TW468068B - Distribution management optical fiber, its method of manufacturing, the optical communication system containing the said fiber, and the optical fiber base material - Google Patents

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TW468068B
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optical fiber
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inner layer
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TW089119637A
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Shigeru Tanaka
Masayuki Nishimura
Shinji Ishikawa
Eisuke Sasaoka
Takatoshi Kato
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Sumitomo Electric Industries
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4 6 8 0 6 8 A7 B7 五、發明說明（/ ) (發明背景） (發明之領域） (請先閲讀背面之注意事項*;%寫本頁&gt; 本發明是關於在波長分割多工（WDM:Wave length Division Multiplexing)傳送上，適於傳送多個頻道之 信號之光纖，其製造方法，包含光纖之光通信系統及關 於爲獲得光纖所用之光纖基材。 (關聯之背景技術） WDM傳送系統係爲藉傳送多個頻道之信號，實現高速 大容量之光通信之光通信系統。該WDM傳送系統，適用 於光傳送通路之石英系光纖之傳送損失在波長爲1.55 //m附近變小，且用於放大1.55βιη波長頻寬之信號之 光放大器已實用化，故使用包含1.55 波長頻寬之多 個頻道之信號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在傳送多個頻道的光線傳送通路中，此系統已知在信 號波長頻寬（1.55// m波長頻寬）中會產生波長分散及各 信號脈波毀壞致惡化傳送特性之情事。因此，自此觀點 看，當然希望信號波長頻寬之波長分散小。但是，信號 波長頻寬之波長分散値若約爲0時容易產生屬於非線性 光學現象之一種之四光波混合，因此導致產生漏話以及 雜音，這也會惡化傳送特性。欲抑制四光波混合之產生， 只要縮短中繼間隔，減小在光傳送通路中傳播之信號之 功率即可，但是這樣一來橫跨光傳送通路整體必須設置 多個之光放大器，造成整體通信系統價格高昂。 爲了抑制上述那樣之非線性光學現象之產生之外，同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS&gt;A4規格（210 X 297公釐） 4 6 8 0 6 8 A7 B7 五、發明說明（2) (請先閱讀背面之注意事f填寫本頁) 時欲拉長中繼間隔，已有提議將在既定波長（例如波長 1.55/zm=1550nm)上具有正的波長分散之部份和具有負 的波長分散之部份作成交替配置之分散管理光纖。適用 這種分散管理光纖之光傳送通路從該光傳送通路整體見 到之平波長分散（波長I.55ym)變爲約等於0，因此， 有效地抑制因波長分散的產生所引起之傳送特性之惡 化。另外，光傳送通路幾乎整個領域皆產生波長分散， 故也有效地抑制四光波混合所引起之傳送特性之惡化。 例如，日本專利公報特開平8- 201639號揭示藉改變 長度方向之核心內層（core)外徑以改變波長分散之符號 之分散管理光纖，另外也揭示有關此分散管理光纖之製 造方法《美國專利第5，δ94,53 7號揭示藉改變長度方向 之核心內層外徑或被覆（clad)外徑使各部產生之波長分 散符號不同那樣設計之分散管理光纖，另外，也揭示此 分散管理光纖之製造方法。 日本國專利公報特開平9-3 1 8824號揭示連接等效斷 面積及波長分散符號互異之兩種光纖之光纖電纜。 (發明之槪要）_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印焚 發明者等檢討習知之分散管理光纖及電纜之結果，發 見下述之課題。亦即，日本國專利公報特開平8 - 20 1 6 3 9 號以及美國專利公報第5,894, 5 37號揭示之習知之分散 管理光纖係藉沿著長度方向改變核心內層外徑或被覆外 徑抽拉光纖基材而製造，因此不易製造。另外，習知之 分散管理光纖因係沿著長度方向改變核心內層（c or e )外 本紙張尺度適用1f1國國家標準（CNS&gt;A4規格（210 X 297公釐） A7 468068 __B7__ 五、發明說明（3 ) (請先闉讀背面之注寫本頁) 徑或被覆外徑，故難於與另外之光纖連接，再者，有連 接損失變大之情形。例如，日本國專利公報特開平 9-3188 24號揭示之光纖電纜因係連接等效面積互異之 兩種光纖，故連接損失變大。 本發明係爲了解決上述課題而創作出的，目的係提供 容易製造具備容易與其它之光纖連接之構造之分散實 理光纖，其製造方法，適用該分散管理光纖作爲傳送通 路之光通信系統，及用於獲得該分散管理光纖之光纖基 材。 - 有關本發明之分散管理光纖係爲在信號波長頻寬內之 既定波長上保證單一模式（single mode)之石英系光纖， 係爲將在該既定波長中具有正波長分散之1或以上之第 1部份之各個和在該既定波長上具有負波長分散之1或 以上之第2部份之各個作成相互接續之配置之單一整體 (unitary)光纖。 經濟部笮慧財產局貝工消费合作社印製 該分散管理光纖之特徵係具備在半徑方向上依序設置 之多個玻璃層。特別是，在這些多個之玻璃層中，含有 折射率調節用之添加物之玻璃層中之該添加物之濃度沿 著該分散管理光纖之長度方向上之最大變化係被均一化 在2 0〜3 0%以下，最好是抑制在10%以下，而，實質上 不含有作爲該添加物之Ge〇2之玻璃層之折射率係沿著 該分散管理光纖之長度方向變化。另外，有關本發明之 分散管理光纖也可作成使殘留在這些多個玻璃層內之應 力沿著該分散管理光纖之長度方向變化之結構爲佳。再 本紙張尺度適用中a國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 68 06 8 B7_____ 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 者，該分散管理光纖之核心內層領域含有故意地不包含 雜質之玻璃（以下稱爲純石英玻璃）層爲佳。純石英玻璃 層之黏性比含有雜質之玻璃層之黏性大，因此殘留應力 之調節變成容易。另外，即使在製造途中既定量之Ge〇2 不經意地混入此純石英玻璃層時對賦與殘留應力之該層 之純石英玻璃之比折射率差能被抑制成比添加與該混入 之GeCh同數量之Ge〇2之玻璃層之純石英玻璃之比折射 率差低，因此能有效果地抑制Ge〇2混入之影響。再者， 於本說明書上，各玻璃層對基準領域之比折射率差，設 各玻璃層之折射率爲η，基準領域之折射率爲η。時則得 出（n_n〇/n。（順序不變），用百分率表示。因此，若以純 石英玻璃爲基準時具有比該純石英玻璃者低之折射率之 玻璃層之比折射率差則成爲負値，而具有比該純石英玻 璃者高之折射率之玻璃層之比折射率差則變爲正値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述，有關本發明之分散管理光纖，添加物濃度係 沿著該分散管理光纖之長度方向成均一之狀態，未添加 GeCh之玻璃層之折射率或殘留應力係沿著該分散管理光 纖之長度變化。藉此構造，該分散管理光纖之橫截面積 之大小不沿著長度方向變化，而能得出在上述既定波長 上具有正波長分散和在該既定波長上具有負波長分散之 部份交替配置之單一整體之分散管理光纖。因此，有關 本發明之分散管理光纖製造容易，縱使與其它之光纖連 接也不會增加連接損失。 再者，上述信號波長頻寬是以1.53；«ra(微米）〜1.60 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468068 A7 _B7______ 五、發明說明（5 ) (請先Μ讀背面之注意事球1—填寫本頁) ΜΙΠ，更甚者爲1.54μπι〜1.56jL£m爲佳。一般，這樣之 波長頻寬對石英系光纖言係爲能壓低傳送損失之範圍， 進而在該分散管理光纖適於作爲光傳送通路之WDM傳送 方法上能維持充份之傳送品質。 有關本發明之分散管理光纖，上述第1部份之各個在 上述信號波長頻寬內之既定波長上以具有+lps/nm/kro 以上至+1 Ops/.nm/km以下之波長分散爲佳，上述第2部 份之各個在上述信號波長頻寬內之既定波長上是以具有 -10ps/nm/km以上至- lps/.nm/km以下之波長分散爲佳。 另外，上述第1部份以各個具有500m以上至10km以下 之長度，而上述第2部份之各個良好地具有500m以上至 l〇km以下之長度爲佳。藉將第1及第2部份之各個設計 在上述之範圍內，除了確保該分散管理光纖之製造容易 性外，同時有效果地抑制因累積波長分散和非線性光學 現象之相互作用所引起之傳送特性之惡化。 另外，上述之第1部份，在上述信號波長頻寬內之既 定波長上具有正的分散斜率（slope),上述第2部份在 上述信號波長頻寬內之既定波長上具有負的分散斜率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉此結構，除了能有效果地抑制累積波長分散之增加外， 同時能減少該分散管理光纖整體之累積分散斜率。另外 ，能利用更寬廣之頻寬作爲WDM傳送之信號波長頻寬。 本發明有關之分散管理光纖，位在交互接續配置之第 1部份之各個和第2部份之各個之間，於上述信號波長 頻寬內之既定波長上具有絕對値未滿lps/nm/km之波長 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 3 0 6 8 B7 五、發明說明（&amp; ) 分散之暫態部份之累積長，最好係爲該分散管理光纖全 長之1 0¾以下。這種情形，藉設計縮短非線性光學現象 比較容易產生之暫態部份而有效地抑制因非線性光學現 象所引起之傳送特性之惡化。 更甚者，本發明有關之分散管理光纖，從該分散管理 光纖整體看到之上述信號波長頻寬內之既定波長之平均 波長分散，絕對値係在3ps/rim/lcm以下，較佳是係實質 爲0(-1〜+ lps/nm/kmh藉此，於上述信號波長頻寬內 之既定波長上，壓低該分散管理光纖整體之累積波長分 散，從而有效地抑制因該累積波長分散和非線性光學現 象之相互作用所引起之傳送特性之惡化。另外，上述信 號波長頻寬內之既定波長上之等級截面積最好係在40 # m2以上，偏波模式分散最好係在〇.2ps · knTW2以下。 任何情形皆有效地抑制因非線性光學現象以及偏波模式 分散所引起之傳送特性之惡化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ----------I - _ii— (請先閱讀背面之注意事項坪填寫本頁) 線&gt; 本發明有關之分散管理光纖具備沿著既定軸伸長之核 心內層領域及設在該核心內層領域之外周上之被覆領域 。特別是核心內層領域係含有由純石英玻璃作成之層爲 佳。由純石英作成之層因拉線所產生之殘留應力大多依 拉線張力而定，因此，響應此殘留應力折射率產生變化 ，而波長分散也產生變化。因此，對實現該分散管理光 纖係爲理想。另外，有關本發明之分散管理光纖能適用 下述那樣折射率樣態（p r 〇 f i 1 e )。 亦即，第1折射率樣態係藉含有第核心內層，第2核 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 68 068 A7 B7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 心內層及第3核心內層之核心內層領域及設於該核心內層 領域外周上之被覆領域而實現。特別是，第1核心內層 係爲添加Ge〇2之玻璃層，對被覆領域內之基準領域具. 有0.4%以上之比折射率差。第2核心內層係爲設在第i 核心內層之外周且添加F元素之玻璃層，具有比純石英 玻璃者低之折射率。第3核心內層係爲由設在第2核心 內層之外周，實質爲純石英玻璃所作成之玻璃層。再者， 被覆領域係含有添加F元素具有比純石英玻璃者低之 .折射率之層。更良好的是第1核心內層除了具有4 # m 以上至9 # ra以下之外徑外，另對被覆領域內之基準領 域具有0 . 4%以上至1 , I %以下之比折射率差。第2核心內 層具有6/zm以上至20/zm以下之外徑，且對被覆領域內 之基準領域具有〇%以上至〇 · 1 %以下之比折射率羞。第3 核心內層除了具有10/iro以上至30ΑΙΠ以下之外徑外， 另對被覆領域內之基準領域具有0.05%以上至0 . 5%以下 之比折射率差。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印絮 第2折射率樣態在第2核心內層之折射率比被覆領域 內之F元素添加層者之折射率低這點上係與上述第1折 射率之樣態不同。這時，第1核心內層除了具有4 μ m 以上至9 V m以下之外徑外，另對被覆領域內之基準領 域具有〇 . 4%以上至1 . 1 %以下之比折射率差。第2核心內 層除了具有6/zm以上至20 以下之外徑外，另對被覆 領域內之基準領域，具有-0.6%以上至未滿0¾之比折射 率差。第3核心內層除了具有1〇 以上至30/zm以下之 -9 - ' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS&gt;A4規格（210 X 297公H ~&quot; 468068 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 五、發明說明（8 .) 外徑外，另對被覆領域內之基準領域，具有0.05%以上 至0.5%以下之比折射率差。 再者，第3折射率樣態係藉含有沿著既定軸伸長之第 1核心內層及第2核心內層之核心內層領域，及設在該 核心內層領域之外周上之被覆領域而實現。這時，第1 核心內層係爲添加Ge〇2之玻璃層，對被覆領域內之基 準領域，具有〇 . 7%以上之比折射率差。第2核心內層係 爲設在第1核心內層之外周上之玻璃層，實質上係由純 石英玻璃作成。再者，被覆領域含有折射率比添加F元 素之純石英玻.璃者低之層。更良好的是，第1核心內層 除了具有3gm以上至6ym以下之外徑外，另對被覆領 域內之基準領域，具有〇. 7%以上至1 . 2%以下之比折射 率差。第2核心內層除了具有15#ιώ以上至25/zm以下 之外徑外，另對被覆領域內之基準領域，具有超過0¾ 至0.3¾以下之比折射率差。 再者，上述第1〜第3折射率樣態之任一，被覆領域 也可具備設在核心內層領域之外周上之內側被覆，及除 了設在該內側被覆之外周外，另具有比該內側被覆者高 之折射率之外側被覆（抑制被覆（Deperssed &lt;:1&amp;(1)構_ 造）。這種抑制被覆構造，上述內側被覆除了具有25/zm 以上至60 以下之外徑外，另對外側被覆（被覆領域 之基準領域），以具有-0.4%至未滿0%之比折射率差爲 佳。 如上述，被覆領域因也有藉折射率不同之多個玻璃層 -ίο - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------I---T.·裝--- &lt;請先閲請背面之注意事項，再填寫本頁) 訂.，· -丨線、 A7 B7 4 6 8 0 6 8 玉、發明說明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項f填寫本頁) 構成之情形，故該被覆領域若係爲單一之玻璃層時被覆 領域本身，則成爲上述之基準領域，另外，若被覆領域 具備上述那樣之抑制被覆構造時屬於最外層之外側被覆 即成爲上述之基準領域。 再者，第4折射率樣態係藉單一之核心內層領域及設 在該核心內層領域之外周上之被覆領域而實現。核心內 層領域係爲由實質上爲純石英玻璃所形成之玻璃層《另 外，被覆領域係由包含設在核心內層領域之外周，且被 滿加F元素之內側被覆，及設在該內側被覆之外周，且 爲被.添加F元素之玻璃層，具有比該內側被覆者高之折 射率之外側被覆所構成。更良好的是，核心內層領域除 了具有3 # m以上至7 # m以下之外徑外，另對外側被覆 (被覆領域內之基準領域），具有0.4%以上至0.9%以下 之比折射率差。內側被覆除了具有7 β m以上至1 4 # m 以下之外徑外，另對外側被覆，具有-0.6%以上至未滿 0%之比折射率差。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 / 本發明有關之分散管理光纖之外徑也可與未添加GeCh 之玻璃層之折射率沿著該分散管理光纖之長度方向之變 化同步改變爲佳。另外，該分散管理光纖之外徑也可與 各玻璃層內之殘留應力沿著該分散管理光纖之長度方向 之變化同步改變爲佳。上述兩種情形皆可藉光纖外徑之 變化，容易調節波長分散。另外，即使係這樣地改變光 纖之外徑，但藉少許之光纖外徑之變化即能有效地執行 波長分散之調節。因藉光纖外徑之少許變化即能獲充份 -11 - 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 4 6 8 0 6 8 A7 ______B7 __ 五、發明說明（10 ) 之分散調節效果，故製造容易，即使與其它光纖連接亦 能有效地抑制連接損失之增加。 --I ί I---II ! .丨 I (請先閱讀背面之注意事頃择琪窝本頁) 其次，本發明有關之分散管理光纖係如下述那樣獲得 。亦即，本發明有關之分散管理光纖之製造方法係包括 準備既定之光纖基材，及抽拉此光纖基材之同時調節拉 線張力。再者，要準備之光纖基材，在相當於該分散管 理光纖之多個玻璃層中，含有折射率調整用之添加物之 領域內之該添加物濃度，沿著該光纖基材之長度方向之 最大變化係均一化爲在20%〜30%以下，最好是.1 〇%以下 。另外，要準.備之光纖基材，相當於該分散管理光纖之 多個玻璃層之各個領域對純石英玻璃之折射率在沿著該 光纖基材之長度方向之最大變化也可被均一化爲20%〜 3 0%以下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對準備好之光纖基材施加之拉線張力，爲了簡便製造 該分散管理光纖起見，最好係藉改變該光纖基材之溶融 部份之溫度，或改變拉線速度而改變。另外，也可與拉 線張力之變化（光纖.基材之溶融部份之溫度變化以及抽 拉速度之變化）同步改變光纖外徑。藉改變光纖外徑， 波長分散之調節變成容易。另外，即使像這樣改變光纖 外徑之情形，但藉些微光纖外徑之改變即能充地執行波 長分散之調節。 本發明有關之分散管理光纖能適用於WDM傳送用之光 通信系統。該分散管理光纖構成敷設茌發射多個頻道之 信號之傳送站與含有光放大器之中繼站之間，各中繼站 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準&lt;CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 06 8 A7 B7 五、發明說明（11 ) 之間，中繼站與接收站之間等，各中繼區間之光傳送通 路之一部份。特別是，該分散管理光纖，在該中繼區間 中自具有信號波長頻寬內之波長之信號之行進方向看配 置在上游側爲佳。藉如此配置該分散管理光纖，增大信 號功率，在容易產生非線性光學現象之中繼區間之上游 ，能有效地抑制傳送特性之惡化。 再者，本發明有關之光通信系統之各個中繼區間，在 信號波長頻寬內之既定波長上，自該中繼區間整體看到 之平均波長分散之絕對値係爲3ps/nm/km以下，更甚者 係實質爲〇(-丨〜+lps/nm/km)爲佳。藉此有效地抑制光 傳送通路上之累積波長分散和非線性光學現象之相互作 用所引起之傳送特性之惡化，能維持WDM傳送之充份之 傳送品質。另外，爲了實現爲了實現孤子&lt;S〇丨it〇n)通信，該光通信系統 之各個中繼區間，在信號波長頻寬內之既定波長上，平 均波長分散係爲〇.lps/nm/lcm以上至l.Ops/nm/km以下 爲佳。 (圖式之簡單說明） 第1圖係用於說明本發明有關之分散管理光纖，及適 用該分散管理光纖之光通信系統之槪略構成之圖。 第2圖係第1圖所示之分散管理光纖之一部份之放大 圖。 第3圖係示出自本發明有關之分散管理光纖從整體觀 之平均波長分散特性之曲線圖。 第4圖係分別示出本發明有關之分散管理光纖之第1 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4规格（210 * 297公釐） -1!! -裝 i I (請先閲讀背面之注意事項§寫本頁) Ί丨訂： 經濟部智慧財產局具工洧费合作杜印製 A7 B7 4 68 06 8 五、發明說明（12 ) 部份（具有正的波長分散之部份）之波長分散特性及第2 部份（具有負的波長分散之部份）之波長分散特性之曲線 圖。 · 第5A及第5B圖係本發明有關之分散管理光纖之第1 實施形態之橫截面構造圖及折射率樣態。 第6圖係本發明有關之分散管理光纖之第2實施形態 之折射率樣態.。 第7圖係本發明有關之分散管理光纖之第3實施形態 之折射率樣態。 . ； 第8圖係本，發明有關之分散管理光纖之第4實施形態 之折射率樣態。 第9圖係本發明有關之分散管理光纖之第5實施形態 之折射率樣態。 第10圖係本發明有關之分散管理光纖之第6實施形態 之折射率樣態。 η 第1 1圖係本發明有關之分散管理光纖之第7實施形態 之折射率樣態。 第1 2圖係分別示出具有第7圖所示之折射率樣態之分 散管理光纖（樣本1)之第1部份（具有正的波長分散之部 份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之部 份）之波長分散特性，及其等之平均値之曲線圖。 第1 3圖係分別示出具有第8圖所示之折射率樣態之分 散管理光纖（樣本2)之第1部份（具有正的波長分散之部 份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之部 -14 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 閲 锖 背 面 之 注 意 事 項 t I裂 i - 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 06 8 a? B7 五、發明說明（u &gt; 份）之波長分散特性，及其等之平均値之曲線圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第丨4圖係分別示出具有第5B圖所示之折射率樣態之 分散管理光纖（樣本3)之第1部份（具有正的波長分散之 部份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之 部份）之波長分散特性，及其等之平均値之曲線圖。 第1 5圖係分別示出具有第6圖所示之折射率樣態之分 散管理光纖（樣本4)之第1部份（具有正的波長分散之部 份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之部 份.）之波長分散特性，及其等之平均値之曲線圖。 第1 6圖係分別示出具有第9圖所示之折射率樣態之分 散管理光纖（樣本5)之第1部份（具有正的波長分散之部 份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之部 份）之波長分散特性，及其等之平均値之曲線圖。 第1 7圖係分別示出具有第1 〇圖所示之折射率樣態之 分散管理光纖（樣本6)之第1部份（具有正的波長分散之 部份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之 部份）之波長分散特.性，及其等之平均値之曲線圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 8圖係分別示出具有第U圖所示之折射率樣態之 分散管理光纖（樣本7)之第1部份（具有正的波長分散之 部份）之波長分散特性及第2部份（具有負的波長分散之 部份）之波長分散特性，及其等之平均値之曲線圖。 第19圖係彙總表示本發明有關之分散管理光纖之各 個實施形態，具有第12〜第18圖所示之波長分散特性 之樣本之諸特性。 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標¥ (CNS)A4規格（210 X 297公釐) ~ 4 b B 06 8 A7 B7 五、發明說明（I4 ) 第20圖係示出本發明有關之分散管理光纖之被覆外 徑（光纖直徑）與波長分散之關係。 (請先閲讀背面之注意事項#·'填寫本頁) 第21圖係用於說明對含有GeCh之材料賦與殘留應力 之影響之曲線圖。 第22圖係示出用於製造本發明有關之分散管理光纖 之製造裝置之槪略構造（第1實施形態）之圖。 第23A〜第23C圖係分別示出第22圖所示之製造裝置 之各部之玻璃材料橫截面構造之圖。 第24圖係示出用於製造本發明有關之分散管理光纖 之製造裝置之.槪略構造（第2實施形態）之圖。 V 第2 5圖及第26圖係用於說明第24圖所示之製造裝置 之導滾子之動作圖。+ 第27圖係示出本發明有關之光通信系統之槪略構成 之圖。 第28圖係示出第27圖所示之光通信系統之光傳送通 路之平均分散分散特性之曲線圖。 (較佳實施例之詳細.說明） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 下面將參照第1〜第4圖，第5A圖，第5B圖，第6 〜第2 2圖，第2 2A〜第2 2C圖，及第23〜第28圖說明 本發明有關之分散管理光纖等之各實施形態。再者，圖 面上，相同之元件係用相同之符號表示，重複說明則省 略。 第1圖係示出本發明有關之分散管理光纖，及適用該 分散管理光纖之光通信系統之槪略構造之圖，第2圖係 16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 4 6 8 Ο 6 8 α7 ___Β7 __ 五、發明說明（15) 第1圖所示之分散管理光纖之一部份之放大圖。分散管 理光纖10係構成傳送多個頻道之信號之傳送站與含有 光放大器等之中繼站之間，各中繼站之間，中繼站與接 收站之間那樣之各中繼區間之光傳送通路之部份。圖中， 1 0 a係表示傳送站或中繼站，1 0 b係表示中繼站或接收站 。分散管理光纖10係爲在信號波長頻寬內之既定波長上 保證單一模式之石英系光纖，在該既定波長上具有正的 波長分散之1或以上之第I部份之各個部份，及在該既 定波長上具有負的波長分:散之第2部份1 2之各個部份係 相互接續排列:而成之單一整體之光纖。信號波長頻寬係 爲含有在WDM傳送上被使用之多個頻道之信號波長之 1.55/zm波長頻寬，具體言之，係爲1.53/zm〜1.60/zm, 至少係爲Ι.54ν m〜1.56# m。此波長頻寬一般係爲適於 WDM傳送之波長頻寬俾降低石英光纖之傳送損失。 分散管理光纖10具備在半徑方向上依序設置之多個 玻璃層，這些多個之玻璃層中含有添加物之玻璃層之該 添加濃度沿著長度方向之最大變化係均一化爲20〜30% (=(濃度最大値-濃度最小値/濃度最小値X 100)以下， 較佳是被抑制爲10%以下。另外，沿著該分散管理光纖 10之長度方向之波長分散之分佈，亦即，相互接續排 列之具有正的波長分散之第1部份II和具有負的波長分 散之第2部份12係藉改變實質上無添加Ge(h之玻璃層 之折射率，或藉改變殘留應力（藉光彈性效應所造成之 折射率變化）而形成。 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 ------------裝-------：1 訂,--------線 y * 〆 (諳先閱讀背面之注意事項I填窝本頁) A7 B7 46 8 06 8 五、發明說明（l6) 請 先 閲 讀 背 © 之 注 意 事 項 再, 填1 窝 頁 如此，本發明有關之分散管理光纖10,除了添加物 濃度沿著長度係爲均一之外，另使未添加Ge〇2之玻璃 層之折射率或殘留應力沿著該長度方向變化，藉此調節 波長分散（第1部份1 1和2部份1 2交替排列）。因此，該 分散管理光纖1 0具有雖然沿著長度方向折射率或殘留 應力係改變但橫截面構造均一之構造，進而容易製造， 不增大連接損失，能容易與其它光纖連接。 再者，調節賦與之殘留應力而形成第1及第2部份， 例如在製造途中即使既定量之GeCb不經意地混入純石 英玻璃層，對被賦與殘留應力之此層之純石英玻璃之比 折射率差係被抑制得比對被添加與該混入之Ge〇2同數 量之Ge(h之玻璃層之純石英玻璃之比折射率差低，因 此能有效地抑制該Ge〇2之影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裳 另外，分散管理光纖10,外徑係與未被添加Ge〇2之 玻璃層之折射率之變化同步地僅作稍微的改變，亦或_ 殘留應力之變化同步地作些微之變化皆可。如此，藉改 變光纖之外徑，波長分散之調節變成更爲容易。另外， 即使係如此改變光纖之外徑，但藉光纖外徑之少些變化 即能獲得充份之波長分散之調節效果。因能使光纖外徑 僅作少許的變化，故這種情形也容易製造，能在有效地 抑制連接損失之增加之狀態下，容易進行光纖之連接。 分散管理光纖10之第1及第2部份11，12，在信號 波長頻寬內之既定波長上，分別具有絕對値爲 lps/nm/km以上之波長分散爲佳。藉此，有效地抑制因 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 4 6 d 06 8 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之生意事項再.填寫本頁) 非線性光學現象所引起之傳送特性之惡化。再者，分散 管理光纖10之第1及第2部份11, 12,在信號波長頻 寬內之既定波長上，絕對値分爲10ps/nm/km以下之波 長分散也可。即使是這種情形，各部份1 1 , 1 2之累積波 長分散不會變大，進而能有效地抑制因累積波長分散和 非線性光學現象之相互作用所引起之傳送特性之惡化6 分散管理光纖10之第1及第2部份11, 12最好係各 有500m以上之長度。因波長分散之符號變更之頻度變多 時製造則益形困難之故。但分散管理光纖10之第1及第 2部份1 1，12.以分別具有10km以下之長度爲佳。因第1 及第2部份11, 12之累積波長分散不會增大，故能有效 地抑制因累積波長分散和非線性光學現象相互作用所引 起之傳送特性之惡化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在分散管理光纖10上設置分別位在相互接續之第1 及第2部份1 1，1 2之間之暫態部份A (參照第2圖）。換 言之，第1或第2部份1 1 , 1 2係位在這些暫態部份A 之間。此暫態部份A在信號波長頻寬內之既定波長上具 有絕對値爲lps/nm/km以下之波長分散，這些暫態部份 之累積距離最好係爲該分散管理光纖10全長之1 0%以 下。藉此，容易產生非線性光學現象之暫態區間A佔該 分散管理光纖1 0之百分比變小，從而有效地抑制因非 線性光學現象所引起之傳送特性之惡化。 第3圖係示出自本發明有關之分散管理光纖整體看到 之平均波長分散特性之曲線圖。如該曲線圖所示，該分 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準&lt;CNS&gt;A4規格（210 X 297公釐〉 468068 五、發明說明（is ) 散管理光纖10之平均波長分散在信號波長頻寬λ,〜λ2 (λ.:最小波長，最大波長）內之既定波長λ。上， 平均波長分散係較佳爲0。在信號波長頻寬λ2上 能壓低自分散管理光纖10整體看到之累積波長分散。另 外，在信號波長頻寬；上自分散管理光纖10整體 看到之平均波長分散，其絕對値係較佳爲3ps/nm/km以 下。藉此，有效地抑制因累積波長分散和非線性光學現 象之相互作用所引起之傳送特性之惡化。 第4圖係示出本發明有關之分散管理光纖10之各部.位 之波長分散特性之曲線圖。再者，曲線G1 00係示出第1 部份1 1之波長分散特性，曲線G200係示出第2部份1 2 之波長分散特性。.如曲線所示，該分散管理光纖10,第 1部份1 1在信號波長頻寬內具有正的波長斜率爲佳，而 第2部份1 2在該信號波長頻寬內具有負的分散斜率爲 佳。藉此，自該分散管理光纖10整體看，隨著累積分散 斜率之減少，累積波長分散也減少，從而能利用更廣之 頻寬作爲WDM傳送之信號波長頻寬。 另外，分散管理光纖10,在信號波長頻寬內之既定 波長上，較佳具有40/z 以上之等效橫截面積Απ。這 種情形，能有效地抑因非線性光學現象所引起之傳送特 性之惡化。另外，分散管理光纖1〇，在該信號波長頻寬 內之既定波長上，具有〇.2ps.knT〃2以下之偏波模分散 較佳。這種情形，能抑制因偏波模分散所引起之傳送特 性之惡化。 -20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 閱 讀 背 面 之 注 意 事 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 468068 五、發明說明（i9 ) C請先閱讀背面之注意事項&gt;^寫本頁) 再者，上述等效橫截面積A^f,如日本國專利公報特 開平第8-248251號（ΕΡ0 742 171 A2)所揭示，可用下式 表示。
Aeff =7jt({E2rdr)2 E^rdr) Ο ο 這裡，Ε係伴隨傳播光之電場，r係距核心內層之中心 在徑向上之距離。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印锻 下面將說明本發明有關之分散管理光纖10之各實施 形態。，如第5A圖所示，分散管理光纖10之各實施形態 具備沿著既定.軸AX伸長之核心內層領域1000，及設在 該領域1 000之外周上之被覆領域20 00，特別是，領域 1000之至少一部份係較佳由含有故意地不添加雜質之 純石英玻璃所形成之層。這種由純石英玻璃形成之層相 較於含有添加物之玻璃層，黏性高，從而殘留應力之調 節變成容易（抽拉所產生之殘留應力大部份依拉線張力 而定）。而，藉沿著該分散管理光纖之長度方向改變殘留 應力使折射率變化，結果，分散管理光纖之各部份之波 長分散也產生變化。再者，所謂故意地不添加雜質之玻 璃層係指不是爲了調節折射率而積極地添加雜質之玻璃 層，但在製造作業上有混入少量雜質（例如CI元素以及 F元素等）之情形。 (第1實施形態） 如第5A圖所示，第1實施形態有關之分散管理光纖上， 核心內層領域1〇〇〇具備含有沿著既定軸AX伸長之第1 *21 &quot; 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS&gt;A4規格（210 X 297公釐） 4 6 d 06 8 A7 --------B7_ 五、發明說明（2〇 ) (請先《讀背面之注意事項寫本頁) 核心內層1010，設在該第1核心內層1010之外周上之 第2核心內層1 020，及設在該第2核心內層1020之外 周上之第3核心內層1 030之多核心內層構造。 特別是，上述第1核心內層1 〇 1 〇係添加Ge(h，具有 外徑2a及折射率m。另外，該第1核心內層1010對被 覆領域2000具有0.4%以上之比折射率差。上述第2核 心內層1020係添加F元素，具有外徑2b及比純石英玻 璃者低之折射率ndciu)。上述第3核心內層1 030係實 質地由純石英玻璃作成，具有外徑2c及折射 &gt;n〇。上述被覆領域2000係添加F元素具有比純石英玻 璃者低之折射率n5(S in)之單一玻璃層。更較佳的是， 上述第1核心內層1010具有4/zm以上至9/zm以下之外 徑2a及對屬於基準領域之被覆領域2000 (單一層），具 有0.4%以上至1 . 1%以下之比折射率差。上述第2核心內 層1 020具有6//ηι以上至20#m以下之外徑2b,及對被 覆領域2000具有0%以上至0,1 %以下之比折射率差。上 述第3核心內層1 03 0具有10 y ni以上至30 &quot; in以下之外 徑2c,及對被覆領域2000具有0.05%以上至0.5%以下 之比折射率差。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印氧 再者，第5B圖所示之折射率樣態11 00係示出與第5A 圖中之軸AX正交之線L上之各部位之折射率，領域 1101，領域1102，領域1103及領域1104係分別表示線L上 之第1核心內層1 〇 1 0之折射率，線L上之第2核心內層 1 020之折射率，線L上之第3核心內層1 030之折射率， -22 - &gt;纸張尺度適用中圃國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 468068 五、發明說明（21 ) 及線L上之被覆領域2 0 0 0之折射率。 另外，以被覆領域2000爲基準領域之各玻璃層1010 〜1 030之比折射率差△ m係分別用下列式子表 不 。 △ ηι 二（ηι-Π5)/η5 Δ η2 = (n2- ns)/ ns △ H3 = (iu-n5)/n5 本說明書裡，各玻璃層1010〜1 03 0對基準領域之比 折射率差皆以百分率表示，各式中之折射卓係順 序不變。因此.，取比折射率差爲負値之玻嚯惽之折射率 係意味著比基準領域折射率低。 (第2實施形態） 下面，具有第6圖所示之多核心內層型之折射率樣態 1200之第2實施形態有關之分散管理光纖也是如第5A 圖所示具備沿著既定軸AX伸長之孩心內層領域1 000(與 第1實施形態同樣地由第1〜第3核心內層構成），及設 在該核心內層領域1000之外周上之被覆領域2000，但 在該被覆領域2000具有抑制被覆構造這點上係與上述 第1實施形態者不同。亦即，被覆領域2000具備設在核 心內層領域1000中之第3核心內層之外周上之內側被覆， 及設在該內側被覆之外周上之外側被覆。內側被覆係添 加F元素，具有外徑2d及比該第3核心內層以及外側被 覆之折射率n3，n5低之折射率γη。再者，於此第2實施 形態上，用於定義各玻璃層之比折射率差之基準領域係 -23 - - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — ill I —！ — I I I ! I — e (請先閱讀背面之注意事項δ寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 06 8 五、發明說明（》) 爲屬最外殻層之外側被覆。另外，內側被覆之外徑2d 係爲2 5 # m以上至6 0 ；(/ m以下，對外側被覆，比折射率 差（ = (n4-ri5)/n5)係爲- 0.4%以上至未滿0%。
另外，第6圖所示折射率樣態1 200係相當於與第5A 圖中之軸AX正交之線L上之各部位之折射率，領域 1 2 01 ,領域1 2 0 2 ,領域1 2 0 3，領域1 2 0 4，及領域1 2 0 5 係分別表示線L上之第1核心內層之折射率L上之第2 核心內層之折射率，線L上之第3核心內層之折射率， 線L上之內側被覆之折射率及線L上之外側被覆之折射 率。 (第3實施形態） 第7圖所示之多核心內層型折射率樣態1 300係爲第3 實施形態有關之分散管理光纖之折射率樣態。此第3實 施形態有關之分散管理光纖也與第1實施形態相同，具 備沿著既定軸AX伸長之核心內層領域1000，及在該核 心內層領域1 000之外周上之被覆領域2000(參照第5A 圖另外，核心內層領域1 000係由沿著既定軸AX伸長 之第1核心內層，設在該第1核心內層之外周上之第2 核心內層及設在該第2核心內層之外周上之第3核心內 層所構成。 特別是，上述第1核心內層係添加Ge〇2，具有外徑2a 及最大折射率m。另外，第1核心內層對屬於基準領域 之被覆領域2000 ,具有0.4%以上比折射率差。上述第2 核心內層添加F元素，具有外徑2 b及比純石英玻璃者低 本紙張尺度適用中國國家標準&lt;CNS)A4規格（210 X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί 訂.· ;線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 468068 五、發明說明（23 ) 之折射率n2 ( &lt;n t )上。上述第3核心內層係實質地由純石 英玻璃作成，具有外徑2c及折射率η3(&lt;ηι，&gt;n〇。上述 被覆領域2000係添加F元素，爲具有比純石英者低之折 射率n5(&lt;n〇之單一玻璃層。再者，此第3實施形態，第 2核心內層之折射率係被設定成比被覆領域2000之折射 率低。更較佳的是第1核心內層具有4#m以上至9//m 以下之外徑2 a及對屬於基準領域之被覆領域2000(單一 層），具有〇 . 4%以上至1 . I %以下之比折射率差 ( = (m-n2)(n5)。上述第2核心內層具有_6jU+m以上至20 //m以下之外徑2b,及對被覆領域2000具有-0.6¾以上 至未滿0%之比折射率差（ = (Π2-η5)/ιΐ5)。上述第3核心內 層具有l〇#m以上至30 以下之比折射率差 (=(η3·η5)/η5)0 另外，第7圖所示之折射率樣態1 300係相當於與第 5Α圖中之軸ΑΧ正交之線L上之各部位之折射率，領域 1301，領域1 3 02，領域1 303,及領域1 304係分別表示 線L上之第1核心內層折射率，線L上之第2核心內層 折射率，線L上之第3核心內層之折射率，及線L上之 被覆領域之折射率。 (第4實施形態） 第8圖係示出第4實施形態有關之分散管理光纖之多 核心內層型之折射率樣態1 400。此第4實施形態有關之 分散管理光纖係如第5Α圖所示，具備沿著既定軸ΑΧ伸 長之核心內層領域1 000 (與第1〜第3實施形態相同，由 -25 - ____ ^^尺度適用國家標準（CNS)A4規格&lt;210 X 297公釐） ' ---- -------1'·'.裝 i ---.1 訂--—1------線 (請先閲讀背面之注走孝項再^寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 68 068_^__ 五、發明說明（24 ) (請先閱讀背面之注意事項再&lt;寫本頁) 第1〜第3核心內層構成），及設在該核心內層領域1000 之外周上之被覆領域2000 ,但該被覆領域2000具有抑 制被覆構造這點係與第1〜第3實施形態不同。亦即，被 覆領域200 0具備設在核心內層領域1 000中之第3核心 內層之外周上之內側被覆，及設在該內側被覆之外周上 之外側被覆。內側被覆係添加F元素，具有外徑2d及比 外側被覆之折射率n5低之折射率。再者，此第4實施 形態，用於定義各玻璃層之比折射率差之基準領域係屬 最外殼層之外側被覆。另外，內側被覆之外徑2d係爲 25 jcz m以上至60 m以下，對外側被覆，比折射率差 ( = (n4-n5)/n5)係爲- 0.4%以上至未滿0%。 另外，第8圖所示之折射率樣態1 400係相當於與第 5A圖中之軸AX正交之線L上之各部位之折射率，領域 1401，領域1402，領域1 403,領域1 404，及領域1405 係分別表示線L上之第1核心內層之折射率，線L上之 第2核心內層之折射率，線L上之3核心內層折射率， 線L之內側被覆之折射率，及線L之外側被覆之折射率。 (第5實施形態） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 第9圖所示之雙重核心內層型之折.射率樣態1 600係爲 第5實施形態有關之分散管理光纖之折射率樣態。此第 5實施形態有關之分散.管理光纖也是如第5A圖所示那樣 ,具備沿既定軸AX伸長之核心內層領域1000,及設在 該核心內層領域1 000之外周上之被覆領域2000。但是， 於第5實施形態上，核心內層領域1 〇〇〇係由沿著既定軸 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468068 A7 B7_____ 五、發明說明（25 ) (請先閱讀背面之注意事項再壎寫本買) AX伸長之第1核心內層，及設在該第1核心內層之外周 上之第2核心內層所構成，被覆領域2000係爲單一之玻 璃層。 特別是第1核心內層係添加Ge〇2,具有外徑2a及最 大折射率η，。另外，第1核心內層，對屬於基準領域之 被覆領域2000，具有0.7 %以上之比折射率差。上述第2 核心內層係實.質地由純石英玻璃作成，具有外徑2b及 折射率)。另外，上述被覆領域2000係添加F元 素，係爲具有比純石英玻璃者低之折射率n4單一玻璃 層。更較佳地，上述第1核心內層具有3 # m以上至 6/zm以下之外徑2a,及對屬於基準領域之被覆領域 2000，具有7%以上至1.2%以下之比折射率差 ( = (ηι-η4)/ιΐ4)。另外，上述第2核心內層具有15ym以 上至25/zm以下之外徑2b,及對被覆領域2000，具有超 過0%至0 · 3%以下之比折射率差（ = (n2-n4) / n〇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，第9圖所示之折射率樣態1 500係相當於與第 5 A圖中之軸AX正交之線L上之各部位之折射率，領域 1501,領域1502，及領域1 50 3係分別表示線L上之第i 核心內層之折射率，線L上之第2核心內層之折射率， 及線L之被覆領域2000之折射率。 (第6實施形態） 第10圖所示之雙重核心內層型折射率樣態1 600係爲 第6實施形態有關之分散管理光纖之折射率樣態。第6 實施形態有關之分散管理光纖也如第5A圖所示，具備 -27 - 本紙ffc尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) &quot; &quot; a b Β Ο 6 8 A7 B7_ 五、發明說明（26 ) 沿著既定軸AX伸長之核心內層領域1000(與第5實施形 態相同地由第1及第2核心內層所構成），及設在該核心 內層領域1〇〇〇之外周上之被覆領域2000,但被覆領域 2000具有抑制被覆構成這點係與第5實施形態不同。亦 即，被覆領域200 0具備設在核心內層領域1 0 00中之第 2核心內層之外周上之內側被覆，及設在該內側被覆之 外周上之外側.被覆。內側被覆係添加F元素，具有外徑 2c及比外側被覆之折射率w低之折射率u。再者，於 此第6實施形態上，用於定義各玻璃層之比折射率差之 基準領域係爲屬最外殼層之外側被覆。另外，內側被覆 之外徑2c係爲25 y m以上至60 &quot; m以下，對外側被覆， 比折射率差（ = (n3-rn)/n4)係爲- 0.4%至未滿0%。 再者，第10圖所示之折射率樣態1 600係相當於與第 5A圖中之軸AX正交之線L上之各部份之折射率，領域 1601，領域1 602,領域1 603及領域1 604係分別表示線 L上之第1核心內層之折射率，線L上之第2核心內層 之折射率，線L上之內側被覆之折射率，及線L上之外 側被覆之折射率。 (第7實施形態） 第1 1圖所示之W型折射率樣態1 700係屬於第7實施 形態有關之分散管理光纖之折射率樣態。此第7實施形 態有關之分散管理光纖也是如第5A圖所示，具備沿著 既定軸AX伸長之核心內層領域1 000，及設在該核心內 層領域1000之外周上之被覆領域2000。 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' .1 - : -----裝 ------ - 訂··--------線^Γ &lt;請先閱讀背面之注$項再^寫本頁&gt; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 4b8 06 8 五、發明說明（27 ) 再者，此第7實施形態，核心內層領域1 000係爲實質 地由純石英玻璃作成之單一·層，具有外徑2a及折射率 n&gt;。被覆領域2000具備抑制被覆構造，含有設在屬單一 層之核心內層領域1 0 0 0之外周上之內側被覆，及設在 該內側被覆之外周上之外側被覆。內側被覆係添加F元 素，具有外徑2b及折射率n2。另外，外側被覆也添加F 元素，具有比內側被覆者高之折射率n3( cm)。更較佳是 上述核心內層領域1 000具有3μηι以上至7μηι以下之外 徑2a，及對，屬於基準領域之外周被覆，具有〇_4%以上 至0 . 9%以下之比折射率差（ = (ru - n3) /n3)。上述內側被覆 具有7μηι以上至14μιη以下之外徑2b，及對外側被覆， 具有0 . 6%以上至未滿0%之比折射率差（ = (n2-n3)/n〇。 下面將說明上述各實施形態有關之分散管理光纖之已 製成之各樣本。. (樣本1 ) 有關樣本丨之分散管理光纖具有第7圖所示之多核心 內層型之折射率樣態1 300(第3實施形態）。於此樣本1 上，第1核心內層具有8.Ιμηι之外徑2a，對屬於基準領 域之被覆領域，具有〇 . 6 3 %之比折射率。第2核心內層 具有15.8μπο之外徑2b，對被覆領域具有- 0.25%之比折 射率差。第3核心內層具有22 · 6μηι之外徑2c，對被覆 領域具有0 .丨3%〜0 . 22%之比折射率差。這裡，對實質地 由純石英玻璃作成之第3核心內層之被覆領域，比折射 率差係大部份依製.造時拉線張力而定，因此藉週期地改 -29 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 -------------裝— (請先閱讀背面之注意事項#.-填寫本頁) Ί訂· --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ,,D Β ϋ 6 8 A7 ___B7___ 五、發明說明（28) 變拉線張力，能在一元之光纖中交互地作成產生波長分 散符號不同之部份。第12圖係示出樣本1之各部份之波 長分散特性，曲線G3 10係示出具有負的波長分散之第2 部份（製造時之拉線張力係40kg)之波長分散特性，G3 20 係示出具有正的波長分散之第1部份（製造時之拉線張 力係9 0kg)之波長分散特性，而G330係示出第1及第2 部份之波長分散之各個平均値。再者，拉線張力係藉變 更準備好之光纖基材之溶融部份之溫度以及抽拉速度而 被調節。 (樣本2 ) 有關樣本2之分散管理光纖具有第8圖所示之多核心 內層型折射率樣態1 400 (第4實施形態）。於此樣本2上， 第2核心內層具有6.0μηι之外徑2a，對外側被覆，具有 0.47%之比折射率差。第2核心內層具有17.5μηι之外徑 2b ,對外側被覆，具有-0 . 1 8%之比折射率差。第3核心 內層具有25.0μηι之外徑2c，對外側被覆，具有0.24% 〜0 . 28%之比折射率差。內側被覆具有5Ο . 0μιη外徑2d , 對外側被覆，具有-0 .丨8%之比折射率差。另外，對實質 地由純石英玻璃作成之第3核心內層之外側被覆，比折 射率差大部份係依製造時之拉線張力而定，因此藉週期 地變更此拉線張力，能在單一整體的光纖中交互地作成 產生波長分散符號不同之部份。第13圖係示出此樣本2 之各部份上之波長分散特性，曲線G410係示出具有負 的波長分散之第2部份（製造時之拉線張力係60g)之波 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 『 η - ' -------------I裝-------Ί訂·*；--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填貧本頁) 4 6 8 068 A7 _ __B7_;_._ 五、發明說明（29 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 長分散特性，G420係示出具有正的波長分散之第1部份 (製造時之拉線張力係90g )之波長分散特性，而曲線 G430係示出第1及第2部份之各個波長分散之平均値。 (樣本3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有關樣本3之分散管理光纖具有第5B圖所示之多核心 內層之折射率樣態1 1 00 (第1實施形態）。此樣本3，第 1核心內層具有4.9μηι之外徑，對被覆領域具有0.90% 之比折射率差。第2核心內層具有8. 7μπι之外徑2b，對 被覆領域具有〇%之比折射率差。第3核心內層具有 13.6μηι之外徑2c，對被覆領域具有0.1 2%〜0. 3 3%之比 折射率差。再者，對實質地由純石英玻璃作成之第3核 心內層之被覆領域，比折射率差也是大部份依製造時之 拉線張力而定，因此藉週期地變更此拉線張力，能在單 一整體的光纖中交互地作成產生波長分散符號不同之部 份。第1 4圖係示出此樣本3之各部份上之波長分散特性， 曲線G510係示出具有正的波長分散之第2部份（製造時 之拉線張力係30g)之波長分散特性，G5 20具有負的波長 分散之第1部份（製造時之拉線張力係150g)之波長分散 特性，而曲線G530係示出第1及第2部份之各個波長分 散之平均値。 (樣本4 ) 有關樣本4之分散管理光纖具有第6圖所示之多核心 內層之折射率樣態1 2 0 0 (第2實施形態）。此樣本4，第1 核心內層具有6. 8μιη之外徑2a，對外側被覆具有0.64% -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 468 06 8 A7 B7_ 五、發明說明（3〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再堉寫本頁) 之比折射率差。第2核心內層具有17 · 4μιη之外徑2b,對 外側被覆具有0¾之比折射率差。第3核心內層具有 27.2μηι之外徑2c,對外側被覆具有0.07%〜0.20%之比 折射率差4內側被覆具有40.8μηι之外徑2d ,對外側被覆 具有-0.10%之比折射率差。再者，實質地由純石英玻璃 作成之第3核心內層之外側被覆，比折射率差也是大部 份依製造時之拉線張力而定，因此藉週期地變更此拉線 張力，能在單一整體的光纖中作成產生波長分散符號不 同之部份。第15圖係示出此樣本4之各部份上之波長分 散特性，曲線G6 1 0示出具有負的波長分散之第2部份 (製造時之拉線張力係40g), G620示出具有正的波長分 散特性之第1部份（製造時之拉線張力係1 〇〇g )之波長分 散特性，而曲線G6 30係示出第1及第2部份之各個波長 分散之平均値。 (樣本5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 有關樣本4之分散管理光纖具有第9圖所示之雙重核 心內層之折射率樣態丨5 00 (第5實施形態）。此樣本5 ,第 I核心內層具有4.3μηι之外徑2a,對被覆領域，具有 0.95%之比折射率差。第2核心內層具有18.0μηι之外徑 2b,對被覆領域具有0.04%〜0.20%之比折射率差。另外， 實質地由純石英玻璃作成之第2核心內層之被覆領域， 比折射率差也是大部份依製造時之拉線張力而定，因此 藉週期地變更此拉線張力，能在單一整體之光纖中交互 地作成產生波長分散符號不同之部份。第1 6圖係示出此 -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 468068 五、發明說明（打） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 樣本5之各部份之波長分散特性，曲線G7 1 0示出具有正 的波長分散之第1部份（製造時之拉線張力係3 0 g )之波 長分散特性，G7 20示出具有負的波長分散特性之第2部 份（製造時之拉線張力係1 00g )之波長分散特性，而曲 線G73 0係示出第1及第2部份之各個波長分散之平均 値。 再者，第20圖示出被30g之張力抽拉之本樣本5有關 之分散管理光纖，波長1 540nm之波長分散對光纖外徑 (與被覆外徑一致）之依存性。核心內層外徑因係隨著光 纖外徑之變化而變化，故如第20圖所示，波長1 5 40nm 之波長分散係依存被覆外徑之變化而變化。因此，藉倂 同抽拉時之張力變化和光纖外徑之變化，能提昇波長分 散調節之自由度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 茲舉更加增大具有正的波長分散之第1部份和具有負 的波長分散之第2部份之波長分散之差爲例考量。具有 正的波長分散之第1部份（製造時之拉線張力係30g)若 將光纖外徑自125μιτι變化到120μηι時該第1部份上產生 之波長分散則自34ps/nm/km變化到3.80ps/nm/km,與 具有負的波長分散之第2部份（製造時之拉線張力係 1 〇〇g )之波長分散能更爲增大。再者，本例雖係示出拉線 張力大小之部份之光纖外徑作得小之情形，但是變化光 纖外徑之部份並不限定於製造時之拉線張力小之部份， 另外，光纖外徑之變更也並非限定於減少方向。 (樣本6) -33 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 A7 A7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 五、發明說明（32 ) 有關樣本6之分散管理光纖具有第10圖所示之雙重核 心內層之折射率樣態I 600 (第6實施形態）。此樣本6，第 1核心內層具有4.4μηι之外徑2a,對外側被覆，具有 0 . 86%之比折射率差。第2核心內層具有22 · 8μπι之外徑 2b,對外側被覆，具有0.02%〜0.1 6%之比折射率差。內 側被覆具有34.0pm之外徑2c,對外側被覆具有-0.05% 之比折射率差。再者，對實質地由純石英玻璃作成之第 2核心內層之外側被覆，比折射率差也是大部份依製造 時之拉線張力而定，因此藉週期地變更此拉線張力，能 在單一整體之光纖中相互作成產生波長分散符號不同之 部份。第17圖係示出此樣本6之各部份之波長分散特性， 曲線G8 1 0示出具有正的波長分散之第2部份（製造時之 拉線張力係40g)之波長分散特性，G8 20示出具有負的波 長分散特性之第1部份（製造時之拉線張力係1 40g )之波 長分散特性，而曲線G83 0係示出第1及第2部份之各個 波長分散之平均値。 (樣本7 ) 有關樣本7之分散管理光纖具有第11圖所示之W型 折射率樣態 1 7 〇 〇 (第7實施形態）。此樣本7，單 一層之核心內層領域具有5. 3μιη之外徑2a,對外側被覆 具有0 . 46%〜0.59%之比折射率差。內側被覆具有1 1 . 〇μιη 之外徑2b ,對外側被覆具有-〇. 13%之比折射率差。再者 ，對實質地由純石英玻璃作成之核心內層領域之外側被 覆，比折射率差也大部份依製造時之拉線張力而定，因 -34 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I 1 裝1,!--Ί訂-------線 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) A7 B7 五、發明說明（33 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁&gt; 此藉週期地變更此拉線張力，能在單一整體的光纖中相 互交地作成產生波長分散符號不同之部份。第18圖係示 出此樣本7之各部份之波長分散特性，曲線G910示出具 有正的波長分散之第2部份（製造時之拉線張力係40g) 之波長分散特性，G920示出具有負的波長分散特性之第 1部份（製造時之拉線張力係1 1 〇 g )之波長分散特性，而 曲線G930係示出第1及第2部份之各個波長分散之平均 値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 9圖係彙總上述各個有關樣本之分散管理光纖之 諸特性之表。針對各個樣本1〜7 ,對各個拉線張力列出 相關之第1核心內層之比折射率差（％ )及外徑（P m )，第2 核心內層之比折射率差（％ )及外徑（μιη ),第3核心內層 之比折射率差（％ )及外徑（μπι)，內側被覆之比折射率差 (%)及外徑（μιη)，波長 1.53μΐΐΐ，1·54μπι，1.56μιη 及 1.60μηι各個之波長分散（ps/nm/km)，波長1.55μπι之分 散斜率（ps/nm2/km),波長1.55μπι之等效橫截面積 (μηι。，截斷波長（μηι)，波長1.55μιη，直徑20_之彎曲 損失（dB/tn)，及波長1.55μιη之偏波模分散PMD(ps· knT1'2)。另外，亦列入波長 1 . 53μηι,. 1 . 5μκι，1 . 56μπι 及 1.60μηι各個之平均波長分散（ps/nm/km)。再者，所謂平 均波長分散係指具有正的波長分散之第1部份之累積長 和具有負的波長分散之第2部份之累積長相等之情形之 該分散管理光纖整體之波長分散。自第19圖所示之表得 出下述之結論。 -35 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 6 8 0 6 8 _B7_____ 五、發明說明（34 ) 亦即，上述樣本1〜7之任一樣本，即使是核心內層 領域中，實質地由純石英玻璃作成之玻璃層，殘留應力 係響應拉線張力變化，折射率響應殘留應力變化，進而 波長分散也變化。亦即該分散管理光纖之第1部份和第 2部份，在信號波長頻寬爲1.53μιη〜1.60μηι上係改變 拉線張力予以區分。另外，任一個樣本，在信號波長頻 寬上，第1部份之波長分散係爲+155/11111/]^以上至 + 10ps/nm/km以下，第2部份之波長分散係爲- l〇ps/nm /km以上至-lps/nm/km以下。再者，任一樣本，在信號 波長頻寬內之.既定波長上整體看到之平均波長分散之値 係爲0。 樣本1，2，4及7,在信號波長頻寬爲1.53μπι〜1.60 μηι內，自整體看到之平均波長分散之絕對値係爲3Ps/ nm/km以下，樣本3, 5及6，在信號波長頻寬爲1.54μηι 〜1.56 ym內自整體看到之平均波長分散之絕對値係爲 3ps/nm/km 以下。 樣本1及2，於波長1 . 55 μιη上，第1部份之分散斜率 係爲正，2部份分散斜率係爲負。另外，在信號波長頻 寬上之樣本1及2有關之分散管理光纖整體之平均分散 較之其它樣本則變小。 樣本1〜7在1 . 55pm上皆具有40μπι2以上之等效橫截 面積，在波長1 . 55μπι上具有〇 , 2ps · km·1〃以下之偏波 模散。 截斷波長除掉樣本4之第2部份（製造時之拉線張力爲 -36 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐)~~' ------------V裝-------訂----------線 7^· (請先閲婧背面之注意事項K寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 06 8 a? ___B7 五、發明說明（35 ) 40g)係爲1.85μηι之情形，樣本5之第1部份（製造時之 拉線張力爲30 g)係爲1 . 78 μπι之情形，及樣本6之第1 部份（製造時之拉線張力爲4 0 g )係爲144 μ m之情形之三 種情形外，各樣本之第1及第2部份係滿足信號頻寬爲 1·53μπι〜1.60μιη之單一模式條件。但是，即使上述三種 情形，第1部份和第2部份交互地排列之分散管理光纖 整體也是滿足信號波長頻寬1.53pm〜1.60μιη之軍一模 式條件。另外，波長1 . 55μηι上，彎曲半徑20mm時之彎 曲損失，除掉樣本7之第.2部份（製造時之拉線張力爲 1 H) g )之8 2 d B / m之情形外係極小。 如上述，本發明有關之分散管理光纖，各部份有意圖 地被賦與之殘留應力之量係受到控制。通常，對比例於 GeCh之添加量（mo 1%),被添加該GeCh之玻璃材料之純石 英玻璃，比折射率差係如第2 1圖中之曲線CH 0那樣變化 。但是，若在此玻璃材料內殘留應力應變時則對GeCh之 添加量，曲線G10係在箭頭S1所示之方向移位（Shift) (曲線G20)。本發明，藉在製造之光纖內有意圖地賦與 應力應變，在製造途中應不含有GeCh之玻璃層（純石英 玻璃層）而不經意地混入GeCk時對賦與殘留應力之此層 之純石英玻璃之比折射率差係作爲比對添加與該混入之 GeCh等量之Ge〇2之玻璃層之純石英玻璃之比折射率差1小 那樣進行調節。再者，殘留應力係藉調節製造時之拉線 張力而被賦與在製造之光纖內，但也可藉搖動抽拉而被 賦與α •37 - 本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i! —.1/裝 i I--ί I 訂？--- ί -線 (請先閲婧背面之迮意事項再^窝本頁) A7 B7 4 68 06 8 五、發明說明（36 ) (諳先閲績背面之注意事項再漱窝本頁) 如此，本發明有關之分散管理光纖，具有添加物濃度 在沿著該分散管理光纖之長度方向係呈均一狀態，未添 加GeCh之玻璃層之折射率或殘留應力係沿著該分散管 理光纖之長度方向變化之構造，因此，不改變該分散管 理光纖沿著長度方向截面大小，而能獲得在上述既定波 長上具有正的波長分散之部份和在該既定波長上具有負 的波長分散之.部份交互地配置之單一整體的分散管理光 纖。 , 下面將說明本發明有關之分散管理光纖之製造方法。 第22圖係示出用於得出本發明有關之分散管理光纖之 製造裝置之第1實施形態。 如第22圖所示.，於光纖之製造上，首先準備要被拉 線之光纖基材1 00。此光纖基材1⑽係以石英玻璃爲主 成具有既定之折射率樣態（參照第5A圖及第6〜第11 圖）。另外，光纖基材1 00係能用氣相軸附法（VAD法）， 外附著法（OVD法），內附著法（MCVD法）或載入管 (load-in tube)法等作成。 經 濟 部 智 慧 財 產· 局 貝 工 消 費 合 作 社 印 製 準備之光纖基材100在相當於該分散管理光纖之多個 玻璃層之領域中，含有折射率調整用，之添加物之領域內 之該添加物濃度沿著該光纖基材100之長度方向之最大 變化係被均一化成在20〜30%以下，最好係10%以下。另 外，準備之光纖基材100對相當於該分散管理光纖多個 玻璃層之各個領域之純石英玻璃之折射率在沿著該光纖 基材100之長度方向之最大變化係被均一化成20〜30% 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） 468068 A7 B7 五、發明說明（V ) 以下。 {請先閱讀背面之沒意事項再^寫本頁) 接著，將光纖基材丨00裝暫置桿（Dummy rod)130上， 預塑導桿（preform leader)220使暫置滾子130朝加熱 器230移動，藉此，裝在該暫置桿130上之光纖基材 1〇〇被導入加熱器230內。然後，藉對被加熱器230加 熱之該光纖基材1 00 (第22A圖）之端進行拉線而得出裸 光纖1 50(第22B圖）。 藉拉線作業得出之裸光纖150,接著通過碳表層 (Carbon coat)形成用之反應管250之內部。反應管250 之內部被充入齒化碳（CHC13, CCW等）和碳化氫（d， C3HB, C6H6等）之混合氣體，此混合氣體中之鹵化碳和 碳化氫與裸光纖150之表面反應，藉此，該裸光纖150 之表面被以碳爲主成份之密閉表層（碳表層）151包覆。 另外，也可不被密閉表層包覆。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被密閉表層151包覆之碳表層光纖之外徑160 (第22c 圖）係藉雷射外徑測定器30 0而被測定。根據雷射外徑測 定器3 00之測定結果，藉控制系統400控制加熱溫度以 及抽拉速度使碳被覆光纖160之外徑達既定値（通常爲 125μπι)。通過雷射外徑測定器300之碳被覆光纖160接 著通過被貯存於樹脂塗佈方格（coating dice)500內之 液狀樹脂510,藉此，在該碳被覆光纖160之表面附著 樹脂（產生樹脂附著之光纖1 70 )。之後，樹脂附著光纖 170則通過UV燈600。這時，附著於碳被覆光纖160之 表面上之樹脂，被UV燈6 00之紫外光照射而硬化。藉此， -39 - ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 468068 五、發明說明（38 ) 得出碳被覆光纖160之表面被樹脂被膜161被覆之光纖 180(光索）（〇pticalcord),接著，光纖180即被捲繞於 捲筒700。 另外，第23A圖，第23B圖及第23C圖係分別示出準 備之光纖基材100之截面，在拉線後之裸光纖150(包括 核心內層領域及被覆）之表面被包覆碳表層151¾碳被 覆光纖160之截面，及在碳被覆光纖160之表面被塗佈 樹脂被膜1 6 1之最終製品光纖1 80之截面。 本發明有關之分散管理光纖之製造方法（第1實施形 態），當自光纖基材100拉線光纖150之際，在長度方向 上改變拉線張力。亦即，以拉線張力A進行之拉線和以 拉線張力B進行之拉線係交互地重複進行。拉線張力之 變化，可藉光纖長來管，也可藉時間來管理。另外，拉 線張力，在抽拉之際能藉改變拉線爐200內之光纖基材 1 〇〇之溶融部份之溫度而調節《另外，也能藉改變抽拉 速度而調節拉線張力。尤有進者，較佳地與拉線張力之 變化同步地改變光纖外徑，這種情形，能更有效地調節 波長分散.。如此製成之光纖1 80則爲上述之本發明有關 之分散管理光纖10。 再者，以上說明之第1及第2實例有關之光纖係以改 善偏波分散爲目的，也可藉下述之搖動拉線而達成* 亦即，第24圖係示出用於得出本發明有關之分散管 理光纖之製造裝置之第2實施形態。再者，第24圖所示 之製造裝置係爲藉搖動拉線得出光纖之裝置，與先前說 -40 *- 本紙張尺度適用中國國家標準&lt;CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------裝 i — (請先閱讀背面之注意事項备填窝本頁) -SJ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t, β 06 8 A7 _____B7____ 五、發明說明（39 ) 明之第1實施形態有關之製造裝置重複之處則省略其 說明。 搖動拉線，通過UV燈600之光纖180首先通過不妨礙 該光纖1 80之進行而自由地旋轉之光纖響+應動作抑制用 之1對導滾子710之間。接著，該光纖180被依搖動導 滾子720,設置於搖動導滾子7 20之次段之第1固定導滾 子731,設於第1固定導滾子731次段之第2固定導滾 子720之順序而被導引。光纖180依序通過搖動導滾子 720,第1固定導滾子731及第2固定導滾子732後而被 捲繞於捲筒700上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ----imln I - I ί锖先閲讀背面之注意事項—埃寫本頁) -線- 這時，光纖響應動作抑制用之1對導滾子710係設於 距搖動導滾子720之正上方向（沿著圖中之Z軸之方 向）100mm之位置，1對導滾子710間相隔2mm。另外，搖 動導滾子720外徑係150mm，寬係30mm,表面之材質係 爲屬滾子本身之材質之鋁，旋轉軸係以圖中之z軸爲中 心能搖動達週期爲100rpra(從與表示光纖被抽拉方向之 X軸正交之y軸至-Θ角止及從該y軸至+ Θ角度止另 外，第1固定導滾子731係設在僅距搖動導滾子720之 正橫向（設置導滾子7 20之圖中之x-.y平面）250mm之間 隔之位置上，與搖動導滾子720同樣地，.半徑爲150mm, 寬爲30mm,但旋轉軸是固定，另外在滾子表面之中央 部設有V字型窄槽俾作爲光纖轉動阻止措施。藉組合以 上述條件配置之光纖響應動作抑制用之丨對導滾子710, 搖動導滾子7 20，及第1固定導滾子731，有效地附加 -41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 068 A7 B7___ 五、發明說明（40 ) m ,亦即對搖動導滾子720之搖動速度以高效率附加於 光纖180既定之扭絞。 下面將參照第25及第26圖說明有效地對光纖180附 加既定之扭絞之方法。這裡，第25圖係自反應爐.250 側看第24圖所示之搖動導滾子720及第1固定導滾子 73卜另外，第26圖係自反應爐250側看第24圖所示之 光纖響應動作.抑制用之1對導滾子7 1 0及搖動導滾子 720之圖。再者，第26圖係爲了容易看1對導滾子710 及搖動導滾子720在空間上之位置關係，從若干傾斜之 方向看滾子710，720之圖。 如第25圖所示那樣，搖動導滾子720以z軸爲中心自 y軸旋轉，藉此旋轉，對光纖180施加與z軸正交方向 之力，進而光纖180在搖動導滾子720之滾子表面轉 動。藉此轉動賦與光纖180扭絞。接著，搖動導滾子720 以ζ軸爲中心從y軸逆向僅旋轉-Θ角度。如此，如圖中 之箭頭所示，搖動導滾子720以z軸爲中心重複地從+Θ 角度到-Θ角度進行對稱之往復運動，藉此，在光纖180 .之行進方向對光纖交互地施加順時針方向扭絞和反時針 \/ 方向之扭絞。 這時，搖動導滾子720之次段之第1固定導滾子73 1 因係以相同之外徑設置在搖動導滾子720之正橫向，因 此光纖180與搖動導滾子720之滾子表面接觸之長度約 略等於相當於搖動導滾子720之圓周角90°之滾子圓 周。亦即，光纖180係從搖動導滾子720之滾子之一個 -42 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------!ll·裝 ii —J — 訂·.--------線； (猜先閱讀背面之注意事項系填寫本頁) 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 Β Ο 6 8 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __B7_五、發明說明（41 ) 側面接觸到底面上，而在最底部脫離。因此之故，在滾 子之另一側面上光纖1 80產生轉動而妨礙在前述一個側 面上光纖180之轉動，進而阻止光纖18〇產生滑動之情 況。因此，藉在搖動導滾子720之滾子之一個側面上之 光纖180之轉動，對搖動導滾子720之搖動速度以高效 率賦與光纖180扭絞。 另外，在第1固定導滾子731之滾子表面之中央部設 有V字型之窄槽750俾作爲光纖轉動阻止措施，被第1 固定導滾子731導引之光纖180係穿插在此V字型之窄 槽750內。因此之故，阻止在第1固定導滾子731之滾 子表面轉動光纖18 0,導致妨礙搖動導滾子720爲了賦 與光纖ΙδΟ扭絞所作之轉動之情事。因此，藉V字型之 窄槽750阻止光纖180在第1固定導滾子731之滾子表 面上轉動，進而對搖動導滾子720之搖動速度以高效率 賦與光纖180扭絞。 其次，如第26圖所示，搖動導滾子720係以第26圖 中之ζ軸爲中心從y軸僅旋轉+ Θ角度，藉此使光纖180 在搖動導滾子7 20之滾子表面上轉動，隨著此光纖180 之轉動，位在搖動導滾子720之近前.之反應爐250側之 光纖部份也在搖動導滾子720之搖動方向上響應而轉 動。此光纖180之響應動作若超過一定範圍時則成爲減 低賦與光纖1 80之扭絞，或是引起以樹脂被膜1 6 1塗佈 之光纖部份之厚度不均之原因。對此點，因在搖動導滾 子720之正上方（沿著z軸附近之位置）設置1對導滾子 -43 - ' -------------裝— (諳先閱讀背面之注意事項#-填寫本頁) -SJ· .線. 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 ο 3 0 6 8 Α7 __Β7 _ 五、發明說明（42 ) 710，故光纖180之響應動作超過一定時則與一對導滾 子710中之一接觸，而阻止光纖180進一步之響應動 作。因此，藉1對之導滾子7 1 0抑制光纖1 80之響應動 作，有效地抑制減低賦與光纖1 80之扭絞量以及樹脂被 膜161塗佈之光纖部份之不均厚度。 如此，第24圖所示之第2實施形態有關之製造裝置係 組合光纖響應.動作抑制用之1對導滾子7 1 0，搖動導滾 子720，及第1固定導滾子731，搖動導滾子720藉搖動 之動作在滾子之表面上轉動光纖180並交替地賦與順時 針之扭絞和反.時針之扭絞，同時另外具有幫助光纖180 在設有光纖響應動作抑制用之1對導滾子710和搖動導 滾子720之滾子表面上滑順地轉動之功能。藉此，對搖 動導滾子720之搖動速度，能有效率地賦與光纖180扭 絞。 另外，依第24圖所示之製造裝置，使光纖180在搖動 導滾子7 20之滾子表面上轉動之際，藉光纖響應動作抑 制用之1對導滾子7 1 0控制光纖1 80之響應動作，因此 對被覆樹脂被膜161之光纖部份之不均句厚度也有效地 抑。 因此，藉上述製造裝置之光纖180包含核心內層領域 及包該核心內層領域之被覆領域，另外被賦與交替之順 時針之扭絞及反時針之扭絞，因此，即使例如，核心內 層領域及被覆領域之截面形狀非爲正圓形之同心圓狀， 但就綿長之光纖整體言，與正圓形之同心圓狀之光纖之 -44 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ I、..裝-------:1 訂·。--------線·^ (請先閲讀背面之生意事項泰填窝本頁) A7 B7 d 068 五、發明說明（u) 情形等效地抑制偏波分散。另外，光纖〗，因樹脂被 膜161塗佈之光纖部份之不均勻厚度被抑制之故，該光 纖部份（裸光纖1 50 )之截面上之應力分佈非對稱被阻止， 進而能提高光纖180作成電纜時之強度。 再者，上述之能執ίτ搖動拉線之製造裝置，搖動導滾 子720之搖動運動係爲從第24圖所示之-Θ角度到+Θ角 度之對稱往復運動，但並不限定於此，例如也可執行從 0角度到+ θ角度止搖動之非對稱往復運動。另外，也可 係爲在搖動導滾子720之旋轉軸之方向搖動之對稱往復 運動。這種情形，與上述那樣說明之動作相同地，交替 地賦與光纖1 80順時針之扭絞及反時針之扭絞。另外， 第24圖之製造裝置在滾子表面上設有V字型之窄槽750 以作爲第1固定動導滾子731之光纖轉動抑制措施，但 用U字型之窄槽，或凹狀之窄槽也能達到同樣之效果。 下面將說明適用本發明有關之分散管理光纖之光通信 系統。第27圖係本發明有關之光通信系統1之槪略構成 圖。此光通信系統1包含上述之分散管理光纖10及其它 之光纖20連接而成光傳送通路。傳送站（或中繼站）30 及接收站（或中繼站）40則藉此光傳送通路而連接。傳送 站3 0和接收站4 0之間係爲1個中繼區間。 光通信系統1 ,傳送站30和接收站40間之光傳送通 路（中繼區間）整體可全部使用該分散管理光纖1 〇 ,也 可在該傳送通路（中繼區間）之一部份上使用分散管理光 纖1 〇。後者之情形，分散管理光纖丨〇最好設在中繼區 -45 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------J裝-------Ί訂·：--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468 068 A7 B7__.__ 五、發明說明（44 ) (請先開讀背面之注意事項|寫本頁) 間之上游側。藉這樣之配置，傳播信號功率大且容易產 生非線性光學現象之中繼區間之游因設置該分散管理 ...光纖1 0，故能有效地抑制傳送特性之惡化。另外，設置 在下游側之光纖20係使用標準之單一模式光纖，藉此 能以低成本構組光通信系統1。再者，本發明有關之分 散管理光纖10,光纖之直徑在長度方向上或作成均一， 或沿著長度方向作稍微之變動，因此除能容易與其它光 纖20連接之外，能有效地抑制連接損失之增加》 再者，第28圖係示出本.發明有關之光通信系統1之光 傳送通路整體之平均波長分散特性之曲線。像這樣藉連 接分散管理光纖10和其它之光纖20而成之光傳送通路 之情形，從信號波長頻寬λi〜λ2內之中繼區間整體看， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 平均波長分散之絕對値較佳爲3ps/nm/km以下。另外， 從信號波長頻寬λ!〜λ2內之既定波長λ。之中繼區間整 體看，平均波長分散以約爲〇(具體的說係-1〜+lPs/nm /km)爲佳。藉此，有效地抑制光傳送通路上因累積之波 長分散和非線性光學現象相互作用所引起之傳送特性之 惡化，進而獲得適於傳播多個頻道之信號WDM傳送之光 傳送通路。另外，若從信號波長頻寬λ2內之既定 波長λ;之中繼區間整體看到之平均波長分散係爲 0.1ps/nm/km以上至1.0ps/nm/km以下時則能得出適於 利用該波長λ3信號之孤子（Soliton)通信之光傳送通路。 如上述，依本發明，該分散管理光纖之構成爲添加物 濃度沿著其長度方向係爲均一，另外，不含作爲該添加 -46 - 本紙張尺度適用中國國家標準（(：Νέ)Α4規格（210 X 297公釐） 468068 A7 B7_ 五、發明說明（4Γ ) 物之Ge〇2之玻璃層之折射率或殘留應力係沿著長度方 向變化。另外，藉如此使折射率以及殘留應力沿著長度 方向變化，俾交互替換那樣調節各部位上產生之波長分 散符號，因此，該分散管理光纖之截面尺寸沿著長度方 向係爲均一。藉此，能獲得具備容易製造，不會增加連 接損失且能易於與其它光纖連接之構造之分散管理光 、纖。 符號之說明 10 分散管理光纖 . 100光纖基材 1 3 0暫置桿 150裸光纖 160碳被覆光纖 170樹脂附著光纖 1 8 0光纖 2 0 0拉線爐 220預塑導桿 230加熱器 250反應管 3 00雷射外徑測定器 400控制系統 500樹脂塗佈方格 600紫外線燈 700捲筒 ‘47 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ . 11-------------Ί -------- (請先閱讀背面之注意事項再Ϊ本頁) 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468068 五、發明說明（46 ) 7 1 0導滾子 720搖動導滾子 731第1固定導滾子 732第2固定導滾子 A7 B7 i I I I ----I — 裝 i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
iJ -線： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4S - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 468068 r、申請專利範圍 第891丨9637號「分散管理光纖，养.製基^法一一^含光纖 之光通信系統與光纖基材」專利案1，修正 Β „ $年冯曰 (Μ好8月14 Ε修正） 六申請專利範圍： L----- 1· 一種分散管理光纖，其特徵爲在信號波長頻寬內之 既定波長上除了保證單一模式外，同時於該既定波 長上具有正的波長分散之1個或以上之第1部份之 各個和於該既定波長上具有負的波長分散之1個或 以上之第2部份之各個係相互.鄰接_配置， 該分散管理光纖具備在半徑方向上依序設置之多 個玻璃層， 於前述多個之玻璃層中，含有折射率調節用之添 加物之玻璃層之該添加物之濃度，沿著該分散管理 光纖之長度方向之最大變化係被抑制在20〜30%以 下那樣被均一化，而 在前述多個之玻璃層中，實質地不含有作爲前述 添加物之Ge02之玻璃層之折射率係沿著該分散管理 光纖之長度方向變化。 2.—種分散管理光纖，其特徵爲在信號波長頻寬內之 具有正的波長分散之1個或以上之第1部份之各個 和於該既定波長上具有負的波長分散之1個或以上 之第2部份之各個係相互鄰接配置， 該分散管理光纖具備在半徑方向上依序設置之多 個玻璃層， 於前述多個之玻璃層中，含有折射率調節用之添加 物之玻璃層之該添加物之濃度，沿著該分散管理光纖 之長度方向之最大變化係被抑制在20〜30%以下那樣 A8 B8 C8 D8 4 6 8 0 6 8 、申請專利範圍 被均一化，而 殘留在前述多個玻璃層內之應力係沿著該分散管理 光纖之長度方向變化。 3 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 於前述多個之玻璃層中，含有折射率調節用之添加 物之玻璃層之該添加物之濃度，沿著該分散管理光纖 之長度方向之最大變化係被抑制在1 0%以下那樣被均 —化。 ， 4 ·如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 於前述多個之玻璃層中，實質地不含有作爲前述添 加物之Ge〇2之玻璃層係爲純石英玻璃。 5. 如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 對前述實質地不含有作爲前述添加物之Ge〇2之玻 璃層之純石英玻璃之比折射率差，即使不經意地混入 既定量之GeCh時仍被調節成比對添加與該混入之Ge〇2 同量之Ge〇2之玻璃層之純石英玻璃之比折射率差低。 6. 如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 前述信號波長頻寬係爲1.53μηι(微米）〜1.60μιτι。 7 .如申請專利範圍第6項之分散管理光纖，其中 前述信號波長頻寬係爲1 . 54卢m〜1 . 56μπι。 8 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 前述第1部份各個在前述信號波長頻寬內之前述波 長上具有+ lps/nro/km以上至+10ps/nm/km以下之波長 分散，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意»'項再填寫本頁) 衣--------|訂.'1-------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 4 b B 0 β S 六、申請專利範圍 前述第2部份各個在前述信號波長頻寬內之前述波 長上具有-10ps/nm/km以上至- lps/nm/km以下之波長 分散。 9 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 前述第1部份各個具有500m以上至10km以下之長 度,而 前述第2部份各個具有500m以上至10km以下之長 度。 1 0 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 分別位在相互鄰接之前述第1部份各個和前述第2 部份各個之間，在前述信號波長頻寬之前述既定波長 上具有絕對値未滿lps/nm/km之波長分散之暫態部份 之累積長度係爲該分散管理光纖全長之1 0%以下。 1 1 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 於前述信號波長頻寬內之前述既定波長上從該分散 管理光纖整體看到之平均波長分散之絕對値係爲 3ps/nm/km 以下。 1 2 ,如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 在前述信號波長頻寬內之既定波長上，從該分散管 理光纖整體看到之平均波長分散係實質爲〇。 1 3 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 前述第1部份各個在前述信號波長頻寬內之前述 既定波長上具有正的分散斜率，而 前述第2部份各個在玻璃層信號波長頻寬內之前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (睛先閲讀背面之生意事頃再填寫本頁) \--------Γ 訂-------線—'. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 468068 g D8 六、申請專利範圍 既定波長上具有負的分散斜率。 14.如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 該分散管理光纖在前述信號波長頻寬內之前述既定 波長土具有40ym2以上之等效橫截面積。 1 5 .如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 該分散管理光纖在前述信號波長頻寬內之前述既定 波長上具有〇.2ps · km_l/2以下之偏波模分散。 16.如申請專利範圍第1或第2項之分散管理光纖，其中 該分散管理光纖具備含有由沿著既定軸延伸之純石 英玻璃作成之核心內層領域，及設在該核心內層領 域之外周上之被覆領域。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之分散管理光纖，其中 前述核心內層領域包含係爲添加GeCh之玻璃層， 對前述被覆領域具有0. 4¾以上之比折射率差之第1核 心內層係爲包覆該第一核心內層那樣設置並有添加F 元素之玻璃領域，具有比純石英玻璃者小之折射率之 第2核心內層，及包覆第2核心內層那樣設置，由純 石英玻，璃作成之第3核心內層，而 前述被覆領域係爲包覆前述第3核心內層那樣設置 並有添加F元素之玻璃層，含有比純石英玻璃者低之 折射率之玻璃層 1 S .如申請專利範圍第丨7項之分散管理光纖，其中 前述第1核心內層具有4 μ m以上至9 μ m以下之外徑， 且對前述被覆領域內之基準領域，具有0 . 4%以上至 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -------Ϊ 訂 ---------線. 4 6 8 0 6 8 | D8 t、申請專利範圍 1 . 1%以下之比折射率差， HIJ述第2核心內層具有6μηι以上至20μΐΏ以下之外 徑，且對前述被覆領域內之基準領域，具有0%以上 至0 · 1 %以下之比折射率差， 前述第3核心內層具有ΙΟμηι以上至30μηι以下之外 徑，且對前述被覆領域內之基準領域，具有0.05%以 上至0.5%以下之比折射率差。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之分散管理光纖，其中 前述第2核心內層具有比前雜被覆領域內之基準領 域者低之折射率。 20 .如申請專利範圍第1 9項之分散管理光纖，其中 前述第1核心內層具有4μηι以上至9μηι以下之外徑.， 且對前述被覆領域具有0 , 4%以上至1 , 1 %以下之比折 射率差， 前述第2核心內層具有6μιτι以上至20μηι以下之外 徑，且對前述被覆領域內之基準領域，具有-0.6%以 上至未滿0%之比折射率差，而 第3核心內層具有ΙΟμιη以上至30μπι以下之外徑， 且對前述被覆領域內之基準領域具有〇.〇 5%以上至 0.5. %以下之比折射率差。 2 1 .如申請專利範圍第1 6項之分散管理光纖，其中 前述核心內層領域包含係爲添加Ge(h之玻璃層， 對前述被覆領域內之基準領域具有〇. 7%以上之比折 射率差之第1核心內層，及包覆該第1核心內層那樣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) }^- -I ^ · I I I I &lt;1 I ^1 ιτ'ί-------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 ο Β ο 6 8 六、申請專利範圍 設置，由純石英玻璃作成之第2核心內層， 前述被覆領域係爲包覆前述第2核心內層那樣設 置且被添加F元素之玻璃層，含有具有比純石英玻 璃者低之折射率之層。 、 22. 如申請專利範圍第21項之分散管理光纖，其中 前述第1核心內層具有3#ηι以上至6βιη以下之 外徑，且對前述被覆領域內之基準領域具有0.7%以 上至1 . 2%以下之比折射率差，而 前述第2核心內層具有15ero以上至25θπι以下 之外徑，且對前述被覆領域，具有0%以上至0.3% 以下之比折射率差。 23. 如申請專利範圍第16項之分散管理光纖，其中 前述核心內層領域係由純石英玻璃作成， 前述被覆領域係爲包含包覆前述核心內層領域那 樣且被添加F元素之內側被覆，包覆該內側被覆那 樣設置且被添加F元素之玻璃領域，及具有比該內 側被覆層者高之折射率之外側被覆。 24. 如申請專利範圍第7項之分散管理光纖，其中 前述被覆領域係爲包含包覆前述核心內層領域那 樣且被添加F元素之內側被覆，包覆該內側被覆那 樣設置且被添加F元素之玻璃領域，及具有比該內 側被覆層者高之折射率之外側被覆。 、25.如申請專利範圍第15項之分散管理光纖，其中 468068 六、申請專利範圍 前述被覆領域係爲包含包覆前述核心內層領域那 樣且被添加F元素之內側被覆，包覆該內側被覆那 樣設置且被添加F元素之玻璃領域，及具有比該內 側被覆層者高之折射率之外側被覆。 26. 如申請專利範圍第22項之分散管理光纖，其中 前述被覆領域係爲_包含包覆前述核心內層領域那 樣且被添加F元素之內側被覆，包覆該內側被覆那 樣設置且被添加F元素之玻璃領域，及具有比該內 側被覆層者高之折射率之外側被覆。 27. 如申請專利範圍第23項之分散管理光纖，其中 前述核心內層領域具有3/zm以上至7#ra以下之 外徑，且對前述外側被覆具有0.4%以上至0.9%以 下之比折射率差，而 前述內側被覆具有7/zm以上至14/zm以下之外徑 且對前述外側被覆具有-0.6¾以上至未滿0%之比折 射率差。 28. 如申請專利範圍第23項之分散管理光纖，其中 前述內側被覆具有以上至60/im以下之外 徑且對前述外側被覆具有-0.4%以上至未滿0¾之比 折射率差。 29. 如申請專利範圍第24項之分散管理光纖，其中 前述內側被覆具有25ym以上至60/zm以下之外 徑且對前述外側被覆具有-0.4%以上至未滿〇%之比 a 6 8 〇6 8 六、申請專利範圍 折射率差。 30. 如申請專利範圍第1項之分散管理光纖，其中 該分散管理光纖之外徑係與前述多個玻璃層中未 添加Ge02之玻璃層之折射率沿著該分散管理光纖之 長度方向上之變化同步變化。 31. 如申請專利範圍第2項之分散管理光纖，其中 該分散管理光纖之外徑係與殘留在前述多個玻璃 層內之應力沿著該分散管理光纖之長度方向上之變 化同步變化。 32. —種製造如申請專利範圍第1或第2項之分散管理 光纖所用之光纖基材，其特徵爲相當於前述多個玻 璃層之領域中，含有折射率調節用之添加物之領域 內之該添加物之濃度沿著該光纖基材之長度方向之 最大變化係被均一化成20%〜30%以下。 33. —種製造如申請專利範圍第1項之分散管理光纖所 用之光纖基材，其特徵爲相當於前述多個玻璃層之 領域中，對含有折射率調節用之添加物之領域之各 個純石英玻璃之比折射率沿著該光纖基材之長度方 向之最大變化係被均一化在20%〜30%以下。 34. —種製造如申請專利範圍第1或第2項之分散管理 光纖之製造方法，其特徵爲 準備如申請專利範圍第32或33項之光纖基材， 在對準備好之前述光纖基材進行拉線之際每隔既 4 6 8 0 6 8 六、申請專利範圍 定時間間隔改變拉線張力。 35. 如申請專利範圍第34項之製造方法，其中 施加於該光纖基材之拉線張力係藉改變該光纖基 材之溶融部份之溫度而調節。 36. 如申請專利範圍第34項之製造方法，其中 施加於該光纖基材之拉線張力係藉改變抽拉速度 而調節。 37. 如申請專利範圍第34項之製造方法，其中 在進行該光纖基材之拉線期間之抽拉速度係與該 光纖基材之溶融部份之溫度變化同步改變。 38. —種光通信系統，其特徵爲 其將申請專利範圍第1或2項之分散管理光纖構 成敷設在中繼區間之光傳送通路之至少一部份》 39. 如申請專利範圍第38項之光通信系統，其中 前述分散管理光纖自前述中繼區間中具有前述信 號波長頻寬內之波長之信號之行進方向看係配置在 上游側。 40. 如申請專利範圍第38項之光通信系統，其中 於前述信號波長頻寬內之前述既定波長上，自前 述中繼區間整體看到之平均波長分散之絕對値係爲 3ps /nm/km 以下。 41. 如申請專利範圍第38項之光通信系統，其中 於前述信號波長頻寬內之前述既定波長上，自前 4 6 8 06 8 六、申請專利範圍 述中繼區間整體看到之平均波長分散係實質地爲 42.如申請專利範圍第38項之光通信系統，其中 於前述信號波長頻寬內之前述既定波長上，自前 述中繼區間整體看到之平均波長分散係爲 0.1ps/nm/km 以上至 1.0ps/nm/km 以下。 -10-
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