TW490769B - Silicon boat with protective film, its manufacture method, and silicon wafer heat-treated using silicon boat - Google Patents

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490769 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 〔技術領域〕 本發明係有關一種矽晶圓之熱處理，特別是有關一種 抑制熱處理所使用的晶舟以及晶圓受金屬污染之熱處理。 〔背景技術〕 例如，就單結晶矽晶圓的製造工程而言，是種使晶圓 載置在所謂由S i C等製成的晶舟之治具，來進行熱處理 的丄程。於此熱處理工程中，在氫或氣氛中進行熱處理 的場合，要是使用s i C製的晶舟，晶圓與晶舟表面會一 同被_刻，包含在s i C之母材的重金屬等雜質會移動到 晶圓，就有引發金屬污染的狀況。 對此，要是使用矽（s i )製的晶舟（以下有稱s i 晶舟的情形），就是與晶圓完全相同的材質，欲製作低雜 質的晶舟，就要減少污染標準。但是，S 晶舟的表面會 因氫、氬退火而被蝕刻’ s i原子會脫落，成爲活性的關 係，對金屬而言易引起反應◦亦即，s1製晶舟本身對金 屬污染而言是較弱的，要是再度受到金屬污染，其後成爲 污染源的可能性就很高。 另一方面，被熱處理的矽晶圓，雖然洗淨等是施行作 熱處理的前工程，但欲有遭受包含在洗淨液中之金屬污染 的情形。依舊將受污染的晶圓載置在S i晶舟做熱處理的 話，晶舟就會受到附著在晶圓的污染物質而被污染，下一 個另外的晶圓用此晶舟做熱處理的話，可能會經由S 1晶 舟污染到未被污染的晶圓。 -4- 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 裝--------訂---------^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

490769 五、發明說明（2) 如一來，在氫或氬氣氛中加以熱處理晶圓的工程中 ，熱處埋用晶舟本身會被氣氛氣體蝕刻結果晶圓很容易 受到來自晶舟的金屬污染之影響。 晶圓熱處理方面的金屬污染是很大的問題，{列如熱處 理後的晶圓受到金屬污染的話，就是造成在其後的裝置工 程中，使良PP卜4:低的主因。例如，使晶圓表面成長出氧化 腠的％合下，要是有金屬污染的話，氧化膜厚就會有誤差 ，會有k氧化丨]吴變薄之處發生漏電流的問題。 進而，金屬污染會成爲氧化金屬，無法用一般的蝕刻 液被蝕刻，反而被保留下來，此處的晶圓表面，也引發出 在其後的工程不會被氧化的問題。 又，金屬污染會受到氧化膜界面的影響，微粗糙物也 會惡化。 如此一來，金屬污染會使裝置工程受到各種不良影響 。因而減少金屬污染是最重要的課題之一。 可是，在裝置工程中，使良品降低的原因之一，是晶 H1 中存·在 C 〇 P ( C r y s t a 1 〇 π g i n a t e d P a r t i c 1 e )。消滅此 C〇P的技術，據知有所謂以高溫的氫、氬（a ]：)氣體 等令晶圓熱處理（退火）的技術。 而且在高溫的氫或A r氣體中對晶圓做熱處理的話， 金屬污染量會比使用同溫度、時間來進行的一般高溫氧化 多。這情形氧化會形成在晶圓表面的氧化膜，是作爲針對 金屬污染的保護膜，但以氫氣氛進行高溫熱處理的場合， 蝕刻S 1的緣故，活性的S 1表面會露出來，對金屬污染 -5- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —；--------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490769 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3) 而言，易受到影響。 因而，在局温使用活性的氣體/氯等的熱處理，無法 避免受到金屬污染的影響◦因此，以氫、氬等氣氛對晶圓 做局溫熱處理的場合中，要求有減少金屬污染的方法。 防止此種金屬污染的晶舟，是種於日本特開平 8 - 1 4 8 5 5 2號公報揭示出，藉由使s 或s i C製 的晶舟表面熱成長出砂氮化膜，或藉由使之熱成長出砂氧 化膜後，使之熱成長出氮化膜，於晶舟最表面熱成長出石夕 氮化膜的晶舟。使此種熱成長在晶舟最表面的氮化膜是很 細緻旳fe，防止金屬雑質從晶舟內部向晶圓擴散；。 但是，氮化膜是熱膨脹係數與砂大不相同的，晶舟的 材質爲砂的場合，如果膜厚很厚，就有易剝離的問題。又 ，氮化膜是比矽還硬的，如果在晶圓晶舟的最表面形成氮 化膜，特別是對未附著自然氧化膜的薄氧化膜之晶圓做熱 處理的場合，晶圓表面會受傷，以其傷爲起點，於熱處理 時發生移轉的可能性。又，氮化膜爲硬的，不僅氮化膜本 身的粒子，還有晶圓被硏磨也有可能會增加矽的粒子。 再者，於熱氧化膜之形成後，使之形成氮化膜的保護 膜之場合下，保護膜本身的剝離會比只有氮化膜的場合少 ，但最表面爲硬的氮化膜，而不會改變的是，於晶圓表面 受傷而發生粒子等的問題。 又，再生處理保護膜的狀況，也有所謂因除去氮化膜 必須用熱磷酸等來做處理，所以在形成厚氮化膜的晶舟， 於保護膜的再生處理很費事的問題。 ______-6^___ _本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — " i ϋ n ϋ n I n · ϋ ·ϋ I an I >1 ϋ 一 ον I I an n an I— l_i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490769 A7 ___ B7 五、發明說明（4 ) 於是，本發明爲解決上述問題，其目的在於提供一種 即使採用氬等進行熱處理，也不會在晶圓引發金屬污染， 而且晶圓表面即沒有傷痕也不會發生粒子的晶圓熱處理用 晶舟、及晶圓之熱處理方法。 爲達成前述目的，若按本發明，即可針對在熱處理矽 晶画之際，支持該晶圓的砂晶舟，提供一'種在該晶舟表面 直接形成由熱氧化膜所製成的保護膜爲其特徵的矽晶舟。 如此一來，即可藉由在表面直接形成由熱氧化膜所製 成的保護膜之矽晶舟，熱處理晶舟的表面就不會因氣氛氣 體而被蝕刻，就可防止晶舟本身的金屬污染。又，因也可 防止經由保護膜之剝離等發生粒子，所以結果就能完成不 會污染矽晶圓的熱處理。 又，進行保護膜之再生處理之際，氧化膜可用氟酸等 簡單除去，並再度形成熱氧化膜，也有所謂再生處理非常 容易的優點。 此場合下，由前述熱氧化膜製成的保護膜之厚度以爲 1〇〇n m以上爲佳。 - 只要形成此厚度的保護膜，就可確實保持晶舟本體， 且更能確實的防止發生金屬污染。 欲提供一種形成如前述般的保護膜之矽晶舟，故本發 明也提供一種將矽晶舟在氬、氫，或是氬與氫的混合氣體 中，在1 0 0 0 °C以上的溫度範圍滯留1 〇分鐘以上，來 除去晶舟表面的自然氧化膜，其後在含有氧的氣氛中做熱 處理，藉此使晶舟表面成長出由熱氧化膜製成的保護膜爲 -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） , Μ--------訂--------- c請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 490769 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 其特徵之矽晶舟的製造方法。 如此一來，一旦除去自然氧化膜後，進行熱處理就可 在晶舟表面直接形成由氧化膜製成的保護膜，就可防止熱 處理晶舟本身的金屬污染。 此場合下，使之成長出厚度1 〇 〇 n m以上的熱氧化 1]旲作Μ前述保護膜爲佳。 如此一來，只要氧化膜厚爲1 〇 〇 n m以上即可，其 後即使用A r等進行高溫熱處理就幾乎不會被蝕刻，而且 也不發生氣孔。 進而若按本發明，提供一種使用有關前述本發明之矽 晶舟，在利用氬，或是氬與氫的混合氣體之氣氛中，來熱 處理矽晶圓爲其特徵的矽晶圓之熱處理方法，而且也提供 一種使用有關前述本發明的矽晶舟，在利用氬，或是氬與 氫的混合氣體之氣氛中做熱處理爲其特徵的矽晶圓。 有關前述本發明之矽晶舟係於表面形成有由熱氧化膜 製成的保護膜，即使進行高溫A r熱處理等，還是能抑制 發生氣孔，就不會發生金屬污染等。因而，用此矽晶舟來 支持矽晶圓並進行熱處理的話，晶圓也不會被金屬污染。 又，熱氧化膜沒有氮化膜硬，比氮化膜還要難剝離，故用 有關本發明的矽晶舟來做熱處理的晶圓，表面即無傷痕也 無粒子附著，就連其後的裝置工程也是良率佳，適合使用 〇 如以上所做的說明，本發明提供一種在表面直接形成 由熱氧化膜製成的保護膜爲其特徵之矽晶舟，使用形成此 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ； 裝--------訂---------^^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490769 A7 B7 五、發明說明（6) 種保護膜的晶舟，並在利用氬，或是氬與氫的混合氣體之 氣氛中，來熱處理矽晶圓的話，晶舟本身不會經由氣氛氣 體而被蝕刻，可防止金屬污染和發生粒子而對晶圓做熱處 理。又，如此被熱處理的晶圓很適合使用在裝置工程。 〔實施發明之最佳形態〕 以下針對本發明之實施形態，具體的做一說明，但本 發明並不限於此。 本發明係提供一種即使在應用氬等對晶圓做高溫熱處 理的情形下，作爲晶圓不會受到金屬污染、晶圓表面不會 受傷或產生粒子的晶舟，是爲直接在晶舟的表面形成由熱 氧化膜所形成的保護膜之矽晶舟。亦即，有關本發明之晶 圓熱處理用晶舟，其特徵爲：直接在晶舟的表面形成由熱 氧化膜所形成的保護膜。此例中，所謂直接在晶舟的表面 形成由熱氧化膜所形成的保護膜，是指除去自然氧化膜， 在晶舟的S 1表面上形成熱氧化膜的意思，在H2或A r氣 氛中使晶圓進行高溫熱處理之際，要是照常使用自然氧化 膜形成在表面的S i晶舟，自然氧化膜就會除去還元等， 自然氧化膜本身多半也會受到污染，而不作爲保護膜的功 能。於是，本發明是使S i晶舟在A r等氣氛下進行熱處 理而加以除去自然氧化膜，接著在含有氧的氣氛中進行熱 處理，藉此直接在晶舟表面形成由熱氧化膜所形成的保護 膜。按此所形成的熱氧化膜是細緻無雜質的同時，還不會 產生氣孔等，其後於高溫A r熱處理等會具有作爲良好保 ______ -9-_ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公髮)' 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------· 490769 A7 ----- B7_____ 五、發明說明（7 ) 護膜的功能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如前所述，直接在S 1晶舟表面形成由熱氧化膜所形 成的保護膜之方法，是先將矽晶舟在氬、氫或是氬與氫的 混合氣體中，在1 0 0 Οι：以上的溫度範圍滯留1 0分鐘 以上，而除去晶舟表面的自然氧化膜，其後在氧氣氛中進 行熱處理（空燒），藉此在晶舟表面成長由氧化膜所形成 的保護膜。 此時，有關除去自然氧化膜，要是未滿100 o°c就 會有自然氧化膜之蝕刻速度慢，鈾刻不均勻的現象，要是 未滿1 0分鐘就會有無法充分除去自然氧化膜的現象。另 --方面，要是在1 3 5 0 °C以上，構成晶舟的矽本身會軟 化，且有可能連金屬污染和爐等設備的耐久性都會發生問 題。而且進行120分鐘就夠了，要是超過120分鐘就 會滯留，生產性會降低。 另一方面，要是除去自然氧化膜時的溫度爲1 1 0〇 C以上，S 1晶舟表面的砂原子會引起遷移，表面爲平滑 化，連帶的會減低熱處理時產生粒子，若爲1 2 0 0 °C以 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 下，來自爐內的污染會保持在低標準。因而，在1 1 0 〇 °C〜1 200t：的溫度範圍，滯留10分鐘〜120分鐘 的期間，除去自然氧化膜爲佳。 除去自然氧化膜後，要會能令前述保護膜成長厚度 1 0 0 n m以上的氧化膜，即可確實的防止在保護膜發生 氣孔，晶丹本身被金屬污染的可能性就非常低。 特別是利用前述空燒在晶舟表面形成厚度1 0 0 nm ___- 10-____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐1 490769 A7 B7 五、發明說明（8) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〜5 // m的氧化膜爲佳。只要保護膜是此範圍的厚度，如 前所述，即使進行Ar退火等也不會發生氣孔外，通常還 可利用熱處理工程使之成長。 欲在矽晶舟表面上形成上述範圍的保護膜，乃如前所 述，於氫等氣氛的氣體中經由熱處理除去自然氧化膜後， 配合目標的保護膜之厚度，在含有氧的氣氛中，只要在 1〇〇〇°C〜1 3 5〇°C的溫度範圍，進行1〇分鐘〜 2 4 0分鐘期間的空燒即可。此種空燒通常是指在熱處理 工程進行的温度/時間之範圍，很容易形成所希望厚度的 保護膜。 如此，藉由本發明所形成的熱氧化膜之保護膜是很細 緻的，密著性也很優異外，厚度的制御也很容易，處理晶 圓時，不會因Ar等氣氛的氣體而被蝕刻。又，保護膜本 身不含金屬等雜質，就連使用次數重複，也很難產生剝離 和粒子，並無使晶圓受到保護膜污染之虞。 另一方面，習知的S 1製晶舟是被放置大氣中，或被 洗淨而形成自然氧化膜的，但自然氧化膜沒有1 n m左右 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的厚度外，厚度也很不均勻，甚至密度也很小，密著性也 差，得不到本發明所指之作爲保護膜的功能。又，還有自 然氧化膜本身即爲污染源，含有金屬之虞。 本發明中是使用有關如前所述的本發明之S 1晶舟， 在利用氬或是氬與氫的混合氣體之氣氛中對矽晶圓做熱處 理，藉此晶圓即能進行無金屬污染的熱處理。 在由A 1：或是A r與氫的混合氣體所形成的氣氛中， _-11 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490769 A7 — —___ B7 __ 五、發明說明（9 ) 對晶圓做高溫熱處理的話，s 1會引起遷移，晶圓中的 C〇p會消失，晶圓表面的微粗糙物就會改善。此時，如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前所述，晶圓表面會被蝕刻，活性的s i會露出來，易受 到金屬污染，但應用有關直接在表面形成由熱氧化膜所形 成的保護膜之本發明的晶舟來支持晶圓的話，因晶舟的關 係晶圓幾乎不會受到金屬污染。又，由熱氧化膜所形成的 保護膜很難剝離，也不會產生粒子。又，熱氧化膜沒有氮 化膜來得硬，也不會傷到晶圓表面。 但使用有關本發明之S 1晶舟，並在氬與氫的混合氣 體之氣氛中對晶圓做高溫熱處理時，氫濃度很高的話，晶 舟表面的熱氧化膜被蝕刻的速就很快，氫濃度爲低濃度， 特別是爆炸界限以下（4%以下）爲佳。氫濃度爲4%以 下的話，氫分壓低，氧化膜的蝕刻速度慢，有關本發明的 熱氧化膜即無急速被蝕刻的情形，有足以作爲保護膜的功 能。又，氫濃度很低的話，亦具有不需要欲高濃度氫熱處 理所需的防爆設備等之特別裝置的優點。 如此被本發明熱處理的晶圓，並無來自晶舟的金屬污 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 染，於其後的裝置工程中，就連例如在晶圓表面成長氧化 膜也會得到均勻膜厚的氧化膜。

甚至，在進行有關本發明的晶舟保護膜之再生處理曰J ，是將表面的氧化膜用氟酸等除去，再度形成熱氧化膜， 非常容易就能完成保護膜的再生處理。使用有關本發明的 S1晶舟，例如在氬與氫的混合氣體之氣氛中，進行矽晶 圓的熱處理時，晶舟表面的熱氧化膜會被緩慢蝕刻，而認 ______-12-___ 本纸張又度適用中國國家標準（CNS)A，4規格（210 X 297公釐） 490769 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（ίο) 定作爲保護膜的功能會下降，但經由如上所述的再生處理 ，就很容易再生保護膜。 以下，表示實施例及比較例，更具體的說明本發明， 但本發明並不限於此。 (實施例、比較例） 首先，使用實施4種前處理之由s 1單結晶所形成的 晶舟，對砂晶圓做熱處理，其後用S P V法（表面光電動 勢法）來測定晶圓的F e濃度。 使用相關的S 1晶舟，當作前處理來進行化學式洗淨 ，於充分乾燥後，在爐內應用以下所示的各條件來進行空 燒◦再者，空燒後，測定被形成在各S i晶舟表面的保護 膜之厚度。 ① 在氫氣氛，以1 2 0 0 °C、1 2 0分鐘的空燒。 ② 在莉藏氛，以1200C、120分鐘的空燒。 ③ 在氫氣氛，進行1 2 0 〇 °c、6 0分鐘的空燒後， 在氧氣氛，以1 2 0 0 °C、1 2 0分鐘的空燒。 ④ 在氫氣氛，進行1 2 0 〇 °c、6 0分鐘的空燒後， 在氮氣氛，進行1 2 0 0 °C、1 2 0分鐘的空燒。 被形成在各S 1晶舟表面的保護膜之厚度，乃如以下 所示。再者，膜厚係爲在S 1晶舟表面形成處理保護膜之 際，將1枚砂晶圓載置在晶舟進行處理，對形成在晶圓上 的膜之厚度利用橢圓偏振光測定器做一測定，以此作爲形 成在晶舟表面的保護膜之厚度。 ____13_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 ~ · 裝-------—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490769 A7 B7 五、發明說明（11) ① 幾乎沒有保護膜 ② 氧化膜：23〇nm (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ③ 氧化膜：2 3〇n m ④ 氮化膜：7 0 n m 又使用該些晶舟，使矽晶圓在i 2 Ο 〇 t：、6 0分鐘 、A r氣氛進行熱處理，以s Ρ V來測定所處理的晶圓之 F e污染里。再者，晶圓是採用直徑2 0 〇 m m、P型、 1〇〇 m的規格。 於第1圖所示所測定的晶圓中之F e濃度。各晶圓的 F e濃度由圖表即可明白，使①晶舟的場合爲4 · 5 X 1〇1 2 a t 0 m s / c m 3，使用②晶舟的場合爲1 · 4 X 1 〇 1 1 a 1 0 m s / c m 3 ,使用③晶舟的場合爲 1 . 4 x 1 Ο 1 ◦ a t 〇 m s / c m 3。甚至，使④晶舟的 場合是爲 1 · 1 x 1 Ο 1 0 a t 〇 in s / c in 3。 由此結果即知，③及④的晶舟，亦即第一段階在氫氣 氛，使用於第二段階在氧或氮進行空燒的晶舟之場合， F e的污染少。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，其後使用該些晶舟如上述般重複矽晶圓的熱處 理時，得知使用④的晶舟，會看見許多粒子附著在進行熱 處理的晶圓表面，發生氮化膜會從晶舟表面剝離。另一方 面，使用③晶舟之場合，並不會看見附著上由保護膜（熱 氧化膜）引起的粒子。 又，試著以顯微鏡觀察使用④晶舟進行熱處理的晶圓 ，認定只有與晶舟的接觸部會發生傷痕。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490769 A7 __B7_ 五、發明說明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用只在氫氣氛進行空燒的①晶舟之場合，Fe的濃 度高，只在氧氣氛進行空燒的②晶舟之場合，即不在乎氧 化膜厚是厚的，Fe的濃度比使用③或④晶舟的場合還高 。認定這是因以下理由的關係。 ’ 使用只在氫氣氛進行空燒的晶舟（①）之場合，Si 晶舟的表面是呈除去自然氧化膜露出S 1的狀態。因此， 於熱處理中易使來自矽晶圓的微量金屬及其它石英晶片中 的金屬擴散在S i晶舟，而且再度從S 1晶舟釋出而污染 晶圓的可能性高。 又，有關只在氧氣氛進行空燒的晶舟（②），是在以 A r氣氛進行晶圓熱處理的晶舟表面之氧化膜開設氣孔。 此與在高溫A r氣氛進行處理成長氧化膜的矽晶圓產生氣 孔的現象相同。產生此種氣孔的原因，認爲是因屬於S 1 晶舟的母材之S i結晶的結晶缺陷、中間存在自然氧化膜 ，或是金屬污染引起的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 如上所述，若於氧化膜產生氣孔露出S i，就有可能 會污染到晶舟本身的同時，被污染時晶舟本身可能就是污 染源。此種只空燒氧，對金屬污染而言是不夠的，但認爲 利用熱氧化膜時，保護膜的效果會比①晶舟適合。 ③晶舟首先是藉由於最初在氫氣氛進行熱處理，除去 自然氧化膜的同時，存在屬於母材的S ]i結晶之結晶缺陷 會消失。其次在氧氣氛進行空燒加以氧化，藉此會在S i 晶舟成長出不含結晶缺陷的熱氧化膜。 用此S 晶舟進行晶圓的A r熱處理時，並不會在晶 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.4規格（210 X 297公釐） 490769 A7 _____ B7 五、發明說明（13) 舟的氧化膜產生氣孔。由此即知使用③晶舟的場合，氧化 膜是作爲保護膜的作用，可防止對晶舟的污染，或是由晶 舟污染晶圓。因而，認爲晶圓能完成金屬污染最少的熱處 理。 又，就算熱氧化膜膜厚很厚也很難剝離，可有效防止 產生粒子。又，愈沒有④的氮化膜愈硬，晶圓也無傷痕。 用④晶舟，是先在與③的晶舟之相同條件（在氫氣氛 進行1 2 0 0 °c、6 0分鐘的空燒）下來進行熱處理，接 著在氮氣氛進行空燒而氮化，藉此在除去自然氧化膜的 S 1晶舟表面上成長熱氮化膜。 在上述氫氣氛而無熱處理來進行氮化膜處理時，氮化 膜很不均勻，會有膜很薄的領域。此場合經由在其後的氬 、氫、或是該些混合氣體之氣氛中被熱處理，就會引起蝕 刻，不具保護膜的功能。 於是，可經由進行如④一般的氫氣氛熱處理十熱氮化 膜成長，除去自然氧化膜，成爲活性的S i表面，引發成 長爲更均勻的氮化膜，作爲保護膜的作用。 但是，氮化膜很硬，會使晶圓表面具有受傷之虞，又 ，重複使用次數中，據知氮化膜會發生剝離，粒子會附著 在晶圓表面。 再者，本發明並不限於上述實施形態。上述實施形態 是單純的例示，具有實質上與本發明之發明申請專利範圍 所記載的技術思想相同的構成，且能達到同樣的作用效果 者，均包含在本發明之技術範圍。 -16- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490769 A7 __ _Β7^ 五、發明說明（Η) 例如，S i晶舟係具有多結晶S i晶舟和單結晶S i 晶舟，上述實施例及比較例所使用的是單結晶s i晶舟， 但理所當然的本發明對兩者均是有效的發明。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係爲表示使用施行不同的前處理之S 1晶舟， 來完成A r熱處理的矽晶圓之F e濃度的圖表。 X-----------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 490769 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 一種矽晶舟，乃屬於熱處理矽晶圓之際，用來支 持該晶圓之矽晶舟，其特徵爲：在該晶舟的表面直接形成 由熱氧化膜所形成之保護膜。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之矽晶舟，其中， 由前述熱氧化膜所形成的保護膜之厚度爲1 0 0 n m以上 〇 3 · —種矽晶舟之製造方法，其特徵爲：使矽晶舟在 氬、氫，或是氬與氫的混合氣體中，在1 0 0 0 t：以上的 溫度範圍滯留1 0分鐘以上，除去晶舟表面的自然氧化膜 ，其後在含有氧的氣氛中進行熱處理，藉此於晶舟表面予 以成長由熱氧化膜所形成之保護膜。 4 ·如申請專利範圍第3項所記載之矽晶舟之製造方 法，其中，是使前述保護膜成長成厚度1 〇 〇 n m以上的 熱氧化膜。 5 · —種矽晶圓之熱處理方法，其特徵爲：使用申請 專利範圍第1項或第2項所記載的砂晶舟，在藉由氬或是 氬與氫的混合氣體的氣氛中，令矽晶圓進行熱處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 · —種矽晶圓，其特徵爲：使用申請專利範圍第1 項或第2項所記載的矽晶舟，令其在藉由氬或是氬與氫的 混合氣體的氣氛中進行熱處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18-