TW445704B - Second harmonic terminations for high efficiency radio frequency dual-band power amplifier - Google Patents
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Description
445704 五、發明說明(1) 發明背景 1. 發明領域 本發明是有關雙頻射頻功率放大器電路,尤其是有關於高 效率射頻功率放大器具有一開關電路,可在雙頻操作中之 每一個頻段之二階諧波產生低阻抗,以達到高效率目的。 2. 相關技術描述 在可攜式無通訊系統中為了增加通訊時間而對高效率功率 放大器有強烈的需求’針對高效率功率放大器,F類功率 放大器是最普遍的設計,該設計是在電晶體輸出端(汲極或 集極)之偶數諧波阻抗設成短路(低阻抗)以及其奇數諧波 阻抗設成斷路(高阻抗),如此可以使輸出電壓波形接近方 波而降低輸出電流與輸出電壓同時出現的時間,進而減少 所造成的損耗,提高效率.然而在D. M. Snider, "A theoretical analysis and experimental confirmation of the optimally loaded and overdriven RF power amplifier," IEEE Tran. Electron Devices, Vol. ED-14,pp, 851 -857, Dec. 1 96 7所提之諧波,諳波阻抗 仍然是零,但奇數諧波阻抗不再是無限大了。另外為人熟 知的是在所有諧波中,第二階諧波終止的影響對功率放大 器的效率提升上是最明顯的。再者,除了在電晶體輸出端 外’電晶體輸入端的二階諧波終止在某些情況下也可以大 為提升整個功率放大器的效率,如p. M. White, "Effect of input harmonic terminations on high efficiency
韌§7 Μ 五、發明說明(2) class-B and class-F operation of PHEMT devices,” IEEE MTT-S Dig., pp. 161卜1614, 1998及US Patent
No. 5’592, 122中所提及。因此,在高效率功率放大器設計 上’適當的二階諧波終止是最重要的。 圖一所示為傳統的單頻段高效率電路圖,二階错波共 振器1在第二階諧波頻段提供零阻抗短路,輸入與輸出主 頻段匹配電路2, 3則分別提供電晶體4在主頻段上所需之輸 入與輸出阻抗’然而在GSM等之雙頻系統中,手機之雙頻 操作已是不可避免的趨勢,而圖一之傳統高效率功率放大 器並不能應用於雙頻操作。雖然結合兩個各操作在單一頻 段之單頻功率放大器可以使用在雙頻操作,然而單一個雙 頻功率放大器則具有立即降低成本與尺寸的優點。另外, 在雙頻GSM系統裏,蜂巢(Cellular)頻段(900 MHz附近)之 二階諧波落在個人通訊系統(PCS)頻段的主頻段内 ( 1 800MHz附近),換言之’一個GSM雙頻功率放大器必須在 CelUl ar頻段操作時,於1 8 00MHz附近提供電晶體輸出端/ 輸入端低阻抗之二階諧波終止,並在PCS頻段操作時,也於 1800 MHz附近提供所需之匹配阻抗以及於3 600 MHz附近提供 低阻抗之二階諧波終止。因此,在設計上就必需一個具有 雙頻操作能力的單一功率放大器以克服之前技術的問題。 發明概述 根據以上所述,本發明之目的乃在發展一雙頻應用之
‘ -445 7 Q4 五、發明說明(3) ' " 一 -- 高效率射頻功率放大器根據本發明所提供之高效率雙頻 射頻功率放大器,其包括(1) 一個功率電晶體具有一個輸 出端和輸入端;(2) —個連接到該功率電晶體輪入端之雙 頻輸入阻抗匹配電路,以提供該功率電晶體在兩個所需主 頻段裏之輸入阻抗匹配;(3 ) —個連接到該功率電晶體輪 出端之雙頻輸出阻抗匹配電路’以提供該功率電晶體在兩 個所需主頻段裏之輸出阻抗匹配;以及(4) 一個聯合的雙 頻偏壓電路與二階諧波終止電路,連接到該功率電晶體輸 出& /輪入端,以提供在雙頻操作中每一個頻段之.主頻段 的射頻阻塞與一階譜波頻段的低阻抗,該聯合的雙頻偏麼 電路與二階諧波終止電路可以包含一個頻段選擇電壓端點 以接受頻段選擇電壓.雙頻輪入阻抗匹配電路可以由單路 經之被動式雙頻網路組成,也可以由雙路徑之雙工器或開 關電路構成以提供雙頻操作中兩個主頻段之輸入阻抗匹 配•雙頻輸出阻抗匹配電路可以由單路徑之被動式雙頻網 路組成’也可以由雙路徑之雙工器或開關電路構成以提供 雙頻4呆作中兩個主頻段之輸出阻抗四配β 該聯合的雙頻偏壓電路與二階諧波終止電路可以包括 (a) —個偏壓電路,組成元件為:一條傳輸線與一個旁路電 容;傳輪線之長度約為1/20之主頻段波長,其第一個端點 連接至第一個偏壓端點以及旁路電容,第二個端點則連接 至功率電晶體的輸出端;(b)~個連接至偏壓電路的二階 謂波終止電路,組成元件為:一個由電容與一個電感串接 而成的第一個串聯共振電路’其第一個端點連接至功率電
4457 04 五、發明說明(4) —— 晶體的輸出端而第二個端點則接地,一個由一個電容與一 個電感串接而成的第二個串聯共振電路,其第一個端點連 接至功率電晶體的輸出端,一個開關其第一個端點連接至 第二個串聯共振電路之第二個端點而開關之第二個端點則 接地’一個偏壓電阻連接至開關之第一個端點以及第二個 偏壓端點以提供一頻段選擇電壓,使得該開關能從第二個 偏壓端點經由偏壓電阻接收頻段選擇電壓(Vb)·該開關可 以是一個二極體,具有一個陽極與陰極,其中陰極接到 地’陽極則連接至偏壓電阻以接收來自第二個偏壓端點 頻段選擇電壓(Vb)。 此聯合的雙頻偏壓電路與二階諧波終止電路另外也可 以包括(a) —個偏壓電路’包含一條傳輸線與一個旁路電 谷’此傳輸線長約較低頻段其主頻段之四分之一波長,其 第一個端點連接至第一個偏壓端點與該旁路電容,第二個 端點則連接至功率電晶體的輸出端;(b ) —個二階譜波終 止電路包含:一個第一個直流阻隔電容其第一個端點連接 至傳輸線之第一個端點;一個二極體實質上為了切換經 該傳輸線之低頻段通道與高頻段通道,此二極體的陰極 接至第一個直流阻隔電容的第二個端點,一個第二個 阻隔電容其中一個端點連接至該二極體的陽極,另一诚 點則耦合到該傳輸線的内部端點,使得内部端點距 的第二個端點長約較高頻段其主頻段之四分之一波翰= 個偏壓電阻j第-個端點連接至該二極體的陽極 端點連接至第二個偏壓端點以提供頻段選擇電壓’以
第7頁 4457 04 五、發明說明(5) 個射頻阻塞電感其第一個端點連接至該二極體的陰極而第 二個端點則接地以提供直流迴路〇 再者,此聯合的雙頻偏壓電路與二階諧波終止電路也 可以包括:(a) —個偏壓電路包含一條傳輸線與一個旁路 電容,此傳輸線長度較主頻段之四分之一波長還短,其第 一個端點連接至第一個偏壓端點與該旁路電容,第二個端 點則連接至功率電晶體的輸出端;(b) 一個二階諧波終止 電路包含:一個由一個電容、一個電感與一個變容器串接 而成的串聯共振器,其第一個端點連接至功率電晶體的輸 出端,第二個端點則接地,以及一個射頻阻塞電感其第一 個端點連接至該串聯共振器之變容器與電感,而第二個端 點則連接至第二個偏壓端點以提供頻段選擇電壓。 m根據本發明進一步所提供之高效率雙頻射頻功率放大 =,其包括:(1) 一個功率電晶體具有一個輸出端和輸入 端,(2) —個連接到該功率電晶體輪入端之雙頻輪入阻抗 T配電路’以提供該功率電晶體在兩個所需主頻段裏之輸 阻抗匹配;(3) —個連接到該功率電晶體輸出端之雙頻 阻抗匹配電路,以提供該功率電晶體在兩個所需主頻 =裏之輪出阻抗匹配;以及(4) 一個雙頻二階諧波終止電 連接到該功率電晶體輸出端/輸入端,以提供在雙頻 ς乍中每一個頻段之二階諧波頻段的低阻抗,該雙頻二階 終止電路可以包含一個頻段選擇電壓端點以接受頻段 ^2 電壓’雙頻輸入阻抗匹配電路可以由單路徑之被動式 頻網路組成,也可以由雙路徑之雙工器或開關電路構成
4467 04 五、發明酬⑹ ' — 以提供雙頻操作中兩個主頻段之輸入阻抗匹配’ 阻抗匹配電路可以由單路徑之被動式雙頻網路组,出 以由雙路徑之雙工器或開關電路構成以提供雙頻操=可 個主頻段之輸出阻抗匹配。 r兩 此雙頻二階諧波終止電路可以包含(a) 一個由— 容、-個電感與-個變容器串接而成的串聯共振器,发電 一個端點連接至功率電晶體的輸出端,第二個端點則接第 地,以及(b)—個射頻阻塞電感其第一個端點連接至該 聯共振器之變容器與電感,而第二個端點則連接至個串 壓端點以接收頻段選擇電壓。 m 此雙頻二階諧波終止電路另外也可以包含:(a)第一 f傳輸線與第二條傳輸線,該第一條傳輪線長約較高頻段 二主頻段之八分之一波長;(b) 一個直流阻隔電容其第— =端點連接至功率電晶體的輪出端而第二個端點則連接至 =一條傳輸線之第一個端點;(c) 一個二極體實質上提供 條傳輸線與第二條傳輪線之間的切換功能,此二極體 =陽極連接至第一條傳輸線之第二個端點並且經由一個偏 ,電阻連接至一個偏壓端點以接收頻段選擇電壓,其陰極 則連接至第二條傳輪線之第一個端點,第二條傳輸線的第 :個端點則為斷路;以及(d) 一個射頻阻塞電感其第一個 2連接至該二極體的陰極而第二個端點則接地,第二條 II線與第一條傳輸線的長度加起來共約較低頻段其主頻 段之八分之一波長。 再者’此雙頻二階諧波終止電路也可以包含:(a) 一
第9頁 4 45 7 0,4 五、發明說明(7) 個由一條傳輸線與一個電容所組成的串聯共振器,傳输漆 的第一、二個端點分別連接至電容的第一個端點與地,得 輸線長度短於較低頻段其主頻段之四分之一波長,電容的 第二個端點則連接至功率電晶體的輸出端;(b)—個二榉 體實質上提供經由該傳輸線之低頻段通道與高頻段通遒么 切換功能’此二極體的陰極耦合到該傳輸線的一個内部端 點;以及(c) 一個直流阻隔電容其中一端連接至傳輸線的 第一個端點’另一端則連接至該二極體的陽極並經由一個 偏壓電阻連接至一個偏壓端點以接收頻段選擇電壓(Vb )。 圖式簡單說明 圖1所示為傳統高效率射頻功率放大器之一架構範例。 ,2A與2B分別顯示根據本發明之雙頻射頻高效率功率放大 器之第一種與第二種實施例。 圖3所示為圖2A中射頻阻塞電路與二階諧波終止電路之一 種實施例〇 圖4所7F為圖2A中射頻阻塞電路與二階諧波終止電路之另 一種實施例。 圖5所不為圖2A中射頻阻塞電路與二階諧波終止電路之其 他一種實施例。 圖6所示為圖2B中二階諧波終止電路之一種實施例。 圖7所不為圖2B中二階諧波終止電路之另一種實施例。 圖8所不為圖2B中二階諧波終止電路之其他一種實施例。
第10頁 ' 445 7 Ο 4 五、發明說明(8) ' --------- 本發明詳細敘述 2儿之01 :⑼顯示本發明之兩種基本的電路架構圖,圓 :雙頻功率放大器包括一個切換式 終止電路與制贿阳堂命妨r 叉頭一丨g咕疚 一個離相射頻塞電a ,而圖2B之功率放大器僅提供 雙頻—階諧波終止電路5b,在兩種實施例中,一個控 太2 fVb提供選擇那—個頻段所需之電壓,應該注意的是 本發月所揭示的雖然是雙頻系統的實施例,三頻或多頻系 統的實施也包含類似的結構與作用。 ’、 功率電晶體6可以是一個場效電晶體(FET)或是雙極接 合電晶體(BJT)。雙頻主頻段匹配電路7、8提供單路徑之 被動式雙頻匹配電路,或者是雙路徑的雙工器或主動式開 關.5a、5b中之雙頻二階諧波終止電路可以由各類包括開 關或變容器之共振器所構成,再透過外部的控制電壓來選 擇不同的操作頻段,為了高效率,此雙頻二階諧波終止電 路可依不同設計安排在電晶體的輸出端或輸入端或兩者。 根據本發明,一些雙頻二階諧波終止電路僅提供在二階諧 波的低阻抗(如圖2B),而其他(如圖2A)則可額外提供在主 頻段的南阻抗當作偏壓電路裏的射頻阻塞電路。 本發明之第一種實施例包含—雙頻操作的射頻阻塞電 路與二階諧波終止電路5 a ’而第二種實施例則僅提供雙頻 二階諧波終止電路5 b。圖3到圖5代表本發明第一種實施例 (如圖2A)中之各種實施電路’圖6到圖8則代表本發明第二
4457 0 4 五、發明說明(9) 種實施例(如圖2B)中之各種實施電路。 圖三所示為根據本發明第一種實施例之一個雙頻射頻 功率放大器電路,此功率放大器包括一個FET 6,一個連 接至FET 6輸入端之雙頻輸入阻抗匹配電路7,以及一個連 接至FET 6輸出端之雙頻輪出阻抗匹配電路8。 電路5a的作用是偏壓電路兼二階諧波終止電路該偏壓電 路由傳輸線9耦合至旁路電容1 〇所組成,而該二^諸波終 止電路則包含電感11、12 ,電容13、14以及為了雙頻操作 所用之開關1 5 ,此開關1 5可用一個p i n二極體(如圖所示) 或是任何形式之開關元件來實現,二極體15之陰極接地, 一個偏壓電阻16放在二極體15之陽極與頻段選擇電壓(vb) 端之間,一個射頻阻塞電路可以取代偏壓電阻丨6。 在較低頻段時,當頻段選擇電壓Vb經由偏壓電阻16加 ^Pin二極體15之陽極上,pin二極體15即導通此時電感 相電容14與導通之二極體15形成一串聯共振器以提供較 段It的二階諧波2fL之低阻抗。此外,由傳輸線9、電 λ. : 14與電感11、12以及導通之二極體15所組成的 葬共振器,在汲極端形成一主頻段沉内之高阻抗如此 可不影響由輸出匹配電路8所決定的負載阻抗。 當消除頻段選擇電壓Vb或使為零時,p i η二極體1 5即 關閉之狀態,此時等效上使串聯共振器12、14與FET 6 開。因此在較高頻段fH時,由電感^與電容13所組成之 聯共振器可提供在二階諧波2 fH之低阻抗,相同地,傳 别線9、電容10、13與電感11在汲極端形成一主頻段fH内
445704 五、發明說明(ίο) ---- 之高阻抗,有如一個偏壓電路裏的射頻阻塞電路。實際 上,電感11、12可以是集總式或是傳輸線式。傳輪線9的 長度是由元件11、1 2、1 3、1 4的值所決定,一般約為低 段f L的二十分之一波長。 _ 圖四乃描述根據本發明第一種實施例之另一個雙頻 頻功率放大器電路’傳輸線17之一内部端點隔著一個 二極體18連接至汲極(或集極)的偏壓端點。此雙頻功率放 大器的操作頻段是由二極體1 8的導通或關閉狀態所決定, 該二極體由一經由偏壓電阻19加到本身的頻段選擇電壓几 所控制’而接地的電感2 0則提供直流迴路,一個射頻阻塞 電路可以取代偏壓電阻19、電容21、22用作直流阻隔。當 消除頻段選擇電壓Vb或使為零時,pin二極體1 8即在關閉 之狀態,此時大致將電路5a簡化成僅剩傳輸線1 7與旁路電 容1 0。如果將該傳輸線的長度設計成約為低頻段fL的四分 之一波長時,則電路5a將在.主頻段fL提供高阻抗,在二階 諧波2fL提供低阻抗.反之,當頻段選擇電壓Vb經由偏壓電 阻19加到pin二極體18之陽極上,二極體即導通,此時電 路5a將等效成一長度約為1H之傳輸線17與旁路電容1〇 ^如 果將該傳輸線的長度設計成約為高頻段;fH的四分之一波長 時’則電路5 a將在主頻段f Η提供高阻抗,在二階諧波2 f Η 提供低阻抗,實際的1Η長度仍取決於電容21、22與pi η二 極體18。除此,額外的電感也可以加到電容21、22與二極 體1 8之間以降低所需之電容值。 圖五所示仍為本發明第一種實施例·之另一個雙頻射頻
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功率放大器電路,除了圖三 谷1§24取代外’圖五電路5a 圖中電容24、25與電感26組 諧波時提供低阻抗,同時再 成一個並聯共振器,可在主 是集總式或是傳輸線式,當 擇電壓Vb予變容器24,可以 定適當的Vb值可以使電路5a 率愈高,則變容器24所需的 所示之高效率功率放大器也 圖六所示為根據本發明第二 放大器電路,功率電晶體的 的Pin二極體15被電壓控制變 的作用類似於圖三之電路5a, 成一個串聯共振器,可在二階 與傳輸線9以及旁路電容1〇組 頻段提供高阻抗,電感2 6可以 經由電感2 7提供不同的頻段選 產生不同的電容值,所以,設 在不同的頻段下工作,操作頻 電容值愈低’另一方面,圖五 可以工作在多頻段的應用。 種實施例之一個雙頻射頻功率 没極端是經由射頻阻塞電感28 與旁路電容10來偏壓’電路5b之功能乃提供雙頻二階|皆波 終止’相似於圖五之描述,圖六裏之電路51)為一個由電容 29、變容器30與電感31所組成之串聯共振器,可在二階諧 波時提供低阻抗。電感3 1可以是集總式或是傳輸線式,針 對所需的振盪頻率,可選擇所需的頻段選擇電壓Vb予變容 器30以產生適當的電容值。同樣地,圖六所示之高效率功 率放大器也可以工作在多頻段的應用。 圖七所示為本發明第二種實施例之另一個雙頻射頻功 率放大器電路,一個pin二極體33連接於傳輪線34與35之 間’此二極體的偏壓是由外部的頻段選擇電壓Vb透過偏壓 電阻36加到二極體的陽極上,而電感37連接至陰極提供直 流迴路,一個射頻阻塞電路可以取代偏壓電阻36,當頻段
第14頁 445 7 04 五、發明説明(12) 選擇電壓Vb加到pin二極體33之陽極時,二極體即導通, 此時電路5 b大致上將轉變成一長度約為ι1 + 12之斷路傳輸 線與直流阻隔電容3 8 ^如果將傳輸線的長度U + 1 2設計成 約為低頻段f L的八分之一波長時’則電路5b將在電晶體輸 出端於二階諧波2fL提供低阻抗》反之,當消除頻段選擇 電壓V b或使為零時’二極體3 3即在關閉之狀態,此時,傳 輸線35將與傳輸線34絕緣而導致電路5b等效上轉變成一長 度為11之斷路傳輸線與直流阻隔電容38。如果將傳輸線的 長度11設計成約為高頻段fH的八分之一波長時,則電路5b 將在汲極端於二階諧波2 f Η提供低阻抗,實際的11與1 2長 度仍然受p i η二極體3 3所影響。 圖八所示仍為本發明第二種實施例之另一個雙頻射頻 功率放大器電路,電路5b裏的傳輸線39之一端接地,另一 端則連接至電容40後再接到電晶體6的汲極端,傳輸線39 與電容40的接點也與一直流阻隔電容4丨和“^二極體42相 接’然後再接到傳輸線3 9之一内部端點,二極體4 2是一經 由偏愿電阻43加到本身的頻段選擇電壓vb來偏壓,一個射 頻阻塞電路可以取代偏壓電阻43,當消除頻段選擇電壓vb 或使為零時’二極體4 2即在關閉之狀態,此時電路5 b大致 上將轉變成一個由傳輸線39與電容40組成之串聯共振器, 如果將傳輸線39的長度與電容40設計成使其在低頻段fL之 二階讀波2fL時共振,則電路5a將在汲極端於二階諧波2fL 提供低阻抗°反之,當頻段選擇電壓Vb經由偏壓電阻4 3加 到二極體4 2之陽極上,二極體即導通,此時電路5b仍是由
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傳輸線39與電容4〇所組成之串聯共振器,但是傳輸線⑼之 等效長度大約將減短成丨!!。事實上,傳輸線39之等效長度 也党電容41與pin二極體42所影響。因為傳輸線39之等效 長度小於本身實際長度,則串聯共振器之共振頻率將比在 一極體42關閉狀態時還高。結果電路5b可提供雙頻二階諧 波終止電路。 雖然本發明已經利用所附加之圖例加以清楚地說明, 然而任何對此技術熟悉者應能瞭解,本發明各實施例中之 許多修改、替換以及重組都沒有背離本發明之新穎精神與 範疇。·#如說,其他非二極體之開關也可能用在本發明實 施例中,電晶體可以是BJT或FET,以及偏壓電阻可以為射 頻阻塞電路所取代等。再者,雖然本發明圖例描述乃將偏 廢電路與一 1¾拍波終止電路連接至功率電晶體的輸出端, 而將其接至電晶體的輸入端也是可行的。
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Claims (1)
- 4457〇4六、申請專利範圍 t 一種高效率雙頻射頻功率放大器,係包含: 個力率電晶體,具有一輸出端和輪入端; 力率電晶體輸入端之雙頻輸入阻抗匹配電 阻抗2 功率電晶體在兩個所需的主頻段裏之輸入 :個=所述功率電晶體輸出端之雙頻輸出阻抗匹配電 阻抗匹配;以及 頭杈表之輸出 的雙頻偏愿電路與二階諧波終止電 晶艘之輸出端或輸入端或者兩端,以提供在雙: 個頻段之主頻段的射頻阻隔與二階譜波 2率放如;Λ請專//園第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 所述雙頻偏壓電路與二階諧波終止電路之 操作疋由一個頻段選擇電壓所控制。 t广申請專利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器,其中所述雙頻輸入阻抗匹配電路由一被動式雙 頻網路組成。 很動式雙 4.,如申明專利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器,其中所述雙頻輸入阻抗匹配電路由一個兩路徑 之雙工器或開關電路構成,以提供雙頻操作中的兩個主頻 段之輸入阻抗匹配。 5.如申請專利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器’其中所述雙頻輸出阻抗匹配電路由一被動式雙第17頁 ” 445 ,, 445704 六、申請專利範圍 頻網路組成。 6. 如申請專利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器’其中所述雙頻輸出阻抗匹配電路由一個兩路徑 之雙工器或開關電路構成以提供雙頻操作中的兩個主頻段 之輸出阻抗匹配。 7. 如申請專利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器’其中所述聯合的雙頻偏壓電路與二階譜波終止 電路,係包含: (a ) —個偏壓電路,係包含: 一條傳輸線與一個旁路電容,所述傳輸線之長度約為丨/2〇 之主頻段波長’所述傳輸線之第一個端點連接至第一個偏 壓端點以及所述旁路電容,所述傳輸線之第二個端點則連 接至所述功率電晶體的輸出端;以及 (b) —個連接至所述偏壓電路的二階諧波終止電路,其組 成元件為 —個由一個電容與一個電感串接而成的第一個串聯共振電 路,所述第一個串聯共振電路之第一個端點連接至所述功 率電晶體的輸出端而第二個端點則接地; —個由一個電容與一個電感串接而成的第二個串聯共振電 路,所述第二個串聯共振電路之第一個端點連接至所述功 率電晶體的輸出端; 一個開關其第一個端點連接至所述第二個串聯共振電路之 第二個端點,所述開關之第二個端點則接地; —個偏壓電阻連接至所述開關之第一個端點以及第二個偏445704 六、申請專利範圍 壓端點以提供頻段選擇電壓,使得所述開關能從所述第二 個偏壓端點經由所述偏壓電阻接收頻段選擇電壓(Vb)。 8. 如申請專利範園第七項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器,其中所述開關是一個二極體,具有一個陽極與 陰極,所述二極體之陰極接到地,以及所述二極體之陽極 連接至所述偏壓電阻以接收來自所述第二個偏壓端點的頻 段選擇電壓(Vb)。 9. 如申請專利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 率放大器,其中所述聯合的雙頻偏壓電路與二階諧波終止 電路,係包含: (a) _個偏壓電路,包含: 一條傳輸線與一個旁路電容,所述傳輸線長度約為較低 頻段其主頻段之四分之一波長’所述傳輸線之第一個端 點連接至第一個偏壓端點與所述旁路電容,所述傳輸線 之第二個端點連接至所述功率電晶體的輸出端;以及 (b) —個二階諧波終止電路,包含: 一個第一個直流阻隔電容,其第一個端點連接至所述傳 輪線之第一個端點,一個二極體實質上為了切換經由所 述傳輸線之低頻段通道與高頻段通道,所述二極體的陰 極連接至所述第一個直流阻隔電容的第二個端點; 一個第二個直流阻隔電容其中一個端點連接至所述二極 體的陽極,另一個端點則耦合到所述傳輸線的内部端 點,使得内部端點距所述傳輸線的第二個端點長約較高 頻段其主頻段之四分之一波長;第19頁 申請專利範圍 ^個”電阻其第一個端點連接至所述二極體的陽極而 -固端點連接至第二個偏壓端點以提供頻段選擇電 !,以及 頻阻塞電感其第一個端點連接至所述二極體的陰 極而第二個端點則接地以提供直流迴路。 2放Π請Λ利範圍第一項所述之一種高效率雙頻射頻功 電路,係包含: η雙領偏麗電路與二階猎波終止 (a) 一個偏壓電路,包含: 輸線與-個旁路電容,所述傳輸線長度較主頻段 ^一個偏壓端點與所述旁路電容,所述傳輸線之J二個 端點則連接至所述功率電晶體的輸出端;以及 (b) —個二階諧波終止電路,係包含: 個電容、—個電感與—個變容器串接而成的串 =振器,所述串聯共振器之第―個端點連接至所述功 率電晶體的輸出端,而第二個端點則接地;以及 一,射頻阻塞電感其一端連接至所述串聯共振器之所述 變谷器與所述電感,而另一端則連接至 以提供頻段選擇電壓。 调偏澄端點 11. 一種高效率雙頻射頻功率放大器,係包含: 一個功率電晶體,具有一輸出端和輸入端; -個連接到所ϋ功率電晶體輸入端t雙頻冑入阻抗 路,以提供所述功率電晶體在兩個所需的主頻段裏之輸入445 7 Ο 4 六、申請專利範圍 阻抗匹配; 一個連接到所述功率電晶 路,以提供所述功率電晶 阻抗匹配;以及 一個雙頻二階諧波終止電 出端或輸入端或者兩端, 之—階谐波頻段的低阻抗 1 2.如申請專利範圍第十 功率放大器,其中所述雙 一個頻段選擇電壓所控制 13.如申請專利範圍第十 功率放大器’其中所述雙 雙頻網路組成》 1 4,如申請專利範圍第十 功率放大器,其中所述雙 徑之雙工器或開關電路構 頻段之輸入阻抗匹配。 15.如申請專利範圍第十 功率放大器’其中所述雙 雙頻網路組成。 1 6..如申清專利範圍第十 功率放大器’其中所述雙 技之雙工器或開關電路構 頻段之輸出阻抗匹配, 體輸出端之雙頻輸出 體在兩個所需的主頻 阻抗匹配電 段裏之輸出 路,連接至所述功率電晶體之輸 以提供在雙頻操作中每一個頻段 —項所述之一種高效 頻一階諸波終止電路 〇 一項所述之一種高效 頻輸入阻抗匹配電路由一被動式 項所述之一種高效率雙頻射頻 率雙頻射頻 之操作是由 率雙頻射頻 頻輸入阻抗匹配電路 成,以提供雙頻操作 一項所述之一種高效 頻輸出阻抗匹配電路 項所述之一種高效 頻輸出阻抗匹配電路 成,以提供雙頻操作 由一個兩路 中的兩個主 率雙頻射頻 由一被動式 率雙頻射頻 由一個兩路 中的兩個主 4457〇41 功7·率圍第十一項所述之一種高效率雙頻射頻 功率放大器,其中所述雙頻二階諧波終止電路,勺 一個由一個電容,一個電感與一個變容器串接而成的%聯 共振器,所述串聯共振器之第一個端點連接至所述功 晶體的輸出端,而第二個端點則接地,與—個射頻阻塞 感其一端連接至所述串聯共振器之所述變容器與所述電感 之接點,而另一端則連接至一個偏壓端點以接^頻段選擇 18.如申請專利範圍第十一項所述之一種高效率雙頻射頻 功率放大器’其中所述雙頻二階諧波終止電路,係包含: 第一條傳輸線與第二條傳輸線,所述第一條傳輸線長約 較高頻段其主頻段之八分之一波長; 一個直流阻隔電容,其一端連接至所述功率電晶體的輸出 端而另一端則連接至所述第一條傳輸線之第一個端點; 一個二極體’實質上提供所述第一條傳輸線與所述第二條 傳輸線之間的切換功能,所述二極體的陽極連接至所述第 一條傳輸線之第二個端點並經由一個偏壓電阻連接炱一個 偏壓端點以接收頻段選擇電壓’所述二極體的陰極速接至 所述第二條傳輸線之第一個端點,所述第二條傳輸線的第 二個端點則為斷路,所述第二條傳輸線與所述第一條傳輸 線的長度加起來共約較低頻段其主頻段之八分之一波長; 以及 一個射頻阻塞電感其第一個端點連接至所述二極體之所述 陰極而第二個端點則接地。第22頁 4457 ΟΛ 六、申請專利範園 —— —^ 19如中請專利範圍第十—項所述之—種高效率雙頻射頻 功率放大器,其中所述雙頻二階諧波終止電路,係包含: 一個由一條傳輸線與一個電容所組成的串聯共振器,所述 傳輸線的第一個端點連接至所述電容的第.一個端點而所述 傳輸線的第二個端點則接地,所述傳輸線長度短於較低頻 段其主頻段之四分之一波長,所述電容的第二個端點連接 至所述功率電晶體的輸出端; 一個二極體,實質上提供經由所述傳輪線之低頻段通道與 高頻段通道之切換功能,所述二極體的陰極耦合到所述傳 輸線的一個内部端點;以及 一個直流陴隔電容’其一端連接至所述傳輸線的第一個端 點,另一踹則連接至所述二極體的陽極並經由一個偏壓電 阻連接至,個偏壓端點以接收頻段選擇電壓(Vb)。
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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TW445704B true TW445704B (en) | 2001-07-11 |
Family
ID=23895862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TW089105204A TW445704B (en) | 2000-01-04 | 2000-03-22 | Second harmonic terminations for high efficiency radio frequency dual-band power amplifier |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US6236274B1 (zh) |
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US6236274B1 (en) | 2001-05-22 |
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