TW451498B - Solid state image sensor and method for fabricating the same - Google Patents
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Description
451498 A7 __B7_ 五、發明說明（1 ) 〔發明所屬的技術領域] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明為有關固態攝影裝置及其製造方法，持別是藉 由單層導電性電極材料膜的加工來形成電荷轉送電極的 此種固態攝影裝置。 〔習知的技術〕 在以往這種固態攝影裝置而言，是以如第13圖所示埋 入型的光二掻體用在光電變換部中的固態攝影裝置。 第13(a)〜（d)匯為顯示習知的固態攝影裝置工程順序的 截面圖。 , 首先在N型半導體基板31上，使用熱擴散法形成第1 P型井狀（well)層32及第2 P型井狀（well)層33後，將 磷以離子植入以形成垂直電荷轉送部34。之後，以離子 植入硼，形成通道停止區域36及電荷謓取區域35〔參考 第 13(a)圖〕。 N型半導體基板31的表面熱氣化後，形成閛極氣化膜 37,在閘極氣化膜37上使用減壓CVD(Chemical Vapor Deposition)法堆積電荷轉送電極材料膜38。之後，為 了形成一種讀取電極而使光阻39圖型化〔參考第13(b) 圖〕。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將此光阻39作為光罩進行乾式蝕刻，形成電荷轉送電 極4(U光胆39殘留的電荷轉送電搔40作為光罩，在自我 對準方式下進行磷離子（P+ )植入，形成光二極體的N型 井4U此時，光阻39的膜厚為了不使磷離子穿過，使用 約3# m厚度的光阻〔參考第13(c)圖〕。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 5 1 49 8 A7 _B7_ 五、發明說明（2 ) ' 其後，為了形成埋入式光二極體，在去除光阻39之後， 以電荷轉送電極40作為光罩而植入硼離子（B+ )以形成P + 型區域42 [參考第13(d)圓〕。 在第13圖中對於固態攝影裝置製造工程的軎素斷面雖 予以顯示，但平面的電極圖型配置通常如第1 4圖所示的 配置。在第14圖沿著BB線箭頭方向的截面圖相當於第13 圖》對於第1 4圖，掲示於待開平8 - 2 9 3 5 9 2號公報中。 轉送電極由複數層（第14圖時辱2層）的多」S矽所構成 ，在垂直電荷轉送部51上有凸起部，形成如梳子般的齒 狀第1層電荷轉送電極52和端部重疊般地形成，第2層 電荷轉送電極53正好和第1層電荷轉送電極52彤成（在 圖面上）上下反轉形狀。 5 部能 換不 變下 電造 光構 的此 C 一 在荷 op 〇马， tjdtr 於造號 對構信 置的取 裝近讀 影鄰時 攝相同 態棰54 固電部 示的換 所片變 圖 2 電 14為光 第成的 如言部 而全 對鄰圖 目 5 ， JK1 1 荷極第 電電如 號的 。 信上造 取以構 讀片的 時 3 示 同用所 54採圖 部須15 換必第 變言如 電 光 的部 ， 部換如 全變例 從電 ， 要光造 了個構 為一之 於近 而用 4 5 採 n [ ί E n n n n t ^ r m I I— ft ttt —-1、I .^1 I *1 Jr— , 、 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
由 搔 電 送 轉 荷 S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 極極 ί 鬣 tptr 送送 轉轉 荷荷 专&ga ιριτ tpir 的 的 層層 I 3 頭 第第箭 即與的 亦63線 ，極CC 膜電箸 料送沿 材轉中 極荷圄 tgBlt»B· 5 t^or ^ΙΓ 1 性的第 電層 。 導 2 成 的第構 層與所 2 4
材 掻 電 送 轉 荷 φΙΓ 層 多 用 使 置 裝 .影 於題攝 當問態 相的固 圖決的 面解知 截欲習 之明逑 向發上 方 C 第 圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451490 A7 _B7五、發明說明（3 ) 的度 間高 極的 電置 層裝- 多' 保膜 確間 了層 為的 此厚 見較 一 dS 極成 電形 送要 轉必 荷有 電， 成性 構緣 來絶 膜間 料層 差 段 勺 光 遮 生 ，發 是 。 於題 ,問 難的 困化 工劣 加性 ，恃 高抹 變塗 低 降_ 極從 電 ， 送形 轉情 荷種 電此 層 是 單但 用 -使極 , 電 題送 間轉 的荷 述電 上成 決構 解以 了可 為雖 且膜 而料 材 持光 取 ， 讀成 使形 了來 為合 荷整 電我 號自 倍與 的極 部電 送送 轉轉 荷荷 電電 直以 垂了 到為 部 ， 換化 變定 電安 光性 換注 變要 電須 光必 了份 為部 當隙 ，間 成的 構間 塱極 _ 電 極 ， 電際 的之 面子 平離 量入 考植 須而 部成 換形 變之 電部 部 換 變 電 光 點 題 問 的 述 上 除 解 是 的 百 0 的 子明 離發 入本 植 ， 能此 不因 意 垂取 到讀 部之 換荷 變電 。 電，號法 光信方 從以造 ，可製 移了* 其 徧供及 有提-置 會〆，裝 荷影 電 '攝 號-態 信固 的的 部用 送所 轉定 茴_安 電電性 與\直•特 體 導 半 型 電 導 第 在 含 包 是 置 裝 段攝 手態 的固 題的 課明 決發 解本 第而 逑部 前換 ; 變 部電 換光 變逑 S Ε^ΠΓ Η 目 光近 的鄰 成内 形域 個區 數面 複表 由的 , 層 内體 域導 領半 面型 表電 層導 ,1111 — 11—··· — —·*-· — ' · 『 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 半 將型 而電 荷導 尹3~ 1 號第 倍述 的前 生在 産‘， 所部 了送 收轉 接荷 中電 部的 換型 變電 電導 光 2 述第 前 的 在送 且轉 成其 信述 的 前 生 ·’ 産部 所取 部讀 換荷 變電 電的 光用 述所 前取 使讓 且部 成送 形轉 域荷 區電 面述 表前 的由 層荷 體電 導號 形 所 膜 緣 絶 搔 閘 由 0 上 部 送 轉 荷 i 述 前 及 部 取 讀 荷 電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） A7 451498 B7 五、發明說明（4 ) 成的單層導電性電極材料膜予以加工所形成之電荷轉送 電極，毎單位胞由1個以上的前述導電性電極材料膜以 進行蝕刻方向來分割所用的第1區域及前述光電變換部 上的第2區域均以蝕刻去除，形成前述電荷轉送電極， 前述第1區域及前逑第2區域使其構造不會互相重S。 本發明的固態攝影裝置的製诰方法是在第i導電型半 導體層表面區域内形成複數痼的光電變換部；前述第1 導電型半導體層的表面區域内鄰接前述光電變換部而形 成且在前述光電變換部接受所産生的信號電荷而將其轉 送之第2導電型的電荷轉送部；於前逑第1導電型半導 體層的表面區域中形成且使前述光電變換部中發生的信 號電荷由前述電荷轉送部中讀取所用的電荷謓取部；前 述電荷讀取部及前述電荷轉送部上，藉由閛極絶緣膜所 形成的單層導電性電極材料膜被加工而形成的電荷轉送 電極的此種固態攝影裝置的製造方法，其包括：前逑第 1導電型半導體層的表面上藉由前述閘極絶緣膜而形成 前逑導電性電極材料膜用的工程；前記導電型電極材料 膜上形成第一光罩構件用之工程；前述導電性電極材料 膜上以進行方向來分割所用的第1區域上的前逑第1光 罩材料去除工程；前逑第1光罩構件作為光罩，將前述 導電性電極材料膜蝕刻去除之工程；在前述第1區域及 前述導電性電極材料膜上形成第2光罩材料的工程；前 述光電變換部上第2區域的前述第2光電材料之去除工 程；前述第2光罩材料作為光罩，將前述導電性電極材 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .---：------------v!、---*--訂---------線 (請先閱讀背面之注音〖事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 4-5 149 8 _B7_ 五、發明說明（5 ) 料膜蝕刻去除之工程；將前述第2光罩材料全面去除之 工程。 亦即，本發明的固態攝影裝置包括：在第1導電型半 導體層的表面區域内，所形成的複數値光電變换部；在 第1導電型半導體層的表面區域内鄰近光電變換部而形 成且承受了在光電變換部所産生的信號電荷而将其轉送 的第2導電型罨荷轉送部；在第1導電型半導醴層的表 面區域中形成且在光電變換部所産生的信號電荷由電荷 變換部中讀取,所用的電荷讀取部；電荷讀取部及電荷轉 換部上藉由閛極絶緣膜形成的單層導電性電極材料膜予 以加工而形成之電荷轉送電極。 對於上述的固態攝影裝置，電荷轉送電極是導電性電 極材料膜以每單位胞利用1値以上之膜由進行方向來分 割的第1區域及光電變換部上的第2區域均以蝕刻去除 而形成，前述第1區域及前逑第2區域使其不會互相重 叠。 而且，本發明的固態攝影裝置，對於上逑的架構，光 電變換部對於在光電變換部上所除去之第2區域而言是 由導電性電極材料膜自我對準而形成。 而且，本發明的固態攝影裝置，對於上述的架構，對 鄰近的同層電荷轉送電極施加時序不同的電荷轉送脈衝。 而且，本發明的固態攝影裝置，對於上述的架構，周 邊電路的閘極電掻是由導電性電極材料膜蝕刻加工而形 成，該周邊電路的閘棰電掻是以使導電型電捶材料膜在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------1!·^·--Ί------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 1 49 8 A7 __ B7 _ 6 五、發明說明（） 光電變換部上去除而形成第2區域所用之同一工程而被 蝕刻加工。 除了上述之外，本發明的固態攝影裝置是由：周邊電 路的電晶體閘極絶緣膜是與電荷轉送部上所形成的閘極 絶緣膜為同一膜厚；具有較該電荷變換部上所形成的閘 極絶緣膜還厚的膜此2種所構成，周邊電路的電晶醴閘 槿電極以蝕刻加工導電性電搔材料膜所形成。 對於上述固態攝影裝置，該周邊電路的電晶體閘棰之 中，比起在電荷變換部上所形成的閘掻絶绨膜具有更薄 之膜的電晶體閘棰電極是以依進行方向來分割導電性電 極材料膜之第1區域相同之工程而被蝕刻加工，閘棰絶 縳膜是在與電荷轉送部上形成的閘棰絶緣膜有同一膜厚 的電晶體閘極電棰在使導電性電極材料膜在光電變換部 上去除所用的第2區域形成時的同一工程中被蝕刻加工。 對於本發明的固態攝影裝置的製造方法，是由第1導 電型半導體層的表面上，藉由閘棰絶緣膜形成導電性電 極材料膜所用之工程；在導電性電極材料膜上形成第1 光罩材料的工程；導電性電極材料膜依進行方向而分割 所形成之匾域的第1光罩材料的去除工程；第1光罩材 料作為光罩，蝕刻去除導電性電榷材料膜的工程；導電 性電棰材料膜在進行方向分割所形成區域上與在導電性 電極材料膜上形成第2光罩材料的工程；去除光電變換 部上的第2區域的第2光罩材料的工程；第2光罩材料 作為光軍，去除導電性電掻材料膜的工程；及全面除去 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ----^-----------^ — ---,--訂---------線 1 — Ύ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451498五、發明說明（7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 域面産 1 生藉單製 光電 1 光 罩電 U 讀域離 電物 區表所第産，的以 為導第成 光導 β 行區以 導純 面的·部於中部成極 作及將形 為及丨進物物 2 不 表層換，部取形電 料料，而 作料?中純純 第型 的體變部換讀而送 材材罩入 料材 U 部不不 了電 層導電送變荷膜轉 罩罩光植 材罩 Θ 送型型 制導 體半光轉電電緣荷 光光為子 罩光 Μ 轉電電 控 2 導型 了荷光的絶電 22 作離 光 2f 荷導導 由第 莫 半電收電在用極之 第第膜以 2 第4r電 21 藉得 型導接型且所閘成 ，以料物 第以^; 由第第 ，使 電1且電成取的形 法-材純 ，，M,在將 法， 導第成導形謓上而 方後極不 法後 U 程，式 方角 1 ，形 2中中部工 造膜電型 方除 U 工罩方 造射 第部而第域部送加 製料性電 造去8¾入光之 製人 。於換部的區送轉被 的材電導。製膜 Η 植為準。的的 程，變換送面轉荷膜 明極導 2 以的料 Α 子作對以明入 Η 上電變轉表荷電料。發電是第可明材 Η 離極我可發植 的法光電而層電及材置本性或及也發極IHS以電自也本子 漠 料方値光 Μ 體由部極裝於電膜物程本電4S物送以程於離 材造數近電導荷取窜影對導料純工於性^;純轉中工對的 罩製複鄰號半電讀性攝-去材不部對電 Μ 不荷份之，物 光此成内信型號荷電態且除極型換且導rt·型電部入且純 2 在形域的電信電導固而 ，電電變而將 電的面植而不 第内區生導的由層造 罩性導電 ，性導取表子 型 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 I ^ ^^1 ^^1 B^i n —^1 ^ ^ V —^1 ^^1 I ^^1 ^ϋ ^^1 V , ’ · 言 矣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 5 1 49 B a7 _B7_五、發明說明（8 ) 區域在諛取部的轉送電極下部形成呑入的型態，針對轉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 程 第型式 的導分的為電轉 表一 中轉溝及電部 工 制電方 知的劏上作取荷 部成也極荷之料光換 之.控導的 習層域部成讀電 全離極電電述材除變 成由 1 準 述單區換形M直 之分電送在上罩消電 形 藉第對 上對刻變以電垂 置胞送轉，與光可光 而 -得我 於是蝕電入與到 裝位轉荷荷不之則由 式 中使自 對搔該光植部部 此單荷電電部用，使 方法 ，以 ，電 ，及子換換 ，每電由號口 所入， 的 方角離 法送成域離變變 中使。中信開部植移 準 造射距 方轉形區磷電電 置式極部之之 α 子偏 對 製入望 造荷而 1 行光光 C 裝方電送生用開離置 我 的的期 製電工第進，由定影狀送轉産所述行位 自 明入的 及，加的後1)使安攝溝轉荷所部上進的 以 發植端 置言刻割刻el以性態以荷電中換成來間 , 本子極 α裝而蝕分蝕(W可待固 ·電由部變形罩搔 離在離電以影題行向域井，取的膜成可換電 ，光電 距 -的送可攝間進方區型除讀造料形其變光叠用取 望 外物轉也態的膜進 消荷構材而，電成重使讀 期 之純對程固置料行第之移電極極域極光形相中荷 的述不針工的裝材以，部偏號電電區電在，域膜電 端。上型層之明影極，域換置信層蓋之取種中區料與 極以 了電體成發攝電掴區變位的單覆上讀此極離材部 電可除導導形本態性 2 2 電的部在都以有出電分極換 送也 1 半而 固電為第光極送 面艏具謓送狀電變 ^--- - - - ----- - I ^ ^ - - -- - )6J— ί — — — — ί ί <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 45 1 49 B a7 _B7_ 五、發明說明（9 ) 至垂直電荷變換部之信號電荷的讀出恃性安定β - _ ---------—------ [發明的實施型式] ' 接著，對於本發明的實施範例參考圖面來説明。第1 圖是本發明第1實施例的固態攝影裝置平面圖。在圖上 之固態攝影裝置中，埋入式光二極體使用於光電變換部 中。 對於本實施例，電荷轉送電極是由單層的多晶矽所構 成，電荷轉送電極1形成時的蝕刻，劃分為以進行蝕刻 方向而分割的溝狀分離區域4與光電變換部3上之區域 2種，在光電變換部3上的區域蝕刻後，藉由形成作為光 電變換部3的Ν型井（well)而進行磷的離子植入，則電荷 讀取電極與光電變換部3以自我對準而形成。對於第1 圖為了防止垂直電荷轉換部2的光之射入而形成的金屬 遮光膜並未顯示。又，第1圔的¢1〜¢4顯示各個電搔。 第2(a)〜（c)圖及第3(a), (b)圖是沿著第1圖的AA線 箭頭方向的斷面顯示其工程程序圏，第4(a)〜（d)圖為 本發明的第1實施例之固態攝影裝置的平面工程程序圖 ^參考第1圖〜第4圖，依據本發明的第1實施例 .---；------.----^ ---：—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 箭轉部 線荷換 AA電變 的，荷 圖面電 1 切直 第橫垂 著的到 沿183 。極部 法電換 方送變 造轉電 製荷光 的電從 置了種 裝示此 影顯括 攝面包 態斷亦 固的18 明向極 說方電 來頭送 第植 成子 形離 以以 法磷 散將 擴 ， 熱後 用 7 使層 上狀 5 井 板型 。基 P 極體 2 電導第 取半及 讀型 e Μ=層 電在狀 號，井 信先型 的首 Ρ 而 入 植 子 離 以 硼 將 後 之 0 2 部 送 轉 荷 電 直 I 成 形 而 入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 45 1 49 8 A7 _B7 10 ..五、發明說明（）
電出 光讀 使中 來 2 用部 可換 ，變 8 荷 域電 區直 取垂 讀由 荷荷 電電 及號 9 信 C 域的 J 區生圖 止産a) 停中2( 道 3 第 通部考 成換參 形變 C -道 中通 圖了 a 成 4 龄 第而 在離 Ο 分 圖 2 a 部 4(送 第轉 是 ί何 圖電 面直 平垂 的及 圍 3 a)部 2(換 第變 應電 對光 使 板 基 體 導 半 型 ο 9 N 域 ， 區著 止接 停 搔 βΰ 成 形 後 化 氣 熱 面 表 膜 η 1 0 化 h 氧(c 膜 化on 氧ti 極S1 ί ο 閘 ρ θ 在 D ί Γ 後ρο 之va 壓 減 用 使 上 所 矽 晶 多 由 了 積 堆 法 第 考 參 ^—I 1A 1 ο 膜示 料所 材匯 極b) /«IV 電 4 送第 轉為 荷型 電圖 的面 成平 形的 圖 時 此 素 4’盡 域全 區對 離例 分施 的實 狀本 溝 Ο 成示 形所 中圖 \J/ 1 C 極4( 電第 送如 轉型 荷樣 電面 在平 ， 的 著時 接此 但 4 送 第轉 於荷 對電 , 中 明 3 說部 來換 置變 裝電 影光 攝値 態 1 固於 的當 行相 /1% 可 為 設 假 作 動 取 讀
胞 位 單 每 在 圖 C 晶中 多胞 的位 1 單 極每 電在 送 4 轉域 荷區 電離 為分 成狀 ，溝 狀的 形成 的而 接割 連分 片向 4 方 為行 成進 極以 電矽 化 型 圖 3 阻 光 使 中 8 極 ge CpIT 送 轉 荷 電 的 極 電 取 。 讀 個具 4 兼 有 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 取形 讀中 具域 兼區 在的 I 上 刻 3 蝕部 式換 乾變 0U ίου 月 使光 罩的 光中 i 8 為 1 作極 3 1 阻送 光轉 將荷 ，電 後的 之極 乡& 0 驾 0 阻 .~, 12光 + 部，(ρ 口次入 開其植 成 子 it 0 磷 行 進 罩 光 為 作 TX 極 送 轉 荷 iVOll ϋΦ 與 并 型 Ν 用 3 部 換 變 1ye ιρίΓ 光 了 成 形 此 而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光轉 14®植12 C分1 區 1 的M極域 而K1部置狀膜細 搔 中電電 B14_ 送裝溝料撤 電 1自送 1H 井肖轉影的材使 送 極極轉第 型1ΓΡ荷攝成極， 轉 電電荷的 N — 電態而電程 Μ 送取電成2,的 直固割送工 電 轉讀之而為 3Ρ 垂的分轉術 之 荷由極割分部 I 到成向荷影 大 電是電分區換 製方電徹 很 隻 在荷取向而變 部所行 -行 C 積 ,電諛方域電 換定進行進化面 例號種行區光^變安以進以型型 施信此進 2 為 電以 1 先可圖 _ 實的具以第作1光可極要下的的 的生兼是的種^，使性電了 態度佔 1 産，域上此 Μ ,待送為狀精所 第所取區 3 成),移取轉刻好高内 明中讀刻部形 + 偏讀荷蝕良很圓 發 3 所蝕換了(Ρ的荷電的在有晶 本部中的變為子置電 ，4 度擁 -。於換 2 時電後離位號且域坦以且 置對變部成光刻磷間信而區平可而 裝電送形及蝕入極的 離的域 45 1498 A7 _B7 1 1 .. 五、發明說明（) 時的光姐13的膜厚度是以使其不超過磷離子（P+ )之方式 而使用約3/int厚度之光阻〔參考第2(c)圖〕。此時的平 面圖型如第4(d)圖所示。在兼具讀取電極的電荷轉送電 極1 8中的光電變換部3上的區域中形成開始部1 2 / 接者，為了形成埋入式光二極體，光阻13及電荷轉送 電極1作為光罩將硼以離子植入（B + ),形成P +型區域 15。接箸，籍由層間絶緣膜16而在光電變換部3以外的 區域中形成金靥遮光膜17〔參考第3(b)圖〕。以此方式 即可得由第1圖所顯示本發明第1實施例中之固態攝影 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） ：---I.-----------Mr---;------訂·！ -----線---- (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 4 5 1 49 δ 12 五、發明說明（) 在進行方向中分割而成之溝狀的分離區域4先以蝕刻去 除，因此由蝕刻時的天線效果所造成之電荷轉送電極材 料膜11的充電量被減少，可以降低對閘極氣化膜10的損 傷。此種情況下，殘餘的電荷轉送電極材料膜11的圖型 面積減少，也就是説天線，亦即充電的收集源頭部份變 小。 再者，電荷轉送電極1是將單層導電型材料膜1 (電 荷轉送電極材料膜1 1 )以蝕刻加工而形成，由於電極間 沒有重昼的部份，所以優點是層間容量小，沒有電極間 絶绨的間題存在。 第5圖是本發明的第1實施例，在固態攝影裝置中施 加電荷轉送用脈衝的一例。對此圖來説，#1〜¢4是對 於第1圖所示多1〜V4電極所施加之電荷轉送用脈衝。 本電荷轉送裝置的信號電荷的轉送中，藉由對各電荷轉 送電極1施加各90度不同相位的脈衝而使各電極下的電 位變動。 此時，信號電荷的儲存在施加有「H」位準電壓VH的 電荷轉送電極1下，而其他的電荷轉送電棰1刖被施加 「L」位準電壓VL。由相鄰的同層電荷轉送電極材料膜11 所形成的電荷轉送電極1施加了時序不同的脈衝。由於 施加了這些電荷轉送用的脈衝，在第1圖所示的固態攝 影裝置得以實現4相位驅動的電荷轉送。 第6圖是本發明的第2實施例的固態攝影裝置的平面 圖。在圖中，顯示了使用一種埋人型光二極體之光電變 -1 4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ：----_----------^ \--Γ---,--訂---I-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451493 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 3 五、發明說明（） 換部3的此種固態攝影裝置。參考第6圖來對本發明第 2實施例之電荷轉送裝置的製造方法予以説明。 對於本實施例，電荷轉送電極1由單層多晶矽所構成 ，當電荷轉送電極1在蝕刻形成之際，將它以進行方向 分割為溝狀的分離區域4及光電變換部3上的區域等2 個，在光電變換部3上的區域蝕刻後，形成此種成為光電 變換部3的N型井（未圖示）而進行了磷的離子植入， 電荷謓取電極與光電Μ變換部3以自我對準而形成。對 於第6圖所示的本發明第2實施例，可以施加第5圖所 示電荷轉送用脈衝來驅動β 第7圃是由本發明第3實施例的固態攝影裝置的斷面 圖。在圖中，顯示單層電極構造中在光電變换部使用埋 入型光二極體的固態攝影裝置的斷面圖。 對於本實施例之固態攝影裝置的製造方法，成為電荷 轉送電掻1的多晶矽在進行方向中分割而形成區域4為 止的工程是與本發明第1實施例所顯示的固態攝影裝置 的製造方法中之第2(b)圖與第4(c)圖為同一工程。 之後，兼具讀取電極的電Μ轉送電極18中，對光阻13 進行圖型化。而且，以光阻1 3作為光罩而使用乾式蝕刻 ，在兼具讀取電極的電荷轉送電極18中的光電變換部3 上的區域中形成開口部1 2。 其次，以光阻13與電荷轉送電極1作為光置，為了形 成此種成為光電變換部3的Ν型井14而以磷離子植入 (Ρ+ ),其是往電荷轉送電極1下部以呑蝕方向斜向地 -1 5- 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） n n n ^1.1 ^1.1 ^^1 i^i ^^1 I ^ ^ I ^^1 ^^1 I In • ‘ -5¾ f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 149 8 A7 _B7_ 1 4 , 五、發明說明（） 進行（參考第7圖>。 之後，為了進行埋入式光二極體之形成，以光阻13及 電荷轉送電極1作為光罩將硼以離子植入（B+ ),形成 P +型區域1 5，而且Μ由層間絶緣膜1 6而在光電變換部3 以外的區域中形成金屬遮光膜17,所以在本發明第3的 實施例中可以得到固態攝影裝置。而對於上逑的各個工 程，其與上迷本發明第1實施例的製造工程相同，所以 未再予圖示。 在本發明第3實施例中，光電變換部3的Ν.型井14亦 可在電荷讀取電掻的下部中形成，從光電變換部3到垂 直電荷變換部2的信號電荷讀取時，電荷讀取電極在與 光電變換部3空間接觸區域中不會産生電位障壁，使信 號電荷讀取電壓的降低成為可能。 第8圖是本發明第4實施例的固態攝影裝置的斷面圖 。在圖中，顯示單層電極構造中在光電變換部使用埋入 型光二極體的此種固態攝影裝置的斷面圖^參考第8圖 依本發明第4實施例來說明電荷轉送裝置的製造方法。 在本實施例中之固態攝影裝置的製造方法中，成為電 ：---^------.---- ---Γ------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為裝13兼區 4 影 。阻在的 域攝程光，上 區態工對刻 3 為固一 ，蝕部 成的同中式換 £ 示為18乾變 分顯圖極用電 中所C)電使光 向例4(送而的 方施第轉罩中 行實與荷光18 進 1 圖電為極 在第b)的作電 矽之2(極13送 晶明第電阻轉 多發之取光荷 的本中讀以電 1 與法具 ，的 極是方兼化極 電程造，型電 送 Η 製且圖取 轉的的而行謓 荷止置 進具 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 單 3 ιτΐ明 電第明 第 以部部a>說 蓋明説 成 換換 來 覆發其 形 中變變 Θ 例 上本以 於 圖電電部施10與所 法 在光光體實 膜是， 散 。在示晶 5 化程同 擴 圖用顯電第 氣工相 熱 面使別的明 搔的程 用 斷體各路發 閘前工 使 的極，電本 示之造 上 法二面邊依 顯這製 5 方光斷周圖。其在之 板 造型的 ，10法，，置 基 製入置 P 第方圖程裝 體 的埋裝 I 及造10H 影 導 置將影 ^圔製第的攝 半 裝式攝 9 的及後態 型 影方態 P 第置圖膜固 = 攝造固 些裝 9 料之。在 態構種3,這送第材例略 ， 固極此η考轉於送施省先 ‘ 新 之電的 D 參荷對轉實予首 例層中(Ρ。電 荷 1 就 4 5 1 49 8 A7 _B7 15 五、發明說明（） 域中形成開口部12，以光阻13與電荷轉送電極1作為光 罩，形成此種成為光電變換部3的型井14而以磷離子 植入（P+ ),其是在電荷轉送電極1下部以呑蝕方向傾 斜地進行的工程，到此為止是與第7圖所示本發明的其 他實施例之工程相同。 之後.上逑的磷離子植入（P+ )之後，再加上有相反 方向進行之傾斜式磷離子植入（P+ ),可以得到第8画 所示本發明的第4實施例的固態攝影裝置。 對於本發明第4實施例，如第7圖所示在磷離子植人 (P+ )之後，再加上有相反方向以傾斜式進行磷離子植 入（P + ),所以可以計_擴大光電變換部3，並使得信號 電荷量提升。 第3(a)〜（d)圖及第10(a)〜（c)圖是本發明第5竇施 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^1» ^^1 ^^1 [ I ^^1 -1 « ^^1 ^^1 ^^1 ^ ^ I ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 I ^^1-- '-^3矣 i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 5 149 8 A7 _B7_ 1 6五、發明說明（） 1 P型井狀層6及第2 P型井狀（well)層7之後，磷以 域 2,區 部取 送讀 轉荷 ί何電 電及 直 9 垂域 成區 形止 而停 入道 植通 子成 離形 以 入 植 子 fl 雜 以 硼 將 這 將 為 稱 ο - - ).膜 19化 板氣 基極 體閘 導成 半形 型以 Ρ 化 為氧 成熱 而面 理表 整的 域19 區板 些基 體 導 半 型 閘 在 後 之 堆 法 部域 送區 CV轉成 壓荷形 減電而 用在割 使-分 上11中 10膜向 膜料方 化材行 氣送進 極轉在 双 0 而 ua) 0 J9( 茴 曰ΗΘ1罾 乡ISW 搭 ώ ^ # 積 ί 荷 電 的 料 材 極 電 光轉 以荷 化的 型極 圖電 被取 13讀 阻具 光兼 使在 上刻 11蝕 膜式 料乾 材用 極使 電而 送罩 轉光 荷為 電作 此13 阻 〇 刻 12蝕 部 行 口進 開時 成同 形 & 中20 域極 區電 的極 上閘 3 部體 。 換晶 1 變電圖 電的b) 光路9{ 的電第 中邊考 18周參 極 ，ί 電時工 送此加 阻 + P 另 { 以入 ，植 著之 接子 隹 翔 磷 1Ί /11 進 來 罩 光 為 作 ^—4 極 i 送 轉 荷 電 與 井 塱 的 3 部 換 變 光 為 作 成 形 以 成 形 也 域 區 槿 汲 和 極 源 的 體 晶 電 的 路 電 邊 周 時 此 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 井 型 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 阻 + I JnD 光ί 以入 &Β ， fi 體子 極離 二 的 光硼 。 式行1 入進圆 埋來d) 成罩9{ 形光第 了為考 為作參 N_t 後極域 之電區 送型 轉 荷 f 1 葛 Π f 成 形 以 10膜 膜化 化氣 氣成 極形 閘而 的化 出氣 露熱 路面 電全 邊置 周裝 和由 3 藉 部 ， 換後 變除 電去 光部 * 全 著刻 接蝕 經 圖 域 區 極 汲 與 極 源 的 體 晶 ge 路 電 邊 周 成 U形 10了 第為 考 , 參著 C接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451498 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 擴散層2 3 ,以光阻2 2與閘極電極2 0作為光罩，例如進行 磷的離子植人（P+ )以形成1T擴散層23。 在源極與汲極區域中預先為了在光電變換部3中形成 N型井1 4和P +型區域1 5而進行離子植入，但N +癀散層 23形成所需的離子植入劑量，比上逑的離子植入量，特 別是為了形成P+型擴散層，比硼的劑量還要多很多， 因此充分的逹到了 N+型擴散層23的任務〔參考第10(b) 圖〕。之後，_由層間絶緣膜16而在光電變換部3以外 的區域中形成金屬遮光膜（未画示>〔參考第10(c)圖〕。 對於本發明第5實施例，在形成光電變換部3的開口 部，同時也蝕刻周邊電路的電晶體閘極電極20，而且， 這些區域的電荷轉送電極材料膜1 1蝕刻後，在達到閛極 氧化膜U所期望的膜厚為止經由蝕刻以控制這些B域的 離子植入製程，可以容易的進行所期望之光電變換部3 的持性和fl +擴散層2 3的形成。 第11(a)〜（d)圖和第12(a)〜（c)圖為本發明第6實施 例，其顯示固態攝影裝置的斷面圏。在圖中顯示以單層 電極構造將埋入型光二極體使用在光電變換部3的固態 攝影裝置的斷面，各部分顯示為光電變換部（PD部）3， 電Μ轉送部2,周邊電路的電晶體部（未圓示）。在此處 ,周邊電路的電晶體部中之閘極氣化膜的膜厚變薄，並 包含著提升電流增益的部份。 對於第11匾及第12圖，其顯示閘槿絶綠膜10上覆蓋電 荷轉送材料膜U之後的製程，在此之前的製程是和本發 -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ------^------- --Ί ---；--訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 451498 B7 18 五、發明說明（） 明的第1〜第3的各値實施例之固態攝影裝置的製造工程 相同的緣故，所以其説明予以省略。 首先，使上述的P型半導體基板19的表面熱氧化以形 成閘極氣化膜1 0。之後，閘極氣化膜1 G上使用減壓C V D 法堆積由多晶矽而成的電荷轉送電極材料膜I 1 ,在電荷 轉送部3中使電荷轉送電極材料在進行方向分割形成區 域此時，周邊電路的電晶體部份擁有薄閘極氣化膜 24的閘極電極25也同時蝕刻加工〔參考第11(a)圖〕。 在此電菏轉送電極材料膜1 1上使光明1 3画型化，以光 租13作為光罩使用乾式蝕刻，在兼具讀取電極的電荷轉 送電極18中的光電變換部3上的區域中形成開口部12。 此時，周邊電路的電晶體中的閘極氣化膜1 0以及具有和 電荷轉送部2相同的膜厚部份的閘極電極2Q也同時蝕刻 加工〔參考第11(b)圖〕。 接箸，以光阻13和電荷轉送電極1作為光罩來進行磷 離子植入（P+ ),形成光電變換部3的N型井14。而此時 的周邊電路電晶體的源槿和汲極區域也形成N型井14。 之後，為了形成埋入式光二極體，以光阻13和電荷轉 送電掻1作為光罩執行硼的離子植入（B+ )以形成P+型 區域15〔參考第11(b)圖〕。 接著，光電變換部3和周邊電路露出的閘極氧化膜10 全部蝕刻去除後藉由裝置全面熱氣化而形成氧化膜21 〔參者第UU)圖]。 接著^為了形成周遴電路電晶體源掻和汲極0域的N + -2 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ：---I----------* +.二--；---.--訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451498 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 五、發明說明（） 擴散層2 3 ,以光阻2 2和閘極電極2 0， 2 5作為光罩，例如 進行磷的離子植入（P + )以形成N +擴散層^ 周邊電路電晶體中的閘極氣化膜1 0中具有和電荷轉送 部2相同膜厚部份的源極和汲極區域中，預先為了在光 電變換部3中形成H型井1 4和P +型區域1 5而執行離子植 人，但N+擴散層23形成所需的離子植入劑量較上逑的 離子植入量，特別是為了形成P+型擴散層所需之硼的 劑量多很多，因此充分的達到了 N+型擴散層23的效果 〔參考第12(b)圖〕。之後，藉由層間絶緣膜16在光電 變換部3以外的匾域中形成金屬遮光膜（未圄示）〔參考 第 12(c)圖〕。 對於本發明第6實施例，眉邊電路的電晶體部中薄的 閘極氧化膜2 4上的閘極電極2 5的蝕刻加工是和電荷轉送 部2的電極的加工同時進行，但此時的蝕刻是在閘極氧 化膜1 Q幾乎沒有蝕刻的條件下進行，所以薄的閛極氧化 膜24不會被過渡的蝕刻而將矽基板蝕刻的情形發生。 而且，光電變換部3的開口部12形成時，同時在周邊 電路的電晶體中的閘極氧化膜10的膜厚中，對此種具有 和電荷轉送部2的閘極氧化膜1 0相同膜厚部份的閘搔電 極2D予以蝕刻，而且將這些區域的電荷轉送電極材料膜 11蝕刻後的閘極氧化膜10的膜厚藉由蝕刻而逹到了所期 望的膜厚，因此控制了這些區域的離子植入的製程，可 以容易的形成所期望的特性光電變換部3及擴散層 2 3 〇 -2 1 - 國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^---：------「---- ---->ϊι 訂--------·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 451498 _B7_ 2 0 . 五、發明說明（） 而上逑本發明的第1〜第6實施例，藉由單層多晶矽 之蝕刻加工而形成電荷轉送電極1 ,但可以取代多晶矽 而使用金屬膜或矽化膜。而且，在本發明的第1實施例 中，在N型半導體基板形成P型井，其中埋入光電變換 部的N型井，在本發明的第2〜第6宵施例的P型半導體 基板中埋入N型井，即使P和N的符號相反也可適用於 本發明。 由此方式，在單層電極構造的固態攝影裝置中，電荷 轉送電極材料膜U包覆著裝置整體，每單位胞以溝狀分 離成1個以上的區域，在形成電荷轉送電極1後，電荷 轉送電極1中的光電變換部3所産生的信號電荷可由電 荷轉送部2中謓取，在兼具讀取電極的電荷轉送電極18 中形成光電變換部3的開口部12開口部12不和上逑溝狀 的分離區域4重簦，以可形成此開口部1 2的光阻1 3和電 荷轉送電極1作為光罩以植入離子，則可消除光電變換 部3和謓取電極之間位置的偏移，從光電變換部3到垂 直電茴轉送部2的信號電荷讀取特性因此可以安定。 〔發明的效果〕 ^---;-------,---- I -------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 ，部其體電 第部換將導號 在換變而半倍 : 變電荷型的 括電光電電生 包光逑號導産 置個前信 1 部 裝數近的第換 影複鄰生在變 攝成内産，電 態形域中部光 固，區部送使 此内面換轉在 ，域表變荷及 明區的電電以 説面層光的成 的表體 了型形 明層導收電中 發體半接導域 本導型且 2 區 上半電 ，第面 以型導成的表 依電 1 形送的 導第而轉層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 49 8 ΚΙ _Β7五、發明說明（2\ 荷料置 1 均 2 電的 電材裝成域第取部 及極影，割區述讀送 部電攝分 2 前荷轉 取型態來第及電荷 讀電固向的域和電 荷導種方上區部直 電層此行部 1 換垂 -單在進換第變到 。 部的，以變，電部果 取成極胞電極光換效 謓形電位光電除變的 荷所送單述送消電定 電膜轉每前轉，光安 的緣荷膜及荷 # 從到 取絶電料，電重，得彳 讀極成材域成互移以明 部閘形極區形相偏可説 送由而電 1 而會置性單 轉藉工性第除不位特簡 荷上加電的去其的取的 電部以導上刻使間讀式 由送予 ，以蝕域之號 _ 荷轉膜中傾以匾極信 t 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 第1圖依本發明第1實施例的固態攝影裝置的平面圖。 第2(a)〜（c)圖沿著第1圖的AA線顯示箭頭方向斷面 的工程順序圖。 第3U)〜（b)圖沿著第1圖的A A線顯示箭頭方向斷面 的工程順序圖β 第4(a)〜（d)圖依本發明第1實施例固態攝影裝置平 面的工程順序圖。 第5圖依本發明第1實施例固態攝影裝置，顯示施加 電荷轉送用脈衝的一値範例圖。 第6圖依本發明第2實施例固態攝影裝置的斷面圖。 圔圖 面商 斷斷 的的 置置 裝裝 影影 攝攝 態態 固固 例例 施施 實實 3 4 第第 明明 發發 本本 依依 圖圖 7 8 第第 製 置 裝 影 攝 態 固 例 施 實 5 第 明 發 〇 依序 圖Θ } 順 d ί 程 ~ Η a)的 9(程 第工 造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 45 149 A7 B7 五、發明說明（ 2 2 造 造 造 面 第 Η 第工第工第斷第第 _ 符 第第 明明 發發 本本 依依 圖。圖 C)圖d} /V /V- ) 0 ) a J a ,ί\ 10程 η 製 置 裝 影 攝 態 固 例 施 實 製 置 裝 影 攝 態 固 例 施 實 _ 面 斷 的 程 圖 面 斷 的 程 製 置 裝 影 攝 態 固 例 施 實 r—I 第 明 發 本 依 画 程 Η 造 製 置 裝 影 攝 態 固 的 知 習 示 顯 為 圖 圖平 面的 平構 的結 構極 結電 極的 gBl ιριτ 的個 置置 裝裝 影影 攝攝 態態 固固 的 的 知知 習習 示示 。顯顯 圖圖圖 面1415 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 1Χ 1Α 進 料 部以 板層層 材 極送 極 基狀狀域域 極 電轉部電 體井井區區膜電 送荷換送域導型型取止化送 轉電變轉區半 p P 讀靜氧轉 何直電荷離型 1 2荷道極荷 明電垂光電分 N 第第電通閘電 之 號 狀 溝 的 用 所 割 分 而 向 方 -T /#1 膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
ISJ 線 A7__Aft)仏 9_^ 2 3五、發明說明（）
部井 口阻型 開光 N 5 6 1 1 4 2 半電膜I極 間屬具型極化 ® 閘 +P 層金兼 P 閘氧N+薄 域 區 型 搔 ?3~ l^gr 送 轉 荷 電 的 極 膜膜電 線光取 絶遮讀 板 基 體 導極 層 散 膜 化 氣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格<210 X 297公釐）
Claims (1)
- 'Γ1請委真明示_年ΓΗ&3所提之 修J1-本有無變更·容是否准予修jt-o 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 f A8 4 5 1 4^8 cs D8六、申請專利範圍 第88122282號「固態攝影裝置及其製造方法」專利案 (90年5月4日修正） 六、申請專利範圍： 1. 一種固態攝影裝置，其特徵爲包括：在第1導電 型半導體層表面區域內由複數個形成的光電變換 部；前述第丨導電型半導體層的表面區域內鄰近 前述光電變換部而形成且接收前述光電變換部所產 生的信號電荷而將其轉送的第2導電型電荷轉送 部：在前述第1導電型半導體層的表面區域中形 成且使前述光電變換部所產生的信號電荷由前述電 荷轉送部中讀出的電荷讀取部；前述電荷讀取部及 前述電荷轉送部上，對藉由閘極絕緣膜所形成的單 層導電性電極材料膜進行加工所形成之電荷轉送電 極， 每單位胞由1個以上的前述導電性電極材料膜 以進行方向分割2區域都予以蝕刻去除，形成前 述電荷轉送電極，前述第1區域及前述第2區域 在構造上不會互相重疊》 2. 如申請專利範圍第1項之固態攝影裝置，其中前 述光電變換部對於前述導電性電極材料膜在前述光 電變換部上所去除的前述第2區域而言是以自我 對準方式來構成。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之固態攝影裝置， 其中對於鄰近的同層電荷轉送電極施加不同時序的 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ------- 訂-------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 451498六、申請專利範圍 電荷轉送脈衝 4 .如申請專利範 中對前述導電 述光電變換部 的閘極電極如 性材料膜時用 程來蝕刻加工 5 .如申請專利範 述導電性電極 變換部的周邊 電極如同將前 膜時用之前述 刻加工而構成 6 .如申請專利範 前述周邊線路 電荷轉送部上 絕緣膜，以及 緣膜所構成， 前述周邊電 電極材料膜經 該周邊電路 電荷轉送部上 晶體閘極電極 刻加工而形成 A8 B8 C8 D8 ^ ffi ψ 修正 來構成。 圍第1或2項之固態攝影裝置，其 性電極材料膜進行蝕刻加工以形成前 的周邊線路的閘極電極，該周邊線路 同將前述光電變換部上去除前述導電 之前述第2區域的形成是以同一製 而構成。 圍第3項之固態攝影裝置，其中對前 材料膜進行蝕刻加工以形成前述光電 線路的閘極電極，該周邊線路的閘極 述光電變換部上去除前述導電性材料 第2區域的形成是以同一製程來蝕 〇 圍第1或2項之固態攝影裝置，其中 的電晶體閘極絕緣膜是由具有與前述 所形成的閘極絕緣膜同一膜厚的第1 具有比該閘極絕緣膜還薄的第2絕 路電晶體的閘極電極，由前述導電性 蝕刻加工而形成， 電晶體的閘極電極之中，具有較前述 所形成的閘極絕緣膜還薄之膜厚的電 是由與前述第1區域同一工程以蝕 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ,---ί I------- I------Γ--^---I---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ./498451498 A8R8C8D8 νί;·\ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1^ 六、申請專利範圍 前述閘極絕緣膜中與前述電荷轉送部上形成的閘 極絕緣膜具有同一膜厚的電晶體閘極電極，是與前 述導電性電極材料膜由前述第2區域形成時以同 一工程之蝕刻加工所形成。 7. 如申請專利範圍第3項之固態攝影裝置，其中前述 周邊線路的電晶體閘極絕緣膜是由具有與前述電荷 轉送部上所形成的閘極絕緣膜同一膜厚的第1絕 緣膜|以及具有比該閘極絕緣膜還薄的第2絕緣 膜所構成， 前述周邊電路電晶體的閘極電極，由前述導電性 電極材料膜經蝕刻加工而形成， 該周邊電路電晶體的閘極電極之中，具有較前述 電荷轉送部上所形成的閘極絕緣膜還薄之膜厚的電 晶體閘極電極是由與前述第1區域同一工程以蝕 刻加工而形成， 前述閘極絕緣膜中與前述電荷轉送部上形成的閘 極絕緣膜具有同一膜厚的電晶體閘極電極，是與前 述導電性電極材料膜由前述第2區域形成時以同 一工程之蝕刻加工所形成。 8. —種固態攝影裝置之製造方法，此固態攝影裝置包 括：在第1導電型半導體層表面區域內形成複數 個光電變換部；前述第1導電型半導體層的表面 區域內鄰接前述光電變換部而形成且接收前述光電 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • .^-----訂·！ 線 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) A8 ~*-----1 “51498 g| ----—~—-神:匕一 六、申請專利範圍 變換部所產生的信號電荷而將其轉送之第2導電 型電荷轉送部；於前述第1導電型半導體層的表 面區域中形成且使前述光電變換部所產生的信號電 荷由前述電荷轉送部中讀出的電荷讀取部；前述電 荷讀取部及前述電荷轉送部上，對藉由閘極絕緣膜 所形成的單層導電性電極材料膜膜進行加工所形成 的電荷轉送電極，此種固態攝影裝置的製造方法之 特徵爲，前述第1導電型半導體層的表面上藉由 閘極絕緣膜而形成前述導電性電極材料膜的工程； 前述導電性電極材料膜上形成第一光罩構件之工 程：前述導電性電極材料膜以進行方向分割所用的 第1區域上的前述第1光罩構件之去除工程；前 述第1光罩材料作爲光罩，將前述導電性電極材 料膜蝕刻去除之工程；前述第1區域及前述導電 性電極材料膜上形成第2光罩構造的工程；前述 光電變換部上第2區域的前述第2光罩構件去除 之工程；前述第2光罩構件作爲光罩，將前述導 電性電極材料膜蝕刻去除之工程；將前述第2光 罩構件全面去除之工程。 9.如申請專利範圍第8項之固態攝影裝置之製造方 法，其中以第2光罩構件作爲光罩，在去除前述 導電性電極材料膜後，將前述第2光罩構件及前 述導電性電極材料膜作爲光罩，使第1導電型不 純物及第2導電型不純物以離子植入而形成前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----l· 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 451498 ARCD經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 光電變換部之工程。 10. 如申請專利範圍第8項之固態攝影裝置之製造方 法，其中以第2光罩構件作爲光罩，在去除前述 導電性電極材料膜後，以前述導電性電極材料膜作 爲光罩，以離子植入第1導電型不純物及第2導 電型不純物以形成前述光電變換部之工程。 11. 如申請專利範圍第8項之固態攝影裝置之製造方 法，其中以第2光罩構件作爲光罩，在去除前述 導電性電極材料膜後，以前述第2光罩構件及前 述導電性電極材料膜作爲光罩，以離子植入第2導 電型不純物；以電荷轉送電極作爲光罩，在前述第 2導電型不純物區域表面部份中以自我對準方式以 離子植入第1導電型不純物。 12. 如申請專利範圍第8項之固態攝影裝置之製造方 法，其中以第2光罩構件作爲光罩，在去除前述 導電性電極材料膜後，以導電性電極材料膜作爲光 罩使前述第2導電型不純物以離子植入；以電荷 轉送電極作爲光罩，在前述第2導電型不純物區 域表面部份中以自我對準方式以離子植入第1導 電型不純物。 13. 如申請專利範圍第9至第12項中任一項之固態攝 影裝置之製造方法，其中由於控制了前述第2導 電型不純物的離子植入的入射角，使得前述第2導 電型不純物區域，形成有如將前述電荷轉送電極下 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------訂！--線 六 A8 B8 CS D8 修正 申請專利範圍 部吞入之形式，對於前述電荷讀取部的轉送電極端 是在所期望的距離中以自我對準的方式形成。 14.如申請專利範圍第9至第12項中任一項之固態攝 影裝置之製造方法，其中由於控制了前述第1導 電型不純物的離子植入的入射角，使得前述第1導 電型半導體層對於前述電荷讀取部的轉送電極端而 言是在所期望的距離中以自我對準的方式形成。 .-------------^iM--W---訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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