TW487950B - Substrate processing system and substrate processing method - Google Patents

Description

五、發明說明（1 ) 本發明係有關一種基板之處理系統及基板之處理方 法。 諸如在半導體元件之製帛中之光刻程彳中進行有以下 之處理，即，用以於半導體晶圓(以下以晶圓稱之)表面形 成光阻膜之光阻塗佈處!里、用以對晶圓照射圖案且使之曝 光，曝光處理，及用以對曝光後之晶圓進行顯影之顯影處 理等。用以進行這些處理之各處理裝置係除了曝光處理裝 置外，其餘匯集成—個系統’而構成—塗佈顯影處理系統。 j此，為了適宜實施光刻程序，乃須使於圖案的曝光 處理前晶圓上所塗佈之光阻膜為—定膜厚。在此，於曝光 圖案前檢查晶®之光„之料，在超過騎容許值時， 則根據前述檢查，調整諸如塗佈處理裝置之晶圓旋轉數。 /習知’光阻膜之膜厚檢查，係、由作業員自塗佈顯影處 理系、先取出曝光處理前之晶圓’使用與塗佈顯影處理系統 獨立設置之檢查用膜厚測定裝置以進行者。 但疋，如這般必須將晶圓從塗佈顯影處理系統搬至用 以檢查該膜厚之裝置，費時也費工。且晶圓在搬運過程中 〜有迖又/亏染之虞。加上因作業員的失誤，有晶圓掉落的 疑懼。 本發明係有鑑於相關問題點而所構建成者’其目的係 於可利用塗佈顯影處理系統内既存機構之周邊曝光裝置上 設置-膜厚測定機構，以於同—系統内檢查晶圓之光阻膜 之膜厚者。 一種用以處理基板之處理系統 本發明之第1觀點係 487950 A7 B7 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) 其係包含有一用以將處理液塗佈於基板上之塗佈裝置， 及，·-具有一旋轉自如且可至少往一方向自由移動之载置 台，且用以針對前述載置台上之基板周邊部由照射部照射 光，以使前述基板上之塗佈膜曝光之周邊曝光裝置，且前 述周邊曝光裝置係具有一膜厚測定機構，該膜厚測定機構 係具有一用以測定前述塗佈膜之膜厚之感應構件。 本毛明之第2觀點係一種採用一基板處理系統以對基 板進行處理之方法，前述基板處理系統係具有一周邊曝光 裝置，係用以朝基板周邊部照射光以使業已塗佈於前述基 板之塗佈料光，及_用以敎前述㈣膜之膜厚之^ 置；而，前述方法係具有一步驟，係於測定前述基板之余 佈膜之膜厚後，再將光照射於前述基板之周邊部，以使前

Si::膜：亡者。^時也可追加一步驟，係將前述塗佈膜 曝先後，再次測定前述塗佈膜之膜厚者。 本發明之第3觀點係一種製程，係採用 :=板進行處理者’該基板處理系統係包含有-周： '先裝置：-用以測定前述塗佈膜膜厚之裝置，及一用以 於A基板塗佈塗佈膜之塗佈裝置，·該製程 驟，即：用以測定前述膜厚之美拓往你 、有下歹！/ 卞<|板係使用測試用之基板， 測定前述膜厚後，其測定值係 心Α谷迕摩巳圍内時，即對峰 ΐ用基板以前述塗佈裝置實施預定之塗佈處理，反之’測 疋值超出容許範圍外時，則針 正後，I… 述塗佈裝置施行必要的修 ，"用二測定另一以該塗佈裝置實施有塗佈處理之 須J ti式用基板之膜厚者。

本紙張尺細 (c^Tm： (210 x 29Ti^T A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 ) 依本發明，前述周邊曝光裝置乃具有一自由旋轉、且 可至少往一方向自由移動之載置台。因此利用如此之機 構可適宜貫施諸如在基板上預定部位上之膜厚之測定， 又無須於前述基板處理系統另外設置一具有前述膜厚測 定機構之裝置。 、在本發明之基板處理方法中，乃使用同一基板處理系 、先進行膜厚測定及周邊曝光，無須以另外^置之另一裝置 進仃膜厚測定。又，測定前述基板之塗佈膜膜厚後，再進 一步地將前述基板周邊部之塗佈膜曝光，因此可測定周邊 曝光處理前之塗佈膜膜厚，且可做為用以判斷迄至目前為 止之處理是否適當進行之判斷材料。 在本發明之基板處理方法中，係用以將測試專用之基 板，、諸如生產用基板分別，也就是與做為實施預定處理後 作為產品出貨之基板分別收納於切中，在於生產用基板 上實施塗佈處理及其以後之處理前，先用測試用基板測定 膜厚’、、、:後其測定值係處於容許範m内時，再對生產用基 板以前述塗佈裝置實施預定之塗佈處理。反之，其測定值 超出容許範圍外時，則針對前述塗佈裝置進行必要之修正 後，再從前述卡E中取出另一測試用基板，以前述塗佈裝 置，行塗佈處理，並測定其膜厚。其結果係於膜厚處於容 許範圍内時則就生產用基板進行處理，若超出容許範圍外 時，則再次針對塗佈裝置進行修正，再進而針對另一測試 用基板測定膜厚。藉此，可圖謀生產用基板之良品率的提 昇。藉如此測試用基板之膜厚測定，係可定期於生產用基

(請先閱讀背面之注音)事項再填寫 裝 Ή · •線· 487950 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 板批量之空檔、處理所訂定片數之生產用基板後實施 圖式之簡單說明 苐1圖係用以顯示本實施形態之塗佈顯影處理系統外 觀之平面圖。 第2圖係第1圖之塗佈顯影處理系統之正面圖。 第3圖係第1圖之塗佈顯影處理系統之背面圖。 第4圖係本實施形態之塗佈顯影處理系統内之周邊曝 光裝置内部之立體圖。 第5圖係用以說明顯示本實施形態之塗佈顯影處理系 統内之周邊曝光裝置構成之縱截面之說明圖。 第6圖係用以顯示第5圖之周邊曝光裝置構成之橫戴 面之說明圖。 第7(a)-(e)圖係用以時序系列顯示以第1實施形態之 周邊曝光裝置進行晶圓上膜厚測定路線之說明圖。 第8(a)-(f)圖係用以時序系列顯示以第2實施形態之 周邊曝光裝置進行晶圓上膜厚測定路線之說明圖。 第9(a)-(e)圖係用以時序系列顯示以第3實施形態之 周邊曝光裝置進行晶圓上膜厚測定路線之說明圖。 · 第10圖係本實施形態之周邊曝光裝置内膜厚感應器 上裝設膜厚感應器之罩蓋時之說明圖。 第Π圖係用以顯示於載置台上裝設反射物之立體圖。 -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A： ~~----L___ 五、發明說明（5 ) 本發明之實施形態 以下邊參考附加圖式，說明本發明之最佳實施形態。 ^第1圖係本實施形態之基板處理系統之塗佈顯影處理 :統1之平面圖，第2圖為塗佈顯影處理系統i之正面圖， 第3圖為塗佈顯影處理系統1之背面圖。 塗佈顯影處理系統1之構成係，如第}圖所示，具有 將卡E站2、處理站3、及界面部4_體接續之構造，其中 該卡匣站2係用以將諸如25牧晶圓w為一卡匣單位而由 外部相對於塗佈顯影處理系統1進行搬入及搬出，且相對 於卡E C將晶圓w搬出及搬入；前述處理站3係多段配置 有於塗佈顯影處理步驟中以一張一張的方式實施預定處理 之各種處理裝置；而前述界面部4係用以於與鄰接於此處 理站3設置之曝光裝置52間進行收授晶圓w者。 在卡匣站2上，於成為載置部之卡匣載置台5上之所 疋位置上沿X方向（第！圖中之上下方向）自由載置多數卡 匣c成一列狀態。然後設置有一可沿搬運路8自由移動之 曰曰圓搬送體7，該晶圓搬送體7係相對於該卡匣之配列方 向（X方向）及已收容於卡匣C内之晶圓…之晶圓配列方向 (z方向；垂直方向）呈可移動及搬送之狀態，並構成相對 於各卡E C進行選擇性地取用。 晶圓搬送體7係也可構造成··相對於如後述般隸屬於 處理站3側之第3處理裝置群G3之調整裝置32及延長裝 置33進行存取者。 在處理站3上，於其中心部設有一主搬運裝置13，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先M讀背面之注意事項再填寫) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -裝I------、訂i:-------線--------- 487950

五、發明說明（6) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 在主搬運裝置13之周邊 一處理壯* 夕#又配置各種處理裝置，而構成 理茫置群Γ1。 處理系統i中配置有4個處 里裝置_61、62、63、〇4，並中第 及第2之處理裝置 G2係配置在顯影處理车 不、、先1之正面側，第3處理 衣置群G3係鄰接於卡匣站2阶罢 置’而第4處理裝置群G4 貝J係鄰接於界面部4配置去。 罝者又，在附加設備上，也可於 背面侧另外配置-以虛線表示之第5處理裝置群G5。、 # 第2圖所示，在第1處理裝置群CH上由下方依順 序地將2種類之旋轉型處理裝置配置成：段，其等旋轉型 處理裝置係諸如用以對晶圓w施行塗佈處理光阻塗佈裝 置15 ’與用以供給顯影液至晶圓w之顯影處理裝置μ等 等。第2處理裝置群G2也同樣，從下方依序2段重疊光 阻塗佈裝置1 7及顯影處理裝置1 8。 如第3圖所示，在第3處理裝置群G3上從下方依序 重®諸如有8段之形態，例如有：用以對晶圓w施以冷卻 _ 處理之冷卻裝置30、用以提升光阻液與晶圓W之固著性 丨» 之黏著裝置3卜用以進行晶圓對位之調整裝置32、用以使 晶圓W待機之延伸裝置33、用以進行曝光處理前之加熱 處理之預烘烤裝置3心35及用以施行顯影處理後之加熱處 理之後烘烤裝置36、37。 在第4處理裝置群G4上從下方依序重疊有諸如有8 段之形態，即例如有：冷卻裝置4〇、用以使所載置之晶圓 自然冷卻之延伸冷卻裝置4卜延伸裝置42、冷卻裝置43、 用以將曝光處理後之晶圓W進行加熱處理之後顯影烘烤 · I I I----— — — — — — — · (請先¾¾背面之注意事項再填寫本頁) -9- 五、發明說明（7) 裝置44、45、後烘烤裝置46、47。 於界面部4^3·署女 r〇 • °夏百一周邊曝光裝置5 1，係用以將光照 射於後述晶圓W的闲$ , 的周邊。卩，將形成於晶圓w上之光阻膜 曝光’在必要時測宏本 】疋先阻膜之膜厚者。又設置於界面部4 中央部之晶圓搬送俨在 k 50係構成為可相對於屬第*處理裝置 群G4之L伸冷部裝置41、延伸裝置42、周邊曝光裝置51 及以虛線所表示之曝光裝置52存取者。 接著根據第4、5圖說明具有膜厚測定機構之周邊曝光 裝置5 1之構造。 於周邊曝|置5 1之封裝箱6G内設有_用以吸附且保 持晶圓之載置台61。此載置台61係可藉諸如内藏馬達之 驅動機構62而自由旋轉。進而，載置台6ι係因驅動機構 62可在沿長向（第5圖中之左右方向）延伸之軌道〇上自由 移動之故’而可於長向(第5圖中之左右方向)移動。於晶 圓W上方設有用以作為藉由雷射光感測為塗佈膜之光阻 膜之膜厚之感應構件之膜厚感應器64及―用以照射曝光 用之光之照射部65。 於封裝箱60之一側設有吸氣用之風扇 、叫66，而於另一 側則設置有一排氣口 72，依照上述裝置，從 ^ <风扇66向著 排氣口 72形成一氣流，置換周邊曝光裝置 、 5 1之環境。膜 厚感應器64係配置於在此氣流中高於照射 町°卩65之上游 側。又膜厚感應器64係藉臂67懸吊著，而此辟 〜潯67係安裝 成，如第6圖所示者，以裝設在封裝箱6〇辟 璧邊之旋轉軸 67a為中心作自由旋轉者。因此，臂67係鋅车向 稽未圖示之驅動 · · K (請先閲讀背面之注意事項再填寫 1 •訂.· / .線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 五、發明說明（8) -經濟部智慧 能。》疋轉’使膜厚感應器64呈可由晶圓W上退避之狀 進而Μ厚感應器64係接續於設置於封裝箱60外之 、曰▲感應控制裝置68 ’該膜厚感應控制裝置⑼係用以將 次2厚感應态64檢測出之光轉換成資料並儲存之，根據此 貝;担進仃光阻膜膜厚之測定。又，照射部Μ係固定設置於 =箱6〇。此照射部65係將由未圖示之光源部之光，經 _ $導光路69照射於晶圓上，將晶圓W周邊部之光阻膜曝 先1又，為檢測出晶圓之正確位置，在晶圓w上下設有一 ^ ^射光之雷射光源7G及_用以檢測該光之C⑶感應 裔71 ’成夾帶晶圓w狀態。 接著一同說明在如上述所構成之周邊曝光裝置51 之測試晶圓W之過程和一連串之塗佈顯影處理之過程。 首先，晶圓搬送體7從卡E c取出】枚未經處理之商 圓W，搬入屬第3處理裝置群〇之調整裝置μ。接著在 -周玉裝置32對照位置完畢之晶圓w係藉主搬送裝置1 3， 經過黏著裝置31、冷卻裝置3〇,搬送至光阻塗佈裂置 或17。在此將光阻液塗抹至晶圓w上面而形成光阻膜 之後，晶圓W順著預烘烤裝置33或34,延伸冷卻裝置 依序搬送，實施預定的處理。 ^ 接著，藉晶圓搬送體50由延伸冷卻裝置4】取 曰 W後，搬運至周邊曝光裝置5〗。 θθ 此時，在周邊曝光裝置51上，風扇66運轉著，由 扇66吹往排氣口 72形成氣流，即使發生有機物等之不 中 15 41 圓 風 純 -------------^--------^---------Μ (請先閱讀背面之;χ意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -II - 487950 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9 ) 物也可由=裝箱60内排除出。並且，因膜厚感應器“係 裝置於此氣流之上游位置，可藉氣流的形成而防止污染。 搬運至周邊曝光裝置51之晶圓…係載置於載置台Μ 亚加以附著固持。保持在載置台61之晶圓w係藉著雷射 光源7〇及CCD感應器7；[辨識外周位置之座標，確認晶圓 W是否已放置在規定的位置。 接著使用第5、6、7圖說明光阻膜之_測定。首先， 於第6圖如虛線所示’從晶圓w上退避之膜厚感應器Q 稭臂67移動至晶圓^中心處。接著，藉驅動機構6卜 邊將晶圓W往X軸方向(第5圖之右方向)移動，且從膜卢 感應器“照射雷射光’再以膜厚感應器64檢測在光阻： 反射之光。 、 以膜厚感應器64檢測出之資料係隨時送至膜厚感麻 控制裝置，並記憶之。很快的在膜厚感應器“位於晶圓： 之周邊部上方時晶圓W停止移動，也停止膜厚之測定。以 2步驟進行晶圓W半徑之膜厚測定（第7⑷圖，又箭頭 =料感應器64之測定軌跡，圓圈括號之數字係表示 (;:…序)。接著晶圓W係藉驅動機構62往Θ方向 =針方峨轉9G度（第7圖之⑽。這次將晶圓 定二向中左方向)移動，同樣的藉膜厚感應器64測 圓=:厚_64移動至晶圓之中'"次使晶 移動停止，也停止膜厚測定（第7圖之（叫。將 二定=9°度進行之’最後如第7圖之⑷所示：將垂直 相父之直徑上膜厚全部測定，在晶㈣移動—周時結束膜 用“冢標準（CNS)A4規格^ X 297公釐） f請先閱讀背面之;1意事項再填寫

訂· -·線- •12- 487950 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10 ) 厚測定（第7圖之（e))。 接著’晶圓W係依驅動機構6 2移動至照射部6 5之下 方，在規定的位置停止。此時，懸吊膜厚感應器64之臂 67係藉未圖示之驅動機構旋轉，使膜厚感應器64從晶圓 w上方退避。之後遵循規定之程式旋轉晶圓w，晶圓％ 周邊部之光阻塗佈膜則藉由照射部65之雷射光曝光所指 定寬度。 9 • 結束周邊曝光處理後之晶圓W再以上述之製程測定 膜厚。此時晶圓W上之施有周邊曝光處理之部份也被測 定，將此資料記憶在膜厚感應控制裝置68，由測定之膜厚 才双查曝光部份是否有於規定的位置進行者。 第2次膜厚測定結束後之晶圓w係藉搬送體5〇搬出 曝光裝置5 1外，結束測試晶圓w之檢查。 如上述般，本實施形態之塗佈顯影處理系統】乃於周 邊曝光裝置5 1設有膜厚檢測機構，因此在每一次檢查光阻 膜之膜厚時’無須將晶圓從塗佈顯影系統i取出，可以於 一連串處理當中檢查。因此可以降低晶圓搬送所需之多餘 手續或時間。又，於周邊曝光裝置51上具有一原本膜厚測 定時所需且可自由旋轉至少可往一方向自由移動之載置台 61 ’可利用既有之機構’ $置膜厚測定機構，目此可以在 晶圓、W丨之任一點上進行膜厚測定，$可課求成本的降 低並且在周邊曝光處理前後進行膜厚測定，不只可判斷 光阻膜是否正確的形成，也可判斷周邊曝光是否有適當的 進仃處理。再加上針對進行曝光之照射部Μ，測定膜厚之 E紙張巧適用(CNS)A4規格⑵〇 X 297公釐） --------------裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之d意事項再填寫本頁) -13- 487950 A7

五、發明說明（11 ) 膜厚感應器64係因設於氣流之上流處之緣故，可以防止膜 厚感應器64的污染及測定能力的降低。且，將膜厚感應器 64之臂67設為自由旋轉，於周邊曝光中可使膜厚感應器 64從晶圓W上退避，從這點也可防止膜厚感應器μ受到 污染。 在此，說明如上述第7圖所示之膜厚測定製程之另一 貝施形悲。做為第2實施形態，首先將膜厚測定之開始位

置定為晶圓W之規定周邊部，使膜厚感應器64和第】實 施形態同樣動作，在晶圓〜之周邊部上待機。之後如第8 圖所示，藉驅動機構62將晶圓…往χ軸負方向（第5圖中 訂 之左方向）移動，同時藉固定在晶圓w上方之膜厚感應器 64進行膜厚測定。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後’在膜厚感應器64移至晶圓w之中心位置時， 先停止晶圓W之移動，也停止膜厚測定（第8圖之（a))。接 著晶圓w係藉驅動機構62往0方向（逆時針方向）旋轉18〇 度（第8圖之（b))。再將晶圓W移往X方向（第5圖中之右 方向）移動，同樣的由膜厚感應器64測定膜厚。之後膜厚 感應器64移至晶圓w之周邊部上方位置時，再度停止晶 圓W也停止膜厚測定（第8圖之（c))。藉以上的步鄉進行 晶圓w在直徑上之膜厚測定。並且，藉著驅動機構62向 Θ方向旋轉90度，與上述步驟（第8圖之（a)〜（c))同樣的進 行直彳i上之膜厚測定（第8圖之（d)、（e))。結果，如第8圖 之（e)所示’測定直角相交之直徑上膜厚，在最後將晶圓w 返置於膜厚測定之開始位置時即結束膜厚測定圖之

發明說明（l2 ) (f))。以以上步驟進行膜厚測定，也可得到與第1實施形態 同樣的效果。 、再說明第3實施形態。如第9圖所示者，首先將膜厚 感應器64移動至晶圓w中心，使其待機。由膜厚感應器 Μ測定晶圓W巾心之膜厚（第9圖⑷）。然後將晶圓〜往 X方向（第5圖中之右方向）僅移動規定的距離並停止之（第 9圖（b))。在此，一邊藉著驅動機構62往0方向（逆時針方 向―)旋轉，測定膜厚，在360度旋轉時停止膜厚測定及旋轉 (第9圖（c))。之後再將晶圓冒往χ方向（第5圖中之右方 向）僅移動規定的距離並停止，同樣的旋轉晶圓w，測定同 -圓周上之膜厚(第9圖⑷)。反覆以上的步驟，朝晶圓W 外側以同心圓狀測定膜厚，測定至晶圓w晶圓w周邊部 之膜厚時即結束膜厚的測定（第9圖（e))。 在此第3實施形態係設定從晶圓w中心向外側以同心 圓狀測定膜厚，但也可從外側向晶圓w中心測定膜厚。又 前述膜厚測定係由膜厚感應器64照射雷射光，並以膜厚感 應器64檢測反射至光阻膜之光，但可於晶圓…移動時進 行，也可於測定時將晶圓W暫停而進行之。以第3實施形 態，也可得到與第I實施形態相同的效果。 可於膜厚感應器64裝設如第】〇圖般做為保護構件之 外蓋75。此外蓋75係構成為在膜厚測疋中為開放，除該 狀態外時係處於關閉狀態。外蓋75之開與關係由未圖示之 驅動機構操作，且藉膜厚感應控制裝置68控制者。裝設該 外蓋75，更進一步確實防止膜厚感應器64之污 A： 五、發明說明（I3 ) 在上述之實施形態係於周邊曝光處理之前後進行膜厚 測定，但也可只於周邊曝光處理前，或僅於周邊曝光處理 後再進行。 從膜厚感應器64傳出之信號係送至膜厚感應控制裝 置68處理後再輸出膜厚值，但依變更膜厚感應控制裝置 68之程式，也可求出形成於晶圓w上之圖案之線寬。 填 訂 針對該原理進行說明，首先對於線寬將從膜厚感應器 64傳出之信號(諸如反射光之強弱等)連結其間之關連並記 憶之，且先對應某數值之線寬保存該信號之資料。以事先 儲存相W資料，可將膜厚感應$ 64傳出之信號與前述已記 憶之資料進行對照，可求得晶圓…上之線寬。又在實際上 求取線寬寬幅時，先將單純之測試用圖案形成在測試用晶 圓表面，再針對該測試用晶圓上求取線寬之方法比起具有 一般複雜圖案之生產晶圓之精準度要高。 線 而於膜厚感應器64上所使用之光源係將隨著時間之 經過而劣化’所照射光之強度也無可避免地逐漸低弱。若 來自膜厚感應器64之光強度低弱時，則難以測定正確之膜 厚。在此如第11圖所示，於用以載置晶圓w之載置台6ι 上設置反射物61a。反射物61a在不礙於晶圓…之載置下， 宜埋設於載置台6 1。 然後在定期無載置晶圓W之狀態下，將膜厚感應器 64往載置台61上移動，將測定用之光對著前述反射物6卜 照射。如此一來則可測定從反射物6 I a反射出光之強产。 光源一劣化時，則前述反射光之強度也隨之低弱，因此藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • 16 - 487950 A7 B7 五、發明說明（14 ) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 測定反射光之強度，可了解光源之劣化程度。如此在膜厚 感厚器64設置反射物61a，可預先了解膜厚感應器之 光源劣化紅度、使用之恰當與否，及替換之必要性等。 又於前述之膜厚測定之過程中，實際上於膜厚測定時 所使用之晶圓W係使用測試用晶圓為佳。此測試用之晶圓 預先將數枚收容在專用之卡E Μ，與生產用之晶圓从,做 區別。然後，於塗佈顯影處理系統i投入測試用晶圓之^ 入時機係可於生產用晶圓W之生產批量空樓，或也可料 規定張數之生產mu w進行塗佈顯影後再進行之。 /諸如於針對某批量之生產用晶圓w進行塗佈顯影處 理後，且在對下-批之生產用晶圓w實施塗佈顯影處理 前’將測試用之晶圓投入塗佈顯影處理系统！，以光阻冷 佈裝置15《17塗佈光阻，供乾後再測定其膜厚。測定I ^膜厚係在於所設定之容許職㈣，即開始將生產: 日日圓W投入塗佈顯影處理系統1 〇 反之，膜厚超出容許範圍外時，針對實際實施塗佈卢 理之Γ塗佈裝置15或17進行必要的修正，諸如光2 之溫度、轉動速度、氣流溫度等之修正。 另一測試用晶圓w，在光阻塗佈裝置15 ，對 塗佈處理後再測定其膜厚。 、 ^ 實施光阻 :後測定之結果，膜厚在於容許範 厂生產用晶圓w投入塗佈顯影處理系統〗。測定之：π 厚超出容許範圍外時，則再次針對實際實施塗佈處 H 阻樹脂塗佈裝置15或17進行必要 处之光 要的修正，再以測試用晶 訂 線 本紙.適用中國國家 -17- 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（l5) 圓實施膜厚測定，直到膜厚處於容許範圍内為止。 如這般藉事先以測試用晶圓檢查光阻塗佈裝置！ I之裝置狀態，可始終保持對生產用晶圓W實砲適 光阻塗佈處理。 田〜 又，測定測試用晶圓之膜厚結果在於容許範圍内時， 、自動的開始投入生產用晶圓w，控制塗佈顯影處理 1之程式’若超出於容許範圍外時，則會有諸如在系統： 顯不裝置或控制面板顯示出NG信號，發出適當的抵報 而將停止生產用晶圓W對處理站3之投入，因此可事先防 止生產用晶圓W之缺陷發生，又作業員可對光阻塗佈裝置 1 5、1 7實施必要的修正。 如上述之說明，依本發明之種種具體例，即可在基板 =理站内進行塗佈膜之膜厚測定，不必另行裝設膜厚二定 裝置。為此檢查基板之塗佈膜膜厚時’可以減少基板從基 板處理系統搬送至膜厚測定裝置所花f之時間。並可以2 用1知之周邊曝光裝置等機構，增加膜厚測定部份之自由 度’又可降低成本。 曝光時，可防止由基板上之塗佈膜所發生之有機物等 之不純物污染感應器部份。若使用具有單一波長之雷射光 的話’更可進行高精準度之膜厚測定。感應構件之光源使 用發光兩極管時，所消耗的電力少，也可降低成本。又可 以在寬廣的區域測定。也可測定圖案之線寬。又可預先得 知膜厚測定機構能力之低弱。因於周邊曝光處理之前後進 行前述膜厚測定之故，膜厚測定值就可做為判斷前述周邊

(請先紀讀背$意事項再填寫) 裝 »訂. -•線- 18- 487950 A7 五、發明說明（I6 ) 曝光處理是否有適當處理與 用晶圓之良品率。 之材枓。可以提升生產 上述所坭明之實施形態係有關於半導體晶圓元件製程 y姓刻V驟中之晶圓處理系统，但也可以應用於半導體晶 圓以外之基板諸如LCD基板之處理系統。 又上述說明之實施形態，終究係基於將本發明之技術 内容明白的表示其意圖，本發明並不是局限及解釋特定具 體例’而是可在本發明之精神及發明所述之範圍，做種種 的變化。 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19- ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 487950 AS BS CS DS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 l 一種基板之處理系統，係用以處理基板者，包么有· 一塗佈裝置，係用以於基板上塗佈處理液者；及 一周邊曝光裝置，係具有一旋轉自如且可至少朝一 方向自由移動之載置台，且用以由照射部朝前述載置台 上之基板周邊部照射光，以使前述基板上之塗佈膜曝 者； 、士 —且該周邊曝光裝置具有一膜厚測定機構，該膜厚測 疋機構係具有一用以測定前述塗佈獏之膜厚之感應構 如申請專利範圍第1項之基板之處理系統，並具有一 用以於前述曝光裝置内形成氣流之裝置； 、而，前述感應構件係位於至少由前述氣流中高於前 述知'射部之上游測。 如申請專利範圍第1項之基板之處理系統，其中該膜 厚測定機構係具備有一可求出業已形成於基板上之圖 案線寬之機能。 ”請專利範圍第！項之基板之處理系統，其係具有 一用以包覆前述感應構件之保護構件。 如申請專利範圍第"員之基板之處理系統，其中該感 應構件係可由前述基板上自由退避者。 申請專利範圍第！項之基板之處理系統，其中該感 應構件之光源為雷射光。 如申請專利範圍第i項之基板之處理系統’其中該感 應構件之光源為發光二極管。 2. 3. 4· 5. 6. ‘紙張尺度刺 297公釐） ;!J---------^ j 24先閱讀背面之注4事項再填寫泰 -20- 487950 申請專利範圍 8.如申請專利範圍第6 Ji ♦曾L 上 、基板之處理系統，其係於前 Q #_L具有—用以將雷射光反射之反射部。 y·如申請專利範圍第7頊夕| 4 ^ ^ 項之基板之處理糸統，其係於前 述載置台上具有一闲丨a 用U將來自發光二極管之光反射之 反射部。 ι〇·:種基板之處理方法’係採用—基板處理系統以對基 ^行處理者’該基板處理系統係具有—用以朝基板 I· 7邊部照射光以使業已塗佈於前述基板上之塗佈膜曝 訂 “之周邊曝光裝置及一用以測定前述塗佈膜之膜厚之 裝置；而’前述基板之處理方法係具有_步驟，俜於 測定前述基板塗佈膜之膜厚後，進一步再朝前述基板 之周邊部照射光’以使前述塗佈膜曝光者。 η·如申請專利範圍第10項之基板之處理方法，並具有一 步驟’於使前述塗佈膜曝光後，再測定前述塗佈膜之 膜厚者。 線 α如申請專利範圍帛10項之基板之處理方法，其中該基 1 處理系統更具有-用以於基板上塗佈-塗佈膜之塗 佈裝置；而，該處理方法並具有以下步驟，即： 一&用以測定前述膜厚之基板係使用測試用基板，在測 定前述膜厚後，其測定值係於容許範圍内時，即以前述 k佈衣置對生產用基板實施預定之塗佈處理：反之，在 其測定值超出容許範圍外時，則對前述塗佈裝置施行必 要的修正後，再進一步測定另一以該塗佈裝置實施有塗 佈處理之測試用基板之膜厚者。 本紙張尺度適用中國國家標準（〇；;S)A4規格⑵Q χ 297公髮 21 - 13· t申請專利範圍第12項之基板之處理方法，並具有一 .^驟係於測定值超出容許範圍時，將該狀態對外部 進行通知者。 14·—種基板之處理方法’係採用—基板處理系統以對基 板進仃處理者’該基板處理系統係具有一用以朝基板 周邊部照射光以使業已塗佈於前述基板上之塗佈膜曝 光之周邊曝光裝置及一用以測定前述塗佈膜之膜厚之 j置；而，前述基板之處理方法係具有—步驟，係: 月述基板之周邊部照射光，使前述塗佈棋曝光後，再 測定前述塗佈膜之膜厚者。 15·如申請專利範圍第14項之基板之處理方法，其中該基 板處理系統更具有一用以於基板塗佈塗佈膜之塗佈裝 置，而，該處理方法並具有以下步驟，即： 用以測疋削述膜厚之基板係使用測試用基板，在測 定前述膜厚後’其測定值係處於容許範圍内時，即以前 述塗佈裝置對生產用基板實施預定之塗佈處理；反之， 在其測定值超出容許範圍外時，則對前述塗佈裝置,行 必要的修正後，再進-步測定另-以該塗Μ置實I有 塗佈處理之測試用基板之膜厚者。 ’並具有一 該狀態對外 1 6·如申請專利範圍第丨5項之基板之處理方法 步驟，係於測定值超出容許範圍外時，將 部進行通知者。