TW503462B - Process control system for semiconductor devices and liquid crystal display devices - Google Patents

Description

五、發明說明

之領域 本發明係關於一種-主 、 步驟中控制用以處理被 |裝置或液晶顯示裝置的製造 之處理裝置的控制裝ί加：處理物（以下稱為”產品”） 工處理而變化的處理努署尤f是關於一種即時評定隨著加 微加工的製程控制裝^。之肐力，且可進行高精度之超細 直景技術之說明 DRAM等的各種半導體事置 產製造所用處理裝置的極限 理結果往往是參差不均的。 存在如下的問題：經受該有 片本身就隱含著使其性能降 片測試前還無法知曉晶片性 各個處理步驟中，自動地將 理情況記錄下來，根據該記 成的類比以及半導體晶片的 最佳的生產製造條件，以自 法，這樣的專利提案已有所 公報。如果採取這一技術， 了不合適的加工處理的場合 加工處理中進行防止性能降 此外’也有即使時採用了 其處理後的檢查所得到的資 由於在控制中有人為的因素 ，由於所進行的是接近與其生 精度的細微加工，故其加工處 細微加工處理有偏差時，就會 偏差加工的晶片上的半導體晶 低的重要因素，且在半導體晶 能變差，為解決這個問題，在 各處理裝置已作了怎麼樣的處 錄資料進行雜質注入和形狀形 類比，根據類比的結果來求得 動設定下一步驟以後的處理方 揭示，如特開昭63 — 249328號 在半導體晶片製成的過程中作 ，就有可能在下一步驟以後的 低的矯正處理。 控制的加工處理步驟而根據用 料來進行人為控制的。因此， 介入，故要做到多個步驟之間

89115387.ptd 第5頁 五、發明說明（2) 的最仏化控制或高精度 題，就有如下那樣的提索別困難。為了解決這個問 這就是將半導磐酤 “特開昭60 — 20030 1號公報）。 組合起來-連串的加：製造二各，處理步驟和測定步驟 定步驟所得到的次Μ十、過私、根據各個處理步驟的測 此外，根據測6資=“作相應的控制或前冑（F F )控制。 處理步驟前後2二t所侍到的資料和設計Α，做成可對各 -技術，就ί;;;:;::件進行控制。由於採用了這 可使盆產ί = Γ 結果就有可能使控制高精度化，並 使八產°口合格率得以提高。 多個i理J:ί，由於生產製造能力的提高，&往設置將 已有專利“屮並列配置於一個加工處理步驟上的生產線。 驟中，#田ΐ.在這種生產線的不同的2個以上的處理步 同一牡夕個相同的並列配置的裝置時，同一批應採用 各批=。特開昭6 _丨68865號公報）。採用這個方法， 丨 在不同的處理步驟中用同樣裝置來處理，就能得 則艮好的特性。 了 ^於半導體裝置的細微化又步入了高度化的進程、且為 2低生產成本，生產製造設備的大型化趨勢大大加強。 大各處理步驟中的處理條件也在微妙地調整，在多個重要 大素相互平衡的情況下進行高度的超細微加工。對於這種 處理裝置而言，處理條件改變就會造成可說成是伴隨此變 化j副作用的、出現惡化因素的危險性。此外，細微化程 度巧度化的結果是：即使是照樣設定同樣的處理條件，處 第6頁 503462 五、發明說明（3) 理裝置的能力在每進行一次處理時也會有一定傾向的變 動。在迫不得已要改變處理條件的場合，如若不計入該處 理裝置的能力的變動來改變處理條件，就得不到如同目標 值或者接近於目標的處理結果。 此外，在將上述並列配置的多個處理裝置用於不同的2 個以上的處理步驟的場合’即使採用對同一批產品使用同 一處理裝置的方法（特開平6 — 1 68 865號公報），對於最 近半導體裝置製造所要求的高精度的超細微加工而言還是 不夠的。在超細微加工中，對同一批產品組合同一處理裝 置是否為最佳也並不得而知。也可設想對於同一批產品組 合不同的處理裝置而獲得好的結果的情況。因此，僅僅用 上述那種思想的控制技術，就會跟不上最近的超細 發展趨勢。 1 曼明之概诫 迭:，理:f ’本發明的第一個目的在於’提供一種能不 必要變危險性而進行高精度細微加工、包括 裝置：理條件而進行高精度細微加工的製程控制 種類、對=成h ί明，目的在於，提供一種可根據處理的 其先前的條件或者僅根據 活適應性的製程控制裳置=擇或處理條件改變@、富有靈 果另：往：ί:j以：導體裝置的細微加工程度提高的結 掌握的方法ϊ 品作為-個單元來 運入目軲犯圍内的部分限制在一個狹窄的 g9H5387.ptd 第7頁 503462

範圍但仍發生產品合格率降低的情況。因此，本發明的第 一们目的在於’提供一種通過將產品分劃成多個區域來掌 握按區域區分的經歷（特性）、一確保高的產品合格率的 製程控制裝置。 解決問題之手科· 本發明内容之一的製程控制裝置是一種對分成多個批量 =產品進行處理的處理裝置的製程控制裝置。該製程控制 ΐ ί具備··根據前述處理裝置所處理產品的處理結果來評 價μ述處理裝置的能力的處理裝置評價裝置、以及根據 述處理f置評價裝置所評定的前述處理裝置的能力和前 夕個批里的特性來從前述多個批量中選擇要處理的批 擇裝置。 、 採用了 配性好的 理條件來 但在超細 方造成改 成這種危 不去改變 的能力（ 如，控制 值更大的 這種的場 狹窄的批 這一結 批量。 進行批 微加工 變的影 險而能 處理條 特性） 步驟為 、相對 合，從 量，用 構，該處 進行批量 量處理。 的場合處 響，會帶 對批量進 件而選擇 和相反傾 蝕刻處理 於圖形的 多個批量 上述狀態 選擇的 此時， 理條件 來不良 行盡可 具有與 向特性 ’在採 橫方向 中選擇 的裝置 就能從多 處理裝置 當然可以 的改變會 處理的危 能接近目 該處理這 的批量來 用該時刻 的蝕刻速 光阻圖案 所作的蝕 個批量 根據所 改變處 在意想 險。為 標的處 種的目 進行處 處於具 度的狀 間隔比 刻將會 規定 理條 不到 了不 理， 標相 理。 有比 態的 目標 是過

503462 發明說明（5) ^於Ϊ ^上述批量那樣光阻圖案間隔狹窄的場人將# 士 I方、目払的寬度的溝槽。 σ將形成接 蝕刻裝置的狀態（能力）在 的檢查中測定，而經歷記憶装= = ; = :刻處理後 反映出新的測定值。上述處理= 不：增加不斷 新的裝置能力，通常採取新的多；：了反映最 料。 次者，也可只用最新的一個資 如上前述，取用處理跟前的裝置來進行 控制思想時以往所未有❸。由於運用了這一控擇： 不會造成在意想不到的地方產生因控制條件改變=成^ :因素的危險t生，就有可能進行目標值 值 高。此外，與可使超細微加工的可靠j:;格率付以提 裝置的場合相比’就有可能不用作矩額 新的裝置、：用同一裝置進行高一個級的超細微力貝口土購置 上述内容中的製程控制裝置還可且備 置所處理產品的處理結果的資訊的經歷進行記二二里f: 憶裝置，而該經歷包含有上述多個批量的特性。0、、二歷6己 Γ;Ξ這；=卢間的處理結果的比較就變 有提高。此外，由於有關在各處理；==方面都 理結果的資訊是-起取入的，故能處理步驟的處 又月匕谷易地應用到直他4姦 線上。此經歷記憶裝置也可分別構成為記憶測定資料的特

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五、發明說明（6) 性記憶裝置和記憶處理條件的處理步驟記憶裝置，這種結 構最適用於大量資料的整理。此外，在上述的經歷中，= 了通常的步驟中的處理/檢查條件和處理/檢查結果以外二 還包括有如下那樣的經歷。 (a )監示檢查資料：如同擴散處理步驟等那樣，例 如，以晶片1 0 0片為單位（2 5片一批，四批）來處理時， 加入假晶片、例如3片，在上、中、下位置各配置丨片，進 行總計1 0 3片晶片的處理。在此擴散處理中，標上與上述4 個批量的編號相關連的批號。晶片的厚度測定僅對假的^ 片進行。在此擴散處理的批號中，上述3片假晶片的厚度 尺寸作為處理結果記錄之，在上述四個批量的編號中，X其 厚度尺寸也記錄之，這樣，在每個批量編號中不進行處理 的處理步驟的資料也作為其批量的經歷，當然，它們都可 (b〕 光阻、 進行修 標上再 以作照 後，再 進行下 的經歷 記錄下 修正了 照相再生批量的資料··在照相製版處理中 一起進 敷的光 理的晶 中，與 中標上 其修正 正的處 控制是 對準掩模後測定圖形尺 正的場合，對修正晶片 生批量編號，將早先塗 相衣版處理。進行再處 匯流到母集團（批量） 去。在此照相製版步驟 ’在照相製版步驟中， 來’實際上是記錄下修 的晶片來說，加工程序 寸的結果，在對每一 行修正。也就 阻剝除，再進 片，在照相製 母批量一起再 再生批量編號 處理條件應作 理條件。因此 根據其修正處 片晶 是說 行塗 版處 將處 的晶 為經

五、發明說明（7) 進行的。 + 2:’在關於由修正產品所組成的再生批量的修正處理 ς ^:應用上述本發明的製程控制裝置的場合，可使用在 疎t:中所收集到的前一步驟的收集資料來控制修正處 ϊ二rm有修正產品所組成的再生批量的修正處 用‘件a。&处理奴置也是上述本發明的製程控制裝置的適 的i ,ί: Ϊ中？ ΐ程控制裝置還可具備根據處理步驟之前 置：…！歷來掌握多個批量的特性的批量特性掌握裝 多通過數值來確切地掌握處理物件的 该經歷的值相對應的、在該基準值 出顯不與 :際結果值。此外，上述處理裝置評；際結果的 產品的經歷求得的值、帶來以該值為、可對於由先行 ;理褒置作為有基準值的裝置來定位為理結果的 f係數。此外，批量選擇裝置就可：;=程度的機械誤 ^最大結果值的前述機械誤差係數的^的批量中選擇相 ，量的基準值相對的機械誤差係數的=積分別與相對 。採用了這樣的結構，就使根據最近的批 由仃批量選擇成為可能。根據處理工程的链f數位自動地 的處理結果依據由該處理殘存部分的殘餘=、，在該步驟 ’、尺寸和由該處 503462

五、發明說明（8) 理除去部分的沖除尺寸來進行評價。根據 和根據沖除尺寸的評定值大致互為倒數的，尺寸的評價 根據殘餘尺寸來進行批量選擇的場合，根^係。、在雙方都 行批量選擇，在用沖除尺寸來作裝置狀^ ^述的商來進 述的積來進行。 〜、、琢合，根據上 此外 隹批Ϊ的特性中一r m α嘗者在 所得到的產品的性質、尺寸，還包含有1固檢查工程中 查工程中的處理裝置、處理條件、原材料等的因J多個檢 樣，裝置的能力反映了該裝置所處理的產個二： 在本說明巾，有時”有關處理結果的資訊=特點。 力”a、m態"的意義是相同的。上述=置^ 不疋原始貧料而是採用原始資料計算得到的此 採用利用從前面步驟至後續步驟的現在位置間= 所計算得到的值。 ^思經歷 上述内容中的加工程序控制 置’其基本資訊記憶裝置具有 處理條件改變時的條件以及其 歷記憶裝置中的資訊。 裝制具備基準資訊記憶震 對處理中批量的控制方法、 處理是否能將資料收集於經 a )收集 最佳裝置 結構。因 制裝置， 各個處理 次如用了上述結構，本製程控制裝置就成為將（ 貝料的保持、（b )最佳處理條件的選擇、（c ) 的選擇等的控制中樞部分作為一個系統的獨立的 =，即使對於不同的以系統也可以裝入本製程控 提南了通用t生。另夕卜，成膜裝置、蝕刻裝置等的

503462 五、發明說明（9) 裝置的控制方法，由 統-控制，最好要對每—：衷置是不同的’故為了要能夠 包含在本製程控制裝置中=酉己置裝置控制終端，以作為 在前述内容製程控制番: 述的基準資訊記憶裝置、ΐ中的一種製程控制裝置具備上 性間的關係對每個：量來；=力與批量特 理條件改變裝置。 衷置中的處理條件的處 =相配性良好的批量難以指 狀態而預先設想特性 =了先不讓裝置成為空閒 理條件。在不得已而要。”:二：時，要改變各！置的處 理條件而使批量特性改善條件的場合’改變處 得大。其結I，就有可能 ^比使其變差的危險性來 如同目標值或接近目標值=▲置的高使用率、又進行 置的裝置機種無差別的情況处在、1二匕:卜’往往會有不同裝 就可得到如同目標值或接 種'“兄下改變處理條件 能提高細微加工處理的精度。T的處理結果。因而，就 此外’在各個處理裝 件設定方式、並按照與確定處件要根據各裝置的條 方案相對應的處理編碼以法的一系列條件的處理 關的條件參數來設定。因此方法可改變的處理要素相 置的條件設定方式來改 3條件改變裝置根據各裝 的處理參數。 t的處理編碼，或者改變裝置 在則述内容製程控制裝置中的 禋具備有上述基準資訊 89115387.ptd 第13頁 ^"K)2 五 發明說明（10) :丨:裂置的製程控制裝£，也可進一 ~~

置能力間的關係來對每個產ί ί 4里的產品的特性與裴 變襄置。 ”處理條件的產品控制J k著細微加工程度的媒古 精度的處理步驟增多了。：；批量的控制得不到目樟 f的對構成批量的“產步：中，，對上迷； ，手段就有可能減少批量内以用了此產品 置達到尚一個等級的加工精度。可此如用同—裝 可對構成1批量的所有產品__律用此產品控制裝置，也 處理。 產〇律用相同的處理條件來進行 在岫述内容加工控制裝置中的一且 記憶裝置的製程控制裝£，也可進一；基準資訊 特性、在處理裝置中的批量選擇ς:二=據批量 之中的任何-個或兩個都進行簡：=条件的改變 =此結構’即使來推導出褒置能力 = 迢刖面工程中所用的裝 僅由知 Γ卜上：能設定批量選擇和處理條件。此 處理條件…里方案、處理編碼）圍J據ί:;來設定 定簡=、能抑制差錯的發生等。口此，可使處理條件的設 = ;製程控制裝置中的-種具備有上述基準資訊 4衣置的衣程控制裂置’也可進一步具備對於每個產品

503462 置也可 裝置、 裝置的 裝置的 有报大 批量的 〇 置處理 過的批 憶批量 力所產 置預測 處理結 數小時 時 小 中形成 變化情 成為什 時間的 裝置評價 量中、考 、取入因 生的變化 裝置。 束後，到 〜數曰間 數日的時 厚膜、或 況的處理 麼大問題 微小變化 五、發明說明（Π) 進行處理的處理裝置、僅僅 處理條件進行改變的簡易產 採用此結構，即使在對每 也能僅僅根據產品的特性、 定而簡單地改變處理條件。 上述内容中的製程控制裝 驟並列配置的多個同類處理 特性和並列配置的多個處理 中選擇要處理該批量的處理 採用此結構，在裝置能力 置的處理步驟中，可進行對 可能進行高精度的加工處理 上述内容中的製程控制裝 步具備在已用處理裝置處理 歷記憶裝置資料收集的未記 量的處理而對處理裝置的能 該處理裝置的能力的處理裝 通常，在採用控制步驟的 要經過數小時〜數日，在該 續進行批量的處理。在此數 理的批量的數量在成膜處理 化來進行裝置能力的隨時間 的隨時間變化情況在以往不 非常細微化，故蝕刻特性隨 根據產品特性來對每個產品的 品控制改變裝置。 個產品改變處理條件的場合， 不對該處理前的裝置能力作評 進一步具備對於處理步 根據處理物件的批量的 能力來從多個處理裝置 處理裝置選擇裝置。 差別的多個裝置並列配 最佳裝置的選擇，就有 裝置也可進一 慮到尚未由經 該未記憶的批 、從而來預測 進行檢查之前 的時間襄要連 間裹要根據處 使蝕刻特性變 。該裝置能力 ’但由於加工 就會對產品的

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五、發明說明（12) _ 最後結果有很大的影響。採用上述結構， 化情況，就能求得該控制步驟前控制物=化間變 力。其結果，就可進行高精度的％ # 里$羞置的能 產品成品率。 ’就能保持高的 上述内容中的製程控制震置也可進一步且 將處理裝置的能力輸入的處理裝置能力輸二穿^。動來 由於該手動輸入，在進行定期修整和臨2 : 能力時能將經驗所知的更新_ % f b Λ > 更新裝置 作為輸人、而掌握此時正確的裝置能力，⑨而能使^1 結果更接近於目標值。由於附加上了這種手動輸入裝： 麼兄下都能進行與之適合的控制措施’’ 就有可此^南產品成品率和生產力。 本發明的另一方面内容的製程控制 =理=控制的製程控制裝置。該加工程序ί;;ί 「！： 處理裝置所處理的產品的處理結果的 貝5fl的&或&分的經歷進行記憶的經歷記憶裝置，根 =驟=處理裝置所處理的先行產品的經歷來評價其區域 置6!能？的處理裝置評價裝4，以及根據處 在^:2區分的能力與產品的區域區分的經歷間的關 ::將该j理裝置的處理條件設定成使該處理中的處理結 果接近目標值的處理條件設定裝置。 士上那枚通過掌握產品按區域區分的特性來控制處理 裝置尽尤可付到所右吝〇 Μ > , » ... …叮有屋郎均一的特性，就可大大提高產品的 、^口 ：；上述的控制即使其處理裝置不能按區域區分來設

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定處理條件，只要掌握了該 品按區域區分的特性來選擇 區域區分掌握經歷和特性， 設定處理條件，就能進行控 而有所偏差。此外，若處理 件，就能根據上述要領按區 控制條件的設定，可以對每 批量來進行。 處理裝置的個性，就可根據產 控制條件。也就是說，只要按 就能根據該處理裝置的個性來 制以使產品特性不隨區域區分 裝置能按區域區分設定控制條 域區分來設定控制條件。上述 個產品來進行，也可以對每一 裝置。 由於對處理裝置按 均一性更高的產品， 刀曲内容的製程控制裝 •…p，土怵1干設疋裝置 ^傷杈區域區分設定處理條件的區域區分設定 又一方面 品進行處 裝置具備 的資訊的 處理步驟 域區分的 前的批量 力間的關 量選擇裝 特性多數 。該偏離 設定處 品的價 控制裝 置的製 關處理 經歷進 所處理 處理評 理裝置 多個批 理條件，就可得到 值。 置是一 程控制 裝置所 行記憶 的先行 價裝置 評價裝 量中來 上述另一 也可進一步 本發明的 個批量的產 工過程處理 的處理結果 裝置，根據 來評價其區 處理步驟之 區域區分能 的扣b量的批* 通常批量 的趨勢偏離 區域區分來 就能提高產 内容的製程 理的處理裝 :將作為有 區域區分的 的處理裝置 處理能力的 的經歷與處 係、從前述 置。 會隨構成批 的程度隨裝 種劃分成多 裝置。該加 處理的產品 的經歷記憶 產品的經歷 ’以及根據 置所評定的 選擇要處理 ®之產品的區域而呈 置不同而有彳艮大差別

503462 五、發明說明（14) 通過根據剛才處理的裝置的能力進行最佳批量選擇就能得 到全部產品具平均化特性的晶片而不伴隨處理條件的改變 而造成危險性。由於因此能使優質晶片數量增加，故能提 高該產品、例如從晶片製造晶片期間的產品合格率。其結 果就有可能提高產品的價值。此外，採用相同裝置，就能 進行高一個等級的細微加工處理。 上述的又一方面内容的製程控制裝置也可再具備根據處 理步驟之前的處理步驟的經歷來掌握多個批量的區域區分 的經歷的批量特性掌握裝置。 採用此結構，可從以前經歷導出對該處理合適的控制用 指標，實施更高精度的細微加工成為可能。 上述的另一方面或上述又一方面内容的製程控制裝置 中’產品是半導體晶片’該半導體晶片也可劃分成多個區 域。 在晶片中，對同心圓狀改變特性的場合，往往是根據以 中心部為原點用十字線劃分的第1〜第4象限改變特性的場 合。究竟取什麼樣區域形狀劃分，依照處理裝置的種類而 變，因此千差萬別。根據處理裝置設定適當的區域形狀， 得到按區域劃分的經歷，進行特性的區域劃分分佈的校正 等的適當控制。其結果，可使晶片内特性的偏差非常小， 能提南該晶片的市場價值。 上述的又一方面的製程控制裝置具備基準資訊記憶裝 置，該基準資訊記憶裝置也可具備處理中的批量控制方 法、改變處理條件時的條件、以及對於其處理是否應該收

89115387.ptd 第18頁 五、發明說明（15) 集區域劃分的經 採用上述結構 存於上述記憶裝 需要而用5故能 去。因此，不僅 用性提高，又能 變化。 在上述又一方 資訊記 區分的 一個批 置。 採用 條件（ 格率和 一裝置 在上 資訊記 單位來 域區分 品來改 由於 制，就 在上 憶裝置的 裝置能力 量來改變 上述結構 處理編碼 超細微加 進行南一 述又一方 憶裝置的 進行處理 的特性和 變處理條 對每個產 能進行更 述又一方 歷等的資訊。 班由於大量的按區域區 件安袭到任意的 =細微的高精度的控制方 谷易地安裝到處理步驟中去而 :内容的製程控制裳置中的一 控制裝置’也可以還具備 Ϊ =區分的批量特性間的 裝置中的處理條件的處理 ，就能 、處理 工處理 個等級 面内容 製程控 的處理 按區域 件的產 品改變 南精度 面内容 考慮按區域 參數等）。 的可靠性、 白勺、細微加工 的製程控制 制裝置，也 裝置、根據 區分的裝置 品處理改變 處理條件， 的細微加工 的加工控制 料統一地收 理時能根據 處理步驟中 法’而且通 不造成大的 種具備基準 根據按區域 關係、對每 條件改變裝 來設定處理 提高產品合 可能採用同 區分的經歷 因此，就可 此外，就有 處理。 裝置中的一種具備基乏 對於以產J 產品的按[ 係對每個j 可以還具備 構成批量之 能力間的關 装置。 就可進行極細微的控 0 過程裝置中的一種具備

503462 五、發明說明（16) 基準資訊記憶裝 按區域區分的批 量的處理條件改 易控制裝置。 採用上述結構 簡便地進行靈活 在上述又一方 基準資訊記憶裝 產品進行處理的 性來進行每個產 置。 適合應用本發 處理工程，故對 變處理條件沒有 極細微地、容易 在上述又一方 基準資訊記憶裝 分進行處理條件 由於按區域區 特性相應的處理 用更新以往的裝 的細微加工。在 理條件是拫容易 便地能夠進行高 置的製程控制裝置，也可 量特性、對在處理裝置；；；；；堇根據 -之中的自或兩各都進行簡易控制的簡 ，就有可能根據處理步驟的性 的控制。 J扭貝同精度地 面内容的加工控制過程裝置中的一種且備 Ϊ的製程控制衰置’也可再具備對於每； 处理裝置、僅僅根據按區域區分的產。 品的處理條件改變的簡易產品控制改；裝 日:的製程控制裝置的處理幾乎都是自動化 母個產品設定的處理條件與對每批 什麼兩樣。因此，就有可能 、 地進行高精度的細微加工“間便的方法 面内容的加工控制過程裝置中 置的製程控制裝置，也可再具備按 改變的區域區分改變裝置。 女&域& 分設定處理條件，就有~可能 、從而大大提高產品特性。因: 置、可從該現存的裝置來進行更言就此不 自動化處理工程中’按區域區分二: 的’故有可能不用作高價的 ：= 水準的細微加工。 史新而間

503462 五、發明說明（Π) _ 上述又一方面内容的製程控制装置也可以還且 處理步驟中並列配置的多個同類的裝置、根據^胥對於在 按區域區分的批量特性和按區域區分的並列配物件的 理裝置的能力、從多個處理農置中來選擇應處理J 理裝置的裝置選擇裝置。 ~ % $處 因此，由於能根據按區域區分的資料進行對旦 裝置選擇，故能進行精密的裝置選擇。 I最佳的 上述又一方面内容的製程控制裝置的處理袭置 也可以還具備在已用處理裝置處理過的批量中，者二j， 經歷記憶裝置中尚未資料收集的未記憶產品、取入;= 記憶的產品的處理而對處理裝置按區域區分 = 二::來預測該處理裝置按區域區分的丄= 的=上ϊϊ構，可以預測按區域區分的剛才處理的裝置 分的产理抓用更接近於貫際能力的值來進行按區域區 件的改變和批量選擇’就能更進-步地提高高 精度的細破加工的可靠性。 以下參照附圖來說明本發明的實施形離。 (實施形態1 ) 〜 _ 2 H，處理裝置8G及檢查裝置90是由本發明的製程 I線ίΐΛ制的。由於上述的系統控制裝置所適用的生 相製Jΐ :晶片處理生產、線，故在處理裝置中包含有照 、 5政、離子注入、蝕刻等處理的處理裝置。 ------- 五、發明說明（18) 在製程控制裝置2中，包含有FA電腦2、 品質控制用飼服器3、裝置控制終端85、其？二電户的 4、收集資料儲存部5以及終端輸入裝土二^二*子部 理條件的設定方式是不同的大致在上處 才曰疋方式和處理參數設定方式的兩 ^ +处王編碼 定方式中，該處理裳置中的一系列的=理編喝指 案來給予的，使用者指定了處理是作為處理方 碼對應的一系列的處理。又—方面馬f靶貫行與此處理編 中，可設定對該處理裝置中的—糸^在處理參數設定方式 響的處理參數。 ’、彳的處理結果有报大影 ，基準資訊儲存部4中儲存了 頮的各名稱晶片在各處理裝置有胃斜啫批量所屬商品種 ，程；資訊。該有關處理流裎的處理條件等的處 °又二在該處理步驟中的處理方半包含有處理步驟的 置、、簡易控制裝置等）以及與夂’（用不同產品控制裝 =弋相應的處理編碼和處 处理衣置的處理條 ”,量特性掌握部所用的；：。在某個處理步驟中還包 以及在處理裝置評價：:單個的前面步驟的經歷 :在，條件、特性範圍相；先確定了與前面步驟 將之儲存到：量特性與St驟所用的裝置，以 資料儲存# 2準貧訊儲存部4中羞此力間的關係等，並 貝t千城存部中要 另外，還沪宁T * & t ,4 ^ # 1； ；；4；^ ^ ^ 7 集圮憶整個生產線的任意處 89115387.ptd 503462

理步驟 舉出在 資料， 記憶於 性資料 實施形 際處理 原材料 料記憶 據處理 輸入 時、根 輪入的 中的產 檢查工 另外設 該裝置 一I己 態中， 或檢查 、處理 於收集 裝置的 終端裝 據測定 裝置。 品特性資料。作兔#。μ 程中所測定的性=的例子可列 f :枓儲存部那樣的記憶裝置，也可將之 中，也可如本實施形態那樣，將之i:!: Ϊ在收集資料儲存部5中。也就是說，產&特 ^ 所屬的批量編號、在整個處理步驟中實 的處理裝置及檢查裝置的 /驟中只 奘罟的_柿& Μ 1、、爲唬處理所用的 表置的處理條件及檢查裝

=儲存部5中。如上Υ γ 條件設定方式輸人處理編碼或 置6是在處理裝置作定期修整 、數。 的資料和經驗資料來將處理裝置的：力進行 外。本實施形態中，本製二 傳迗拓不裝置，但也可包含有此裝置。 匕3 參見圖2，批量投入部u根據所投入的批量的

=稱人曰^稱）將批量（檢移票）編號和處理:程: 準育讯儲存部4取到該批量中。傳送目的地 里/l釭伙. 批量編號和處理流程特別指定處王里該批量的裝擇。⑴根擄 指定作為傳送目的地的、該裝置所用的儲存^ = 掌握部13 ’根據有關儲存在基準資訊儲存部彳中里寺' 文件的指示命令，從收集資料儲存部5中讀出野於：=

503462 五、發明說明（20)

步驟有效的前經歷（特性），進行 ~S 批量特性的實際結果值。此外，儘管在圖μ十算，求出作為 用簡易控制裝置（未圖示）_，往往ί f t ί示出，在採 從收集貧料儲存部5調用在前面處曰有間易控制裝置 ”括原材料）和處理裝置編號的情：。中的處理條件 评價部1 4根據鍺存於美 另外，處理枣罟 收集資料資訊儲二5v出VV里I， 特性進行計算，在、隹二出5亥處理步驟前後的處理,士果： f:'數’最佳批量選擇部15根據上述的U能力的機槭誤 f來δ十异裝置選擇係數，選擇對於在進^特性和裝置能 ί:二容易得出目標處理結果的批量。π寺的處理裝 基準資訊儲存部4中的處理條々數值/人’在必須改變儲存在 件。處理/檢查控制部17變該處理條 處理的控制及其處理έ士果：據處理條件’來對該裝置所 成時，品質數據評價檢查。在處理和檢杳完 =果寺储存到收集資料儲存早貝況的^不將檢查 處理條件儲存到收隼資 卜，還將改變了的 變的場人，a ®科錯存〇p5中。即使在處理條件π 儲存部5中。 實際作處理的處理條件儲存到收集資料 接著，浐日〃 ^ 法。對本‘ ：：：f動的程式來說明處理步驟的控制方 程選擇作;^ : Π 控制裝置來說’能夠把任意的工作i5 時 ^ :物件的過程。在圖3中，通過在批量投广 〜商品種類（產品名稱），根據批量投入時所 89ll5387.ptd 第24頁 503462 五、發明說明（21) -- 设疋的處理流程上各步驟中的控制方法，對（a )曰 以控制、（b )加上什麼樣的控制、（c )是否要進7^加 收集等進行判斷並同時作控制。此外，對進行控 作由如圖3所示的Ml〜M8的各個步驟的控制。 ^驟 茶見圖4 ’指定晶片名稱（商品種類）並投入批量 )认根據晶片名稱來取得spff (檢移票⑴（S2)。 双私示）上記有該晶片名及檢移票編號。在以下流程 卢；明中’將在各個處理中所獲取的資料貨料的内容“ ^ =側。然後，讀取與檢移票編號相 :來=下一個步驟的資訊（S3 )。根據該下-St :末j擇該批量的傳送目的地（S4)。參見圖 二，-貝 為此畔管沉工 耘衷置、、且、該裝置特性的計算方冬夺 -編;Γ:必需的資料收集工作過程。另夕卜，省略了於ί Γ =連f。參見圖6 ’在傳送目的地檢查開始(S 5 ) 票表上的裝置組。在本實；Π寸，特別指定示於檢移 他裝置中，當然也送指示裝置設於其 裝置組中的，斬時地 ，、中。批1並不是直接送入 )中而馗士 θ 4存於配置在裝置區的苹子Γ锉六士 宁而構成為等待處理的狀離 木子Q儲存架 個工作過程的襄置組後，：此，在特別指定了下一 (S7) 1索首先是以作為個工作過程的儲存架 2件’在搞清楚了處理裝置：二：輔表的裝置組表T3 f表T 4進行檢索並特別指定J w ^接著就對該裝置的裝 動到根據裝置的批量選# ( ° f置用的儲存架 '然後就移 擇（S8)。根據裝置的批量選擇是 89115387.ptd 第25頁 五、發明說明（22) 提高裝置的工作率的控制模式， 批量特性最優先而來選擇處理裝置的叔、旦拉式，具有可以 要實施根據處理裝置的批量選里優先模式。是否 中去了。 ° ^已經列入到基準資訊 簽見圖7，在進行此批量選擇 的狀態而存放在儲存架中。首先，夕」固^ 1呈等待處理 否要進行前饋控制（§ 9 )。在進 > 义賣私移票表，檢知是 實際批量（先行批量〕來求得;:，的場合，根據 時，首先，在晶片組Τ9中特別^定曰^ S12>)。在求得 片組名稱來讀控制工程表T 5 | 、、且名稱’根據此晶 規格參數表T7。在上以饋；資料收集表… 處理的多個批量的產品特性以及實=中還儲存有等待 10上示出了控制工程表T5、前比：：：值。在圖8〜圖 置狀態表Τ8的資料内容。在 里貝料收集表Τ6以及裝 作為批量特性的且邮# #圖的技制工程表中，列出了 ^•1 t I i 〇 ； ί Ξ 9V/^ 資料收集表上記載著收隼工程名m •不，在刖饋批里 ΐΠ:ΪΓΓ資料儲存部登記了的日期時間。此 機《⑼ί将數二二’，慮到作為裝置狀態的具體例子的 方法’並將此方法和在控制工程中所 從用的裝置名稱一併收細尤1 φ Ρ 於新的經歷要儲存並作=斤7:要另（，如圖10所示，由 瞅中，在沒有先行的%錄更新曰期時間°在 貝丨不批里日守，可以假設等的測定值

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第26頁

2 = 1 ί置狀態（S13)。測定的資料可用手動方式從輪 闻^而1置6輸入到FA輸入終端表T8中。FA輸入終端表， |wj 1 1 ^ — 所不，做成可用手動來將該處理裝置的蝕刻率等進 (」2 在圖7中’然後’來比較裝置狀態與批量特性 F i ί ί果值），從儲存架中待處理的批量中來選擇從該 署：？佳批* (S14 )。在該批量選擇中，讀入儲 擇中:铁t恶表和前饋批量資料收集表中的資料，在該選 該時亥Π”的等待處理時間的長短、接著從與 的批量則；ΐ = 性好的批量起的順序處理，其餘 批量的腼& ^ + ^處理而變化的裝置狀態的相配性不好的 全部進〃、处理丨由於處理是要對所有的批量都不殘留地 理條件=飧，故，必需改變處理條件的批量則進行改變處 是：在鞏=理。逛有，對批量主體選擇處理裝置的模式 特性，二二2程t處理結束，根據檢查得到其處理結果的 送到指定/ t準貢訊所預先確定的範圍中選擇其特性，傳 行處理=此範圍中的處理裝置中，制該處理裝置來進 裝置的裝置=ί f置選擇為物件的工程中，往往是各處理 裝置間的偏差^ ^ ^間的變動較小、而在裝置狀態的處理 置選擇、而B ^ °在並非為無上述那樣的批量主體的裝 不進行前饋Ξ Ξ 2 ί移票表所確定的處理裴置來處理並 (S10 )，爯 、野5 ’用批量的優先度來進行批量選擇 其次，的確定/(S15) ° 條件和檢杳彳乞从 #置與批$的組合起來的處理 —條件。纟，中示出了確定處理條件和檢查條

五、發明說明（24) 件的處理流程。為声、田玫从从 前饋控制⑶斷己/開始後’㈣是否要進行 檢移票表而進行設έ己載到檢移票表中。倘若去讀 合，去讀# t 〇活，則進行前饋控制。在”是”的場 的晶片組：片組Τ9,在特別指定了該批量 的、對該曰片έ f彳日疋在控制條件選擇表Τ10中予以設定 % 4 4^ L T 、且◊控制方法。在圖1 3和圖1 4上示出了曰片 級和控制條件選擇表的資 ㈡14』上不出了曰曰片 稱，在控制條件選擇表中儲在—$曰曰曰片、，且_ §己載有晶片名 制工程、裝置万斜 者人晶片名稱組相對應的控 訊。然後條件改變所必需的選擇1d等的資 選擇來確定控=擇控制條件。通過選擇ID的 ^ --- 2Γ1、包含前面工程控制編碼以；= 控， 含別面工程參數的控制^㈣件表Τ12、包 制條件。然後，等理 乂及控制編碼來設定控 在不進行前饋控 來選擇控制條件（S19)。在擇基準育^中的通常方法 資訊儲存部中的 在此=’去讀儲存在基準 後，盘進行^:: ! 10來選擇控制條件。此 示/進仃月“貝控制時同樣，等待處理/檢查的開始指此 圖1 5給出處理/檢查的流程圖。 始後’、將確定了的上述的處理條件資-訊傳=始指示開 )二然後’對批量進行處理和檢查？、“二（S22 所付到的品質數據資料。如圖16所示，！對 89115387.ptd 第28頁 五、發明說明（25) 理資料的收集（S25 )中，士 量資料收集表T6中白勺資料的己入旦可列舉作為收集在前饋批 r:進處r件、處理件ΐ理；置名稱、原 否要進仃用於前饋控制 =寻接者，判斷是 的資料儲存到收集資料部;；：將上述處理/檢查 5 ，進行前饋控制用資料的收集 貝枓收木的場 儲存到前饋資料收集表16中諸’亚將上述資料 箄= 處理裝置名•、處理條件和處理來數 處理結果的各種測定結果記錄下來。此外，還： 編號不進行處理的處理工程中的（a)監示檢 二貝=與其批量編號相對應地記錄下來。也就是說，如 二K政处理工程等那樣，在例如此處理晶片J 〇 〇片為一單 兀U5片一批量，四批量）來處理的場合，將假晶片、記 入3片在上、中、下位置上各配置1片，進行總計1〇3片晶 。片的處理。在該擴散處理中，再加上與上述四個批量的編 號相關連的批號。晶片的厚度測定，只對假的3片晶片進 行測定。上述3片假晶片的厚度尺寸作為處理結果記錄到 該擴散處理的批號中區，而該厚度尺寸也記錄到上述4個 批量編號中。這樣’對每個批量編號不作處理的處理工程 的資料也作為該批量的經歷，當然也能記錄下來以用於批 量選擇等的控制。此外，在如（b )照相的再生批量的資 料那樣的場合，也將實際的處理的經歷與其晶片相對應起

89115387.ptd 第29頁

5U340Z 五、發明說明（26) 來記錄下來，以用於批制。A外 % T . m •淮 也就是說，在照相製版中，塗 放了先卩、對準了掩模後所測定的圖形尺寸的灶果，在對 整。將要修整的1片;4=晶片統合在一起進行修 處理的…在昭進行照相製版。進行過再 )中，與母批量：：：；；；後•再匯流到母集團（批量 .驟中，在該照相製版；；相製版處理步 歷應將修整了的處理條件作A r j生批$編號的晶片的經 力…呈序控制也；據：敕：；修整了的晶片來說，其 另外，在對於Α1 的處理條件來進行的。 步驟應用本發明的二=且巧的再生批量的修整處理 收集的前面工種的^=粗衣置時，可使用在母批量中所 由修整產品所組成的二料來控制修整處理。也就是說， 發明的製程控制裝置的適：：：修整處理裝麵 此外，在前饋芽次 置名稱的處理步驟=料收集表了16記憶著對每個處理裝 了前饋裝置資料‘隹：二量和處理條件。在圖1 7中示出 查。另-方面，在^的：料内容。然後’再進行品質檢 直接就進行品質檢杳。订别知控制用的資料收集時，則可 (奶）。所在不此規在質杳檢/開始，^ ^ 行規格檢杳。缺德欢一 Τ ’去讀規袼表中的規格，以進

的 n5387.ptcj 第30頁 ——、、、谈’再進行各種檢查，並進行工程結束處. 五、發明說明（27) 理，如圖1 9所示，在 劣口 έ 士 指定檢移票編號，並特u上“、去：檢移票表， 後，更新自己的資；=，虎、工程和裝置組。此 貝寸+進仃傳迗目的地選擇（S35 )。 # 不例子1顯示將作為批量的實際έ士果值和穿 置能力（機械誤差係勃、砧余w 貝丨不、、、口果值和在 悴、W如孑？強-w、數）的處理條件的處理標號作改變的 f月況。例子Z顯不僅柄诚批旦— 很據批里的貫際結果值變更虛理编與 的場合。例子3顯示根櫨名俞τ ^ & 爻旯屣理、，扁碼 爭步饰τ π的南 根據在刖工私中適用過的處理方案變 基準的關係都作為基；資存=改變中的 採用上述的製程控制裝置，诵 r, n w ^ 通過對批1特性加以前饋控 制以及對處^衣置加以反饋控制，就能實施在控制工程中 的處理並對偏差予以抑制。此外，、萝处拍 ^ 〆成人* 此外，遇能根據處理工程的性 貝靈活地採：，適的處理方&，就有可能使複雜且多變的 各處理步驟中的控制效率提高，並使之簡單可行。 結果，就能在DRAM等的半導體裝置的士造中=丄地提高 產品合格率。料，還有可能實施比原來作為物件的級別 的細微加工處理更尚出一個級別的細微加工。也就是說， 可在64百萬位元的肫賴用的生產線上通過採用上述的製程 控制裝置來進行128百萬位元和256百萬位元的DRM、或者 在這些DRAM以外的下一代的系列LS I等的半導體器件所必 需的細微加工。 (貫施形態2 ) 實施形態2中的製程控制裝置採用與實施形態丨中所用 _5387.ptd 第31頁 503462 五、發明說明（28) ::差：1/二的/構相類似的製程控制裝置的結構。較大 這一 j ί 經歷中測定的資料為按區域區分的資料 理條件t 2理，件在S理，置能夠按域 *來設定處 讯i、^ &按母個區域來設定，而在不能按每個區域來 處理1置的場合就簡單地設定處理條件。，u〜2ic =不域區分設定處理條件時的處理條件設定的 圖㈣顯示不按區域區分來設定處理條件但按 性而二t ί旱握產品特性來考慮產品特性和處理裝置的個 ή6本=疋处理條件/或結合處理裝置的個性來選擇批量時 4 ® 〇思方法在半冷體晶片的中央區域和周邊區域處特性 口圖21Β的實線所示那樣變化的場合，在處理工程中進行 如圖21Β的虛線所示那樣的控制處理時就可得到如圖加所 =處理結果。此外，在按區域區分掌握產品特性而結合 该產品特性來設定處理裝置的處理條件、或結合處理 $行批量選擇的場合，就成為在裝置能力如圖2lD所示狀 悲（個性）的場合選擇上述批量的樣子。採用該批量選 擇，就能在得到在整個晶片上偏差小的均一處理結果。為 了說明方便，圖21A〜21D示出了特性在整個區域上呈連續 的圖=，但區域區分的特性幾乎都是如圖2丨A〜2丨d所示、、 非連續性圖線而是離散型的值。 ^ 通過上述那樣的、掌握按區域區分的批量特性和按區域 區分的裝置特性來作批量選擇和護理條件的改變、或者按 區域區分來改變處理條件，就容易使處理結果在整個晶片 上都進入目標範圍。因此，就能提高產品的合袼率，^差 五、發明說明（29) 減少的結果就使得進行作★ ^ 為可能。 為物件的級別以上的細微加i成 [實施例] 接著來說明採用上述實 一 的2個實施例。圖22示出、了 r 乂恶中所不的製程控制裝置 處理工程。一個處理工p /木〃用上述加工程序控制的二個 例1 )，而另朝炎 王為氣化膜的乾式餘刻工程（實浐 」 為照相製版處理工程（實㈣”施 (實施例1 ) 往^貝鞑例2 )。 值。 〕特〖生來计批罝的實際結果 如圖2 3所示，斜古人与 Φ 、乳化膜的乾式餘刻處理，將用彳f > 電子顯微鏡（Scanning + Μ· 將用知拮型 象檢查所得到的尺寸用二/r二 r°SCC)pe: SEM)顯 也採用同樣的SEM日^^為另外，對裝置狀態 損用圖24和圖2Γ來:羞檢查所得到的 中洌定在f又義。如圖24和圖25所示，在顯象檢杳 剃疋在乾式蝕刻時不被蝕二 光阻部分的尺+ A · 4极脑的部分的 刻膜来祐γ 4為。在乾式蝕刻後的照相檢查中測定被蝕 為：、im!刻的部分的尺利。戶斤謂⑶損*則定義 CD損耗i蝕；J ?查時的尺寸A - '相檢查時的尺寸B。 舉的氧化膜;時有關係、有時沒有關係、。在這裏所列 耗損可用作^ ^蝕刻中，可確認蝕刻率與CD耗損有關，⑶ y Z二2衣置的#刻率的指標。表1示出用該氧化膜 乙式蝕』y鉍的—個裝置EK1 20來處理的先行批量的特

^115387.pul 503462 五、發明說明（30) 性0 在 表1 批量 編號 測定觀m/尺寸_) 平均 (μηι) CD_ (μηι) 平均(3L) (μπι) 係數 D1 D5 E1 E5 KA 0.292 0.263 0.285 0.272 0.2721 0.0264 一 一 KB 0.313 0.261 0.280 0.257 02722 0.0277 — 一 KC 0.261 0.267 0.258 0.269 0.2649 0.0174 0.0216 1.0817 KD 0.263 0.270 0.260 0.263 0.2667 0.0198 0.0190 0.9483 KE 0.258 0.282 0.247 0.285 0.2751 0.0197 0.0206 1.0300 KF 0.279 0.282 0.281 0.270 0.2723 0.0223 0.0192 0.9600 KG 主1 士 0.267 0.291 0.260 0.268 0.2891 0.0150 0.0195 0.9750 KG記載著照相檢查尺寸（一部分），此外，還示出了 CD指 耗。同時，在㈣平均（3L)顯示CD損“&占出移了動^貝 均值。因此，CD損耗的最新移動平均值為最下一攔的 〇· 0195 //m。對於批量選擇時的裝置狀態採用該 值。由於目標CD損耗為0·02 ，故以目標值 係數 另 時，該裝置EK120的能力可顯示為（〇·〇195/〇1 f二 0後9J50。該0.9 75 0就是該裝置EK12〇在此時刻的機械誤差 •方面，處在等待裝置EK1 20處理的處理壯 有從OA到OJ的十個批量。該十個批量示於表2狀心的才里

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第34頁 503462 五、發明說明（31) 表2 麗 編號 測越游號/尺寸(μτη) 平均 (μηι) 實_吉纖 裝纖 D1 D5 El E5 OA 0,267 0.249 0.267 0.235 0.2445 0.9780 0.003087 OB 0.246 0.272 0.238 0.288 0.2594 1.0376 0.080332 OC 0.244 0.266 0.237 0.261 0.2489 0.9956 0.020691 OD 0.269 0.253 0.263 0.249 0.2500 1.0000 0.025000 OE 0.266 0.251 0.252 0.248 0.2457 0.9828 0.007937 OF 0.242 0.252 0.259 0.255 0.2475 0.9900 0.015152 OG 0.240 0.242 0.236 0.265 0.2478 0.9912 0.018344 OH 0.217 0.272 0.232 0.264 0.2489 0.9956 0.020691 ΟΙ 卜 0.243 0.274 0.235 0.263 0.2535 1.0140 0.038462 OJ 0.243 ivl· - 0.281 昏06昭 0.237 士0制t 0.254 田 0.2554 1.0216 0.045615 其平均值等示於表2中。該尺寸的目標尺寸為〇25#m。由 ，將該目標尺寸歸-化為1，故能以目標刻· 25_來除以 各批量的平均值後即可求得各批量的實 的實際結果值以1為中心在其上下偏齙。壯禾值谷批里 為接近方;1。因此，引入了所謂裝：最 結果值/機械誤差係數丨的指標，其裝置貫際 近於零的批量時該時刻的裝置首先應 擇拙曰最為接 的，故在批量每進行一次處理依次在變化 j、並從裝置選擇係數小的開始進行處理述：j置選擇係 $編號0A為最小，就選擇該批量進行 X據表2，批 的尺寸檢查中’如圖24和圖 二。此外，在上述 餘尺寸”時的裝置選擇係數的5;yv :出日士了求出測定"殘 1一有日守也用蝕刻消除

891l5387.ptd 第35頁 五、發明說明（32) ::的"沖除尺寸"求得機械誤差係數和 用=除尺寸來求得機械誤差係數時 展值的。在 :二實際結果值X機械誤差係數）i係數=U 廷擇為處理物件。 f接近於零的批量 h用了上述的控制方法後的效果示於表3。 Μ __mm IMlClumf 0.038 — 0043 1)038 0.038 ^030^ 在，3上示出了在 的尺寸的3個。當“二=到的、 才所仔到的3 σ在例如器件一尽衣私控制裝置 0. 〇28 _ ’得到报大的減 ’〇 . ’此時減小為 得到了使偏差大幅产減 s〇1 。在其他各期間也 格率，還能通過提高結果不僅可提高產品合 還使得可能進行古—個^馬產品的經濟價值。此外， (實施例2 ) 同们寺級的細微加工處理。 本實施例示於_ 9 9由 :子。在該照相製版處理中：：：:J:為控制物件的 為批量特性。 木用刖面乂私中的反射率來作 尺寸來作為襄/用照相製版後的尺寸檢查中的沖除 的實施例1不同悲取旦是’在此場合的裝置狀態與上述 不求取農置狀態係數，而是以別的形式 的1)5387.ptd 第36頁 五、發明說明（33) 取入本控制中的。在圖2 6中认 理而沖除部分尺寸間的關係、:反射J射率與因照相製版處 化顯示。反射率低意味著光阻舊’，、和沖除尺寸都作歸-的話，沖除尺寸就變λ。也、::用同樣的曝光量曝光 射率逐漸加大而有沖除妗=° ，可從圖2 6確認··隨反 與沖除尺寸間的關係雖小的趨勢。此反射率 但這種變化作為裝置狀態被反^ =素變$時發生變化， 關係。例如，在得到了 n ^、總是儲存著最新的 過去增大的最新資。：:吏反而沖除尺寸也未比 到了點移動平均等中來進行修正;、里该最新的育料取入 採用本發明的製程控制裝 27中。圖27的左側處於相對反射υη结果示於圖 曝光能量Ed取為20.7mJ，得；〜1.2的範圍内， 晶片的值的偏差稍為一致些尺：平均為〇· 7835。各 膜的氧化膜的厚产加Ρ π : u #卜，右側為顯示作為下基 差^。以/Λ Λ 率降低時的沖除尺寸和其偏 射率時其相對沖除尺寸就會：為 1置二”為低的相對反 用上述裝置狀態的反饋來控制曝工二然而’通過採 率較高的左側的批晋彳t # :里，可侍到與相對反射 尺寸。 定差錯等明確理由的反射率即使存在有設 產品合理的降低，就有可能使產!；。因此’可防止 還有可能採用同樣的加工裝置來；；！侍f;高。此外’ 置木進仃鬲一個等級的精度的 503462 五、發明說明（34) 力口工。 以上，已對本發明的實施形態作了說明，但是上述揭示 的本發明的實施形態和實施例終究只是示例，本發明的範 圍並不限於這些發明實施形態和實施例。本發明要求的範 圍由如申請專利範圍之敘述來給定，同時還包括與如申請 專利範圍敘述等價的和其範圍内的一切變化。 元件編號之說明 1 製程控制裝置 2 FA電腦 3 品質控制用伺服器 4 基準資訊儲存部 5 收集資料儲存部 6 終端輸入裝置 11 批量投入部 12 傳送目的地選擇部 13 批量特性掌握部 14 處理裝置評價部 15 批量選擇部 16 處理條件改變部 17 處理/檢查控制部 18 品質資料收集部 21 光阻 22 被蝕刻膜 23 矽基板

89115387.ptd 第38頁 503462

89115387.ptd 第39頁 503462 圖式簡單說明 圖1為在實施形態1中製程控制裝置的結構圖。 圖2為顯示圖1中的製程控制裝置的大致結構的方塊圖。 圖3為說明處理流程之概要情況的圖。 圖4為批量投入的流程圖。 圖5為顯示檢移票表資料内容的圖。 圖6為選擇傳送目的地的流程圖。 圖7為批量選擇的流程圖。 圖8為顯示控制步驟表的資料内容的圖。 圖9為顯示前饋批量資料收集表的資料内容的圖。 圖1 0為顯示裝置狀態表的資料内容的圖。 圖11為顯示FA終端輸入表的資料内容的圖。 圖1 2為決定處理/檢查條件的流程圖。 圖1 3為顯示晶片組的資料内容的圖。 圖1 4為顯示控制條件選擇表的資料内容的圖。 圖1 5為處理/檢查開始指示的流程圖。 圖1 6為收集品質資料的流程圖。 圖1 7為顯示前饋裝置資料收集表的資料内容的圖。 圖1 8為品質檢查的流程圖。 圖1 9為步驟完成處理的流程圖。 圖2 0為說明改變處理條件場合的3個基準例的圖。 圖2 1為說明按區域區分的處理條件設定的思路的圖。圖 21A為顯不晶圓的區域劃分的圖。圖21B為顯不按區域區分 處理的設定方法的圖。圖2 1 C為顯示預想的處理結果的 圖。圖2 1 D為顯不不能按區域區分來設定處理條件之處理

89115387.ptd 第40頁 503462 圖式簡單說明 裝置的區域區分能力的圖。在具有圖2 1 D那樣的按區域區 分的裝置特性的場合，最好選擇示於圖2 1 B的特性的批 量。 圖2 2為說明在實施例中列舉的二個處理步驟的圖。 圖2 3為以實施例1的處理步驟的氧化膜乾蝕刻為中心的 各個步驟的圖。 圖2 4為形成蝕刻的光阻圖案形成階段的剖面圖。 圖2 5為進行了蝕刻後的平面圖。 圖2 6為顯示實施例2中的反射率與沖除尺寸間的關係的 圖。 圖2 7為顯示實施例2中的各晶圓的反射率、相對沖除尺 寸及其偏差情況。

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Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 统體f置及液晶顯示裝置之製程控制系 i，其m 被加工處理物（產品）進行處 評J裝置（14 )’從前述處理裝置所 結果中，評價前述處理裳置的能力 之產。口的處 批量選擇裝置（1 5 )，妒搪I^ 定的前述處理裝置的能力和I = ^处理裝置評價裝置所評 述多個批量中選擇要處理的：量”個批量的特@，以從前 2 ·如申請專利範圍第〗 里 裝置之製程控制系統，其、用於半導體裝置及液晶顯示 以記憶有關前述處理裝^戶具備有經歷記憶機構（5 )用 歷，而該經歷含有前诫夕y斤處理產品之處理結果的資訊經 3.如申請專利Ϊ^ίΓ項個批量的特性。 裝置之製程控制系統，其、之I用於半導體裝置及液晶顯示 用前述處理步驟從前—^前述製程控制裝置更具備有利 量之特性的批量特性掌=^之前述經歷中掌握前述多個批 4·如申請專利範圍第^置（13)。 裝置之製程控制系統，其、用於半導體裝置及液晶顯示 資訊記憶機構（4 )，而二、前述製程控制裝置具備有基準 述處理中之批量的控制方則述基準資訊記憶機構，具有前 ,、以及其處理是否能將J粗：以變更處理條件時的條 (5 )中的資訊。 、’斗收集於前述經歷記憶機構 5 署如申請專利範圍 凌置之製程控制系統，^負之_用於半導體裝置及液晶顯示 ，、中W述製程控制裝置更具備有 )03462 六'申^—— 理條件改變裝置（i 6 ) =間的關係對每個批量來改變前述處^ 件。 处里裒置中的處理條 F 6晉：：請專利範圍第4項之用於半導體#署b、 、之製程控制系統，其中 、置及液晶顯示 :口“空制改變裝i，對於將每個產!：控：裝置更具備有產 :艮據構成前述批量產品前述特性：：：理的處理裝置， 係了，對每個產品改變處理條件,、述裝置能力間的關 f f之製程控制系統，其中前述/程導體//及液晶顯示 或二個。 里處理條件的改變之中之任何一個 裝8置Ϊ ^請專利範圍第4項之用於半導體裝置及液曰辟-::之製程控制系統，其中前述製 1及液曰曰顯不 易產品控制改變— 裝置更具備有簡 理裝置，相插1 十；：母個產品進行處理的處 進行改變通產品特性來對每個前述產品的處理條件 g , . ^ 骏置之製：範圍第1項之？於半導體裝置及液晶顯示 置選擇機‘工用糸統中前述製程控制裝置更具備有裝 配置之ϋ 處理物件之批量的前料性和前述並列 選擇要處置的前述能力，從前述多個處理裝置中 題理戎批量的處理裝置。

   89115387 •Ptc 第43頁 503462 SO. 9. 2S —--—-差號89115387 _____年一月 曰_修正__ 六、申請專利範圍 I 0 ·如申請專利範圍第1項之用於半導體裝置及液晶顯示 裝置之製程控制系統，其中其前述處理裝置評價裝置更具 備有處理裝置預測機構，用以考慮在已用前述處理裝置處 理過的批量中，未記憶於前述經歷記憶機構中之未記憶的 批里’取入依該未記憶的批|處理而對前述處理裝置的能 力所產生的變化，以預測該處理裝置的能力。 II ·如申請專利範圍第1項之用於半導體裝置及液晶顯示 裝置之製程控制系統，其中前述製程控制裝置更具備有能 用手動輸入處理裝置之能力的處理裝置能力輸入機構（6 )°

   12· 種用於半導體裝置及液晶顯示裝置之製程控制系 統’其係控制用以進行被加工處理物（產品）之處理的處 理裝置，其包含有： 經歷記憶機構（5 )，用以記憶有關前述處理裝置所處 理之產品處理結果的資訊區域（35、36 )區分的經歷； 處理裝置評價機構（1 4 )，用以從前述處理步驟之處理 ^ ^所處理的先行產品之前述經歷來評價其區域區分之處 理裝置的能力；以及 处

   域ί，條1牛設定機構（16 )，根據前述處理裝置之前述區 二二二=能力與前述產品之區域區分的經歷間的關係，將 ^ =值：置的處理條件設定成使該處理中的處理結果接近 示F 明專利範圍第1 2項之用於半導體裝置及液晶顯 ^ 製程控制系統，其中前述處理條件設定裝置，更

   503462 9« 2S _案號89Π5387_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 具備有按區域之不同來設定處理條件的區域區分設定機 構。 1 4. 一種用於半導體裝置及液晶顯示裝置之製程控制系 統，其係對分成多個批量的被加工處理物（產品）進行處 理的處理裝置，其包含有·· 經歷記憶機構（5 )，用以記憶有關前述處理裝置所處 理產品處理結果之資訊的區域區分的經歷； 處理裝置評價機構（1 4 )，用以從前述處理步驟之處理 裝置所處理的先行產品的前述經歷中，評價該處理裝置之 區域區分的能力，以及 批量選擇裝置（1 5 )，根據前述處理步驟之前的前述批 量的前述經歷與前述處理裝置評價機構所評定的前述區域 區分的能力間的關係，從前述多個批量中來選擇要處理的 批量。 15.如申請專利範圍第14項之用於半導體裝置及液晶顯 示裝置之製程控制系統，其中前述製程控制裝置更具備有 批量特性掌握機構，用以根據前述處理步驟之前的處理步 驟之前述經歷來掌握前述多個批量的區域區分的經歷。 1 6.如申請專利範圍第1 2項之用於半導體裝置及液晶顯 示裝置之製程控制系統，其中前述產品為半導體晶片，該 半導體晶片係分劃成多個區域。 1 7.如申請專利範圍第1 4項之用於半導體裝置及液晶顯 示裝置之製程控制系統，其中其前述產品為半導體晶片， 該半導體晶片係分劃成多個區域。

   \\326\2d-\90-09\89115387.ptc 第45頁 2001.09. 28. 045 503462 90. 9. 28 _案號89115387_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 8.如申請專利範圍第1 4項之用於半導體裝置及液晶顯 示裝置之製程控制系統，其中前述製程控制裝置具備有基 準資訊記憶機構，而前述基準資訊記憶機構具有前述處理 中批量的控制方法、改變處理條件時的條件以及有關該處 理是否要收集經歷的資訊。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之用於半導體裝置及液晶顯 示裝置之製程控制系統，其中前述製程控制裝置更具備有 處理條件改變機構，用以根據前述區域區分的裝置能力與 前述批量的區域區分的經歷間的關係來對每個批量改變前 述處理裝置中的處理條件。 2 0.如申請專利範圍第1 8項之用於半導體裝置及液晶顯 示裝置之製程控制系統，其中前述製程控制裝置更具備有 產品處理改變機構，用以對於以單位產品來進行處理的處 理裝置，根據構成前述批量之產品的區域區分的裝置能力 與該產品的區域區分的經歷間的關係，而對每個產品改變 處理條件。

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