TW459034B - High selectivity collar oxide etch processes - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 459034 ^ A7 ---- B7 五、發明説明（，） 發明背景 深壤溝電容器係在動態隨機存取存儲器（DRAM)元件及其 他積體電路元件中作爲組件使用。在積體電路元件於半導 體晶圓（晶片）上形成時，不斷希望增加晶片表面上每單位 面積之元件數g。爲符合此項對於增加元件密度之要求， 故不斷努力以減少被元组件譬如電容器所佔用之表面積。 具有涉及高縱橫比（垂直於主要晶圓表面之深度：平行於 主要晶圓表面之寬度）之幾何形狀之壕溝電容器，允許較 多電容器可被置於晶片上。 壕溝電容器及其他以壕溝爲基礎之組件之一般製造，係 爲θ知典型方法係涉及在基材（或晶圓，通常爲碎晶圓） 中蝕刻最初壕溝。在壤溝蝕刻之前，一或多個順應性介電 材料層可在晶圓表面上形成。典型上，順應性氧化物介電 層將最接近半導體表面，其中順應性氮化物介電層（所謂" 蟄片氮化物）係覆蓋在該氧化物層上。然後，經過整片介 電層蝕刻，並進入半導體基材中，形成壕溝。在基材中於 壕溝底部之區域，可經摻雜以提供增加電荷儲存容量之區 域’其將變成電容器之一個板。形成一個薄節點介電層（ 高介電常數材料），作爲覆蓋壕溝表面之順應層。然後將 壕溝以摻雜之多晶矽（聚矽）或其他電荷儲存材料充填，以 形成電容器之另一個板。 爲藉由使壕溝側壁處之寄生漏電降至最低，以提高壕溝 電容器設計之可靠性，可環繞壕溝之上方内側表面形成，， 墊圈”氧化物。墊圈氧化物本身之形成，爲一種相當複雜 ί請先閱讀背面之注意事項再填窩本頁) 土衣' 459 0 34 A7 B7 五、發明説明（2 t %序典型上，經充填壕溝之頂部部份必須被逆蝕刻， 使知沿著壕溝側壁上方部份之介電層外露。然後沈積順應 性氧化物層（或典型上爲其先質）^順應性氧化物層在多晶 矽（或其他電荷儲存材料）表面上留在部份充填壕溝中之部 份，係接著被選擇性地移除，而留下環繞壕溝上方側壁之 氧化物《充作塾圈氧化物。在從多晶石夕表面移除順應性 氧化物之方法中，此順應性氧化物層在壕溝外侧之部份（ 意即，覆蓋在墊片氮化物上者）亦被移除。壕溝之未被充 填部份，則接著以多晶硬再充填，以完成電容器板之形成 ，其中墊圈氧化物係位於接近壕溝之上端。 順應性氧化物之此種選擇性㈣，爲㈣溝電容器製造 中之關鍵步驟。若氧化物未完全自其中壕溝欲被再充填之 多晶矽（或其他塡充材料）表面移除，則電容器之性能可能 被危害，A係由於在壕溝深處之多晶砂材料與在壞溝再充匕 =時被沈積之多晶矽材料（意即，在沿著壕溝壁具有墊圈 氧化物之壕溝部份中）間之不氣電連接所致。再者，順應 性氧化物之選擇性移除，不得不利地影嚮其下方之節點： 電層’介《片介電層或其他存在於基材上位於祿溝外侧 之表面特徵。接近壕溝頂部之墊片氮化物層之保護是特別 重要的，因其在基材之後續處理期間，典型上係作爲蝕刻 止動層使用。由於持續走向較小尺寸/較高縱橫比之幾何 形狀（例如20或較高），而使此等製程要求變得更困難。 典型上，已使用反應性離子蝕刻或其他乾蝕刻方法，以 達成順應性氧化物之選擇性移除。此等方法已顯示慢蚀刻 請 閱 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 1 Α 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) 21G>T^^釐）

經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 迷率（長處理時間），形成不想要之副產物/沈積物，需要 使：有問題之氣體，譬如co，及/或缺乏可靠性等問題， k成低1率’或需要極緊密控制製程參數。因此，仍然 需要順應性氧化物蝕刻之經改良方法，尤其是用於製造壕 溝電容器。 螢明摘诚 本發明係提供選擇性蝕刻順應性氧化物層之改良方法。 本發明進一步提供在半導體基材之壕溝中形成墊圈氧化物 之方法’此方法係提供墊片介電層之經改良完整性，而造 成所形成元件之經改良結構與操作可靠性。本發明之方法 特別可用於製造積體電路用之高縱橫比壕溝電容器，及其 他涉及在光阻不存在下之高縱橫比氧化物蝕刻之方法。 一方面，本發明係涵蓋—種在丰導體基材之壕溝中形成 墊圈氧化物之方法，其中所提供之半導體基材具有⑴經部 份充填（例如，經充填與逆蝕刻）之壕溝，（2)(彳）被填充材料 部份充塡之壕溝所界定之塡充表面，⑻在壕溝外側之上方 表面，及（iii)未被填充材料覆蓋之緣溝側壁表面，及（g)覆 蓋在該填充、上方及側壁表面上之順應性氧化物層，此方 法包括選擇性蝕刻順應性氧化物層，其方式是： (a) 使基材與含氫之氟化碳及氧來源之混合物，於反應性離 子蚀刻條件下接觸，直到在上方表面上之至少一部份順 應性氧化物層被移除爲止，及 (b) 使得自步驟⑻之基材與不含氫之氟化碳及稀釋用氣體 之混合物，在反應性離子#刻條件下接觸，以進一步移 _______-β - 度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ' (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 II ^^1 —^n ' : j 4 Α7 --------β7__ 五、發明説明（4 ) 一 -------- 除留在填充表面上之順應性氧化物，及過度蝕刻該上方 與填充表面，於是大部份順應性氧化物仍然留在側壁上 ’以形成墊圈氧化物。 此順應性氧化物較佳係在步驟⑻中自上方表面完全移除 。在過度蚀刻以移除任何殘留副產物聚合體沈積物之後， 可加入另一步驟⑹。本發明之方法可在未使用譬如C〇之 氣體下實施。 具有所形成塾圈氧化物之壕溝，可接著進一步以另一部 份填充材料充塡，及/或可使其接受其他處理步驟，以形 成具電功能之結構，譬如電容器。經摻雜多晶矽爲較佳填 充材料。本發明之方法尤其可用於其中基材之一部份或全 部上方表面包含墊片介電層譬如氮化碎之情況。本發明之 方法亦尤其可用於製造具有高壕溝（深度對寬度）縱橫比之 壕溝元件。 本發明之此等及其他方面係進一步詳述於下文。 附圖簡沭 圖1爲在形成薄節點介電層及以電荷儲存填充材料充填 並部份逆蚀刻填充材料後之高縱橫比壕溝之橫截面示意圖 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 11 — — I n I n :么—»I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 〇 圖2爲圖1壕溝在塗敷順應性氧化物層後之橫截面示意圖 〇 圖3爲圖2壕溝在從基材之上方表面移除順應性氧化物層 後之橫截面示意圖。 圖4爲圖3壕溝在從塡充表面進一步移除順應性氧化物層 本紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（210X297公釐） 第88101224號 中文說明書修 五、發明説明（ Μ V )lf

’及沈積殘留副產物後之橫截面示意圖。 圖5為圖4壕溝在進一步移除殘留副產物後之橫截面示意 圖為圖）壤屢在以其他填充材料充填後之橫截面示意 σ 圖號簡軍钕日卩 圖 1 5 10 2 0 25 3 0 40 4 1 代表晶圓或基材； 代表區域； 代表薄節點介電層； 代表電荷儲存材料； 代表填充表面； 代表另外量之電荷儲存材料； 代表順應性氧化物層； 代表順應性氛化物層； (讀先聞讀背面之注意事項再填寫木頁) -裝. 訂 經濟部中央標準局負二消费合作社印裝 42 5 0 5 1 5 2 5 3 70 1 00 代表上方側壁； 代表墊片介電層； 代表墊片介電層； 代表頂部表面； 代表壕溝之上方部份； 代表層；及 代表壕溝。 發明詳速 本發明一般而言係關於選擇性移除部份順應性氧化 之改良方法。本發明之方法尤其可用於形成半導體基 本祕尺舰财_ 丨線 459034 第88101224號專利申H案- A7 中文說明書修正^...............i B7_ 五、發明説明（表年71 1 ^ * .一▲ ----------. · 溝用^塾圏氧化物，譬如用以形成壕溝電容器者，及用於 其他高縱橫比姓刻應用。此等圖形係概要地說明祿溝電容 器之基本結構U瞭的是在本申請案中之附圖均未必ς 一定比例3 本發明並不限於任何特定壕溝形成方法。形成具有墊圏 氧化物特徵之壕溝電容器之一般技術，係為此項技藝中已 知的。參閱，例如在美國專利4,794,434、5,283,453、5,434，1〇9 、5,6d6,535及5,677,219中所揭示之方法，其揭示内容係併於 本文供參考。一種典型方法為壕溝形成方法’其係描述於 下文。 參考圖1 ’壕溝電容器之典型製法，係涉及首先以一或 多個順應性墊片介電層塗覆晶圓或基材丨，其經常為氧化 物層50，接著是氮化物層。然後在基材1中蝕刻壕溝1〇〇 。進行此壕溝蝕刻’通常是經由在最上方墊片介電層上塗 敷TEOS (原矽酸四乙酯）硬罩蓋層（未示出）。然後，在該硬 罩蓋層上形成具有圖樣之光阻層（未示出）。接著藉選擇性 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

*1T 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 -83 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 459034 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 蚀刻使硬罩蓋形成圖樣。然後，使殘留光阻層以典型方式 剥離，及形成壕溝，其方式是藉各向異性蚀刻經過替片介 電層50、51，及一部份半導體基材1，以形成所要之壕溝 100。然後移除硬罩蓋氧化物。在基材中接近壕溝壁之區 域5’可經摻雜以提供增加電荷儲存容量之區域，其將變 成電容器之一個板。形成薄節點介電層1〇，作爲覆蓋壕溝 表面之順應層。在節點電介質10形成後，接著以電荷儲存 材料20 (典型上爲經摻雜多晶紗）充填環溝，然後將其 逆蝕刻，留下填充表面25。 爲形成塾圈氧化物，接著將順應性氧化物層4〇 (圖2)或典 型上爲其先質沈積在該壕溝上，因此覆蓋填充表面25，上 方側壁42及頂部表面52(例如，最上方墊片電介質51之表 面）。在塡充表面25與頂部表面上之順應性氧化物層部份 ，必須接著選擇性移除，而留下環繞壕溝上方侧壁之氧化 物，以充作墊圈氧化物。此順應性氧化物亦必須自基材表 面上壕溝外側之介電特徵50移除。然後以另外之電荷儲存 材料再充填壕溝之上方部份53 (圖6)，以完成電容器板之 形成’其中墊圈氧化物4丨係位在接近壕溝上端處。 在將本發明之方法使用在關於半導體基材上之壕溝幾何 形狀上時，此方法較佳係以—種所提供之半導體基材開始 ，其具有（1)經部份充填（例如經充填與逆蝕刻）之壕溝， (2)(i)被部份充填壕溝之填充材料所界定之填充表面，⑻在 壕溝外侧之上方表面，及（iii)未被填充材料覆蓋之壕溝側 壁表面，及（3)覆蓋在該填充、上方及側壁表面上之順應性 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 Λ 訂 s 'w ^ ^ ^ ^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _________ B7 五、發明説明（7 ) 氧化物層。於是，本發明之方法較佳係涉及藉選擇性蚀刻 移除一部份順應性氧化物，此蝕刻係包括： ⑻使基材與含氫之氟化碳及氧來源之混合物，於反應性離 予蚀刻條件下接觸，直到在上方表面上之至少一部份順 應性氧化物層被移除爲止，及 (b)使得自步驟（a)之基材與不含氫之氟化碳及稀釋用氣體 之混合物，在反應性離子蝕刻條件下接觸，以進一步移 除留在填充表面上之順應性氧化物，及過度蝕刻該上方 與填充表面，於是大部份順應性氧化物仍然留在侧壁表 面上’以形成墊圈氧化物。 此順應性氧化物較佳係在步驟(a)中自上方表面完全移除 。在過度蚀刻以移除任何殘留副產物聚合體沈積物之後， 可加入另一步驟（c)。 具有順應性氧化物層在部份充填壕溝上之起始結構，可 藉任何習用方式形成，譬如在上文提及之美國專利中所述 者。此順應性氧化物較佳係使用原砂酸四乙酯（TE〇s)化學 蒸氣沈積（CVD)技術形成，其會造成順應性汾〇2層。本發明 並不限於任何特定墊圈氧化物組成。 如上述，基材之上方表面較佳係具有一或多個在壕溝形 成之前塗敷之墊片介電層，其係位於被沈積在部份場滿壕 溝上之順應性氧化物塗層之下。最上方墊片介電材料較佳 爲氮化物，譬如氮化矽或氧氮化矽。在欲將此結構作爲電 容器使用之情況下，部份充填壕溝（及於是形成填充表面） 之材料，較佳爲一種能夠保持與排放電荷之材料。較佳填 本紙張尺度賴巾類家標準（CNS ) Μ規格（210χ79τ5ϊΤ ,-----^士衣------1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（8 ) 充材料爲經摻雜多晶矽，譬如常用於形成壕溝電容器者。 本發明之方法並不限於任何特定壕溝幾何形狀或縱橫比 。但是’此方法特別可用於具有縱橫比（深度··寬度）至少 約5 ’更佳爲至少約20之壕溝電容器，其中壕溝深度係從 半導體表面起，在壤溝入口處’以垂直於半導體表面之方 向度量a壕溝寬度係以平行此半導體表面之方向，以壕溝 中之最大寬度度量。本發明並不限於任何特定壕溝尺寸或 層厚。 本發明之蝕刻步驟⑻與（b)兩者，較佳係涉及移除被塗敷 在部份填滿壕溝上之一部份順應性氧化物。 於步驟(a)中，係使基材與含氫之氟化碳及氧來源之混合 物，在反應性離子蝕刻條件下接觸，直到在上方表面上之 至少一部份順應性氧化物層被移除爲止。 含氫之氟化碳氣體較佳係由C、Η及F原子所組成，更佳 含氫之氟化碳氣體係選自包括chf3、CH2F2、CH3F及其混 合物。此含氫之氟化破氣體最佳係基本上包含chf3 ^氧來 源較佳係選自包括二原子氧（〇2)，含氧還原性氣體，譬如 C〇2、CO及其混合物。亦可加入稀釋用氣體，譬如氣或氬 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

I 。從使副產物聚合體形成及其他不利作用降至最低之觀點 ’ 〇2爲較佳氧來源氣體。含氫之氟化碳流量較佳爲約40_ 100 seem，更佳爲約60-80 sccm。氧來源氣體之流量，較佳爲 約2-15 seem。較佳係避免使用CO氣體。 步驟（a)中之反應性離子蚀刻條件，較佳係包括約50-150 毫托操作壓力’約200-500瓦特功率，及約〇_9〇高斯磁場。 _____. .------^11-本紙悵尺度通用中國國家標率（CNS ) A4規格（2丨〇 X 297公釐） 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 459034 A7 B7 五、發明説明（9 ) 在一些情況中’亦可令人滿意地添加較少流量之不含氨之 氟化碳’譬如C4 Fg或CF#，至整體氣體混合物中。步骤⑻ 中之此種不含氫之氟化碳類之總流量，較佳爲約2_2〇sccm。 較佳係使用化學檢測裝置，以監測與位在順應性氧化物 層下方之上方表面層之反應有關聯反應產物之釋出。在上 方表面包含墊片氮化物層之情況中，化學檢測裝置可用以 監測含氮反應產物（例如CN或SixNy物種）或其他反應產物（ 例如SixFy)之釋出。典型上，當順應性氧化物完全覆蓋墊 片氮化物時，極少或無含氮反應產物被檢出。在曝露整片 氮化物時，含氮反應產物之釋出會增加，直到其達到移定 狀態濃度爲止’其一般而言係相當於墊片氮化物之完全或 接近完全曝露（意即，供反應所曝露之氮化物表面積接近 常數）。 触刻步驟⑻較佳係進行到至少大量順應性氧化物層已自 上方表面（例如墊片氮化物表面）移除爲止，更佳爲至少直 到與上方表面之反應有關聯之反應產物（典型上爲含氮反 應產物）之釋出發生爲土。最佳係持續此银刻步驟（a)，至 少直到上方表面反應產物之釋出首先達到此穩定狀態濃度 爲止。此狀態係概要地示於圖3中，其中順應性氧化物4〇 已不再存在於墊片電介質51上方。步驟⑻可在首先達到穩 定狀態後，持績一段時間（過度蝕刻），但爲使墊片氮化物 之侵触降至最低，在首先達到穩定狀態後，蝕刻步騾⑻較 佳不要進行過多時間。另一方面，轉接至步驟⑼，較佳不 要在實質部份之順應性氧化物自上方表面移除之前進行， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 多 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 459034 ^ A7 ___ B7 五、發明説明（10) 否則可能形成過量不期望之副產物。 於步騍（b)中，係將得自步驟⑻之基材與不含氫之氣化碳 及稀釋用氣體之混合物，在反應性離子蚀刻條件下接觸， 以進一步移除留在填充表面25上之順應性氧化物，及過度 蚀刻上方與填充表面，於是大部份順應性氧化物仍然留在 侧壁上，以形成蟄圈氧化物。於步驟（b)中之蚀刻劑混合物 ’車支佳係極具％擇性地蚀刻氧化物，而不會實質上降解整 片氮化物或知·溝填充材料。如圖4中所示，在填充表面25 之氧化物之蚀刻’較佳爲高度各向異性，以致順應性氧化 物41在側壁上之分佈形態，係直接向下凸出至填充表面乃 ，及獲得實質上清潔（意即不含順應性氧化物）之填充表面 ，遠離側壁順應性氧化物41。於步驟(b)中，聚合體副產物 可能被沈積在蝕刻表面上》此等副產物係一般性地以層7〇 顯示。 不含氫之氟化碳較佳爲一種具有C ·· F原子比爲至少約 0.33，更佳爲至少約〇,5之氟化碳。較佳不含氫之氟化碳類 之實例，係揭示於美國專利5,338,399中，其揭示内容係併 於本文供參考。環狀係爲最佳的。稀釋劑可爲任何氣 體’其對於不含氫之氟化碳性能或整體蝕刻操作沒有不利 影嚮。較佳稀釋劑爲稀有氣體，譬如Ar、He及Xe，最佳爲 Ar。其他氣體，譬如&，亦可作爲稀釋劑使用。不含氮之 氟化瑞之流量，較佳爲約3-20 seem 稀釋用氣體之流量， 較佳爲約50-300 seem。於步驟（b)中使用之氣體混合物，可 含有較少量之其他氟化合物氣體’譬如含氫之氟化碳類或 _______ - 1^-__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} " -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 袭_ 4。乂 . A7 _________B7 五、發明説明（11) ~'~~~ - SFs ’但是，不含氫之氟化碳對含氫之氟化碳之莫耳比（或 體積比，在恒壓下），在步驟（b)中係大於在步驟（a)中^較 佳係避免使用C0氣體。於步驟㈨中之反應性離子蝕刻條 件，較佳係包括約25-200毫托操作壓力，約5〇〇_12〇〇瓦特功 率，及約0-90高斯磁場。步驟⑼蝕刻程序，較佳係進行到 填充表面25之氧化物完全被移除爲止，惟側壁氧化物41之 垂直凸出部份（意即實質上垂直於場充表面）除外，如圖4 中所示。步驟(b)較佳係進行不超過步驟⑼中所使用時間之 兩倍，更佳爲步驟⑻中所使用時間之約5〇_100。/。。 典型上，蚀刻步驟（b)會造成聚合體副產物沈積物7〇 (圖4) 在基材上形成。經沈積之聚合體較佳係在進—步處理基材 之前’於清除步驟（c)中移除。此移除會造成清潔表面，如 概要地示於圖5中者。清除步驟⑷較佳係涉及使得自步騾 (b)之基材，與含有至少—種適合促進移除聚合體副產物之 成份之氣體，更佳爲一種選自包括Nf3、Cf4、〇2或其混合 物之氣體成份接觸。此氣體成份最佳爲CF4。對而言， 其流率較佳爲約2-100 seem，更佳爲約10-100 seem。對CF4， 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 .-_- i rn if ^^1 - ^^1 I I---- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 其流率較佳爲約10-200 seem。對〇2而言，其流率較佳爲約ι〇_ 200 seem。較佳係避免使用c〇氣體。較佳係將稀釋用氣體 ’譬如Ar、He、巧或Xe，與上述上文所指出之氣體合併使 用°清除作業較佳係在包括約25-300毫托操作壓力，約50-300瓦特功率及約0-90高斯磁場之條件下進行。此清除步驟 較佳係進行約1-100秒。 本發明之蝕刻方法，可在通常使用於氧化物之反應性離 —本紙張尺度適用中國標CNS) A4規格（210>< 29ϋ釐y A7 B7 五、發明説明（12) 2狀任何習用㈣裝置中進行…種較佳制裝 由Apphed Matena]s公司銷售之八^ _+型。 机二獲得已清除、經蝕刻之結構，而具有所要墊圈氧化 物與清潔填充表面時，可將壕溝以另外量3〇之電荷二 科：充填：如圖6中所示。此種充填技術係爲此項技藝中 所習知。或者’可使此結構接受其他製程，按需要而定。 I |丨；1^ r 士衣！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ltT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（2!OX297公釐）

Claims (1)

1. 第88丨01224號專利申請案 中請專利# A8 丨圍修正4修0^▲月〇 g】 §~~ΕΞΞΖί 1. 一種在所提供之半導體基材上形成墊圈氧化物之方法， 該基材具有（1)部份填滿之環溝，⑵(i)藉部份充填該祿溝 之填充材料所界定之填充表面，（ii)在該壕溝外侧之上 方表面’及（iii)未被該填充材料覆蓋之壕溝側壁表面， 及（3)覆蓋在該填充、上方及側壁表面上之順應性氧化 物層，該方法包括選擇性蝕刻該順應性氧化物，其方式 為： ⑻使該基材與4 0 - 1 0 0體積份數之含氫之C , - C 8氟化燒 類及2 - 1 5體積份數之氧來源氣體之混合物，於反應 性離子蝕刻條件下接觸，直到在該上方表面上之至 少一部份順應性氧化物被移除為止，及 (b) 使得自步驟⑷之基材與3-20體積份數之不含氫之 CrCs氟化烷類及50-300體積份數之選自包括Ar、 He、Xe、N2及其混合物之稀釋用氣體之混合物，在 反應性離子蚀刻條件下接觸，以進一步移除留在該 填充表面上之順應性氧化物，及過度蚀刻該上方與 填充表面，於是大部份順應性氧化物仍然留在該側 壁上，以形成該墊圈氧化物。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該順應性氧化物姓 刻進一步包括： (c) 使該得自步驟⑼之已蝕刻基材，與含有至少一種選 自包括02、NF3及CF4成份之氣體接觸，以移除在步 騾⑻與（b)期間被沈積在該表面上之任何殘留聚合 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS ) Α4洗格（2丨0X297公釐） ^—ί ·*·i ^ [ 訂 I-''^ 1 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局工消費合作社印裝 4. 5. A8 Bg C8 D8 六、申請專利範圍 ~~ 如申請專利範圍第！項之方法’其中至少一部份該上方 表面係包含氮化物组成，且在步驟⑻中之蝕刻係進行 到該氮化物組成曝露為止。 如申請專利範圍第丨項之方法’其中在步騾⑻中之混合 物係進一步包含不含氫之氟化碳。 如申請專利範圍第η之方法，其中在步驟⑻中之反應 性離子姓刻條件’係包括50-150毫托之操作壓力，及2〇〇_ 500瓦特之功率。 6‘如申清專利紅圍第丨項之方法，其中該含氳之氟化碳為 三氟甲烷。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在步騾⑼中之反應 性離子蝕刻條件，係包括25-200毫托之操作壓力，及5〇〇_ 1200瓦特之功率。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在步騾㈨中之混合 物，包含具有C/F原子比大於0,25之不含氫之氣化碳。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中在步騾⑻中之混合 物’包含具有C/F原子比為至少〇.5之不含氫之氟化碳。 10. 如申請專利範圍第2項之方法’其中在步驟⑷中之接 觸’係在25-300毫托之壓力及50—300瓦特之功率下進行。 11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該不含氫之氟化碳 為 C4FS。 12. 如申請專利範圍第1項之方法’其中步驟（b)係施行達進 行步驟（a)所花費時間量之〇」_2倍。 13. 如申请專利範園第3項之方法，其中該氮化物組成包含 -2 - 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS)八4規^格（2丨0 x 297公釐） f請先53讀背面之注意事項再填寫本頁) .---.---1---..--：---------ΪΤ----^--- 經濟部中央揉李局貞工消費合作社印製 8 88B ABCD 六、申請專利範圍 選自氮化矽與氧氧化矽之氮化物。 14. 如申請專利範園第1項之方法，其中部份充填該壕溝之 材料’係選自包括多晶矽與經摻雜多晶碎^ 15. 如申請專利範圓第！項之方法’其中該侧壁表面係在塗 敷該順應性氧化物之前’塗覆高介電常數材料層。 16. 如申請專利範園第1項之方法，其中該順應性氧化物層 包含矽石。 17. 如申請專利範園第2項之方法’其中該製程進一步包括 在步驟（c)後’以另外量之填充材料充填該壕 In 1^1 I - - I KI._ ‘ I ml HI In n >"si1 - - - 1. . (請先Mt#背面之注意事項其填寫本筲) 經濟部中央標隼局貝工消费合作社印袈 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規鼻（210X297公釐）