TWI425308B - 多階調光罩及圖案轉印方法 - Google Patents

多階調光罩及圖案轉印方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI425308B
TWI425308B TW098125143A TW98125143A TWI425308B TW I425308 B TWI425308 B TW I425308B TW 098125143 A TW098125143 A TW 098125143A TW 98125143 A TW98125143 A TW 98125143A TW I425308 B TWI425308 B TW I425308B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semi
transmissive
light
film
region
Prior art date
Application number
TW098125143A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201011456A (en
Inventor
Koichiro Yoshida
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of TW201011456A publication Critical patent/TW201011456A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI425308B publication Critical patent/TWI425308B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

多階調光罩及圖案轉印方法
本發明係有關用於製造攝像元件、液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display：以下稱為LCD)及半導體裝置等之多階調光罩及圖案轉印方法。
現今，於LCD領域中，薄膜電晶體液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display：以下稱為TFT-LCD)因有較CRT(陰極射線管)更易於形成薄型、消費電力更低之優點而急速地商品化。TFT-LCD具有：將TFT排列於各像素(排列成矩陣狀)之構造的TFT基板、及對應各像素而排列紅、綠及藍像素圖案的彩色濾光片，在液晶層的居中存在下重合的概略構造。在TFT-LCD中，製程多，僅TFT基板便使用5片~6片光罩來製造。於此種狀況下，在1999年5月出刊之「FPD情報月刊(FPD Intelligence)」第31~35頁中提出使用4片光罩來進行TFT基板之製造的方法。
此方法係藉由使用具有遮光部、透光部及半透光部的多階調光罩(以下稱為光罩)，減少使用的遮罩片數者。在此，半透光部，係指在使用遮罩將圖案轉印至被轉印體時，使透過的曝光光線的透過量減少既定量，控制被轉印體上光阻膜顯影後的殘膜量，該種同時具備遮光部、透光部、與半透光部的光罩稱為多階調光罩。
近年來，尤其是隨著TFT通道部圖案的微細化而使多階調光罩中越來越微細的圖案變得必要。例如，能使用如下的多階調光罩：形成對應TFT中之源極、汲極的部分以作為遮光部，形成相當於位在該源極、汲極之間的通道部的部分，以作為半透光部(參照第3圖(b))。在如此作成的多階調光罩TFT通道部的圖案中之相當於通道寬度(channel length)的部分，即遮光膜間之半透光部寬度為7μm左右的情況中，使用此遮罩時的曝光機中之由該半透光部之透過光所造成之被轉印體上之光強度分布成為如第12圖所示。又，可使用例如包含g線(波長436nm)及i線(波長365nm)的350nm~450nm的波長區域的光源作為曝光機的曝光光源。根據此光強度分布，被轉印體上的阻劑膜被曝光，此後經過阻劑的顯影製程而形成阻劑圖案。因此，使由此灰階遮罩(graytone mask)的半透光部所造成的光強度分布反映至所形成的阻劑圖案的形狀。
另一方面，在半透光部的圖案形狀進一步微細化，遮光膜間的半透光部寬度成為例如3.6μm的情況下，使用此遮罩時的曝光機中由該半透光部的透過光所造成之光強度分布會成為如第13圖所示。如可由第13圖得知，此光強度分布曲線的形狀有別於第12圖所示之光強度分布曲線的形狀的情況，在波峰(peak)附近幾乎沒有平坦區域(plate zone)。
一般而言，由於在與遮光部交界附近的半透光部會產生因應曝光機的解像度之光繞射，所以光強度分布曲線會描繪出既定的傾斜。於是，一旦半透光部的尺寸(寬度)變成例如6μm以下，便會成為如第13圖所示的幾乎無平坦區域的光強度分布曲線。認為這是因為相對於曝光光線波長及曝光機的解像度，繞射的影響變大至無法忽視程度之緣故。因此，一旦使用如此作成的遮罩進行曝光，則被轉印體上的阻劑膜會被曝光，在經歷顯影製程所形成的阻劑圖案上，會被轉印幾乎無平坦區域的常態分布型的形狀。一般而言，希望所製得之阻劑圖案的剖面係相對於基板垂直地聳立，而上述阻劑圖案會在邊緣(edge)形成錐形狀(taper)的剖面，相較於通道寬度大的習知者，錐形角有變小(傾斜躺下的方向)的傾向。一旦使用具有此種錐形狀剖面形狀、幾乎無平坦區域的常態分布型形狀的阻劑圖案，進行被轉印體的蝕刻，則藉由蝕刻所形成之被加工層的圖案尺寸變化大，圖案的尺寸控制非常困難，有線寬精度劣化之虞。
本發明係鑑於此點而作成者，其目的為提供：即使半透光部圖案的形狀微細化，亦能使被轉印體上的阻劑圖案成為容易控制其後製程之被轉印體的加工製程的尺寸者，使線寬精度提高的多階調光罩及圖案轉印方法。
本發明之第1構成的多階調光罩，係在透明基板上具有半透光膜及遮光膜，藉由前述半透光膜及前述遮光膜的圖案形成遮光部、透光部、及半透光部的多階調光罩，其特徵為，在平面觀察中，前述多階調光罩具有位居分開的2個前述遮光部間的半透光部，前述半透光部具有：第1半透光區域，係具有第1透過率；及第2半透光區域，係分別被設置於前述2個遮光部與前述第1半透光區域之間，具有比前述第1透過率高的第2透過率。
前述多階調光罩，係在關於前述半透光部寬度方向對包含波長350nm~450nm範圍內波長段的光之光透過強度分布曲線中，包含前述半透光部寬度方向的中央，且當將設前述透光部的曝光光線透過率為100%時、透過率變動量為2%以下的區域設為平坦區域時，前述平坦區域的比例為超過50%者。
依照此等構成的話，便能相對地提高遮光膜與半透光膜之間的境界部分，尤其是，具有對多階調光罩之曝光條件中之解像界限以下尺寸之境界部分的透過率，藉此，能提高光強度分布中波峰兩側的光強度，其結果便能實現包含平坦區域的形狀。因此，即使半透光部圖案的形狀微細化，亦能使被轉印體上之阻劑圖案的尺寸控制變得容易，使線寬精度提高。
在本發明的多階調光罩中，較佳為前述第2半透光區域的寬度為對前述多階調光罩之曝光條件中之解像界限以下的尺寸。
在本發明之多階調光罩中，被夾在前述遮光部間之半透光部的寬度較佳為3μm~6μm。
在本發明之多階調光罩中，前述第1半透光區域的透過率與前述第2半透光區域的透過率之差較佳為10%~50%。
在本發明之多階調光罩中，前述半透光部之對前述透光部的相位差較佳為60°以下。
在本發明之多階調光罩中，係能藉由利用形成於透明基板上之第1半透光膜與第2半透光膜的積層來構成前述第1半透光區域，利用形成於透明基板上之前述第1或第2半透光膜來構成前述第2半透光區域，而使前述第2半透光區域的透過率比前述第1半透光區域高者。
在本發明之多階調光罩中，係能藉由利用形成於透明基板上之第1膜厚的半透光膜構成前述第1半透光區域，利用形成於透明基板上之第2膜厚的半透光膜構成前述第2半透光區域，而使前述第2半透光區域的透過率比前述第1半透光區域高者。
在本發明之多階調光罩中，前述多階調光罩較佳為將具有膜厚不同的部分之阻劑圖案形成在被轉印體上的阻劑膜者。
在本發明之多階調光罩中，較佳為用於製造薄膜電晶體用基板的光罩。
本發明之第2構成的多階調光罩，係在透明基板上具有半透光膜及遮光膜，藉由前述半透光膜及前述遮光膜的圖案形成遮光部、透光部、及半透光部的多階調光罩，其特徵為，前述多階調光罩，係在平面觀察中，具有位居分開的2個前述遮光部間的半透光部，在關於前述半透光部寬度方向對包含波長350nm~450nm範圍內波長段的光之光透過強度分布曲線中，包含前述半透光部寬度方向的中央，且當將設前述透光部的曝光光線透過率為100%時、透過率變動量為2%以下的區域設為平坦區域時，前述平坦區域的比例為超過50%者。
在本發明之第3構成的製造多階調光罩之方法中，係在透明基板上具有半透光膜及遮光膜，藉由前述半透光膜及前述遮光膜的圖案形成遮光部、透光部、及半透光部的多階調光罩，其特徵為在平面觀察中，將半透光膜配置於分開的2個前述遮光部間，前述半透光部係藉由配置：第1半透光區域，係具有第1透過率；及第2半透光區域，係分別被設置在前述2個遮光部與前述第1半透光區域之間，具有比前述第1透過率高的第2透過率，而使前述半透光部之曝光光線透過率曲線的平坦區域增大。
本發明之第4構成的圖案轉印方法，其特徵為，使用上述多階調光罩，在已形成於被轉印體之阻劑膜中之對應前述半透光部的部分，將可形成與前述遮光部或前述透光部不同膜厚的阻劑膜之潛像轉印於前述阻劑膜。
本發明之多階調光罩，係在平面觀察中，具有位居分開的2個前述遮光部間的半透光部，前述半透光部，具有：第1半透光區域，係具有第1透過率；及第2半透光區域，係分別被設置在前述2個遮光部與前述第1半透光區域之間，具有比前述第1透過率高的第2透過率，或者是，在關於前述半透光部寬度方向對包含波長350nm~450nm範圍內波長段的光之光透過強度分布曲線中，包含前述半透光部寬度方向的中央，且當將設前述透光部的曝光光線透過率為100%時、透過率變動量為2%以下的區域設為平坦區域時，前述平坦區域的比例為超過50%者，因此使用此多階調光罩曝光時，在被轉印體上的阻劑圖案中，可製得充分的平坦部及聳立的銳利邊緣剖面。於是，能在使用此阻劑圖案之蝕刻加工中，使被加工體的尺寸控制變得容易，使線寬精度提高。
 用於實施發明之形態
本發明人，檢討在使用由遮光膜所產生的微細圖案來形成半透光部的多階調光罩中，使如第13圖的光強度分布曲線的傾斜成為更銳利的聳立，成為包含平坦區域之形狀的情事。例如，考量藉由將曝光機的解像界限以下的遮光圖案配置於半透光部，來設定具有所需透過率的半透光部之方法。於此情況下，在對應半透光部的區域中，可某種程度地製得具有比較平坦的部分之光強度分布。但是，在此情況下，透過光的光強度就會下降，而難以自由地選擇朝被轉印體之阻劑膜的曝光量。在此，半透光部的適切透過率，係指當設透過部中之曝光光線透過率為100%時，在10%~70%的範圍內為該遮罩使用者所需的曝光量。較佳為20%~60%的範圍，更佳為30%~60%的範圍。於是，在如此範圍內，為了配合遮罩使用者適用的阻劑材料及曝光環境等加工條件，能在寬廣的範圍選擇是重要的。因此，一旦為了獲得所需的光強度而將半透光部的遮光圖案之間隙尺寸增大，便會在曝光時解像，當然就會變成無法獲得含有平坦區域形狀的光強度分布。即，在過去的微細遮光圖案型的多階調光罩中，要兼顧半透光部圖案的微細化及含有平坦區域形狀的光強度分布兩者是困難的。
本發明人專心檢討無平坦區域形狀的光強度分布及遮光膜間的半透光膜圖案，著眼於遮光膜與半透光膜之間的境界部分，尤其是，具有對多階調光罩的曝光條件中之解像界限以下之尺寸的境界部分，發現能藉由相對地提高此境界部分的透過率，來提高光強度分布中之波峰兩側的光強度，而達成能實現含有平坦區域的形狀之結果。
換言之，本發明的架構為在平面觀察中，具有位居分開的2個前述遮光部間的半透光部，前述半透光部具有：第1半透光區域，係具有第1透過率；及第2半透光區域，係分別被設置於前述2個遮光部與前述第1半透光區域之間，具有比前述第1透過率高的第2透過率，藉此，能實現即使半透光部圖案的形狀微細化，亦能使被轉印體上之阻劑圖案形狀成為容易控制蝕刻被加工體時的尺寸的模樣，使線寬精度提升之多階調光罩。
以下，參照附圖針對本發明的實施形態詳細地說明。
第1圖係顯示本發明實施形態之多階調光罩1中之圖案的平面圖。多階調光罩1係使用於例如液晶顯示裝置(LCD)之薄膜電晶體(TFT)及彩色濾光片、或平面顯示面板(PDP)等的製造製程者。用於藉由照射曝光光線，將具有膜厚不同的部分之阻劑圖案形成在被轉印體上的阻劑膜者。第1圖所示之多階調光罩1中之圖案係含有被夾在遮光部2間的半透光部3者。具體而言，構成為具有：遮光部2，係使用多階調光罩1時使曝光光線遮蔽(透過率為約0%)；透光部4，係使曝光光線約100%透過；及半透光部3，係使曝光光線的透過率降低20%~60%左右。此等遮光部2、透光部4、及半透光部3，係將形成在玻璃基板等之透明基板上的半透光膜及遮光膜分別圖案化所製得。如第1圖所示，該圖案係從左邊開始以透光部4、遮光部2、半透光部3、遮光部2、透光部4的順序排列。在以下，將半透光部3等的寬度稱為此排列方向中之寬度。又，第1圖所示之遮光部2及半透光部3的圖案形狀只不過是代表性的一個例子，本發明並非限定於此。
作為構成半透光膜的材料，可舉出鉻化合物、MoSi化合物、Si、W、Al等。其中，在鉻化合物方面有氧化鉻(CrOx)、氮化鉻(CrNx)、氮氧化鉻(CrOxN)、氟化鉻(CrFx)、及此等中含有碳或氫者。作為MoSi化合物，除了MoSix以外，可例示MoSi的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物等。又，作為構成遮光膜的材料，可舉出Cr、Si、W、Al等。遮光部2的透過率係依遮光膜的膜材質及膜厚的選定來予以設定。又，半透光部3的透過率係依半透光膜的膜材質及膜厚的選定來予以設定。
半透光部3具有：第1半透光區域12，係具有第1透過率；及第2半透光區域13，係設置於遮光部2與第1半透光區域12之間，具有比第1透過率高的第2透過率。如此一來，藉由在第1半透光區域12的外側設置具有比第1透過率高的第2透過率之第2半透光區域13，能相對地提高第1半透光區域12外側(兩側)區域之透過率。於是，此第2半透光區域13的寬度較佳為在對多階調光罩1之曝光條件中之解像界限以下的尺寸。藉由如此進行，第2半透光區域13的形狀不會直接如此地被解像，而是能提高半透光部3的透過率，使光透過強度分布的聳立成為急峻。即，如第2圖所示，此多階調光罩1，具有在光透過強度分布之對應半透光部之區域含有平坦區域P的形狀。在此，「在光透過強度分布之對應半透光部之區域含有平坦區域P」係指在關於半透光部3之寬度方向對包含波長350nm~450nm範圍內波長段的光之光透過強度分布曲線中，包含半透光部寬度方向的中央，且當將設透光部的曝光光線透過率為100%時、透過率變動量為2%以下的區域設為平坦區域時，平坦區域的比例為超過對應寬度A之半透光部3之區域的50%者。
如上述，第2半透光區域13的寬度較佳為在對多階調光罩1之曝光條件中之解像界限以下的尺寸，因應半透光部3的尺寸所決定。例如，相對於6μm以下寬度的半透光部3，第2半透光區域13的寬度較佳為2μm以下，更佳為1μm以下，0.1μm以上。此情況的曝光條件，係指曝光光源波長、使用的曝光機之解像度等。本發明之多階調光罩適合作為用於曝光波長為350nm~450nm(使用包含i線~g線的光源)者。又，本發明，在適用多階調光罩的曝光機係具有數值孔徑NA為0.1~0.07左右的光學系者之情況下，可得到顯著的效果。
進一步地，為了在半透光部3中使透過光的光強度分布成為含有平坦區域P的形狀，較佳為就第2半透光區域13的寬度對半透光部3的寬度A加以考慮。第2半透光區域13的寬度較佳為使一方成為(2/5)A以下(若將兩側算入則為(4/5)A以下)。更佳為，第2半透光區域13的寬度係一方為(1/4)A以下。尤其是，一方係(1/10)A(兩側(1/5)A)以上為佳。又，雖然第1半透光區域12兩側之第2半透光區域13的寬度較佳為約略相同，但僅在不損及本發明效果的範圍內亦可為不同。
夾在遮光部2間的半透光部3的寬度，一旦考慮所欲獲得的TFT動作速度、及多階調遮罩的加工性，則較佳為3μm~6μm。能製造半透光部3的寬度(即，對應通道部之半透光部的寬度)為6μm以下、動作性優良的TFT之多階調光罩，且，由該半透光部所產生的光強度曲線具有如上述的平坦區域者，迄今尚未為人所知。
又，若考慮大型遮罩用曝光機之光學系具有的解像度者、及獲得具有如第2圖所示之平坦區域(plate zone)之吊鐘型透過率曲線，則第1半透光區域12之透過率與第2半透光區域13之透過率的差較佳為10%~50%。進一步地，若考慮較佳為不會在通道部的上下處產生暗線，則半透光部3之對透光部4的曝光光線之相位差較佳為60°以下。
在此，考量使用具有包含遮光部2、透光部4及半透光部3的轉印圖案之3階調光罩來曝光，將圖案轉印至被轉印體上的阻劑膜。第3圖(a)係顯示第3圖(b)所示之被夾在遮光部A之半透光部B的透過率曲線之圖表。使用第3圖(b)的光罩而形成在被轉印體上之阻劑圖案係成為如將第3圖(a)上下反轉的形狀，該研鉢狀的極小值對應阻劑殘膜值(Rt)。當欲使用此種阻劑圖案，藉由蝕刻加工而加工薄膜時，阻劑圖案的剖面較佳為略矩形，即聳立為垂直。這是因為將阻劑圖案減少膜量，以其作為遮罩，當蝕刻下層側的薄膜時，能尺寸精度高地進行加工的緣故。因此，例如，可考量使用對光強度變化具有敏銳感光性的阻劑材。然而，因為此種阻劑材會僅因些微的曝光量變化而殘膜值變化，結果使阻劑圖案的形狀變得不安定，所以不佳。
因此，尋求不會改變阻劑的感光特性，在遮罩的性能方面，將阻劑圖案剖面形狀的垂直性(聳立的急峻性)增高。即，當考量線寬狹窄的區域，例如對應TFT通道部(具有被夾在遮光部的半透光部的圖案)之部分的阻劑圖案形狀時，希望底部區域的面積越大越好，壁面係極度急峻地聳立的垂直面。如本發明，藉由使用具有不同膜透過率之複數個半透光區域，能設計所需透過率的半透光部3，設計的自由度加大。
針對半透光部中之第1半透光區域12及第2半透光區域13的膜構成並無特殊限定，可舉出例如第4圖(a)~(c)所示的構成。第4圖(a)所示的構成，係在透明基板10上形成半透光膜14，在半透光部3中半透光膜14的厚度不同，在遮光部2設置遮光膜11的構成。半透光膜14的膜厚，係在第2半透光區域13相對地薄(透過率高)，在第1半透光區域12相對地厚(透過率低)。即，此構成的半透光部3係以1個膜構成，藉由改變其厚度來形成第1半透光區域12及第2半透光區域13。
第4圖(b)所示之構成，係在透明基板10上形成半透光膜14，在半透光膜14的第1半透光區域12上設置其他半透光膜15，在遮光部2設置遮光膜11之構成。即，此構成的半透光部3，係以2個半透光膜14、15予以構成，以1個半透光膜14構成第2半透光區域13(透過率高)，以2個半透光膜14、15的積層膜構成第1半透光區域12(透過率低)。
第4圖(c)所示之構成，係在透明基板10上形成半透光膜14，第2半透光區域13的半透光膜14被除去，在半透光部3設置其他的半透光膜15，在遮光部2設置遮光膜11的構成。即，此構成的半透光部3係以2個半透光膜14、15予以構成，以1個半透光膜15構成第2半透光區域13(透過率高)，以2個半透光膜14、15的積層膜構成第1半透光區域12(透過率低)。
第4圖(a)所示之構造，能藉由例如第5圖(a)、(b)所示的製程來製造。又，第4圖(a)所示之構造的製造方法並不限定於此等方法。在此，將半透光膜14的材料設定為矽化鉬，將遮光膜的材料設定為鉻。又，在以下的說明中，構成阻劑層的阻劑材料、蝕刻時使用的蝕刻劑、顯影時使用的顯影液等，係適當選擇在過去的光微影法及蝕刻製程中能使用者。例如，關於蝕刻劑，係因應構成被蝕刻膜的材料而適當選擇，關於顯影液係因應使用的阻劑材料而適當選擇。
如第5圖(a)所示，在透明基板10上形成半透光膜14，在其上形成遮光膜11，之後，以第2半透光區域13的半透光膜14露出的方式將遮光膜11圖案化。接著，如第5圖(b)所示，以經圖案化之遮光膜11為遮罩而蝕刻半透光膜14來將半透光膜14的膜厚部分地薄化。之後，除去第1半透光區域12的遮光膜11。
第4圖(b)所示之構造，係例如能藉由第6圖(a)~(c)所示之製程製造。又，第4圖(b)所示構造之製造方法並不限定於此等方法。在此，將半透光膜14的材料設為矽化鉬，將半透光膜15的材料設為氧化鉻，將遮光膜11的材料設為鉻。又，在以下的說明中，構成阻劑層的阻劑材料、蝕刻時使用的蝕刻劑、顯影時使用的顯影液等，係適當地選擇能在過去的光微影及蝕刻製程使用者。例如，關於蝕刻劑，係因應構成被蝕刻膜的材料而適當地選擇，關於顯影液，係因應使用的阻劑材料而適當地選擇。
如第6圖(a)所示，在透明基板10上形成半透光膜14，在其上形成遮光膜11，之後，以使半透光部3的半透光膜14露出的方式將遮光膜11圖案化。接著，如第6圖(b)所示，全面地形成半透光膜15，在其上形成阻劑膜16。之後，將第1半透光區域12曝光而使阻劑膜16部分地硬化(圖中的元件符號16a)。接著，如第6圖(c)所示，將阻劑膜16顯影，以殘存的阻劑膜16為遮罩來蝕刻半透光膜15，之後除去阻劑膜16。
第4圖(c)所示之構造，係例如能藉由第7圖(a)~(g)所示之製程來製造。又，第4圖(c)所示構造之製造方法並不限定於此等方法。在此，將半透光膜14的材料設為矽化鉬，將半透光膜15的材料設為氧化鉻，將遮光膜11的材料設為鉻。又，在以下的說明中，構成阻劑層的阻劑材料、蝕刻時使用的蝕刻劑、顯影時使用的顯影液等，係適當地選擇能在過去的光微影及蝕刻製程使用者。例如，關於蝕刻劑，係因應構成被蝕刻膜的材料而適當地選擇，關於顯影液，係因應使用的阻劑材料而適當地選擇。
如第7圖(a)所示，在透明基板10上形成半透光膜14，在其上形成遮光膜11，之後，以使半透光部的半透光膜14露出的方式將遮光膜11圖案化。接著，如第7圖(b)所示，全面地形成阻劑膜16。之後，將第1半透光區域12曝光而使阻劑膜16部分地硬化(圖中的元件符號16a)。接著，如第7圖(c)所示，將阻劑膜16顯影，如第7圖(d)所示，以殘存的阻劑膜16為遮罩來蝕刻半透光膜14。
如第7圖(e)所示，全面地形成半透光膜15，在其上形成阻劑膜16-1。之後，將包含半透光部的區域曝光而使阻劑膜16-1部分地硬化(圖中的元件符號16b)。接著，如第7圖(f)所示，將阻劑顯影，如第7圖(g)所示，以殘存的阻劑膜16-1為遮罩，蝕刻半透光膜15。
此種本發明多階調光罩之半透光部中的光強度分布亦反映至使用本發明的多階調光罩來將被轉印體上的阻劑膜曝光，經歷顯影製程所形成之阻劑圖案的形狀。亦即，在使用本發明之多階調光罩而於被形成在被轉印體上的阻劑膜上形成對應半透光部部分的膜厚與對應遮光部或透光部部分的膜厚不同之圖案的情況下，能形成如下的阻劑圖案：當將對應前述透光部或遮光部之顯影後之阻劑膜厚設為100%，包含對應前述半透光部的顯影後阻劑膜之寬度方向的中央，且將膜厚變動為2%以下的區域設為平坦部時，平坦部的寬度超過前述多階調光罩中之對應寬度A之半透光部部分的寬度之50%者。
因此，當使用本發明之多階調光罩，將半透光部的圖案轉印於被轉印體上的阻劑膜時，能具有大致一定膜厚的平坦部，且形成所需膜厚範圍的阻劑圖案。藉此，變得容易控制形成在被轉印體的圖案尺寸，圖案的線寬精度提高。
又，依照本發明的話，除了上述的效果以外，相較於過去的藉由遮光膜形成微細圖案的半透光部(微細圖案型的多階調光罩)，半透光部的圖案(以半透光膜所形成之半透光膜形成部)所容許的線寬範圍廣，製作遮罩時的線寬管理容易。因此，量產上的優勢大。進一步地，當遮罩使用者考慮所欲適用的加工製程(阻劑素材、顯影條件、蝕刻條件等)時，能製得具有用以製得所須高度的阻劑圖案之所需透過率的遮罩。此設計，可將被包含在半透光部之2種半透光區域的透過率分別設定為所需者。又，依照本發明的話，便不須要在製造裝置時準備極高解像度(光NA)的曝光機，即使使用現行的曝光機，亦能充分對應TFT通道部的微細化，所以在製造裝置方面是很大的優勢。
接著，針對為了使本發明的效果明確而舉出之實施例加以說明。
(實施例)
在第1圖所示之圖案中，藉由上述方法，製作具有分別將半透光部3的寬度設為3.6μm，將第2半透光區域13的寬度設為0.8μm(第1半透光區域12的寬度為2.0μm)之半透光部3的多階調光罩1。此時，半透光部3的構成係設為第4圖(b)所示之構造，使用鉻作為構成遮光膜11的材料，使用MoSi作為構成第2半透光區域13的材料，使用氧化鉻作為構成構成第1半透光區域12之積層膜的另一方的半透光膜15之材料。又，以使第1半透光區域12的透過率成為45%，使第2半透光區域13的透過率成為25%的方式調整半透光膜14、15的厚度。又，在此所謂的半透光膜14、15的透過率，係指膜固有的透過率，並非後述之實效透過率。
將使用此種多階調光罩對被轉印體上的阻劑膜進行圖案轉印時之實效透過率TA 的曲線(curve)顯示於第8圖(a)、(b)(第8圖(b)顯示第8圖(a)的部分放大)。能舉出實效透過率作為直接支配實際上所形成之阻劑圖案的殘膜值範圍(range)者。藉由利用實效透過率的管理進行殘膜值的管理，即使在有狹窄寬度之圖案的情況下，亦能經常穩定地製得所須殘膜值之阻劑圖案。
在此，所謂的實效透過率，意味實際上透過遮罩之曝光光線的透過率，係將透光部(相對於曝光機的解像度為充分寬者)的透過率設為100%時之透過率。一旦圖案寬度變小，便會受到繞射的影響，受到鄰接圖案的影響而透過率會變化，使其反映那種影響的透過率。因為實效透過率係考慮除了膜固有的透過率以外，還考慮光學條件及圖案設計的指標，所以是正確反映殘膜值狀況的指標，適於作為殘膜值管理用的指標者。又，能將在透過半透光部之光強度分布中，具有最大值部分的透過率設作為實效透過率的基準值。這是因為具有當使用例如此光罩，在被轉印體上形成正型阻劑的阻劑圖案時，與在半透光部所產生之阻劑殘膜值的最小值的相關性。對於這種範圍管理，例如，當薄膜電晶體的通道區域寬度為5μm以下時特別有效。
作為測定上述實效透過率的手段，較佳為使其再現或近似由曝光機所產生之曝光條件。作為該種裝置，可舉出例如第9圖所示之裝置。此裝置是主要由光源21、將來自光源21的光照射至光罩23的照射光學系22、使透過光罩23的光成像之對物透鏡系24、及將經過對物透鏡系24所得到的像加以拍攝的攝像手段25所構成。
光源21係發出既定波長光束者，能使用例如鹵素燈、金屬鹵化物燈、UHP燈(超高壓水銀燈)等。例如，能使用具有近似使用遮罩之曝光機的分光特性的光源。
照射光學系22係導引來自光源21的光而將光照射於光罩23。此照射光學系22為了將數值孔徑(NA)設為可變，具備有光闌機構(孔徑光闌27)。此照射光學系22較佳為具備有用於調整光罩23中之光的照射範圍之視野光闌26。經過此照射光學系22的光被照射於藉由遮罩保持具23a所保持之光罩23。此照射光學系22被配設在框體33內。
光罩23係藉由遮罩保持具23a所保持。此遮罩保持具23a，係以將光罩23的主平面設為約垂直的狀態，支持此光罩23的下端部及側緣部附近，成為使此光罩23傾斜、固定而保持的樣子。此遮罩保持具23a，以光罩23而言，係成為能保持大型(例如，主平面為1220mm×1400mm，厚度13mm者，或其以上者)，且，各種大小的光罩23。又，「約垂直」係指第9圖中以θ表示之離鉛直的角度為約10度以內。被照射在光罩23的光會透過此光罩23而被入射至對物透鏡系24。
對物透鏡系24係例如由以下所構成：第1群(模擬器透鏡(simulator lens))24a，係射入透過光罩23的光，對此光束施以無限遠補正而成為平行光；及第2群(成像透鏡)24b，係使經過此第1群的光束成像。模擬器透鏡24a具備有光闌機構(孔徑光闌27-1)，使數值孔徑(NA)成為可變。經過對物透鏡系24的光束係藉由攝像手段25受光。將此對物透鏡系24配設於框體33-1內。
此攝像手段25拍攝光罩23的像。能使用例如CCD等之攝像元件作為此攝像手段25。
在此裝置中，因為分別使照射光學系22的數值孔徑及對物透鏡系24的數值孔徑成為可變，所以能改變照射光學系22的數值孔徑之對對物透鏡系24的數值孔徑之比，即Sigma值(σ：同調性(Coherence))。
又，在此裝置中，設置有：演算手段31，係針對藉由攝像手段25所獲得之攝影畫像進行畫像處理、演算、與既定的閾值(threshold value)之比較及顯示等；控制手段34，係具有顯示手段；及移動操作手段35，係改變框體33的位置。因此，能使用所獲得的攝影畫像、或根據其所獲得的光強度分布，藉由控制手段進行既定的演算，求出在使用其他曝光光線的條件下之攝影畫像、或光強度分布及透過率。
第9圖所示之具有此種構成的裝置，係使NA與σ值成為可變，光源的光線源亦能改變，所以能再現各種曝光機的曝光條件。在簡易地近似一般液晶顯示裝置用等之大型光罩的曝光裝置的情況下，使用已將由i線、h線、g線所產生之光強度一致化的照射光，在曝光光學系方面可以適用NA為0.08左右、係屬照射系與對物系的NA比之同調性σ為0.8左右的條件。
考慮上述情事，在本發明中，較佳為根據圖案形狀及使用的半透光膜(較佳為也考慮曝光機的光源波長分布、光學系的條件)，由實際上所欲獲得的光罩透過率(實效透過率)，計算、決定使用之半透光膜的透過率(充分寬廣面積中之透過率)，進行光罩的設計。
由第8圖(a)、(b)可知，在實效透過率曲線(光透過強度分布曲線)之多階調光罩中之對應寬度A之前述半透光部的部分中，包含半透光部寬度方向的中央，且當將透光部的曝光光線透過率設為100%時、透過率之變動量為2%以下的區域(平坦區域)的比例超過50%。因此，考量使用此多階調光罩形成阻劑圖案的話，便能形成如下的阻劑圖案：將對應透光部或遮光部之顯影後的阻劑膜厚設為100%，在對應半透光部之區域的中央具有顯影後的阻劑膜的膜厚變動為2%以下的平坦部，其寬度超過對應寬度A之半透光部的寬度之50%。
(比較例)
在第1圖所示之圖案中，除了將半透光部3的寬度設為3.6μm，以透過率為40%的半透光膜(MoSi膜)構成半透光部3以外，與實施例同樣地進行而製作多階調光罩。於第8圖(a)、(b)顯示使用此種多階調光罩來對被轉印體上的阻劑膜進行圖案轉印時之實效透過率TA 之曲線。由第8圖(a)、(b)可知，成為在多階調光罩中之對應寬度A的前述半透光部的部分沒有平坦區域的形狀之阻劑圖案。
接著，使用第10圖及第11圖說明使用本發明之多階調遮罩的TFT基板製造製程的一個例子。在玻璃基板41上形成閘極用金屬膜，藉由使用光罩的光微影製程形成閘極42。接著，形成閘極絕緣膜43、第1半導體膜44(a-Si)、第2半導體膜45(N+ a-Si)、源極汲極用金屬膜46、及正型光阻膜47(第10圖(a))。接著，如第10圖(b)所示，使用具有遮光部51、透光部52及半透光部53之多階調光罩50，將正型光阻膜47曝光、顯影，藉以覆蓋TFT通道部及源極汲極形成區域、資料線形成區域，且形成通道部形成區域比源極汲極形成區域薄的第1阻劑圖案47a。
接著，如第10圖(c)所示，以第1阻劑圖案47a作為遮罩，蝕刻源極汲極用金屬膜46及第2半導體膜45、第1半導體膜44。接著，如第11圖(a)所示，利用由氧所產生的灰化處理(ashing)去除通道部形成區域之薄的阻劑膜，形成第2阻劑圖案47b。接著，如第11圖(b)所示，以第2阻劑圖案47b作為遮罩，蝕刻源極汲極用金屬膜46，形成源極/汲極46a、46b，接著，蝕刻第2半導體膜45，最後，如第11圖(c)所示，剝離殘留的第2阻劑圖案47b。
如此一來，一旦使用本發明的多階調光罩，將TFT圖案轉印至阻劑膜，便能形成具有約一定膜厚的平坦部及所需膜厚範圍的阻劑圖案，所以變得易於控制形成於被轉印體上之TFT圖案的尺寸，TFT圖案的線寬精度提高。
本發明不限定於上述實施形態，能夠適當變更而實施。上述實施形態中之構件的個數、尺寸、處理順序等係一個例子，可在發揮本發明效果的範圍內進行各種變更而實施。此外，僅在不脫離本發明目的之範圍內可進行各種變更而實施。
1、50．．．多階調光罩
2、51．．．遮光部
3、53．．．半透光部
4、52．．．透光部
10．．．透明基板
12．．．第1半透光區域
13．．．第2半透光區域
14、15．．．半透光膜
16、16-1．．．阻劑膜
16a、16b．．．硬化的阻劑膜
21．．．光源
22．．．照射光學系
23．．．光罩
23a．．．遮罩保持具
24．．．對物透鏡系
24a．．．第1群(模擬器透鏡)
24b．．．第2群(成像透鏡)
25．．．攝像手段
26．．．視野光闌
27、27-1．．．孔徑光闌
31．．．演算手段
32．．．顯示手段
33、33-1．．．框體
34．．．控制手段
35．．．移動操作手段
41．．．玻璃基板
42．．．閘極
43．．．閘極絕緣膜
44．．．第1半導體膜
45．．．第2半導體膜
46．．．源極汲極用金屬膜
46a、46b．．．源極/汲極
47．．．正型光阻膜
47a．．．第1阻劑圖案
47b．．．第2阻劑圖案
P．．．平坦區域
A．．．寬度，遮光部
B．．．半透光部
θ．．．離鉛直的角度
TA ．．．實效透過率
第1圖係顯示本發明實施形態之多階調光罩的平面圖。
第2圖係顯示本發明實施形態的多階調光罩中之半透光部之對波長365nm~436nm的光透過強度分布曲線之圖。
第3圖(a)係顯示透過率曲線的圖，第3圖(b)係顯示含有遮光部及半透光部的圖案的圖。
第4圖(a)~(c)係各別顯示本發明實施形態之多階調光罩的構成例之圖。
第5圖(a)、(b)係用於說明顯示於第4圖(a)的構成之製造製程的圖。
第6圖(a)~(c)係用於說明顯示於第4圖(b)的構成之製造製程的圖。
第7圖(a)~(g)係用於說明顯示於第4圖(c)的構成之製造製程的圖。
第8圖(a)係顯示使用本發明實施形態的多階調光罩及過去的多階調光罩，對被轉印體上的阻劑膜進行圖案轉印時的實效透過率的圖，第8圖(b)係放大其一部分的圖。
第9圖係顯示用於測定實效透過率之裝置的概略構成圖。
第10圖(a)~(c)係用於說明使用本發明實施形態之多階調光罩的TFT基板的製造製程之圖。
第11圖(a)~(c)係用於說明接續顯示於第10圖(c)之製程所進行的製程之圖。
第12圖係顯示過去多階調光罩的一例中之半透光部之對波長365nm~436nm的光透過強度分布曲線的圖。
第13圖係顯示過去多階調光罩的其他例中之半透光部之對波長365nm~436nm的光透過強度分布曲線的圖。
1．．．多階調光罩
2．．．遮光部
3．．．半透光部
4．．．透光部
12．．．第1半透光區域
13．．．第2半透光區域
A．．．寬度

Claims (11)

  1. 一種多階調光罩，係在透明基板上具有半透光膜及遮光膜，藉由該半透光膜及該遮光膜的圖案形成遮光部、透光部、及半透光部的多階調光罩，其特徵為，在平面觀察中，該多階調光罩具有位居分開的2個該遮光部間的寬度6μm以下的半透光部，在該半透光部配置具有第1透過率的第1半透光區域，並且於該2個遮光部與該第1半透光區域之間，分別配置有第2半透光區域以使該半透光部的光透過強度分布曲線的平坦部變大，該第2半透光區域具有比該第1透過率高的第2透過率且具有在曝光條件下解像界限以下的尺寸，在該第2半透光區域，形成透過率比該第1半透光區域高的半透光膜，且該半透光部之對該透光部的相位差為60°以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之多階調光罩，其中在關於該半透光部寬度方向之光透過強度分布曲線中，包含該半透光部寬度方向的中央，且當將設該透光部的曝光光線透過率為100%時、透過率變動量為2%以下的區域設為平坦區域時，該平坦區域的比例為超過該寬度的50%者，其中前述關於該半透光部寬度方向之光透過強度分布曲線，係在由具有包含i線~g線波長段的光源的液晶顯示裝置製造用曝光裝置所形成的曝光條件下獲得。
  3. 如申請專利範圍第1項之多階調光罩，其中被夾在該遮光部間之半透光部的寬度為3μm~6μm。
  4. 如申請專利範圍第1項之多階調光罩，其中該第1半透光區域的透過率與該第2半透光區域的透過率之間的差為10%~50%。
  5. 如申請專利範圍第1項之多階調光罩，其中利用形成於透明基板上之第1半透光膜與第2半透光膜的積層來構成該第1半透光區域，利用形成於透明基板上之該第1或第2半透光膜來構成該第2半透光區域，藉以使該第2半透光區域的透過率比該第1半透光區域高。
  6. 如申請專利範圍第1項之多階調光罩，其中利用形成於透明基板上之第1膜厚的半透光膜來構成該第1半透光區域，利用形成於透明基板上之第2膜厚的半透光膜來構成該第2半透光區域，藉以使該第2半透光區域的透過率比該第1半透光區域高。
  7. 如申請專利範圍第1項之多階調光罩，其中該多階調光罩為將具有膜厚不同的部分之阻劑圖案形成在被轉印體上的阻劑膜。
  8. 如申請專利範圍第7項之多階調光罩，其中該多階調光罩為用於製造薄膜電晶體用基板的光罩。
  9. 一種製造多階調光罩之方法，係在透明基板上具有半透光膜及遮光膜，藉由該半透光膜及該遮光膜的圖案形成遮光部、透光部、及半透光部的多階調光罩，其特徵為， 在平面觀察中，將形成半透光膜所構成的、寬度6μm以下的該半透光部配置於分開的2個該遮光部間，在該半透光部配置具有第1透過率的第1半透光區域，並且在該2個遮光部與該第1半透光區域之間，分別配置第2半透光區域以使該半透光部的光透過強度分布曲線的平坦部變大，該第2半透光區域具有比該第1透過率高的第2透過率且具有在曝光條件下解像界限以下的尺寸，在該第2半透光區域，形成透過率比該第1半透光區域高的半透光膜，該半透光部之對該透光部的相位差為60°以下。
  10. 一種圖案轉印方法，包括：使用如申請專利範圍第1至8項中任一項之多階調光罩，在已形成於被轉印體之阻劑膜中之對應該半透光部的部分，將可形成與該遮光部或該透光部不同膜厚的阻劑膜之潛像轉印於該阻劑膜。
  11. 一種圖案轉印方法，包括：使用藉由如申請專利範圍第9項之製造多階調光罩之方法所製造的多階調光罩，在已形成於被轉印體之阻劑膜中之對應該半透光部的部分，將可形成與該遮光部或該透光部不同膜厚的阻劑膜之潛像轉印於該阻劑膜。
TW098125143A 2008-07-28 2009-07-27 多階調光罩及圖案轉印方法 TWI425308B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008194187A JP5319193B2 (ja) 2008-07-28 2008-07-28 液晶表示装置製造用多階調フォトマスク、液晶表示装置製造用多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201011456A TW201011456A (en) 2010-03-16
TWI425308B true TWI425308B (zh) 2014-02-01

Family

ID=41737289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098125143A TWI425308B (zh) 2008-07-28 2009-07-27 多階調光罩及圖案轉印方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5319193B2 (zh)
KR (1) KR101176262B1 (zh)
TW (1) TWI425308B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010276724A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Hoya Corp 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
JP2012008546A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
US9196742B2 (en) 2010-08-04 2015-11-24 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display panel
JP6370755B2 (ja) * 2015-09-11 2018-08-08 東芝メモリ株式会社 マスク及びパターン形成方法
JP6557638B2 (ja) * 2016-07-06 2019-08-07 株式会社エスケーエレクトロニクス ハーフトーンマスクおよびハーフトーンマスクブランクス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6010807A (en) * 1997-11-22 2000-01-04 United Microelectronics Corp. Phase-shifting mask for photolithography in semiconductor fabrications
TW486605B (en) * 2000-01-12 2002-05-11 Shinetsu Chemical Co Phase shift mask blank substrate, phase shift mask, and method of manufacturing the same
JP2007249198A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Hoya Corp ４階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク
JP2008065139A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586647B2 (ja) * 2000-12-26 2004-11-10 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスク及びその製造方法
JP4919220B2 (ja) * 2005-02-28 2012-04-18 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスク
JP5228390B2 (ja) * 2006-07-21 2013-07-03 大日本印刷株式会社 階調マスク
JP5036328B2 (ja) * 2007-01-24 2012-09-26 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスク及びパターン転写方法
JP5193715B2 (ja) * 2008-07-18 2013-05-08 株式会社エスケーエレクトロニクス 多階調フォトマスク

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6010807A (en) * 1997-11-22 2000-01-04 United Microelectronics Corp. Phase-shifting mask for photolithography in semiconductor fabrications
TW486605B (en) * 2000-01-12 2002-05-11 Shinetsu Chemical Co Phase shift mask blank substrate, phase shift mask, and method of manufacturing the same
JP2007249198A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Hoya Corp ４階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク
JP2008065139A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク

Also Published As

Publication number Publication date
JP5319193B2 (ja) 2013-10-16
KR101176262B1 (ko) 2012-08-22
JP2010032737A (ja) 2010-02-12
TW201011456A (en) 2010-03-16
KR20100012831A (ko) 2010-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5555789B2 (ja) フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法
JP5254581B2 (ja) フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP5036328B2 (ja) グレートーンマスク及びパターン転写方法
JP5160286B2 (ja) 多階調フォトマスク、パターン転写方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
KR101624436B1 (ko) 대형 위상 시프트 마스크 및 대형 위상 시프트 마스크의 제조 방법
TWI745873B (zh) 光罩、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法
JP5363767B2 (ja) フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びデータベース
KR101140054B1 (ko) 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법
TWI425308B (zh) 多階調光罩及圖案轉印方法
JP2009053683A (ja) グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、グレートーンマスクの検査方法、並びにパターン転写方法
TWI620001B (zh) Photomask and color filter manufacturing method
JP5538513B2 (ja) 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP5185158B2 (ja) 多階調フォトマスクの評価方法
JP5460981B2 (ja) フォトマスク情報の取得方法、フォトマスクの品質表示方法、電子デバイスの製造支援方法、電子デバイスの製造方法及びフォトマスク製品
JP2010107970A (ja) 多階調フォトマスク及びその製造方法
JP5108551B2 (ja) 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法
JP5185154B2 (ja) 多階調フォトマスクの検査方法
TWI422964B (zh) 多階調光罩
JP2009237569A (ja) 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法
JP2009037203A (ja) パターン形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法、並びにフォトマスク
WO2010150355A1 (ja) 多階調フォトマスク
JP5097528B2 (ja) 多階調フォトマスク
JP2009258693A (ja) 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法