TW477917B - Process for forming photoresist pattern by top surface imaging process - Google Patents

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Jae-Chang Jung
Hyung-Gi Kim
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Description

477917 A7 B7 五、發明説明（ί ) 發明的背景Ί ι·發明的領域 本發明係有關使用具有矽烷基化步驟之微影成像法形 成光阻圖案之方法，和特別是有關一種形成光阻劑圖案之 改良方法，其適於形成超細圖案。本發明較佳具體實施例 包含採用一種頂面成像(“TSI”)法，控制方法條件例如溫度 和時間及使用包括交聯劑(“交聯劑(cross_links)，，)的光阻劑 組成物。較佳交聯劑爲一種以下述化學式1或2表示的交 聯單體之聚合物。 2.背景技藝的說明 可發生在形成超細圖案的唯一問題是顯影步驟中的圖 案榻陷和解析度的缺乏。除此之外，在4G DRAM或16G DRAM半導體元件的製造中採用100奈米以下的超細電路 ，光阻劑層應爲薄的以便形成精細圖案。然而，當光阻劑 層是薄的時’蝕刻方法不能夠被完成。因此，光阻劑組成 物形成層必須具具抗蝕刻性；然而，提高光阻劑的抗蝕刻 性是困難的。而且，當圖案藉由採用DUV(深超紫外線)光 ，例如ArF和EUV，形成圖案時，圖案能夠被光學系統的 能量變形。結果，強烈需要一種極敏感的光阻劑，其可在 較弱能量水平下形成圖案。 唯一克服上述缺點的已知方法爲使用矽烷基化作用之 頂面成像(TSI)法。然而，即使TSI法亦不可能在採用傳統 KrF準分子雷射之4G或16G DRAM半導體製造過程中形 成超細圖案和，結果，採用ArF輻射。當一種用於採用 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公瘦） ---------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477917 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（> ) ArF之TSI法光阻劑被使用時，其可能形成0.1 //m/S 以下之超細圖案。 最近，化學擴大型DUV光阻劑已證明可有效達成半 導體產品中製備微電路之方法的高敏感性。 這些光阻劑藉由摻合一種光酸產生劑和具有酸不穩定 結構之聚合物（有時在此處稱爲”樹脂”)基質大分子，及將 組成物塗佈在基材上而製得。 根據該光阻劑的反應機制，當光酸被製圖光源照射時 ，光酸產生劑產生酸，和樹脂的主鏈或支鏈與所產生的分 解或交聯之酸反應。樹脂的極性變化導致在顯影溶液中之 曝光部分和未曝露部分間的溶解度差異，以形成基材上的 預定圖案。 在微影法中，解析度視光源的波長而定-波長愈短， 可形成的圖案也愈小。然而，當光源的波長被減少以便形 成微圖案時，其缺點在曝光裝置的透鏡被光源變形，因此 縮短其壽命。 蜜胺，習知交聯劑，僅具有三個官能基鍵與酸交聯。 進一步地，因爲酸被交聯反應耗盡，所以當使用蜜胺作爲 交聯劑時，必須產生大量的酸。結果，該交鏈劑需要較高 能量光曝光。爲了克服上述的缺點，需要與光阻劑樹脂交 聯且使用較少能量之化學擴大型成分。 此外，顯影溶液可浸入交聯位置內而致使其膨脹。因 此，爲了形成較高積體的圖案，需要合倂較強的交聯劑。 光阻劑組成物也必須具有抗熱性以使耐後曝光烘烤和 __^_5_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
477917 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 矽烷基化方法；其在TSI法中的高溫下進行。 爲了克服上述缺點，本發明人已最適化用於形成4G 或16G DRAM半導體元件的超細光阻劑圖案之方法，藉由 採用一種包含化學擴大型交聯劑(其克服習知交聯劑的問題 )和光阻劑樹脂（其包括用於抗熱性之聚乙烯羥基）之光阻劑 組成物。 發明槪述 因此，本發明一目的是提供一種在4G DRAM或16G DRAM半導體元件的製造中形成超細圖案的方法，其包括 使用一種包括交聯劑的化學擴大型光阻劑組成物。 爲了達成上述本發明之目的，提供一種形成光阻劑圖 案的方法，其包括使用一種包括可與樹脂在低能童下交聯 而形成密集交聯之化學擴大型交聯劑的光阻劑組成物。 較佳，形成超細圖案的方法進一步包含控制條件例如 軟烤的溫度和時間，預矽烷基化烘烤和矽烷基化步驟，和 選擇適當的矽烷基化劑。 圖式簡單說明 參考所附圖式本發明將會變得比較好了解，所附圖式 只用於舉例說明且因此不意欲爲本發明的限制，其中： 圖1是根據本發明藉由頂面成像(TSI)法形成超細圖案 之槪要圖不；和 圖2顯示根據本發明在實施例9獲得之光阻劑圖案。 ____6_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
477917 A7 B7 五、發明説明（斗） Ί較佳具體實施例的詳細明 現將詳細描述一種根據本發明形成光阻劑圖案的方法 ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 一種形成光阻劑圖案之方法，其包括步驟： (a) 製備一種包括交聯劑、光酸產生劑和光阻劑聚合物 於適合溶劑中的化學擴大型光阻劑組成物； (b) 將光阻劑組成物塗佈在半導體元件的基材上以形成 光阻劑薄膜； (c) 將光阻劑薄膜點曝光； (d) 在光阻劑薄膜上實施矽烷基化方法以在曝光的光阻 劑薄膜的表面上形成矽氧化物薄膜圖案； (e) 將光阻劑薄膜顯影以在其上形成圖案；和 ⑴使用矽氧化物薄膜圖案作爲蝕刻光罩蝕刻基材； 其中包含在光阻劑組成物中的交聯劑包括一種交聯劑 單體之聚合物（一種均聚物或共聚物），該交聯劑單體選自 包括以下列化學式1和2表示的化合物： <化學式1> R3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
I
CH2 = C 人 0 0 I I Ri Rs 其中，R!和R2分別表示直鏈或支鏈Cmo烷基，直鏈或支 鏈Cmo酯，直鏈或支鏈Cmo酮，直鏈或支鏈羧酸’ 直鏈或支鏈Cmo縮醒，包括至少一個羥基之直鏈或支鏈 Cmo烷基，包括至少一個羥基之直鏈或支鏈酯’包括 7 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 477917 A7 _ ___B7 五、發明説明（< ) 至少一個羥基之直鏈或支鏈C^o酮’包括至少一個羥基之 直鏈或支鏈C^o羧酸，和包括至少一個羥基之直鏈或支鏈 Cmo縮醛；和R3表示氫或甲基； <化學式2>
Rs Re —---------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，R5，R6和R分別表示直鏈或支鏈C^o烷基，直鏈 或支鏈C^o酯，直鏈或支鏈Cmo酮，直鏈或支鏈Cmo羧 酸，直鏈或支鏈C^o縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或支 鏈C^o烷基，包括至少一個羥基之直鏈或支鏈Cmo酯， 酮包括至少一個羥基之直鏈或支鏈C^o,包括至少一個羥 基之直鏈或支鏈C^o羧酸，和包括至少一個羥基之直鏈或 支鏈Cmo縮醒；R7表示氫或甲基；m表示0或1 ;和η表 示1到5之數目。 較佳交聯劑係選自包括以下列化學式3到8表示的聚 合物； <化學式3> 訂 •1 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公羡） 477917 A7 B7 五、發明説明（b
<化學式4>
I----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 <化學式5>
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Rt k <化學式6> η 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 477917 A7 B7 五、發明説明（1 ) <化學式々>
I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 其中，，R2，R3 ，R5，R6，R7禾口 η是如化學式1禾口 2所 定義；FU表示氫或甲基；a和b分別表示聚合物之各共聚 單體的相對量。 更詳細地，交聯劑較佳係選自包括以下列化學式9到 20表示的化合物： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〈化學式9>
10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 477917 A7 B7 五、發明説明u ) <化學式M〇>
<化學式11>
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 <化學式12>
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <化學式13>
11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 477917 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明説明M )<化學式M4>
<化學式15> π
CK3 CHb <化學式16> Ω
CH, CH： S · I ch3 ch3<化學式17>
本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —---------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 477917 A7 五、發明説明（/ 0 ) <化學式M8>
I--------^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，R4表示氫或甲基。 較佳，在化學式5，7，13，14，17和18中比a : b = 10 - 100莫耳％ : - 90莫耳％ ;和在化學式6，8，15， 16，19 和 20 中 a : b = 10 —90 莫耳％ : 10—90 莫耳％。 參考顯示於下之反應流程1和2說明據本發明之化學 擴大型交聯劑的反應機制。使用化學式5的交聯劑來舉例 說明反應流程1 ;和使用化學式7的交聯劑來舉例說明反 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 477917 B7 五、發明説明（il ) 應流程2。、 首先，根據本發明之交聯劑且光阻劑樹脂和光酸產生 劑混合，及將混合物塗佈在傳統半導體基材上(階段1)。然 後，當基材的一預定區域曝光時，曝光部分產生酸(階段2) 。由於酸從曝光的部分產生，本發明的交聯劑和光阻劑組 合在一起。當使用化學式5的交聯劑時，產生更多的酸， 結果進行該交鏈和連續的鏈交聯。當使用化學式7的交聯 劑時，在交聯之後產生酸且同時在交聯劑上再產生可交聯 之羥基，藉此可連續進行鏈交聯(階段3)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 477917 A7 B7 五、發明説明（θ) <反應流程1>
交聯劑 OH OH OH 0Η 具有羥基之光阻劑聚合％ ----------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曝光時酸產生
Η" 酸 OH OH OH 0Η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-f R2OH 作爲催化劑，因爲在交聯之後再次產生酸 (化學擴大型之交聯劑） 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 477917 A7 B7 五、發明説明（Λ ) <反應流程2 >
OH OH
交聯劑 具有羥基之光阻劑聚合物 曝光時酸產生 --------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
0〇
Jn
Rs Re OH OH Η+ 酸
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
© 作爲催化劑，因爲在交聯之後再次產生酸 (化學擴大型之交聯劑） 交聯之後，再生成可交聯羥基 16 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 477917 A7 B7 五、發明説明（\iv ) 在根據本^明形成圖案之方法中，其較佳在上述步驟 (b)中塗佈光阻劑組成物之後於90°C到180°c進行30到300 秒之軟烘步驟以除去使用於光阻劑組成物中之溶劑。 除此之外，上述曝光步驟(c)藉由使用選自包括ArF， KrF ’ EUV ’ E-束和X光射線光源有利地進f了。 在步驟(c)之後，較佳，在90°C到250°C進行預矽烷基 化洪烤的步驟經30到300秒以使硬化光阻劑層。 步驟(d)的矽烷基化方法係藉由使用液相或氣體相矽烷 基化劑在90°C到250°C實施30到300秒。矽烷基化劑較佳 係選自包括六甲基二矽氮烷，四甲基二矽氮烷，雙二甲胺 基二甲基矽烷，雙二甲胺基甲基矽烷，二甲基矽烷基二甲 胺，二甲基甲矽烷二乙胺，三甲基矽烷基二甲胺，三甲基 矽烷基二乙胺和二甲胺基五甲基二矽烷。。 上述步驟0)較佳包括： ⑴以包括氟或氯和氧的氣體之混合物實施乾式顯影1 到100秒來顯影光阻劑薄膜；和 (ii) 使用包括氧或二氧化碳之氣體將在步驟⑴所形成之 非顯影區域乾式顯影10到500秒。 上述步驟⑴較佳包括： (iii) 過蝕刻基材10到80%。 現將參考圖1描述上述步驟。當塗佈在基材3上之光 阻劑薄膜2經過製圖光罩1(A)曝光，本發明的光阻劑聚合 物和交聯劑在曝光區域交聯，藉此賦予光阻劑層(B)表面之 曝光區域和未曝光區域不同性質。當在其上實施矽烷基化 17 ------------------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477917 A7 B7 五、發明説明（ 方法時，矽烷k化劑和未曝光區域的光阻劑聚合物彼此反 應，藉此在不曝露區域（C)表面形成矽氧化物（SiOx)薄膜。 其後，當以〇2電獎等等進行乾式顯影步驟，SiOx層作爲 阻障光罩(D)。然後藉由蝕刻形成正圖案（E)。 所有含羥基的聚合物可作爲本發明的光阻劑聚合物使 用。然而，其較佳使用以化學式21表示的羥基苯乙烯單體 的均質聚物或共聚物，因爲其對於後曝光烘烤和矽烷基化 作用具有抗熱性： <化學式21>
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，A，B，C和D各表示氫，氯，氟或甲基。 包含化學式21單體的聚合物較佳選自包括聚(羥基苯 乙稀）；聚（二氯經基苯乙烯）；聚（羥基甲醇鹽羥基苯乙烯) ;聚（羥基苯乙烯/二氯羥基苯乙烯）；和聚(羥基苯乙烯/ 二氯羥基苯乙烯/羥基甲醇鹽羥基苯乙烯）。 在本發明光阻劑組成物中，交聯劑對光阻劑聚合物的 混合物比例爲10-90重量％ : 10-90重量％。 根據本發明的圖案形成方法可被使用於製造半導體元 件。 現將藉由參考下列實施例更詳細地說明本發明，但是 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
477917 A7 ____B7_ 五、發明説明（A ) 其應該注意的是本發明不被限制於這些實施例中。 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·用於矽烷基化作用的光阻劑組成物的製備 窗施例1 將10克的聚(羥基苯乙烯），一種光阻劑聚合物，和6 克的聚（3,3’-二甲氧基丙烯），一種化學擴大型交聯劑，溶 解在64克的3-甲氧基丙酸甲酯溶劑中，然後將0.32克的 三苯銃三氟甲烷磺酸鹽，一種光酸產生劑，加至所得混合 物中。攪拌且經過一 〇.l〇/zm過濾器過濾所得混合物以提 供一種適合使用於本發明的矽烷基化作用之光阻劑組成物 窗施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將10克的聚(羥基苯乙烯/二氯羥基苯乙烯），一種光 阻劑聚合物，和6克的聚(3,3’_二甲氧基丙烯/丙烯酸）， 一種化學擴大型交聯劑，溶解在64克的3-甲氧基丙酸甲 酯溶劑中，然後將〇·32克的三苯銃三氟甲烷磺酸鹽，一種 光酸產生劑，加至所得混合物中。攪拌且經過一 〇.l〇/zm 過濾器過濾所得混合物以提供一種適合使用於本發明的矽 烷基化作用之光阻劑組成物。 啻施例3 將10克的聚(羥基苯乙烯/二氯羥基苯乙烯/羥基甲 醇鹽羥基苯乙烯），一種光阻劑聚合物，和6克的聚（3,3’_ 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） 477917 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（^ ) 二甲氧基丙烯丨，一_化學擴大型交聯劑，溶解在64克的 3-甲氧基丙酸甲酯溶劑中，然後將0·32克的三苯銃三氟甲 烷磺酸鹽，一種光酸產生劑，加至所得混合物中。攪拌且 經過一 Ο.ΙΟ/zm過濾器過濾所得混合物以提供一種適合使 用於本發明的矽烷基化作用之光阻劑組成物。 啻施例4 將10克的聚(羥基苯乙烯），一種光阻劑聚合物，和6 克的聚（3,3’_二乙氧基丙烯/丙烯酸），一種化學擴大型交 聯劑，溶解在64克的3-甲氧基丙酸甲酯溶劑中，然後將 0.32克的三苯銃三氟甲烷磺酸鹽，一種光酸產生劑，加至 所得混合物中。攪拌且經過一 〇.l〇//m過濾器過濾所得混 合物以提供一種適合使用於本發明的矽烷基化作用之光阻 劑組成物。 窨施例5 將10克的聚(二氯羥基苯乙烯），一種光阻劑聚合物， 和6克的聚（1，3-二聘烷），一種化學擴大型交聯劑，溶解在 64克的3-甲氧基丙酸甲酯溶劑中，然後將0.32克的三苯 銃三氟甲烷磺酸鹽，一種光酸產生劑，加至所得混合物中 。攪拌且經過一 0.10/zm過濾器過濾所得混合物以提供一 種適合使用於本發明的矽烷基化作用之光阻劑組成物。 實施例6 一 _ 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----1-----讀—I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 477917 A7 B7 五、發明説明（π) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將10克的聚(羥基甲醇鹽羥基苯乙烯)和6克的聚（ι，3-二聘烷），其爲一種化學擴大型交聯劑，溶解在64克的3-甲氧基丙酸甲酯溶劑中，然後將〇_32克的三苯銃三氟甲烷 磺酸鹽，一種光酸產生劑，加至所得混合物中。攪拌且經 過一 0.10/zm過濾器過濾所得混合物以提供一種適合使用 於本發明的矽烷基化作用之光阻劑組成物。 實施例7 將10克的聚(羥基甲醇鹽羥基苯乙烯），一種光阻劑聚 合物，和6克的聚(3,3’_二甲氧基丙烯/順丁烯二酸酐)， 一種化學擴大型交聯劑，溶解在64克的3-甲氧基丙酸甲 酯溶劑中，然後將0.32克的三苯銃三氟甲烷磺酸鹽，一種 光酸產生劑，加至所得混合物中。攪拌且經過一 0.10/zm 過濾器過濾所得混合物以提供一種適合使用於本發明的矽 烷基化作用之光阻劑組成物。 窨施例8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將1〇克的聚(羥基苯乙烯），一種光阻劑聚合物，和6 克的聚（3,3’_二甲氧基丙烯/順丁烯二酸酐），一種化學擴 大型交聯劑，溶解在64克的3-甲氧基丙酸甲酯溶劑中， 然後將〇·32克的三苯銃三氟甲烷磺酸鹽，一種光酸產生劑 ，加至所得混合物中。攪拌且經過一 0.10/zm過濾器過濾 所得混合物以提供一種適合使用於本發明的矽烷基化作用 之光阻劑組成物。 21 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 477917 A7 __B7__ 五、發明説明（J ) II.使用矽烷基化方法形成超細圖案之方法 實施例9 將實施例1製備之矽烷基化光阻劑組成物塗佈於基材 上，於60°C到170°C軟烤30到300秒以除去溶劑，且藉 由使用ArF雷射曝光器曝光於圖光中。其後，預矽烷基化 烘烤於60°C到170°C實施30到300秒以硬化光阻劑及擴散 酸，及藉由使用四甲基二矽氮烷當做矽烷基化劑於170°C 進行矽烷基化方法90秒。然後，採用C2F6或CF4氣體和 〇2氣體的氣體混合物之乾式顯影在未不曝露區域形成矽氧 化物層，C2F6或CF4氣體對02氣體的混合物比是1 : 3到 1 : 8。藉由乾式蝕刻曝光區域形成超細圖案，其係採用02 電漿和使用矽氧化物層當做阻障光罩(參見圖2)。 實施例10到16 重複根據實施例9之步驟，但使用從實施例2到8獲 得之光阻劑組成物個別取代從實施例1獲得之光阻劑組成 物，形成超微光阻劑圖案。 如前所討論，本發明藉由使用一種包含化學擴大型交 聯劑(其在低能量下可與光阻劑樹脂交聯和其可形成密集交 聯)之光阻劑組成物；和包含具有優異抗熱性之聚合物克服 傳統化學擴大型光阻劑的缺點。在本發明最適宜的方法中 ，各程序的條件，例如軟烘，預矽烷基化烘烤和矽烷基化 步驟的溫度和時間被控制和選擇適當的矽烷基化劑，藉此 形成超細圖案。 __ 22 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 丨 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

  1. 4779 本告 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申ϋϋ範圍 ι·一種形成光阻劑圖案之方法，其包括步驟： (a) 製備一種包括交聯劑、光酸產生劑和光阻劑聚合物 於溶劑中的化學擴大型光阻劑組成物； (b) 將光阻劑組成物塗佈在半導體元件的基材上以形成 光阻劑薄膜； (c) 將光阻劑薄膜點曝光； (d) 在光阻劑薄膜上實施矽烷基化方法以在曝光的光阻 劑薄膜的表面上形成矽氧化物薄膜圖案； (e) 將光阻劑薄膜顯影以在其上形成圖案；和 ⑴使用矽氧化物薄膜圖案作爲鈾刻光罩蝕刻基材； 其中包含在光阻劑組成物中的交聯劑包括選自包括以 下列化學式1和2表示的化合物之交聯劑單體： <化學式1> R3 I CH2 = C 人 0 0 I I Ri R2 其中，K和R2分別表示直鏈或支鏈烷基，直鏈或支 鏈C^o酯，直鏈或支鏈C^o酮，直鏈或支鏈Cmo羧酸， 直鏈或支鏈Cmo縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或支鏈 烷基，包括至少一個羥基之直鏈或支鏈CM()酯，包括 至少一個羥基之直鏈或支鏈酮，包括至少一個羥基之 直鏈或支鏈Cmo羧酸，和包括至少一個羥基之直鏈或支鏈 Cmo縮醛；和R3表示氫或甲基； <化學式2> 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v" 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 477917 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 H^C—— C
    R5 Re 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，R5，&和R分別表示直鏈或支鏈CV1Q烷基，直鏈 或支鏈酯，直鏈或支鏈Cl心酮，直鏈或支鏈Ci_i〇羧 酸’直鏈或支鏈Cl“Q縮酸，包括至少一個經基之直鏈或支 鏈C^o烷基，包括至少一個羥基之直鏈或支鏈Cni()酯， 包括至少一個羥基之直鏈或支鏈酮，包括至少一個羥 基之直鏈或支鏈C^Q竣酸，和包括至少一個經基之直鏈或 支鏈Cmo縮醒；R7表示氫或甲基；m表示〇或1 ;和^表 示1到5之數目。 2·根據申請專利範圍第1項之方法，其中交聯劑爲化 學式1單體的均聚物或共聚物，或化學式2單體的單體均 聚物或共聚物。 3·根據申請專利範圍第2項之方法，其中交聯劑彳系胃 自包括以下列化學式3到8表示的聚合物： <化學式3> — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 477917 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
    <化學式4>
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 <化學式5>
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <化學式6> η
    Rt 477917 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 <化學式>>
    <化學式8> Ω
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，R!，R2，R3，R5，R6，R7和η是如化學式1和2所 定義；R4表示氫或甲基；a和b分別表示聚合物之各共聚 單體的相對量。 4. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中在化學式5 和7中a : b= 10-100莫耳％ : 0-90莫耳％ ;和在化學式6 和 8 中 a : b= 10-90 莫耳％ : 10-90 莫耳％。 5. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中交聯劑係選 包括以下列化學式9到20表示的化合物： <化學式9> 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 477917 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
    八 0 0 I I ch3 ch^ <化學式l〇>
    - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ <化學式11>
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <化學式12>
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 477917 8 8 8 8 ABCD 申請專利範圍 <化學式、3>
    ch3 ch3 <化學式14> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr <化學式15> Ο
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <化學式16>
    CH^ CH3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 477917 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 <化學式、7>
    c>(lOH b <化學式18>
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 0 <化學式19>
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <化學式20>
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） 477917 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中，R4表示，氫或甲基；a和b分別表示聚合物之各共聚 單體的相對量。 6. 根據申請專利範圍第5項之方法，其中在化學式13 ，14，17 和 18 中比 a : b = 10 — 100 莫耳％ : 〇 — 9〇 莫耳％ :和在化學式15，16，19和20中a:b=1〇 —90莫耳％ : 10 — 90 莫耳％。 7. 根據申請專利範圍第1項之方法，在步驟(b)之後進 一步包括一軟烘步驟，在90它到l8〇°C實施30到300秒以 除去溶劑。 8. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中步驟(c)藉由 使用選自包括ArF，KrF，EUV，E-束和X光射線的光源進 行。 9. 根據申請專利範圍第1項之方法，在步驟(c)之後進 —步包括預矽烷基化烘烤的步驟’在9〇°C到250°C實施3〇 到300秒以使硬化光阻劑。 10·根據申請專利範圍第1項之方法，其中步驟(d)的 砍院基化方法係藉由使用液相或氣體相砂院基化劑在9 0 °C 到250°C實施30到300秒。 11·根據申請專利範圍第1〇項之方法，其中Ϊ夕院基化 劑係選自包括六甲基二矽氮烷，四甲基二矽氮院，雙二甲 胺基二甲基矽烷，雙二甲胺基甲基矽烷，二甲基砂院基二 甲胺，二甲基甲矽烷二乙胺，三甲基矽烷基二甲胺，三甲 基矽烷基二乙胺和二甲胺基五甲基二矽烷。 12.根據申請專利範圍第1項之方法，其中顯影步驟(e) 8 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本貫> ,ΐτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 477917 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 包括： 、^ ⑴藉由包括氟或氯和氧的氣體之混合物實施乾式顯影 1到100秒來顯影光阻劑薄膜；和 (ii) 使用包括氧或二氧化碳之氣體將在步驟⑴所形成之 非顯影區域乾式顯影1〇到500秒。 13. 根據申請專利範圍第1或12項之方法，其中步驟 ⑴包括： (iii) 過蝕刻基材1〇到80%。 14. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中光阻劑聚合 物具有羥基。 15. 根據申請專利範圍第14項之方法，其中光阻劑聚 合物爲以下列化學式21表示的單體的均質聚物或共聚物： <化學式21> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，A，B，C和D各表示氫，氯，氟或甲基。 16.根據申請專利範圍第15項之方法，其中聚合物係 選自包括聚（羥基苯乙烯）；聚（二氯羥基苯乙烯）；聚（羥基 甲醇鹽羥基苯乙烯）；聚(羥基苯乙烯/二氯羥基苯乙烯）； 和聚（羥基苯乙烯/二氯羥基苯乙烯/羥基甲醇鹽羥基苯乙 烯）。 9 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐）
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