TW451069B - Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system - Google Patents

Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system Download PDF

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TW451069B
TW451069B TW087113732A TW87113732A TW451069B TW 451069 B TW451069 B TW 451069B TW 087113732 A TW087113732 A TW 087113732A TW 87113732 A TW87113732 A TW 87113732A TW 451069 B TW451069 B TW 451069B
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Josephus Johannes Maria Braat
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Koninkl Philips Electronics Nv
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Description

經濟部中央橾準為貝工消费合作社印袈 45106 9____ 五、發明説明（1 ) 本發明係關於一種用於一步進掃描式微影措影裝置之投 影鏡系統，以利用一具有小圓弧段狀截面之EUV光束，而 將存在於一遮光罩内之遮光罩圖案成像於一基材上。 本發明亦關於一種將一遮光軍圖案以步進掃描方式成像 於一基材之多數區域上之微影裝置，該裝置包含此一投影 鏡系統。 EP 0779528 A2號歐洲專利說明一種用於一步進掃描式兔 髮_裝置之投影鏡系統，藉此將一 1C遮光罩圖案成像於一 半導體基材之多數區域上，其係使用EUV光線。EUV光線 即極紫外線’係指波長在數奈米至數十奈米之間範園内之 光線，此光線亦稱為軟性X光線。使用EUV光線可提供 較大優點’即〇‘i微米以下之極小物件皆可令人滿意地成 像，易言之’使用EUV光線之一成像系統可具有極高解析 力’不必使系統之N A極大’因此系統之焦距深度仍有一 相當大之數值由於並無適合之透鏡材料可取得用於產生 -， EUV光線，因此需利用一投影鏡系統將遮光軍圖案成像於 基材上，以替代一般之投影透鏡系統。 一般用於ICs生產中之遂1裝置為步進式裝置，在諸裝 置中使用一全區显_射，即遮光軍圈案之所有區域皆同時照 射’且諸區域同時成像於基材之1C區上。第一 1C區經照 射後即進行一 1C區’亦即基材基座依此方式移動，使下 —1C區定位於遮光罩圈案下方，再良射於此區域，直到 遮光革圖案之基材之所有1C區域皆复射過為止。如所週 知’其仍需令ICs具有增量之组件β 本紙張尺度逍用中困國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公羞} (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央橾率局員工消费合作社印¾ 4 51 0 A7 B7 五、發明说明（2 ) 欲符合此需求者不僅應減低諸組件之尺寸，同時亦應加 大IC s之表面積’意指原本已較高之投影透鏡系統NA值 需再增大，而對於一步進裝置而言’此系統之成像區亦需 增大，此尤為不可能* 緣是，亦有人提出將步進裝置改換為步進掃描式裝置， 在此一裝置中，遮光軍明案之一小圓弧段狀子區域以及基 材之一 1C區域子區域皆做照射，遮光軍圈案及基材同步 地移過座_射光束，並計數投影系統之放大倍率β後續遮光 革圖案之小園弧段狀子區域再於每次中成像於基材上之相 關1C對應子區域上，整個遮光軍圖案已依此成像於一 1C 區域後，基材基座即執行一步進式移動，即一系列1C區 域之起點送入投影光束且遮光萆設定於其初始位置，隨後 該系列之1C區域經由遮光軍圈案做掃描里_射，此掃描成 像方法使用在以EUV光線做為投影光線之微影裝置中將有 極大之優點β ΕΡ 0779528號專利所示之投影系統實例預期使用波長1 3 奈米之EUV光線時將在成像侧具有0.25之ΝΑ值，環形 成像區域具有29毫米内半徑、31毫米外半徑及30毫米 長度，系統之解析度為30奈米，且像差與失真相當小， 足可利用一掃描過程以將一傳送遮光軍圖案成像於一基材 之1C區域上。此投影系統包含六枚成像鏡面’且一中間 影像生成於第三、四鏡面之間，遮光軍位於投影系統之一 幾何端，而基材位於此系統之另一幾乎何端。 當此一鏡面系統用於一微影投影裝置時，投射於基材上 -5- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） I——I——CI1 (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 订 經濟部中失樣舉局貝X消费合作社印装 4 5 1 〇 6 9 at Β7 五、發明説明（3 ) 之少量光線會產生問題，其係因鏡面小於100%反射率所 致，各鏡面包含一多層式結構’其成份較適用於相關之波 長，此多層式結構之例子可見於US-A 5,153,898號美國專 利，藉由此多層式結構，其可取得最大之反射率，理論上 為75%，但是實施上通常不大於65%。當使用六枚鏡面 時’其在一投影系統中各為68%反射率，來自遮光軍圖案 且進入系統之光線僅有9.9%到達基材，對於一微影裝罾而 言’此意指實際上之照射時間應較長，以利於基材之IC 區域上取得所需之光線能量，且掃描速率對一掃描裝置而 言應較小’惟，基本上諸裝置之掃描速率應盡量大，且照 射時間盡量低，因此其產量尚高一些，此產量即每單位時 問可ϋ射之基材量。 本發明之一目的在提供前節所述之一種投影系統，以符 合所需’就此而言，投影系統之特徵在其包含五枚成像鏡 面Λ — 一成像鏡面一般可知其呈凹（正）鏡面或凸（負）鏡面，具 有收縮或發散效果’因此有助於投影系統之成像。 由於僅用五枚成像鏡面，投影系統可較為方便及廉價地 製造，事實上，在一成像鏡面上有極嚴格之準度要求，因 此鏡面本身難以製造且昂贵，若此一鏡面可自一光學系統 中省略’將有可觀之成本降低，此亦因其較易於組裝此系 統3具有五枚而非六枚鏡面之投影系統之一重大優點在 於’理論上’基材上之光線量可提异大約5〇%，在68。/〇反 射率之多層式結構例子中，在五枚鏡面式系統中投射於基 -6- -----：----— (諳先Μ讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 本紙張用 t ϋ ( CNS ) Α^ΓΓ21〇χ297^·7 4 5 1 0 6 9 A7 _______B7___ 五、發明説明（4 ) (讀先Μ讀背面之注f項再填寫本頁) 材上之光線量為進入投影系統之光線之14.5% <*本發明基 於上述認知’其利用五成像鏡面而使一投影系統具有一可 接受之數值孔徑’以及一相當小之像差，藉此新穎之投影 系統’一小圓弧段狀之掃描成像點可生成且可比較於由習 知六枚鏡面系統所生成者》 應注意的是US-A 5，153,898號專利主張一種投影鏡系 統’其包含至少三枚且至多五枚之鏡面，惟，由此專利說 明中可知其僅用三枚鏡面做為實際成像，在使用第四枚鏡 面之實例中，此鏡面係平坦形鏡面，具有賦與成像光束一 不同方向以對基材產生空間供執行所需移動之功能。具有 五枚成像鏡面之實例並未揭述。揭述於US-A 5，153,898號 專利中之投影系統具有一小數值孔徑，即0.05或較小，且 皆做全區域照射，因此不使用於掃描裝置，真實的是US-A 5,153,898號美國專利曾概略地提及可製出鏡面系統以適用 於一掃描裝置，但是未見適用於此用途之鏡面系統設計· 在新穎投影系統之前述設計概念中，諸變數如NA、倍 率及成像點仍有一些選擇自由，惟，系統之一較佳實例特 徵在於其具有0.20之數值孔徑NA及0.25之倍率Μ。 經濟部中央橾率扃夷工消费合作杜印— 投影系統較佳地進一步特徵在其自目標平面至成像平面 依序包含一凹狀第一鏡面、一凸狀第二鏡面、一凹狀第三 鏡面、一凸狀第四鏡面及一凹狀第五鏡面，且目標平面位 於第二、五鏡面之間。 投影系統最好在成像侧之遠方中心。 因此，當基材沿光學軸線有不必要之移位時，不致發生 本紙張尺度逋用中國國家標舉（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 45 1 Ο 6 9 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 倍率誤差。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁} 投影系統之另一特徵在光曈係位於第一、二成像鏡面之 間》 系統依此方式設計，而有充分空間可容置一隔膜於以相 反方向延伸之光束之間位置處。 投影系統較佳地進一步特徵在所有成像鏡面皆具有 面。 系統可令人滿意地校正及具有良好之成像品質。 本發明之一投影鏡系統有理想之光線效率及内建空間， 其特徵在目標平面係位於第二、五成像鏡面之間，及用於 一反射性遮光軍與其基座之空間係預留於諸鏡面之間。 經濟部中央橾隼局貝工消费合作社印装 當此投影系統用於一微影装置時，在光學轴線方向中之 裝置尺寸可有限制’因為遮光軍基座係設置於投影系統 中’可透過容置遮光軍基座之遮光台以執行所需之移動。 投影鏡系統現在區分為一瞄準段，係由結合一大致平行狀 成像光束之第一組三枚鏡面組成，及一目標段，用於接收 此光束’且係由第四、五鏡面组成，其構成所需遠方中心 之成像光束。一中間影像生成於接近第二凹狀鏡面處，中 間影像對於校正成像區之曲率極為有效。用於容置一隔膜 之空間可取自第一、二成像鏡面之間。 在某些狀況下’例如當需要較多空間用於遮光台時，則 遮光罩可能必須設於投影系統外侧，且在非設置基材之此 系統一側處’即目標平面與成像平面位於投影系統之不同 側’備有五枚成像鏡片之一投影系統概念亦可用於該例子 -8- 本纸張尺度遥用中國國家標率（CNS > A4«L格（210X297公釐） 45106 9 A7 B7 五、發明説明（6 ) 中。投影系統之適用實例特徵在於一平面鏡面設置於第 一、二成像鏡面之間，而目標平面在投影系統外側。 平面鏡面並無助於影像之實際生成，其僅用於逆轉來自 第一成像鏡面之光線方向，由於平面鏡面比一成像鏡面易 於製造及定位’因此，備有五枚成像鏡面之投影系統相較 於具有六牧成像鏡面之投影系統即可維持其優越性3 欲達到所要求之光學品質時’備有一平面鏡面之投影系 統之小圓紙段狀成像區應具有一略小於五枚鏡面式投影系 統者之宽度。具有一加大成像區之含平面鏡面之投影系統 實例特徵在平面鏡面具有一吏球狀校正表面。 由於此非球面，投影系統整體可較佳地校正，理論上， 小圓弧段狀成像區可具有相同於備有五枚成像鏡面之投影 系統者之寬度。 本發明亦關於一種用於將一存在於遮光革内之遮光罩圈 案以步進掃描.方式成像在一基材之多數區域上之微影# 置*該裝置包含一備有一 EUV光源之射單元、—容置一 遮光軍之遮光罩基座、一容置一基材之基材基座、及一投 影系統’此裝置之特徵在投影系統係如前述之一投影鏡系 統。 經濟部中夬揉準局頁工消费合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之上述及其他内容可由文後之參考實例得知。 圖式中： 圖1揭示本發明投影系統之第一實例， 圖2簡示包含此一投影系統之_微影奘置實例，及 圖3、4揭示投影系統之一第二及一第三實例。 _ 9， 本紙張度適用中國國家揉舉（CNS ) A4规格（2丨OX297公釐） 451 06 9 A7 B7 經濟部中央樣準局負工消费合作杜印装 五、發明説明（7 ) I I I 主要元件符號說明 I I I b (照射)光束 16 光罩基座 f—S I I (投射)光克 17 遮光台 請 先 聞 讀 背 I I ^JO (照射)光克 18 掃描方向 1 1 bn ~bn (投射)光克 20 基材 £ 之 注 意 事 j h 主光線 21 光線敏感層 1 1 X 目標平面 22 基材基座 項 再 填 % 本 l 广 2 成像平面 23 基材台 5 第一鏡面 24 支承件 頁 1 I 6 第二鏡面 30 照明單元 1 1 7 第三鏡面 32 隔膜位置 1 1 8 第四鏡面 45 第一成像鏡面 1 訂 9 第五鏡面 46 第二成像鏡面 1 10 中間成像位f 42 第三成像鏡面 1 I 11 隔膜位置 48 第四成像鏡面 1 1 1 12 軸向位置 49 第五成像鏡面 1 J 15 反射遮光罩 50 平面鏡面 1 在囷 1中，可供設置欲成像之遮光罩的目標平面係以參 1 1 考編號 1表示，而供設置基材之成像平面則以參考編號2 ! I 表示， 成像平面係由 一光源（圖中未示）照射之光束 b所照 1 1 射，光源之主光線li 則傾斜趨向於光學軸線00^ 在目標 1 I 平面中存在有一反射遮光軍15之情況下，光束係如光束 1 b ! —般折射至系統之第一鏡面5， 該鏡面呈凹狀， 此鏡面 1 | 將光束如一收縮光束 b2般反射至一 凸狀之第二鏡面 6，鏡 1 1 I -10- 1 1 1 1 本紙浪尺度通用中國國家搮李（CNS>A4規格（210X2W公釐） 451069 ^ B7 五、發明説明（8 ) 面6將光束如光束般反射至第三鏡面7，_中間成像即 生成於鏡面6'7之間之位置10處。鏡面7為凹面鏡且將 光束如一大致平行之光束b4般反射至第四鏡面8，此鏡面 則呈凸狀且將光束如一發散光束bs般反射至凸狀之第五鏡 面9，並將光束如光束b 6般聚焦於成像平面2中。鏡面 5、6、7聯結而構成系統之瞄準段，而鏡面8、9構成一 目標段以生成所需之遠程中心成像於基材上η 一隔膜設於鏡面5、6之間且在抽向位置12，其可行之 原因在於系統係設計成使光束bi、b2在位置12處充份分 隔，如圖所示’此隔膜在一成像系統中可防止影像生成光 東不必要反射所造成之教射光線，因而減少平面2中生成 影像之反差現象· 此外，系統之所有鏡面表面最好呈類球狀，—# & s伯 指一表面之基本形狀呈球形’但是其實際表面則偏離於此 基本形狀，以利校正系統之球形像差^ _瘦座之基本形 狀並不需要呈球形’可為變換之平面，基本上一鏡面亦可 具有一校正之非球面d 雉濟部中央橾窣局貝工消费合作社印裝 f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ο 系統係與光學袖線相同袖向*意即所有鏡面之曲率中心 皆位於一轴線上’由組合及公差之觀點來看，此係極為有 利。 以下之表I揭示圖1所示實例之相關變數值，諸變數 為： -沿光學軸線〇 (T測量之距離： di :目標平面1與鏡面5之間； -11 本紙張尺度逍用中國國家樣隼（CNS > A4规格（210X297公釐） 451069 A7 五、發明説明（9 ) d 2 鏡 面 5 與鏡面 6 之 間； d3 鏡 面 6 與鏡面 7 之 間； d4 鏡 面 7 與鏡面 8 之 間； d5 鏡 面 8 與鏡面 9 之 間； d6 鏡面 9 與成像平 面 2之間； -沿光學軸線測量之曲率半徑：
Ri 鏡面 1 ; r2 鏡面 2 ； r3 鏡面 3 ； r4 鏡面 4 ； r5 鏡面 5 ； (請先w讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裂 -已知數列之偶數項a2、a4、a6、a8、&|〇及a12 :Z = Σ i^i 其可說明一非球面之變化。 表I 1= 407,0280 毫米 d2=-266.6040 d3= 498,13 10 d 4 = - 9 5 7，4 8 8 0 d5 = 259,6670 d6=-328.1660 -12- 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS >料規冰（210X297公釐）
,1T .}·' c Ά51 9 發明説明（1〇 ) Ri = = -358,6724 毫米 r2= =-1034,9498 r3= =-753,9869 r4= = -167,53 1 1 r5= = -337,421 1 鏡面1 鏡面2 鏡面3 a2 -.13940298E-02 -.48311518E-03 -.66314155E-03 a4 .69417630E-08 -.Π947397Ε-07 -.13676264E-09 扣 -.13069723E-12 .48162764E-11 -.23711675E-14 a8 .28564892E-17 -.99830434E-15 17707105E-19 压10 -.10500535E-21 .10852556E-18 -.80978435E-25 ^12 .40366107E-26 -.47475418E-23 .14935619E-30 鏡面4 鏡面5 a2 -.29845209E-02 -.14818281E-02 a4 -.30313077E-07 -.34399077E-08 -.28313384E-11 -.16079104E-13 a8 -.11812935E-15 -.15057705E-18 ^Ϊ0 -.17990104E-20 .49180832E-23 ^12 .66658543E-23 .18985871E-27 經濟部中央橾率局貝工消费合作杜印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 系統具有+0.25倍率Μ、0.20數值孔徑ΝΑ，且在成像平 面2區域處之成像小圓弧段具有24.5毫米内米徑及26毫 Ί3- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > Α4規格（2Ι0Χ29?公釐） 經濟部中央樣率局員工消費合作社印製 451 06 9 at _ B7 五、發明说明（11 ) 米外半徑，因此此平面可用-具有L5毫米寬度之小圓孤段 形點掃描，而此點之長度或弦為2 0 _2 5毫米，圖i中之系 统總長度1為大約1 〇 15毫米，系統係利用一波長1 3奈米 <光線生成一影像，就此而言，鏡面依習知方式而備有一 多層式結構，以利盡可能令人滿意地反射此波長之光線， 用於此目的之多層式結構例子特別見述於第5，153,898號 美國專利内。 圖2揭示一步進掃描式座蓋_裝置之一實例，其包含本發 明之一鏡面系統以成像一反射遮光罩15中之遮光罩囷案 於一基材20上，基材備一層21且係對EUV光線敏感。 裝置包含一 JL射單元30 ’該單元係簡示之且其可容置一 EUV光源及一光學系統’以生成一具有小圓弧段狀截面之 射光束b。欲成像之遮光罩15係設置於一遮光軍基座 16上，基座構成一遮光台17之一部份，遮光軍藉此而可 在掃描方向18移動，且或可在一垂直於掃描方向之方向 中移動，使得遮光罩圖案之所有區域皆可定位於由里_射光 束b形成之1射點下方。基材20設置於一基材基座22 上，而基座係由一基材台（階級狀）23支承’此台可移動基 材於掃描方向中（X方向），亦可在與之垂直之Y方向中， 基材台由支承件24支承。 此外，基材可在Z方向中移動，即光學軸線〇〇'之方 向，且繞著Z軸線旋轉，在此巧妙之裝置中，基材亦可相 對於X與Y軸線呈傾斜。為了進一步詳述一步造掃描式裝 置，僅利用WO 97/33204號（PHQ 96.004號）PCT專利申請 • 14 - 本紙張尺度逍用中國國家標率（CNS ) A4洗格（210X297公釐） <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁)
M濟部中央橾準局Λ工消费合作社印製 451 06 9 A7 B7 五、發明説明（12 ) 案供做參考。 由於圖1中所用投影系統之遮光罩係一反射性遮光軍， 此遮光罩可完全受到支承，因此，在重力之影響下，此遮 光罩在其支承件上仍可呈平坦，基材之情況亦同，此在 EUV微影投影裝置中極為重要。 投影系統係在基材一側上之遠方中心，其優點在於若基 材相關於系統而在z方向有不必要的移動時不致有倍率誤 差發生。 如圖1、2所示，第二鏡面6與第五鏡面9之間有充分 空間可設置遮光台，且遮光罩基座與遮光罩可在此空間中 移動，以利實施所需之撺描移動。因此，裝置可做精巧式 設計。 此外’第四透鏡8與基材平面或目標平面之間之自由工 作距離C足夠大，得以設置光學感應器於其間之空間中， 諸感應器係用在以一透鏡系統做為一投影系統之步進裝置 或步進掃描式裝置中，其例如可為US-A 5,191,200號專利 (PHQ 91‘007)中之高度與液位感應器，及US-Α 5，144,363 號專利（卩11(5 90.003)中之影像感應器。 圖3所示之投影系統可用於圖2所示者以外之微影投影 裝置實例中，此實例中之遮光罩與基材係位於投影鏡系統 之不同侧，且遮光軍呈透明。此系統亦包含五個成像鏡面 45 '46、47、48、49 ’依序為凹、凸、凹、凸及凹狀， 相似於圖1中之鏡面5、0、7、8、9。目標平面1位於投 影系統左側’而成像平面位於其右側，在使用此投影系統 -15- 本纸張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4规格（210Χ297公羞） f碕先聞讀背面之注意事項再填寫本！} 訂 451 06 9 a? __ 87 五、發明説明（13 ) 之投影裝置中，提供射光束b i 〇之光源係位於目標平面 1左側，而設於此平面中之遮光罩為一透明之遮光罩。 來自遮光罩之光束bu投射於第—成像鏡面45上，由此 鏡面反射出去之光束by路徑中設有一平面鏡面5〇,可將 成像光束bu反射至鄰近於第一成像鏡面45處之第二成像 鏡面46。成像光束隨後連貫地由,凸鏡面46反射成光束 bM、由凹鏡面47反射成光束b,5、由凸鏡面48反射成光 束bis及由凹鏡面49反射成光束b!7，而到達成像平面 2。目前，一中間影像生成於接近鏡面49之位置3〇, 一 隔膜可設置於軸向位置32處之平面鏡面50與凸鏡面46 之問，光束bu、bn在此處恰好足以分隔。此投影系統亦 為一相同軸向之系統，且所有成像鏡面最好具有非球面。 表II說明圖3所示投影系統之相關變數值，諸變數為： -沿光學軸線0 0 '測量之距離： (請先閱讀背面之注意事項再4寫本頁) 訂 蛵濟部中夬橾準局貝工消费合作杜卬製 dn ： 目標平面1與鏡面45之間； d 1 2 : 鏡面45與鏡面50之間； d 1 3 : 鏡面50與鏡面46之間； d 1 4 · 鏡面46與鏡面47之間； d 1 5 : 鏡面47與鏡面48之間； d \ 6 : 鏡面48與鏡面49之間；及 d l 7 : 鏡面49與成像平面2之間。 沿光學軸線測量之曲率半徑： R45 ： 鏡面45 ; R46 ： 鏡面4 6 ; -16- 本紙張尺度遙用中國困家揉率（>A4规格（2丨0X297公瘦） ο 451069 A7 B7 五、發明说明（14 ) R 4 7 :鏡面47 ; R4 8 :鏡面48 ; R 4 9 :鏡面49 ; R 5 0 :鏡面50 ;及 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印装 -偶數之類球狀項數。 表II 480.0000 毫米 di2=-127.0150 di3= 118.1150 di4=-406.7396 di 5= 878.09 10 di 6=-253.0640 d, 7= 329.1 190 R45=-548.8380 毫米 R46= 265.3601 R47= 604.7415 R48= 435.3368 R49= 353.7575 R50= 00 鏡面45 鏡面46 鏡面47 a2 '85493758E-03 - 18842320E-02 .82677996E-03 a4 -.77854867E-09 -.53734081E-09 .55026455E-09 -17- 本紙浪尺度暹用中國國家揉準（CNS)A4规格（ 210X297公釐） ..... ----- - - - - - tut I I _ιι· —---.I n (請先M讀背面之注項再填寫本頁) 訂 A51〇6 9 五、發明説明（15 A7 B7 a6 .13776269E-15 a8 -. 12932293 E-18 a10 .724505 84E-23 .7743668IE-12 -.83937188E-17 -.32498962E-19 .7259558 IE-15 .14921406E-20 .21485301E-26 a2 a4 ae a8 3-10 鏡面48 .11485359E-02 .23885607E-07 .40913648E-12 -.82075572E-17 .40082766E-20 鏡面49 .14133976E-02 .3134499 IE-08 .14505232E-13 .80206576E-19 48066908E-24 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣牟局—工消费合作社印焚 此系統在成像侧亦具有+0.25倍率M及0.20數值孔徑 NA，惟，目前小圓弧段狀之成像區具有28毫米内半徑及 29毫米外半徑，寬度為1毫米，圖3所示目標平面1與成 像平面2之間距離1大約為1020毫米。 圖3所示之投影系統中，平面鏡面亦可備有一非球面， 因此，校正可在一較大之成像區上進行。圖4揭示一備有 類球狀平面鏡面51之投影鏡系統，此系統不同於圖3所 示者之處在於小圓弧段狀成像區具有27.5毫米内半徑及 2 9毫米外半徑。表ΠΙ揭示此投影系統之變數值，其採用 相同於圖3所示投影系統之表示符號。 -18- 本紙張尺度遑用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X 29*7公釐） 45106 9五、發明説明（16 ) A7 B7
表III d 480.0000 毫米 d,2=-130.0000 d,3= 120.0000 dI4=-410.0000 di5= 882.9590 di6=-248.8860 di7= 329.1190 R45 = -503.975 1 毫米 R46= 305.4602 R47= 598.5052 R48= 296.8178 R49= 349.0694 R5〇=4480.6685 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 鏡面45 a2 -.9921125 IE-03 34 .1962206 IE-08 a6 .22372975E-13 a8 .19165010E-18 a10 .72450584E-23 鏡面46 -.16368743E-02 -.12854646E-06 .30912426E-10 -.10396790E-13 -.32498962E-19 鏡面47 .83541463E-03 .48507724E-09 .15329580E-14 .14921406E-20 -.18684709E-19 19- 本紙張尺度通用中國國家搮準（CNS > A4規格（210X297公釐）
J 4 5 1 Ο 6 9 Β7 五、發明説明（17 ) 鏡面48 鏡面49 鏡面51 a2 .16845352E-02 14323799E-02 .11159048E-03 .23195186E-07 .30343413E-08 .22374106E-07 .78265313E-12 .16088246E-13 -.68284347E-12 a8 .2373915 IE-15 .67375506E-20 .62784889E-16 ai〇 .31035106E-19 .48265639E-23 -.55338799E-20 圖4目標平面1與成像平面2之間距離12大約為1029 毫米β EUV微影投影裝置可用於1C之製造，亦可用於例如液 晶顯示面板、積體或平面形光學系統、磁頭及用於磁域記 憶體之引導檢測圖案。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準扃貝工消t合作杜印装 -20- 本紙伕尺度適用中國困家搮準（CMS ) A4規格（210X 297公釐>

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 451069 々、申請專利範圍 1二鹿用於投影裝置之投影m餘， 1科·.用一 EUU束將二』_j票平面中之一本？鬥肀 ' 斤― 在一成像平面j之一基，該系統具右—肀勒产叶— 形-状疋目標場及一埽听i段形狀之成傻埸，立祛傲产_ 該系統之具有反成傻鐃而釤。 2. 如申請專利範圍第丨項之投影鏡系統，其特徵在系統具 有0.20之一數值孔徑及0 25之倍率M。 3. 如申請專利範圍第丨項之投影鏡系統，其特徵在系統自 目標平面至成像平面依序包含—凹狀第—鏡面、一凸狀 第二鏡面、一凹狀第三鏡面、一凸狀第四鏡面及一凹狀 第五鏡面，且目標平面位於第二、五鏡面之間a 4. 如申請專利範圍第1項之投影鏡系統，其特徵在系統係 在成像側之遠方中心。 5. 如申請專利範圍第丨項之投影鏡系統’其特徵在光暗後 位於第一、二成像鏡面之間。 6. 如申4專利範圍罘1項之投影鏡系統，其特徵在所有成 像鏡面.皆具有非球面。 7. 如申請專利範圍1丨_盖—6項中任一項之投影鏡系統，其特 徵在目標平面係位於第二、五成像鏡面之間，及用於一 反射性遮光罩與其基座之空間係預留於諸鏡面之間。 8. 如申請專利範圍第丨至6項中任一項之投影鏡系統’其特 徵在一平面鏡面設置於第一、二成像鏡面之間，及目標 平面係位於投影系統外側。 9. 如申請專利範圍第8項之投影鏡系統，其特徵在平面鏡 -21 - 本紙張尺度逋用中國國家糅隼（CNS ) Α4«Λ· ( 210X297公羡） (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁> r 訂 經濟部中央樣嗥局負工消費合作社印製 經濟部辛央揉率局f工消费合作社印装 AS '451069 ll __ D8__—— 六、申請專利範圍 面具有一類球狀校正表面。 ίο. —種用於將一存在於遮光罩内之遮光罩圖案以步進掃描 方式成像至一基材之多數區域上之微影裝置，該裝置包 含一備有一 EUV光源之見射單元、一容置一遮光軍之遮 光罩基座、一容置一基材之基材基座、及一投影系統， 其特徵在投影系統包含一如申請專利範圍另】至6項申# 一項之投影鐃系統》 -22- 本紙張尺度適用中《«家梯率(〇郇）八4現格（210><：297公釐） (请先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)
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