TW486409B - Cloth cleaning device and polishing machine - Google Patents

Cloth cleaning device and polishing machine Download PDF

Info

Publication number
TW486409B
TW486409B TW089124626A TW89124626A TW486409B TW 486409 B TW486409 B TW 486409B TW 089124626 A TW089124626 A TW 089124626A TW 89124626 A TW89124626 A TW 89124626A TW 486409 B TW486409 B TW 486409B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polishing
polishing cloth
nozzle
cloth
pressure water
Prior art date
Application number
TW089124626A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinobu Nishimoto
Makoto Nakajima
Yoshio Nakamura
Yasuhide Denda
Chihiro Miyagawa
Original Assignee
Fujikoshi Kikai Kogyo Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikoshi Kikai Kogyo Kk filed Critical Fujikoshi Kikai Kogyo Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW486409B publication Critical patent/TW486409B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Description

五、發明說明(1) 發明背景 <發明領域> 本發明是關於一拋光布清洗裝置和一晶圓拋光機。 半導體晶圓表面在形成積體電路之前必須先精密拋光形成 均勻厚度的鏡面。 有許多種晶圓拋光機被用來拋光半導體晶圓。
第β圖和萆9圖是傳統晶圓抛光機其中之一。晶圓拋光 機10具有一拋光盤12,其上面覆蓋有一在水平面上旋轉拋 光布。一中央滾輪14,可以在拋光盤丨2的中央自由轉動。 多個工件盤1 6在拋光布上。被拋光的工件如半導體晶圓, 黏著在每個工件盤16的底面,而其底面與拋光布接觸。 第1 0圖是半導體晶圓1 7黏著在工件盤1 6上的情形。如 第9圖引導滚輪1 8在拋光盤1 2的外邊緣附近,而工件盤丄6 的外圓周面與中央滚輪14和引導滾輪18接觸。拋光盤12沿 箭頭〃 A”的方向旋轉,但是工件盤16由中央滾輪14和引導 滾輪1 8維持在預定位置。 如第9圖,引導滾輪18由升降機構垂直移動,其垂直 移動距離大於或等於工件舣^ ^ ^ ^ 1卞ϋ b的y子度。當引導滾輪1 8在]
低位置時,其接近抛先般1 9 、直ϋ ,、條n尤义1?的外邊緣所以會與工件盤16丨 外圓周面接觸,當引導滚私1 η -¾. ^19 Λ, ^ ,哀輪18在取向位置時,其遠離拋; 盤1 2的外邊緣所以工件盤1 R 竑 卞皿ib可以猎由拋光盤12的旋轉穿; 中央滚輪14和引導滾輪18之間的空隙。 ^ 必須注意的是,引導、、奋认n Q ^ 、耸★ 等/发輪18可以精由,舉例來說,;
‘滾輪1 8的搖擺臂,在接$ #、专M 攻和遂_拋光盤1 2外邊緣的位:
第6頁 五、發明說明(2) 之間移動。但 某些情況,引 輪18。 壓頭2 0以 頭2 0分別以適 上。因此,半 的拋光,布拋光 必須注意 動。 拋光半導 的驗性研磨液 面可以被機械 懸臂22的 裝置23底面的 懸臂2 2可 轉。拋光半導 拋光布時,懸 清洗拋光布時 因為在研 清洗拋光布, 所以拋光布的 然而,在 1 4供應清洗水 以無法回復拋 是並不一定需要引導滾輪18 導滾輪18是固定在預定位置 垂直方式移動。當壓頭20在 當力量壓工件盤16和半導體 導體晶圓的底面可以被與拋 的移動機構。在 或是沒有引導滾 最低位置時,壓 晶圓到拋光布 光盤1 2 —起旋轉 的是,壓頭2 0可以對著他們的軸心自由轉 體晶圓時,注入含有研磨顆 到旋轉的拋光布上。因此, 和化學抛光成鏡面。 前端具有一固定裝置23用來 毛刷(未圖示)可以刷洗拋光 以左右搖擺或對拋光盤1 2外 體晶圓時,懸臂22位於拋光 臂22在拋光盤12上方對旋轉 ,清洗水由中央滾輪1 4徑向 磨半導體晶圓時會產生研磨 而且反應物會逐漸滲透並附 抛光效率會降低。 傳統晶圓拋光機中,拋光布 和刷洗。由於抛光布無法完 光布的拋光效率。而且,固 粒如氧化矽顆粒 半導體晶圓的底 清洗。位於固定 布表面。 面的旋轉軸24旋 盤1 2外面;清洗 軸24左右搖擺。 流到拋光布上。 顆粒,所以必須 著在拋光布上, 只能由中央滾輪 全清洗乾淨,所 定裝置23具有固
第7頁 五、發明說明(3) 定寬度,當懸臂22左右搖擺時固定裝置23必須由中央滾輪 1 4向後移動以避免與中央滾輪1 4碰撞,所以中央滾輪丨4外 圓周面附近的抛光布部份無法完全清洗乾淨。 <發明之總論> 本發明的目的是提供一可以完全清洗中央滾輪附近抛 光布的拋光布清洗裝置和晶圓抛光機。 為了達到這個目的,本發明具有下列結構。 晶圓拋光機的拋光布清洗裝置具有··一拋光盤其上面 覆蓋拋光布;一驅動裝置以旋轉拋光盤;一中央滾輪在拋 光盤中央;一工作盤,被拋光的工件黏著於其上而其外圓 $ 周面與中央滾輪的外圓周面接觸,位於拋光布上所以工件 _ 可以與拋光布接觸;一壓頭將工件盤壓到拋光布上;和一 ‘ 研磨液,供給機構以注入研磨液到拋光布上, : 具有· 一沿拋光布平行平面移動的懸臂2 2,在拋光布上方的 第一位置和拋光布外面的第二位置之間移動; 一附在懸臂上的噴嘴喷出高壓水到拋光布上;和 一包覆裝置包覆喷嘴以避免喷嘴喷出的高壓水濺出, · 其中喷嘴面向中央滾輪而當懸臂將喷嘴移近中央滾輪 j 時高壓水喷向中央滾輪附近的拋光布部份。 零’ 而晶圓抛光機,具有: 一拋光盤其上面覆蓋拋光布; 一驅動裝置以旋轉拋光盤; 一中央滾輪位於拋光盤的中央;
第8頁
、工作盤,被拋光的工件黏著於其上而其外圓周面與 中央滾輪的外圓周面接觸,位於拋光布上所以工件可以盥 拋光布接觸; • 一壓頭將工件盤壓到拋光布上; 一研磨液供給機構以注入研磨液到拋光布。 一沿拋光布平行平面移動的懸臂,在拋光布上方的第 一位置和拋光布外面的第二位置之間移動; 一附在懸臂上的喷嘴喷出高壓水到拋光布上;和 一包覆裝置包覆喷嘴以避免喷嘴喷出的高壓水濺出, 其中喷嘴面向中央滾輪而當懸臂將喷嘴移近中央滾輪時高 壓水喷向中央滾輪附近的拋光布部份。 晶圓拋光機可以更具有一在拋光盤外邊緣附近的引導 滚輪’和工件盤的外圓周面可以與中央滾輪和引導滾輪的 外圓周面接觸。 在本發明中,噴嘴角度可以在喷嘴面向中央滾輪的第 一角度和喷嘴垂直拋光布的第二角度之間改變。 喷嘴形成的高壓水橫截面可以在懸臂移動方向較長。 包覆裝置可以利用塑膠網包覆喷嘴。 在本發明中的拋光布清洗裝置和晶圓拋光機,中央滾 輪附近的拋光布可以被完全清洗,所以工件可以用更高的 拋光效率來進行拋光並延長昂貴拋光布的壽命。 本發明實施例將藉由附圖和範例來說明。 <較佳具體實施例之詳細描述> 下面將參考附圖來說明本發明實施例。本發明實施例 4Γ64 ⑽
的晶圓拋光機基本結構與第8 一10圖的傳統晶圓拋光機相 同所以將使用與發明背景中所解釋元件相同的符號並省 略解釋。
晶圓拋光機10具有拋光盤12,其上面以拋光布12a覆 蓋;一驅動機構(如馬達33)旋轉拋光盤12 ;中央滾輪14在 抛光盤12的中央;工件盤16,被拋光的工件(如半導體晶 圓)黏葦於每個之上其外圓周面與中央滾輪14的外圓周面 接觸’具有抛光布12a使工件與拋光布12a接觸;壓頭20將 工件盤1 6壓到拋光布1 2 a上;一研磨液供給機構1 5注入鹼 性研磨液到拋光布12a ;和一拋光布清洗裝置3〇。拋光布 清洗裝置30具有:一懸臂22可以在平行拋光布12a平面上 的抛光布12a上方的第一位置和拋光布12a外面的第二位置 之間左右搖擺或對旋轉軸2 4旋轉;一噴嘴3 1附在懸臂2 2並 喷出高壓水到拋光布12a ;和一包覆裝置40包覆喷嘴31以 避免由喷嘴31喷出的高壓水濺出。喷嘴31面向中央滾輪 14 ’當懸臂22移動噴嘴31接近中央滾輪14時,高壓水喷向 中央滾輪1 4附近的拋光布1 2 a部份。
而晶圓拋光機具有:拋光盤1 2其上面覆蓋拋光布;驅 動裝置33以旋轉拋光盤12 ;拋光盤中央具有中央滾輪14 ; 工作盤16,被拋光的工件黏著於每個之上而其外圓周面與 中央滾輪14的外圓周面接觸,位於拋光布12a上所以工件 可以與拋光布12a接觸;壓頭20將工件盤16壓到拋光布12a 上;研磨液供給機構1 5注入研磨液到拋光布1 2a ; —懸臂 22可以在平行拋光布12a平面上的拋光布12a上方的第一位
第10頁 五、發明說明(6) 置和拋光布1 2a外面的第二位置之間左右搖擺或對旋轉轴 24旋轉;喷嘴31附在懸臂22和喷出高壓水到拋光布12a ; 和一包覆機構4 0包覆喷嘴3 1以避免高壓水濺出,其中喷嘴 31面向中央滾輪14而當懸臂22移動喷嘴31接近中央滾輪i 4 時高壓水喷向中央滾輪1 4附近的拋光布1 2 a部份。 在每個範例中’在拋光盤1 2外邊緣附近具有引導滚輪 1 8,而工件盤1 6的外圓周面與中央滾輪14和引導滾輪丨8接 觸。 如上述,本發明的特徵是拋光布清洗裝置3 〇和具有拋 光布清洗方法的晶圓拋光機。 第1圖是第一實施例的抛光布清洗裝置3 0的懸臂2 2和 喷嘴31。 懸臂2 2的底端固定在旋轉軸2 4,而懸臂2 2在平行拋光 布12a的平面上左右搖擺或旋轉。藉由這個結構,懸臂22 的前端可以在拋光盤12上方的第一位置和其外的第二位置 之間移動。 旋轉軸24由具有減速單元32的馬達33轉動。
感應器33偵測旋轉軸24的旋轉角度,所以可以知道懸 臂22的旋轉角度。 固定箱36固定在懸臂22的前端。喷嘴31對角線地穿過 固定箱36並由固定裝置37固定在固定箱36。 一圓柱蓋38,覆蓋喷嘴31的一邊,固定在固定箱36的 底面。而且包覆高壓水喷嘴侧邊以避免高壓水濺出的包覆 裝置40,固定在圓柱蓋38。
第11頁
包覆裝置40具有 板诚· ^Γ 狂固定裝置41固定在圓柱蓋38的 低,和圓柱塑膠網42, 斑十_ 固定在固定裝置41。母们$成’舉例來况,網目狀, 每-施例中,如第3圖和第4圖,-對塑膠網42, H 豐而折疊線形成-低邊緣,被重疊在-起。重 4以去闰一、散匕人U疋裝置41和框型裝置43之間並由螺 播團不)固定。藉由這個結構,塑膠網42具有四網結 稱0 每個塑膠網42的網目尺寸約為lmm,而其厚度為 性mD1。因此,構成四網結構的塑膠網42,具有足夠的彈 可以選擇性地設計。而且塑膠
二網結 塑膠網4 2的網目和硬度 網4 2並不限於四網結構,也 構’六網結構)。 •喷嘴31成對角線配置。也就是,當懸臂22位於旋轉點 24和中央滾輪14的連接線上時,喷嘴31的低端面向中央 輪14,所以由喷嘴31對角線喷出的高壓水,可以噴向中= 滾輪1 4外邊緣附近的拋光布1 2 a。 、 士,弟2圖β疋所示’當懸臂2 2位於該位置時,塑膠網 42非常靠近中央滾輪14的外圓周面而高壓水31a噴向塑膠 網42在中央滾輪1 4側内面的低端。在第一實施例中,噴出 的水31a可以達到距離中央滾輪14外邊緣7mni的位置。、 咼壓水經由壓阻水管44供應給喷嘴31。高壓水的壓力 〔約30kg/cm2(2.94Mpa)或更多〕可以自由設定。 五、發明說明(8) 晶圓拋光機的動作解釋如下。 當清洗拋光布1 2 a時,引導滾輪1 8移向上而懸臂2 2由 馬達33左右搖擺。懸臂22的旋轉角度由偵測旋轉軸24旋轉 角度的感測器3 4偵測,所以懸臂2 2的擺動可以控制而不至 於將喷嘴31移離拋光布12a。
一幫浦(未圖示)供應高壓水,而高壓水31a由噴嘴31 喷向拋,光布12a,所以已經附著在拋光布12a上的研磨顆粒 和反應物,可以藉由高壓水3 1 a清洗。具有顆粒和反應物 的水經過塑膠網42的網目和塑膠網42低端和拋光布12a之 間的空隙通到拋光布1 2a上。而且,顆粒和反應物藉由中 央滾輪1 4徑向流出的水通到拋光布1 2 a外面。藉由這個動 作,附著在拋光布1 2 a上的顆粒和反應物,可以由拋光布 12a上去除,所以拋光布12a可以反覆高拋光效率和再使 用。 由於塑膠網42為四網結構,高壓水31a的壓力會降低 而水31a與反應物等一起排出,所以具有反應物的水31a不 會濺到四周。而四周可以維持乾淨。
如上述,塑膠網42的結構並不限於此。也就是,任何 可以避免高壓水31a濺到四周的結構,都可來 裝置4 0。結構可以根據情況自由改變。 .....' 在第一實施例中,塑膠網42沿著低端折疊。低端可以 黏接在圓周方向。藉由適當的黏接寬度,即使塑膠網仏的 低端被研磨也可以避免塑膠網42的塑膠纖維露出,所以可 以延長塑膠網42的壽命。
第13頁 五、發明說明(9) 如上述,當懸臂22位於旋轉軸24和中央滾輪14連接線 上時,塑膠網42非常接近中央滾輪14的外圓周面,而高壓 水3 1 a由面向中央滾輪1 4對角線配置的噴嘴3 1喷向塑膠網 42内面的低端,所以中央滾輪14附近的拋光布12a部分可 以被完全地清洗。 如上述,工件盤16的外圓周面與中央滾輪14的外圓周 面接觸,。工件如半導體晶圓1 7的外邊緣,與工件盤1 6的外 邊緣距離7mm,所以其與中央滾輪14的外圓周面距離約 7mm。因此’距離中央滾輪14外圓周面7mm的拋光布12a部 份’拋光半導體晶圓1 7的底面。藉由這個動作,附著在接 近中央滾輪1 4外邊緣拋光布1 2 a上的研磨顆粒和反應物可 以被去除,但是傳統方法卻無法完全去除拋光布丨2 a該部 份的研磨顆粒。 在第一實施例中,雖然半導體晶圓丨7的外邊緣距離工 ~ 件盤1 6外邊緣7mm,但是本發明適用於,半導體晶圓丨7外 . 邊緣和工件盤1 6外邊緣之間的距離小於7mm的情形。 第5圖疋局壓水3 1 a喷出形狀的橫截面解釋圖。 在本實施例中,噴嘴31的喷出口設計成高壓水31&的 , 喷出形狀的橫截面在懸臂22的移動方向"β”較長。也就 是,第5圖高壓水31a的喷出形狀的橫截面為黑公長擴7 φ 形。噴嘴31的噴出口也是形成長橢圓形。 由於喷出形狀形成長轴在” B”方向延伸的長橢圓形, 因此高壓水31a可以噴在拋光布12a上較長的時間,所以 央滾輪1 4附近傳統裝置無法完全清洗的部份可以完全清洗
第14頁 五、發明說明(10) 乾淨。 必須注意的是,高壓水3 1 a的喷出形狀橫截面並不限 於長橢圓形,也可以是圓形。 在第一實施例中,如第5圖,由於長橢圓形喷出形狀 長軸在"B11方向,所以塑膠網4 2和圓柱固定裝置41在"B方 向也較長。在這情形中’塑膠網42和固定裝置41的角落是 圓形的,所以當懸臂22左右擺動時塑膠網42和固定裝置41 不會被中央滾輪干擾。藉由這個結構,塑膠網4 2、固定裝 置41和喷嘴31可以更接近中央滾輪14。 最好是,噴嘴3 1由拋光布1 2a對垂直線的傾斜角約為 10 0 〇 如果傾斜角更大時,高壓水3 1 a與拋光布1 2a碰撞的能 量會降低。 必須注意的是,如果喷嘴31的角度在喷嘴31面向中央 滾輪14的第一角度和喷嘴31與拋光布垂直拋光布12a的第 二角度之間改變時,拋光布1 2 a可以更有效率地清洗。
為了改變喷嘴的角度,舉例來說,噴嘴3 1可旋轉地附 在旋轉軸上並由圓柱單元或馬達在對應於該第一和第二角 度間移動。 • 在改變喷嘴31角度的情形中,感應器34偵測懸臂22的 旋轉角度,如果喷嘴31接近中央滾輪14時,傾斜喷嘴31以 清洗中央滾輪14四周。另一方面,如果噴嘴31遠離中央滾 輪14時,傾斜噴嘴31使其垂直拋光布丨2a。藉由這種控 制’ 4以有效率地清洗拋光布1 2 a。
第15頁 4Γ64 ⑽ 五、發明說明 包後I置4 0的結構並不限於塑膠網4 2。舉例來說,包 覆喷,31的胃圓柱型毛刷,也可以用來作為包覆裝置4〇。 第6圖是第二實施例,另一包覆裝置的透視圖。 在第一貫施例中,多片與拋光布1 2 a相同材料的簾幕 布46,取代塑膠網42固定在固定裝置41上。由相同材料和 相同尺寸所構成的内層布46和外層布46,疊在一起。包夹 在固定·裝置41和框型裝置43之間並由螺釘固定。 内層布46中的布片47和外層布的布片並不對應。:藉由 這種結構,簾幕布4 6具有適當的柔軟性。 一通道48形成在簾幕布46後面的低端所以可以通入外 面的高壓水。 在第二實施例中也是一樣,附著在拋光布12a的研磨 顆粒和反應物,可以由高壓水31&清洗乾淨。含有研磨顆 粒和反應物的水通經由通道48和布片47到拋光布12&上。、 因為由喷嘴31喷出的高壓水會與簾幕布46的内面撞 擊,所以高壓水的壓力會降低,因此含有反應物等的水不 會濺向四周。四周可以維持乾淨。 内層布46和外層布46由相同材料構成,所以可以 相互磨耗。 必須注意的是,通道48不能省略。簾幕布46的數目, 尺寸等,可以根據高壓水壓力的情況自由設計。 •第7圖是第三實施例另一包覆機構的透視圖。 在第三實施例中,四片與拋光布12a材料相同 布50,取代塑膠網42固定在固定裝置41。並包夾在固定裝
五、發明說明(12) 置4 1和框型裝置4 3之間由螺釘固定。 在本包覆裝置中每邊都具有一片簾幕布50。布片51分 別形成在角落,所以簾幕布5 0具有適當的彈性。通道4 8形 成在簾幕布5 0後面部份的低端部份所以外面的高壓水可以 通入。在第三實施例中也是一樣,可以省略通道4 8 (?與上 文不同)。 第三實施例包覆裝置的動作幾乎與第二實施例相同 (第6圖),所以省略解釋。
在上述實施例中,喷嘴3 1和包覆裝置4 〇由懸臂2 2所移 動。但是本發明並不限於此實施例。任何其他可以在平行 抛光布12a平面上於拋光布12a上方的第一位置和拋光布 12a外面的第二位置之間移動喷嘴31和包覆裝置的裝 置,都可以用來取代懸臂2 2。 舉例來說,可以用一線性反覆移動的延長臂來取代懸 臂2 2。延長臂可以沿著拋光盤丨2外面的線性滑軌移動,並 引導延長臂在拋光盤12的徑向方向,移近和遠離中央滾輪 1 4。=長臂可以由具有滾珠螺桿或齒鍊的驅動裝置所驅 動。藉由伺服馬達,延長臂可以位於第一和第二位置。
在也是使用延長臂的情形中,喷嘴31可以和搖擺縣臂 22 -樣適當地移向中央滾輪14。而且,如果噴嘴31下傾而 噴嘴31的低端面向中央滾輪14,高壓水可以射向在中央滾 輪14附近的拋光布12a部份,所以抛光布⑴可以 洗乾淨。 、田t月 在上述貫施例中’半導體晶圓丨7為拋光工件。但工件
第17頁 五、發明說明(13) 必不限於半導體晶圓。 在拋光布清洗裝置和本發明的晶圓拋光機中,在中央 滾輪附近的拋光布可以被完全地清洗乾淨,所以工件可以 用較高的拋光效率精確地進行拋光並延長昂貴的抛光布壽 命。 、 本發明不限於上述實施例還包含饪何 2和範.圍的改變和變更。本實施例偉是範,禹離本發明精 只靶例,本發明的範圍由專利申請範園」但並不限於此 因此包含與專利申請範圍相等範圍和疋義而非前述, 去的所有改變。 Γ64⑽ 圖式簡單說明 第1圖是本發明拋光布清洗裝置第一實施例的解釋 圖, 第2圖是喷嘴附近的放大圖; 第3圖是作為包覆裝置的塑膠網透視圖; 第4圖是塑膠網的解釋圖; 第5圖是高壓水喷射形狀的橫截面解釋圖; 第6圖是第二實施例塑膠網的透視圖; « 1 第7圖是第三實施例塑膠網的透視圖; 第8圖是傳統晶圓拋光機大概的解釋圖; 和 第9圖是傳統晶圓拋光機拋光盤的平面圖 第1 0圖是黏著半導體晶圓工件盤的解釋圖 <圖式中元件名稱與符號對照>
10 晶 圓 拋 光 機 12 拋 光 盤 14 中 央 滚 輪 15 研 磨 液 供 給 機 構 16 工 件 盤 17 半 導 體 晶 圓 18 引 導 滚 輪 20 壓 頭 22 懸 臂 24 旋 轉 軸 30 拋 光布 清 洗 裝 置 第19頁 圖式簡單說明 31 :喷 嘴 31a :高壓水 32 減 速 單 元 33 驅 動 裝 置 33 馬 達 34 感 應 器 36 固 定 箱 37 固 定 裝 置 38 圓 柱 蓋 40 包 覆 裝 置 41 圓 柱 固 定 裝置 42 圓 柱 塑 膠 網 43 框 型 裝 置 44 壓 阻 水 管

Claims (1)

  1. 圍 六、申請專利範 1 · 一種晶圓拋光機的拋光布清洗裝置,包含··一拋光 V -jr- 般.^上面以拋光布覆蓋;一驅動裝置,以旋轉該拋光 i ’ 一中央滾輪,位於該拋光盤中央;一工作盤,被拋光 接5件黏著於其上而其外圓周面與該中央滾輪的外圓周面 ,係位於該拋光布上,所以工件可以與該拋光布接 瓜、、 壓頭’將該工件盤壓到該拋光布上;和一研磨液供 給ί幾構·,以注入研磨液到該拋光布上, 具有:
    ^ 一沿該拋光布平行平面移動的懸臂,在該拋光布上方 的弟位置和该拋光布外面的第二位置之間移動; 一喷嘴附在該懸臂上的喷出高壓水到該拋光布上;以 及 一包覆裝置,包覆該噴嘴以避免該噴嘴噴出的高壓水 錢出, 其中該喷嘴面向該中央滾輪,而當該懸臂將該喷嘴移 近該中央滾輪時,高壓水噴向該中央滾輪附近的該拋光布 部份。 2 ·如申請專利範圍第1項之拋光布清洗裝置,
    其中该喷鳴角度可以在該喷嘴面向該中央滾輪的第一 角度和該喷嘴垂直該拋光布的第二角度之間改/變二 3 ·如申請專利範圍第1項之拋光布清洗裂置, 其中嘴S形成的南壓水橫截面在該懸臂移動方白幸六 長。 4 ·如申請專利範圍第1項之拋光布清洗裝置,
    第21頁 六、申請專利範圍 其中該包覆裝置利用塑膠網包覆該喷嘴。 5. —種晶圓拋光機, 具有· 一拋光盤其上面覆蓋拋光布; 一驅動裳置以旋轉該抛光盤; 一中央滾輪位於該拋光盤的中央; 一孑作盤,被拋光的工件黏著於其上而其外圓周面與 該中央滾輪的外圓周面接觸,位於該拋光布上所以工件可 以與該拋光布接觸; 一壓頭將該工件盤壓到該拋光布上; 一研磨液供給機構以注入研磨液到該抛光布。 一懸臂沿平行該搬光布的平面移動,在該拋光布上方 的第一位置和該拋光布外面的第二位置之間移動; 一喷嘴附在該懸臂上喷出高壓水到該拋光布上;和 一包覆裝置包覆該喷嘴以避免該喷嘴喷出的高壓水濺 出, 其中該喷嘴面向該中央滾輪,而當該懸臂將該喷嘴移 近該中央滾輪時,高壓水喷向該中央滾輪附近的該拋光布 部份。 6 ·如申請專利範圍第5項之晶圓拋光機, 其更具有一引導滾輪在拋光盤外邊緣附近; 其中該工件盤的外圓周面與該中央滾輪和該滾輪 的外圓周面接觸。 A ^ 7·如申請專利範·圍第5項之晶圓拋光機,
    第22頁 4Γ640β 六、申請專利範圍 其中該喷嘴角度可以在該喷嘴面向該中央滾輪的第一 角度和該喷嘴該垂直拋光布的第二角度之間改變。 8. 如申請專利範圍第5項之晶圓拋光機, 其中該喷嘴形成的高壓水橫截面在該懸臂移動方向較 長。 9. 如申請專利範圍第5項之晶圓拋光機, 其,中該包覆裝置利用塑膠網包覆該噴嘴。
TW089124626A 1999-11-25 2000-11-21 Cloth cleaning device and polishing machine TW486409B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33463199 1999-11-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW486409B true TW486409B (en) 2002-05-11

Family

ID=18279549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089124626A TW486409B (en) 1999-11-25 2000-11-21 Cloth cleaning device and polishing machine

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6705929B1 (zh)
EP (1) EP1103345B1 (zh)
JP (1) JP2001212750A (zh)
KR (1) KR20010051908A (zh)
DE (1) DE60038861D1 (zh)
MY (1) MY122616A (zh)
TW (1) TW486409B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7258599B2 (en) * 2005-09-15 2007-08-21 Fujitsu Limited Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device
JP4901301B2 (ja) * 2006-05-23 2012-03-21 株式会社東芝 研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2010228058A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Fujikoshi Mach Corp 研磨布の洗浄装置および洗浄方法
JP2011177842A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
KR101105699B1 (ko) 2010-10-08 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치
KR20130090209A (ko) 2012-02-03 2013-08-13 삼성전자주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102391515B1 (ko) * 2015-07-31 2022-04-27 삼성전자주식회사 와이어 클램프용 클리닝 장치 및 이를 포함하는 클리닝 시스템
CN106078498A (zh) * 2016-08-16 2016-11-09 无锡尊宝电动车有限公司 一种可回收金属碎屑的打磨机
KR102637827B1 (ko) * 2016-09-06 2024-02-19 주식회사 케이씨텍 기판 처리 시스템
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
KR102355116B1 (ko) * 2017-04-03 2022-01-26 주식회사 케이씨텍 슬러리 노즐 및 이를 구비하는 기판 연마 장치
CN107214613A (zh) * 2017-07-20 2017-09-29 石家庄聚力特机械有限公司 一种抛光机转轴及使用该转轴的抛光机
CN111421451A (zh) * 2020-05-08 2020-07-17 东莞市赛德机电设备有限公司 一种自动布轮抛光机

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2870580A (en) * 1955-04-18 1959-01-27 Pacific Valves Inc Flat lapping machine
JPS5698563U (zh) * 1979-12-25 1981-08-04
JPS61166747U (zh) * 1985-04-01 1986-10-16
JP2628915B2 (ja) * 1989-06-05 1997-07-09 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
JP2914166B2 (ja) * 1994-03-16 1999-06-28 日本電気株式会社 研磨布の表面処理方法および研磨装置
US5578529A (en) * 1995-06-02 1996-11-26 Motorola Inc. Method for using rinse spray bar in chemical mechanical polishing
JP3778594B2 (ja) * 1995-07-18 2006-05-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング方法
US5611943A (en) * 1995-09-29 1997-03-18 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads
JP2833549B2 (ja) * 1995-11-07 1998-12-09 日本電気株式会社 研磨布の表面調整方法及び機構
JP3631554B2 (ja) * 1996-02-28 2005-03-23 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US5879226A (en) * 1996-05-21 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for conditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH09309063A (ja) * 1996-05-24 1997-12-02 Nippon Steel Corp 研磨定盤の洗浄方法およびその装置
KR100524510B1 (ko) * 1996-06-25 2006-01-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마포를드레싱하는방법과장치
US5868608A (en) * 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
JP3139616B2 (ja) * 1997-01-22 2001-03-05 旭サナック株式会社 研磨パッドのドレッシング装置
JP3643686B2 (ja) * 1997-12-25 2005-04-27 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨方法
US6443810B1 (en) * 2000-04-11 2002-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing

Also Published As

Publication number Publication date
EP1103345B1 (en) 2008-05-14
JP2001212750A (ja) 2001-08-07
MY122616A (en) 2006-04-29
EP1103345A2 (en) 2001-05-30
EP1103345A3 (en) 2003-09-24
KR20010051908A (ko) 2001-06-25
US6705929B1 (en) 2004-03-16
DE60038861D1 (de) 2008-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW486409B (en) Cloth cleaning device and polishing machine
JP3990073B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR100328607B1 (ko) 결합식슬러리분배기와세척아암및이장치의작동방법
JP2622069B2 (ja) 研磨布のドレッシング装置
US6179693B1 (en) In-situ/self-propelled polishing pad conditioner and cleaner
KR102443489B1 (ko) 롤 부재, 펜슬 부재 및 그들 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 기판 처리 장치
US6908370B1 (en) Rinse apparatus and method for wafer polisher
CN101834116A (zh) 液体散射防止杯、基底处理设备及设备的操作方法
JP2010228058A (ja) 研磨布の洗浄装置および洗浄方法
JPH10308374A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
WO1999046083A1 (fr) Dispositif de nettoyage pour dresseur correcteur de marbre
JP4412192B2 (ja) 研磨パッドのドレッシング方法
JP2001053040A (ja) 研磨装置および研磨方法
US5897425A (en) Vertical polishing tool and method
WO2000034992A1 (fr) Procede et appareil de traitement de plaquettes
JP4728977B2 (ja) 定盤洗浄装置を備えた基板両面研磨機
CN1472017A (zh) 附着于玻璃面的异物的除去方法及除去装置
WO2018082279A1 (en) Grinding apparatus
JP3030608B2 (ja) ラップ機の定盤洗浄装置
KR102628175B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW401339B (en) Polishing apparatus
JP3139616B2 (ja) 研磨パッドのドレッシング装置
JP4642183B2 (ja) ウェーハの研磨装置
JP2000296367A (ja) 洗浄装置
JP2023166136A (ja) ウェーハ洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent