TW457170B - Real-time control of chemical-mechanical polishing processes using a shaft distortion measurement - Google Patents
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Description
經濟部t-慧財產局員工消費合作社印製 457170 A7 B7 五、發明說明(1) 發明領域 本發明係關於半導體處理,且更明確地説係關於用以去 除一薄膜之終點之檢測,其中該薄膜疊加於另一薄膜之 上.0 發明背景 在半導體工業中,積體電路之製造之關鍵步驟是選擇性 形成及去除位於基板上之薄膜。典型之處理步驟涉及 沉積一薄膜、(2)使用光刻法與蝕刻來使薄膜之一些區圖 樣化;(3)沉積一薄膜以充填受到蝕刻之區;.與(4)藉由 蚀刻或化學機械研磨(CMP )來使該結構平坦化β 在薄膜去除程序中,當正確之薄膜厚度受到去除時(亦 即當抵達終點時)’停止程序是極爲重要的。在―典型之 CMP程序中,一薄膜是藉由下列方式自一半導體晶圓受到 選擇性去除:在有黏合劑之下,以一太小受到控制之壓 力,抵著一研磨墊來旋轉晶圓(或抵著晶圓來移動該墊, 或同時執行以上二者)。一薄膜之過研磨(去除過多)將使 晶圓無法用於進一步之處理,因而導致良率下降。薄膜之 欠研磨(去除過少)則需要重複(:]^1>程序,而這很冗長且成 本很高。欠研磨有時候會未受到檢出,而此也導致良率下 降。 在一些CMP程序中,今須量測^要去除之層之厚度與每一 晶圓之研磨速率,以決定所要之研磨時間。CMP程序只有 在此長度之時間内受到執行,且接著受到停止。因爲許多 不同(因素會影響研磨速率,且研磨速率本身可在一程序
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4571 7〇 A7 B7 五、發明說明(2) 期間改變’所以此種方法一點也無法令人滿意。 已有人提出一些其他方法以獲得CMP程序之可靠終點檢 測。通常’該等方法皆具有固有之缺點,例如缺乏靈敏 度’無法提供即時監測,只適用於某些種類之薄膜,或需 要自程序裝置去除晶圓以測試終點。 指配給Li等人之美國專利5,559,428描述一種使用感應法 之導電薄膜之原處終點檢測法。仍然需要一種適用於非導 免薄膜之原處’即時終點檢測法。此種方法也應具有高檢 測靈敏度與快速回應時間。除此之外,該檢測裝置最好很 強健’不昂貴且需要極少維護。‘ 一重要之CMP程序涉及一多.晶秒(多晶矽)薄膜之去除, 經濟部免慧財產局員工消費合作社印製 該多晶矽薄膜疊加於二氧化矽(si〇2)或氮化矽(^#4)之圖 樣化薄膜之上;在去除一多晶矽覆蓋層之後,—具有部份 多晶矽與部份Si〇2或以#4之表面受到曝露。圖1展示—典 型之CMP裝置10,其中—構件1〇〇(例如矽晶圓)是藉由晶 圓載具11來維持面朝下,且使用位於研磨平台13之研磨 墊1 2來研磨;該構件接觸黏合劑1 4。晶圓載具i J是藉由 馬達16所驅動之軸15來轉動。圖2A是一展示圖樣化氧化 物層102與一位於其上之多晶矽層1〇4之詳細圖形。通 常,必須去除多晶石夕之標的薄膜至位準1〇5以完全曝露氧 化物圖樣’而同時保持—氧化物f本身實質上未受到影響 (一咕參看圖2 B )。因此’ „成功之終點檢測法必須以非常 高之靈敏度來檢測氧化物層之曝露,且在氧化物變成曝露 之後數秒鐘以内自動停止CMp程序(換句話說,當到達終 -5- 本紙張尺細中國國家標準----- 45717〇 A7
經濟部免慧財產局員工消費合作社印製 點時應無需操作員之干預)。另外,I …、A曰0圓又圖樣因數 為何,終點檢測法皆應具有高效率(換句% 干、狹Ί苫說,即使曝露 位於其下 < 氧化物層的面積是總晶圓面積之一小二 份)。 呵 一廣泛受到使用之監測及控制CMP程序之方法是監測 達電流之變化,其中馬達電流之變化相關於u)研;墊& 之頂表面與(1〇黏合劑丨4及受到研磨之表面(例如晶圓ι〇〇 之表面)間之磨擦的變化。當因為位於其下之層受到曝露 而使磨擦出現重大變化時,此方法令人滿意。但2,對於 許多應用,其中包含前述之多晶矽研磨程序,相關於二% 間之介面之磨擦的變化太小,以致無法造成足以可靠顯 CMP程序終點之馬達電流變化。此問題由於馬達電 在大雜訊分量而惡化,其中該雜訊分量相關於以—恆定 轉速度來驅動晶圓載具之典型回饋伺服電流。除此之外 當到達終點時,小圖樣因數(換句話說,相較於標的層 面積’位於其下之圖樣化層之面積相當小)只會造成磨 之小幅變化,而此限制有用信號。 當使用馬達電流法時,一適當之信號雜訊比有時候可 由改變程序參數(例如研磨墊之向下壓力,與平台及” 載具·之相對旋轉速度)來取得。因此,終點檢測之程序 數之取佳化損壞CMP之其他方面〜,因而損壞晶圓產〇之 質。 發明摘要 本發明藉由提供一用於終點檢測之靈敏,即時方法來滿 -6 - 層 示 存 旋 之 擦 藉 晶圓 參 品 本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) — -- ——:----------Ί 裝· II f靖先閱讀背面之注意事^^填寫本頁) 45717〇 A7 B7 五、發明說明( 如述之薄膜去除程序之終點檢測及控制的需求。尤其, 本發明克服馬達電流監測方法所固有之前述問題。 本發明將參照半導體晶圓之化學機械研磨來説明,但這 只是做爲一特定範例,而非意謂限制本發明只適用於半導 體處理技術。熟悉本技術領域者應可理解本發明廣泛適用 於任何程序,其中最好使用具有一軸之裝置來檢測一標的 薄膜之去除之終點,該標的薄膜疊加於一停止薄膜之上, 且备k的薄膜受到去除時,該轴經歷轉矩之變化。根據本 發月’這疋藉由下列方式來達成:檢測施加於該轴之轉矩 所造成之轴變形,且根據該軸之變形來產生一信號。 根據本發明之第一方面,軸之變形是藉由一直接安裝於 該轴’或嵌入於該軸,之感測器來檢測。一信號之檢測器 觉到提供;信號是自該軸傳出且是在檢測器受到接收。信 號I變化顯示轉矩之變化。此信號可關聯於程序終點,因 而提供即時監測功能及程序控制。 根據本發明之第二方面,反射及非反射部份提供於軸之 一軸向分隔之位置,且雷射束對準該二位置.。當軸旋轉 時’每一位置之一反射部份瞬間導引該束至一檢測器,以 欠序列之反射脈波進入每一檢測器。抽之變形導致二脈. 波序列間之相位關係之變化,而相位關係之變化接著顯帝 轉矩疋變化。此變化接蓍受到槔測及解譯成爲一程序終點 信號。 本發明之終點檢測方法可包含下列步驟:當到達終點 時停止薄膜去除程序’因而提供薄膜去除程序之自動控 本紙張尺度舶中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) --------------- 裝--- (請先閱讀背面之注意事ff-#',填寫本頁) •>=B · 經濟部替慧財產局員工消費合作社印製 457170 Α7 Β7 五、發明說明(5〉 制。 根據本發明之另一方面,一用以檢測一薄膜去除程序之 終點之裝置受到提供。薄膜去除程序是藉由使用_具有一 軸I裝置來執行,其中薄膜去除程序之磨擦對於該軸造成 轉矩。此裝置包含:一置放於該軸以檢測該軸之變形之感 測器’該轴之變形是由施加於該軸之轉矩所造成,該感測 器根據該軸之變形來產生—信號;一用以接收該信號之檢 測器;與—洵以傳送該信號至該檢測器之傳送器β該裝置 也可包含一控制器,以當到達終點時,停止薄膜去除程 序。 - 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明之另一方面,一用以檢測一薄膜去除程序之 終點之裝置受到提供,以用於一具有一旋轉抽之薄膜去除 装置’其中薄膜去除程序之磨擦施加轉矩於該軸。終點檢 測裝置包含置放於該軸之第一及第二反射部份,該二反射 部份在軸向上彼此分離;該二部份反射入射光,且因此分 別產生第一反射信號與第二反射信號。第一檢測器與第二 檢測器分別檢測第一及第二反射信號。另一檢測器檢測第 一反射信號與第二反射信號間之相位差,且根據該相位差 來產生一輸出信號β相位差之變化顯示軸變形之變化,而. 抽變形之變化起因於施加於該軸之轉矩之變化,因而顯示 薄膜去除程序之終點。此裝置也可包含一信號處理器,以 處理輸出信號來取得薄膜去除程序之一控制信號,與一控 制器’以根據該控制信號來控制薄膜去除程序。 附圖簡短説明 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐〉 7 5 1 7〇 A7 -------B7__.__ 五、發明說明(6 ) 圖1是一可有利應用本發明之典型化學機械研磨(CMP) 配置之概圖; 圖2A展示要藉由CMP來執行薄膜去除之多晶矽與二氧 化’砂薄膜之一配置; 圖2B展示圖2A之薄膜配置之CMP處理的一所要結果; 圖3是一軸之轉矩產生之變形的示意圖; 圖4展示一根據本發明之第一實例,使用應變計來監測 CMP程序之終點之配置; 圖5是一信號處理配置之示意圖,其中該信號處理配置 根據本發明之第一實例來處理及使用一終點信號; 圖6展示一根據本發明之第-二實例,使用麵變形之光學 量測來監測CMP程序之終點之配置; 圖7是一信號處理配置之示意圖,其中該信號處理配置 根據本發明之第二實例來處理及使用一終點信號; 圖8 A展示在一 CMP程序中取得之一信號之範例,其中 該信號顯示該程序之終點;且 圖8B展示圖8A之信號之時間微分。 較佳實例詳細説明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之細節將參照一多晶矽薄膜之去除來加以討論, 其中該多晶矽薄膜疊加於一圖樣化二氧化矽薄膜之上。 根據本發明,晶圓1〇〇之表面與研磨墊12間之磨擦之變 化’在有黏合劑1 4之下,是藉由直接監測载具軸1 5之變 形來監測。在一研磨程序中,驅動晶圊載具1 1之軸1 5可 .經歷轉矩,彎曲,推力與張力之變化。施加於軸之轉矩 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4571 70 A7 五、發明說明(7 ) (例如’由於馬達1 6在方向3 1之旋轉受到在方向3 2之磨 擦力 < 抗拒)將導致軸之變形,如圖3示意顯示。變形之 程度決足於軸之直徑,且直徑較小之軸較易產生變形。此 種變形可以合理之成本在極高靈敏度之下受到量測。 第一實例:應變計量測 根據本發明之第一實例用以監測CMP程序終點之一配置 展示於圖4。CMP程序去除標的薄膜(例如,圖2 A所示之 多晶發薄膜1〇4 )。當位於其下之薄膜或圖樣之介面受到曝 露時(例如’當多晶矽薄膜1〇4減少至位準105,因而曝露 圖樣化氧化物層102,如圖2 B所示),則達到該程序之終 點。磨擦之一顯著變化接著出現於研磨之表面與黏合劑及 研磨墊之間。如果使用多晶矽研磨程序,則當研磨一結合 之多晶矽/氧化物層時之磨擦大小不同於當單獨研磨多晶 珍層時之磨擦大小。磨擦之此種變化導致軸1 5所承受之 轉矩之變化。轉矩之變化導致軸變形之變化,而這是藉由 連接至(或嵌入於)軸之應變計20丨來量測。應變計20丨連 接至傳送器202,而傳送器202廣播一信號203至檢測器 °應變計201可自Measurement Group公司講得,且相 關之遙測系統可自Binsfeld公司,ATI公司及WDC公司購 得。吾人發現此種配置提供可接受之信號雜訊比,而傳統 之滑環型傳送裝置則無法提供可接受之信號雜訊比。 一 二 k號203顯示軸1 5之變形所導致之應變,而此應變接著 直接相關於該軸所承受之轉矩。此配置因此產生一信號, 以顯示研磨墊1 2與黏合劑1 4及晶圓1〇〇間之磨擦之變化。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐〉 ---L---------^1裝--- (請先聞讀背面之注意事^#.填寫本頁) -=0. -爹. 經濟部替慧財產局員工消費合作社印製 4S7170 A7
五、發明說明(8) 此外’该信號是在原處及以即時方式受到產生。 存在多種適用之應變計。吾人發現一金屬箔計適用於大 多數應用。如果需要更高之靈敏度,則可使用半導體應變 計;該等半導體應變計之靈敏度係數通常是金屬箔計之 100 倍。 一用以解碼應變計遙測信號203及取得一有用程序終點 ί§號之配置示意展示於圖5。檢測器210輸入經编碼之信 號至彳§號解碼器211 ;解碼之信號接著饋至信號調整器 212。信號調整器212具有一處於電壓或電流型態之輸出 220 ’且該輸出接著饋至資料擷取系統213以執行數位信 號處理。數位輸出221接著輸入至控制單元250以控制 CMP程序。控制單元250包含一電腦,該電腦使用信號 221做爲輸入來執行一演算法;根據該演算法,該電腦分 析信號之形狀成爲一時間函數,因而決定程序之終點。終 點信號251可有利地回饋至研磨裝置1 〇以自動停止該程 序。 如前所述之裝置可以〇 · 2微應變之位準來檢測轉矩之變 化。這對於檢測研磨程序之介面變化而言具有足夠之靈敏 度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第二實例:光學量測 圖6展示本發明之第七實例,其中軸1 5之轉矩之變化是 藉由監測二光學信號間之相位差來檢測。 二圖樣化環4 1,4 2安裝於軸1 5 ;每一環皆具有交替之 反射部份411與非反射部份412。此外,軸1 5可製造成爲 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) 457 1 70 經濟部替慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(9) 反射及非反射部份是其之不可或缺之一部份。來自雷射 44之光是使用傳統之光學配置45來分裂成爲二束41〇, 420。光束410,420分別入射至環4 1,42。反射束430, 44〇是藉由額外之光學組件53,54來重新對準,且是藉由 二分離之光檢測器6 1,6 2來檢測。當軸1 5旋轉時,二環 之連續反射部份il 1反射光回到光檢測器,其中爲非反射 部份412所中斷6 —序列之光脈波因此進入每一檢測器。 軸15之變形·導致二環在旋轉方向彼此偏離。這接著導致 該等檢測之光信號相對於彼此產生相位偏移。’因此,檢測 器6 1所檢測之脈波序列與檢測器6 2所撿測之脈波序列間 之相位關係的變化顯示軸1 5'之變形之變化,而此接著顯 示該軸所承受之轉矩之變化。 反射光束43〇,440之相位靈敏檢測是藉由使用一 2 _通道 鎖疋放大器來達成’如圖7示意展示。來自二檢測器61與 62之輸出71,72積至鎖定放大器701。鎖定放大器7〇1之 輸出711對應於檢測器信號7 1,7 2間之相位差;輸出71】 饋至信號調整器702。信號調整器7〇2具有一處於電壓或 電流型態之輸出712 ,且輸出712接著饋至資料擷取系統 7〇3以執行數位信號處理,類似於第一實例之配置。數位 輸出713接著輸入至控制單元7〇4以控制程序。控制 單兄704包含—電腦,寧電腦使·用信號713做爲輸入來執 了一演算法;根據該演算法,該電腦分析該信號之形狀成 馬一時間函數,因而決定程序終點。如同第一實例,終點 信號714可有利地饋回至研磨裝置1〇以自動停止程序。 -12 本紙張尺度適用中國國家標 S 公 97 2 X Ιϋ Μ IV 份 * c / ' 一
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五、發明說明(1Q 經濟部t慧財產局員工消費合作社印製 應汪蓖的文在此贯例中,,、Λ女*、, ’又有感測器連接至兮灿·挤责 機械靈敏元件皆遠離研磨裳-、主帝1 ΒΧ ?斤 •0,1 -i ^ Jt Ε** - * m ,ν- 夂活動零件。因為此終點檢 測法足基庵疋先學而非機械 1d观稱合大幅簡化,日如關 之耦合雜訊大幅下降,因@读& 且相關 1而達成優於第一實例之信號雜訊 比。 範例 圖8 A展示在多晶石夕研磨程疼由物卢、 卜 序中取仵又一檢測轉矩信號 之範例。信號之劇烈變化顯示已達到二層間之介面。 應注意的是此裝置根據轉矩之變化,相對於一預先決定 (轉矩值’來檢測終點。施加於軸之轉矩之實際大小會 者研磨程序而改變,以致顯示.終點之轉矩之特定值益法 定。因此,計算轉矩信號之時間微分很方便,如圖8B 示,且使用微分之峰值來顯示程序終點。 應可理解用以去P余盤加於另—$膜上之任何薄膜之終 可藉由下列方式來檢測:監測晶圓載具軸所承受之轉矩 變化,根據相關於辕薄膜之去除之磨擦變化。在前述之 定實例中,研磨墊I 2與平台i 3已描述成為會旋轉。 疋’應可理解不一定非要如此,只要軸承受一轉矩,且 轉矩起因於薄膜去除程序所固有之磨擦^ 根據本發明’方法及裝置已獲揭示,以執行一軸所承受 之磨擦引起之轉矩變化的高度靈―敏檢測,而這是藉由使用 (1) 一連接至該軸之應變計,或另外(2)該軸之反射及 反射部份以產生光脈波序列,來達成s藉由使用該等方 與裝置,一清楚信號變化,相關於—薄膜介面之曝露, -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------!r ---裝.-- (請先間讀背面之注意事^-再填寫本頁) 隨 固 所 之 特 但 該 非 法 在 訂- “7 170 五、發明說明(11 叹有可辨識之馬達電流變化之情形中,a 明之方法與裝置因此達成大幅改善之程本發 其是當薄膜介面之磨擦只存在些微變化 ’、二,尤 膜去除程序之靈敏,即時終點檢測與控制受到提供。溥 雖然本發明是藉由特定實例來㈣,藉由前述説明很明 顯地熟悉本技術领域者應可提出極多替代方案,修改與變 土 因此’ _本發明思欲涵蓋所有此種替代方案,修改與變 型’其中該等替代方案,修改與變型屬於本發明之範禱及 糈神與下列申請專利範園。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 457170 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 η D8 _ ' 一六、申請專利範圍 1. 一種用以檢測一薄膜去除程序之終點之方法,其中該薄 膜去除程序使用一具有一軸之薄膜去除裝置,且該薄膜 去除程序導致該軸之轉矩,該方法包含下列步驟: 檢測該轉矩所導致之該軸之變形;與 根據該軸之變形來產生一信號; 其中該信號之變化顯示該轉矩之變化,因而顯示該薄 膜去除程序之終點。 2·如申請專利範園第1項之方法,進一步包含下列步驟: 處理信號以獲得薄膜去除程序之一控制信號;與 根據該控制信號來控制薄膜去除程序。 3. —種用以檢測一薄膜去除程序之終點之裝置,其中該薄 膜去除程序使用一具有一軸之薄膜去除裝置,且該薄膜 去除程序導致該軸之轉矩,該裝置包含: 一檢測器,以檢測該轉矩所導致之該軸之變'形;與 一信號產生器,以根據該軸之變形來產生一信號; 其中該信號之變化顯示該轉矩之變化,因而顯示該薄 膜去除程 奪之 終點。 4. 如申請專利範圍第3項之裝置,進一步包含. 一信號處理器,以處理信號來獲得薄膜去除程序之一 控制信號;與 一控制器,以根據該控制信歲來控制薄膜去除程序。 5. —種用以檢測一薄膜去除程序之終點之方法,該程序使 用一具有一軸之薄膜去除裝置,其中該薄膜去除程序之 磨擦導致該轴之轉矩,該方法包含下列步聲. -15- (請先閲讀背面之注意事項*(填寫本頁) 、裝-----^----訂----- 線-V 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 0^88^ ABCS 157170 /、、申睛專利範圍 提供一感測器於該軸,以檢測起因於該軸之轉矩之轴 變形; " 根據軸變形自感測器產生一信號; 提供一檢測器以接收該信號; 傳送該信號至檢測器;且 在檢測器接收該信號; 其中該信號之變化顯示該轉矩之變化,因而顯示該薄 膜去除程序之終點。 6. _如申請專利範圍第5項之方法,進一步包含下列步臀: 處理信號以獲得薄膜去除程序之—控制信號;與 根據該控制信號來控制薄膜·去除程序。 7. 如申請專利範固第6項之方法,其中該處理步驟進—步 包含分析該信號之形狀成爲一時間函數。 ' 8.如申請專利範園第6項之方法,進一步包含下列步聲:當 到達終點時,停止薄膜去除程序。 9. 如申請專利範圍第5項之方法,其中薄膜去除程序包含 化學機械研磨。 10. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該軸旋轉,且受到 研磨之薄膜連接至該抽。 11. 如申請專利範圍第5項之方法,其中傳送是使用一遙測 裝置來執行β ^ _ 12. —種用以檢測一薄膜去除程序之終點之 用-具有-抽之薄膜去除裝置,其中該薄】去二序之 磨擦導致該軸之轉矩,該裝置包含: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '-.t-----=---訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16-157170 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一置放於該軸之感測器,以檢測起因於該軸之轉矩之 軸變形’該感測器根據軸變形來產生—信號; 巧 一接收該信號之檢測器;及 傳送該信號至檢測器之傳送器’其中該信號之變化顯 示該轉矩之變化,因而顯示該薄膜去除程序之終點。, 13.如申請專利範園第1 2項之裝置,進—步包含: 一信號處理器,以處理信號來獲得薄膜去除程序之一 控制信號Ί與 一控制器,以根據該控制信號來控制薄膜去除程序。 I4·如申請專利範圍第13項之裝置;其中該信號處理器包 含一分析器,以分析信號成爲一時間函數。 15.如申請專利範園第ϊ 3項之裝置,其中當到達終點時, 控制器停止薄膜去除程序。 10·如申請專利範園第12項之裝置,其中薄膜去除程序包 含化學機械研磨。 17.如申請專利範園第i 6項之裝置,其中該軸旋轉,且受 到研磨之薄膜連接至該軸。 18·如申請專利範圍第1 2項之裝置,其中傳送器包含—遙 測裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19· 一種用以檢測一薄膜去除程序之終點之方法,該程序使 用一具有一軸之薄膜含除装I,其中該薄膜去除程序之 磨擦導致該軸之轉矩,該方法包含下列步驟: 提供第一反射部份與第二反射部份於該軸,第二反射 部份在軸向上偏離第一反射部份; -17- 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) 5 1 7〇 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 自該第一反射部份與該第二反射部份反射光,因而分 別產生第一反射信號與第二反射信號; 檢測該第一反射信號與該第二反射信號間之相位差; 且 根據相位差來產生—輸出信號; 其中該輸出信號之變化顯示軸變形之變化,軸變形起 因於轉矩之變化,因而顯示該薄膜去除程序之終點。 20. 如申請專利範園第i 9項之方法,進一步包含下列步驟: .處理輸出信號以獲得薄膜去除程序之—控制信號;與 根據該控制信號來控制薄膜去除程序β 21. 如申請專利範園第2 〇項之方法,其中該處理步驟進— 步包含分析該信號之形狀成爲一時間函數β 22. 如申請專利範圍第2 〇項之方法,進—步包含下列步驟: 當到達終點時,停止薄膜去除程序a 23. 如申讀專利範園第丨9項之方法,其中薄膜去除程序包 含化學機械研磨。 24. 如申請專利範園第2 3項之方法,其中該軸旋轉,且受 到研磨之薄膜連接至該軸。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 25. 如申請專利範圍第19項之方法,其中檢測相位差之該 步驟是使用一 2 -通道鎖定放大器來執行。 26. —種用以檢測一薄膜去除程序〆終點之裝置,該程序使 用一具有一軸之薄膜去除裝置,其中該薄膜去除程序之 磨擦導致該軸之轉矩,該裝置包含: 置放於該軸之第一反射部份與第二反射部份,第二反 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 457170 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ________D8______ 六、申請專利範圍 射邵份在軸向上偏離第一反射部份,以反射入射至第一 反射部份與第二反射部份之光,且因而分別產生第一反 射信號與第二反射信號; 第一檢測器,以檢測第一反射信號; 第一檢測器,以檢測第二反射信號;與 一檢測器,以檢測第一反射信號與第二反射信號間之 相位差,且根據相位差來產生一輸出信號,其中相位差 之變化顯示軸變形之變化,軸變形起因於該軸之轉矩之 變化,因而顯示該薄膜去除程序之終點。 27.如申請專利範園第2.6項之裝置,進—步包含. 一仏號處理器,以處理輸出信號來獲得薄膜去除程序 之一控制信號·,與 控制器’以根據該控制信號來控制薄膜去除程序。 況如申請專利範園第27項之裝置,其中該信號處理器包 含一分析器,以分析信號成爲一時間函數。 29.如申請專利範園第2 7項之裝置,其中當到達終點時, 控制器停止薄膜去除程序。 3〇·如申請專利範圍第μ項之裝置,其中薄膜去除程序包 含化學機械研磨。 31. 如申請專利範固第3〇項之裝置,其中該軸旋轉,且受 到研磨之薄膜連接至琴軸。_ 32. 如=請專利範圍第26項之裝置,其中檢測相位差之檢 測器包含一 2 -通道鎖定放大器。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵〇 x 297公爱y (請先閱讀背面之注意事項*;填寫本頁) 裝 訂---------
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