TW465179B - Surface acoustic wave device and method of producing the same - Google Patents

Description

65 ί 79 a? _____Β7 五、發明説明（j ) 發明背景 發明之領域 本發明係關於作爲例如帶通濾波器及共振器使用之表 面聲波元件以及其之製造方法，特別係關於包含以鉅製成 之指狀電極之表面聲波元件以及其之製造方法。 相關先前技術之說明 傳統上，表面聲波元件廣泛地作爲帶通濾波器及共振 器使用。對於此種應用的表面聲波元件而言，非常良好之 高頻特性係必需的。 再者，如同其它的電子零件，對於表面聲波元件而言 ，降低成本亦爲迫切之需求。 在日本專利公告號第6 1 — 4 5 8 9 2號揭示的表面 聲波元件中，以金製成之指狀電極係X軸與表面聲波元件 之傳播方向成約9 0度的置於X旋Y切石英基板上。 再者，在日本未審查專利申請案公告號第1 〇 - 2 4 7 8 3 5號（曰本專利申請案案號N 〇 · 9 — 6173 1 )中揭示一種表面聲波元件，其提供具有雙層結構之指 狀電極，其包含作爲基層的鋁層以及疊層在鋁層之上的鉅 層。 在包含表面聲波元件之窄帶通濾波器的情況中，希望 能將表面聲波元件之中間頻率的不穩定性最小化。因此’ 製造作爲窄帶通濾波器使用的表面聲波元件時，傳統上需 在製造過程完成後微調該表面聲波元件之頻率。 3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :在 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 4 65: l 7 9 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（〆） 上述之微調頻率的典型方法係藉著使用c F 4 + 0 2之 電漿乾式蝕刻指狀電極（Appl. Phys. L e t t，第3 9卷第1期第40頁（1981年6月））以 進行頻率之微調。 例如，在製作包含石英基板的表面聲波元件時，通常 中間頻率之偏移約3 0 0 P P m。如上述微調方法，頻率 之最大改變約爲5 0 0 p P m。故預計能將中間頻率之偏 移抑制在5 0 ρ p m內。 —般而言，表面聲波元件之操作頻率係由f=v/λ (ν =表面聲波之傳播速度，λ =表面聲波之波長）所決 定。波長λ視指狀電極之結構而決定。通常係藉著使用微 影術的精密製程形成指狀電極。一般而言，係藉由例如氣 相沉積、化學氣相沉積或其它適當方法的化學沉積方法及 例如具有蝕刻製程之濺鍍或其它適當方法的物理沉積方法 _以及依需要重複這些技術的薄膜製造技術的組合，實施上 述之精密製程。 如日本專利公告號第6 1 — 4 5 8 9 2號所揭示之表 面聲波元件中，當以金作爲製造指狀電極之材料時，一般 係以化學沉積方法將金製成薄膜。然而，當以化學沉積在 壓電基板上製造金電極時，將引起金電極對壓電基板之附 著力不足的問題°因此，爲改善指狀電極及壓電基板之間 的附著強度，需要以鉻或其它適當材料製造電極層以作爲 金電極之基層。因此，該製程非常複雜。再者，金很昂貴 ，故增加材料成本，且亦增加該表面聲波元件之成本。 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i· 、?τ

_ , J 本紙浪尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 4 65 1 7 8 A7 B7 五、發明説明（》） ， 另一方面，如日本未審查專利申諝案公告第8 一 1 2 5 4 8 5號’其揭市使用鉬作爲指狀電極之材料。因銀爲 高熔點金屬’故鉅一般係以例如濺鍍的物理沉積方法製成 薄膜。然而，以此種方法形成的鉅膜之晶格結構爲^ -鉬 ’且電阻率相當的高爲1 8 0微歐姆•公分。因此，因該 電極之電阻增加，故使該表面聲波元件之特性惡化，特別 是插入損耗。 因此，如日本未審査專利申請案公告第1 q _ 2 4 7 8 3 5號’係提出一種以具有高導電特性之鋁層作爲鉬電 極層之基層的方法。然而’爲形成該指狀電極，需疊層複 數層金屬層。其使得製程變得複雜且昂貴。 因此，在微調使用電漿之乾式蝕刻製造之表面聲波元 件頻率的方法中’很難將頻率之偏移調整超過5 〇 〇 p p m。其因電漿損壞壓電晶體，導致表面聲波元件之插入損 耗的惡化。 再者，爲實施上述之頻率微調’需對每個基板實施頻 率微調。因此，當指狀電極之膜厚分佈不均時，將有良率 降低的問題。 發明槪要 爲克服上述之問題，本發明之較佳實施例提供一種表 面聲波元件，其具有對壓電基板附著力很商的钽指狀電極 而能，大幅降低指狀電極之成本，簡化指狀電極之製程， 且大幅改善插入損耗，以及製造其之方法。 5 本紙依又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (诸先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局W工消.免合作社印製 4 6ο ί 79 Α7 __Β7_I_ 五、發明說明（(V ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之一種較佳實施例的表面聲波元件中，在壓 電基板上的指狀電極最好包含α-鉬。此結構將能大幅降 低指狀電極之電阻率，且亦大幅改善該表面聲波元件之插 入損耗。 該α -鉅膜對壓電基板具有高附著強度。因此，可將 在高溫度及高溼度環境下的表面聲波元件特性之劣化最小 化。 再者，該表面聲波元件之特性可藉由控制該α -钽膜 之膜厚度而輕易地調整之。因此，除傳統乾式蝕刻微調頻 率外尙可藉由控制該α -鉬膜之膜厚度實施頻率調整，故 可倍增頻率調整範圍。再者，能夠將該指狀電極製造成僅 由α -鉅膜組成。因此，用於指狀電極的該電極製程可大 幅簡化並且便宜及省時" 根據本發明之較佳實施例，能輕易地製造出便宜、具 有寬頻率調整範圍、且抑制插入損耗之降低、使高溫度及 高溼度下特性之劣化減到最小、具高可靠度的表面聲波元 f牛0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如本發明之較佳實施例，當指狀電極之電阻率在約2 5 °C時達1 5 0微歐姆•公分，故能降低插入損耗。因此 ，能獲得一種具有優越特性之表面聲波元件。 如本發明之較佳實施例的表面聲波元件製造方法，係 使用包含氮氣的鈍氣以及組靶材實施濺鍍，藉此在基板上 形成至少一組指狀電極。因此，能輕易地以壓電基板作爲 基板而製造出本發明之較佳實施例的表面聲波元件。 6 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 651 79 -—----B7_:__ 五、發明說明（< ) 當基板及鉬靶材之間的距離至少約爲2 〇公分時，能 製造出膜厚均勻之α-鉅膜。因此，能提供特性進一步改 良的表面聲波元件。 爲求說明本發明，係圖示目前較佳的數種形式，然而 ，應暸解到’本發明並非受限於圖示的具體配置及方法。 圖式簡單說明 圖1係顯示根據本發明較佳實施例之表面聲波元件的 示意平面圖。 圖2係以圖示混合在用於濺鍍之鈍氣內氮氣的氮氣分 +壓以及所形成之α-鉅膜的電阻率之間的關係》 圖3係以圖示當氮氣以不同比例混合在鈍氣內時所獲 得之鉅膜晶格的X R D頻譜資料。 圖4係以圖示如較佳實施例使用α-钽膜之表面聲波 元件的高溫溼度容忍測試結果，以及用於比較所準備的使 用/3 -鉅膜所形成之表面聲波元件的測試結果。 圖5係以圖示在較佳實施例之表面聲波元件中-钽 膜對基板的附著強度，以及用於比較所準備的/5 -鉬膜對 壓電基板的附著強度。 圖6係以圖示用於濺鑛所設定的靶材及壓電基板之間 距離對應所形成之α -鉅膜之膜厚分佈的關係。 圖7係以圖示當不同厚度之α -鉬膜形成在具有（0 ，1 2 7，9 0 )之尤拉角的石英基板上時’表面聲波之 聲速的變化 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂·----I---線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65.7 7α Α7 Β7 五、發明說明（w) 圖8係以圖示基於圖7所示之α -鉅膜之膜厚對應聲 速的關係所決定的α -鉅膜之膜厚以及機電係數k 2之間的 關係。 元件符號說明 1···表面聲波元件 2···壓電基板 3、 3 a、3 b · ·.指狀電極 4、 5 · · ·反射器 較佳實施例之詳細說明 在下文中，將參考圖示詳細說明本發明之較佳實施例 〇 從接下來參考圖示的本發明之表面聲波元件較佳實施 例之具體範例的說明將能瞭解本發明較佳實施例之特徵及 優點。 圖1係根攄本發明較佳實施例之表面聲波元件的示意 平面圖。 在表面聲波元件1中，指狀電極（在下文中稱爲Ϊ D T電極）3係置於壓電基板2上。該IDT電極3具有一 對包含彼此交叉之電極指針的指狀電極3 a及3 b。該ί D Τ電極3之電極指針係配置成沿著垂直表面聲波傳播之 方向伸展。此外，在該I D Τ電極3之表面聲波傳播方向 的兩側放有反射器4及5。該反射器4及5最好係柵式反 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4埤格（210 X 297公釐） (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

II — — — — — — — II - - -- n t - - - - - u - - - - - - - _ ] I A7 4 6S-] 7q ___B7__ ____ 五、發明說明（f) 射器’其均具有在複數個指針之兩側短路的結構。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 在此較佳實施例中，一組反射器4及5係如上述置於 I D T電極3之兩側。本發明之表面聲波元件的電極結構 並非受限於上述之結構。亦即，可在該表面聲波傳播方向 配置複數個I D T電極。再者，可省略該反射器4及5。 例如，在製造利用S Η表面聲波之端面反射式表面聲波元 件的情況中，表面聲波係從該壓電基板之相對端面處反射 。因此，可省略反射器。 在目前之較佳實施例中，係形成一個具有一個IDΤ 電極3的接點組S AW共振器。亦設置複數個I DT電極 以製造帶通濾波器。 該壓電基板1最好具有實質上爲長方形平板之形狀， 並且係由石英、組酸鋰、妮酸鋰或其它適當材料之壓電單 晶基板，或鉛鈦酸锆酸鹽式陶瓷或其它適當材料之壓電陶 瓷基板所形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而’並不需要整個壓電基板1完全由壓電材料所形 成。例如’該壓電基板1可能包含在具絕緣性質之基板^ 形成例如氧化鋅薄膜的壓電薄膜，或可能包含在壓電材料 製成之壓電基板上疊層壓電薄膜。在壓電薄膜疊i在絕綠 基板或壓電基板的情況中，例如I DT電極3的電極以及 反射器4及5可置於該壓電薄膜的上層或下層。 ~ 此較佳實施例之表面聲波元件1的其中—種特點彳系$ 少部分的上述之I D T電極3以及反射器4及5係由Μ 鉅所製成。因此，可實現降低I D Τ電極3的電阻斑，且 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） b 5..i 7g A7 B7 五、發明說明（3 ) 亦改善插入損耗。此外，該I D T電極3對該壓電基板1 的附著強度係大幅改善。此將基於實驗之實施例說明之。 通常在壓電基板上以濺鍍製造鉬膜時係形成/5 -鉅膜 。相反的，在如本發明的數種較佳實施例中，能藉由使用 混合氮氣之鈍氣作爲濺鑛氣體以及鉅爲靶材的濺鍍製造出 α _鉅膜。 例如，製造α -組膜的濺鍍條件係如下述： (1 )靶材：鉬 (2)灘鍍氣體.混合氮氣之氫氣 (3 )濺鍍薄膜製造腔內的氣體壓力：〇 . 2 3帕斯 卡 .(4 )濺鍍功率：4仟瓦

(5 )基板溫度：室溫至2 5 0 °C 再者，除了氬氣外，亦可使用氦氣、氖氣、氪氣、氙 氣或其它適當之氣體作爲濺鍍氣體。可藉由將氮氣混合入 這些鈍氣內製造出α -鉅膜。 圖2顯示在基板溫度約1 〇 〇 °C、薄膜製造腔內氣體 壓力約0 . 2. 3帕斯卡、濺鍍功率約3仟瓦時，濺鍍氣體 內氮氣的不同分壓造成在石英基板上形成之鉅膜電阻率的 改變。 如圖2所不，在氮氣混合入濺鍍氣體內且氮氣分壓在 約0.0 0 1帕斯卡至約0 . 0 0 7帕斯卡的範圍內時， 可獲得電阻率約達1 5 0微歐姆•公分的妲膜。

圖3顯示在如上述不同氮氣分壓下所獲得之钽膜的X 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂--------* "5^· I f VI----„----- «δ.Γ/:: Α7 ___B7 五、發明說明（ί) R D頻譜。在圖3中，突起（1 1 0 )係表示α -鉅，而 附加（0 0 2 )的突起係表示沒-鉬。在圖3中，其顯示 在氮氣未加入濺鍍氣體的情況中係形成々-鉅膜，而藉由 導入氮氣則能形成α -鉅膜。 因此，如圖2及圖3所示，在氮氣混合入濺鑛氣體內 且氮氣分壓在約0 . 0 0 1帕斯卡至約〇 . 〇 〇 7帕斯卡 的條件下，可製造出電阻率約達1 5 0微歐姆•公分的鉬 膜。 在上述較佳實施例的表面聲波元件1中，因I D 丁電 極3係由α -鉅所形成，且因此，該I DT電極3之電阻 率係降至約1 5 0微歐姆•公分或更低。因此，可瞭解到 該插入損耗可大幅改善。 如上所述，當I D 丁電極3及反射器4及5均包含形 成在作爲壓電基板之石英基板上的α-組膜時以製造出表 面聲波元件1，並藉此獲得表面聲波元件1。就該表面聲 波元件1而言，需進行高溫濕度容忍測試，且評估該I D Τ電極3之附著強度。在此情況中，該I D Τ電極3之厚 .度係約3 8 0奈米，電極指針之對數係1 5對’電極指針 之寬度係約7微米，而電極指針之間的距離係約1 〇微米 〇 當考慮到高溫溼度容忍測試時，該表面聲波元件1係 放置在約8 5 t且相對溼度約8 5 %的環境下持續1 0 0 小時。以預定之時間間隔測量該表面聲波元件之電阻’並 基於在進行高溫溼度容忍測試之前的電阻決定電阻之變化 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---I ^ «ΙΙΙΙΙΙΙΙ —11 — ^____ --_____ -_______ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65Ί 7 5 A7 B7 五、發明說明（) 率。 當考慮到附著強度測試時，形成在石英基板上的α-組膜係由R Η E S C Α製造之型號C S R - 0 2的薄膜刻 痕測試機器的工具評估之。 圖4及圖5顯示結果。 爲求比較，係準備如上述之相同方法製成之具有I D T電極3的表面聲波元件，但該I DT電極3係由Θ -钽 膜所形成。接著實施高溫溼度容忍測試以及附著強度測試 。圖4及圖5顯示結果。 如圖4及圖5所示，在高溫溼度容忍測試以及附著強 度測試中，此較佳實施例之具有α -鉅膜製成之I D 丁電 極3的表面聲波元件可獲得較用於比較所準備之具有冷-鉅膜形成之I D Τ電極的表面聲波元件優越的，結果。如圖 5所示，因α -鉅膜對基板之附著強度很高，故在高溫溼 度容忍測試中可獲得優越之結果。 因此，藉由製造α -組膜製成之I D Τ電極3，不僅 可大幅降低電阻率以獲得插入損耗之改良，亦可有效地增 加該I D Τ電極3對壓電基板的附著強度。 再者，當考慮到在壓電基板上製造上述之α-鉬膜時 ，亦需硏究靶材離壓電基板之距離以及α -钽膜之膜厚分 佈之間的關係。圖6顯示結果。 在基板溫度約1 0 0°C、濺鍍氣體壓力約〇 . 1 〇帕 斯卡、所加功率約3仟瓦、以氬氣及氮氣作爲濺鍍氣體、 且氮氣分壓約3 . 6x1 CT3帕斯卡的條件下，可獲得圖 12 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . ^ ^ i -----訂---------線—、^----1^--—-------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 465179 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_____ 五、發明說明（v\) 6之結果。 如圖6所示，當靶材及壓電基板之間的距離變大時， 所形成之α -姐膜的膜厚分佈變得較小。該膜厚分佈係定 義爲由膜厚分佈==(最大α -鉅膜厚度-最小α -鉅膜厚 度）/ (最大α -鉅膜厚度+最小α -钽膜厚度）X 1 〇 〇 %表示的數値。 如圖6所示，當靶材及壓電基板之間的距離變大時， 該α -鉅膜的膜厚分佈變得較小。特別是，將靶材及壓電 基板之間的距離設定在約2 0公分或更遠時，可看出膜厚 分佈能降低至約3 %或更低。因此，該I D Τ電極之膜厚 分佈係明顯地大幅改善r從改善膜厚分佈的觀點來看，靶 材及壓電基板之間距離的上限並無特別限制。當在母板上 製渣表面聲波元件之I D T電極時，該上限通常設定在約 2 0 〇公分或更短。 接著，將說明此較佳實施例之表面聲波元件的頻率調 整。如前所述，已知傳統上在製成表面聲波元件後，可使 用C F 4 +〇2氣體之電發乾式餓刻而微調該表面聲波元件 之頻率。在此較佳實施例之表面聲波元件中，可在下述條 件下以乾式蝕刻微調頻率。 (1 )鈾刻氣體 C F4+02氣體 (2 )蝕刻氣體壓力 2帕斯卡

(3 )蝕刻溫度 6 0 °C (4)蝕刻功率 5 0 0瓦 可依照表面聲波元件1之具體結構而適當地改變乾式 13 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .Λ) ^ illlln ^ 1!11111 ^ i ,\)^· I I ------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 65 1 79 五、發明說明（\，） 蝕刻條件。在此較佳實施例之表面聲波元件中’可藉由如 上述之乾式蝕刻微調頻率。 此外，在本發明較佳實施例之表面聲波元件中’可藉 由控制該α-鉅膜之膜厚而微調該表面聲波元件之聲速及 機電係數k2。此將參考圖7及圖8而說明之。 圖7顯示當使用具有（〇，12 7，9 0)之尤拉角 的Y旋石英基板且在該壓電基板上製造不同膜厚之α _鉬 膜時，所獲得之表面聲波聲速的變化。在圖7中’橫座標 係α-鉅膜之正規化膜厚h/λ (h表示該鉅膜之膜厚’ 而又表示表面聲波之波長），而縱座標爲該表面聲波之聲 速（公尺/秒）。 如圖7所示，當α -鉅膜之膜厚h/λ增加時’表面 聲波之聲速降低。 此外，基於表面聲波之聲速可決定每種“ ~鉅薄膜之 膜厚h/λ以及機電係數（％) k 2之間的關係。圖8顯示 結果。在圖8中，該機電係數k 2係由下述之公式（1 )計 算所得之數値定義之。 k2=2x(V。— D / V。 （ 1 ) V。表示當鉅之介電常數爲1時的表面聲波之聲速’ 而7*表示當鉅之介電常數爲0時的表面聲波之聲速° 如圖7及圖8所示，在本發明較佳實施例之表面聲波 元件中，聲速及機電係數亦可藉由改變α -鉅膜之膜厚調 整之。因此，除了藉由上述之乾式蝕刻外’尙可藉由控制 膜厚而調整頻率特性。因此，能在廣泛的範圍內調整該表 14 --------------___ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·' 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) B7 A7 iB51 /& 五、發明說明（W) 面聲波元件之頻率特性。 雖然已揭示本發明之較佳實施例，但實行此處揭示之 原理的不同方式認爲係在接下來的申請專利範圍之範疇內 。因此，應瞭解到’本發明之範疇係由申請專利範圍所定 義0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

'J 1! — 訂 -----I---線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 卜紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 4 8 00 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 種表面聲波元件，其包含： 一個基板；以及 至少一組放置於該基板上的指狀電極，其中，該指狀 電極包含CK -組。 2 ·如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其中’ 該至少~組指狀電極在約2 5 X：時具有達1 5 0微歐姆· 公分之電阻率。 3 .如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其中’ 該至少一組指狀電極係僅由α -鉬所形成。 4 .如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其更包 含’設在該至少一組指狀電極之兩側之一對反射器。 5 .如申請專利範圍第4項之表面聲波元件，其中， 該對反射器包含α -钽。 6 ·如申請專利範圍第4項之表面聲波元件，其中， 該對反射器係僅由α -鉅所形成。 7 .如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其中， 該至少一組指狀電極包含彼此交叉的電極指針，且係配置 成沿著垂直表面聲波傳播之方向伸展。 8 .如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其中， 該表面聲波元件係定義爲帶通濾波器。 9 .如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其中， 該基板係甶壓電單晶材料以及壓電陶瓷材料其中之一所彤 成。 1 0 .如申請專利範圍第1項之表面聲波元件，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填莴本頁) ,1Τ 線' 5 6 79 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ，該基板包含絕緣基板以及置於該絕緣基板上的壓電薄膜 0 1 1 . 一種表面聲波元件的製造方法，其包含下列步 驟： 提供一個基板；以及 在該基板上製造至少一組包含α -鉅的指狀電極。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中，該製 造至少一組指狀電極的步驟包含使用混合氮氣之鈍氣以及 以α-鉅製成之靶材的濺鍍。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中，就濺 鍍而言，該基板以及鉅靶材之間的距離係在從約2 0公分 至2 0 0公分的範圍內。. 1 4 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中，該濺 鍍氣體係氬氣，濺鍍薄膜製造腔內的氣體壓力係約0.2 3帕斯卡，濺鍍功率係約4仟瓦，而基板溫度可達約2 5 0 °C。 1 5 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中，濺鍍 氣體係氬氣、氦氣、氖氣、氪氣及氙氣其中之一。 1 6 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中，濺鍍 氣體包含氮氣以及氬氣、氦氣.、氖氣、氪氣及氙氣其中之 —'一。 1 7 .如申請專利範圍第1 1項之方法，其中，該製 造至少一組指狀電極的步驟包含製造僅由α -鉬所形成的 至少一組指狀電極。 2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、va 線 ο. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 L65179 六、申請專利範圍 1 8 .如申請專利範圔第1 1項之方法，其中，該製 造至少一組指狀電極的步驟包含在該至少一組指狀電極之 兩側製造一對反射器的步驟。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其中，該製 造一對反射器的步驟包含製造包含α-钽的反射器。 2 0 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其中，該製 造一對反射器的步驟包含製造僅由α -鉅形成的反射器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本育) 訂 線· 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2t〇X297公釐）