TW486605B - Phase shift mask blank substrate, phase shift mask, and method of manufacturing the same - Google Patents

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486605 A7 B7 五、發明説明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係有關製造半導體積體電路等所用的移相光罩 空白基板及移相光罩與移相光罩空白基板及移相光罩之製 造方法’尤指有關利用移相膜使曝光波長之光遞減的半調 (half-tone)型移相光罩空白基板及移相光罩與移相光罩 空白基板及移相空白基板之製造方法。 習知技術及發明欲解決的課穎 以1 c，L S I及VL S I等的半導體積體電路之製 造爲首，於廣泛用途所用的光罩，基本上係以.於透光性基 板上具有以鉻爲主成分的遮光膜之光罩空白基板之該遮光 膜上，藉由應用微影法並使用紫外線或電子射線束等，形 成指定的圖案者。近年隨著半導體積體電路之高積體化等 的市場要求，並在圖案化之微細化急速進行，對此謀求曝 光波長之短波長化可予對應。 然而，曝光波長之短波長化，在改善解析度的反面， 卻招致焦點深度之減少，使製程之安定性降低，對製品之 良品率有惡劣影響之問題。 至於對此種問題有效的圖案轉印法之一種，有移相法 ，有用作可轉印微細圖案而用的光罩’有移相光罩被使用 著。. 此移相光罩（半調型移相光罩）’例如第9圖（A ) ，（B )所示般，係由形成光罩上的圖案部分之移相器部 b，及移相器不存在的基板露出的部分a而成，以透過二 者而來的光之相位差設成1 8 0 ° ’藉由圖案邊界部分之 請 先 閲 背 面 i 項 填 寫 本 頁 裝 訂 秦 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐·） 486605 A7 __ B7 _ 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注^事項晃填寫本頁) .光的干擾，在已干擾的部分光強度成爲零，可使轉印係之 對此提高。又藉由採用移相法，欲使爲得必需的解析度而 用的焦點深度增大即成爲可能，與採用具有由鉻膜等而成 的一般遮光圖案之通常的光罩之情形相比，欲使解析度之 改善及曝光製程之邊緣提高一事係可能者。 上述移相光罩，係藉由移相器部之光透過特性，在實 用上可大致分別出完全透過型移相光罩及半調型移相光罩 。完全.透過型移相光罩，係移相器部之光透過率與基板露 出部相同，對曝光波長而言爲透明的光罩。半.調型移相光 罩_，係移器部之光透過率‘爲基板露出部之數％〜數十％程 度者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖係表示半調型移枏光罩空白基板之基本構造， 第2圖係表示半調型移相光罩之基本構造。第一圖之半調 型移相光罩空白基板係於透明基板1之約略全面上形成半 調移相膜2者，2，第2圖之半調型移相光罩係將上述移 相膜2予以圖案化者，由形成基板1上之圖案部分的移相 器2 a及移相器不存在的基板露出部1 a而成，在此，已 透過移相器部2之光對已通過基板露出部1 a之光，使移 相，而移相器部2 a之透過率對被轉印基板上之光阻係予 設定成不感光的光強度，因此具有實質上阻絕曝光光之遮 光功能。 至於上述半調型移相光罩，係有構造簡單且容易製造 的單層型之半調型移相光罩，.至於此單層型半調型移相光 罩，有日本特開平7 — 1 4 0 6 3 5號公報記載的 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " ~ 486605 A7 B7 五、發明説明（3 ) Μ 〇 S 1〇，Μ 〇 S 1〇N等Μ 〇 S 1系之材料而成的移 位器者被提出著。 (請先閲讀背面之注貪事項#.填寫本頁) 於此種移相光罩及移相光罩空白基板屬重要的事，係 使用的曝光波長之透過率，反射率，折射率等的光學特性 之控制，其中以光學的特性大受膜之組成所影響。 此時具有移位光罩空白基板及移相光罩所用的矽化鉬 (Μ 〇 S 1 )系移位器之移位光罩空白基板及移位光罩，. 係利用通常反應性濺鍍法予以製作。製造時所甩的反應性 氣體，雖然通常氧氣或一氧化氮氣體等被用作.氧氣源，然 而採用此種氣體，若使Μ_ 〇 S i〇或Μ 〇 S i〇Ν成膜作 Μ o S 1系之移位膜時，則透過率，反射率，折射率等光 學特性在基板面內有容易形成不均勻的問題。此種現象係 .由於氧氣或一氧化氮氣體等氟化性氣體之反應性較高，故 在氣體之供給口附近反應量較多，隨著由氣體供給口離開 ，實質上流出的氣體量減少而生成。又由於反應性較高， 反而氣體流量之變動在光學特性方面亦成爲敏感，並不適 合穩定的進行大量生產的問題存在。 經濟，部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係爲解決上述問題點而完成者，提供在基板面 內的光學特性之均勻性高，又於移相膜之成膜時亦可容易 控制且可安定的製造之高品質移相光罩空白基板及移相光 罩與移位光罩空白基板及移位光罩之製造方法爲目的。 解決課題而採的手段 本發明人爲解決上述課題，經精心檢討的結果，對曝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486605 A7 ___ B7 __ 五、發明説明（4 ) 光波長，於透明的基板上形成有至少一層移相膜而成的移 相光罩空白基板，採用矽化鉬之靶材，採用含有氧氣源氣 體之二氧化碳及視必要時氮氣源之氮氣的灑鍍氣體，進行 濺鍍，發現可得基板面內的光學特性之均勻性高，又在移 位膜之成膜時可容易控制且可穩定的大量生產的矽化鉬氧 化碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物形成的具有移相膜之高 品質移位光罩基板及移相光罩，以至完成本發明， 亦即，本發明係提供下述的移相光罩空白基板及移相 光罩與移相光罩及移相光罩之製造方法， . 申請專利範圍第1項 ' 一種移相光罩空白基板，其特徵在於透明基板上至少 設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板上，以矽化鉬氧 化碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物形成上述移相膜而成。 申請專利範堀第2項 一種移相光罩空白基板，其特徵在於透明基板上至少 設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板上，以砂化鉬氧 化碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物形成上述移相膜，同時 於此移相膜上形成已各自層合鉻系遮光膜或鉻系反射防止 膜或此等鉻系遮光膜及鉻系反射防止膜一層以上的多數層 膜而成。 申請專利範圍第3項 如申請專利範圍第1項之移相光罩空白基板，其中前 述鉻系遮光膜或鉻系反射防止膜係鉻酸化碳化物或鉻酸化 氮化碳化物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐.） ~ ： I 批衣-------II-------- (請先閱讀背面之注•意事項界填寫本頁) 486605 A7 ___ B7 五、發明説明（5 ) 申請專利範圍第4項 請 先 閱 讀 背 5 r 事 項 再- 填 馬 本 頁 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之上述移相 光罩空白基板，其中前述移相膜係將透過的曝光光之相位 轉換1 8 0±5度，且透過率爲3〜4 0%。 申請專利範圍第5項 一種移相光罩，其特徵在於申請專利範圍第1項至第 4項之任一項之移相光罩空白基板之移相膜係經予形成圖 案而成.◦ 申請專利範圍第6項 . .一種移相光罩空白基板之製造方法，其特徵在於透明 基板口至少設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板之製 造方法，採用矽化鉬之靶材，採用含二氧化碳之濺鍍氣體 爲氧氣源氣體，進行濺鍍而形成移相膜而成。 申請專利範圍第7項 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一種移相光罩空白基板之製造方法，其特徵在於透明 基板上至少設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板之製 造方法，採用矽化鉬之靶材，採用含二氧化碳之濺鍍氣體 爲氧氣源氣體及氮氣源之氮氣氣體的濺鍍氣體，進行濺鍍 而形成移相膜而成。 申請專利範圍第8項 一種移相光罩空白基板之製造方法，其特徵在於以申 請專利範圍第6項或第7項之方法形成移相膜後，採用於 以 鉻單體或鉻內，已添加氧，氮，碳之一種以上，或 上的靶材，用濺鍍法形成鉻系遮光膜或鉻系反射防止膜或 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 486605 A7 __... ___ B7 _ 五、發明説明（6 ) .已層合此等各自一種以上的多數層膜。 申請專利範圍第9項 (請先閱讀背面之注'意事項豕填寫本頁) 如申請專利範圍第6，7或8項之移相光罩空白基板 之製造方法，其中前述移相膜係將透過的曝光光之相位轉 換1 8 0±5度’且透過率爲3〜4〇％。 申請專利範圍第1 〇項 一種移相光罩之製造方法，其特徵在於由申請專利範 圍第6 .項或第7項之方法而得的移相光罩空白基板之移相 膜上用微影法形成光阻圖案後，用飩刻法去除.移相膜之光 阻膜非被覆部分，其次去除光阻膜。 申請專利範圍第1 1項 一種移相光罩之製造方法，其特徵在於利用蝕刻方式 去除，由申請專利範圍第8項之方法而得的移相光罩空白 基板之鉻系遮光膜或絡系反射防止膜或多數層膜之曝光所 需的部分，並將該部分之移相膜露出於表面上，於該移相 膜上用微影法形成光阻圖案後，用飩刻法去除移相膜之光 阻膜非被覆部分，其次去除光阻膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，若依本發明時，以反應性濺鍍法將矽化鉬之氧 化膜成膜之際，採用反應性較氧氣及一氧化氮氣等低的二 氧化碳氣體作爲氧化性氣體，由於反應性較低，反而氣體 可在廣泛範圍均句包覆著，使經予成膜的Μ 〇 S 1系移相 膜之光學特性在面內形成均勻者。 又，由於二氧化碳氣體係反應性較低，反而對成膜製 程之多種參數的不可預測的變動之界限變大’可穩定且控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐Γ" ~ " 486605 A7 ___ B7 五、發明説明（7 ) 制性良好的成膜成Μ 〇 S 1系移相膜者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，以砂化鉬氧化碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物 形成移相膜’同日寸於此移相膜上形成絡系遮光膜或絡系反 射防止膜或已層合此等各自一層以上的多數層膜，此等相 結合，較精密的圖案化成爲可能，可充分對應於半導體積 體電路之微細化高積體化者。 以下，再詳細說明本發明。 本發明之移相先卓空白基板’如第1圖所不，於石英 ，C a F 2等曝光光透過的基板1上，將矽化鉬氧化碳化物 (Μ 〇 S 1〇C )或矽化鉬氧化氮化碳化物（ Μ 〇 S 1 Ο N C )而成的移相膜2予以成膜而成者。又，. 本發明之移相光罩，係將移相光罩空白基板之移相膜形成 圖案而成，如第2圖所示，經予圖案化的移相器部間成爲 第一光透過部1 a .(基板露出部），經予圖案化的移相器 部，2成爲第二光透過部2 a者， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之移相光罩空白基板，係於透明基板上利用採 用含有氧氣源氣體之二氧化碳的濺鍍氣體之反應性濺鍍法 予於成膜，於曝光光之透過率具有數％〜數十％ (尤宜爲 3〜4 0 % )，已透過移相器部之光的位相對僅透過透明 基板之光具有1 8 0度± 5度之位相差的Μ 〇 S 1系矽化 鉬氧化碳化物（Μ 〇 S i 0 C )或矽化鉬氧化氮化碳化物 (Μ 〇 S 1〇N C )所形成的移相膜至少設有一層者。 至於本發明之移相膜之成膜方法，宜爲反應性濺鍍法 ，於此時際之濺鍍靶材係採用矽化鉬，爲保持膜之組成玲 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐·)~ ： ~~ 486605 A7 B7 五、發明説明（8 ) .固定，採用已組合氧，氮，碳之任一者或此等並予添加的 矽化鉬亦可。 於本發明，濺鍍方法，可爲採用直流電源者，亦可採 用高頻電源者，又可爲磁控管濺鍍方式，亦可爲傳統方式 。且成膜方式可爲通過型亦可爲葉片型均可。 濺鍍氣體之組成，雖係由氬，氙等惰性氣體及二氧化 碳氣體而成，惟於該等以外，適當添加氮氣或氧氣，各種 氧化氮氣體，氧化碳氣體等予以成膜至經予成膜的移相膜 具有所期待的組成。 . .此時，於欲提高經予成膜的移相膜之透過率時，利用 於使含有濺鍍氣體內添加的氧或氮之氣體增加至膜中使包 覆大量的氧及氮增加之方法，採用於濺鍍靶材內事先已大 量添加氧氣或氮氣之矽化鉬的方法，可予製備。' 具體而言，對將Μ 〇 S 1〇C予以成膜的情形，採用 矽化鉬作爲靶材，以含有氬氣及二氧化碳氣體之濺鍍氣體 作爲濺鍍氣體進行反應性濺鍍爲宜。又將Μ ◦ S 1 Ο N C 膜予以成膜的情形，採用矽化鉬作爲靶材，以含有氬氣及 二氧化碳氣體與氮氣之濺鍍氣體進行反應性濺鍍爲宜。 經如此成膜的Μ ◦ S 1〇C膜之組成，係宜爲Μ 〇 : 5〜25原子％，S i : 1〇〜35原子％，〇：3〇〜 6 0原子％，. C : 3〜2〇原子％。矽化鉬氧化氮化碳化 物（Μ. 〇 S 1〇N C )膜之組成宜爲Μ 〇 : 5〜2 5原子 % ，S 1 : 1〇〜3 5原子％.，〇：3〇〜6 0原子％ ， Ν : 5〜3〇原子％，C : 3〜2 0原子％。 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐·) 一 —-------裝·-- (請先閱讀背面之注·意事項备填寫本頁)

、1T 經濟/部智慧財產局員工消費合作社印製 486605 A7 B7 五、發明説明（9 ) 本發明之相位光罩空白基板’係藉由採用二氧化碳氣 脸作爲氧氣源氣體’例如測疋在4 5 〇 n m之波長的反射 率時，基板面內的反射率之標準偏差爲〇 . 5 %以下，宜 爲〇 · 1 %以下，具有均勻的光學特性。 本發明之相位光罩空白基板，係亦可形成移相膜於二 層以上的多數層上。 又如第3圖所示’於由矽化鉬氧化碳化膜或矽化鉬氧 化氮化膜而成的移相膜2上，設置c r系遮光膜3，或如 第4圖所示，於Cr系遮光膜3上亦可形成使.來自c r系 遮光膜3的反射降低的C r系反射防止膜4。再者，如第 5圖所示，亦可由基板1側依移相膜2，第一 C r系反射. 防止膜4，C r系遮光膜3，第二個c r系反射防止膜 4 >之順序予以形成。 此時，至於C T系遮光膜或（：!^系反射防止膜，以採 用鉻氧化碳（C r〇C )或鉻氧化氮化碳化物（ C !〇N C )或層合此等者爲宜。 此種C r系遮光膜或C r系反射防止膜，於鉻單體或 鉻內採用已添加氧，氮，碳之任一者，或組合此等者之靶 材，藉由採用於氬，氪等惰性氣體內已添加碳源之二氧化 碳氣體的濺鍍氣體之反應性濺鍍可予成膜。 具體而言，於將C r 0. N C膜予以成膜時，至於濺鍍 氣體，亦可採用含有CH4，C〇2，C〇等的含碳氣體， N〇，N〇2，N 2等的含氮氣體，與C〇2，N〇，〇2等 含氧的氣體各自導入一種以上，或於此等已混合A r ， 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐·） (請先閱讀背面之注*'事項系填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486605 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __________ B7五、發明説明（1〇 ) N e ’ K r等惰性氣體之氣體。尤其至於碳源及氧氣源需 採用C〇2氣體，.由基板面內均勻性，製造時的控制性之點 係較宜的。至於導入方法可爲分別將各種濺鍍氣體導入室 內’亦可彙整若干種氣體或混合所有的氣體予以導入。 且C r〇c膜，係C r爲2 0〜9 5原子％，尤宜爲 3〇〜85原子％，C爲1〜30原子％，尤宜爲5〜 20原子％，〇爲1〜60原子％，尤宜爲5〜50原子 %’又(：]：〇1\1(：膜係〇1爲2〇〜9 5原子％，尤宜爲 30〜80原子％，C爲1〜2 0原子％，尤.宜爲2〜 15原子％，〇爲1〜6 0原子％，尤宜爲5〜5 0原子 % ’N爲1〜30原子％，尤宜爲3〜20原子％。 本發明之移相光罩，係如上述而得的移相光罩空白基 板之移相膜係予形成圖案而成者。 具體而言，於製造第2圖所示的移相光罩時.，如第6 圖（A )所示，如上述般於基板1 1上形成矽化鉬氧化碳 化；層（或矽化鉬氧化氮化碳化層）1 2後，形成光阻膜 1 3 ’如第6圖（B )所示，利用微影法使光阻膜1 3予 以圖案化，再者如第6圖（C )所示，將矽化鋁氧化碳化 層（或矽化鋁氧化氮化碳化層）1 2予以餽刻後，如第6 圖（D )所示，可採用剝離光阻膜丨3之方法，此時，光 阻0吴之塗布，.圖案化（曝光，顯影，飩刻，光阻膜之去除 ’係可利用公知的方法進行。 且，對於Μ 〇 S 1系相位膜上已形成C r系遮光膜及 /或C r系反射防止膜（C r膜）時，利用蝕刻去除曝光 ^ifc^il^"Jg^；^(CNS)A4^K 210X297^) _ 7〇 _ ：—" (請先閱讀背面之注-意事 4— 項再填. 裝一I 寫本頁) -5-口 •Φ 486605 A7 B7 五、發明説明（11 ) 請 閱 讀 背 之 注. 意 事 項 再* 填 馬 本 頁 時所需的領域之遮光膜及/或反射防止膜，使移相膜露出 於表面後，與上述同樣的藉由將移相膜予以圖案化，於第 7圖所示的基板外周緣側可得C r系膜已殘存的移相光罩 。又於C r系膜之上塗布光阻，進行圖案化，以蝕刻方式 對C r系膜及移相膜進行圖案化，再者利用選擇鈾刻去除 僅曝光所需的領域之C r系膜，使移相圖案出於表面上， 亦可得移相光罩。 實施例 · .以下表示實施例及比較例，具體的說明本發明，惟本 發明並非受下述實施例所限制者。 實施例1 經濟·部智慧財產局員工消費合作社印製 採用第8圖所示的直流濺鍍裝置，於石英基板上使矽 化鉬氧化碳化膜（Μ 〇 S i〇C膜）予以成膜。且於第8 圖，2 0係直流濺鍍本體，2 1係石英基板，2 2係靶材 ，至於此靶材可採用矽化鉬，至於濺鍍氣體可採用氬氣及 二氧化碳氣體約7對8之流量比的混合氣體，如第8圖所 示由側壁導入此混合氣體，進行反應性濺鍍。且濺鍍時之 氣體壓力係予設定成0 · 3 P a。 至於如此製怍的試樣之光學特性，若以 NAN〇ME TR I CS公司製造的NANO SPEC測 定在4 5 0 n m波長之反射率時，則基板面內之平均値爲 9 . 4 %，標準偏差爲0 · 1 %。利用X射線光電子分光 -14 本纸張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 486605 經濟，部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) .法（X P S )分析此5式樣之膜組成的結果，含有銷 1 1 · 4原子％ ’砂25 · 3原子％，氣5 1 · 6原子％ ’石灰1 1 · 6原t % ’結果係予囊整並表不於表1。 實施例2 採用與實施例1相同的濺鍍裝置，除採用氬氣及二氧 化碳氣體與氮氣以流量比5 _: 3 : 3之混合氣體外，餘以 與實施.例1相同條件於石英基板上將矽化鉬氧化氮化碳化 膜（Μ〇S 1〇N C膜）成膜成膜厚1 4 0 η · m。 .至於如此製作的試樣> 光學特性，在4 5 0 n m波長 之反射率的平均値爲7 · 8 %且標準偏差爲0 · 0 2 %。 又在2 4 8 n m之波長的相位差爲1 8 2度，透過率爲 8 · 3 %。利用X射線光電子分光法（X P S )分析此試 樣之膜組成的結果，含有鉬1 4 . 0原子％，矽2 3 ·〇 原子％，氧46.0原子％，氮9.0原子％，碳8·〇 原子％。結果係予彙整並表示於表1。 實施例3 . 於實施例2而得的移相膜上，採用與實施例1相同的 濺鍍裝置，並採用C r於靶材上，採用7對4對3之流量 ，比的氬氣，及二氧化碳氣體與氮氣作爲濺鍍氣體’並將 C r〇C N膜成膜成膜厚1 0 0 n m。 . 所得的C r〇C N膜在4 5 0 n m之反射率爲3 0 % ，面內之分散性D爲0 . 0 1 9 %。且分散性之算出式係 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐）-15- — ~~ 裝 .-訂 (請先閲讀背面之注-意事項务填寫本頁) 486605 A7 B7 五、發明説明（13 ) 如下所示。式中的m a X爲反射率之面內的最大値’ m 1 η爲反射率之面內的最小値。 D = (max— min)/(max+min) 又，c r 〇 C N膜之膜組成，係含有鉻5 1原子％， 碳6原子％ ’氧2 〇原子％，氮2 3原子％。 比較例1 . •除採用氧氣取代二氧化碳氣體外，餘以與實施例1同 法形成Μ 〇 S i〇膜，同法評估在4 5 〇 n m波長之反射 率的結果’反射率之基板面內的平均値爲2 7 . 〇 %，標 準偏差爲0 · 9 5 %。同法評估此試樣之膜組成的結果， 含有鉬2 5 · 2原子％，矽3 8 .〇原子％，氧3 6 . 8 原子％ ’碳係在定量界限以下。結果係予彙整並表示於表 (請先閲讀背面之民意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 〔表1〕 在450nm之反射率 膜組成（原子％ ) 平均値 標準偏差 Μ 〇 S 1 〇 Ν C 實施例1 9.4% 0.01% 11.4 25.3 51.6 11.6 實施例2 7.8% 0.02% 14.0 23.0 46.0 9.0 8.0 比較例1 27.0% 0.95% . 25.2 38,0 3.6· 8 一 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) -16- A7 B7 五、發明説明（14 ) / *由表1之結果可知，若比較實施例1，2與比較例1 (請先閱讀背面之i意事頡:填寫本頁) 時，採用二氧化碳氣體作爲氧源氣體的情形，在砂化鉬氧 化碳化膜及矽化鉬氧化氮化碳化膜在基板面內的反射率之 標準偏差係接近二位數予以改善著。又，於採用二氧化碳 氣體作爲氧源氣體時，反射率雖然會降低，但是由於膜中 氧係予有效率的包覆著，透過率提升，結果反射率會降低 所致。 關.於膜組成，由於濺鍍氣體內含有二氧化碳氣體，除 鉬，矽，氧，氮之外，碳係含有十數原子％，.矽化鉬氧化 碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物則予成膜著。 又關於成膜之安定性，亦比較採用氧氣時，需採用二 '氧化碳氣體，對在成膜製程之各種參數的變動之邊際會變 大，可以再現性良好一事即可予確認。 發明之功效 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述般，若依本發明時，以反應性濺鍍法將 Μ 〇 S 1系移相膜予以成膜之際，藉由採用含有二氧化碳 之氣體作爲濺鍍氣體，可得具有由矽化鉬氧化碳化物或矽 化鉬氧化氟化碳化物而成的移相膜之面內均勻性高，製造 時之控制性良好的高品質移相光罩空白基板及移相光罩。 圖式之簡單說明 第一圖爲與本發明之一實施例有關的移相光罩空白基 板之截面圖。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 4-866Θ5 A7 B7 五、發明説明（15 ) 第2圖爲相同的移相光罩之截面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖爲設有與本發明之一*實施例有關的C r系遮光 膜之移相光罩空白基板之截面圖。 第4圖爲設有與本發明之一實施例有關的C r系遮光 膜及C r系反射防止膜之移相光罩空白基板之截面圖。 第5圖爲相同的移相光罩之截面圖。 第6圖爲表示移相光罩之製造法的說明圖，.（A )爲 已形成.光阻膜之狀態，（B )爲已將光阻膜予以圖案化的 狀態，（C )已進行蝕刻的狀態.，（D )已去除光阻膜的 狀態之槪略截面圖。 ’ 第7圖爲表示移相光罩之其他實施例的截面圖。 第8圖爲實施例已採用的直流濺鍍裝置之槪略圖。 第9圖A爲說明半調型移相光罩之原理的圖，第9圖 B爲（A )之X部分的部分放大圖。 :圖號之說明 1，1 1，2 1 基板 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2，1 2 矽化鉬氧化碳化膜（或氧化氮化碳化膜） 3 鉻系遮光膜 4，4 / 鉻系反射防止膜 1 a .基板露出部 2 a 移相器部 1 3 光阻膜 2 2 靶材。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _18_

Claims (1)

1. 4^6605 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項荐填寫本頁) 1 · 一種移相光罩空白基板，其特徵在於透明基板上 至少設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板上，以i夕化 鉬氧化碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物形成上述移相膜而 成。 2 . —種移相光罩空白基板，其特徵在於透明基板上 至少設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板上，以矽化 鉬氧化碳化物或矽化鉬氧化氮化碳化物形成上述移相膜， 同時於此移相膜上形成已各自層合鉻系遮光膜或鉻系反射 防止膜或此等鉻系遮光膜及鉻系反射防止膜一層以上的多 數層膜而成·。 3 .如申請專利範圍第2項之移相光罩空白基板，其 中前述鉻系遮光膜或鉻系反射防止膜係鉻酸化碳化物或鉻 酸化氮化碳化物。 4 .如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之上述 移相光罩空白基板基板，其中前述移相膜係將透過的曝光 光之相位轉換1 8 0±5度，且透過率爲3〜4 0%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印刹衣 5 . —種移相光罩，其特徵在於申請專利範圍第1項 至第4項之任一項之移相光罩空白基板之移相膜係經予形 成圖案而成。 6 . —種移相光罩空白基板之製造方法，其特徵在於 透明基板口至少設有一層移相膜而成的移相光.罩空白基板 之製造方法，採用矽化鉬之靶材，採用含二氧化碳之濺鍍 氣體爲氧氣源體，進行濺鍍而形成移相膜而成。 7 . —種移相光罩空白基板之製造方法，其特徵在於 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 透明基板上至少設有一層移相膜而成的移相光罩空白基板 之製造方法，採用砍化鉬之耙材，採用含二氧化碳之濺鍍 氣體爲氧氣源氣體及氮氣源之氮氣氣體的濺鍍氣體，進行 濺鍍而形成移相膜而成。 8 . —種移相光罩空白基板之製造方法，其特徵在於 以申請專利範圍第6項或第7項之方法形成移相膜後，採 用於鉻單體或鉻內，已添加氧，氮，碳之一種以上，或二 種以上的靶材，用濺鍍法形成鉻系遮光膜或鉻系反射防止 膜或已層合此等各自一種以的多數層膜。 9 ·如申請專利範圍第良'、、、7或8項之移相光罩空白 基板之製造方法’其中前述移彳將透過的曝光光之相 位轉換18 0±5度，且透過率爲3〜4 0 %。 1〇· 一種移相光罩之製造方法，其特徵在於由申請 專利範圍第6項或第7項之方法而得的移相光罩空白基板 之移相膜上用微影法形成光阻圖案後，用蝕刻法去除移相 膜之光阻膜非被覆部分，其次去除光阻膜。 1 1 · 一種移相光罩之製造方法，其特徵在於利用蝕 刻方式去除’由申請專利範圍第8項之方法而得的移相光 罩空白基板之鉻系遮光膜或鉻系反射防止膜或多數層膜之 曝光所需的部分，並將該部分之移相膜露出於表面上，於 該移相膜上用微影法形成光阻圖案後，用蝕刻.法去除移相 膜之光阻膜非被覆部分，其次去除光阻膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) - 20- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝--------訂i Φ