TW483080B - Defect reference system automatic pattern classification - Google Patents

Defect reference system automatic pattern classification Download PDF

Info

Publication number
TW483080B
TW483080B TW089114153A TW89114153A TW483080B TW 483080 B TW483080 B TW 483080B TW 089114153 A TW089114153 A TW 089114153A TW 89114153 A TW89114153 A TW 89114153A TW 483080 B TW483080 B TW 483080B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
defect
defects
scope
patent application
item
Prior art date
Application number
TW089114153A
Other languages
English (en)
Inventor
Stefanie Harvey
Terry Reiss
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW483080B publication Critical patent/TW483080B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32221—Correlation between defect and measured parameters to find origin of defect
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/37—Measurements
    • G05B2219/37519—From machining parameters classify different fault cases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/80—Management or planning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

483080 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 發明領媸 本發明概有關於一種用以識別製造產品中既經偵得 缺陷之根本原因的方法與裝置。對於擁有次微米設計特性 之高密度半導體纟置製矛呈内料導體晶圓㈣内檢測方 面，本發明特別具有應用性。 發明背景： 現今對於關於超大型尺度整合作業之高密度與高效 能等需要’會要求到次微米特性、增加電晶體數量與迴路 速度，以及經改善t可靠$。該&需求會要求構成裝置特 性必須具備高精準度和一致性，因而當彼等尚為半導體晶 圓型態時，即需要謹慎的程序監視，包括頻繁及細部的裝 置檢測等。 傳統的晶圓產製程序控制技術會採用晶圓辨識法 則，如條碼標籤以用於程序内晶圓追蹤。在完成各個處理 步驟之後（如氧化成長、蚀刻、潔淨、噴濺等等），有關於 晶圓批次，以及其應用於處理該批次之「最終臨訪機具 即某特定製爐、蚀刻器、潔淨器、研磨器械等等的資訊， 會被輸入一電腦軟體實作並被稱為「製造執行系統（mes) 的資料庫系統内。這些資訊包括晶圓識別資訊、關於該些 晶圓的諸項參數以及用於該最終臨訪機具的處理參數。如 此，MES即可追蹤已執行完畢之處理步騾、於該些處理步 驟處既經執行的諸項機具和在該些處理步驟上既經處理 之晶圓等。 第3頁 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ ;---Ί> ----r-----------^ ^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^080 ^080 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 、發明說明（） 在完成一系列的處理步驟，及/戋完忐 ,、 及70成如複雜的光阻 遮罩形成作業等關鍵性的處理步驟之後，诵 ^迷吊是藉著某單 獨的檢測機具，來對該批次的多個晶圓依照Mes之指令 而進行檢測。在該檢測機具上，一般是以高逯檢測 掃描待測之晶圓表面；例如，像是CCD(電荷耦接裝置）、 掃描式電子顯微鏡（SEM)或雷射等的光電轉換器。通常當 該鄉檢測機具完成檢測作業之後，即會通知該ΜΕζ 1 : 後，該檢測機具再利用統計方法來產生一缺 一 土吹&圖表，以顯 不出在晶圓表面上具有高度缺陷機率的疑似位置。如果該 數值即/或潛在缺陷的密度觸抵某一預設之水準，則將聲示 一警鈴以指明應對該些潛在缺陷位置進一步檢视。 接著，在該檢測機具或某一個別之獨立複視站台處， 利用該缺陷圖表來進行彼等潛在缺陷位置的複視作業，而 通常是藉由將該些疑似缺陷位置的影像與參考影像加以 比較’以便肯定地決定確已出現某項缺陷，然後再分析該 些影像以決定該項缺陷的性質（如缺陷的型式、顆粒咬括 痕）。晶圓產製廠商所使用的一般晶圓檢測方法包括光散 技術、光學技術、SEM與能量散式光譜儀。而一般也可採 用其他眾知之晶圓檢測方法，包括有原子力場顯微法 (AFM)、拉曼（raman)、超點法（ultrapoint)、傳輸電子顯微 法（TEM)、超脈衝法、化學分析用之光發性與電子頻譜法 (ESCA)。前述諸法中各個均可提供有關於該項缺陷的各種 資訊；例如，AFM可顯示其大小以及形狀，而EDS和ESC A 則可提供其化學成分。 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^----^---Ί· ----r---^--------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（） 在目如 乂端」的晶圓處理設施中，由MES來的處 理資料’以及自該檢測機具與複視站台處獲得的檢測與複 視結果’會被週期性地下載至另外一個獨立的電腦軟體實 作系統處’稱為「產出管理系統（YMS)」，而該者可利用 統計程序控制方法來監視其程序品質。如果YMS認為該 程序執行超過所預定的控制限制之外，則彼將產生一例如 像是晶圓所曾臨訪過而出現缺陷的機具列表，以及施用於 居些機具上的處理參數等等資料，這會有助於診斷出處理 程序上的問題。接著，使用者可分析該項資料，並且試著 隔離掉該項缺陷的根本原因。 最好不要以非業界標準的方式來描述這些缺陷（即相 同一個裝置製造企業内，於各裝置製造商之間，以及於製 造商與設備提供商之間，其不同的產製設施之間其缺陷描 述方式竟然相異），因而妨礙了缺陷識別與例行診斷時的 作業嘗試。例如，某一類別的缺陷在日本被稱為「煎蛋」 缺陷，但是在美國則或被某些製造商稱為「太空船」缺陷。 如此，不同文化的諸製造商與設備提供商之間的資訊翻譯 與交換即形更加困難。 除此之外’即使是缺陷確經識別，亦無法快速地或是 簡易地將彼等連接到某一根本原因。例如說，雖然γ M s 可减別出機具與某程序的處理參數’確實是執行超過所預 定的控制限制之外，不過當偵知某一特定缺陷時，該YMs 也仍無法識別最有可能出錯的機具或處理參數。而更進一 步地’即使是識別出了某一特定機具確為缺陷來源，該 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------：---Ί< ----r---t--------^ ^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
483080 五、發明說明（） YMS也不見得能夠將該缺陷連接到機具裡某特定錯誤、材 料錯誤（即零件錯誤）或是某一特定處理狀況。 因此即存在需要某種應用於半導體晶圓程序内檢測 的万法，可按照標準方式來識別出缺陷。而更進一步存在 有檢測方法的需要，可將晶圓所曾臨訪之機具與該些機具 的可靠度資訊兩者相關連而偵得缺陷，藉以隨時識別出該 些缺陷的根本原因，因而能夠及早進行修正動作。隨著表 面上功能的密度、晶粒大小與裝置内的層級數逐漸增加， 因而要求缺陷數目應驟減以維持可接受之製造產出，所以 這項需求也就益形重要。 發明目的及相f诚： 本發明優點之一在於能夠按照標準化且具備品質的 方式’來識別出如半導體晶圓等的產製物件上的缺陷，藉 此讓有關於該缺陷的資訊得以簡易地連接到該項缺陷，並 對其加以儲存與搜尋。而本發明另一優點是在於能夠在該 缺陷識別作業裡，含括關於其原因的資訊，藉此而對程序 問通區域進行有效的識別作業，並將該缺陷原因關連至修 正動作。 根據本發明，可達成前述與其他各項優點，部分是因 為可對一物件分類出某特徵的方法，該方法内包含決定該 特徵的屬性，藉將各個屬性關連到一種或多種類別而將該 些屬性一般化，其中，各個類別係屬關連於該些屬性的多 個資料庫物件其中之一的子集合·，將各個類別指配予一符 ill!# — l·—訂--------^線 * C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
483080 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 號；將該些類別符號安置於—— 、，、疋序列内，以構成該項牿 徵的識別碼·，以及將識別碼 苒成/ /、特 1减存於資料庫内。 本發明另一項特徵，是—瀚 載有用以執行上述本發明 法則各項步驟的諸多指令之電 私細可碩取式媒體。 本發明另外一項優點，對私 士 野於热捻本項技藝人士來說， 可藉下述細部說明而為明顯易知， ^
肉具千本發明之較佳JL
體實施例僅具顯示與說明目^即如將悉，本發明足可： 成其他與各式w的具體實施例，並且其眾多細節確可: 照諸多顯著方法而加以修錦’然均不悻離本發…此兮 些圖示與說明本質均僅應視為說明性，而非其◎卜X 圖式簡單說明： 諸圖示均隨附其參考編號，在此’整體諸圖上各個具 有相同參考編號表示之元素’均係代表近似之元素，並且 其中： 第1圖為說明一種用以實作本發明之裝置略圖。 第2圖為說明一種符合於本發明具體實施例之方法序列步 驟流程圖。 第3圖為說明本發明法則之概念性流程圖。 第4A圖說明一種符合於本發明具體實施例之資料庫物件 以及其子集合。 第4B圖說明一種符合於本發明之缺陷識別碼的構成方 式。 第5 A圖說明一種由某檢測機具所產生之傳統式缺陷圖 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----^----^---Ί— ----r---訂--------k線！. {請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 483080 A7 错a#亩刹宏Ο/年上月修正 五、發明説明（） —月1曰修正丨 表。 第5B圖一種符合於本發明具體實施例之半導體晶圓表面 分割作業。 第6圖為說明一種符合於本發明另種具體實施例之方法的 序列步驟流程圖。 第7 A-7D圖為說明一種符合於本發明具體實施例之缺陷 分析作業略圖。 第8圖說明一種符合於本發明法則之缺陷分析作業的顯示 結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9 圖說明本發明一 種具體實施例之區塊圖。 圈號對照說明： 100 處理器 110 監視器 120 輸入裝置（鍵盤） 130 製造執行系統MES 140 產出管理系統 YMS 150 機具 160 缺陷參考系統 DRS 810 問題起源面板 820 缺陷數與大小 面板 830 缺陷型態面板 840 化學成分面板 850 根本原因面板 860 建議動作面板 870 支援文件面板 880 分析面板 902 匯流排 904 處理器 906 主記憶體 908 ROM 910 儲存裝置 916 游標控制 發明詳細說明： 即使是用於如半導體晶圓的製造物件程序内檢測作 業之傳統式法則確實可以識別出各項缺陷，不過彼等法則 卻無法以標準化、具品質的方式來識別出各項缺陷，或是 第8頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、可· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) " ----—-—-
η月I曰 畛止 V- 獨.？ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 提供有關於晶圓所播碎：、地 ~~-~ 曰機具的資訊，而這些資訊可於 早期確認出缺陷根滿 ' m /原。本發明即針對彼些問題而行，可利 用例如像疋數碼的某符號_列，而根據相關缺陷特徵和有 關於其最::广π機具的資訊，包括可靠度資訊，以具品質 的方式來識⑺出缺陷，藉此可隨時進行缺陷根本原因的識 別作業，並採取早期的修正㈣。 根據本發明的一些具體實施例，在晶圓上的缺陷繼經 發現並經檢測之後，4 ^ 、 便 如經由光學複視、SEM、EDS、AFM 等等方《該項缺陷的各種定量屬性，像是缺陷大小、材 料成分、色彩、晶圓表面位置等[可被加以一般化而為 定性類別’並且被指配-數值符號以供識別。例如，某一 大致為圓形、約一微米直徑的粒子，成分為79%的鋁質， 可由-預定順序之序列來加以識別，該序列係由一表示 「鋁質」的數值（即缺陷成分），另一個表示「圓形」的數 值（缺陷形狀），以及另一個表示缺陷大小範圍之「小於兩 微米」的數值等所組成。如此一來，每一個缺陷都可由一 數學描述而非僅是視像樣式或口語描述來加以識別。所有 缺陷的識別序列會被存放在資料庫内，在此彼等可易與其 他相應測得之缺陷加以比對。 此外，在本發明的某一具體實施例中，該識別序列最 好疋在檢測作業之前’包含一晶圓最終臨訪處理機具之數 值表示’藉此將某缺陷相關連到某一機具^該缺陷會因為 某一特定機具錯誤而被加以調查與判定（例如某特定的機 械元件錯誤或某特定處理現象）’並且該項資訊會被存放 與鏈結到該缺陷的識別序列。因此，如果某一類似的缺陷 發生在另一個晶圓上，則藉由搜尋該缺陷資料庫，後者的 缺陷識別序列會與前者的缺陷識別序列相符，表明後者缺 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂· 483080 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 陷相同的原因，因而有助於對該後者缺陷原因進行調查。 此外，當資料庫逐漸因相關於眾多缺陷及其原因等的 資訊而擴充時，一旦鏈結到一特定型態機具的某特定型態 缺陷確經識別，則可將其關連到先前曾經調查之類似缺^ 的原因，因而可大幅減低需要用來追蹤該些缺陷原因的時 間及作業。例如，如果再經化學氣相沉積（CVD)處理之後， 發現了 一個直徑小於2微米的圓形鋁質顆粒，而且在該資 料庫裡過往10個中有9個該等缺陷係由其CVD内室的弧 化所引起，故極有可能這個後者缺陷也是因弧化所致。如 此’本發明可協助決定出缺陷的原因，並且及早採取修正 動作；例如辨識出某重災性機械錯誤與某相關於消耗性或 是預防性維修項目。 而更進一步，本發明可提供各種根本原因的統計性現 象發生與機率。例如，給定某一缺陷識別，本發明可指出 該項缺陷有25%的可能性係肇因於零件χγζ，而有75%的 可能性該項缺陷係因程序ABC而生。此外，一旦根本原 因既經選定，則本發明即可提供某給定解決方案的機率值 (即方案1解決問題的機率具3 0% ,而方案2解決問題的 機率為1 0%，方案3解決問題的機率則有6〇%)。 本發明的某一具體實施例即如第14B圖所示。該第i 圖中，本發明係實作於處理器100，而該者最好是可按電 子方式執行如茲揭示之分析作業，以及如監視器丨丨〇用以 顯示該處理器100分析結果和鍵盤120的輸入/輸出裝置。 該處理器100可與傳統式MES 130、傳統式yms 140以及 第10頁 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 咸· 483080 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 各種傳統式檢測機具1 5 0互相通訊。該些檢測機具丨5 〇可 如使用者所需求而包含光學檢測機具、SEM，以及可執行 EDS、AFM與ESCA等等的各式機具。儲存裝置ι6〇，像 是饲服益’可儲存該處理器1 00的計算結果，並且茲稱之 為「缺陷參考系統（DRS)」。 現參考第1與2圖，其中半導體晶圓於步驟2〇5處經 某 處理機具或是一系列的機具而加以處理（如第2圖）。 一般說來，會在ME S 130中對於各個處理機具存放著具有 隹〖生的機具識別碼（如弟1圖）’並連同一組施用於該相 機具的處理參數。當決定說（不是由使用者的人工方式， 要不就是以MES 130自動方式）於檢測之前無須再執行進 一步的處理步驟時，該晶圓即會被帶往檢測機具1 5〇處。 於步驟2 1 0處，會依照使用者所需令該晶圓由檢測機具 1 5 0加以檢測，以尋察出缺陷，並決定其「缺陷屬性」； 換了之，缺陷的特徵。例如，可由像是位於加州聖塔克拉 拉的「應用材料公司」所販售之WF-73 6的光學檢測機具， 利用通常會牽涉到演算法及/或灰階分析之統計方法，而來 製作出傳統式缺陷圖表，藉此識別出竟有高度缺陷發生機 率之具疑晶圓上的疑似位置。接著，在像是位於加州聖塔 克拉拉的「應用材料公司」所販售之SEM Vision™的複式 機具上，利用傳統式樣式辨識技術，或是採用如提申共審 且序號 09/111，454(律師檔號49959-0 1 3)並建檔於西元 1 998 年 7 月 8 日而標題「Automatic Defect Classification with Invariant Core Classes」之美國專利申請案的自動化 第11頁 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----^----^---Γ! ----r---訂--------π線丨卜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 A7 B7 五、發明說明（ 技術，而進行該些缺陷之重測、分析與分類作業，其中該 共審案茲按其整體揭示而併同為本案之參考文獻。 步驟2 1 〇處的晶圓檢測作業會產生缺陷各項屬性的 「圖表」或列表來描述該些缺陷’即如第3圖裡的概余性 流程圖A-K所示。各個不同的晶圓檢測機具丨5〇可產出多 種不同的缺陷屬性A-K。譬如說，由SEM分析作業所獲 得的顆粒型態缺陷之缺陷屬性C-E ,可包括例如像是在晶 圓上的位置、軸寬、外型以及彼究係嵌入於晶圓抑或駐留 於晶圓表面，而EDS可揭示該缺陷的化學成分（如屬性f 與G)。此外，缺陷屬性Α·κ 一般包含有於晶圓檢測時所 產生之缺陷圖表而得的資料（如屬性Η-j),像是缺陷數目 與晶圓上各個缺陷的位置。 當缺陷屬性既經決定之後，則利用定性方式而不是定 量方式將該些屬性「一般化」。在步驟215處，各個屬性 會被關連到至少一個屬「資料庫物件」4丨〇預設子集合之 類別上（參考第3與4Α圖）。該資料庫物件41〇中包含廣 泛的像是「顆粒」、「大小」、「成分」、「色彩」、「晶 圓上的位置」等等特徵’而該資料庫物件中的這此類 別或是子集合420 ’可再進一步按照具有一個或更多有限 數目並由使用者所決定為具顯著性的標定特徵，來對彼等 缺陷屬性進行分類與識別。如此，缺陷資訊會被標準化並 加精簡以有助於後續之資料搜尋作業。 例如’某項顆粒缺陷係被安置在稱為「顆粒」之資料 庫物件410内的類別420並稱為「樣式顆粒」或是「嵌入 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 訂--------I-線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483080 五、發明說明（ 於樣式中的顆私 、 ^ 、乂」又下。具有尺寸（即屬性）為1微米寬及 4微米長的黯士、 . 离权，會被分類到「形狀」資料庫物件41〇内 例如像是一種始阿 、 橢®而具4 : 1軸長比例，而球形顆粒則是 會被分類到該咨蚁& /貝枓庫物件内的具1 :丨軸長比例的類別之 如第4A圖所示，具有直徑丨5微米的球形顆 粒’會被分類為例如像是具有直徑1 5"微米之間的球體 (如該 rX」：Cg、。：， 、）而如果具有2.3微米的直徑時，會被分類 為 到〇彳政米之間的球體。同樣地，一個含有不鏽鋼 的顆粒會被分類為如含有鐵質（Fe)、鉻質（cr)、鎳質（Ni) ^ jl % (C)藉以來將合金金屬一般化成其元素（以、Cr、 乃—万面，如果使用者需要更多的細節，含有不 鏽鋼成分的顒粒會被分類為含鐵質為「主要成分」資料庫 物件’而絡、鎳與碳分別為「次要成分」資料庫物件。 本發明另一具體實施例中，眾多缺陷之屬性可由傳統 缺陷圖表而加一般化為「樣式」資料庫物件410的子集合 類別。由傳統性缺陷圖表所得的各個缺陷所在位置會被視 為具有X與y座標屬性。該些缺陷位址按其座標而被成批 配發至多個預定「區段」，藉此以數學方式來描述出彼等 分布型態。本發明具體實施例之法則可有助於快速且正確 地進行樣式決定作業，而又無須使用者另外判斷處理。 現參考第5A、5B圖與第6圖的流程圖示，此為晶圓 按照傳統方式接受檢測，一般是在光學檢測機具上進行， 以便於步驟600處產生一具有疑似缺陷位置D的缺陷圖表 Μ。而在步驟605處，該晶圓表面被區分為諸多區段，像 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ; ^ T! -----r---訂--------L線 * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 五、發明說明（ 是如第5 B圖中的區段1 9 /又1 9,孩者係對應於所預期之顯著缺 陷區:：在步驟610處，各個缺陷位置D係相關於諸區段 請 先 閱 所I /並且各個區段内的缺陷位置個數是由步驟 615處所決定。接著，各個區段W内的缺陷位置個數合 與某一預設之Η楹數（如步驟62Q所示）或是標準差兩者二 以比較。然後，在步驟兩 .、 驟625處，孩缺陷圖表會被以某缺陷 屬性待之，並且根據具有大於該缺陷位置門楹數之區段 1-9’而被-般化為某樣式資料庫物件的子集合類別。 譬如說’可基於如第5B圖之區& 而產生某一且 有9階乘（9!)個子集合類別的樣式資料庫物件。如果對於 各個區段該預設之缺陷位置門檻數為25,則第5A圖之缺 訂 1¾圖表Μ可加一般化，即如同於反映該區段2及6的類別 内可包括有許多缺陷位置。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明另一具體實施例裡，其中該缺陷圖表Μ的 缺fe位置D係關連到各預設區段處，如同晶圓表面的區段 1 -9 ’ 一樣式資料庫物件具有預設而對應到預期之顯著缺 陷位置分佈之形狀類別子集合。現參考第7A圖，當區段9 中確尋出某一顯著數量的缺陷位置時，該缺陷圖表即被置 於「中心缺陷」的樣式類別裡。在如第7B圖的缺陷圖表 裡’各缺陷位置會被集中到區段1 -4内，所以該缺陷圖表 會被置於「甜甜圈」外型樣式類別内。該甜甜圈外型樣式 係屬明顯即知，因為彼或可指明晶圓所曾臨訪之機具問 題’像是真空卡掐問題《第7C圖說明缺陷位置集中於區 段5 - 8處，此或係因某鉗夾環所造成，故將該缺陷圖表置 第14頁 本紐尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2W χ 297公麓） 483080 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 於某「環」或是「外緣」形狀樣式類別之内。 另外，傳統式空間簽章分析（SSA)亦可用來對該些缺 陷位置之樣式加以分析，且一般是利用YMS 14〇而得到的 資訊。然後將SSA的結果視為另一個缺陷屬性，並加以一 般化而成為某樣式資料庫物件的適當子集合類別或是諸 多類別。 而本發明又另一具體實施例裡，如第7D圖中所示， 當該缺陷圖表Μ的缺陷位置D可構成一隨機性樣式時， 即會採用具有預設個數子集合的樣式資料庫物件^在該具 體實施例裡，缺陷位置的樣式係由數學方式利用傳統的因 數分解軟體程式，如美國「國家標準局」所提供之程式， 而加表示。一般說來，於因數分解技術裡，如該些小六角 形7 00般的較小維度形狀’可用以填滿某樣式内的空間， 例如像在缺陷位置D的隨機性樣式裡。該些需要用以填滿 間之六角形700的數量，為該樣式之r因數」。如此，諸 缺陷位置的某一隨機性樣式’即可藉由將彼置入對應於其 因數之類別内而予以一般化。 當各個缺陷屬性Α-Κ於步驟2 1 5處被關連到資料庫物 件410的類別420之後，各個資料庫物件的類別會被預先 指配一個符號，最好是一個整數或是一些整數可為較適。 即如第4 Α圖所示，其中一數值符號43 0係關連到該資料 庫物件4 1 0的類別4 2 0處。該「X」表示一既經分類之缺 陷屬性。而在步騾220處，當所有的缺陷屬性均加以分類 之後，就將一個識別碼指配予該項缺陷，而該識別碼係按 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）^ ；^—r—訂--------線！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 A 7 五、發明説明（ •j. tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 照某預定序列，將類別42〇的符號43 0置為該項缺陷之屬 性先前即已安置之方式所構成的（如第4Β圖）。最好，該 晶圓先前於檢測作業而所臨訪過的處理機具也會被指配 予一個識別符號440，而該者亦含括於該缺陷識別碼450 中該序列内某預設位置處。如第4Β圖所示，資料庫物件 410係按一預設序列所安置，而缺陷屬性之類別符號43〇 則是與此併同以構成一缺陷識別碼45〇 (即12515.··35)。 接下來，在步驟225處，該缺陷識別碼450會被存放 於DRS 160處。此時，會利用已知技術來調查並決定該缺 陷之原因（如步驟230)，並且即如DRS 160,於步驟235 處將適當偶發資訊儲存並連接到該缺陷辨識碼450。在本 發明的另一具體實施例中，存放於MES 130内的處理參數 以及由YMS 140來的資料，也會連接到該缺陷識別碼 4 5 〇。因此’該使用者即可根據該缺陷識別碼4 5 〇，而取用 廣泛數量的缺陷資訊。在為多個缺陷而重覆該些步驟 205-235多次之後，藉此可於DRS 160中建立起缺陷識別 碼資料庫，而根據該缺陷識別碼450後續所偵得並且利用 本法則加以處理之缺陷全部或局部來搜尋該DRS 160，可 協助進行該缺陷原因的決定作業。 第8圖中說明該項搜尋所獲之資訊範例，並將其顯 示，如於監視器11〇，予該使用者。該使用者根據缺陷識 別碼之全部或局部而請求一項搜尋；例如，該使用者請求 觀視有關於含有氟質之顆粒，或是連接到某一特定機具的 資訊。在問題缺陷面板810處會呈現出有關於該缺陷起源 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ...........:裝—......訂........ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，修 補 483080 A 7 B7 五、發明説明（ .'::v 的資訊，例如像問題症狀、涉及到的機具（r平台」以及 「内室/程序」）以及機具維修歷史等等。該些資訊可自例 如像是MES 130與YMS 140處加以收集。在面板820-840 處，即如自檢測機具1 5 0而得，按照使用者需要而呈現該 些缺陷屬性。根本原因面板850顯示先前調查作業所收集 之偶發資訊。而建議動作面板860與支援文件面板870則 疋說明連接到該些偶發資訊的資訊，例如像是建議之修正 動作與機具修復資訊等。分析面板8 8 0顯示類似的情形及 其原因’以及根本原因面板8 5 0診斷的結果信賴水準。 第9圖為說明顯示於第1圖内之本發明具體實施例區 塊圖。根據該具體實施例，如第1圖所示，處理器1〇〇包 括了 S流排902或是其他用以與相互交換資訊的通訊機 制，以及一耦接於匯流排902的中央處理單元（cpu) 9〇4 以處理資訊。該處理器1〇〇也包括了一主記憶體9〇6，像 是隨機存取記憶體（RAM)或是其他動態儲存裝置，搞接於 匯流排902，以便存放將交由該CPU 904所執行之各項資 訊與指令。該主記憶體906也可被用來存放在待由該cpu 904執行指令過程裡的暫時性變數或是其他中介性資訊。 該處理器100更可包括一唯讀性記憶體(R〇M) 9〇8或是其 他耦接至該匯流排902的靜態儲存裝置，以便存放該cpu 904的靜態資訊與指令。可提供如磁碟或光碟的儲存裝置 9 1 0以便儲存資訊與指令。例如，儲存裝置9 1 〇可包含如 第1圖中的DRS 160。 該處理器1 0 0可經由匯流排9 0 2而輕接至例如像是陰 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) •----r---裝---------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483080 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 極射線管式（CRT)的監視器110 (如第1圖），以便於顯示 資訊給使用者。如鍵盤120的輸入裝置，包含有數字與其 他按鍵’也耦接到該匯流排902以便傳知資訊與指令選擇 予CPU 904。而另一種型式的使用者輸入裝置是游標控制 器9 1 6，例如像是滑鼠、軌跡球或游標導向按鍵，以便傳 知導向資訊與指令選擇予CPU 904,並且用以控制游標在 監視器1 1 0上的動作。 MES 130、YMS 140以及各項檢測機具15〇 (即如第i 圖）可於檢測作業下輸入有關於半導體晶圓的資料到該匯 流排9 0 2。該等資料或可為存放於主記憶體9 〇 6中，及/ 或儲存裝置910，並且當CPU 904執行指令時可將其加以 應用。 本發明係有關於應用該處理器1 0 0以分析半導體晶圓 表面上的缺陷。根據本發明之一具體實施例，回應於該 C P U 9 0 4所執行之某一或多個序列的單一或多個含納於主 記憶體906内之指令，而由該處理器1〇〇按此提供該項缺 陷分析作業。可自另一個電腦可讀取式媒體，像是儲存裝 置9 1 0，而將該些指令讀入於主記憶體906之内。將含納 於主§己憶體906内的指令序列加以執行，以進行前揭之各 項程序步驟。亦可於多重處理器組態安置中採用單一或更 多個處理器，以執行該些含納於主記憶體906内的指令序 列。而在本發明另外的具體實施例裡，也可採行實體線路 式迴路以替代軟體指令或是與其相互組合，來實作出本發 明。故本發明具體實施例並不侷限於任何硬體迴路與軟體 第18頁 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------；--------r---^--------r ^ I (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 483080 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 的特定組合。藉由第2與第6圖流程圖，對於彼等熟捻本 項技藝之人士，本項裝置程式設計即屬明顯易行。 在此所使用之名詞「電腦可讀取式媒體」是指任何可 提供指令給CPU 904加以執行的媒體。該等媒體可為任何 形式，包含而不限於，非揮發性媒體、揮發性媒體以及傳 輸媒體等。非揮發性媒體包括像是光碟或磁碟，如儲存裝 置9 1 0。而揮發性媒體則包括像是動態性儲存裝置，如主 記憶體906。傳輸媒體包括像是同軸纜線、鋼質絞線與光 纖，包括構成該匯流排902的線路。該傳輸媒體也可為像 疋晋響或疋光波形式，如同以射頻（RF)與紅外線資料通訊 方式所產生者。電腦可讀取式媒體之共同形式可包括例如 軟式磁碟、抽取式碟片、硬碟、磁帶與任何其他磁性媒體、 CD-ROM、DVD與任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶與任 何其他具有孔洞之實體媒體、RAM、PROM、EPROM、 FLASH-EPROM與任何其他記憶晶片或卡帶，或是任何其 他電腦可由此讀取資料之媒體。 各種形式的電腦可讀取式媒體可供載單一或諸多指 令的某一或多個序列以供CPU 904予以執行。例如，該些 指令最初可載置於遠端電腦的磁碟上。該遠端電腦可將該 些指令載入於動態記憶體内，並利用數據機透過電話線路 傳輸該些指令。處理器1 〇〇的本地數據機可於電話線路上 接收到資料’並且利用紅外線發射器將資料轉換成紅外線 信號。某一耦接到該匯流排902的紅外線偵測器會接收該 些以紅外線所載之資料，並將該些資料置於該匯流排902 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I------；--------：----^------Hr ^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（） 上。該匯流排902將資料傳送至主記憶體906,然後該CPU 904由此可加以擴取並執行該些指令。這些由主記憶體906 所接收到的指令，可選擇性地在CPU 904加以執行前或是 之後而被存放於儲存裝置910。 本發明方法可提供半導體晶圓的程序内檢測作業，可 利用由傳統式檢測技術所收集到的資訊，而快速地以標準 化方式識別出缺陷。此外’本發明係有關於晶圓所臨訪之 處理機具與彼等機具之可靠度資訊以便偵測出缺陷，藉此 可隨時識別出缺陷之根本原因，因而早先進行修正行動。 故本發明有助於高度製造輸出之維護作業，並可增加製造 產出而同時卻可降低設計規則。本發明適於任何半導體晶 圓的檢測作業’並特別可用在伺微米設計特性之高密度半 導體裝置製造過程裡的半導體晶圓的程序内檢測作業。 本發明可按照傳統材料、法則與設備等方式而加以應 用。因此，該些材料、設備與法則之細節不於本文中另行 贅述。前文中述及設定之各種特定細節，如特定材質、結 構、化學成分、程序等等，此為提供一本發明之整體性說 明。然而’應即知悉本發明可加實作而無須繫於某前揭之 特定細節。在各例中，廣所眾知之虛 〈晁理結構則並未於此詳 加敘述，以為保持本發明之焦點而不至模糊之。 前揭中僅明示並說明本發明之諸較值具體實施例與 數項其變化實例。然應瞭解本發明確可應用在其他各式組 合與環境下，並得於如後述之本發明 贫月概念範圍内另行加以 變化及修飾。 第20頁 本紙張尺度適財國國家標準（CNS)A4規格咖χ挪公楚丁 — — — — — — ΙΜ-ΙΙ1Ι1 - I I I l· I I 1 ·11111111 I —^_ντ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 483080 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 · 一種用以分類某物件特徵之方法，該方法包含·· U)決定該特徵之屬性； (b)藉由將各個屬性關連到某一或多個類別來將該些 屬性一般化，其中各個類別係屬許多關連到該些屬性之 資料庫物件其中之一的子集合； (Ο對各個屬性指配予一符號； (d)以預設序列方式來置放該些類別的符號，藉以構 成某項特徵的識別碼；以及 Ο)將該識別碼存入資料庫内。 2·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中包含利用一檢 測機具來檢測該物件以決定該些屬性。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之方法，其中包含： 於檢測該物件之前，先行利用一處理機具來對該物 件執行一處理步驟； 將諸項符號其中之一指配予該處理機具，以作為該 處理機具的識別碼；並且 將該處理機具識別碼含納入該序列内。 4·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該處理步赞係 利用一組處理參數而加以執行，該方法包括： 儲存該些處理參數；以及 將該些處理參數連接到該識別碼。 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - - - --- - - ---I I --III--*5^ 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 /、、申清專利範圍 5·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該特徵包含該 物件表面上的多個缺陷，而該方法包含了將多個缺陷依 照具有某預設之形狀類別子集合的樣式資料庫物件而 加以一般化。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該特徵包含該 物件表面上的多個缺陷，而該方法包含了將多個缺陷依 照具有某預設之物件表面位置類別子集合的樣式資料 庫物件而加以一般化。 7.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該物件係一半 導體基板，而該些特徵包含有該半導體基板表面上的多 個缺陷，該方法包含利用光學檢測站台、晶圓檢測站 台、掃描式電子顯微鏡（SEM)、原子力場顯微鏡（afm)、 能量散射頻譜法（EDS)、或是化學分析電予頻譜法 (E S C A)等其中至少一個來檢測該物件。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該物件係一半 導體基板，而該特徵包含有該半導體基板表面上的多個 缺陷，該方法包含： 檢測該物件以產生一多個缺陷之缺陷圖表，藉此各 個缺陷的諸項屬性可包含一組對應於其在基板表面上 位置的座標； 將該機板分隔為多個區段； 第22貫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公f ) — — — — — 1 — — — — ^· — — 11--III ^«IlllllIf I (請先閲讀背面之注意事頊再填寫本頁) 483080
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 根據其座標而將各個缺陷關連到諸區段的其中之 計算各個區段内缺陷的數目， 將各個區段内缺陷的數目與一預設之門檻數加以比 較；以及 當該第一區段内缺陷數目大於或等於該預設之門檻 數時，即將諸區段中第，個區段内的缺陷關連到包含有 該第一區段的樣式資料庫物件之類別上。 9·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該特徵包括多 個缺陷，該方法包含以鼻宥預設之因數子集合的樣式資 料庫物件而將該些缺陷一般化。 1 0.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些符號為敕 數。 11 ·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該特徵包含物 件中的某一缺陷，該方法包含· 決定該缺陷原因，該原因係關連到該處理機具· 將該原因連接至該識別碼。 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中包本 針對多個特徵而重覆步騾（aHe);以及 第23頁 本紐尺度適t S國冢標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公愛） !丨丨丨丨T!·--------訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}. 線 483080 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 根據資料庫裡識別碼的單一或多個對應符號，而來 搜尋對應之識別碼。 1 3 · —種載有諸多指令的電腦可讀取式媒體，其中該些指令 可用以分類某物件特徵，而當執行時，該些指令係被置 以啟動一個或多個處理器，以執行下列步驟： (a) 接收該特徵之屬性； (b) 藉由將各個屬性關連到某一或多個類別來將該些 屬性一般化，其中各個類別係屬許多關連到該些屬性之 資料庫物件其中之一的子集合； (c) 對各個屬性指配予一符號； (d) 以預設序列方式來置放該些類別的符號，藉以構 成某項特徵的識別碼；以及 (e) 將該識別碼存入資料庫内。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之電腦可讀取式媒體，其 中該物件是利用一檢測機具來加檢測，而當執行時，該 些指令係被置以啟動一個或多個處理器，以執行由該檢 測機具處來接收該些特徵屬性的步驟。 15.如申請專利範圍第14項所述之電腦可讀取式媒體，其 中於檢測該物件之前’先行利用—處埋機具來對該物件 ’執行-處理步驟’而當執行時’該些指令係被置以啟動 一個或多個處理器，以執行下歹步驟. 第 24*1* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I |丨III1-#-------^訂· (請先間讀背面之注意事頊存填寫本頁> 483080 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 將諸項符號其中之一指配予該處 處理機具的識別碼；並且 冑具，以作為孩 將該處理機具識別碼含納入該序 J内。 16·如申請專利範圍第15項所述之電 中該處理步料利用-組處理參°讀取式媒體’其 行時，該些指令係被置以啟動一個二以執行’而當執 行將該些處理參數連接到該識別碼的步:處理器’以執 17. 如申請專利範圍第13項所述之電 中該特徵包含該物件表面上的多個缺媒其 該些指令係被置以啟動一個或多：而當執行時’ 個缺陷依照具有某預設之形狀類別子里器人’以執行將多 庫物件而加以一般化的步驟。 合的樣式資料 18. 如申請專利範圍第13項所述之電 中該特徵包含該物件表面上的多個缺陷，而去 ^ 該些指令係被置以啟動一個或多個 田執仃時， 备，以彳 + 個缺陷依照具有某預設之物件表 丁將多 置類別子集人沾 樣式資料庫物件而加以一般化的步驟。 。勺 19. 如申請專利範圍第μ項所述之電腦可 喝μ式媒體，其 中該物件係一半導體基板，而該些特徵包本 、 ^ $孩半導體 基板表面上的多個缺陷’而當執行時，該此如 二相々係被置 第25頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） ·. 7 Τ 1· -------^--------雷線 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 以啟動-個或多個處理器，以執行自包含利用光學檢測 站口、阳圓檢測站台、掃插式電子顯微鏡（sem)、原子 力場顯微鏡(則)、能量散射頻譜法(刪卜戈是化學分 析電子頻譜法（ESCA)等其中至少一個而接收諸項特徵 屬性的步驟。 20·如申請專利範圍第14項所述之電腦可讀取式媒體，其 中該物件係一半導體基板，而該特徵包含有該半導體基 板表面上的多個缺陷，而當執行時，該些指令係被置以 啟動一個或多個處理器，以執行下列步驟： 自該檢測機具處接收多個缺陷之缺陷圖表，藉此各 個缺陷的諸項屬性可包含一組對應於其在基板表面上 位置的座標； 將該機板分隔為多個區段； 根據其座標而將各個缺陷關連到諸區段的其中之 一； 計算各個區段内缺陷的數目； 將各個區段内缺陷的數目與一預設之門檻數加以比 較；以及 當該第一區段内缺陷數目大於或等於該預設之門檻 數時’即將諸區段中第一個區段内的缺陷關連到包含有 該第一區段的樣式資料庫物件之類別上。 21·如申請專利範圍第13項所述之電腦可讀取式媒體，其 第26頁 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483080 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 中蔹特徵包括該物件表面上的多個缺陷，而當執行時， 該二和々係被置以啟動一個或多個處理器，以便執行依 具有預设<因數子集合的樣式資料庫物件而將該些缺 陷一般化的步驟。 22·如申請專利範圍第13項所述之電腦可讀取式媒體，其 中當執行時，該些指令係被置以啟動一個或多個處理 器’以便執行指配諸整數為符號的步驟。 23·如申請專利範圍第15項所述之電腦可讀取式媒體，其 中該特徵包含物件中的某一缺陷，且其中該缺陷之原因 係經决疋並儲存，同時亦經關連到該處理機具，而當執 灯時，孩些指令係被置以啟動一個或多個處理器，以便 執行將該原因連接至該識別碼的步驟。 24·如申請專利範圍第π項所述之電腦可讀取式媒體，其 中當執行時，該些指令係被置以啟動一個或多個處理 器’以便執行下列步驟： 針對多個特徵而重覆步驟（a)-(e);以及 根據資料庫裡識別碼的單一或多個對應符號，而來 搜尋對應之識別碼。 ' 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽X挪公爱〉 I — 1111 — —— — —^·—« I I I I I I I ^ « — ΙΙΙΙΙΙΪ I t ^_wl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
TW089114153A 1999-07-16 2000-07-14 Defect reference system automatic pattern classification TW483080B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14412999P 1999-07-16 1999-07-16
US09/586,540 US6466895B1 (en) 1999-07-16 2000-05-31 Defect reference system automatic pattern classification

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW483080B true TW483080B (en) 2002-04-11

Family

ID=26841694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089114153A TW483080B (en) 1999-07-16 2000-07-14 Defect reference system automatic pattern classification

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6466895B1 (zh)
EP (1) EP1069609A3 (zh)
JP (1) JP2001068518A (zh)
KR (1) KR100741819B1 (zh)
TW (1) TW483080B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI503882B (zh) * 2008-03-06 2015-10-11 Tokyo Electron Ltd Particles occur due to discrimination system and the occurrence of particles to identify the method
CN113302478A (zh) * 2019-01-10 2021-08-24 朗姆研究公司 半导体设备的缺陷分类和来源分析

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6950196B2 (en) 2000-09-20 2005-09-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a thickness of a structure on a specimen and at least one additional property of the specimen
US6782337B2 (en) 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
JP4014379B2 (ja) * 2001-02-21 2007-11-28 株式会社日立製作所 欠陥レビュー装置及び方法
JP4170611B2 (ja) * 2001-03-29 2008-10-22 株式会社東芝 半導体集積回路の不良検出方法及び不良検出装置
US6635872B2 (en) * 2001-04-05 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Defect inspection efficiency improvement with in-situ statistical analysis of defect data during inspection
JP4038356B2 (ja) * 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
US6654698B2 (en) * 2001-06-12 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Systems and methods for calibrating integrated inspection tools
US6643006B1 (en) * 2001-12-13 2003-11-04 Inspex, Inc. Method and system for reviewing a semiconductor wafer using at least one defect sampling condition
US6789032B2 (en) * 2001-12-26 2004-09-07 International Business Machines Corporation Method of statistical binning for reliability selection
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
TWI230343B (en) * 2002-05-03 2005-04-01 Chi Mei Optoelectronics Corp A method for classifying a substrate
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
JP2004151045A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡またはｘ線分析装置及び試料の分析方法
EP1563381A4 (en) * 2002-11-12 2009-10-28 Fei Co DEFECT ANALYZER
US7133119B1 (en) 2002-12-17 2006-11-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for simulating high NA and polarization effects in aerial images
US6885977B2 (en) * 2002-12-20 2005-04-26 Applied Materials, Inc. System to identify a wafer manufacturing problem and method therefor
US7041987B1 (en) * 2003-02-25 2006-05-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Inspection of common materials for radiation exposure by Atomic and/or Magnetic Force Microscopy
US20050144151A1 (en) * 2003-04-02 2005-06-30 Fischman Reuben S. System and method for decision analysis and resolution
CN100371939C (zh) * 2003-08-27 2008-02-27 上海宏力半导体制造有限公司 在缺陷管理系统中使用的方法
TWI225674B (en) * 2003-09-03 2004-12-21 Powerchip Semiconductor Corp Method of defect root cause analysis
US7009391B2 (en) * 2003-10-15 2006-03-07 Seagate Technology Llc High throughput missing pattern detector for servo printed recording media
US7229845B1 (en) 2004-01-26 2007-06-12 Si Glaz Automated sourcing of substrate microfabrication defects using defects signatures
WO2005073807A1 (en) 2004-01-29 2005-08-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data
US7019835B2 (en) * 2004-02-19 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate
CN100375258C (zh) * 2004-03-29 2008-03-12 力晶半导体股份有限公司 一种缺陷再检测的方法
KR100591736B1 (ko) * 2004-07-13 2006-06-22 삼성전자주식회사 기판의 반복 결함 분류 방법 및 장치
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US7844100B2 (en) * 2004-11-29 2010-11-30 Applied Materials Israel, Ltd. Method for filtering nuisance defects
US7299154B1 (en) * 2005-05-16 2007-11-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for fast disturbance detection and classification
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US20070101180A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Mendonca John J Method and a system or handling a change in status for a resource managed by a utility data center
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7877722B2 (en) 2006-12-19 2011-01-25 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating inspection recipes
US8194968B2 (en) 2007-01-05 2012-06-05 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7676775B2 (en) * 2007-05-29 2010-03-09 International Business Machines Corporation Method to determine the root causes of failure patterns by using spatial correlation of tester data
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
US7975245B2 (en) 2007-08-20 2011-07-05 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects
US7939450B2 (en) * 2007-09-21 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for spacer-optimization (S-O)
DE102008001173B9 (de) * 2008-04-14 2010-06-02 Nanophotonics Ag Klassifizierungseinrichtung und -verfahren für die Klassifizierung von Oberflächendefekten, insbesondere aus Waferoberflächen
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
KR101623747B1 (ko) 2008-07-28 2016-05-26 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
JP5448598B2 (ja) * 2009-06-24 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 パーティクル発生要因判定システム、課金方法、及び記憶媒体
US8108805B2 (en) * 2010-03-26 2012-01-31 Tokyo Electron Limited Simplified micro-bridging and roughness analysis
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US9031810B2 (en) * 2011-01-11 2015-05-12 Haiguang Chen Methods and systems of object based metrology for advanced wafer surface nanotopography
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US20130030760A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Tom Thuy Ho Architecture for analysis and prediction of integrated tool-related and material-related data and methods therefor
US20130173332A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Tom Thuy Ho Architecture for root cause analysis, prediction, and modeling and methods therefor
US20140236515A1 (en) * 2011-07-27 2014-08-21 Tom Thuy Ho Cloud-based architecture for analysis and prediction of integrated tool-related and material-related data and methods therefor
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
WO2014149197A1 (en) 2013-02-01 2014-09-25 Kla-Tencor Corporation Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
JP6267398B2 (ja) * 2015-02-25 2018-01-24 株式会社日立製作所 サービス設計支援システムおよびサービス設計支援方法
US10395323B2 (en) 2015-11-06 2019-08-27 International Business Machines Corporation Defect management
US10628935B2 (en) * 2017-01-30 2020-04-21 Zhongke Jingyuan Electron Limited Method and system for identifying defects of integrated circuits
CN108918564B (zh) * 2018-08-09 2021-02-02 陕西延长石油(集团)有限责任公司研究院 一种适用于泥页岩矿物成分定量的分析方法
DE102019201557A1 (de) * 2019-02-07 2020-08-13 Zf Friedrichshafen Ag Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Identifizieren eines Produktfehlers eines Produkts und/oder zum automatisierten Identifizieren einer Produktfehlerursache des Produktfehlers
US11989114B2 (en) * 2019-08-02 2024-05-21 Pratt & Whitney Canada Corp. Validation of inspection software
WO2021088027A1 (en) * 2019-11-08 2021-05-14 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Automatic assessment method and assessment system thereof for yield improvement
US11639906B2 (en) 2020-11-21 2023-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for virtually executing an operation of an energy dispersive X-ray spectrometry (EDS) system in real-time production line
CN113077462B (zh) * 2021-04-30 2024-05-10 上海众壹云计算科技有限公司 晶圆缺陷分类方法、装置、系统、电子设备和存储介质
US11887296B2 (en) 2021-07-05 2024-01-30 KLA Corp. Setting up care areas for inspection of a specimen

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4519041A (en) * 1982-05-03 1985-05-21 Honeywell Inc. Real time automated inspection
JP2638668B2 (ja) * 1990-09-03 1997-08-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送方法および基板搬送装置
US5544256A (en) * 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
IL112513A (en) * 1995-02-01 1999-05-09 Ald Advanced Logistics Dev Ltd System and method for failure reporting and collection
JPH09129530A (ja) * 1995-09-25 1997-05-16 Texas Instr Inc <Ti> サイトモデルを用いたプロセスモジュールの制御およびモニタウエハ制御
US6215896B1 (en) * 1995-09-29 2001-04-10 Advanced Micro Devices System for enabling the real-time detection of focus-related defects
US5943437A (en) * 1995-10-09 1999-08-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Method and apparatus for classifying a defect on a semiconductor wafer
JPH10209230A (ja) * 1997-01-23 1998-08-07 Hitachi Ltd 不良解析装置およびその方法
JPH10214866A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Hitachi Ltd 不良解析方法および装置
US5896294A (en) * 1997-03-11 1999-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for inspecting manufactured products for defects in response to in-situ monitoring
US6154714A (en) * 1997-11-17 2000-11-28 Heuristic Physics Laboratories Method for using wafer navigation to reduce testing times of integrated circuit wafers
JP3067738B2 (ja) * 1998-06-15 2000-07-24 株式会社日立製作所 検査システムおよび検査方法
US6324481B1 (en) * 1998-10-21 2001-11-27 Texas Instruments Incorporated Method for the calculation of wafer probe yield limits from in-line defect monitor data

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI503882B (zh) * 2008-03-06 2015-10-11 Tokyo Electron Ltd Particles occur due to discrimination system and the occurrence of particles to identify the method
CN113302478A (zh) * 2019-01-10 2021-08-24 朗姆研究公司 半导体设备的缺陷分类和来源分析

Also Published As

Publication number Publication date
US6466895B1 (en) 2002-10-15
KR100741819B1 (ko) 2007-07-23
JP2001068518A (ja) 2001-03-16
EP1069609A2 (en) 2001-01-17
KR20010049800A (ko) 2001-06-15
EP1069609A3 (en) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW483080B (en) Defect reference system automatic pattern classification
TW484197B (en) Real time defect source identification
US9335277B2 (en) Region-of-interest determination apparatus, observation tool or inspection tool, region-of-interest determination method, and observation method or inspection method using region-of-interest determination method
KR102083706B1 (ko) 반도체 검사 레시피 생성, 결함 리뷰 및 계측을 위한 적응적 샘플링
US11450122B2 (en) Methods and systems for defect inspection and review
US8799831B2 (en) Inline defect analysis for sampling and SPC
US7904845B2 (en) Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
CN101238346B (zh) 用于执行缺陷相关功能的计算机实现的方法
US8995748B2 (en) Defect image processing apparatus, defect image processing method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying method
TWI684000B (zh) 產生檢查配方的方法及其系統
US20020121915A1 (en) Automated pattern clustering detection for wafer probe maps
KR20100071975A (ko) 계측 샘플링 계획을 생성하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 캐리어 매체들 및 시스템들
US20130173041A1 (en) Integrated interfacing system and method for intelligent defect yield solutions
JP2003240731A (ja) 欠陥検査方法及びその装置
US8121397B2 (en) Method and its apparatus for reviewing defects
US20060002606A1 (en) Pattern recognition with the use of multiple images
TW201909010A (zh) 設計佈局為主的快速線上缺陷診斷、分類及取樣方法及系統
KR102579578B1 (ko) 반도체 적용을 위한 참조 이미지 생성
JP2002190509A (ja) 検査解析方法及び半導体装置
JP2005259830A (ja) 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
US10928437B2 (en) Method of inspecting a specimen and system thereof
US6414308B1 (en) Method for determining opened/unopened semiconductor contacts using a scanning electron microscope
US20220334567A1 (en) Fabrication fingerprint for proactive yield management
JP2006147977A (ja) 欠陥レビュー装置、欠陥レビュー方法及び欠陥解析方法、半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees