TW501341B - High-frequency power amplifier - Google Patents

High-frequency power amplifier Download PDF

Info

Publication number
TW501341B
TW501341B TW090110409A TW90110409A TW501341B TW 501341 B TW501341 B TW 501341B TW 090110409 A TW090110409 A TW 090110409A TW 90110409 A TW90110409 A TW 90110409A TW 501341 B TW501341 B TW 501341B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
bias circuit
frequency power
terminal
input
Prior art date
Application number
TW090110409A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Asada
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW501341B publication Critical patent/TW501341B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H01L2223/6622—Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Description

501341 五、發明說明（l) -----— 發明所屬技術領域 田雔明係有關於高頻用電力放大器’尤其係有關於使 用雙極性電晶體之高頻用電力放大器之穩定性之改善。 習知技術 在最近之攜帶式終端機例如行動電話之普及，小型、 重量輕成為開發之重點，高輸出之高頻用電力放大 關鍵零件。 4 異接面雙極性電晶體（Heterojunction bipolar transistor，以下稱為HBT)具有大的電流增益沒，在以
AlG^As構成射極、以GaAs構成基極之GaAs系之HBT，配合 其南速性’常用於行動電話之高輸出功率之高頻用電力 大器。 發明要解決之課題 圖5係以往之高頻用電力放大器之電路圖。 在圖5 ’ 11 〇係高頻用電力放大器，1 〇2係組裝用基
板’ 104係MMIC晶片，106係高頻用電力放大器用之HBT， 108係對於HBT106之輸入侧匹配電路，no係對於HBT106之 輸出側匹配電路，112係用以控制對Ηβτ1〇6施加之基極電 位之偏壓電路，Π 4係偏壓電路11 2之隔離用電阻，11 6係 兩頻電力之信號輸入端子，118係高頻電力之信號輸出端 子’ 120係輪出控制用輸入端子，ι22及124係直流電壓電 位之電源端子，1 2 6係接地端子。
第5頁 501341 五、發明說明（2) 輸入信號輸入端子116 28之高頻之信號電力經由輸入 側匹配電路1 0 8用HBT1 〇 6放大後，經由輸出側匹配電路11 〇 自信號輸出端子118輸出。此時，由依據自輸出控制用輸 入端子120之控制信號控制之偏壓電路丨12供給HBT1〇6之基 極既定之電壓之基極電流。在該偏壓電路丨12和HBT1 06之 基極之間設置隔離用電阻丨丨4，抑制信號電力之一部分向 偏壓電路浪漏之漏電力之繞入。發生向偏壓電路之漏電力 之繞入時，偏壓電路變成不穩定，電力放大器之穩定性降
低’不要之振盪所引起之過電流流動，有可靠性惡化之情 況。 隨著放大器高輪出功率化，輸入HBT1〇6之信號電力也 變大，因漏電力也變大，為了抑制之，被迫需要增大隔離 =電阻114之電阻值ri。而，供給HBT1〇6之基極之基極電 fib需要既定之電流值，還需要既定之基極電位V2。可 是，為了抑制漏電力而增大隔離用電阻114之電阻值以 時’如下式所示，作用於基極之電位V2降低。 即，V2 = V1 -Ibx R1 少在此’ V1係偏壓電路112之輸出電壓，又基極電流Ib 係定值。
因而’有的情況發生無法施加所要之基極電位。 在其對桌上，在MMIC晶片104上形成在所要之高頻裤 帶可得到高阻抗特性之電感器替代隔離用電阻丨丨4 g^ 會令作用於HBT106之基極之電位V2降低，可抑制_
向偏壓電路112之漏…，但是腿C晶片之H
2118-3983-PF.ptd 第6頁 501341 五、發明說明（3) 大’有MMIC晶片1〇4之晶片費用增加之問題點。 本發明為解決上述之問題點，其第一目的在於提供一 種高頻用電力放大器，信號電力向偏壓電路之漏電力小、 穩定性高、便宜。 此外，在特開平U-274867號公報、特開平1〇-322145 號公報記載，在放大用電晶體上使用FET，使用FET之閘極 偏壓電阻器，但是本發明係關於雙極性電晶體，使得構造 不同。 又，在三菱電機技報· ν0174 · N〇. 6 · 2〇()() · P43(401)〜P46(404)記載了 雙頻帶HBT MMIC放大 0 無下述之本發明之記載。 ° 1一疋 解決課題之 本發明 基板；第一 經由輸入侧 輸出放大後 板上，供給 設於該半導 端子，配設 基板連接； 組裝用基板 構造，不增 往偏壓電路 手段 之面頻 雙極性 匹配電 之信號 該第一 體基板 於該半 電抗元 ，配設 加半絕 之漏電 用電力放大 電晶體，配 路輸入信號 之集極；偏 雙極性電晶 上，和該偏 導體基板上 件，接在該 了該電抗元 緣性半導體 力變少。因 器，因 设於該 之基板 壓電路 體基極 壓電路 ’和該 第一、 件和該 基板之 而’偏 包括半 半導體 和在輸 ，配設 電流； 之輪出 第一雙 第二端 半導體 面積， 壓電路 絕緣性 基板上 出側匹 於該半 第一端 端連接 極性電 子之間 基板， 可使信 穩定的 2118-3983-PF.ptd 第7頁 五、發明說明（4) 此外’因還包括第二雙極性 信號輸入第一雙極 電日日體，將放大後之輪出 放大器之徭2 電曰曰體輸入側匹配電路，在多段之 導體基板之而# ± V 體，不增加半絕緣性半 少。扳之面積’可使信號電力往偏壓電路之漏電力變+ 此外’因電抗元件採用晶片雷咸 _ . ^ 單，組襞面積變小。 月電咸裔，電感值之調整簡 形成ΐ:二電抗元件採用微帶線路，可在組裝用基板上 ❿风1：路圖案，零件數變少。 蚁上 發明之實施例 實施例1 極性ΐ =例1係在半絕緣性⑽基板上配置放大用之雙 壓電路二中、山偏壓電路、和該偏壓電路之輸出端連接之偏 雨出端子以及和放大用之雙極性電晶體之基極連接 之暴極連接端子後，在偏壓電路輸出端子和基極連接端子 之間連接晶片電感器，而且在組裝用基板上併設半絕緣性 GaAs基板和晶片電感器的。 圖1係本實施例1之高頻用電力放大器之電路圖。 在圖1，10係高頻用電力放大器，12係陶磁或玻璃環 氧樹脂之組裝用基板，14係MM IC晶片，1 6係作為電抗元件 之晶片電感器’MMIC晶片14和晶片電感器16黏在組裝用基 板12上而併置。 & 1 8係是MM I C晶片1 4之基板之半絕緣性Ga As基板，2 0係
2118-3983-PF.ptd 第8頁 501341 五、發明說明（5) 在該半絕緣性GaAs基板18上形成之作為第一雙極性電晶體 之南頻用電力放大用之HBT，係射極由AlGaAs、基極由_ GaAs構成之GaAs系HBT ° 22係對於在GaAs基板18上形成之HBT20之輸入側匹配 電路，和HBT20之基極連接，24係對於HBT20之輸出側匹配 電路，和HBT20之集極連接。26係用以控制對HBT20施加之 基極電位之偏壓電路。 圖2係表示偏壓電路例之電路圖。 在圖2，26a、26b係利用電阻分割決定偏壓電路之輸 出端26c之輸出電壓vi後開關之雙極性電晶體，26d係電源 端，26e係控制端，26f係電阻。 ’、 回到圖1，28係輸入高頻信號電力之信號輸入端子， 和輸入側匹配電路22連接，3〇係輸出高頻信號電力之信號 輸出端子，和輸出側匹配電路連接。32係作為第一端子之
偏壓電路輸出端子，和偏壓電路26之輸出端26c連接。W 係作為第二端子之基極連接端子，和ΗΒΤ2〇之基極連接。 ☆ ^ ^係接合線，接合線3 6a連接晶片電感器16之一端和 偏：電，出端子32，接合線36b連接晶片電感器“之另 一鈿和基極連接端子34。 3^係接地端子，該接地端子38和邶72〇之射極連 40係輸出控制輸入端子，和偏壓電路託之控制端“㊀ * : φ工制彳5號。42、44係施加直流電壓電位Vc之電源 端子，電源端子42和偏壓電路26之電源端咖連接。之電源 2118-3983-PF.ptd 第9頁 501341
又’電源端子44和HBT20 之集極連接並施加
集極偏 η t 端子28之高頻之信號電力經由輸入側匹 :電路22用HBT20放大後，經由 輸入:匹 輪出端子30輸出。&時，受到輪入鈐屮㈣电：24“唬 ^ ^ ^ ^ 又則輸入輸出控制輸入端子4〇之 &控制，以既定之電位自偏壓電路26供給HBT2〇之 基極基極電流。
該基極電流透過自偏壓電路26之輸出端子和偏壓電路 輸出端子32連接後，自偏壓電路輸出端子32經由接合線 36a和晶片電感器16之一端連接，再經 其另-端經由接合線36b和基極連接端子34連：感=自 HBT2G之基極連接之路徑，供給HBT2〇之基極。
在該基極電流經過之路徑未使用用以抑制輸入信號之 漏電力之隔離用電阻。使用晶片電感器16，替代隔離用電 阻。因而，高頻之輸入信號電力之頻率變高，又輸入信號 電力之電力量變大，也可令晶片電感器16在所要之高頻頻 帶具有高阻抗特性，可抑制輸入信號繞入偏壓電路2 6之漏 電力。而且，晶片電感器16不會令作用於HBT20之基極之 基極電位降低。 而’晶片電感器16在半絕緣性GaAs基板18上未設置， 因和MMIC晶片14併置的設置於組裝用基板上，GaAs基板18 之尺寸不會變大，和晶片電感器16之平面積（footprint size)無關。 例如，以往之使用隔離用電阻之情況之MM IC晶片之
2118-3983-PF.ptd 第10頁 501341 五、發明說明（7)
GaAs基板之面積係〇.8mm2。如本實施例1所示，在組裝用 基板12上設置晶片電感器16並和MMIC晶片14併置之情況， MMIC晶片14之GaAs基板18之尺寸還是〇.8mm2。 現在假如在MM IC晶片上形成例如螺旋電感器，對於此 情況計算其所需之面積。 例如，將本高頻用電力放大器用於行動電話，設輸入 信號之頻率為1GHz時，將為了在高頻上將HBT20和偏壓電 路26之偏壓電晶體26a、26b所需之阻抗值設為30 Ω時，電 感值變成30nH。 在用螺旋電感器構成之情況，MMIC晶片之GaAs基板之 尺寸變成2· 5 mm2，和在組裝用基板12上設置了晶片電感 器1 6時之MM IC晶片1 4之MM IC晶片1 4之GaAs基板1 8之尺寸相 比’需要約3倍。 如以上所示，在本實施例1，不增加昂貴之龍j c晶片 ^GaAs基板之基板面積，就可有效的抑制繞入偏壓電路之 雨頻彳s號之漏電力量，可確保偏壓電路之動作之穩定性。 而且’藉著在組裝用基板上將晶片電感器和MM j c晶片併 ，，不增加MMIC晶片之昂貴之GaAs基板之基板面積，可便 宜的構成〇因此，在本實施例丨之高頻用電力放大器，可 構成偏壓電路穩定、穩定性高、便宜、可能性高之高頻用 電力放大器。 尤其在使用晶片電感器之情況，可藉著零件更換簡單 的，整電感值，最佳化容易，又因可使在組裝用基板上之 組裝面積變小，適合小型化。
501341
變形例 圖3係本實施例1之變形例之高頻用電力放大器之 圖。本變形例係使用微帶線路替代在前面之 大器10之晶片電感器16之情況。 貝用1：力放 在圖3 ,50係高頻用電力放大器，52係作為電抗元 之微帶線路。
在本變形例之高頻用電力放大器50也和高頻用電力放 大器ίο—樣的動作，不增加昂貴之MMIC晶片之GaAs基板所 需之面積’可使繞入偏壓電路之高頻信號之漏電力量變 少。因而，偏壓電路穩定的動作，可構成便宜、靠 之高頻用電力放大器。 尤其藉者採用微帶線路’因可在組裝用基板12上形成 電路圖案，零件數變少。 實施例2
實施例2係在多段構造之高頻用電力放大器之輸入信 说電力變大之後段’在偏壓電路和放大用之雙極性電晶體 之基極之間連接防止信號電力繞入之晶片電感器，而且在 組裝用基板上併設了配置前段之電力放大器及後段之放大 用之雙極性電晶體和偏壓電路之半絕緣性半導體基板與晶 片電感器的。 圖4係本發明之多段之高頻用電力放大器之電路圖。 在圖4，60係高頻用電力放大器，62係放大器後段，
2118-3983-PF.ptd 第12頁 501341 五、發明說明（9) 用虛線所包圍之部分。該放大器後段62係相當於實施例i 之高頻用電力放大器10之部分。放大器後段62之符號令和 高頻用電力放大器1 0之符號對應。64係在高頻用電力放大 器60新增加之放大器前段，此部分也用虛線包圍。 66係放大器前段64之放大用之HBT，68係前段放大用 之HBT66之輸入側匹配電路，70是HBT66之偏壓電路，72係 設於放大器前段64之HBT66和偏壓電路7〇之間之防止輸入 信號電力繞入之隔離用電阻，76係和HBT66之射極連接之 接地電極，78係偏壓電路70之控制用輸入端子，8〇、82係 施加直流電壓電位Vc之電源端子。 自、號輸入端子28輸入之高頻之輸入信號電力首先用 放大器前段64放大。在放大器前段64因輸入HBT66之輸入 信號電力尚小且基極電流也小，為了防止輸入信號之漏電 力繞入偏壓電路70，使用隔離用電阻72也無礙。用放大器 刖段64放大後之輸入信號電力經由輸入側匹配電路“供^ 放大器後段62之放大用之HBT20。 、" 此時因供給ΗΒΤ20之輸入信號電力變大，往偏壓電路 26之漏電力也變大，又基極電流也多，而且需要避免發生 壓降’為了抑制漏電力，必須增大隔離用電阻之電阻值， 用隔離用電阻無法確保充分之基極電位。 因而，在本高頻用電力放大器6〇，供給放大器後段Μ 之放大用之ΗΒΤ20之基極電流透過自偏壓電路26之輪 子和偏壓電路輸出端子32連接後，自偏壓電路輸^ 經由接合線36a和晶片電感器16之一端連接，再經由晶^片
501341 501341
五、發明說明（10) 電感器16自其另一端經由接合線36b和基極連接端子34連 接’再和HBT20之基極連接之路徑，供給jjbt2〇之夷極。 因此，可令晶片電感器1 6在所要之高頻頻帶具有高阻 抗特性，輸入放大器後段62之放大用之ΗΒΤ20之輸入信"7號 電力變大，又頻率變高，也可抑制繞入偏壓電路26之°漏電 力。而且，晶片電感器16不會令作用於ΗΒΤ20之基極之夷 極電位降低。 而’晶片電感器1 6在半絕緣性GaAs基板1 8上未設置， 因和MMIC晶片14併置的設置於組裝用基板上，以^2板18 之尺寸不會變大，和晶片電感器16之平面積無關。土 於是，在多段構造之高頻用電力放大器，未必只在 出段’在信號電力變大之電力放大器後段，具有抑制信^ 電力之漏電力向偏壓電路之繞入之效果。而且，不增 貴之MMIC晶片之Ga As基板所需之面積，可使向偏壓電路^ 繞入之高頻信號之漏電力量變少，偏壓電路穩定的動作， 可確保偏壓電路之穩定性。進而可構成便宜、穩定性言、 可靠性高之多段之高頻用電力放大器。 同、 發明之效果 本發明之高頻用電力放大器因包括如以上之說明斤_ 之構造，具有如下之效果。 下 、，若依據本發明之高頻用電力放大器，因包括半絕緣性 半導體基板；第一雙極性電晶體，配設於該半導體基板 上’具有經由輸入侧匹配電路輸入信號之基板和在輪出側
501341
五、發明說明（π) 匹配電路輸出放大後之彳§號之集極；偏麼電路，配設於今 半導體基板上，供給該第一雙極性電晶體基極電流；第一 端子’配設於該半導體基板上，和該偏壓電路之輸出端^ 接；第二端子，配設於該半導體基板上，和該第一雙極性 電晶體之基板連接；電抗元件，接在該第一、第二端子之 間；以及組裝用基板，配設了該電抗元件和該半導體基 板，利用本構造，不增加半絕緣性半導體基板之面積:可 使信號電力往偏壓電路之漏電力變少。因而，偏壓電路穩 定的動作。進而可構成便宜、可靠性高之高頻用電力放: 器。 此外，因還包括第二雙極性電晶體，將放大後之輸出 信號輸入第一雙極性電晶體之輸入側匹配電路，在多段之 放大器之後段侧之第一雙極性電晶體，不增加半絕緣性半 導體基板之面積，可使信號電力往偏壓電路之漏電力變 少，後段側之第一雙極性電晶體之偏壓電路穩定的動作。 ，而可構成便宜、可靠性高之多段構造之高頻用電力放大 ，藉著更換零件， 。進而可變成可靠
此外，因電抗元件採用晶片電感器 可簡單的調整電感值，又組裝面積變小 性高之構造。 形成電路圖案心 圖式簡單說明
501341 五、發明說明（12) 圖1係本發明之高頻用電力放大器之電路圖。 圖2係本發明之高頻用電力放大器之偏壓電路之電路 圖。 圖3係本發明之高頻用電力放大器之電路圖。 圖4係本發明之多段之高頻用電力放大器之電路圖。 圖5係以往之南頻用電力放大之電路圖。 符號說明 18〜半絕緣性GaAs基板、 2 2〜輸入側匹配電路、 20〜HBT 、 26〜偏壓電路、 32〜偏壓電路輸出端子、 34〜基極連接端子、 16〜晶片電感、 12〜組裝用基板、 66〜前段放大用之HBT。
2118-3983-PF.ptd 第16頁

Claims (1)

  1. 501341 六、申請專利範園 1· 一種高頻用電力放大器，其特徵在於包括·· 半絕緣性半導體基板； 第一雙極性電晶體’配設於該半導體基板上，具有經 由輪入側匹配電路輸入信號之基板和在輸出側匹配電路輸 出放大後之信號之集極； 供給該第一雙極 和該偏壓電路之 和該第一雙極性 偏壓電路，配設於該半導體基板上 性電晶體基極電流； 第一端子，配設於該半導體基板上 輸出端連接； 第二端子，配設於該半導體基板上 電晶體之基板連接； 電抗元件，接在該第一、第二端子之間；以及 〇组裝用基板’配設了該電抗元件和該半導體美板。 中，還ms=1項之高頻用電力放大：，其 第-雙極性電晶體之輸入側匹配電路。翰“唬輸入 中3齋=巾凊專利範圍第1或2項之高頻用電力放大器，其 中’電抗元件係晶片電感器。 刀放大益，其 4·如申請專利範圍第1 中’電抗元件係微帶線路,2項之"頻用電力放大器，其 2118-3983-PF.ptd 第17頁
TW090110409A 2000-11-30 2001-05-01 High-frequency power amplifier TW501341B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000365425A JP2002171143A (ja) 2000-11-30 2000-11-30 高周波用電力増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW501341B true TW501341B (en) 2002-09-01

Family

ID=18836196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090110409A TW501341B (en) 2000-11-30 2001-05-01 High-frequency power amplifier

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6570451B2 (zh)
JP (1) JP2002171143A (zh)
DE (1) DE10134561A1 (zh)
FR (1) FR2817409B1 (zh)
TW (1) TW501341B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296719A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2005020476A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅回路および無線通信システム
JP2005143079A (ja) 2003-10-14 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
WO2005107063A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha バイアス回路
US7342456B2 (en) * 2006-04-19 2008-03-11 Northrop Grumman Corporation DC-bias network for a distributed amplifier
WO2011092910A1 (ja) * 2010-01-26 2011-08-04 株式会社村田製作所 電力増幅器
JP5526221B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-18 パナソニック株式会社 半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3434070A (en) * 1966-01-14 1969-03-18 Sylvania Electric Prod Shunt feed for increasing amplifier output power
FR2205777B1 (zh) * 1972-11-02 1977-03-11 Sony Corp
US3940706A (en) * 1974-05-13 1976-02-24 Communications Satellite Corporation (Comsat) Microwave transistor amplifier
US4771247A (en) * 1987-09-24 1988-09-13 General Electric Company MMIC (monolithic microwave integrated circuit) low noise amplifier
US5117203A (en) * 1990-12-13 1992-05-26 General Electric Company Phase stable limiting power amplifier
JPH05167302A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Hitachi Ltd 高周波電力増幅回路装置およびそれを含む高周波モジュール
US5208554A (en) * 1992-01-24 1993-05-04 Systron Donner Corporation High power compact microwave amplifier
JP2513146B2 (ja) * 1993-09-20 1996-07-03 日本電気株式会社 高効率増幅回路
JP3208118B2 (ja) 1994-03-10 2001-09-10 松下電器産業株式会社 電力増幅器
JPH09121127A (ja) * 1995-10-26 1997-05-06 Murata Mfg Co Ltd 高周波増幅集積回路装置
JP3327783B2 (ja) * 1996-08-30 2002-09-24 シャープ株式会社 トランジスタ電力増幅器
JPH10135750A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波帯アンプ
US5982236A (en) * 1997-01-21 1999-11-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency power amplifier
FI971180A (fi) * 1997-03-20 1998-12-23 Micronas Oy Stripe-line-kela
JPH10322145A (ja) 1997-05-16 1998-12-04 Kyocera Corp 高周波用電力増幅器
US5939941A (en) * 1997-09-25 1999-08-17 Motorola, Inc. High efficiency power amplifier using HITFET driver circuit
JP3175823B2 (ja) * 1998-04-24 2001-06-11 日本電気株式会社 高周波増幅装置
DE19916569C2 (de) 1999-04-13 2002-03-21 Infineon Technologies Ag Mit einer oder mehreren Verstärkerschaltungen chipintegrierte Stromspiegel-Spannungsreferenzschaltung zur Arbeitspunkteinstellung
JP2001332935A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Fujitsu Ltd マイクロ波増幅器
US6424223B1 (en) * 2001-01-19 2002-07-23 Eic Corporation MMIC power amplifier with wirebond output matching circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US6570451B2 (en) 2003-05-27
DE10134561A1 (de) 2002-06-13
JP2002171143A (ja) 2002-06-14
FR2817409A1 (fr) 2002-05-31
US20020063602A1 (en) 2002-05-30
FR2817409B1 (fr) 2006-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI378638B (en) Amplifier, attenuating module and method for attenuating an rf signal
US7154336B2 (en) High-frequency power amplifier
US7928804B2 (en) Power amplifier
JP4933598B2 (ja) 分布型環状電力増幅器の構造
US6636119B2 (en) Compact cascode radio frequency CMOS power amplifier
US6492875B2 (en) Self-boosting circuit for a power amplifier
TWI424302B (zh) 用以適應性地偏壓通訊系統的可適性偏壓電路
US20070069708A1 (en) Differential mode inductor with a center tap
CN208337517U (zh) 功率放大电路
CN109546980B (zh) 功率放大电路
JP6316512B1 (ja) 半導体装置
US11545944B2 (en) Power amplifier circuit
CN113054915B (zh) 一种应用于射频功率放大器的温度补偿偏置电路
TW501341B (en) High-frequency power amplifier
JPS60236306A (ja) 高周波増幅器
Lee et al. InGaP/GaAs HBT broadband power amplifier IC with 54.3% fractional bandwidth based on cascode structure
US4975659A (en) Amplifier package using vertical power transistors with ungrounded common terminals
CN114584077A (zh) 多尔蒂功率放大器的偏置电路
US20200119695A1 (en) Power amplifier circuit
Li et al. A 12 GHz to 46 GHz fully integrated SiGe distributed power amplifier with 20.9 dBm output power and 18.3 dB Gain
JP2008124559A (ja) 電力増幅器およびそれを用いた通信装置
TW200428758A (en) Switchable amplifier circuit having reduced shutdown current
Oka et al. Enhanced linearity and efficiency of HBT power amplifiers for 5-GHz wireless-LANs
US20230378105A1 (en) Power amplifier circuit
JP3606807B2 (ja) 高周波増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent