TW505578B - Self-scanning light-emitting device - Google Patents

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Seiji Ono
Yukihisa Kusuda
Harunobu Yoshida
Ken Yamashita
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Description

505578 五、發明說明（1) 【技術領域】 t發明關於自掃描型發光裝置，特別是 知描型發光裝置。 j U正的自 【背景技術】
將多個發光元件積體在同一基板 驅動用電路組合，應用作為光印表"：：：與J 申請了引人注目的作為發光元件以=辛發 的、具有Ρ η ρ η結構的發光閘流體素 ”描的專利（曰本特開平號公；現=
=2 — 1 4584號公報、日本特開平2—9H 9265 1號公報），顯示了作為表^ = ^特 簡便、發光元件間距變小、可製成：2先源貫裝上 置等特點。 支】了-成小型的自掃描型發光裝 發明者們進一步提出了將轉送用的發光間流體· 荦）用發光閘流體陣列分離結構的自掃描‘ 案（日本特開平2— 263668號）。 知九展置的方 圖1中表示了該自掃描型發光裝置 置r送元m二用發光= 將轉送元3件的間極互组成使用了為 D3.... v A雷、“ t仃電乳連接的二極執、d2、 各轉送元件的閘極電叫、G .....員載電晚連接到 送元件的閘極電極〇 G ^ 而且，轉 光元件、L· 、L 2 .........运連接到寫入用發 2 .........的閘極電極上。在轉送元件乃的 \\312\2d-code\89.11\89H6982. ptd 第4頁 505578 五、發明說明（2) 閘極電極上施加啟動脈衝Ps ;轉送元件的陽極電極上交 替施加轉送用時鐘脈衝p 1和p 2 ;在寫入用發光元件的陽 極電極上施加寫入信號。在圖丨的等效電路中，由於轉 送元件和發光元件的陰極共同接地，因而是一種共陰極的 自掃描型發光裝置。 圖2顯示了這些啟動脈衝ps、轉送用時鐘脈衝φ 1和0 2、寫入信號h的脈衝波形。ρ 1和ρ 2的Η電平時間和l電 平時間之比（占空係數）均大致為1 ·· 1。 乂簡單地說明動作過程。首先令轉送用時鐘脈衝$丨的電 rH \電平，轉运凡件Α為導通狀態。此時’閘極電極 2、電位從VGK的5 V下降到〇 v。該電壓降的影響藉由— ===電極G3，其電位設⑽v左右 2置狀態，因此不將電位接到間極電蚪，閉反 電桎TV。由於發光閘流體的導通電位元近似於閘極 電極電位+p n結的擴散電位 於閘桎 轉送用時鐘脈衝μ的Η電平此右將下一個 通所必需的電壓）且低於4V ( = ^:道（轉送元件TJ 壓），則可以只使轉送元件τ 牛1導通所必需的電 送 截止。於是，導通狀態由丁丄、’ f其他轉送元件仍為 2相轉送用時鐘脈衝，轉送元3道採用這種方法，根據 £。 勺導通狀態依次進行傳 啟動脈衝是開始這種轉 同時轉送用時鐘脈 衝％設定為L電平（約為〇v作用的脈衝，當啟動脈 衝φ \\312\2D-C0DE\89-11\89116982.
Ptd 第 505578 五、發明說明（3) 然後 設定為Η電平（約2〜4V)時，使轉送元件 啟動脈衝h馬上回到jj電平。 〗导、 現在，一旦轉送元件乙處於導通狀態， 電塵成為幾乎0V。因而，若寫入信號 極電極心的 的擴散電& (约IV )，則可使發光元件1 〜尚於P :結 對於此’閘極電極。约為5V，閘“極態因 而，發光元件L!的寫人電麼約為“，發光I、= 麼約為2V。據此，只有發光元件^進行寫入電 的J J成為1〜2V的範圍内。發光元件L2導通，即一 3 就取決於寫入信號…，可以用任意 ^里進订發先。另外為了將發光狀態轉送到下—個發光元 :有必要使寫入信號屮丨的電壓一度下降 的發光元件斷開一次。 彳史^尤 這種自掃描型發光裝置用數個例如600dpi/l28s光元件 ，片(，度約5.4_)並列製作。這種發光晶片製作在晶 固上，猎由切割獲得。所得晶圓内發光元件的光量分佈 小’而晶片間的光量分佈大。 一在=3A和圖3B中表不了晶圓内光量分佈的一例。圖3A表 =了央吋晶片10的俯視圖，圖中表示χ —γ座標系。在χ座 標方向^發光元件並排，丨個晶片的長度定為5.4關左右。 ，3B表示，3曰A的X _丫座標系中各位置上的光量分佈。但 疋，忒光$是以晶圓内平均值進行標準化後的值。在圖3B 中表示改變4個Y座標（即γ=〇、〇·5、1〇、135英吋）的 X座標方向上的光量分佈。 第6頁 \\312\2D-CODE\89-ll\89116982.ptd 505578 五、發明說明（4) 由圖3B可知 光量分佈最大 圓研缽狀的光 %的偏差。此 分佈形狀，而 樣，雖然晶片 疋晶圓之間的 分佈。 因而，採用 光量分佈均勻 掃描型發光裝 以内時，有必 平均值等級， 一 319178 號公 然而，實際 自掃描型發光 必要將光量等 阻抗的分散性 面積增大，帶 用於光印表機 高。 此外，若將 分級操作複雜 引起效率變差 光量平均 的自掃描 置的多個 要將發光 將同一等 報）。 上由於自 裝置驅動 級的偏差 ，最終要 來成本增 等光學裝 :除去晶圓極邊緣部分的晶片外，晶片内的 偏差在± 〇 · 5 %左右，然而由於晶圓内同心、 夏分佈，晶圓内之晶片的光量平均值具有6 外，在其他的晶圓中也具有幾乎相同的光量 對母個晶圓而言光量平均值卻是分。 内光量值較一致，而一考慮到晶圓内、特別 分散性，則晶片的光量平均值顯示了很廣的 一致的發光晶片並列的 型發光裝置。例如，想 晶片的光量平均值偏差 晶片分成具有± 1 %偏差 級的晶片並列（參考曰 掃描型發光裝置内的電 電路的輸出阻抗存在誤 分得更狹。為了減小驅 將輸出阻抗本身做得小 加。此外，在將自掃描 置的場合，透鏡系統的 發光晶片光量平均的等級數增加 ，而且存在裝配時必須有多種 的問題。 ^ 方法來製作 要把構成自 限止在± 1 〇/Q 的多個光量 本特開平9 阻器值以及 差，因此有 動電路輸出 ’於是晶片 型發光裝置 精度也要提 ’則不僅使 的庫存品，
⑽578 五、發明說明（5) 【發明之揭示】 本發明的其他目的是 可修正發光晶片 7種進行發光元件光量修正、 置。 —日日片間光®分佈的自掃描型發光裝 本發明第1形態是如下 將多個具有控制臨限電屢或成二自電气=發光裝置：備有 送元件所配置而成的、3端子轉制電極的3端子轉 送f件的控制電極用第!電氣手中的相鄰的轉 電氣手段將電源線接到各轉、、关^ 妾，同時用的2種 轉送元件剩餘2個端子巾的_ : 6、控^電極上’並在各 的自掃描型轉送元件陣列 妾夕上=里脈衝線而形成 元件陣列；遠拢a、+，八丄 ^光凡件所配置而成的發光 元件陣列的；:ΐ = ΐ:;:;車和前述轉送 述發光元件的亮燈時間，修正光、tn·還備有調整前 路。 九里分佈使之均勻的驅動電 =明的第2形態是如下構成的自掃描型發 有將夕個具有控制臨限電壓或 、 備 轉送元件所配晋而“^山Λ 控制電極的3端子 送元件的批心成的子轉送元件陣列中的相鄰的轉 丨：件的控制電極用扪電氣手段相互連接：轉 電源線接到各轉送元件的控制電極上，並在 個端子中的一個上接上時鐘脈衝線而形成的 d轉达兀件陣列；備有將多個具有控制臨限電：或 第8頁 \\312\2d.code\89.1l\89H6982.ptd 五、發明說明（6) °σ限電流控制電極 件陣列；遠in \ 件所配置而成的發光元 件陣歹的發光元件陣列的控制電極和前述轉送元 餘2個端子設有將寫人信號連㈣各發光元件剩 給發光元件上的連線，其特徵為：備有藉由調變供 光2 述f入信號的電壓、修正各發光元件的發 1更光里分佈均勻的驅動電路。 【貫施發明之最佳形態】 下上根據圖式詳細說明本發明的實施例。 居[貫施例 使之：t 種調整發光元件亮燈時間、修正光量分佈 勻勻的自％描型發光裝置。 圖4顯示了丨丨^ , 片的驅動電m相驅動自掃描型發光裝置"的驅動晶 的驅動動5個發光晶片12-1、12-2 12-5 Ψ1^υ 2 對各晶片供給啟動脈衝h、2相時鐘脈衝 〇和92。而在各發光晶片12_1 …… 別供給寫入信鲈⑺彳 0 ^ U 5上为 _ ％ 2、Qi 3、Pi 4 和 h 5。 二又不/一個發光晶片的等效電路。該電路與圖i的電 極電路：發光元件的陽極共同接地的共陽 1 2 j須庄思：啟動脈衝、2相時鐘脈衝φ ⑷及寫入信號h的極性與圖2所示波形的極性相反。 逛 在一圖5中，VGA表示電源電壓，與圖1的VGK極性相反。 圖6表=區動電路14的組成。備有計數器18及移位暫存 t宜備有發生各寫入信號…1〜％ 5的電路。由於發 寫入信號的各電路結構相同，因此用發生h1的電路作
/〇 五、發明說明（7) 代表予以說明。 正，，=儲修正資料的唯讀記憶體（R0M ) 22、二段D型 =(D—FF) 24及26、比較謂、〇r閘極3〇和緩 3面2=。。關於存儲在_22中的修正資料的製成，將在後 圖圖J::2 :路“中各輸入信號的定時圖。參照該定時 動電路的動作過程。在驅動電路14中，脈衝φ1 ” Data" 輸出輸入信號V1、V2、Vs。資料信號 料搭载在輸入信號、的1個週期内。它指定 :移，暫存器20的輸出信號Q1的前沿保持在約級： ρϊΐ!18對由重定脈_〜前沿定時的基本時鐘c…的 進行計數。用比較器28，對計數器18的輸出和 *料值進行比較，如果計數器的計數值大於 多正資料值’比較器2 8的輸出信號c〇 1下降到l電平。 田用OR問極3〇取得第2級])_FF26的輸出信號％ 1、比較 态!的輪出信號C0 1、輸入信號％的邏輯和時，就得到 入信號φ I 1。 ^ =在，對基本時鐘c仙的週期為2〇心、輸入信號％的週 』為1 500=、輸入信號Vi為L·電平的時間1 200nS的條件 下，進行實驗。首先，將所有的ROM修正資料設為"〇"，令 5個發光晶片的全部發光元件處於發光狀態，進行光量測
505578
作為修正前的測定值，在圖8中顯示了結果。圖中， =I (光輸出）用時間平均功率（ew )表示。可以 ’如果採用修正前的測定值，晶片（晶片曰 曰日片5 )間的光量分佈的分散是大的。 將該修正前的測定值修正趨向到各晶片的平 # w那樣地確定修正資料。對晶片n的 · 式求得： 貝了十％ η用下 ^ η = 75 一 int(60 χ 4· 5 #w/編號為η的晶片的光量平均 值）式中，int為表示括弧内數值的整數部分的函數。一 75是1^週期/C clk週期；60是（V^L電平的 '表 期。 W υ elk 週 將如此求得的各晶片的修正DE η存入R0M22。然後，在 修正資料存入ROM的狀態下，5個晶片的所有發光點均處於 發光狀態，進行光量的測定。作為修正後的測定值，在圖 8中顯示了結果。 ϋ
表1表示根據圖8的測定值計算修正前和修正後各晶片的 平均光輸出及偏差’同時給出了的修正資料值。 表1 _ 晶片1 晶片2 晶片3 晶片4 晶片5 平均 修正 _、厶· 刖 光輸出 (β W) 5.349 5. 101 5. 149 4.900 5.051 5.110 偏差 (% ) 4.67 - 0. 18 0.76 -4.11 -1.15 -0. 00 修正 後 光輸出 (a W) 4.457 4.42 1 4.462 4.492 4.462 4.459 偏差 (% ) -0. 0 3 -0.85 0.08 0.74 0.07 0.00 修正資料 25 23 23 20 22
\\312\2D-CODE\89-H\B9116982.ptd 第11頁 505578
由表1可知 内 ’ 5個晶片的光暑八^^ 女 里刀佈可修正到偏差± 1%以 由於發先晶片内的光量分佈小，因而以 光量修正。本實施例的基本考慮是充分的。每：Tf1 修正育#，根冑該資料調整發光元 都有 間的光量平均值均勻。 ;五時間，使晶片 第2實施例 本實施例是藉由調變供 修正各發光元件的發光光 發光裝置。
=發光兀件的寫入信號的電壓、 1、使光量分佈均勻的自掃描型 圖9表示了驅動，，共陰極2相驅動自掃描型發光 34的驅動電路36。圖巾表* 了3個發光晶片34_^、3二曰3 和34二3。驅動這些發光晶片的驅動電路36供給各晶片啟 動脈衝仏、2相時鐘脈衝p 1及p 2、寫入a和電源電壓
^CK
驅動電路36備有各信號Ps、P 1、P 2、（^用的CMOS倒 相型f衝器38 (有NM0S電晶體37和PM0S電晶體39組成）， 特別是在寫入信號PI用的緩衝器中，在其電源部分中設 有電壓輸出的數位/類比轉換器（DAC ) 4〇。 DAC40採用8位元DAC，當輸入信號D1、D2、D3的數位值 為00H時輸出為〇v ;當輸入數位值為FFh時輸出為…。發光
\\312\2d-code\89.1l\89i16982.ptd 505578 五、發明說明（10)
元件導通時信號h的電壓約為1 · 5V，因此])AC40中不能使 用小於1 · 5 V的電壓值。假設發光元件的光輸出與供給發光 元件陽極的電壓成比例，則 5V-1. 5V
5V X 225 級=178. 5 級 藉由改變DAC的數位輸 入，可表現光輸出的中間值178。
在圖9中表示了驅動電路36的輸入信號vs、V1、V2、（V 1 Λ Vi 2 Ν νι 3 ) ，（ Dl、D2、D3 )。輸入信號vI ι、ν! 2
、V! 3對應於各晶片的寫入信號h，輸入信號D1、D2、D3 疋對應於各晶片的輸入DAC40的修正值的輸入數位值（8位 元）。 圖10是驅動電路36中各輸入信號的定時圖。如前所述， 修正資料Dl、D2、D3輸入DAC40，並輸出178級的電壓。在 缓衝器38通電定時，即信號' 1、Vi 23為[的定時 内，對應于全部發光元件DAC40的輸出電壓依次寫入。於 疋’藉由選擇修正資料，變更輸入發光元件寫入信號的電 壓，可對所有的發光元件進行光量修正。
雖然這樣也可對所有的發光元件進行光量修正，可是如 箣所述’由於在發光晶片内光量分佈小，因此也可進行晶 片間的光量修正。這種請況下，在通電定時内，將修正^ 料寫入DAC40並保持即可。 、 採用本實施例，由於用電壓調變進行光量修 可能進行精密的光量修正。
505578 五、發明說明（π) 第3實施例 圖11中表示的驅動電路6 8是圖9的驅動電路的變形例。 在這個變形例中，寫入信號h用緩衝器由下述元件組 成：在正電源侧設有電壓偏移用二極體6 4的C Μ 0 S變換器 (NM0S電晶體61，PM0S電晶體63)、與二極體64和NM0S電 晶體6 1的串聯電路並聯連接的N Μ 0 S電晶體6 2。圖中，該緩 衝器用66表示。Φδ、pi、用緩衝器為與圖9相同結構 的缓衝器38。 在圖11中表示了驅動電路68的輸入信號Vs、V1、V2
α 1、Vz 2、V! 3 ) ’（VD 1、VD 2、VD 3 )。信號VD 1 、VD 2、VD 3為調變輸入各晶片的寫入信號電壓的信 號。 信號VD i為Η狀態，信號Vi i成為L時，只有NM〇s電晶體 61導通」藉由二極體64及電晶體61，將電壓供給晶片34一 1的9〗信號端。由於石夕二極體的Π： A , 從篮的正向上升電壓約為0.6V， 因此當電源為5V時，緩衝器66的於山上 命00的輸出電壓為4.4V。另一方 面，信號V! 1為L狀態，信號vn ]忐士 现Vd 1成為L時，不只是NM0S電 晶體61而且NM0S電晶體也導通，^ ^ , nv L蜍通因此二極體64的兩端電位
差變為0V，一極體截止。於是， /、有電晶體62側的電流通 路有效，緩衝為66的輸出依然為電源電壓叮。 由於發光70件導通的h信號電壓 .v 1為L、信號VD 1為Η狀態下，役p : ’因而在^ #b 1 产嗜Φj ,；汉限流電阻35的值為比，則p I#唬電流為（4 · 4 — 1 · 5 ) / R •少户„上 焱τ佔能下 μ eφ、古尺1，在#唬Vi 1為L，信號VD 1 為L狀悲下，h #唬電流為（5〜1 R/ 勹〇 L 5 ) /R!，信號VD 1為Η
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時號^為“寺相比，h信號電流減少17%。 X ^ 70的光量修正採用下述方法進行：在信號Vi 1為 白、日、a内’调整信號VD 1成為L的時間的比例。採用這種 範圍只有如前所述的減少…信號電流的17 X ^ ^ ^Vl 1成為L的時間對每個發光元件而言為 ns田、基本時鐘週期為2〇ns時，它可用17 % /20与1 % 的度進订光量修正。在需要進一步增大調整範圍幅度 的場a /、要將二極體的數量增加到2個、：3個即可。 >，圖1 2中顯不了驅動圖丨丨驅動電路68的信號的定時。在 仏號V! 1、V! 2、V! 3為L·的期間内，調整使信號％％ 2、VD 3成為L的時間。 圖13表示在圖12輸入信號定時的例子中，各發光元件的 光輸出是如何變化的。在圖13中，表示了相對於％ i、％ 1波形的發光元件的光輸出。L ( # N )表示第i晶片（圖】上 中左侧的晶片）的第N個發光元件的輸出。由此可知，藉 由改變使化號VD 1成為L的時間就可進行光量修正。 此外，在本實施例中使用電壓偏移用二極體，然而使用 電阻器也打。另外，在本實施例中也可進行與第2實施例 相同的、以晶片為單位的光量修正。 第4實施例 在圖11的實施例中，NMOS電晶體62的電源和⑽⑽（61、 63 )的電源是從同一個電源Vgk ( 5V )中獲得的。在本實施 例中，如圖14所示，NMOS電晶體的電源獨立地從…信號 調變用電壓端子80取出。其他結構與圖丨丨相同，在相同的
505578 五、發明說明（13) 構成要素上標記相同的參照編號，加以表示。此外，71、 72、73為信號輸出端。 在上述那樣組成的驅動電路7 〇中，在電壓端子8 〇上施加 如圖1 5 A所示那樣的7級階梯形電壓v ( 80 )。在該例中， 第N級的電壓確定如下：4.4+〇·ιχ (N—1)2。
根據信號VD 1的脈衝可如圖丨5 B所示那樣改變…信號輸 出端Π的電壓V⑺）。即，信號Vi i為L時，_s電晶體 61導通，這時如信號Vd】為η ,則電流流過二極體64和 NMOS電晶體61，電壓V (71 )為44V。如果信號％ 1成為 L，則NM0S電晶體62導通，t壓調變用電㈣子 80的電壓V (80 )確定。圖15Β表示了它的狀態。即信號％ 1為L時，電壓V (80)在輪出端71上輸出。 右電壓V ( 71 )如此變化，則亮燈時間内的平均電壓為 \71V。採用這種方法可以用〇. 〇14ν的解析度將電壓的平 均值调整在4 · 4 V ^ 5 3 V夕^ ,» v.、丄 旦 你 3· 之間。用此方法可調整累積曝光 ° 本實施例中光量調整用電壓V ( 8 〇 ) 而可藉由增加二極體64的級數，最低 【產業上之可利用性】 採用本發明，可在自掃描型 為單位、或以發光晶片為單位 由此’採用這種自掃描型發光 列印質量。 【元件編號之說明】 最低值為4. 4V，然 電壓可進一步降低。 發光裝置中以所有發光元件 進行發光元件的光量修正。 裝置的光印表機頭，可提高
505578 五、發明說明（14) ^1、0!2、0!4、A5 :寫入信號 0 s :啟動脈衝 0 1、0 2 :時鐘脈衝 Dn :二極體 G η :閘極電極 Ln :寫入用發光元件 RL :負載電阻 Τ η :轉送元件 VeK :電源 12-1、12-2……12-5 :發光晶片 14 :驅動電路 18 :計數器 2 0 :移位暫存器 22 :唯讀記憶體（ROM ) 24、26 :二段D型正反器（D—FF) 28 :比較器 30 : 0R閘極 32 :緩衝器 34-1、34-23、34-3 :發光晶片 3 6 :驅動電路 37 : NM0S電晶體 38 : CMOS倒相型緩衝器 39 : PM0S電晶體 40 :數位/類比轉換器
\\312\2d-code\89-ll\89116982.ptd 第17頁 505578 五、發明說明（15) 61 62 63 64 68 70 71 72 73 80 Φ NMOS電晶體 NMOS電晶體 PMOS電晶體 電壓偏移用二極體 驅動電路 驅動電路 Φ I信號輸出端 Φ i信號輸出端 Φ 1信號輸出端 Ψ 1信號調變用電壓端子
\\312\2d-code\89-ll\89116982.ptd 第18頁 505578 i式簡單說明 圖1為表示自掃描型發光裝置 圖2為圖1電路的信號波形圖。 飞 圖3 A、圖3 B為表示晶圓内光量分 圖4為表示"共陽極二相驅動自例之圖式,。 晶片的驅動電路之圖式。 τ田尘發光裝置"的驅動 示一個發光晶片及其等效電路的圖式。 圖b為表示驅動電路組成的圖式。 圖7為驅動電路中各信號的定時圖。 圖8為表示修正前、後的測定值圖。 =9為表示”共陽極二相驅動自掃描型發光元件 驅動晶片的驅動電路圖。 j的 圖10為表示圖9驅動電路的輪入信號的定時圖。 圖11為表不驅動電路其他例子的圖。 圖1 2為表示驅動圖11驅動電路的輸入信號定時圖。 圖1 3為表示在圖1 2的輸入信號下各發光元件的光輸出狀 態圖。 圖1 4為表不驅動電路其他例子圖。 圖15A和圖15B為表示電壓V (80)和輸出v (71)之對應 關係圖。
\\312\2d-code\89-ll\89116982.ptd 第19頁

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1 · 一種自掃描型發光裝置，備 二或臨限電流的控制電極的3 #子轉送夕元 轉适το件陣列的相鄰轉送元件 牛斤配置的3端子 !段相互連接，同時藉由第2電氣工手:,二藉由第1電氣 运凡件的控制電極，並且 鏟、、、，—又將電源線接到各轉 一個上連接時鐘線，由此，70件剩餘2個端子中的 3備有將多個具有控送元件陣列； 3端子發光元件所配置的發光元半^限電流的控制電極的 件陣列的控制電極和前述轉送元歹1 ’連接前述發光元 在各個發光元件剩餘2個端子中一 \上列的控制電極，設置 線的自掃描型發光裝置，其特徵為· 接的寫入信號用 還備有以構成前述自掃描型發光 位’而調整前述發光元件的亮燈;攸舍光晶片為單 光量分佈，使之均勻的驅動電路。曰’仏正發光晶片間的 2. —種自掃描型發光梦罟 壓或臨限電流的控制電極的3端子轉送夕元個件具所有控制臨限電 =件：列的相鄰轉送元件的控^ 3端子 手段相互連接，同時藉由第2 :猎由弟1電氧 各轉送元件的控制電極，又而將電源線接到 中的-個上連接時鐘線，由此件剩餘2個端子 列； ““成的自掃描型轉送元件陣 備有將多個具有控制臨限電壓 :端子發光元件所配置的發光元二？，電連 件陣列的控制電極和前述轉送元件陣列的連控接制月=發= 第20頁 W312\2d-code\89-11\89116982.ptd /δ
    線的：t剩餘2個端+中一個上連接的寫入信號用 踝=自知描型發光裝置，特徵為： 光：：成前述自掃描型發光裝置的發光晶片内發 電路。〜且B間、使發光晶片内的光量分佈均勻的驅動 前3述ΪΓΐί利？圍第匕或2項之自掃描型發光裝置，其中 俨號的電路久母個則述發光晶片中都有生成前述寫入 :光、分佈用的修ΐί:預先保持調整亮燈時間而用以修 處在韋严狀離下沾進仃先置分佈修正的所有發光元件 述修。。， 然後根據測定得到的❹求得前 5’如申明專利範圍第4項之自掃描型發光 ^ ^ ^體端。子轉送元件和前述3端子發光元件均為;端子發光:； 6 · —種自掃描型發光裝 壓或臨限電流的控制電極 轉送元件陣列的相鄰轉送 手段而相互連接，同時藉 到各轉送元件的控制電極 子中的一個上連接時鐘線 陣列； 置，備有將多個具有控制臨限電 的3端子轉送元件所配置的3端子 元件的控制電極，藉由第丨電氣 由第2電氣手段’而將電源線接 ’並且在各轉送元件剩餘2個端 ，由此形成的自掃描型轉送元件 備有將多個具有控制臨 限電壓或臨限電流的 控制電極的
    505578 六、申請專利範圍 3端子發光元件所配置的發光元件陣列，連接前述發光元 件陣列的控制電極和前述轉送元件陣列的控制電極，設置 在發光元件剩餘2個端子中一個上連接的用以寫入信號用 線的自掃描型發光裝置，其特徵為： 備有藉由調變供給構成前述自掃描型發光裝置的發光晶 片内發光元件的前述寫入信號的電壓、修正各發光元件的 發光光量、使發光晶片内的光量分佈均勻的驅動電路。 7. —種自掃描型發光裝置，備有將多個具有控制臨限電 壓或臨限電流的控制電極的3端子轉送元件所配置的3端子 轉送元件陣列的相鄰轉送元件的控制電極，藉由第1電氣 手段而相互連接，同時藉由第2電氣手段，而將電源線接 到各轉送元件的控制電極，並且在各轉送元件剩餘2個端 子中的一個上連接時鐘線，由此形成的自掃描型轉送元件 陣列； 備有將多個具有控制臨限電壓或臨限電流的控制電極的 3端子發光元件所配置的發光元件陣列，連接前述發光元 件陣列的控制電極和前述轉送元件陣列的控制電極，設置 在發光元件剩餘2個端子中一個上連接的寫入信號用線的 自掃描型發光裝置，其特徵為： 還備有以構成前述自掃描型發光裝置的發光晶片為單 位、藉由調變供給發光元件的前述寫入信號的電壓、修正 發光晶片間光量分佈、使之均勻的驅動電路。 8. 如申請專利範圍第6或7項之自掃描型發光裝置，其中 前述驅動電路，在每個構成前述自掃描型發光裝置的晶片
    \\312\2d-code\89-ll\89116982.ptd 第22頁 DODD/Q
    上，有將電壓供給前述耷λ _ 的電源侧設置了數位比入上號線的緩衝器，在該緩衝器 數位輸入值，而調變緩衝3轉:上，藉由選擇該轉換器的 9.如申請專利範C輸出電壓。 、f @ β Α弟項之自掃描型發光裝置，其中前 达級衝1§疋CMOS反向器型的緩衝器。 I 0.如申請專利範圍筮β 。= * - Φ ^ a弟6或7項之自掃描型發光裝置，其 σ Η] ^ , 八有將電壓供給前述寫入信號線的緩衝
    15 ’而前述^衝11則由第1和第2_電晶體所組成的CMOS 電路。又在第1MQS電晶體和電源之間的電壓偏移元件、以 及與該電壓偏移^件和前述第1電晶體串聯電路並聯的且 與第1M0S電晶體為同一導電型的第3個M〇s電晶體所組成。 II ·如申清專利範圍第丨0項之自掃描型發光裝置，其中 前述電壓偏移元件為二極體或電阻器。
    1 2.如申清專利範圍第6或7項之自掃描型發光裝置，其 $前述驅動電路具有將電壓供給前述寫入信號線的缓衝 器，而4述緩衝器則由第1和第2M〇s電晶體所組成的CMOS 電路、设在第1 M0S電晶體和電源之間的電壓偏移元件、以 及設置在前述第1電晶體及第2電晶體連接點和寫入信號調 變用電源之間的且與第1M0S電晶體為同一導電型的第3個 M0S電晶體所組成。 1 3 ·如申凊專利範圍第1 2項之自掃描型發光裝置，其中 前述電壓偏移元件為二極體或電阻器。 14·如申請專利範圍第6或7項之自掃描型發光裝置，其 中鈾述3端子轉送元件和前述3端子發光元件均為3端子發
    505578 六、申請專利範圍 光閘流體。 liBi \\312\2d-code\89-ll\89116982.ptd 第24頁
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