TW495762B - Semiconductor memory device - Google Patents

Description

495762 A7 _ B7_ 五、發明説明（1 ) ] 本發明一般係關於一種半導體記憶體裝置，並且尤其 是至一種半導體記憶體裝置，其與供應自該裝置外側之一 組時脈同步地操作。 相關技術說明 最近，CPU以高速率操作，並且因此需要以增加位元 率輸入和輸出資料信號之半導體裝置，例如dram(動態 隨機存取記憶體），以便增加資料傳輸率。此記憶體裝置 範例如SDRAM(同步動態隨機存取記憶體）和FCRAM(快速 週期隨機存取記憶體），該等記憶體與一組外部時脈同步 操作並且達成高速操作。 接著將參考第1圖說明FCRAM之操作。應注意到， SDRAM具有如第1圖中展示之相同電路組態。 7第1圖展示FCRAM記憶胞周圍之電路組態。被展示於 第1圖中之電路包含一組電容器501、NMOS(N-通道金屬 氧化物半導體）電晶體502-512、一組PMOS(P-通道MOS)電 晶體513、PMOS電晶體521和522、和NMOS電晶體523和 524。PMOS電晶體521和522以及NMOS電晶體523和524形 成一組感應放大器520。

記憶胞之電容器501能儲存一位元資訊。當一組次字 組線選擇信號SW被引動時，作為記憶胞閘之NMOS電晶 體502導通，並且被儲存在電容器501中之資料被讀取至一 組位元線BL。在那時，一組位元線傳送信號BLT1是在高 位準並且NMOS電晶體503和504因此於導通狀態。另一方 面，一組位元線傳送信號BLT0是在低位準，並且NMOS -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 495762 A7 B7 五、發明説明（ 電晶鱧505和506因此在不導通狀態。 因此，位元線BL和/BL上面的資料被感應放大器520 經由NMOS電晶體503和504而讀取《當一組行線選擇信號 CL被引動時，被感應放大器520感應和保持之資料經由作 為行閘之NMOS電晶體510和511被讀取至一對資料匯流排 線DB和/DB。 資料寫入操作是利用相反於上述資料讀取操作之序列 被達成，以致於該對資料匯流排線DB和/DB上面之資料被 儲存於電容器501。 /第2圖是具有被展示於第1圖中電路之FCRAM的資料 讀取操作時序圖。接著將說明，參考第1和2圖，在其中讀 取資料陣列長度是等於4(BL=4)情況中之資料讀取時序。 當一組引動命令（ACT)被施加至FCRAM時，FCRAM 内部產生一組信號RASZ，其指示存在記憶胞201中的資料 將被感應放大器220感應。接著，FCRAM產生，以適當的 時序，字組線選擇信號MW和SW、位元線傳送信號BLT以 及感應放大器驅動信號SA1和SA2。因此，記憶胞201中資 料出現於一組位元線BL並且接著被感應放大器220感應和 放大。 進一步地，當在接收信號RASZ之後經過所給予的時 間時FCRAM產生一組内部預充電信號PRE。 反應於一組讀取命令RD之接收，被行位址選擇之行 的行線選擇信號CL成為高位，並且被保持於感應放大器 220中的資料被讀取至資料匯流排線DB和/DB。因此讀取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝------------------、可------------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A7 ------- B7 ___ 五、發明説明（3 ) ^ 之資料是4-位元平行資料，它們被轉換成為 串列的資料 該串列的資料被輸出至FCRAM外側作為讀取資料DQ。 當上述的資料讀取操作以陣列長度BL等於4被重複地 進行時，具有不斷之連續讀取資料被得到，如第2圖中所 展示，因為隨機存取之讀取週期是短的。 δ讀取操作或寫入操作在習見的FCRAM中被重複地 進行時，資料可有效地被讀取或被寫入。但是，與連續的 讀取或寫入操作比較，讀取操作和寫入操作被交互地進 行’資料無法有效地被讀取或被寫入。 上述的問題將參考第3圖被說明，那是其中讀取和寫 入操作交互地進行之序列時序圖。 當讀取操作如苐^圖（A)部份中所展示進行時，在讀取 命令R被接收之後需要一些時間得到一組讀取資料輸出 (Q)。一般而吕，一組讀取資料時序被定義為存在於讀取 命令和讀取資料輸出之間的區間中時脈週期數目。相似 地’一組寫入資料時序被定義為存在於寫入命令和相關的 寫入資料輸入之間的區間中時脈週期數目。 S見地’寫入資料是與寫入命令同時地一起輸入。因 此，寫入資料時序是等於"(Γ。因此，如第3圖（Α)部份中 展示，後續於先前讀取命令R之寫入命令W需要在在從上 述先前讀取命令R完成產生之讀取資料輸出Q之後被輸 入。因此，展示於第3圖中（Α)部份之情況從讀取命令尺至 寫入命令W需要等於9時脈之區間。 進一步地，如第3圖中（Α)部份展示，跟隨寫入命令… 495762 A7 B7 五、發明説明（4 ) ^ 之讀取命令R需要在相關於上述寫入命令W完全地被儲存 於記憶胞之寫入資料之後被輸入。因此，展示於第3圖中（A) 部份之情況從寫入命令W至讀取命令R需要等於6時脈之區 從上面說明可知被展示於第3圖中（A)部份之情況需要 等於15時脈之讀取-寫入週期。 接著，將說明，參考第3圖（B)部份，其中讀取資料時 序和寫入資料時序彼此相等之情況。在展示於第3圖（B)部 份的情況中，有可能減低在讀取命令R和寫入命令w之間 的區間至被定義在一般記憶庫間構造中在讀取命令R和寫 入命令W之間的最小容忍時間（1RC)。這是因為讀取資料 時序和寫入資料時序彼此相等，並且相關於寫入命令貿之 寫入資料的輸入是在相關於讀取命令R的讀取資料輸出完 成之後被執行。 但是，為了在寫入命令W被輸入之後輸入讀取命令R , 儲存相關於上述寫入命令之寫入資料必須被儲存於記憶 胞。因此，被展示於第3圖（B)部份中的情況從寫入命令w 至讀取命令R需要12時脈區間。因此，被展示於第3圖（B) 部份的情況中，在讀取命令R和寫入命令W之間的區間之 讀取-寫入週期是等於16時脈。 如上面說明，交互地進行讀取操作和寫入操作之序列 是不如依序地進行讀取或寫入操作序列一般有效率。 本發明摘要 本發明之目的在提供一種半導體記憶體裝置，其中上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

495762 A7 — —_B7 五、發明説明（5 ) ' 述的缺點被消除。 本發明之更特定目的在提供一種半導體記憶體裝置， 其具有減低讀取-寫入週期而使讀取資料時序和寫入資料 時序彼此相等。 本發明之上述目的利用一種與一組時脈同步地操作之 半導體記憶體裝置而達成，其包含：一組位址鎖定及比較 器部份，其鎖定相關於一組寫入命令之一組第一位址信號 並且比較該第一位址信號與相關於一組讀取命令之一組第 一位址k號，以及保持相關於該寫入命令之一組資料信號 之一組寫入資料緩衝器部份。當第一和第二位址信號彼此 一致時被保持於該寫入資料緩衝器部份中之該資料信號被 讀取作為被該讀取命令要求之一組資料信號。 本發明之上述目的同時也可利用一種與一組時脈同步 地操作之半導體記憶體裝置而達成，其包含：一組位址鎖 疋及比較器部份，其鎖定相關於一組寫入命令之一組第一 位址信號並且比較該第一位址信號與相關於一組讀取命令 之一組第二位址信號；以及保持分別地相關於該寫入命令 之資料信號之一組寫入資料緩衝器部份。當第二位址信號 與第一位址信號之一組彼此一致時被保持於該寫入資料緩 衝器部份中之該等資料信號之一組被讀取作為被該讀取命 令要求之一組資料信號。 圖式摘要說明 本發明之其他的主要特點和優點可當配合附圖閱讀時 從下面的詳細說明而成為更明顯，其中： \紙張尺度適用中國國家標準（CXS ) A4規格（21〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂- 五、發明説明（6 ) 第1圖是一種習見的fcram之記憶胞以及其週邊組態 之電路圖； 第2圖是具有第1圖中展示組態之fCRAM的資料讀取 操作時序圖； 第3圖是交錯一組讀取操作和一組寫入操作之序列的 時序圖； 第4圖是依據本發明交互地執行一組讀取命令和一組 寫入命令之序列時序圖； 第5圖是依據本發明第一實施例之一種半導體記憶體 裝置的方塊圖； 第6圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地執 行寫入命令之時序圖； 第7圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地執 行寫入、讀取、讀取和寫入命令之一序列的時序圖； 第8圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地執 行寫入、讀取、讀取和寫入命令之另一序列的時序圖； 第9圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地執 行寫入、讀取、讀取和寫.入命令之再另一序列的時序圖； 第10圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行寫入（寫入遮罩）、讀取、讀取、和寫入命令之一序列 的時序圖； 第11圖是第5圖中展示之半導趙記憶體裝置中依序地 執行寫入、寫入（分頁模式寫入）、和寫入命令之一序列的 時序圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -----------------------裝------------------訂------------------線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、發明説明（7 第12圖是依據本發明第二實施例之一種半導體記憶體 装置之方塊圖； 第13圖是第12圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行寫入命令之一組序列的時序圖； 第14圖是第12囷中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行寫入、讀取、寫入和讀取命令之一組序列的時序圖； 第15圖是第12圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行寫入、讀取、寫入和讀取命令之另一序列的時序圖； 第16圖是依據本發明第三實施例之一種半導體記憶體 裝置之方塊圖； 第17圖是第16圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行寫入、讀取、寫入和讀取命令之一序列的時序圖； 第18圖是第5圖中展示之半導鱧記憶體裝置中依序地 執行分頁模式寫入命令之一組序列的時序圖； 第19圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之一 組序列的時序圖； 第20圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之另 一序列的時序圖； 第21圖是第12圖中展示之半導體記憶韹裝置中依序地 執行分頁模式寫入命令之一序列的時序圖； 第22圖是第12圓中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之一 十紙淥尺久適用中国國家標準（ras) Α4規格d〇X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-10- 495762 A7 B7 五、發明説明（8 ) ' 序列的時序圖； 第23圖是第12圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之另 一序列的時序圖； 第24圖是第16圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行分頁模式寫入命令之一序列的時序圖； 第25圖是第16圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之一 序列的時序圖； 第26圖是第16圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執打一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之另 一序列的時序圖； 第27圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行寫入，讀取，讀取和寫入命令之一序列的時序圖其 中寫入資料時序和讀取資料時序彼此相等； 第28圖是第5圓中展示之半導鱧記憶體裝置中依序地 執行寫入，讀取，讀取和寫入命令之另一序列的時序圖， 其中寫入資料時序不同於讀取資料時序； 第29圖是第16圖中展示之半導禮記憶體裝置中依序地 執行-組分頁模式寫入命令和_組分頁模式讀取命令之一 序列的時序圖，其中寫入資料時序和讀取資料時序彼此相 等； 第30圖是依序地執行如第29圖中展示之相同序列之一 、、且序列的時序圖’其中寫人資料時序不同於讀取資料時 本紙張尺度適用中誤國家標準(CNS) _f21〇X29^^ 11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- :線_ 495762 A7 ___ B7_ 五、發明説明（9 ) ' 序； 第31圖是可被使用於第5、12和16圖中展示之半導體 記憶體裝置中之一組共用輸入/輸出界面的方塊圖；以及 第32圖是第5圖中展示之半導體記憶體裝置中依序地 執行一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之一 序列的時序圖，其中寫入資料時序是等於1並且讀取資料 時序是等於3。 較佳實施例之說明 接著將參考第4圖說明本發明，那是交互地執行讀取 和寫入操作之一組序列的時序圖。 在第4圖中，讀取資料時序和寫入資料時序彼此相等， 並且在讀取命令R和寫入命令w之間的區間被減低至在記 憶庫間構造中讀取命令R和寫入命令w之間最小容忍時間 (IRC)。如先前的說明，在相關於先前寫入命令w之寫入 資料完全地被寫入記憶胞之後讀取命令R允許被輸入。上 面之定義考慮其中相關於寫入命令w之寫入資料被寫入一 組記憶庫並且即時地被跟隨該寫入命令w之讀取命令厌要 求從上述的記憶庫讀取出，之情況。 依據本發明，一組寫入資料緩衝器被提供，其保持相 關於寫入命令W之寫入資料直至下一寫入命令界被供應為 止。進一步地，提供一組位址鎖定電路，其鎖定被保持於 該寫入資料緩衝器中寫入資料之位址信號。該位址鎖定電 路比較寫入命令W之位址信號與讀取命令R之位址信號。 如果兩位址信號彼此一致，則資料不從記憶胞讀取而從寫 -12- — (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 495762 A7 ______B7_ 五、發明説明（10 ) ' 入資料緩衝器讀取。 利用上述的組態，有可能減低在寫入命令和讀取命令 之間的區間至記憶庫間構造中在讀取命令r和寫入命令w 之間的最小容忍時間（1RC)。 接著說明本發明之第一實施例。 第5圖是依據本發明一組實施例之一種半導體記憶體 裝置的方塊圖。應注意到，FCRAM具有如SDRAM之相同 記憶胞週邊組態，並且下面的說明是針對FCRAM。 依據本發明實施例之FCRAM包含一組時脈緩衝器1、 一組命令解碼器2、一組控制信號緩衝器3、一組列位址緩 衝器4、一組行位址緩衝器5、一組位址鎖定及比較器6和7、 一組模式暫存器8、一組資料時序計數器9、資料轉換器10 和12、一組資料輸入緩衝器π、一組資料輸出緩衝器13、 一組記憶庫（0)電路14、以及一組記憶庫（1)電路15。 記憶庫（0)電路14和記憶庫（1)電路15各包含多數個記 憶體區塊、一組RAS產生單元16、一組預充電信號（PRE) 產生單元17、一組控制單元18、一組區塊解碼器19、預解 碼器20-1和20-2、一組字組解碼器21、一組1/4解碼器22、 一組位元線傳送（BLT)解碼器23、一組感應放大器驅動信 號（S/A)產生單元24、一組行解碼器25、一組控制電路26、 一組讀取/寫入緩衝器27、一組寫入資料緩衝器28以及一 組核心電路29。 第5圖中展示的FCRAM之記憶胞具有DRAM型記憶胞 結構，並且其記憶體週邊電路是相同於第1圖中所展示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -13 - -----------------------裝-------------------IT----------------:線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A7 _______B7___ 五、發明説明（11 ) ^ 雖然第5圖中展示的FCRAM具有兩組記憶庫，但是並不受 限制於兩組記憶庫而可以具有任意數目的記憶庫。 時脈緩衝器1具有來自FCRAM外側之一組時脈CLK， 並且以一組同步時脈CLK供應FCRAM之組件。控制信號 緩衝器3緩衝一組寫入引動信號/WE、一組晶片引動信號 /CS、一組列位址套取信號/ras、以及一組行位址套取信 號/CAS，這些信號供應自FCRAM外側。符號，7"指示一種 低位作用信號。 命令解碼器2將來自控制信號緩衝器3之信號解碼並且 將一組被解碼命令通知記憶庫（〇)電路14、記憶庫（1)電路 15、位址鎖定及比較器6和7、以及資料時序計數器9。該 命令可被定義為，例如，寫入引動信號、晶片引動信號 /CS、列位址套取信號/ras、以及行位址套取信號/CAS， 列位址緩衝器4和行位址緩衝器5被供應來自FCRAM外側 之位址信號AO-An和Β0·Βη ,該等位址信號被傳送至位址 鎖定及比較器6和7。 當讀取和寫入命令被供應時位址鎖定及比較器6和7以 不同的方式操作。當寫入命令被供應時，位址鎖定及比較 器6鎖定供應自列位址緩衝器4之一組列位址信號，並且當 下一寫入命令被供應時將被保持於寫入資料緩衝器28中之 資料利用被鎖定其中的列位址信號而寫入核心電路29。 當讀取命令被接收時，位址鎖定及比較器6比較來自 列位址緩衝器4之列位址信號與當先前的寫入命令被接收 時被鎖定的列位址信號。當兩者列位址信號彼此一致時， 表紙張尺度適用中国國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） •14- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂— 495762 A7 _____B7 五、發明説明（12 ) / 被鎖定於寫入資料緩衝器28中的資料被輸出作為被讀取命 令要求之資料。 位址鎖疋及比較器6比較來自列位址緩衝器4之列位址 信號與在先前的寫入命令接收時被鎖定之列位址信號。如 果兩者列位址信號並不彼此一致，則位址鎖定及比較器6 供應相關於目前供應讀取命令之列位址信號至預解碼器 20-1。因此’被讀取命令要求之資料被從核心電路29讀取 出。 接著將說明位址鎖定及比較器當寫入命令被接收 時’位址鎖定及比較器7鎖定供應來自行位址緩衝器5之行 位址信號，並且，當接收下一寫入命令時，利用被鎖定的 行位址信號將被保持於寫入資料緩衝器28中之資料寫入核 心電路29。 當讀取命令被接收時，位址鎖定及比較器7比較供應 來自行位址緩衝器5之行位址信號與當先前的寫入命令被 接收時被鎖定之行位址信號。當兩者命令信號彼此一致 時，被鎖定於寫入資料緩衝器28中的資料被輸出作為被讀 取命令要求之資料。如果兩者位址信號並不彼此一致，則 位址鎖定及比較器7供應當先前的寫入命令被接收時被鎖 定之行位址信號至預解碼器20-2。因此，被讀取命令要求 之資料從記憶胞被讀取出。 模式暫存器8輸出被使用於F CRAM内之陣列長度資 訊。資料時序計數器9依據供應自模式暫存器8之陣列長度 資訊而量測該資料時序。資料轉換器10，從FCRAM外側 衣紙張尺度適用中S國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •15- ^------------------#------------------緣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A7 ------------- B7—_ 五、發明説明（13 ) ^~ -一 經由資料輸入緩衝器"，被供應-組資料信號，並且轉換 串列構造的資料信號成為平行構造的資料信號。該串列的 資料信號接著供應至寫人資料緩衝器28。資㈣ 有來自讀取/寫入緩衝器27或寫入資料緩衝器此平行構 造資料，並且轉換該資料成為串列構造的資料。因此得到 的串列資料經由資料輸出緩衝器13被輸出至⑽颜外 側。資料轉換器10和12依據資料時序計數器9輸出之資料 時序資訊而以適當的時序操作。 資料輸入緩衝器11和資料輸出緩衝器12經由分別的端 點插銷被連接至彼此分離的分別匯流排（1/0分離構造）。 稍後將被說明，資料輸入緩衝器i i和資料輸出緩衝器丨3可 以被連接到一組共用資料匯流排（1/0共用構造）。 接著將說明被列位址緩衝器4和行位址緩衝器5緩衝之 位址信號所選擇之記憶庫。下面的說明是僅針對記憶庫（〇) 電路14並且記憶庫（1)電路15之說明被省略。 在記憶庫（0)電路14中，RAS產生單元16產生信號 RASZ，其指示記憶體區塊中記憶胞内的資料將被讀取至 感應放大器。當在作用為内部列位址套取信號RAS之信號 RASZ作用之後經過預定時間，pre產生單元17產生一組 預充電信號PRE。在其中預充電信號pre是外部地供應的 情況中，預充電信號PRE重置RAS產生單元16並且導致它 進行預充電操作。PRE產生單元17中產生之預充電信號 PRE進行的預充電操作是一種自我預充電。 預解碼器20-1將供應自位址鎖定及比較器6之列位址 衣紙張尺度適用中國國家標準A4規格（210X297公釐） -16 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 495762 A7 B7 五、發明説明（ 信號預解碼。預解碼結果被供應至區塊解碼器丨9、字組解 碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23和S/A產生單元24。 區塊解碼器19選擇配置於FCRAM中多數個記憶體區 塊之一組。僅被選擇記憶體區塊中，字組解碼器2 1、1 /4 解碼器22、BLT解碼器23和S/A產生單元24操作。因此， 資料被從核心電路29讀取出並且被供應至感應放大器。 核心電路29包含以列和行配置之一組記憶胞陣列，各 記憶胞相同於第1圖中展示的記憶胞5〇1。感應放大器被提 供至分別的行’各感應放大器相同於第1圖中展示的感應 放大器520。利用列位址信號之讀取操作，被儲存於連接 到被列位址信號選擇之字組線的記憶胞中的資料被儲存於 感應放大器520中。 預解碼器20-2將供應自位址鎖定及比較器7之行位址 信號預解碼。預解碼結果被供應至行解碼器25、1/4解碼 器22、S/A產生單元24和控制電路26。行解碼器25供應行 線選擇信號CL至行位址信號指定之行。資料從置於被選 擇行中之感應放大器520被讀取出並且供應至讀取/寫入緩 衝器27。 字組解碼器21在控制單元18控制之下產生一組字組線 選擇信號。1/4解碼器22選擇四組次字組解碼器之一組， 它們以習見的階層式字組解碼方式屬於一組被選擇的主要 字組解碼器。BLT解碼器23在控制單元18控制之下產生一 組位元線傳送信號。S/A產生單元24在控制單元18控制之 下產生感應 放大器驅動信號SA1和SA2。 -17· '! 零. (請先閲讀背面之注意事项再—寫本頁) 、可| :線 尽紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（21〇><297公釐） A7 ..... B7_ 五、發明説明（15 ) ' ~ ~— 控制電路26依據供應自位址鎖定及比較器6和7之信號 而控制讀取/寫人緩衝器27和寫人資料緩衝器25。當寫入 命7被接收時’控制單元26，經由讀取/寫入緩衝器， 供應當先前的寫入命令被接收時被儲存於寫入資料緩衝器 28中的資料至核心電路29。寫人資料緩衝㈣利用目前供 應之寫入命令而保持供應自資料轉換器1〇之資料。 當讀取命令被接收時，控制單元26被供應，從位址鎖 定及比較器6和7 , -組信號，其指示在接收先前的寫入命 令時供應的列位址信號和行位址信號是否與在接收目前寫 入命令時供應的列位址信號和行位址信號一致。當上述的 信號指示位址一致性時，控制單元26讀取被保持於寫入資 7緩衝器28中的資料，並且供應該資料至資料轉換器12。 备上述的信號指示位址不一致時，控制單元％導致讀取/ 寫入緩衝器27被包含於正常讀取程序中。尤其是，控制單 元26從感應放大器52〇讀取資料並且供應該讀取資料至讀 取/寫入緩衝器27。接著，讀取資料被供應至資料轉換器 12 〇 上述位址鎖定及比較器6和7、控制單元26、讀取/寫 入緩衝器27、和寫入資料緩衝器28有助於將在寫入命令和 讀取命令之間的區間減低至記憶庫間構造中在讀取命令和 寫入命令之間的最小容忍時間（1RC) ^接著將依據本發明 第一實施例，參考第6圖，說明FCRAM之操作。第6圖是 一組序列的時序圖，其中寫入操作被依序地進行。該時脈 週期是兩倍於第4圖中展示的時脈週期並且讀取資料時 本紙^尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -18- ;#- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 495762 A7 B7 五、發明説明（16 ) , 序和寫入資料時序彼此相等。 裝—— (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 當寫入命令被施加至命令解碼器2並且位址信號6被 施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5時，位址鎖定及比 較器6和7供應當接收先前的寫入命令時被鎖定的位址信號 A至被包含於記憶庫（0)電路14中的預解碼器⑼^和加。， 並且進步地鎖疋相關於目前寫入命令之位址信號b。 分別地被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號 A的預解碼器20-1和20-2將位址信號A預解碼，並且供應 預解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 、可丨 資料輸入緩衝器11中相關於寫入命令之資料A經由資料轉 換器10被供應至寫入資料緩衝器28，並且接著從寫入資料 緩衝器28供應至讀取/寫入緩衝器27。 :線- 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號a被引動 時，被保持於讀取/寫入緩衝器27中之資料A經由位元線BL 和/BL被圮憶於電容器5〇1中。該寫入操作可利用重複上 述序列依序地被達成。 第7圖是一組序列之時序圖，其中寫入、讀取、讀取 和寫入操作依序地以這序列被達成於FCRAM中。時脈CLK 之週期疋兩倍於第4圖中展示之時脈，並且讀取資料時序 和寫入資料時序彼此相等。第7圖中展示的寫入和讀取命 令定址於相同記憶庫。 當寫入命令B被施加至命令解碼器2並且位址信號B被 施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5時，位址鎖定及比

495762 A7 -—-___B7_ 五、發明説明（Π ) . 較器6和7供應當先前的寫入命令被供應時鎖 定的位址信號 A至被包含於記憶庫（〇)電路14中的預解碼器加-丨和⑼·）， 並且鎖定相關於目前寫入命令之位址信號B。 分別地被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號 A的預解碼器20-1和20-2將位址信號A預解碼，並且供應 預解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 資料輸入緩衝器11中相關於寫入命令之資料A經由資料轉 換器10被供應至寫入資料緩衝器28 ,並且接著從寫入資料 緩衝器28供應至讀取/寫入緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號a被選擇 時，被保持於讀取/寫入緩衝器27中之資料A經由位元線BL 和/BL被記憶於電容器5〇1中。 在寫入命令B開始兩組時序脈波之後，讀取命令c被 供應至命令解碼器2，並且位址信號C被供應至列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7比 較相關於先前的寫入命令之被鎖定位址信號與相關於目前 寫入命令之被鎖定位址信號。上述比較程序的結果展示位 址信號B並不與位址信號c一致，位址鎖定及比較器6和7 供應相關於目前讀取命令C之位址信號C至預解碼器20-1 和20-2。當被定址至如先前讀取命令之相同記憶庫的讀取 命令被施加至命令解碼器2時，位址鎖定及比較器6和7鎖 定當先前的寫入命令被供應時被鎖定之位址信號。 分別地被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號 各紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（210X297公釐) -20· ------------------------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 495762 A7 B7 五、發明説明（ C的預解碼器20-1和20-2將位址信號C預解碼，並且供應預 解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、ι/4解碼 器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。輸 入至負料輸入緩衝器11中相關於寫入命令之資料A經由資 料轉換器10被供應至寫入資料緩衝器28。 接著，當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號c被 選擇時，被儲存於電容器501中的資料被讀取至位元線bl 和/BL ,並且經由作為行閘之NM0S電晶體51〇和511輸出 至資料匯流排線DB和/DB。讀取至資料匯流排線db和/DB 之資料經由資料轉換器12從資料輸出緩衝器13被輸出至 FCRAM外側。寫入資料緩衝器28保持先前的寫入命令供 應之資料B而無任何改變。 在後續於讀取命令C的兩組時序脈波之後，讀取命令 D被施加至命令解碼器2並且位址信號D被施加至列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5。位址鎖定及比較器6和7比較當先 前的寫入命令B供應時被鎖定的位址信號B與當目前命令 被供應時之位址信號D。 比較結果展示位址信號B和位址信號D並不彼此一 致。因此’當目前讀取命令被施加時供應之位址信號D被 供應至被包含於記憶庫（〇)電路14中之預解碼器20-1和20-2。當命令解碼器2具有被引導至如先前的寫入命令之相同 記憶庫的讀取命令時，位址鎖定及比較器6和7繼續鎖定當 先前的寫入命令供應時被供應之位址信號。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號D的預 (請先閲讀背面之注意事项再填莴本頁) -裝丨

.訂I :線- 木紙張尺度適用中S國家標準（) A4規格（21〇χ297公釐〉 21- 495762 A7 _ B7_ 五、發明説明（19 ) ， 解碼器20-1和20-2將上述的位址信號D預解碼，並且供應 被預解碼位址信號D至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4 解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號d被引動 時，被儲存於電容器501中的資料被讀取至位元線bL和 /BL，並且經由作為行閘之NMOS電晶體510和511被讀取 至資料匯流排線DB和/DB。接著，讀取至資料匯流排線 DB和/DB之資料D被供應至讀取/寫入緩衝器27 ,並且經由 資料轉換器12被輸出至FCRAM外侧。 在後續於讀取命令D之兩組時序脈波後，寫入命令£ 被施加至命令解碼器2，並且位址信號E被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7 供應當先前的寫入命令供應至包含於記憶庫（〇)電路14中 之預解碼器20-1和20-2時被鎖定的位址信號b，並且鎖定 相關於目前寫入命令之位址信號E。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號B的預 解碼器20-1和20-2將位址信號B預解碼，並且供應預解碼 位址號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器22、 BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。當行線選 擇信號CL依據被預解碼位址信號b被引動時，被保持於讀 取/寫入緩衝器27中之資料B經由位元線BL和/BL被記憶於 電容器501中。 上述參考第7圖的說明是針對依序地接收寫入、讀取、 讀取和寫入命令之序列，並且並不包含其中一組寫入命令 衣紙張尺度適用中國3家標準（CNS〉a4規格（210X297公釐） ^ (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂丨 :罈 495762 A7 _____B7 五、發明説明（2〇 ) , 被供應以及被引導至不同於被上述寫入命令定址記憶庫之 一組記憶庫的一組讀取命令被供應之情況。 接著將參考第8圖說明一組寫入命令以及接著被引導 ^ 至不同於被寫入命令定址之一組記憶庫的一組讀取命令之 接收序列。 第8圖是依序地接收寫入、讀取、讀取和寫入命令之 序列時序圖。第8圖中，時脈週期是兩倍於第4圖中展示之 φ 時脈’並且讀取資料時序和寫入資料時序彼此相同。 第8圖中，符號”添加B至〇"指示一組位址信號B被引 導至記憶庫（0)電路14。進一步地，添加至各構造部份名 稱末端之號碼指示記憶庫（〇)電路14和記憶庫（1)電路15那 一組包含對應的構造部份。例如，’，r/W緩衝器〇，，指示讀 取/寫入緩衝器被包含於記憶庫（〇)電路14中。 當命令解碼器2被供應寫入命令b並且列位址緩衝器4 和行位址緩衝器5被供應引導至記憶庫（〇)電路14之位址信 號6時，位址鎖定及比較器6和7供應當先前的寫入命令被 供應至被包含於記憶庫（0) 電路14中之預解碼器20-1 和20-2時被鎖定的位址信號A，並且鎖定相關於目前寫入 命令之位址信號B。 被包含於記憶庫（0)電路14中被從位址鎖定及比較器6 和7供應位址信號A之預解碼器20-1和20-2將位址信號A預 解碼並且供應被預解碼位址信號A至區塊解碼器19、字組 解碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24、 和行解碼器25。相關於寫入命令並且供應至資料輸入緩衝 -23- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） A7 ------—___Β7 五、發明説明（21 ):' " '一 :資料A、”iL由資料轉換n丨Q被供應至包含於記憶庫⑼ 電路14中之寫入資料緩衝器28，並且接著從寫入資料緩衝 器28被供應至讀取/寫入緩衝器27。 田行線選擇>f5號匸乙依據被預解碼位址信號A被引動 時。被保持於讀取/寫入緩衝器27中的資料A經由位元線Bl 和/BL被儲存於電容器5〇1中。相關於寫入命令並且被寫 入資料輸入緩衝器1丨之資料2經由資料轉換器1〇被寫入至 包含於圮憶庫（〇)電路14中的寫入資料緩衝器28。 在隨著寫入命令B的兩組時序脈波之後，讀取命令c 被施加至命令解碼器2並且被定址至記憶庫（1)電路15之位 址信號C被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接 著’包含於記憶庫（1)電路15中的位址鎖定及比較器6和7 比較當先前的寫入命令被接收時被鎖定之位址信號χχ與隨 著目前讀取命令C一起供應的位址信號c。 上述的比較結果展不位址信號XX不同於位址信號C。 因此，位址鎖定及比較器6和7供應當目前讀取命令c被供 應時之供應位址信號C至包含於記憶庫（1)電路15中的預解 碼器20-1和20-2。被包含於記憶庫（〇)電路14中的位址鎖定 及比較器6和7供應被鎖定之位址信號Β至包含於電路14中 的預解碼器20-1和20-2。 包含於記憶庫（0)電路14中被從位址鎖定及比較器6和 7供應位址信號Β的預解碼器20-1和20-2將被接收位址信號 Β預解碼，並且供應被預解碼位址信號Β至區塊解碼器19、 字組解碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -24 - #·: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- ❹ 發明説明（22 元24、和行解碼器25。 當關於記憶庫（0)電路14之行線選擇信號CL依據被預 解碼位址信號B被引動時，被保持於記憶庫（〇)電路14中讀 取/寫入緩衝器27内的資料B經由位元線BL*/BL被儲存於 電容器501中。 包含於記憶庫（1)電路15中並且被從位址鎖定及比較 器6和7供應位址信號c之預解碼器2〇-1和2〇-2將位址信號c 預解碼並且供應被預解碼位址信號c至區塊解碼器19、字 組解碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元 24、和行解碼器25。 當關於記憶庫（1)電路1 5之行線選擇信號C l依據被預 解碼位址信號C被引動時，被儲存於電容器5〇1中的資料 被讀取至位元線BL和/BL，並且接著經由作為行閘2NM〇s 電晶體510和511被讀取至資料匯流排線〇Β和/DB，。讀取 至資料匯流排線DB和/DB之資料C被供應至記憶庫（1)電路 15中的讀取/寫入緩衝器27,並且接著經由資料轉換器12 輸出至FCRAM外側。下面的操作是相同於已被說明之操 作，並且其說明將被省略。 第7和8圖中展示的操作展示依序地接收寫入、讀取、 讀取、寫入命令之序列。但是，上述的操作並不包含其中 被引導至一組記憶庫之一組寫入命令W被接收並且利用寫 入命令W被寫入之資料被引導至相同記憶庫的一組讀取命 令R所讀取之序列。 接著將參考第9圖說明其中被引導至一組記憶庫之一 本紙張尺度適同中国國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -25- 装 、可------------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A7 _ B7 五、發明説明（23 ) , — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 組寫入命令W被接收並且利用寫入命令w被寫入之資料被 引導至相同記憶庫的一組讀取命令R所讀取之序列的上述 序列。 第9圖展示一種情況，其中寫入、讀取、讀取和寫入 命令被依序地供應。在第9圖中，時脈週期是兩倍於第4圖 中展示之時脈週期，並且讀取資料時序和寫入資料時序彼 此相等。 寫入命令B被施加至命令解碼器2並且位址信號B被施 加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及 比較器6和7供應當先前的寫入命令被接收時被鎖定的位址 信號A至被包含在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器ad和 2 0-2並且鎖定關於目前寫入命令位址信號b。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號A的預 解碼器20-1和20-2將位址信號a預解碼並且供應被預解碼 位址k號A至區塊解碼器19、字組解碼器21、1 /4解碼器22、 BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。被輸入至 與寫入命令相關的資料輸入緩衝器u之資料A經由資料轉 換器10而被供應至寫入資，料緩衝器28，並且接著從寫入資 料緩衝器28而被供應至讀取/寫入緩衝器27。 當該行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號a而被引 動時’被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料A經由位元線 BL和/BL而被儲存在電容器5〇1中。 在寫入命令B下面的兩組時序脈波之後，讀取命令c 被施加至命令解碼器2，並且位址信號B被施加至列位址 本紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（2i〇x297公爱） 495762 A7 ________B7 五、發明説明（24 ) , 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7 比較，當先前的寫入命令被接收時被鎖定之位址信號B與 相關於目前讀取命令之位址信號B。 當先前的寫入命令B被接收時被鎖定的位址信號b與 相關於目前讀取命令C之位址信號b是相同的。因此，指 不此兩者位址相同之一組信號供應至包含在記憶庫電 路14中之控制單元26。控制單元26經由資料轉換器12和資 料輸出緩衝器13輸出當先前的寫入命令b被接收時被保持 在寫入資料緩衝器28中之資料B至FCRAM外側。當命令解 碼器2被供應如先前寫入命令定址的相同記憶庫之讀取命 令時’位址鎖定及比較器6和7繼續鎖定當先前的寫入命令 被供應時被鎖定的位址信號《寫入資料緩衝器28繼續保持 被先前的寫入命令供應之資料B。 在後續於讀取命令C之兩組時序脈波之後，讀取命令 D被施加至命令解碼器2，並且位址信號〇被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7 比較當先前的寫入命令B被接收時被鎖定的位址信號b與 被目前讀取命令D所供應的位址信號D。 位址鎖定及比較器6和7辨識出位址信號B不同於位址 信號D，並且因此供應當目前讀取命令d被接收時被供應 的位址信號D至包含在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器20-1 和20-2。當命令解碼器2被供應定址至如先前的寫入命令 所定址之相同記憶庫的讀取命令時，位址鎖定及比較器6 和7繼續鎖定當先前的寫入命令被接收時被鎖定之位址信 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐〉 -27- (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) •裝丨

訂I :線- 495762 A7 ____B7 五、發明説明（25 ) ^ 號。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號d的預 解碼器20-1和20-2將位址信號D預解碼，並且供應被預解 碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號〇而被引動 時’則被儲存在電容器中之資料被讀取至位元線BL和 /BL ’並且接著經由作為行閘的一組nnOS電晶體510和511 而被讀取至資料匯流排線DB和/DB❶接著，被讀取至資料 匯流排線DB和/DB的資料D被供應至讀取/寫入緩衝器27並 且接著經由資料轉換器12從資料輸出緩衝器13而被輸出至 FCRAM之外側。 在後續於讀取命令D的兩組時序脈波之後，寫入命令 E被供應至命令解碼器2並且位址信號E被供應至列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7供 應當先前的寫入命令被接收時被鎖定的位址信號B至被包 含在記憶庫（〇)電路丨4中之預解碼器20-1和20-2，並且鎖定 與目前寫入命令相關之位址信號。被供應來自位址鎖定及 比較器6和7之位址信號B的預解碼器20-1和20-2將被接收 之位址信號B預解碼，並且供應被預解碼位址信號b至區 塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23、 S/A產生單元24、和行解碼器25。當行線選擇信號CL依據 被預解碼位址信號B而被引動時，被保持在讀取/寫入緩衝 器27中之資料b經由位元線bl和/BL被儲存在電容器中。 衣紙,χ尺度剌τ邮家標準⑽s)編^格⑵297公楚) -28 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 、一-T· :# A7 五、發明説明（26 上述的說明所針對之情況，其中，當利用寫入命令w 寫入之寫入資料在相同記憶庫之内被依序的讀取命令尺讀 取時，資料不是從核心電路29之記憶胞中被讀取而是從寫 入資料緩衝器28中被讀取。因此，讀取命令R有可能在寫 入命7 成該寫入資料至記憶胞之程序之前開始讀取並 且因此減低讀取-寫入週期。 下面將說明，參考至第1〇圖，其中一種寫入遮罩功能 被施加至寫入命令W之序列。第1〇圖依序地展示一種接收 寫入（將被遮罩）、讀取、讀取和寫入命令之序列。被展示 在第10圖之時脈週期是兩倍於被展示在第4圖中之時脈週 期’並且讀取資料時序和寫入資料時序彼此相等。 該寫入遮罩功能遮罩部份之寫入資料，因此被遮罩資 料部份被防止寫入。在下面的說明中，不包含一種讀取遮 罩功能。 命令解碼器2被供應寫入命令B，並且列位址緩衝器4 和行位址緩衝器5被供應位址信號接著，位址鎖定及 比較器6和7供應當先前的寫入命令被接收時被鎖定的位址 信號A至包含於記憶庫（〇>電路14中之預解碼器2〇-1和20-2,並且鎖定與該目前寫入命令相關的位址信號b。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號A的預 解碼器20-1和20-2將位址信號A預解碼，並且供應被預解 碼位址信號A至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24、和行解碼器25。相 關於寫入命令並且被施加至資料輸入緩衝器11之資料A0 -29- (請先閲讀背面之注意事項#填炤本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 495762 A7 — ___B7 _ 五、發明説明（27 ) ^ 和A1經由資料轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器28， 並且從寫入資料緩衝器28接著被供應至讀取/寫入緩衝器 27 〇 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號a而被引動 時，被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料A0和A1則經由 位元線BL和/BL而被儲存在電容器501中。 在後續於寫入命令B的兩組時序脈波之後，讀取命令 被施加至命令解碼器2並且位址信號B被施加至列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7比 較當先前的寫入命令B被接收時被鎖定的位址信號與相關 於目前讀取命令C之位址信號B。 該比較結果展示當先前的寫入命令B被接收時被鎖定 的位址信號B與相關於目前讀取命令c之位址信號b—致 地。因此，指示位址一致性之信號被供應至包含在記憶庫 (0)電路14中之控制單元26。控制單元26經由資料轉換器12 從資料輸出緩衝器13輸出被先前的寫入命令B供應並且被 保持在寫入資料緩衝器28中的資料B0至輸出。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號b而被引動 時’被寫入遮罩功能所遮罩之資料B1從電容器501被讀取 至位元線BL和/BL ’並且接著經由作用為行閘之NMOS電 晶體510和511而被讀取至資料匯流排線DB和/DB。接著， 在資料匯流排線DB和/DB上面之資料B1被供應至讀取/寫 入緩衝器27,並且接著經由資料轉換器12從資料輸出緩衝 器13而被輸出至FCRAM外側。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -30· #; (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁} 訂— 495762 A7 ------B7_ 五、發明説明（28 ) , 當具有讀取命令之命令解碼器2被引導至如先前寫入 命令的相同記憶庫時，位址鎖定及比較器6和7繼續鎖定當 先前的寫入命令被接收時被鎖定的位址信號。寫入資料緩 衝器28繼續保持被先前的寫入命令供應之資料。 在讀取命令C下面的兩組時序脈波之後，命令解碼器 2被供應讀取命令d並且列位址緩衝器*和行位址緩衝器5 則被供應位址信號D。接著，位址鎖定及比較器6和7比較 當先前的寫入命令被接收時被鎖定的位址信號B與相關於 目前讀取命令D之位址信號d。 該比較結果展示位址信號B不同於位址信號D。因此， 被供應相關於目前讀取命令D之位址信號〇被供應至包含 在記憶庫（0)電路14中之預解碼器20-1和20-2。當命令解碼 器2接收如先前寫入命令所被引導至之相同記憶庫的讀取 命令時，則位址鎖定及比較器6和7繼續鎖定當先前的寫入 命令被接收時被鎖定的位址信號。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號D的預 解碼器20-1和20-2將位址信號D預解碼，並且供應被預解 碼位址信號D至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。當行 線選擇彳§號C L依據被預解碼位址信號d而被引動時，則被 儲存在電容器中之資料被讀取至位元線BL和/BL，並且接 著經由作用為行閘的NMOS電晶體510和511而被讀取至資 料匯流排線DB和/DB。被讀取至資料匯流排線de和/DB之 資料D0和D1被供應至讀取/寫入緩衝器27並且接著經由資 -31- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 495762 A7 B7 29 五、發明説明（ 料轉換器12從資料輸出緩衝器13而輸出至FCRAM外側。 ------------------------—— (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 在讀取命令D的後續兩組時序脈波之後，寫入命令E 被輸入至命令解碼器2並且位址信號E被施加至列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器6和7供 應當先前的寫入命令被接收時被鎖定的位址信號B至被包 含在記憶庫（0)電路14中之預解碼器20-1和20-2，並且鎖定 相關於目前寫入命令之位址信號E。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號B的預 解碼器20-1和20-2將位址信號B預解碼，並且供應被預解 碼位址信號B至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24、以及行解碼器25。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號b而被引動時， 則被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料B0經由位元線BL 和/BL而被儲存在電容器中。在那時，被寫入遮罩功能所 遮罩之資料B1不是剛剛被儲存在電容器中，其繼績保持 目前被儲存資料。 當被包含在相同位址中之資料部份重新被寫入時，上 面之寫入遮罩功能被採用1該寫入遮罩功能被一組外部供 應之信號所控制。例如，一組遮罩信號被使用，其對於一 組將被遮罩的相關資料切換至高位準。另外地，一組被多 數個所給予信號定義的命令信號被使用以控制該寫入遮罩 功能。 控制該寫入遮罩功能之一組信號（在此之後被稱為，，寫 入遮罩控制信號"）被施加至命令解碼器2，並且經由ras

-32- 495762 五、發明説明（30 產生單7016和控制單元18而被供應至控制單元26，因而讀 取寫入緩衝器27和寫入資料緩衝器28被控制。 因此，如第9圖所展示，下面的操作可被進行。在被 寫入命令W寫入之寫入資料在相同記憶庫之内被讀取命令 R即時地讀取之情況中，被寫入遮罩功能遮罩之資料被來 自核心電路29之記憶胞讀取，並且其餘資料從寫入資料緩 衝器28而被讀取。因此，即使當寫入遮罩功能被使用時， 有可能在寫入命令W之寫入程序被完成之前開始讀取命令 R之程序。因此，讀取-寫入週期可被減低。 下面將參考第11圖說明包含一種分頁模式之操作時 序。第11圖是一種依序地接收在第5圖中被展示之fcram 中寫入、寫入（为頁模式寫入）、和寫入命令序列之時序圖。 被展示在第11圖中之時脈週期是兩倍於在第4圖中之時脈 週期，並且讀取資料時序和寫入資料時序彼此相等。在第 11圖中，具有連子符號之大寫文字，例如"Pwirte_c，，符號， 指示一組分頁模式寫入命令。 該分頁模式被定義為一種讀取或寫入操作，其中當行 位址被改變時，關於相同字組線之資料被讀取。在第11圖 所展示採用分頁模式之序列中，操作可在單一時序脈波區 間被達成。 寫入命令B被輸入至命令解碼器2，並且位址信號B被 輸入至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定 及比較器6和7供應當先前的寫入命令被接收時被鎖定的位 址信號A至被包含在記憶庫（0)電路14中之預解碼器川^和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） 33, 裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .-訂- :線- 495762 A7 ____B7 五、發明説明（31 ) , 20-2 ’ 並且鎖定相關於目前寫入命令之位址信號B。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號A的預 解碼器20-1和20·2將位址信號A預解碼並且供應被預解碼 位址信號A至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器22、 BLT解碼器23、S/A產生單元24、和行解碼器25。被寫入 命令輸入至資料輸入緩衝器11之資料A經由資料轉換器1 〇 而被供應至寫入資料緩衝器28，並且接著從寫入資料緩衝 器26而供應至讀取寫入緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號a而被引動 時，則被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料A經由位元線 BL和/BL而被儲存在電容器中。 在寫入命令B之後續兩組時序脈波之後，分頁模式寫 入命令C被施加至命令解碼器2，並且位址信號c被供應至 列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較 器6和7繼續保持當先前的寫入命令b被供應時被鎖定的位 址信號B，並且供應當先前的分頁模式寫入命令c供應時 被鎖定之位址信號C至包含在記憶庫（〇)電路14中之預解碼 器20-1和20-2。利用分頁模式寫入命令d而輸入至資料輸 入緩衝器11之資料C不被保持在寫入資料緩衝器28中而被 保持在讀取-寫入緩衝器27中。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號C的預 解瑪器20-1和20-2將位址信號C預解碼，並且供應被預解 碼位址信號C 至區塊解碼器19、字組解瑪器21、1/4解 碼器22、BLT解瑪器23、S/A產生單元24、和行解碼器25。 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .34 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、可I 495762 A7 ._B7_ 五、發明説明（32 ) ' 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號C而被選擇時， 則被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料C經由位元線Bl 和/BL而被儲存在電容器中。接著，分頁模式寫入命令〇 和E被執行直至一組分頁模式關閉命令pc被接收為止。 當該分頁模式關閉命令PC被供應時，FCRAM之操作 返回至被展示在第6圖中的連續寫入操作。命令解碼器2被 供應寫入命令F。在分頁模式時被連續地鎖定在位址鎖定 及比較器6和7中之位址信號B被供應至被包含在記憶庫（0) 電路14中之預解碼器20-1和20-2。利用在第6圖中展示之 連續的操作，被保持在寫入資料緩衝器28中之資料B經由 位元線BL和/BL而被儲存在電容器中。 因此，如第11圖中所展示，在分頁模式時，相關於先 前寫入命令W之寫入資料和位址信號被鎖定在寫入資料緩 衝器28和位址鎖定及比較器6和7中《因此，分頁模式寫入 命令W可在寫入命令w完成資料寫入操作之前開始其操 作。 接著將參考第12圖說明本發明之第二實施例。第12圖 是依據本發明第二實施例.之一種半導體記憶體裝置的方塊 圖。在第12圖中，與第5圖中展示之相同的部份給予相同 的參考號碼。 本發明第二實施例不同於第一實施例之處是，被展示 於第12圖中之裝置具有兩組雙位址鎖定及比較器3〇和31， 以及兩組寫入資料緩衝器32和33。以此結構，即使在時脈 週期疋長的，使該讀取時序和寫入時序也變長的情況中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs) Μ規格（21〇><297公楚） ^------------------1Τ------------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填肖本頁) 495762 A7 _B7_ 五、發明説明（33 ) / 其仍可能減低在讀取命令R和寫入命令W之間的區間使之 可適用於一般的記憶庫間構造之最小容忍時間（1RC)。在 FCRAM中，在讀取命令R和寫入命令w間之區間依據感應 放大器之操作區間而定義。 各組雙位址鎖定及比較器30和3 1是由一組第一位址鎖 定及比較器部份，以及一組第二位址鎖定及比較器部份所 產生。下面將予以說明，在接收寫入和讀取命令時雙位址 鎖定及比較器30和31分別地達成之操作。在接收寫入命令 時，雙位址鎖定及比較器30鎖定，在第一位址鎖定及比較 器部份中，被供應自列位址緩衝器4之列位址信號，並且 鎖定，在第二位址鎖定及比較器部份，被鎖定在第一位址 鎖定及比較器部份中之列位址信號。第二位址鎖定及比較 器部份鎖定從第一位址鎖定及比較器部份供應之列位址， 並且供應被鎖定在第二位址鎖定及比較器部份之列位址信 號至預解碼器20-1。 亦即，使用被鎖定在第二位址鎖定及比較器部份中之 列位址信號，被保持在寫入資料緩衝器32或33中之資料被 寫入核心電路29。 在接收讀取命令時，雙位址鎖定及比較器30比較從列 位址緩衝器4被供應的列位址信號與被鎖定在第一位址鎖 定及比較器部份中之列位址信號。當兩者位址信號彼此一 致時，雙位址鎖定及比較器30供應一組相關的信號至控制 單元26。接著，控制單元26輸出被保持在寫入資料緩衝器 32中或在寫入資料緩衝器33中之資料。在那時，取決於稍 衣紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（210X297公釐） -36 · #:· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂— 奶762 五、發明説明（34 ) 後說明之一種時序而決定緩衝器32和33之那一組的資料應 該被輸出。進一步地，當目前讀取命令被接收時，雙位址 鎖定及比較器3 0比較從列位址緩衝器4被供應之列位址信 號與被鎖定在第二位址鎖定及比較器部份中之列位址信 號。如果兩者位址信號彼此並不一致，則依據當目前讀取 命令被接收時被供應的列位址信號，從核心電路2 9讀取資 料。 除了行位址信號從行位址緩衝器5被供應並且行位址 k號被供應至預解碼器20-2之外，雙位址鎖定及比較器31 之操作是相同於雙位址鎖定及比較器30之操作。 接著將參考第13圖說明依據本發明之第二實施例 FCRAM之操作。第13圖展示當寫入命令被依序地供應時 達成的操作。展示在第13圖中之時脈週期是兩倍於展示在 第4圖中之時脈週期，並且讀取資料時序和寫入資料時序 彼此相等。 寫入命令B被施加至命令解碼器2，並且位址信號b被 施加至雙位址鎖定及比較器30和31。接著，雙位址鎖定及 比較器30和3 1辞定，在第一位址鎖定及比較器部份中，當 先前的寫入命令被接收時被鎖定在其第一部份中的位址信 號A ’並且鎖定在其第一部份中之位址信號b。在那時， 被鎖定在第二部份中之位址信號XX被供應至預解碼器2〇一 1 和20-2 〇 被供應來自雙位址鎖定及比較器30和31之位址信號XX 之預解碼器20-1和20-2將位址信號XX預解碼，並且供應被 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •37- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝— ..線 495762 A7 _____B7_ 五、發明説明（35 ) 預解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1 /4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當寫入命令B被供應至命令解碼器2時，被保持在寫 入資料緩衝器33中之資料XX被供應至讀取/寫入緩衝器 2 7。在那時’寫入資料緩衝器3 2被供應經由資料轉換器1 〇 而被輸入至資料輸入緩衝器Π之資料A。 s行線選擇彳§说CL依據被預解碼位址信號xx被選擇 時，被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料XX經由位元線 BL和/BL而被儲存在電容器中。 在後續於寫入命令B之兩組時序脈波之後，寫入命令 C被施加至命令解碼器2，並且位址信號C被施加至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖定及比較器3〇 和31鎖定，在第二部份中，當先前的寫入命令被供應時被 鎖定在第一部份中之位址信號B，並且鎖定在第一部份中 之位址信號C。 在那時，被鎖定在第二部份中之位址信號A被供應至 包含在記憶庫（0)電路14中之預解碼器20-1和20-2。 被供應來自雙位址銕定及比較器30和31之位址信號A 的預解碼器20-1和20-2將位址信號A預解碼，並且供應被 預解碼位址信號A至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 寫入資料緩衝器3 2繼續保持從資料輸入緩衝器11供應 之資料A，並且資料A接著被保持在讀取/寫入緩衝器27 中。在那時，輸入至資料輸入緩衝器11之資料B經由資料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -38- # (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、=口 495762 A7

發明説明（36 轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器33。當行線選擇信號 CL依據被預解碼位址信號a而被引動時，則被鎖定在讀取 /寫入緩衝器27中之資料B經由位元線BL和/BL而被儲存在 電容器中。 依據本發明之第二實施例，如上所述，寫入資料緩衝 器32和33交互地被供應對應至被施加至命令解碼器3之寫 入命令的資料信號。利用重複上面之程序，連續的寫入操 作可被進行。 第14圖是一種依序地執行寫入、讀取、寫入和讀取命 令之序列的時序圖。在第14圖中之時脈週期是兩倍於被展 示在第4圖中之時脈週期，並且讀取資料時序和寫入資料 時序彼此相等。 寫入命令B被施加至命令解碼器2，並且位址信號b被 施加至雙位址鎖定及比較器30和31。接著，雙位址鎖定及 比較器30和31鎖定，在第一位址鎖定及比較器部份中，當 先前的寫入命令被接收時被鎖定在其第一部份中的位址信 被A ’並且鎖疋在其第一部份中之位址信號b。在那時， 被鎖定在第二部份中的位址信號XX被供應至預解碼器2(μι 和20-2 。 被供應來自雙位址鎖定及比較器30和31之位址信號χχ 的預解碼器20-1和20-2將位址信號XX預解碼，並且供應被 預解碼位址信號至區塊解瑪器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解瑪器23、S/A產生單元24和行解瑪器25。 當命令解碼器2被供應寫入命令Β時，被鎖定在寫入資料 尽纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐〉 -39- (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) .裝— 訂— :線- /02 A7 —--------B7 五、發明説明（37 ) 緩衝器33中之資料XX被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號^而被引 動時，被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料^經由位元 線BL和/BL而被儲存在電容器5〇1中。從資料輸入緩衝器u 而被供應之資料A經由資料轉換器1〇而被施加至寫入資料 緩衝器32，並且被保持於其中。寫入資料緩衝器33連續地 保持被先前的寫入命令所供應的資料χχ。 在後續於寫入命令Β之兩組時序脈波之後，分頁模式 寫入命令C被施加至命令解碼器2,並且位址信號c被供應 至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖定及 比較器30和31比較當先前的寫入命令β被接收時被鎖定在 第一部份中的位址信號Β與被目前讀取命令c供應的位址 信號C。 因為位址仏说Β並不與位址信號c 一致，故雙位址鎖 定及比較器30和31供應當目前讀取命令c被供應至被包含 在記憶庫（0)電路14中預解碼器20-1和20-2時之位址信號 C。雙位址鎖定及比較器30和31繼續鎖定當先前的寫入命 令被鎖定時被鎖定的位址信號。 被供應來自雙位址鎖定及比較器30和31之位址信號C 的預解碼器20-1和20-2將位址信號C預解碼。並且供應被 預解碼位址信號C至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解瑪器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號C被引動 時，被儲存在電容器中之資料被讀取至位元線BL和/BL， 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •40- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂_ 495762 A7 B7 38 五、發明説明（ 並且接著經由作用為行閘的NMOS電晶體510和511而被讀 取至資料匯流排線DB和/DB。接著，被讀取至資料匯流排 線DB和/DB之資料C被供應至讀取/寫入緩衝器27，並且接 著從資料輸出緩衝器13經由資料轉換器12而被輸出至 FCRAM外側。從資料輸入緩衝器11被供應之資料b經由資 料轉換器101而被輸入至寫入資料緩衝器33並且被保持於 其中。寫入資料緩衝器32繼續保持被先前的寫入命令供應 的資料A。 在後續於讀取命令C的兩組時序脈波之後，寫入命令 D被供應至命令解碼器2，並且位址信號D被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖定及比較器3〇 和31鎖定，在第二部份中，當先前的寫入命令被接收時被 鎖定在第一部份中之位址信號，並且鎖定位址信號D在其

第一部份中。在那時，被鎖定在第二部份中之位址信號A 被供應至被包含在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器20-1和 20-2。 被供應來自雙位址鎖定及比較器3〇和31之位址信號A 的預解碼器20-1和20-2將位址信號A預解碼，並且供應被 預解碼位址信號A至區塊解碼器19、字組解碼器21、ι/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當寫入命令D被供應至命令解碼器2時，被保持在寫入資 料緩衝器32中之資料a被保持在讀取/寫入緩衝器27中。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號a而被引動 時，被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料經由位元線Bl 裝1T------------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-41- 495762 A7 一 B7 五、發明説明（39 ) ^ 和/BL而被儲存在電容器中。利用重複上面之操作，連續 的寫入、讀取、寫入和讀取操作可被進行。 被展示在第14圖中之序列並不包含寫入命令|被施加 之操作，並且被上面寫入命令冒寫入之寫入資料即時地被 讀取命令R從相同記憶庫中讀取。 第15圖是一種序列之時序圖，其中寫入命令貿被施 加，並且被上面寫入命令W寫入之寫入資料即時地被讀取 命令R從相同記憶庫中讀取。在第15圖中，時脈週期是兩 倍於被展示在第4圖中之時脈週期，並且讀取資料時序和 寫入資料時序彼此相等。 寫入命令B被供應至命令解碼器2，並且位址信號B被 供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖 定&比較器30和31鎖定，在第二部份中，被先前的寫入命 令鎖定在第一部份中之位址信號A，並且鎖定在第一部份 之位址信號B。在那時，被鎖定在第二部份中之位址信號 XX被供應至被包含在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器2(M 和 20-2 〇 被供應來自雙位址錆定及比較器30和3丨之位址信號χχ 的預解碼器20-1和20-2將位址信號XX預解碼，並且供應被 預解碼位址信號XX至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4 解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當命令解碼器2被供應寫入命令β時，被保持在寫入資料 緩衝器33中之資料XX被保持在讀取/寫入緩衝器27中。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號XX而被引 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐）

# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 495762 *·· A7 _ — B7___ 五、發明説明(4°) ' " ~ 動時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料^經由位元 •線BL*/BL而被儲存在電容器中。從資料輸入緩衝器"而 • 被供應之資料A，經由資料轉換器10而被輸入至寫入資料 •緩衝器32，並且被保持於其中。寫入資料緩衝器^繼續保 持被先前的寫入命令供應的資料。 在後續於寫入命令B之兩組時序脈波之後，讀取命令 C被供應至命令解碼器2，並且位址信號8被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖定及比較器3〇 和31比較被當先前的寫入命令B被供應時鎖定在第一部份 中之位址仏號B與被目前讀取命令c供應的位址信號b。 因為兩組位址信號彼此一致，雙位址鎖定及比較器3〇 和31輸出指示一致性位址之信號至被包含在記憶庫（〇)電 路14中之控制單元26。 控制早元26依據先前的寫入命令b而從資料輸出緩衝 器13經由資料轉換器12輸出被保持在寫入資料緩衝器33中 || 之資料B至FCRAM外側。當讀取命令被輸入至命令解碼器 2時’雙位址鎖定及比較器30和31繼續鎖定當先前的寫入 命令被供應時被鎖定之位址信號。 從資料輸入緩衝器11供應之資料B經由資料轉換器1〇 被施加至寫入資料緩衝器33，並且被保持於其中。寫入資 料緩衝器32繼續保持被先前的寫入命令供應的資料a。下 面的操作是相同於第11圖中之展示，並且其說明將被省 略。 依據本發明之第二實施例，在寫入命令W被施加之情 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -43- ’：---------------------裝…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 :線 495762 A7 B7 五、發明説明（41 況中，資料不從核心電路29中被讀取而是從寫入資料緩衝 器32或33中被讀取，並且被上述的寫入命令w寫入之寫入 資料被讀取命令R即時地從相同記憶庫中讀取。因此，產 生讀取命令R之程序可在被寫入命令要求之寫入程序完成 之前開始。因此，即使在時脈週期是長的，並且讀取時序 和寫入時序也變長之情況中，仍可能減低在讀取命令尺和 寫入命令W間之區間而使其可適用於一般記憶庫間構造之 最小容忍時間（1RC)。 接著將參考第16圖說明依據本發明第三實施例之一種 半導趙記憶體裝置。在第16圖中，相同於在第12圖中展示 之部份被給予相同的參考數目。 在第16圖中被展示之結構不同於在第12圖中被展示之 處是’在第16圖中提供兩組三位址鎖定及比較器3 5和36, 並且提供三組寫入資料緩衝器32、33和37。 依據上述的結構，即使在時脈週期是長的，並且讀取 時序和寫入時序也變長的情況中，仍可能減低在讀取命令 R和寫入命令W間之區間使其可適用於一般記憶庫間構造 之最小容忍時間（1RC)。 各組三位址鎖定&比較器35和36是由一組第一位址鎖 定&比較器部份、一組第二位址鎖定及比較器部份、以及 一組第三位址鎖定及比較器部份所產生。下面將說明當寫 入和讀取命令被供應時三位址鎖定及比較器35和56分別地 達成之操作。 當寫入命令被供應時，三位址鎖定及比較器3 5鎖定， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -44- #:1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂- 495762 A7 _ B7___ 五、發明説明（42 ) 在第一部份中，從列位址緩衝器4被供應之列位址信號， 並且鎖定，在第二部份中，被鎖定在第一部份中之列位址 信號。第二部份鎖定來自第一部份之列位址信號，並且第 三部份鎖定被鎖定在第二部份中之列位址信號。 第三部份鎖定從第二部份被供應之列位址信號，並且 供應其中被鎖定的列位址信號至預解碼器20-1。使用被鎖 定在第三部份中之列位址信號，被儲存在寫入資料緩衝器 32、33和37中之資料被寫入核心電路29。 當讀取命令被供應時，三位址鎖定及比較器35比較從 列位址緩衝器4被供應之列位址信號與被鎖定在第一部份 中之列位址信號。當兩者之位址信號彼此一致時，則三位 址鎖定及比較器35供應指示一致性位址之信號至控制單元 26。接著，控制單元26導致被儲存在寫入緩衝器32、33和 37之資料被輸出。在那時，緩衝器32、33和37中那一組的 資料應該被輸出之決定取決於一組時序，稍後將說明。 進一步地，三位址鎖定及比較器35比較被目前讀取命 令從列位址緩衝器4供應之列位址信號與被鎖定在第三部 份中之列位址信號。如果兩者位址信號彼此不同，則依據 當目前讀取命令被供應時所供應之列位址信號從核心電路 29讀取資料。 除了行位址信號從行位址緩衝器5被供應並且行位址 信號被供應至預解碼器20-2之外，三位址鎖定及比較器36 之操作是相同於三位址鎖定及比較器35之操作。 第17圖是在第16圖中被展示之裝置的連續寫入操作之 -45- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） 495762 A7 ________B7__ 五、發明説明（43 ) 時序囷。在第17圖中，時脈週期是兩倍於被展示在第4圖 中之時脈週期，並且讀取資料時序和寫入資料時序彼此相 等。 寫入命令B被供應至命令解碼器2，並且位址信號b被 供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址鎖 定及比較器35和36鎖定，在第二部份中，當先前的寫入命 令被供應時被鎖定在第一部份中的位址信號A，並且鎖定 在第一部份中之位址信號B。當先前的寫入命令被供應時 被鎖定在第二部份中之位址信號XX則被鎖定在第三部份 中。並且被鎖定在第三部份中之位址信號XXX則被供應至 被包含在記憶庫（0)電路14中之預解碼器20-1和20-2。 被供應來自三位址鎖定&比較器35和36之位址信號 XXX的預解碼器20-1和20-2將位址信號XXX預解碼，並且供 應該位址信號XXX至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當寫入命令被供應至命令解碼器2時，被保持在寫入資料 緩衝器37中之資料XXX則被保持在讀取/寫入緩衝器27中。 當行線選擇信號CL依據被將預解碼位址信號χχχ而被 引動時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料χχχ則經由 位元線BL和/BL而被儲存在電容器中。從資料輸入緩衝器 11被供應之資料XX經由資料轉換器10而被寫入至寫入資料 緩衝器32，並且被保持於其中。寫入資料緩衝器33繼續鎖 定當先前的寫入命令被供應時所供應之資料χχχ。 在後續於寫入命令Β之兩組時序脈波之後，寫入命令 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -46- ------------------------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 495762 A7 ___B7_ 五、發明説明（44 ) 〃 C輸入至命令解碼器2，並且位址信號C被輸入至列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址鎖定及比較器35和 36鎖定，在第二部份中，當先前的寫入命令被供應時被鎖 定在第一部份中的位址信號B，並且鎖定在第一部份中之 位址信號C。 當先前的寫入命令被供應時被鎖定在第二部份中的位 址k號A則被鎖定在第三部份中，並且被鎖定在第三部份 中之位址化號xx被供應至被包含在記憶庫（0)電路14中之 預解碼器20-1和20-2。 被供應來自三位址鎖定及比較器35和36之位址信號χχ 的預解碼器20-1和20-2將位址信號XX預解碼，並且供應被 預解碼位址信號至區塊解碼器丨9、字組解碼器21、1 /4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當寫入命令被供應至命令解碼器2時，被保持在寫入資料 緩衝器32中之資料χχ被保持在讀取/寫入緩衝器27中。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號^而被引 動時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料^經由位元 線BL和/BL而被儲存在電容器中。從資料輸入緩衝器丨“皮 供應之資料經由資料轉換器1〇而被供應至寫入資料緩衝器 33，並且被保持於其中。寫入資料緩衝器37繼續鎖定被先 前的寫入命令供應的資料χχχ。利用重複上述的操作，連 續的寫入操作可被進行。 依據本發明之第三實施例，在寫入命令w被施加於之 情況中，資料不是從核心電路29被讀取而是從寫入資料緩 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） •47- 裝 (請先閲讀背面之注意卞項洱填舄本頁) 訂

•線I 495762 A7 _____B7 五、發明説明（45 ) ^ 衝器32、33或37被讀取，並且被上述的寫入命令w寫入之 寫入資料即時地從相同記憶庫被讀取命令R讀取。因此， 讀取命令R之程序可在被寫入命令要求之寫入程序完成之 前開始。 因此’即使在其中時脈週期是長的，並且讀取時序和 寫入時序也變長之情況中，可能減低在讀取命令R和寫入 命令W間之區間而使其可適用於一般記憶庫間構造中之最 小容忍時間（1RC)。 上面說明係針對FCRAM。FCRAM記憶胞周圍之電路 組態是相同於SDRAM。因此，本發明包含SDRAM。 第18圖疋被展示在第5圖之半導體記憶體裝置中分頁 模式寫入連續操作之時序圖。被展示在第18圖中之時脈週 期是兩倍於被展示在第4圖中之時脈週期，並且讀取資料 時序和寫入資料時序等於1。 參看第18圖，位址命令B被施加至命令解碼器2，並 且位址信號B被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。 接著，位址信號B被供應至包含在記憶庫（〇)電路14中之預 解碼器20-1和20-2。 被供應來自列位址緩衝器4和行位址緩衝器5之位址信 號B的預解碼器20-1和20-2將位址信號B預解碼，並且供應 被預解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4 解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解瑪器25。 被寫入命令B施加至資料輸入緩衝器11之資料B經由資料 轉換器10而被供應至讀取/寫入緩衝器27中。 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •48- (請先閱讀背面之注意事项再填寫本頁) 訂- 495762 A7 _____B7__ 五、發明説明（46 ) < 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號b而被引動 時，則被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料B經由位元線 BL和/BL而被儲存在記憶體5〇1中。 在後續於寫入命令B之兩組時序脈波之後，分頁模式 寫入命令C被供應至命令解碼器2，並且位址信號c被供應 至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比 較器6和7鎖定與目前分頁模式寫入命令c一起被供應的位 址信號C。目前分頁模式寫入命令c是將裝置模式從正常 模式移動至頁模式之第一命令，並且繼續使對應字組線於 被引動狀態直至分頁模式關閉命令被接收為止。在上述的 週期間，行線一組接一組有選擇地被引動。 在分頁模式寫入命令C的下面一時脈後，分頁模式寫 入命令B被供應至命令解碼器2，並且位址信號D被供應至 列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較 器6和7供應當先前的分頁模式寫入命令c被供應時被鎖定 的位址信號至在記憶庫（0)電路14中之預解碼器2〇-1和20· 2 ’並且鎖定該目前分頁模式寫入命令 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號c的預 解碼器20-1和2-2將位址信號c預解碼，並且供應被預解碼 位址信號C至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器22、 BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。進一步地， 被輸入至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令c之 資料C經由資料轉換器1 〇而被供應至寫入資料緩衝器28， 並且接著從寫入資料緩衝器28而被供應至讀取/寫入緩衝 衣紙張尺度適用中g國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 裝------------------#------------------線_ (請先閲讀背面之注意事项再填、¾本頁) -49- 495762 A7 _______Β7_ 五、發明説明（47 ) , 器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號（：而被引動 時，被鎖疋在讀取/寫入緩衝器27中之資料經由位元線 和/BL而被儲存在電容器中。 在分頁模式寫入命令D之下面的一組時序脈波後，分 頁模式寫入命令Ε被輸入至命令解碼器2,並且位址信號Ε 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖 定及比較器6和7供應當先前的分頁模式寫入命令D被接收 時被鎖定之位址信號D至在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器 20-1和20-2，並且鎖定相關於目前分頁模式寫入命令 位址信號E。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號〇的預 解碼器20-1和20-2將位址信號D預解碼，並且供應被預解 碼位址信號D至區塊解碼器19、字組解碼器21、ι/4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。被供 應至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令D之資料 經由資料轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器28，並且接 著從寫入資料緩衝器28被供應至讀取/寫入緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號D而被選擇 時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料d經由位元線bl 和/BL而被儲存在電容器中。 在分頁模式寫入命令E之下面的一組時序脈波後，分 頁模式關閉命令PC被施加至命令解碼器2。接著，位址鎖 定及比較器6和7供應當先前的分頁模式寫入命令ε被供應 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） — (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) .訂— •50- 495762 A7 ___B7 五、發明説明（48 ) ， 時被鎖定之位址信號E至預解碼器20-1和20-2。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號e的預 解碼器20-1和20-2將位址信號E預解碼，並且供應被預解 • 碼位址信號E至區塊解碼器19、字組解碼器2 1、1 /4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。被供 應至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令B之資料 經由資料轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器28 ,並且經 • 由寫入資料緩衝器28被供應至讀取/寫入緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址e而被引動時， 被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料E經由位元線Bl和 /BL而被儲存在電容器中。接著，該裝置從分頁模式移動 至正常模式’並且寫入命令G如上述寫入命令b之相同方 式被處理。 第19圖是一種序列之時序圖，其中一組分頁模式寫入 命令以及一組分頁模式讀取命令被依序地供應。在第19圖 中之時脈週期是兩倍於在第4圖中展示之時脈週期，並且 讀取資料時序和寫入資料時序等於1。進一步地，符號 ” PRead-D”指示一組分頁模式讀取命令d。 參看第18圖，位址命令B被施加至命令解碼器2,並 且位址信號B被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。 接著’位址信號B供應至被包含在記憶庫（〇)電路14中之預 解碼器20-1和20-2。 被供應來自列位址緩衝器4和行位址緩衝器5之位址信 號13的預解碼器2〇-1和20-2將位址信號B預解碼，並且供應 -51- -----------------------裝------------------.矸------------------線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A7 ______B7 五、發明説明（49 ) / 被預解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4 解碼器22還了解碼器23、8/八產生單^24和行解碼器25。 被寫入命令B經由資料轉換器1〇而施加至資料輸入緩衝器 11之資料B被供應至讀取/寫入緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號b而被引動 時，被鎖疋在讀取/寫入緩衝器27中之資料b經由位元線BL 和/BL而被儲存在記憶體5〇1中。 在後續於寫入命令B之兩組時序脈波之後，分頁模式 寫入命令C被供應至命令解碼器2 ,並且位址信號c被供應 至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比 較器6和7鎖定與目前分頁模式寫入命令匚一起被供應之位 址信號C。該目前分頁模式寫入命令c是將裝置模式從正 常模式移動至分頁模式之第一命令，並且繼續使對應的字 組線在被引動狀態中直至分頁模式關閉命令被接收為止。 在分頁模式寫入命令C之下面的一組時序脈波後，命 令解碼器2被供應至分頁模式讀取命令D，並且位址信號d 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖 定及比較器6和7比較當先前的分頁模式寫入命令c被供應 時被鎖定之位址信號C與相關於目前分頁模式讀取命令〇 之被鎖定的位址信號D。 因為位址信號C和D彼此不同，當目前分頁模式讀取 命令D被供應時被接收之位址信號D被供應至預解碼器20-1和20-2。位址鎖定及比較器6和7繼續鎖定當先前的分頁 模式寫入命令C被供應時被鎖定之位址信號C。 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -52- ------------------------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂| . 495762 A7 _B7_ 五、發明説明（50 ) ， 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號d的預 解碼器20-1和20-2將位址信號D預解碼，並且接著供麻被 預解碼位址信號D至區塊解碼器19、字組解碼器21、1 /4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被輸入至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令€之 資料C經由資料轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器28。 當行線選擇彳吕滅CL依據被預解碼位址信號£)而被選擇 時’被儲存在電容器中之資料被讀取至位元線BL和/BL1 並且接者被讀取至資料匯流排線DB和/DB。接著，在資料 匯流排線DB和/DB上面之資料被供應至讀取/寫入緩衝器 27，並且接著從資料輸出緩衝器13經由資料轉換器12被輸 出至FCRAM外側。寫入資料緩衝器28繼續鎖定當先前的 分頁模式寫入命令C被供應時被接收之資料c。 在分頁模式讀取命令D之下面的一組時序脈波後，分 頁模式寫入命令E被施加至命令解碼器2，並且位址信號e 被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖 定&比較器6和7供應當先前的分頁模式寫入命令c被供應 時被鎖定之位址信號C至在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器 2 0-1和20-2，並且鎖定該目前分頁模式寫入命令e。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號c的預 解碼器20-1和20-2將位址信號C預解碼，並且供應被預解 碼位址信號C至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。當行 線選擇信號CL依據被預解碼位址信號c而被選擇時，被鎖 本紙張尺度適用中3國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -53- -----------------------裝------------------#------------------線 (請先閲讀背面之注意事項再填烊本兑) 495762 A7 B7 五、發明説明（51 ) I -1 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 定在寫入資料緩衝器28中之資料被供應至讀取/寫入緩衝 器27，並且接著經由位元線BL和/BL而被儲存在電容器 中。 在分頁模式寫入命令E之下面的一組時序脈波後，分 頁模式關閉命令PC被施加至命令解碼器2。接著，位址鎖 疋&比較器6和7供應當先前的分頁模式寫入命令e被供應 時被鎖定之位址E至在記憶庫（〇)電路14中之預解碼器20-1 和 2 0 - 2。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號e的預 解碼器20-1和20-2將位址信號E預解碼，並且供應被預解 碼位址信號E至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解碼器 •訂— 22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。被供 應至資料輸入緩衝器U中相關於分頁模式寫入命令E之資 料經由資料轉換器1〇被供應至寫入資料緩衝器28 ,並且接 著從寫入資料緩衝器28被供應至讀取/寫入緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址£被引動時，被

鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料E經由位元線BL* /BL 而被儲存在電容器中。接著，該裝置從分頁模式移動至正 常模式，並且寫入命令F和g如上述寫入命令b之相同方式 被處理。 接著將說明一種序列，其中分頁模式寫入命令被供應 並且利用分頁模式讀取命令即時地將被上述的分頁模式寫 入命令寫入之寫入資料讀取出。 第20圖是展示於第5圖之FCRAM中依序地接收分頁模

式寫入命令和分頁模式讀取命令之—種時序圖。被展示在 第20圖中之時脈週期是兩倍於被展示在第4圖中之時脈週 期，並且讀取資料時序和寫入資料時序等於 如參考至第18圊之說明，寫入命令B被施加至命令解 碼器2，ϋ且行線選擇信號CL依據被預解碼位址信 號B而 被引動。接著，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料B經 由位元線BL和/BL而被儲存在電容器中。 在後續於寫入命令B之兩組時序脈波之後。分頁模式 寫入命令c被供應至命令解碼器2，並且位址信號c被供應 至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比 較器6和7鎖定與目前分頁模式寫入命令c 一起被供應之位 址信號C。該目前分頁模式寫入命令c是將裝置模式從正 常模式移動至分頁模式之第一命令，並且繼續使對應的字 組線在被引動狀態中直至分頁模式關閉命令被接收為止。 在分頁模式寫入命令c之下面的一組時序脈波後，命 令解碼器2被供應至分頁模式讀取命令D ,並且列位址緩 衝器4和行位址緩衝器5被供應至位址信號c。接著，位址 鎖定及比較器6和7比較當先前的分頁模式寫入命令^被供 應時被鎖定之位址信號C與相關於目前分頁模式讀取命令 D之被鎖定之位址信號c。 因為兩者位址信號C彼此一致，被包含在記憶庫（〇)電 路14中之控制單元26被供應指示位址一致性之信號。控制 單元26輸出資料c，其與先前的分頁模式 寫入命令C一起 經由資料輸入緩衝器而被接收並且經由資料轉換器10而被 衣紙ίχ尺度適用中國國家標準（q^) A4規格（210X297公爱） -55- 495762 A7 ----B7__ 五、發明説明（53 ) 供應至寫入資料緩衝器28，經由讀取/寫入緩衝器27和資 料轉換器12而被供應至FCRAM外側。 當命令解碼器2接收分頁模式寫入命令以及接著分頁 模式讀取命令時，位址鎖定及比較器6和7繼續鎖定當分頁 模式寫入命令被接收時被鎖定的位址信號，直至下一分頁 模式寫入命令被接收為止。 在分頁模式讀取命令D之下面的一時脈後，分頁模式 寫入命令E被施加至命令解碼器2，並且位址信號e被施加 至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定&比 較器6和7供應當先前的分頁模式寫入命令c被供應時被鎖 定之位址信號C至記憶庫（〇)電路14中之預解碼器川一和 2〇·2，並且鎖定該目前分頁模式寫入命令e。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號c的預 解碼器20-1和20-2將位址信號C預解碼，並且供應被預解 碼位址6號C至區塊解碼器19、字解碼器21、1 /4解碼器22、 BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址c而被引動時， 被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料C經由位元線BL和 /BL而被儲存在電容器中。 被供應來自位址鎖定及比較器6和7之位址信號E的預 解碼器20-1和20-2將預解碼位址信號E，並且供應被預解 碼位址信號E 至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被供應至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令E之 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ...... f請先閲讀背面之：/.T意事项再填寫本頁) 訂- 495762 A7 B7 五、發明説明（54 資料經由資料轉換器1〇被供應至寫入資料緩衝器28，並且 接著從寫入資料緩衝器28被供應至讀取/寫入緩衝器27。 S行線選擇信號CL依據被預解碼位址E而被引動時， 被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料E經由位元線Bl和 /BL而被儲存在電容器中。接著，裝置從分頁模式移動至 正常模式’並且寫入命令F和G如上述寫入命令b之相同方 式被處理。 Φ 上面說明係針對一種情況，其中當被分頁模式寫入命 令所寫入之寫入資料在相同之記憶庫内被依序的分頁模式 讀取命令讀取時，資料不是從核心電路29之記憶胞被讀取 而是從寫入資料緩衝器28中被讀取。因此，可能地在利用 分頁模式寫入命令將資料寫入記憶胞之程序完成之前開始 該分頁模式讀取命令並且因此減低讀取_寫入週期。 接著將參考第21圖說明被展示於第12圖中具有兩組寫 入資料緩衝器32和33之上述的半導體記憶體裝置中被達成 的組分頁模式寫入連績序列。在第21圖中之時脈週期是 兩倍於展示於第4圖中之時脈週期，並且讀取資料時序和 寫入資料時序兩者皆等於2。 在寫入命令B之後續三組時脈後，分頁模式寫入命令 C被供應至命令解碼器2，並且位址信號c被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器31和 32鎖定，在第一部份中，與目前分頁模式寫入命令c一起 被供應的位址信號該目前分頁模式寫入命令c是將裝 置模式從正常模式移動至分頁模式之第一命令，並且繼續 (請先閱讀背面之注意事項再塡苟本頁) .裝— .訂| ••線-

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五、發明説明（55 ) 使對應的字組線在被引動狀態中直至分f模式關命令被 接收為止。 在分頁模式寫入命令c之下面的一組時序脈波後，分 頁模式寫入命令D被供應至命令解碼器2,並且位址信號D 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖 定及比較器30和31鎖定，在第二部份中，當先前的分頁模 式寫入命令C被供應時被鎖定在第一部份中之位址信號 C’並且鎖定相關於目前分頁模式寫入命令〇之位址信號〇 於第一部份中。 在刀頁模式寫入命令D之下面的一組時序脈波後，分 頁模式寫入命令Ε被施加至命令解碼器2，並且位址信號ε 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址 鎖定及比較器30和31鎖定，在第二部份中，當先前的分頁 模式寫入命令D被接收時被鎖定在第一部份中之位址信號 D’並且鎖定在第一部份中之位址信號ε。在那時，被鎖 定在第二部份中之位址信號C被供應至在記憶庫（〇)電路j 4 中之預解碼器20-1和20-2。 被供應來自雙位址鎮定及比較器30和3 1之位址信號c 的預解碼器20-1和20·2將位址信號C預解碼，並且供應被 預解碼位址信號至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 供應至資料輸入緩衝器11中相關於分頁模式寫入命令 C之資料C經由資料轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器 32，並且接著從寫入資料緩衝器32而被供應至讀取/寫入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚） .58-

495762 A7 _____B7__ 五、發明説明（56 ) ， 緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號C而被選擇 時’被保持在讀取/寫入緩衝器27中之資料C經由位元線BL 和/BL而被儲存在電容器中。 在分頁模式寫入命令E之下面的一組時序脈波後，分 頁模式關閉命令PC被施加至命令解碼器2。接著，位址鎖 定及比較器30和31鎖定，在第二部份中，當先前的分頁模 式寫入命令E被供應時被鎖定在第一部份中之位址信號 E。在那時，被鎖定在第二部份中之位址信號〇被供應至 在記憶庫（0)電路14中之預解碼器20-1和20-2。 被供應來自雙位址鎖定&比較器30和31之位址信號D 的預解碼器20-1和20-2將位址信號D預解碼，並且供應被 預解碼位址信號D至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被施加至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令 D之資料D經由資料轉換器1〇而被供應至寫入資料緩衝器 33 ’並且接著從寫入資料緩衝器33而被供應至讀取/寫入 緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號D而被引動 時’被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料D經由位元線BL 和/BL而被儲存在電容器中。 在分頁模式關閉命令PC之後續一時脈後，雙位址鎖 定及比較器30和3 1供應被鎖定在第二部份中之位址信號e 至在記憶庫（0)電路14中之預解碼器20-1和20-2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐〉 -59- -----------------------裝------------------、玎------------------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A7 ___B7_ 五、發明説明（57 ) (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 被供應來自雙位址鎖定及比較器30和31之位址信號E 的預解碼器20-1和20-2將位址信號E預解碼，並且供應被 預解碼位址信號E至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被施加至資料輸入緩衝器11之資料E依據分頁模式寫 入命令E經由資料轉換器10而被供應至寫入資料緩衝器 32，並且接著從寫入資料緩衝器32而被供應至讀取/寫入 緩衝器27。 s行線選擇仏號CL依據被預解碼位址信號£而被引動 時，被鎖疋在讀取/寫入緩衝器27中之資料E經由位元線BL 和/BL而被儲存在電容器中。 第22圖是一種序列之時序圖，其中分頁模式寫入命令 和分頁模式讀取命令被依序地供應至被展示在第12圖之 FCRAM中。在第22圖中之時脈週期是兩倍於被展示在第2 圖中之時脈週期，並且讀取資料時序和寫入資料時序等於 2 °

在寫入命令E之後續三組時脈後，分頁模式寫入命令 C被供應至命令解碼器2，並且位址信號c被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖定及比較器31和 32鎖定，在第一部份中，與目前分頁模式寫入命令c一起 被供應之位址信號C。該目前分頁模式寫入命令c是將裝 置模式從正常模式移動至分頁模式之第一命令，並且繼續 使對應的字組線在被引動狀態中直至分頁模式關閉命令被 接收為止。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -60- 495762 A7 ____B7 _ 五、發明説明（58 ) ^ 在分頁模式寫入命令C之下面的一組時序脈波後，分 頁模式讀取命令D被供應至命令解碼器2,並且位址信號D 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖 定及比較器30和31比較當先前的分頁模式寫入命令c被供 應時被鎖定之位址信號C與相關於目前頁-模式讀取命令D 被供應之位址信號D。 因為位址信號C和D彼此不同，當目前分頁模式讀取 命令D被供應時被接收之位址信號d被施加至預解碼器20· 1和20-2。雙位址鎖定及比較器30和31繼續鎖定當先前的 分頁模式寫入命令C被供應時被取得之位址信號C。 被供應位址信號D的預解碼器20-1和20-2將位址信號 D預解碼，並且供應被預解碼位址信號d至區塊解碼器19、 字組解碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單 元24和行解碼器25。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號D而被引動 時’在電容器中之資料被讀取至位元線BL和/BL，並且接 著經由NMOS電晶體5 10和5 11而被讀取至資料匯流排線 DB和/DB。接著，在資料匯流排線〇Β和/DB上面之資料被 供應至讀取/寫入緩衝器27，並且從資料輸出緩衝器13經 由資料轉換器12而被輸出至FCRAM外側。 在分頁模式寫入命令D之後續一組時序脈波後，分頁 模式寫入命令E被施加至命令解碼器2，並且位址信號E被 供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖 定&比較器30和31供應當先前的分頁模式寫入命令C被供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -61- -------------……——裝............................，玎------------------線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（59 ) 應時被鎖定之位址信號C至在記憶庫（〇)電路14中之預解碼 器20-1和20-2，並且鎖定相關於目前分頁模式寫入命令E 之位址信號E在第二部份中。 被供應來自雙位址鎖定及比較器30和31之位址信號c 的預解碼器20-1和20-2將位址信號C預解碼，並且供應被 預解碼位址信號C至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被施加至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令 C之資料C經由資料轉換器1 〇而被供應至寫入資料緩衝器 32，並且接著從寫入資料緩衝器32而被供應至讀取/寫入 緩衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號c而被引動 時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料經由位元線bL 和/BL而被儲存在電容器中。 在分頁模式寫入命令之下面的一組時序脈波後，分頁 模式關閉信號PC被施加至命令解碼器2。接著，雙位址鎖 疋及比較器30和31供應於接收先前的分頁模式寫入命令e 時被鎖定在第二部份中的位址信號至在記憶庫（〇)電路j 4 中之預解碼器20-1和20-2。 被供應來自雙位址鎖定及比較器30和31之位址信號E 的預解碼器20·1和20-2將位址信號E預解碼，並且供應被 預解碼位址信號Ε至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被施加至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令Ε之 -62· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 495762 A7 ' "----------- B7_-_ 五、發明説明（6〇 ) '— 資料E經由資料轉換器1〇而被供應至寫入資料緩衝器33 , ： 並且接著從被供應至讀取/寫入緩衝器27寫入資料緩衝器 33 〇 ° % ' 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號£而被引動 時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料E經由位元線 和/BL而被儲存在電容器中。接著，裝置從分頁模式移動 至正常模式，並且寫入命令!?*上述寫入命令B之相同方 ^ 式被處理。 接著將參考第23圖說明一種序列其中，分頁模式寫入 命7被執行並且被寫入之寫入資料因而即時地被依序的分 頁模式讀取命令所讀取。 第2 3圖是一種依序地接收分頁模式寫入命令和分頁模 式讀取命令之序列的時序圖，在第23圖中之時脈週期是兩 倍於被展示在第4圖中之時脈週期，並且讀取資料時序和 寫入資料時序等於2。 ί 在寫入命令Β之後續三組時脈後，分頁模式寫入命令 C被供應至命令解碼器2,並且位址信號c被供應至列位址 緩衝器4和行位址緩衝器5。_，位址鎖定及比較器抑 32鎖定，在第一部份中，與目前分頁模式寫入命令c一起 被供應之位址信號c。該目前分頁模式寫入命令c是將裝 置模式從正常模式移動至分頁模式之第一命令，並且繼續 使對應的字組線在被引動狀態中直至分頁模式關閉命令被 接收為止。 在分頁模式寫入命令C之下面的一組時序脈波後，分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚） -----------------------裝--------------、可------------------線 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) -63- A7 —-__B7_ 五、發明説明（61 ) 頁模式讀取命令D被供應至命令解碼器2，並且位址信號c 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，位址鎖 定及比較器30和31比較當先前的分頁模式寫入命令c被供 應時被鎖定之位址信號C與被供應之相關於目前分頁模式 讀取命令D之位址信號C。 因為兩者位址信號C彼此一致，被包含在記憶庫（〇)電 路14中之控制單元26被供應指示一致性位址之信號。控制 單元26輸出資料C，其是經由資料輸入緩衝器與先前的分 頁模式寫入命令C 一起被接收並且經由資料轉換器10而被 供應至寫入資料緩衝器28，經由讀取/寫入緩衝器27和資 料轉換器12而至FCRAM外側。 當命令解碼器2接收分頁模式寫入命令和接著分頁模 式讀取命令時，位址鎖定及比較器30和3 1則繼續鎖定當分 頁模式寫入命令接收時被鎖定的位址信號直至下一分頁模 式寫入命令被接收為止。 接著，分頁模式寫入命令E和分頁模式關閉命令pc被 接收並且以已經在參考第22圖中說明之相同方式被執行。 如上面參考第21-23圖之說明，當被分頁模式寫入命 令所寫入之寫入資料在相同記憶庫之内被依序的分頁模式 讀取命令讀取時，則資料不是從核心電路29之記憶胞中被 讀取而是從寫入資料緩衝器28中被讀取。因此，有可能地 在分頁模式寫入命令將資料寫入記憶胞之程序完成之前開 始分頁模式讀取命令並且因此減低讀取-寫入週期。 因此，即使時脈週期是長的，而使讀取時序和寫入時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） -64- ------------------------— (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •訂· A7

# 495762 五、發明説明（62 ) 序也變長之情況中，仍可能減低多數個寫入緩衝器η 之讀取-寫入週期〇 第24圖是被展示在第16圖中具有三組寫入資料緩衝器 32、33和37之半導趙記憶鱧裝置中被達成之分頁模式寫入 連續序列之一種時序圖。在第24圏中之時脈週期是兩倍於 被展示在第4圖中之時脈週期。並且讀取資料時序和寫入 資料時序等於3。 分頁模式寫入命令B被施加至命令解碼器2，並且相 關的位址信號B被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器 5。接著，三位址鎖定及比較器35和35鎖定位址信號3於 其第一部份中。該目前分頁模式寫入命令B是將裝置從正 常模式移動至頁模式之第一分頁模式命令，並且繼續使對 應的字組線在被引動狀態直至分頁模式關閉命令被接收為 止。 在分頁模式寫入命令B之後續一組時序脈波後，命令 解碼器2被供應至分頁模式寫入命令c，並且位址信號c被 施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址鎖 定及比較器35和36鎖定，在第二部份中，當先前的分頁模 式寫入命令B被接收時被鎖定在第一部份中的位址信號 B，並且鎖定在第一部份中之位址信號C。 在分頁模式寫入命令C之下面的一組時序脈波後，分 頁模式寫入命令D被施加至命令解碼器2，並且位址信號D 被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址 鎖定及比較器35和36鎖定，在第二部份中，當先前的分頁 本紙張尺度適用中國國家標準（®s) A4規格（210X297公爱） ------------------裝------------------訂------------------線· (請先閲讀背面之注意事项冉填寫本頁) -65· 495762 A7 ___B7____ 五、發明説明（63 ) ， 模式寫入命令C被供應時被鎖定在第一部份中之位址信號 C，並且鎖定在第一部份中之位址信號D。進一步地，當 先前的分頁模式寫入命令C被接收時被鎖定在第二部份中 的位址信號B則被鎖定在三位址鎖定及比較器35和36之第 三部份中。 在分頁模式寫入命令D之下面的一時脈後，分頁模式 寫入命令E被施加至命令解碼器2，並且位址信號E被施加 至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址鎖定及 比較器35和36鎖定，在第二部份中，當先前的分頁模式寫 入命令D被接收時被鎖定在第一部份中之位址信號D，並 且鎖定在第一部份中之位址信號E。進一步地，當先前的 分頁模式寫入命令D被接收時被鎖定在第二部份中之位址 信號C則被鎖定在第三部份中，並且被鎖定在第三部份中 之位址信號B被供應至預解碼器20-1和20·2中。 被供應來自三位址鎖定及比較器35和36之位址信號Β 的預解碼器20-1和20-2將位址信號Β預解碼，並且供應被 預解碼位址信號Β至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解瑪器23、S/A產生單元24和行解碼器25。 被施加至資料輸入緩衝器11相關於分頁模式寫入命令 Β之資料Β經由資料轉換器1〇而被供應至寫入資料緩衝器 32 ’並且接著從寫入資料緩衝器32而被供應至讀取/寫入 緩衝器27。 當行線選擇信號C依據被預解碼位址信號β而被引動 時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料8經由位元線Bl 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •66· ------------------------— (請先閲讀背面之注意事项冉填寫本頁) -、盯| 495762 A7 _______B7^_ 五、發明説明（64 ) , 和/BL而被儲存在電容器中。 在頁-模式寫入命令E之下面的一時脈後，分頁模式關 閉命令PC被施加至命令解碼器2。接著，三位址鎖定及比 較器35和36鎖定，在第二部份中，當先前的分賓模式寫入 命令E被接收時被鎖定在第一部份中之位址信號e。當先 前的分頁模式寫入命令E時被鎖定在第二部份中的位址信 號D被鎖定在第三部份中。進一步地，被鎖定在第三部份 中之位址信號C被供應至被包含在記憶庫（〇)電路14中之預 解碼器20-1和20-2。 被供應來自二位址鎖定及比較器35和36之位址信號C 的預解碼器20·1和20-2將位址信號C預解碼，並且供應被 預解碼位址信號C至區塊解碼器19、字組解碼器21、1/4解 碼器22、BLT解碼器23、S/Α產生單元24和行解碼器25。 被施加至資料輸入緩衝器1丨中相關於分頁模式寫入命 令C之資料經由資料轉換器10被供應至寫入資料緩衝器 33 ,並且接著從寫入資料緩衝器33被供應至讀取/寫入緩 衝器27。 當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號c而被引動 時，被鎖定在讀取/寫入緩衝器27中之資料經由位元線Bl 和/BL而被儲存在電容器中。 該上述序列被重複直至沒有位址信號被鎖定在三位址 鎖定及比較器35和36中為止。因此，分頁模式寫入的連續 序列可被達成。 第25圖是一種序列之時序圖，其中分頁模式寫入命令 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -67· (請先閲讀背面之注意事項冉填寫本頁) .、可| :線 Α7 -------Β7 __ 五、發明説明（65 ) , -------------------------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和分頁模式讀取命令被依序地供應。在第25圖中之時脈週 期是兩倍於被展示在第4圖中之時脈週期，並且讀取資料 時序和寫入資料時序等於3。 分頁模式寫入命令Β被施加至命令解碼器2，並且相 關的位址信號Β被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器 5 °接著’三位址鎖定及比較器35和36鎖定位址信號β於 其第一部份中。該目前分頁模式寫入命令Β是將裝置從其 正常模式移動至分頁模式之第一分頁模式命令，並且繼續 使對應的字組線在一組被引動狀態直至分頁模式關閉命令 被接收為止。 在分頁模式寫入命令Β之後續一組時序脈波後，命令 解碼器2被供應至分頁模式寫入命令c，並且位址信號c被 施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址鎖 定及比較器35和36比較當先前的分頁模式寫入命令ε被接 收時被鎖定在第一部份中的位址信號Β與相關於目前分頁 模式讀取命令C之位址信號C。 因為位址信號Β和C彼此不同，當目前分頁模式讀取 命令C被供應時被接收之位址信號c被施加至預解碼器20-1和20·2。雙位址鎖定及比較器35和36繼續鎖定當先前的 分頁模式寫入命令Β被供應時被取得之位址信號Β。 被供應位址信號C的預解碼器20-1和20-2將位址信號C 預解碼，並且供應被預解碼位址信號C至區塊解碼器19、 字組解碼器21、1/4解碼器22、BLT解碼器23、S/A產生單 元24和行解碼器25。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -68· 495762 A7 B7 五、發明説明（ 66

當行線選擇信號CL依據被預解碼位址信號C而被引動 時。在電容器中之資料被讀取至位元線BL和/BL，並且接 著經由NMOS電晶體5 10和5 11而被讀取至資料匯流排線 DB和/DB。接著，在資料匯流排線DB和/DB上面之資料被 供應至讀取/寫入緩衝器27，並且從資料輸出緩衝器13經 由資料轉換器12而被輸出至FCRAM外側。 在分頁模式讀取命令C之後續一組時序脈波後，分頁 模式寫入命令D被施加至命令解碼器2，並且位址信號B被 供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，雙位址鎖 定及比較器35和36鎖定，在第二部份中，當先前的分頁式 寫入命令B被供應時被鎖定的位址信號B，並且鎖定在第 一部份中之位址信號B。 下面的序列是相同於被展示在第24圖中之序列，並且 其說明將被省略。 接著將參考第26圖說明一種序列，其中分頁模式寫人 命令被接收並且被寫入之寫入資料因而即時地被下面的分 頁模式讀取命令讀取。 第26圖是一種依序地接收分頁模式寫入命令和分頁才莫 式讀取命令之序列的時序圖。被展示在第26圖中之時脈週 期是兩倍於被展示在第4圖中之時脈週期，並且讀取資料 時序和寫入資料時序等於3。 分頁模式寫入命令B被施加至命令解碼器2,並且該 相關的位址信號B被施加至列位址緩衝器4和行位址緩衝 器5。接著，三位址鎖定及比較器35和36鎖定位址信號B (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝丨 •訂| •線丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 於其第-部份中。該目前分頁模式寫入命令B是將裝置從 其正常模式移動至分頁模式之第—分頁模式命令，並且繼 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 續使對應的字㈣在-組被引動狀態直至分H模式關閉命 令被接收為止。 在分頁模式寫入命令B之後續一時脈後，命令解碼器 2被供應至分頁模式寫入命令c ,並且位址信號B被施加至 列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址鎖定及比 較器35和36比較當先前的分頁模式寫入命令B被接收時被 鎖定在第一部份中的位址信號B與相關於目前分頁模式讀 取命令C之位址信號B。 -訂丨 因為兩者位址彼此一致，被包含在記憶庫（〇)電路14 中之控制單元26被供應指示一致性位址之信號❶控制單元 26輸出資料b ,其經由資料輸入緩衝器與先前的分頁模式 寫入命令B—起被接收並且經由資料轉換器1〇被供應至寫 入資料緩衝器28，從讀取/寫入緩衝器27和資料轉換器12 而至FCRAM外側。 當命令解碼器2在分頁模式寫入命令之後被供應分頁 模式讀取命令時，則三位址鎖定及比較器35和36繼續保持 在分頁模式寫入命令之時被鎖定的位址信號直至下一分頁 模式寫入命令被接收為止。寫入資料緩衝器32繼續鎖定與 先前的分頁模式寫入命令B—起供應之資料B。 在分頁模式讀取命令C之下面的一組時序脈波後，命 令解碼器2被供應至分頁模式寫入命令〇，並且位址信號D 被供應至列位址緩衝器4和行位址緩衝器5。接著，三位址 本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）A4規格（210><297公釐） -7〇- 495762 A7 _____ B7___ 五、發明説明（68 ) ， 鎖定及比較器35和3 6鎖定，在第二部份中，當先前的分頁 模式寫入命令B被接收時被鎖定在第一部份中的位址信號 B，並且鎖定位址信號D在第一部份中。 下面的序列是相同於被展示在第24圖中之序列，並且 其說明將被省略。 利用在第24-26圖中展示之序列，在寫入命令w被施 加之情況中資料不是從核心電路29被讀取而是從寫入資料 緩衝器32、33或37中被讀取，並且被上述的寫入命令w寫 入之寫入資料即時地從相同記憶庫被讀取命令R讀取。因 此’讀取命令R可在被寫入命令要求之寫入程序完成之前 開始其處理程序。 因此，即使時脈週期是長的，而使讀取時序和寫入時 序也成為長的情況中，可能減低在讀取命令R和寫入命令 w之間的區間。 上面之說明是針對FCRAM。FCRAM記憶胞周圍之電 路組態是相同於SDRAM。因此，本發明包含SDRAM。 所有上述之序列中，寫入資料時序和讀取資料時序彼 此相等。但是，寫入資料時序和讀取資料時序可以彼此不 同。 第27圖是在第5圖展示之FCRAM中一種依序地接收寫 入、讀取、讀取和寫入命令之序列的時序圖，其中寫入資 料時序和讀取資料時序彼此相等。第27圏之時序囷對應至 利用沿著時間轴延伸第7圖之時序圖而得到的時序圓。第28 圖是在第5圖展示之FCRAM中一種依序地接收寫入、讀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -71 - ---------------------裝------------------、可------------------線 (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（69 ) " "~^~^~ 取、讀取和寫入命令之序列的時序圖，其中讀取資料時序 (CL)等於2並且寫入資料時序（WL)等於1(WL=CL-1)。 在第27圖中，寫入資料時序和讀取資料時序等於2。 在第28圖中，寫入資料時序等於並且讀取資料時序等 於2°除了寫入資料時序之外被展示在第28圖中之操作是 相同於被展示在第27中圖之操作。雖然被展示在第28圖中 之操作比被展示在第27圖中之操作是稍微地被延遲，在第 28圖之情況中寫入資料時序和讀取資料時序之設定的優點 稍後將被說明。 第29圖是在第16圖展示之FCRAM中一種依序地接收 一組分頁模式寫入命令和一組分頁模式讀取命令之序列的 時序圖’其中寫入資料時序和讀取資料時序等於3。在第29 圖中，符號"PW"指示一組分頁模式寫入命令，並且符號 nPRn指示一組分頁模式讀取命令。被展示在第29圖中之 操作幾乎相同於被展示在第25圖中之操作。第3〇圖是如在 第29圖中展示之相同序列的一種時序圖，其中寫入資料時 序等於2，並且讀取資料時序等於3。從第29圖和第3〇圖之 間之比較可得知利用在第1 6圖中展示之具有三位址鎖定& 比較器35和36而在第29圖展示之F C RAM中被達成的操作 可利用在第12圖中所展示具有雙位址鎖定及比較器3〇和31 之FCRAM而被達成。 寫入資料時序和讀取資料時序被設定為不同值之配置 可以增強連接到資料輸入和輸出緩衝器之匯流排的使用彈 性。在寫入資料時序和讀取資料時序彼此相等之情況中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） •72- — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — —— — I — II :,# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·、τ. 五、發明説明（70 輸入資料和輸出資料可以同時地出現在分別的匯流排上 面。例如，第19圖展示彼此重疊之輸入資料ε和輸出資料 D 如果上面說明之情況可能發生，其必須分別地提供連 接到輸入和輸出緩衝器1;1和13之分別輸入和輸出資料匯流 排。對照之下，被設定為不同值之配置的寫入資料時序和 讀取資料時序使之可能統一輸入和輸出資料匯流排以提供 共同被連接至輸入和輸出緩衝器11和13之一組共用資料匯 流排100，如第31圖中所展示。 第32圖是如第29圖和第3〇圖中展示之相同序列的時序 圖’其中寫入資料時序等於1並且讀取資料時序等於上 述寫入和讀取資料時序之設定使其可能利用被展示在第5 圖中具有位址鎖定及比較器6和7之FCRAM而達成如在第 29圖和第30圖中展示之相同操作。 在第5圖、第12圖和第16圓中展示之結構中，各記憶 庫具有分別的寫入資料緩衝器28、32、33和37。另外地， 寫入資料緩衝器28、32、33和37共同地被提供至該等記憶 庫。 本發明並不受限制於特定被揭露實施例，並且可以有 變化和修改而不脫離本發明範蜂。 元件標號對照表 1··· …時脈緩衝器 2··· 3··· …控制信號緩衝器 4··· 5". …行位址緩衝器 6,7 8". …模式暫存器 9··· •73. ------------------------裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁j •、一-1丨 :線丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公董） 495762 A7 _____B7 五、發明説明（71 ) . 10····· •資料轉換器 11"·, …資料輸入緩衝器 12….· •資料轉換器 13···. …資料輸出緩衝器 14…·· •記憶庫（0)電路 15.... ···記憶庫（1)電路 16…·· • RAS產生單元 17 ... • ••PRE產生單元 18 …·· •控制單元 19···. 區塊解碼器 20…·· .預解碼器 21.... 字組解碼器 22…·· .1/4解碼器 23…· ,·· BLT解碼器 24..... •感應放大器驅動信號（S/A)產生單元 25…·· •行解碼器 26.... • •控制單元 27…·· •讀取/寫入緩衝器 28.... ••寫入資料緩衝器 29…·· .核心電路 30,31. ••…雙重位址鎖定及比較 器 32,33. ••…資料緩衝器 35,36. ••…三位址鎖定及比較器 32,33,37……寫入資料緩衝器 201·· ....記憶胞 220..., …感應放大器 501·· ....電容器 502-512·_····NMOS電晶體 513·· •…PMOS電晶體 520..., …感應放大器 521,522......PMOS 電晶 ;;……，-!…翁： (請先閲讀背面之注意事項冉填寫本頁) .、可| 523,524......NMOS電晶體 -74- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 495762 A8 B8 C8 D8 ___ 六、申請專利範圍 1.一種與一組時脈同步地操作之半導體記憶體裝置，其包 含： 一組位址鎖定及比較器部份，其鎖定相關於一組寫 入命令之一組第一位址信號並且比較該第一位址信號與 相關於一組讀取命令之一組第二位址信號；以及 保持相關於該寫入命令之一組資料信號之一組寫入 資料緩衝器部份， 當第一和第二位址信號彼此一致時被保持於該寫入 資料緩衝器部份中之該資料信號被讀取作為被該讀取命 令要求之一組資料信號，該資料係被保持於該寫入資料 緩衝器部件内直至一後續寫入命令被給予為止。 2·如申請專利範圍第i項之半導體記憶體裝置，其中在該 寫入命令和一組下一讀取命令之間的第一區間是相同於 在该寫入命令和一組下一寫入命令之間的第二區間。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，其中在該 寫入命令和一組下一寫入命令之間的第一區間取決於提 供於半導體記憶體裝置中一組感應放大器的操作。 4. 如申請專利範圍第丨項之半導體記憶體裝置，其中該位 址鎖定及比較器部份繼續保持相關於該寫入命令之位址 信號直至一組下一寫入命令被接收為止。 5·如申請專利範圍第旧之半導想記憶體裝置，其中該位 址鎖定及比較器部份繼續保持相關於該寫入命令之位址 信號直至被定址至不同於被該寫入命令定址之一組記憶 庫的一組讀取命令被接收為止。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公发） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -75- 495762 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ...................:…裝…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6·如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，其中，當 該位址鎖定及比較器部份檢測到該等第一和第二位址信 號彼此一致時，被保持於該寫入資料緩衝器部份中之該 ^料仏號被δ賣取作為被該讀取命令要求之資料信號。 7·如申請專利範圍第1項之半導鱧記憶體裝置，其中，當 相關於該寫入命令之該資料信號包含將被遮罩之資料 時，除了將被遮罩的資料之外該資料信號之一部份從該 寫入資料緩衝器部份被讀取。 3_如申請專利範圍第1項之半導鱧記憶體裝置，其中該寫 入命令是一組分頁模式寫入命令並且該讀取命令是一組 分頁模式讀取命令。 .訂丨 9·如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，其中該位 址鎖定及比較器部份繼續保持相關於該寫入命令，那是 一組为頁模式寫入命令’之位址信號直至一組下一分頁 模式寫入命令或一組分頁模式關閉命令被接收為止。 -線- Η)·如申請專利範圍第}項之半導體記憶體裝置，進一步地 包含： 一組記憶胞陣列； 一組感應放大器；以及 耦合在該記憶胞陣列和該感應放大器之間的位元 線。 μ ·如申請專利範圍第1〇項之半導體記憶體裝置，其中該 位址鎖定及比較器部份繼續保持相關於該寫入命令之位 址信號直至一組下一寫入命令被接收為止，並且被保持 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -76· 495762 A8 B8 C8 —____ D8 六、申請專利範圍 於寫入資料緩衝器部份中的資料信號被保持於該位址鎖 定及比較器部份中之位址信號所讀取。 12·如申請專利範圍第10項之半導體記憶體裝置，其中該 位址鎖定及比較器部份繼續保持相關於該寫入命令之位 址信號直至被定址至不同於被該寫入命令定址之一組記 憶庫的一組讀取命令被接收為止，並且被保持於該寫入 資料緩衝器部份中之資料信號被保持於該位址鎖定及比 較器部份中之位址信號所讀取。 13. 如申請專利範圍第10項之半導體記憶體裝置，其中該 位址鎖定及比較器部份繼續保持相關於該寫入命令，那 是一組分頁模式寫入命令，之位址信號直至一組下一分 頁模式寫入命令或一組分頁模式關閉命令被接收為止並 且被保持於該寫入資料緩衝器部份中之資料信號利用被 保持於該位址鎖定及比較器部份中之位址信號所讀取。 14. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，其中該半 導體記憶體裝置具有不同於一組讀取資料時序之一組寫 入資料時序。 15. —種與一組時脈同步地操作之半導體記憶體裝置，其 包含： 一組位址鎖定及比較器部份，其鎖定相關於一組寫 入命令之一組第一位址信號並且比較該第一位址信號與 相關於一組讀取命令之一組第二位址信號；以及 保持分別地相關於該寫入命令之資料信號之一組寫 入資料緩衝器部份， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝1 訂· -77- 六、申請專利範圍 田第一位址信號與第一位址信號之一組彼此一致時 被保持於該寫人資料緩衝器部份中之該等資料信號之一 組被讀取作為被該讀取命令要求之一組資料信號。 16·如申请專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，其中該 4寫入命7疋分頁模式寫入命令並且該讀取命令是一組 分頁模式讀取命令。 17. 如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置.，其中在 該寫入命令和一組下一讀取命令之間的第一區間是相同 於在該寫入命令和一組下一寫入命令之間的第二區間。 18. 如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，其中在 該寫入命令和一組下一寫入命令之間的第一區間取決於 提供於該半導體記憶體裝置中一組感應放大器之操作。 19·如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，其中該 位址鎖定及比較器部份包含鎖定先前被接收的該等分別 寫入命令之該等第一位址信號之N組第一部份，其中N 是一組整數。 20·如申請專利範圍第19項之半導體記憶體裝置，其中： 該寫入資料緩衝器部份包含保持相關於該等分別的 寫入命令之資料信號之N組第二部份；並且 當該讀取命令之位址信號與被保持於該位址鎖定及 比較器部份中該等N組第一部份的位址信號之一組一致 時，分別地被保持於該等N組第二部份中之該等資料信 號之一被讀取作為被該讀取命令要求之資料信號。 21·如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，進一步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） •.......................¾........-.........、可.......-..........绛 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495762 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 地包含： 一組記憶胞陣列： 0 7 鬌 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一組感應放大器；以及 耦合在該記憶胞陣列和該感應放大器之間的位元 22·如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，其中相 關於被保持在該寫入資料緩衝器部份中之該等寫入命令 的最舊一組之資料信號依據被鎖定在該位址鎖定及比較 器部份中對應的一組第一位址信號而被寫入該半導體記 憶體裝置之一組記憶胞陣列。 23.如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，進一步地 包含共用於資料輸入和輪出操作之一組界面。 Q/4.如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，進一步地 包含分別地提供至該資料輸入和輸出操作之一組分別界 面0 %·如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，進一步 地包含共用於資料輸入和輸出操作之一組界面。 26. 如申請專利範圍第15項之半導體記憶體裝置，進一步 地包含分別地提供至該資料輸入和輸出操作之一組分別 界面。 27. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體裝置，進一步地 包含多數個記憶庫，各包含分別的寫入資料緩衝器部 份。 扰·如申請專利範圍第15項之半導趙記憶體裝置，進一步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -79- 495762 . A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 地包含多數個記憶庫，各包含分別的寫入資料緩衝器部 份 7f · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可I :線丨 -80- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）