 施例包含一順向偏壓開關50及調整器電路,用以將約- 5 伏特之順向偏壓電壓供應至隔離之RF開關。約+ 500伏特 之逆向偏壓電壓經由一限制電阻器72而被供應至RF開關 ,驅動器輸入經由被用作隔離器電路68之光耦合器而被連 接,一 NPN電晶體緩衝隔離器電路68之輸出,並驅動順向 偏壓開關50。 本發明辨識藉由確保被供應至接腳二極體之順向偏壓 電壓具有比接腳二極體之載子壽命還少轉變時間,以幫助 受控阻抗網路之熱切換。本發明另辨識藉由確保被供應至 接腳二極體之逆向偏壓電壓具有比接腳二極體之載子壽命 還少轉變時間,以提高熱切換。 參照圖1及圖7,例舉熱切換系統之目前較佳實施例的 操作。在步驟80,接腳二極體之切換特性被決定,在目前 的較佳實施例中,載子壽命被用來代表切換特性。在步驟 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -12- 506233 A7 B7 五、發明説明(1() 82,RF產生器12經由受控阻抗網路10而被連接至電漿室 14,然後,在步驟84,RF電力被產生,在步驟86,在RF 產生器1 2與電漿室1 4間之交互作用的匹配特性被測量, 在目前的較佳實施例中,所測量之匹配特性爲駐波電壓比 (VSWR)。在步驟88,控制器32根據所測量之匹配特性來 決定用於接腳二極體的控制訊號,在步驟90,控制器32產 生驅動器輸入訊號,用以控制與接腳二極體有關的驅動器 電路28。在步驟92,驅動器輸入訊號係浮接自接地,以便 讓高側開關被驅動,在步驟94,藉由驅動器輸入訊號來驅 動偏壓開關,使得在偏壓開關輸出處之偏壓電壓的轉變時 間少於接腳二極體載子壽命,在步驟96,流經偏壓開關之 偏壓電流被調整,以確保接腳二極體之可預測的RF操作。 本發明之熱切換方法擴展受控阻抗網路的操作範圍* 此方法允許受控阻抗網路的切換,其施加有RF電力之高位 準。 因此,將可從上面領會到,由於本發明的結果,一種 熱切換方法及驅動器電路被提供,尤其,主要的目標藉由 該熱切換方法及驅動器電路而被完全實踐,修正及/或改變 可以被達成於所例舉之實施例中而沒有違離本發明將是同 等明顯且係所欲者。因此,明確地想要前面的敘述及伴隨 之圖形祇是例舉較佳實施例,而非限制,並且意欲參照附 加之申請專利範圍及其法定等同之物,將可判定本發明之 真正的精神及範疇。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

  1. 506233 ABCD π、申請專利範圍 1、 一種阻抗匹配方法,用以調諧一連接在產生器輸出 與電漿室輸入之間的受控阻抗網路,使得阻抗匹配被控制 ’該受控阻抗網路包含一具有裝置性能特性之RF開關,該 方法包括步驟: 決定RF開關裝置性能特性; 將RF電力施加於電漿室輸入; 測量阻抗匹配之訊號特性;以及 根據所測量之訊號特性來切換RF開關,使得阻抗匹配 被驅動而朝向預定的匹配範圍; 其中,該RF開關係根據裝置性能特性而以一速度來切 換RF開關。 2、 如申請專利範圍第1項之方法,其中該切換rf開 關之步驟另包含切換至導通狀態。 3、 如申請專利範圍第1項之方法,其中該切換RF開 關之步驟另包含切換至非導通狀態。 4、 如申請專利範圍第1項之方法,其中該阻抗匹配訊 號特性係選自一駐波電壓比(VSWR)、一相位誤差訊號、及 一數値大小誤差訊號之群中。 5、 如申請專利範圍第1項之方法,其中該切換R F開 關係一 PIN二極體。 . 6、 如申請專利範圍第5項之方法,其中裝置性能特性 爲PIN二極體載子壽命。 7、 如申請專利範圍第6項之方法,其中該切換步驟包 含在約比PIN二極體載子壽命還少的時間內切換PIN二極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -IP. 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 506233 A8 · Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 體。 8、 如申請專利範圍第7項之方法,其中該切換PIN二 極體之步驟另包含藉由施加一順向DC偏壓而切換至導通狀 9、 如申請專利範圍第7項之方法,其中該切換pin二 極體之步驟另包含藉由施加一逆向DC偏壓而切換至非導通 狀態。 1 0、如申請專利範圍第8項之方法,其中該施加順向 DC偏壓之步驟包含具有約比PIN二極體載子壽命還少的轉 變時間。 1 1、如申請專利範圍第9項之方法,其中該施加逆向 DC偏壓之步驟包含具有約比PIN二極體載子壽命還少的轉 變時間。 1 2、一種用來匹配產生器輸出及電漿室輸入以便控制 阻抗匹配之方法,其包括步驟: 提供一受控阻抗網路,該受控阻抗網路包含一具有性 能特性之RF開關; 將RF電力施加於電漿室輸入; 測量阻抗匹配之訊號特性;以及 根據所測量之訊號特性來切換RF開關,使得阻抗匹配 被驅動而朝向預定的匹配範圍; 其中,該RF開關係根據性能特性而以一速度來切換 RF開關。 1 3、如申請專利範圍第1 2項之方法,其中該阻抗匹配 本紙涨尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格( 210X297公釐j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -15- 506233 A8 B8 C8 D8 _·_ 々、申請專利範圍 訊號特性係駐波電壓比(VSWR)。 1 4、如申請專利範圍第1 3項之方法’其中該切換RF (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 開關係一 PIN二極體。 ' 1 5、如申請專利範圍第1 4項之方法’其中裝置性能特 性爲PIN二極體載子壽命。 1 6、如申請專利範圍第1 5項之方法’其中該切換步驟 包含在約比PIN二極體載子壽命還少的時間內切換PIN二 極體。 17、如申請專利範圍第1 6項之方法,其中該切換PIN 二極體之步驟另包含步驟: 施加一順向DC偏壓以使PIN二極體切換至導通狀態; 以及 施加一逆向DC偏壓以使PIN二極體切換至非導通狀態 〇 1 8、如申請專利範圍第1 7項之方法’其中該施加順向 DC偏壓之步驟包含在約比PIN二極體載子壽命還少的時間 內從逆向DC偏壓轉變至順向DC偏壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9、如申請專利範圍第1 7項之方法,其中該施加逆向 DC偏壓之步驟包含在約比PIN二極體載子壽命還少的時間 內從順向DC偏壓轉變至逆向DC偏壓。 20、一種阻抗匹配方法,用以調諧一連接在產生器輸 出與電漿室輸入之_的受控阻抗網路,使得阻抗匹配被控 制,該方法包括步驟: 提供一受控阻抗網路,該受控阻抗網路包含一具有載 本^張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公嫠) ~ 506233 A8 , B8 C8 D8 六、申請專利範圍 子壽命之RF開關; 決定施加至電漿室輸入之RF電力; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 測量阻抗匹配之訊號特性;以及 根據所測量之訊號特性來控制RF開關,.使得阻抗匹配 被驅動而朝向預定的匹配範圍,其中,該控制步驟包括步 驟: 施加一順向DC偏壓以使PIN二極體切換至導通狀態; 施加一逆向DC偏壓以使PIN二極體切換至非導通狀態 ;以及 ' 在約比RF開關載子壽命還少的時間內,在約比PIN二 極體載子壽命還少的時間內從逆向DC偏壓轉變至順向DC 偏壓。 21、一種受控阻抗網路,連接在產生器輸出與電漿室 輸入之間,用以控制阻抗匹配特性,其包括: 一耦合變壓器,具有一次線圈及二次線圈,一次線圈 具有有效電抗,並被連接在產生器輸出與電漿室之間; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一 RF開關網路,具有一 RF開關,係可操作以將至少 一電抗元件選擇性連接至變壓器二次線圈,使得改變一次 線圈之有效電抗;以及 V 一驅動器電路,被連接RF開關網路,用以將順向偏壓 偏壓及逆向偏壓偏壓施加至RF開關,藉以使RF開關網路 在導通狀態與非導通狀態之間做切換,該驅動器電路包含 一由一串聯疊接開關所控制之逆向偏壓開關,用以施加逆 向偏壓偏壓。 本紙張適用中國國家標準( CNS ) A4· ( 210X297公董) ~ 一 506233 A8 B8 C8 ____ __ D8 _____ 夂、申請專利範圍 22、 如申請專利範圍第2 1項之受控阻抗網路,其中該 串聯疊接開關係一隔離之疊接開關。 23、 如申請專利範圍第2 1項之受控阻抗網路,其中該 驅動器電路另包括一順向偏壓開關,用以施加順向偏壓偏 壓’其中,該順向偏壓開關係由一自益放大電路來予以驅 動。 24、 如申請專利範圍第2 1項之受控阻抗網路,其中該 驅動器電路另包括一回授網路,用以減少順向偏壓開關的 關閉時間。 .' 25、 如申請專利範圍第23項之受控阻抗網路,另包括 一控制器,被連接至驅動器電路,用以產生驅動訊號來操 作該驅動器電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
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