TW497167B - Pattern forming method - Google Patents

Pattern forming method Download PDF

Info

Publication number
TW497167B
TW497167B TW090106141A TW90106141A TW497167B TW 497167 B TW497167 B TW 497167B TW 090106141 A TW090106141 A TW 090106141A TW 90106141 A TW90106141 A TW 90106141A TW 497167 B TW497167 B TW 497167B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
pattern
lower layer
photoresist
treatment
Prior art date
Application number
TW090106141A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Sato
Hideshi Shiobara
Kiyonobu Onishi
Motoyuki Sato
Hiroshi Tomita
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW497167B publication Critical patent/TW497167B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/085—Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

497167 五、發明說明（彳） 發明之背景 本發明係關於一種半導體裝置的製造方法，尤其關於— 種半導體晶圓基板表面上之圖案形成方法。 半導體元件之製程係含有許多：於以圓上堆積複數的 物質作爲被加工膜，進行圖案化成特定之圖案的步驟。此 被加工膜之圖案化係如下般實施。 首先，一般將所謂光阻之感光性物質堆積於被加工膜上 =形成光阻膜，在此光阻膜之特定區域實施曝光。然後， 藉顯像處理除去光阻膜之曝光部或未曝光部而形成光阻圖 案，進-步，使用此光阻圖案作爲姓刻掩模，乾式蚀刻被 加工膜。 曝光光源就產能之觀點，可使用KrF準分子雷射、ArF準 分子雷射等之紫外線，但隨著LSI之微細化，必要的解析 度在波長以下，曝光量寬度、焦點寬度等之曝光製程寬度 會不夠。爲彌補此等製程邊際，使光阻膜之膜厚變薄而提 高解析性乃很有效，但，另外，無法確保被加工膜在蝕刻 上必需之光阻膜厚的問題會產生。 .爲解決此問題，於被.加工膜上形成下層膜、中間膜、及 光阻膜’使光阻膜圖案介由中間膜轉印於下層膜，而形成 下層膜圖案後，以下層膜圖案作爲蝕刻掩模而進行被加工 膜之加工的多層光阻法，乃揭示於solid state Techn()lc)gy， 26 (5)，1 05 (1983) 〇 在此方法中，下層膜必須作用爲蚀刻掩模，很難被藏 鍍’宜爲具有蝕刻耐性且含有許多碳原子之材料。然而， -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 五、發明說明（2 。石灭里间又下層膜因氣體透過性低， 刻掩模而蝕刻下岸膜梓，/ H 中間艇圖案作馬蝕 體m .曰 在下層膜與中間膜之間會產生氣 象因T:，其結果，中間膜會發泡，造成破裂之現 此，很難正常地進行下層膜之加工。 發明之簡單説明 本裔明之目的在於提供一種 使用含碳量高之材料，不心=成人万法，其於下層膜 模破裂，可無障礙地加工;成於下層膜上之罐 广=明，可提供一種圖案形成方法，其具備如下步 。二：上，形成一具有碳原子含量80重量％以上之膜 二堆積膜即下層膜；於前述下層膜之表面實施密著性 =處理’·於前述實施密著性促進處理之下層膜表面，形 行圖Si於前述中間膜上形成光阻膜；對前述光阻膜進 n 暴先，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案轉印於中 而开/成中間月吴圖案；將中間膜圖案轉印於下層膜而形 成則述下層膜圖案。 ^若依本發明，可提供一種圖案形成方法，其具備如 '二敉三於基板上，形·成一具有碳原子含量80重量％以上 ?吴或乳相堆積膜即下層膜；於前述下層膜之表面實施密 著隹促進處理’·在經實施密著性促進處理之前述下層膜的 表面圮成含金屬原子或半導體原子之光阻膜：對前述光 阻月笑進行圖案曝光，而形成光阻圖案；將前述光阻膜圖案 轉印於下層膜而形成前述下層膜圖案。 又，若依本發明，可提供一種圖案形成方法，其具備如 -5- "+^/丄0/ A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 步驟：於基板上，形成_ 之膜或氣相堆積膜 人东子S I 8 0重量％以上 著性促進膜·卢、， 曰^ <表面形成密 促進腠，在珂述密著性促進膜上形成中 中間膜上形成光_ . ^、+. 1 成中間;於前述 '尤I且腺，對則述光阻膜進安 成光阻圖案.將二、+、上R 圖木暴光’而形 圖案U述先阻圖案轉印於中間膜而形成中間膜 ㈣圖案轉印於下層膜而形成前述下層膜圖 二=發明，可提供-種圖案形成方法，其具備如 +膜：：:彳板上，形成—具有碳原子含量财量％以上 ::，_積膜即下層膜；於前述下層膜之表面形成密 2促進膜；在前述密著性促進膜上形成光阻膜；對前述 人阻_行圖案曝光’而形成光阻圖t;將光阻圖案轉印 万；下層膜而形成前述下層膜圖案。 圖式之簡單説明 圖以〜⑽依步驟順序表示本發明之—實施例的圖案形 成方法的斷面圖； 圖1 G1係表示習知圖案形成方法之問題點的圖； 圖2A〜2F係依步驟順序表示本發明之另一實施例的圖案 形成方法之斷面圖； 圖3係表示下層膜表面之極性與發泡數的關係曲線； 圖4係表示下層膜之含碳量與被加工膜之推拔角曲線。 發明之詳細説明 本飪明人對於加工下層膜時，形成於下層膜上之蝕刻掩 杈會破裂的問題，經專心研究，結果，發現蝕刻掩模在下 - I I Γ 请先閱讀背面之注意事項再本頁) IV, 訂· 線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 497167 A7 五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 層膜之姓刻途中會破裂，係蝕刻掩模與下層模之密著性很 低所造成者。亦即，發現即使在下層膜與蝕刻掩模之間滯 留氣體，若蝕刻掩模與下層膜之密著性很強，不會產生蝕 刻掩模之發泡乃至破裂，終完成本發明。 亦即’本發明之圖案形成方法，其特徵在於：在下層膜 表面實施密著性促進處理，或，於下層膜上形成密著性促 進膜。 在本發明之圖案形成方法中 增加下層膜表面極性之處理、 理’粗面化下層膜表面之處理 之處理等。 增加下層膜表面極性之處理 以下。具體的處理方法，可舉例對下層膜照射能；^，將 下層膜曝露於臭氧中。 如以上般所構成之本發明的方法中，於下層膜表面, 密著性促進處理…形成密著性促進膜。因此，因下严 膜之含碳量高，且氣體透過性低，蚀刻下層膜時，即使2 下層腠與其上之蝕刻掩‘模之間氣體源或其一部份 刀， :層：細"爸模會很強地密著，故不會造成“掩“ 泡、破衣（現像。因此，可正常地進行下層膜之加 又 以下，參照圖面而說明有關本發明之實施形輯。口。 首先/如圖1A所示，於晶圓基板1例如於石夕基板上开《 下層月旲3。又’在圖中，於晶圓基板 ^ 上m成下層月吴3,但，亦可不形成被力口工膜 ，密著性促進處理可舉例： 減少下層膜表面極性之處 ’於下層膜表面賦予黏著性 宜使對純水之接觸角爲20。 裝 施 層 線 成 本紐尺度適用中_家標準（CNS)A4規格（21G；：297公髮f 2 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被力二膜2無特別限定，但可舉例如氧切⑽、氮化石夕 乳化碎^、或旋塗玻璃、使用於掩模製造時之空白 寺6、m緣μ、非晶珍、多切等之碎系材料、銘、 鋁矽化物、銅、鎢等之配線材料等。 ^層膜3之膜厚宜爲2〇〜5_nm的範圍。其理由係膜厚 出乂下/在被加工膜2之蝕刻途中下層膜3不被削 •于、’ U特足的尺寸加工被加工膜2乃很難，$外，若比=〇咖還原，將光阻圖案以乾式蚀刻法圖案轉印於下層 月吴〇時，尺寸變換差乃很明顯發生。/層膜3係碳原子含量具有㈣量％以上之膜或氣相堆 二ϋ相堆«可舉例以賤鍍法、cvd法、蒸鍍法等形=二例如可舉出:氧切、氮切、嫩碎、銘、鋁矽化物、氮化鈦、鉬、矽等。 以下’説明有關碳原子含量具有⑼重量％以上之膜。 :原：含量具有80重量％以上之膜的形成方&，宜爲塗 理由係若與CVD法比較，塗布法係製程很簡單，.P，製程成本。此外，詳述以塗布法之形成方法。芦：Ή有碳之‘化合物溶解於有機溶劑中而調製下 處含有碳之化合物並無特別限定，可爲例如 二f樹脂;丙炔醚;酚系樹脂、酚醛清漆系樹脂，芳香族化合物之分子量並血牡 理由係分子量爲膜^ ,, “版3 /谷畔於光阻落劑中，，右超過1QG，_，很難溶解於有機溶劑中，很難製成 本紙張尺度國家標準（CNS)A4規^^ -8 - χϋ公釐） 7---i----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) ή^τ· ;線· /10/
、發明說明（ 落液材料。 、化合物係不限於一種類，亦可混合數種的化合物。又， 依而要，爲謀求貯存安定性，亦可添加熱聚合防止劑，用 以對被加工膜提昇密著性之密著性提高劑，爲防止從被加 —膜朝光阻膜中反射的光，吸收紫外線之染料、聚砜、聚 苯並咪唑等之吸收紫外線的聚合物，導電性物質、以光、 熱屋生導電性之物質、或可使金屬化合物交聯之交聯劑。 有機i彳並典特別限定，但可舉例丙酮、甲乙酉同、甲爲 異：酮、m己酮等之酮系溶劑、甲基溶纖劑、甲基溶纖二 乙匕酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯等之溶纖劑系溶劑、乳酸1 =、醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸異戊酯等之酯系溶劑P甲 酉τ乙^于、兴丙醇等之醇系溶劑、其他茴香醚、二甲、 石油腦等。 、 以上足方法製成塗布材料，於被加工膜2上以例如旋塗 法等塗布溶液材料後，再加熱而使溶劑氣化，·俾 ： 膜3 〇 ^ 加熱後之下層膜3中的碳原子含量相對於下層㈣〇重量 份必頊烏8 0重量份以上。其理由係不足8 〇重量份，被加 工膜2之蝕刻時無法得到必要且充分之蝕刻耐性。 其次’爲防止下層膜3加工時必要之蝕刻掩模的發泡、 破裂’進行促進下層膜3與其上之膜的密著性處理 性促進處理，係.下層膜3上所形成之膜，例如中間膜：梓 性很向時，當增加極性之處理，例如中間膜極性很低時， 宜減少極性之處理。 ----.V---I--------- Γ请先閱讀背面之注意事項再本頁} · 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 -
497167 A7
增加下層膝3極性之虛掷彳£坤丄 ^ 又處理，係對水之接觸角爲2 0 νλ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 下’更宜爲10、下，減少下層膜3極性之處理，係董" 水之接觸角爲50。以上，更宜爲7〇。以上。 ' 爲增加下層纟吴3極性，作蚀1 -hr ·ι ^ Γ係使具有如羰基之氧的取代基^ 含於構成下層膜3之化人铷鼠古# t 疋化口物馬有政”但，氧有時係招致音 刻耐性之劣化。下層腺1， 曰腠3之表面對純水之接觸角爲2 〇。^ 上時，如圖1B所示，以能量束之照射處理，或含有臭辈 之氣氛下曝露下層膜3，亦可使下層膜3之表面區域" 化，而增加極性。 能量束並無特別限定，但宜爲含有波長·麵以下之切 長區域的光，或，X線。其理由係7〇〇麵以上時能量邪 弱，要使下層膜3之表面氧化乃很難。曝光量宜爲 mJ/cm2〜1〇00 mJ/cm2之範圍，在1 mJ/cm2以下時能量乃邪 弱，要使下層膜3之表面氧化乃很難，在删嫌^以』 時，曝光量會過高，導致產能下降。 又’亦可使用電子束作爲能量束，電子束之照射量宜在 於0.1 #C/cm2〜1000 C/cm^範圍，在〇 uc/cm2以下時能 量很弱，要使下層膜表面氧化乃很難，在1〇〇〇 c/cm2以上 時，照射量會過高，而招致產能下降。 使下層膜3之極性減少的處理，可舉例曝露於特定化合 物例如含有六甲基二矽烷基胺等蒸氣的環境下。 進一步，藉由增加或減少下層膜3的極性，而提高密著 性之處理以外’亦可進行對下層膜3表面賦予黏著性之處 理，使下層膜3表面粗面化之處理等。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Γ-------I---I - I I (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂-· 線· 497167 A7 五、發明說明（8 ) 又，亦可形成密著性促進膜，其係提高下層膜3M上 之膜例如後述之中間膜的密著性。如此之密著性促進膜宜 以極性南之材料來構成。例如··聚丙炔、聚丙炔醚 樹脂、驗酸清漆系樹脂、聚甲基丙缔酸甲g旨等。㈣性促 進膜的膜厚苴爲10〜1000 nm左右。· 其次，如圖1C所示，於下層膜3上形成中間層5 層膜厚宜在於10〜_nm的範圍，在1〇咖以下時 之敍刻途中中間膜5會被削去，在1〇〇〇_ 難加工中間膜5。 R 二：膜5之材料’係只要對一使用於下層膜3之 氧廷漿含有不揮發成分的材料即可，並無特別限定，作 舉例如無機酸化合物，具體上可舉例氧化石夕、氧化銘、 化鈦，或，氧化鎢等。 '此等之材料係氧與無機元素之結合會帶極性，與極性 〈下層膜表面區域4的潤濕性會提高，增加密接性，故 防止#刻掩模之破裂。 又’中間膜之極性低時，亦可使用聚甲基俨 樹脂等之極性低的材料.。 兀 〜其後，如圖1D所示，於中間膜5上塗布光阻溶液 仃加’形成光阻膜6。若使光阻膜6之膜厚變薄 此可k南曝光時之曝光量寬度、焦點寬度、或解 η:膜6之膜厚係若爲可使下層膜3"控制性二 岁的月吴厚，以薄者爲佳，宜爲10〜10000 nm的範圍。 光阻之種類並無特定限定，依目的而可選擇使用正型 的 可氧 可 線 含氟 進 獨 地 或 (CNS) A4 11- χ297 ) 497167 A7 B7 五、發明說明（ ^ °具體上正型光阻可舉例：由㈣二疊氮與酚酸清漆 樹脂所構成的光阻（IX_77Q ]SR社製）、以卜咖保護之聚 乙缔基S分系樹脂與氧產生劑所構成的化學增幅型光阻 (α^εχ-ε、〉7 y b 一社製）等。又，負型之光阻可舉例： 由聚乙烯基酚與密胺樹脂及光氧產生劑所構成的化學增幅 型光阻（SNR 200,卜社製）、聚乙晞基紛與雙疊氮 化合物所構成的光阻（RD-2000N，日立化成社製）、脂肪族 烴基保護之聚甲基丙烯酸甲酯及光氧產生劑所構成的化學 增幅型光阻等，但不限於此等。 將此等之光阻溶液以例旋塗法、浸潰法等塗布於下層膜 上後，再加熱而使溶劑氣化，製成光阻膜6。 其次，對所形成之光阻膜6進行特定的圖案曝光。有關 曝光光源並無限定，可舉例如紫外線、X線、電子束、離 T束等。紫外線可舉例如··水銀燈之§線（436 1101)、{線 (365 _)、或 XeF(波長=351 _)、Xea(波長勹〇8 _)、 KrF(波長=248 nm)、KrC1(波長=222 麵）、(波長 Η” _)、F2(波長= i5i nm)等之準分子雷射。 口再者，如圖1 E所示，‘以TMAH、柯鹼等之鹼顯像液進行 頰像處理’可形成光阻圖案7。〖，依需要，爲減少進行 光曝光時所產生之光阻中的多重反射，爲防止進行上層反 射防止膜、或、電子束曝光時所產生之電荷負貞，亦可於 光阻膜之上層形成上層帶電防止膜。 其次，如圖1 F所示，使用乾式蝕刻法而將光阻圖案7之 圖案形狀轉印於中間膜5，則寻到中間膜圖案8。蝕刻方 •12- 本A張尺度迺用宁國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 裝 訂· · 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497167 A7 五、發明說明（1〇 式，只要爲例如反應性離子蝕刻、磁子型反應性離子蝕 刻、電子束離子蝕刻、ICP蝕刻、或ECR離子蝕刻等微細 加工者即可，並無特別限定。 其/人，如圖1 G所示，使用乾式蝕刻法而將中間膜圖案8 之圖案形狀轉印於下層膜3，得到下層膜圖案9。蝕刻方式 只要爲例如反應性離子蝕刻、磁子型反應性離子蚀刻、電 子束離子蝕刻、ICP蝕刻、或ECR離子蝕刻等微細加工者 即可，並無特別限定，但，氣體源宜使用含氧原子、或氯 原子 < 氣體，氧自由基、氯自由基與下層膜3之反應性 高，可以良好的產量進行被加工膜加工。含有氧原子戋氯 原子之氣體可舉例：〇2、（：0、^2、〇12等。進而，氣體源 宜含有氮原子或硫原子者，其理由係可異方性良好地加工 下層膜。如此之氣體源可舉例化、1^3、8〇？。此 亦可含有Ar、He等之氣體。 ~ " 如以上之做法，藉由蝕刻下層膜3，中間膜圖案8不合引 起破裂，可正常地加工下層膜3。其理由認爲如下。曰 亦即，以習知之方法，若蝕刻下層膜 ,,^ , q腰j，乳體源所生成 之自由基與下層膜會反.應而生成之揮發性成 氣體源所生成之自由基會充滿下層膜表面， ^〆 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由充滿於下層膜表面之揮發成：仃蝕刻’ 破裂。 甲門挺圖案8會引起 然而，若依本發明之方法，藉增加下層膜 俾提高中間膜圖案8與下層膜3的密著性，故，F又極性：’ 膜3之表面，揮發性成分、氣體源 P使在下層 孔岐源所生成之 /丄〇/ A7 B7 五、發明說明（) 自由基會充滿，中間膜圖案8會變成很難破裂。 、/、人如圖1 η所不’使用乾式蝕刻法而將下層膜圖案9 〈圖案形狀轉印於被加工膜2，可得到被加工膜圖案… 蚀刻万式係與中間膜之圖案化同樣。如此 性可使被加工膜圖案化。 . 问，、万 上述（貫施形態係説明—將光阻圖案之圖案形狀依序轉 於中間層、下層膜的情形，但，亦可於下層膜上直接形 成光阻圖案，再進行下層膜之加工。此時，光阻係作用爲 下層膜之蝕刻掩模，故必須含有金屬原子或半導體原子。 金屬原子可舉難、鈇、锆、料，半導體原子 矽、鍺等。 含有金屬原子或半導體原子之光阻中，係氧與金屬原子 或半導體原子之結合帶有極性，故與中間膜時同樣地，藉 由提高下層膜之極性’與下層膜表面之潤濕性會提高，下 層膜與光阻圖案之間的密著性會增加。因此，.可防止由光 阻圖案所構成的|虫刻掩模之破裂。 又，如以上般，於下層膜上直接形成光阻圖案，進行下 層膜之加工時，爲提高.光阻與下層膜之間的密著性，與中 間膜時同樣地，亦可於下層膜上形成密著性促進膜;;此 時’光阻不須含有金屬原子或半導體原子。 以下，説明有關本發明之各種實施例。 貫施例1 在本實施例中，使用中間膜、下層膜依序作爲掩模，而 加工作爲被加工膜之Si〇2膜的，參照圖i A〜圖i H而説明 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ----*----------裝--- (請先閱讀背面之注音？事項本頁) 訂： 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497167 A7 -------B7__ 五、發明說明（12 ) 之。 於矽晶圓1上以LPCVD法形成厚500疆之si〇2膜2作爲被 加工膜。然後，於被加工膜2上以下述（R1)〜（R5)及 (S1)〜（S10)之方法形成下層膜3 (圖1 A)。 下層膜3依需要如圖1 B所示，藉曝露於能量束之照射或 臭氧等’實施提高下層膜3之極性的處理。 (R1):將下述式（1)記載之平均分子量8,〇〇〇的含碳化合 物10 g溶解於乳酸乙酯90 g而調製下層膜溶液後，塗布於 被加工膜2上，使用熱平板而於氧濃度5〇 ppm以下之氮氣 環境下以350°C烘烤120秒，形成下層膜。又，任一者之下 層膜亦膜厚爲300 nm。 ---：------------- (請先閱讀背面之注意事項本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在（R2):(R1)中，使氧濃度爲l %。 在（R3):(R1)¥，使氧濃度爲20%。 (R4):在石墨板作爲標靶之〇 C濺鍍在氫氣中實施，形成 碳膜，作爲下層膜。 (R5):將平均重量分子量12,〇〇〇之甲酚酚醛清漆l〇 g溶解 於乳酸乙酯90 g而調製下層膜溶液後，在大氣中以35〇°c烘 烤120秒，形成下層膜。 (S1):以（R1)之方法形成的碳膜浸潰於η ppm濃度的臭 氧水中1秒鐘，而增加碳膜表面之極性。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 49/10/ A7 五、發明說明（13 (52) :在（S1)中，使浸透時間爲ι〇秒鐘。 (53) ··在（S1)中，使浸透時間爲⑻秒鐘。 (54) 對万；以（S1)〈万法形成的碳膜”乂⑽mJ/cm^、射 一含有波長157疆光之準分子燈，增加碳膜表面之極性。 (55) 對万、以（Sl)<方法形成的碳膜，以照射量工 照射電子束，而增加碳膜表面之極性。 _(S6):以（R4)之方法形成的碳膜浸透於15Ppm濃度之臭 氧水中1 0秒鐘而增加碳膜表面之極性。 (57) :以（R4)之方法形成的碳膜浸透於ΐ5 ρ—濃度之臭 氧水中6 0秒鐘而增加碳膜表面之極性。 (58) ·對以（S1)之方法形成的碳膜，以i〇〇 照射一 含有波長丨57 nm光之準分子燈，而增加碳膜表面之極性。 (59) :在（S8)中，使照射量爲1 J/cm2。 (SH)):在_中，於下層膜之藥液調製時，添加記載於 下述式（2)之界面活性劑0.丨g，增加下層膜表面之極性。 • «I 11 —II I I (請先閱讀背面之注意事項本頁) c2h5、 CH2=(^-CONHCH2CH2N-C2H： 〇2Η5 CH- ch3s〇4 '(2) -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (SI 1):在以（Rl)之方法形成的下層膜上，重量平均分 量12,000之聚乙烯驗9 g溶解於乳酸乙酯Μ g而調製成的 液以旋塗法進行塗布後，以熱平板在大氣中3〇〇。〇下洪 1 2 0秒鐘’形成膜厚5 0 n m之密著性促進膜。 (S12)·在以（R2)之方法形成的下層膜上，以（sii)的方 -16- 用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 子 溶 烤 法 497167 A7
五、發明說明（14 ) 形成密著性促進膜。 (S13):在以_之方法形成的下層膜上，以(sn)的方法 形成密著性促進膜。 ⑻4”在以(R4)之方法形成的下層膜上，以(su)的方法 形成密著性促進膜。 . (S15):以（R5)的方法形成之下層膜浸漬於15 ppm濃度之 臭氧水中1 0秒鐘，增加碳膜表面之極性。 以元素分析法分析以上方法所形成的下層膜之碳含量， 結果’表不於下述表1中。又，測定對純水之接觸角，結 果同樣地表不於下述表1中。 其次’將下述式（3)記載之平均分子量7,〇〇〇的聚矽氧烷8 g溶解於異丙醇92 g中而調製中間膜溶液，於下層膜3上以 旋塗法塗布後，使用熱平板以3〇〇。(：烘烤120秒，如圖1 C所 示，形成膜厚70 nm之中間膜5。 ./ fH3 ? \ --O-Si—〇—Si-0-- ...(3) .\ | I T \ I I / ------------------ (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂. .線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 繼而，在中間膜5上，將下述式（4)所示之平均分子量 12000的抑制劑樹脂9.9 g、下述式（5)所示之氧產生劑〇·1 g 溶解於乳酸酯9〇 g而成的光阻溶液利用旋塗法塗布後，利 用熱平板在14 〇 °C下加熱9 0秒。如圖1 D所示，形成膜厚 150 nm之光阻膜6。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^7167 A7
五、發明說明（15 )
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (N—〇一卜 Cf3 Ο 接著，利用一以ArF準分子雷射作爲光源之縮小光學型 步進·機（να=0·6)而進行圖案曝光後，利用熱平板在14〇。〇下 加熱9 0秒鐘。 、繼而，使用0.21當量之四銨氫氧化物而進行3〇秒鐘之坑 同〜、現，如圖1 Ε所示，形成直徑〇· 1 5 # m之接觸孔圖案。 /其次，如圖1F所示，將光阻圖案7轉印於中間膜3，而 形成中間膜圖案8。蝕刻裝置係使用磁子型蝕刻裝置，氣 體=分別使用流量20/20/100 SCCMtCF4/〇2/Ar，在激發^ 力治度2W/Cm2、眞空度75 mT〇rr、基板溫度8〇。〇之條件 下，進行蝕刻。蝕刻時間係相對於從圖案内之蝕刻速率算 出的剛好時間而進行5α〇/〇的過渡蝕刻。 其後，如圖1 G所示，將中間膜圖案8轉印於下層膜3而 形成下層膜圖案9。蝕刻裝置係使用磁子型反應性離子蝕 刻裝置，氣體源乃使用流量1〇〇/2〇〇 sccm之〇"％，在激發 電力密度2 W/cm2、眞空度40 mT〇rr、基板溫度2 〇 X：的條 件下進行蚀刻。 ' 其結果，有關接觸角高（超過2〇。）之下層膜（R1〜R4、 ----------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) --線· -18-
497167 A7 B7 五、發明說明（16 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S 1 0)之上的中間膜，係如圖1 G I所示 許多發泡，產生中間膜的破裂。 調查下層膜之接觸角與中間膜之發泡的數目，結果表示 方；下述表1中。又，相對接觸角而作圖發泡的數目，結果 表不於圖3中。從下述表1及圖3，接觸角愈低，發泡數愈 減少，大概在2 0。以下效果會顯現，1 〇。以下可完全防 止發泡。 又，在下述表1中，若比較（R1)與（Si)〜（S5)及 (S8)〜（Sll)、（R2)與（S12)、（R3)與（S13)、（R4)與（si4)、（R5) 與（s 1 5)，因對臭氧水之浸透、電子束照射、準分子照射、 活性界面劑之塗布、密著性促進膜，被加工膜對純水之接 觸角會增加。又，中間膜對純水之接觸角爲8。，則親水 性高。從此事，發泡減少之理由認爲係因下層膜表面之親 水性會增加，而與親水性高的中間膜之間的密著性會提 高。 其次，如圖1 Η所示，將下層膜圖案9轉印於被加工 2。所使用之蝕刻裝置及蝕刻條件係與以光阻圖案6作爲 •刻掩模而蝕刻中間膜5時同樣。 被加工膜之推拔角隨著各下層膜而研究的妹果表示於 述表1中。又，對碳含量作圖推拔角之处 、 〜、、、D禾衣不於圖3中 從下述表1及圖3，碳含量愈高，以高異方性可進行被力 膜之加工，以大概80重量％以上之碳含量，可達ϋ 即推拔角爲8 5。以上之異方性。 下層膜之碳含量愈高，可得到對被加 腺足加工愈高的 在中間膜内可看到 ----Μ. I--— II------- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂： 膜 下
X -線· -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 497167 A7 ---------------—---B7 五、發明說明（17 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 昱方性’係碳原子於被λπ 丁『、 .丨L η 、 嗅I蚀刻中很難被潑:鍍，碳含 量愈高’下層膜圖案於蝕刻中很難後退。 下層膜之 含碳量 么1 接觸角 發泡數目 推拔角 成膜方法 (wt%) [。] rj_ (R1) 92 80 560 88.5 _ (R2) 82 54 420 86 _ (R3) 79 41 250 84 (R4) 100 85 580 90 (R5) 72 19 14 76 (S1) 91 20 16 88 (S2) 90 12 9 88 (S3) 89 8 0 87七 (S4) 91 18 12 88 (S5) 90 9 0 88 (S6) 98 17 11 89 (S7) 97 9 0 89 (S8) 99 15 9 89.5 (S9) 95 ^ 7 0 88.5 (S10) 85 25 85 86.5 (S11) 92 19 14 88.5 —----— (S12) 82 19 14 86 (S13) 79 19 14 84 (S14) 100 19 14 ^90 一 (S15) 71 10 0 74
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------裝--- (請先閱讀背面之注音^事項本頁) 訂·. --線· A7 B7 18 g 五、發明說明（ 實施例2 :在本貫施例中，於實施例1係有關利用一含有矽作爲下 層躁加工之，刻掩模的光阻爲例，參照圖2a〜2f。 曰首先舁貝她例1同樣的做法，如圖2 A及2 B所示，於矽 :圓1 1上依序形成被加工膜1 2、下層膜i 3。〖，對於實 施極性增加處理之層 ' 卜層胰1 3，係於表面形成高極性區域 14。 繼而，於下層膜丨3上 10 A 对卜式（6)所示且平均分子量 13,〇.〇〇之抑制劑樹脂9·9 、、六妒丄。丨# 卜ι式（7)所示之氧產生劑0.1各 岭％万；礼鉍乙酯90 g而調製成的光 &、、 你 ..,τ , 且/谷政以從洤法塗布 後，以為平板在12〇°C下烘烤9〇秒， π后，“ 而如圖2C所示，形 月吴厗150 ηηι之光阻膜1 5。 ------------------ (請先閱讀背面之注意事項耳^ΙΓ本頁) 成 ·
广〇-s II 〇 CH3 -丨線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著’利用以ArF準分子雷射作爲弁 ^叱源足縮小光學型步 進機（ΝΑ = 0.6)，而對光阻膜丨5進行圖安 Μ <曝光後，使用熱平 板而在1 20°C下加熱9 0秒。繼而，使、 &州0.21當f足四銨氫 •21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） /
五、發明說明（19 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氧化物而進行3 〇秒之坑洞顯像，如圖2 d所示，形成一具 有直徑0.15" m之接觸孔圖案的光阻圖案16。 、 :、:、如圖2 E所示，將光阻圖案1 6轉印於下層膜丨3而 :士下層腠圖案"。所使用之蝕刻裝置及蝕刻條件係與在 貝訑例1中知中間膜圖案轉印於下層膜時同樣。 调查下層膜之接觸角及光阻圖案的發泡數後，得到 表2所示的結果。 從表2可知，接觸角愈低，發泡數愈減少，大概2〇。 下效果會顯現，在10。以下可完全防止發泡。 又，光阻膜對純水之接觸角爲9。，則親水性高。從 事可知，發泡減少之理由，乃與實施例i同樣地，下層 表面之親水性會增加’與親水性高之光阻膜之 會提高。 1 /、、、i圖2 F所7，將如以上所形成之下層膜圖案 孝Τ P万；被加工月吴；[2，可得到被加工膜圖案！卜所使用 蝕刻裝置及條件係與於實施例1將光阻圖案轉印於中間 時同樣。 對各下層膜調查被加‘工膜之推拔角後，可得到下述仏/ 所示之結果，以大概8Q重量％以上之碳含量，可達成容許 値即推拔角"85。以上之異方性。下層膜之碳含量 咼，可得到愈高之昱方忡，仏#店7 ，、万丨生，係崚原子在蝕刻中很難被 刻’碳含量愈高，下層膜圖案於蝕刻中很難後退。 以 此 膜 性 之 膜 表2 愈 ----?----------裝·— (請先閱讀背面之注意事項本頁) •線· _______ -22 - 本紙f尺度適用中_家標準（CNS)A4規彳^^; _297公爱）. 497167 A7 _B7五、發明說明（20 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2 下層膜之成膜方法 接觸角（° ) 發泡數目 推拔角（° ) (RD 81 570 88.5 (R2) 54 410 87 (R3) 42 260 84 (R4) 84 580 90 (R5) 20 16 76 (S1) 21 18 88 (S2) 13 11 88 (S3) 9 0 87.5 (S4) 19 14 88 (S5) 10 0 88 (S6) 18 13 89 (S7) 10 0 89 (S8) 14 10 89.5 (S9) · 8 0 88.5 (S10) 26 86 86.5 (S11) 20 16 88.5 (S12) 20 15 86 (S13) 20 17 84 (S14) 20 16 90 (S15) 11 0 74 實施例3 在本實施例中，係説明有關使用一以氣相法成膜之矽氮 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ----L----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂： -丨線· ^/167 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 化膜作爲下層膜的情形。 首先，如圖1A所示，以下之方法於矽晶圓上形 膜3作爲下層膜。下層膜依需要，如圖i B所示^ 束，形成密著性促進膜4而實施一使下層膜3盥中和電’ 密著性的處理。 . ^ 5 ^ 016):以CVD法形成膜厚20〇nm之矽氮化膜。 (516) :對一以（R6)的方法所形成之矽氮化膜 1 mC/cm2照射電子束。 (517) :在（R6)中，使照射量爲1〇 mC/cm2。 (S 1 8) ··在（R6)中，使照射量爲 1〇〇 niC/cm2。 (519) :在（R6)中，使照射量爲1 mC/cm2。 (520) :以實施例1之（811)之方法於下層膜上形成密 促進膜。 然後，在以如上的方法所形成之各下層膜3上，以會 例1的方法，如圖1 C所示，形成中間膜5。 其次，如圖1D所示，於中間膜5上以同於實施例}的 法形成光阻膜6，進一步進行圖案曝光，如圖丨E所示， 成接觸孔圖案7。 . 再來，以同於實施例1之方法，如圖1 F所示，將光阻 案7轉印於中間膜5，而形成中間膜圖案$。 其後，如圖1 G所示，將中間膜圖案8轉印於下層膜3 形成下層膜圖案9。蚀刻裝置係使用磁子型反應性離子 刻裝置，氣體源使用流量100/200 sccm<〇2/N2，以激發 子治度2 W/cm2、眞2度40 mTorr、基板溫度2 0 °C之條 以照射 ----------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) J^T· i線. •24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 發明說明（ B7 22 下進行蝕刻。 ”〜果有關未知'射電子束之下層膜，如圖1 g '所示， 中間膜内可看到發泡。 、各下層Μ及密著性促進膜對純水之接觸角與中間膜之發 數目紅凋查之結果表示於下述‘表3中。又，中間膜對 純：之接觸角高達8。，則親水性很高。 k下述表3可知，對下層膜照射電子束，但，於下層膜 上=成密著性促進膜，親水性會增加。從此事，藉電子束 =…、射或沧著性促進膜的形成致發泡減少之理由，係與實 他例1同彳水’藉由對下層膜之電子束照射或密著性促進膜 又形成，致下層膜表面之親水性會增加，與親水性很高 中間膜之間的密著性會提高。 之 ----；-----------裝·— (請先閱讀背面之注意事項本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表3 下層膜之成膜方法 接觸角「° 1 發泡數目 (R6) 57 430 (S16) 20 12 (S17) * 18 2 (S18) 16 · 0 (S19) 15 0 (S20) 14 0 本〃 &例係爲提南下層膜與中間膜之密著性，使下； 之極性降低時的實施例。 首先，如圖1 A所示，於矽晶圓上形成鋁矽化物膜2作 膜 爲 •線· -25- 紙一本 1尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 ^/107
五、發明說明（23 ) 被加工膜。然後，以如下的方法形成下層膜3。 (R7):以LPCVD法形成膜厚3〇〇 nm之氧化矽膜。 (521) :對（R7)之方法所形成的氧化矽膜，在13〇r下加熱 曰曰圓同時並於7T甲基二矽烷基胺蒸氣中曝露3 〇秒。 (522) :在（S21)中，使曝露時間爲6〇秒。 (523) :在（S21)中，使曝露時間爲ι2〇秒。 (524) :在（S21)中，使曝露時間爲ι8〇秒。 (525) :係將以下述式（8)所示且平均分子量^200的氟化 合物（n/m=7/l) 10 g溶解於全氟醚9〇 g而調製成的溶液以旋 塗法進行塗布後，在2〇〇°C下加熱6 〇秒，形成密著性促進 膜0 ---,-----------裝— (請先閱讀背面之注意事項i寫本頁)
Η^τ· 〇 0 \〆 CF, 然後’將以下述式（9)所示之平均分子量8,〇〇〇的聚矽氧 8 g落解於異丙醇92 g而調製中間膜溶液，再以如上之方 法所形成的各下層膜3上，藉旋塗法塗布後，使用熱平板 在300 C下烘烤120秒，如圖1 c所示，形成膜厚70 nm之中 間膜5。 --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A7 B7 五、發明說明（24
(請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 其次’如圖1 D所示，於中間膜5上以同於實施例1之方 法形成光阻膜6，進一步進行圖案曝光，如圖丨E所示，形 成 1 10 nm L/S 圖案 7。 其次，以同於實施例丨之方法，如圖丨F所示，將光阻圖 案7轉印於中間膜5，形成中間膜圖案8。 . 然後，如圖1 G所示，將中間膜圖案8轉印於下層膜3而 形成下層膜圖案9。蝕刻裝置係使用磁子型反應性離子蝕 刻裝置，氣體源乃使用流量2〇/2〇/1〇〇 sccmiCFV〇2/Ar， 以激發電力密度2 W/Cm2、眞空度40 mT〇rr、基板溫度2 〇 C的條件進行触刻。 其結果，有關未實哼疏水化處理之下層膜，係如圖！ g， 所示，於中間膜而會看到發泡。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 各下層膜及密著性促進膜對純水之接觸角與中間膜之發 泡數目，經調查結果，表示於下述表4中。又，中間膜對 純水之接觸角高達8 9。，則疏水性高。 從下述表4可知，下層膜曝露於六甲基二矽烷基胺蒸氣 中，或，於下層膜形成密著性促進膜，致疏水性會增加。 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 497167 A7 B7 五、發明說明（25 從此事，藉由曝露於六甲基二矽/尖基胺瘵氣中或密著性你進膜的形&，發泡減少之理由，係與實施m同樣，夢下 層膜在六甲基二親胺蒸氣中曝露或密著性促進斷 成，致下層膜表面之疏水性會拇 、 人 曰、力口，而與疏水性高之中 膜之間的密著性會提高。 』 表4 Γ" 下層膜之成膜方法 接觸角[° ] 發泡數目 (R7) ___ 2 --~— (S21)__ 52 —-— _ 12 (S22) 67 ---- 3 (S23) 76 2 (S24) 82 ^— 0 (S25) 88 0 (請先閱讀背面之注意事項1 --- ▼寫本頁} . 、 十、贫明，因於下層膜表面實 施全、著性促進處理’或，形成贫友 〜风ώ孝性促進膜；故下層膜之 碳含量高’氣韓透過性低，刻下層膜時，即使在下芦 .膜與其上之蚀刻掩模之間氣體源或其-部分會存積，下; 膜與蚀刻掩模會很強地密著，妗. ^ ^故蝕刻掩模會發泡，且發泡 之現像不會發生。因此，可正當妯 吊地進行下層膜的加工。 •線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .28-

Claims (1)

  1. 六 、申請專利範 圍 :圖案形成方法，其具備如下步驟： 沐尸基板上’形成一具有碳原子含量80重量％以上、从 或氣相堆積膜即下層膜； 上 < 月吴 月）述下層膜之表面實施密著性促進處理； 在經實施密著性促進處理之 中間膜； J、Γ嘈胰的表面，形成 於前述中間膜上形成光阻膜； =述光阻膜進行圖案曝光，而形成光阻圖案； 裝 ::述光阻圖案轉印於中間膜而形成中間膜圖案； 2·根二申？1圖案轉印於下層膜而形成前述下層膜圖案。 =專利範圍第】項之方法，其中密著性促 ^保使下層膜表面之極性增加之處理。 訂 = = f圍第2項之方法，其中使下層膜表面之 ㈢口〈 &理’係以使其對純水之接觸角爲2 0以下的 万式’使極性增加之處理。 線 4.=…青專利範圍第2項之方法，其中使下層膜表面之 極性増加之處理’係對下層膜照射能量束之處理。 〕·：艮據申請專利範圍第2項之方法，其中使下層膜表面之 極性增加之處理’係使下層膜曝露於臭氧中之處理。 6·根據申請專利範圍第η之方法，其中密著性促進處理 係使下層膜表面之極性減少之處理。 7·根據申請專利範圍第6項之方法，其中使下層膜表面之 極性減少之處理，係使下層膜曝露於一含有六曱基二矽 火元基氨蒸氣之環境下之處理。 •29- A、申睛專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -種圖案形成方法，其具備如下步驟： ^基板上’形成—具有碳原子含量80重量％以上、从 或氣相堆積膜即下層膜； '^膜 則逑下層膜之表面實施密著性促進處理； 經實施密著性促進處理之前述下層膜的表面， 原子或半導體原子之光阻膜； 遵μ述光阻膜進行圖案曝光，而形成光阻圖案； 案將前述光阻膜圖案轉印於下層膜而形成前述下層膜 9.:據中請專利範圍“項之方法，其中密著性促進處 *、使下層膜表面之極性增加之處理。 ^ 川·:艮：申請專利範圍第9項之方法，其中使下層膜表面 、增加（處理，係以使其對純水之接觸角爲20。以 的方式’使極性增加之處理。 U.:艮據申請專利範圍第9項之方法，其中使下層膜表面 極性增加之處理，係對下層膜照射能量束之處理。 …:艮據申請專利範圍第9項之方法，其中使下層膜表面 極性增加之處理，係使下層膜曝露於臭氧中之處理。 乂根據申請專利範圍第8項之方法，其中密著性促進處 係使下層膜表面之極性減少之處理。 14.根據申請專利範圍第13項之方法，其中使下層膜表面 =性減=、之處理，係使下層膜曝M —含有六曱基二 ^基氨备氣之環境下之處理。 根據中請專利範圍第14項之方法，纟中前述光阻膜所含 圖 理 之 下 之 之 理 之 矽 --------------裝--- (請先閱讀背面之注咅？事項本頁) 線· ____—__ -30-
    A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 =金屬原子，係至少—種選自_，欽，錯 之群。 16’根據申請專利範圍第14項之方法… 有之半導體原子，係至少:I且月吴所含 17·、插同卷 係土 /種埯自鍺及矽所構成之群。 種圖案形成方法，其具備如下步驟·· 於基板上，形成一具有碳原子 ΛΤ 里川重里％以上之脸 次虱相堆積膜即下層膜； 上 < 月吴 於前述下層膜之表面形成密著性促進膜； 於前述密著性促進膜上形成中間膜； 於前述中間膜上形成光阻膜； 對f述光阻膜進行圖案曝光，而形成光阻圖案； 2前述光阻圖案轉料中間膜而形成中間膜圖案； 知中間膜圖案轉印於下層膜而义 18姐械1 9旲向巾成則述下層膜圖案c •根據申請專利範圍第1 7項之方、丰 间示1 ,，、之万法，其中密著性促進膜 由酚系樹脂或酚醛清漆樹脂所構成。 一種圖案形成方法，其具備如下步驟： =基板上，形成-具有碳原子含量8〇重量％以上之 或氣相堆積膜即下層膜； 於前述下層膜之表面形成密著性促進膜； 於前述密著性促進膜上形成光阻膜； 於前述光阻膜進行圖案曝光，而形成光阻圖案： :光阻圖案轉印於下層膜而形成前述下層膜圖案。 2〇.根據中請專利範圍化項之方法，其中密著性促進膜 由紛系樹脂或酚醛清漆樹脂所構成。 及鶏所構 係 19 膜 Μ -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2Μ χ 297^^y
TW090106141A 2000-03-24 2001-03-16 Pattern forming method TW497167B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000085108A JP3872928B2 (ja) 2000-03-24 2000-03-24 パターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW497167B true TW497167B (en) 2002-08-01

Family

ID=18601493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090106141A TW497167B (en) 2000-03-24 2001-03-16 Pattern forming method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6420271B2 (zh)
JP (1) JP3872928B2 (zh)
CN (1) CN1244956C (zh)
TW (1) TW497167B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709986B2 (en) * 2001-06-28 2004-03-23 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing semiconductor memory device by using photoresist pattern exposed with ArF laser beam
DE10240748B4 (de) * 2002-08-29 2010-04-01 Qimonda Ag Verfahren zur Planarisierung einer Halbleiterprobe
JP2004266008A (ja) 2003-02-28 2004-09-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP3878583B2 (ja) * 2003-08-28 2007-02-07 株式会社東芝 パターン形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
KR101073314B1 (ko) * 2004-10-29 2011-10-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 패널의 불량셀 리페어 방법
JP2006140222A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Toshiba Corp パターン形成方法、下層膜形成組成物、及び半導体装置の製造方法
JP4488890B2 (ja) * 2004-12-27 2010-06-23 株式会社東芝 レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP4697093B2 (ja) * 2006-08-18 2011-06-08 ソニー株式会社 無機レジスト・パターン、無機レジスト・パターンの形成方法、光ディスク原盤、光ディスク原盤の製造方法、光ディスク・スタンパの製造方法及び光ディスク基板の製造方法
JP2009204674A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Toshiba Corp パターン形成方法
KR101876600B1 (ko) 2011-03-30 2018-07-09 제이에스알 가부시끼가이샤 다층 레지스트 공정 패턴 형성 방법 및 다층 레지스트 공정용 무기막 형성 조성물
JP5889568B2 (ja) * 2011-08-11 2016-03-22 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法
JP5970933B2 (ja) * 2011-09-15 2016-08-17 Jsr株式会社 パターン形成方法
JP2013191653A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR20210046052A (ko) * 2018-08-23 2021-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
US20220197142A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist underlayer compositions and patterning methods

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653134A (ja) 1992-03-04 1994-02-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法
TW289900B (zh) * 1994-04-22 1996-11-01 Gould Electronics Inc
BR9912424A (pt) * 1998-07-30 2001-04-17 Dow Chemical Co Composição de promotor de adesão, composição adesiva, pelìcula adesiva fabricada com dita composição adesiva e método de adesão
US6117536A (en) * 1998-09-10 2000-09-12 Ga-Tek Inc. Adhesion promoting layer for use with epoxy prepregs

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001272797A (ja) 2001-10-05
CN1244956C (zh) 2006-03-08
CN1319882A (zh) 2001-10-31
JP3872928B2 (ja) 2007-01-24
US20010034131A1 (en) 2001-10-25
US6420271B2 (en) 2002-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW497167B (en) Pattern forming method
JP3914493B2 (ja) 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法
TWI442453B (zh) 形成電子裝置之方法
JP3971088B2 (ja) パターン形成方法
JP5521253B2 (ja) フォトレジストパターン上にコーティングするための水性組成物
US6387592B2 (en) Pattern forming material and pattern forming method
JP5705103B2 (ja) パターン形成方法
US7198886B2 (en) Method for forming pattern
KR101873727B1 (ko) 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법
TW200416482A (en) Material for forming base layer film for circuit, burying material and method for forming circuit by using the same
US8268535B2 (en) Pattern formation method
JP3974295B2 (ja) パターン形成方法
US6806021B2 (en) Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device
US20060211254A1 (en) Top patterned hardmask and method for patterning
US7998663B2 (en) Pattern formation method
US6319843B1 (en) Nitride surface passivation for acid catalyzed chemically amplified resist processing
US6511786B2 (en) Pattern formation material and pattern formation method
JP2002343767A (ja) パターン形成方法
US20070254244A1 (en) Method of forming a resist structure
JP2006337811A (ja) バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP2000206704A (ja) パタ―ン形成方法
JP2005158951A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001022089A (ja) 絶縁膜の加工方法
JP2005115118A (ja) パターン形成方法
JP2001007115A (ja) 微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees