TW445396B - Resin for chemically amplified resist - Google Patents

Description

44539 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（） 發明领嫿： 本發明係關於一種適用於化學性放大光阻的樹脂聚 合物及含該樹脂之组成物。更明確的來說’本發明係關於 一種可應用在光阻組成物的新穎樹脂’因該新穎樹脂對深 紫外線的敏感性，因此可於微影成像製程中 (photolithography process)於晶片上形成一微細圖案，並 可用於相關光阻組成物。 發明背景： 在半導體元件製程中，微影成像係一種製造電路的製 祆，其係藉由在基材上塗覆一層光阻，將預先設計好的圖 案照光以便轉錄出該圖案’並依所轉錄出的圖案來蝕刻基 材以製造出電路。 該微影成像製程至少包括下列： a) —塗覆程序，其係將均勾分散的光阻组成物塗覆 在晶片基材上； b) —敕烘烤程序，其係藉由將薄膜上的溶劑揮發而 將光阻薄膜黏附在晶片上： c) 一曝光程序，其係將光阻薄膜曝露於諸如紫外線 的光源下，以便將光罩中的電路圖案刻劃至光阻 上； d) —顯影程序，其係選擇性的去除部分的薄膜該 被去除部分係因曝露在顯影劑中而導致其物理性 質（比如溶解度）改變； 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2^7^j§f5 ' ______ _ _ _ H _ .1 n 1— 1 ______丁 4 i (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 445 39 6 A 7 B7 五、發明説明（ e) —硬烘烤程序，其係使顯影後留. 田也基材上之光诅 層硬化； 嗣圖案具有欲 f) 一蝕刻程序，其係可使基材上的印 求的電子特性： g) —去光阻程序’其係可去除蚀刻後留在基材上不 需要的光阻。 已知積體電路之積體化程度大致來姆〜 ^ 倍 t 4母三年增加四 在動態隨機儲存記憶體（DRAM )方品， ^ 々面64百萬位元 DRAM已在量產階段’而十億位元DiUM 、找兑 <發展已經開 始。傳統1 6百萬位元DRAM技術中所用蚱含， n 〗踝寬小於0.5微 米，64百萬位元DRAM技術中所用線貧， 凡」、於0.3微米，而 +億位元DRAM要求發展出可於微影成傻制 吨像製程解析度優 於四分之一微米之光阻组成物。 傳統光阻組成物無法符合上述要求， 1¾為其系統在 300奈米以下有高吸收性，且當曝露於3〇〇吞土，+一 V赞米以下I短 波時其圖案輪廓迅速劣化。因此，有必要研發_性而 能形成陡峭圖案輪廓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 要在基材上形成上述圖案，一步進且重覆型之步進對 準機被用來做曝光工具。此曝光工具依照所用光源分類， 例如汞燈之G譜線（波長4 3 6奈米）或I譜線（波長3 6 5 奈米）及準分子雷射之KrF線（波長248奈米）或ArF線 (波長1 93奈米）。欲在晶片上形成微細圖案，解析度必 需要小，且使用短波長光線有根本上之優點依照下列方程 式1 : 第5頁 i張尺度適用中國國家標準（d) A4規格（210X 297公釐） 4 4539 6 Α7 Β7 五、發明説明（） [方程式1 ] R = κλ / ΝΑ 此處R為理論解析值 κ為一常數 λ為所用光源之波長（以奈米計），而 ΝΑ為透鏡之數值孔徑 要達到優於四分之一微米以下之高解析度，需提高微 影成像製程之解析能力。使用更短波長光線為光源並增加 曝光工具光學透鏡之孔徑。 因此，使用準分子雷射之KrF線及ArF線達成高解析 度之光阻組成物已可於市面購得，且主要為化學性放大光 阻。 一化學性放大光阻對深紫外線（UV )反應而產生酸， 此產生之酸除去了酸不穩定保護基團並再產生酸。此化學 性放大之概念由此酸反應而引入。 此化學性放大光阻分類為負光阻及正光阻。 文獻中已有關於負光阻的討論（J〇ur’ Vacuum Science Technolgy，Vol. B6,1988)，該負光阻含有一驗可溶的結 合樹脂，一交鏈劑，一酸產生劑以及一作為主成份之溶 劑s此類光阻以旋轉上膜方式形成光阻膜，光阻膜隨後經 過軟烤及光罩曝光，且通常只有被曝光部份產生酸。經由 曝光後之熱處理，酸產生劑釋放出酸’啟動交鏈反應劑， 使結合樹脂成為不可溶。於顯影後形成負圖案。 上述之化學性放大作用中’由酸產生劑所釋放之酸參 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（2丨〇乂29?公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ". -* 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 44539 6 ___B7____ 五、發明説明（） (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 與璀化啟動大量交鏈反應劑，因此達到高敏感度。此外由 於其吸收性較傳統光阻為低，亦可達成高解析度。再者， 一如傳統光阻，笨酚樹脂也可用於結合樹脂，其亦具有能 承受隨後乾蝕刻步驟之優點=負化學性放大光阻含有三種 成汾：一苯酚醛清漆樹脂，一蜜胺交鏈樹脂及一酸產生 劑= 然而，使用笨酚醛清漆樹脂於化學性放大光阻以形成 S業之方法，於文獻中有討論過（Jour，Vacuum Science Technolgy, VoL B7,1989)，其問題為所形成圖案由於結 合衝脂與交鏈樹脂之吸收性而成為一上寬下窄之形式，特 別是當傳統之G譜線或I譜線光源被置換成準分子雷射時 即會發生此現象。 經濟部智慧財產局8工消费合作社印製 另一種選擇是一正化學性放大光阻（Proc. SPIE. Vol. U62, p32,1 990 )。此化學性放大光阻，有多組成份包 含一酸產生劑及一照光後會與酸反應之化合物，其係為可 與酸產生反應的聚合物。此化合物易被酸分解，主要為一 對短波長範圍有低吸收性之聚合物，諸如聚乙烯苯酚衍生 物。此透明的化學性放大光阻有高敏感度（當光阻反應進 行時一酸催化劑引起連鎖反應）以及優異之解析度。

It 〇等人也於文獻中提出一種含有叔丁氧羰基保護基 團的聚（羥基苯乙烯_)及其綹鹽的一化學性放大光阻 (American Chemical Society，“Polymers in Electronics”, ACS Sym. Series, No.242 )。此外，Ueno等人也於文獻中 提出一種含有聚（對-苯乙烯氧四氫p比喃基）及一酸產生 第7育-_ ____ 本紙張尺度適用中國國家標窣（CNS ) A4規格（210X297公釐） d^539 6 A 7 B7 五、發明説明（） 劑的化學性故大光阻（：36th Japanese Applied PhySicS Society，Book Preview，lp-k-7.1 989 )。再者，三種光阻组 成物亦含有由雙苯酚-A及甲磺酸笨三酯取代苯酚醛清漆 樹脂及叔丁氧碳基群’此係由Schlegel等人於文獻所發表 (37th Japanese Applied Physics Society, Book Preview，28p-ZF-4，1 990 )。與此製造方法有關之技術亦於 曰本專利第 Heisei2-27660號，曰本特開平專利第 Heisei5-232706 號’日本特開平專利第 Heisei5-249683 號’美國專利第4.491，628號及美國專利第5,310,619號中 所損|示。 然而，即使化學性放大光阻有優異之解析特性，若自 曝光微細圖案至曝光後烘烤之間存有曝光後延遲（PED )， 將會因輿基材間反應所產生的足跡（f ο 〇 t i n g )現象而造成 問題。 因而，應用含前述化合物光阻成份需考量到曝光後延 遲（PED )方面之安全，IL亟需一種能應用在聚合物上且 對波長300奈米以下光線具有改良敏感度及解析度之光阻 成组成分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 述概及 的 明發 感 敏 高 線 外 紫 深 對 中 程 製 像 成 影 微 在 了 供 提 明 發 本 阻 ’ 光性 正全 大安 放之 性 學 匕 P ( 之遲 案延 圖 愛 影光 微曝 異加。 優增物 成並成 形，組 上脂阻 片樹光 晶穎之 於新關 可之相 且物供 、 成提 度組及

D 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 445396 A7 B7 五、發明説明（ 本發明之優點及新穎特色一部分將於後文顯示，一部 分對熟悉此領域之人士於檢視内文後成為明顯或經由練 習本發明學習而得。本發明之目的及優點可由本發明申請 專利範圍敘述之設備及組合所實現及獲得。 發明詳細說明： 能應用在化學性放大光阻的新穎樹脂聚合物，可藉由 式1之聚合物、式2之聚合物、式3之聚合物及式4之聚 合物來製造： [式1] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

—(CH

〇 II CH,

CH —C—CH —CH —C—0——C——CH R. R. CH. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 fl,是氯 '溴、羥基、氰基、三級-丁氧基、ch2nh2、 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， r2是氫或曱基，且 X是界於ο. 1至ο. 9間的數值； 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210 X 297公釐） ! ^'445 39 6 A7 五、發明説明（ [式2] 〇H ? CM —C—CH —CH R/-C-0-R '

〇 II

fV CH^ -〇—C—CH, I ' CH, R； 其中 R Ί及R' 2分別是氫或甲基， R’3是曱基、乙基、正-丁基、4-羥基丁基或環己基 R、是氯、溴、羥基、氰基、三級-丁氧基、CH2NH2 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， R、是氫或甲基， X·是界於0.1至0.8間的數值；且 Υ ‘是界於0.1至0.8間的數值； [式3] ---------私-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智-"財產局S工消費合作社印"

本紙張尺度適用中國园家樣準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) 44539 6

AT B7 五'發明説明（） 其中 R ‘ Ί是氯、溴、羥基、氰基、三級-丁氧基' C Η 2 N Η:、 CONH2 ' CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH , R 是氫或甲基， X…是界於0. 1至0.9間的數值：且 η是1或2 ; [式4] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 R·’、及分別是氫或曱基， R’’·；是曱基、乙基、正-丁基、4-羥基丁基或環已基， R…4是氣、溴、經基、氰基、三級-丁氧基、CH2NH2、 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， 是氫或甲基， X ’’’是界於0.1至0.8間的數值；且 Y…是界於0. 1至0.8間的數值；且 η是1或2。 第11頁

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2l〇XW7公釐） 44539 6 Λ 7 Β7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述聚合物之平均分子量界於3.0 0 0至3 0.0 0 0間，且 其分散度（分子量/分子數）界於I . 〇 1至3.0 0間，視其聚合 度而定3 用於本發明之單體取代基在未曝光區域足以抑制顯 影劑的作用，但在已曝光區域，因保護性基團已被移除， 因此該未被遮敞的酸性基即可大幅改變基本顯影劑中光 阻聚合物的溶解度。 本發明聚合物可應用於一光敏性組成物中，該組成物 至少包括 a)至少一或多種選自式1、式2、式3及式4的樹脂； b )光化酸產生劑； c) 溶劑；及 d) 添加物（胺基、表面活性基、抑制劑或促進劑）。 上述 a)項中樹脂的量較好是佔該光敏性组成物重量 百分比的0 . 1 - 5 0 %。 上述b)項中酸產生劑的量較好是佔該光阻重量百分 比的0 . 1 - 5 0 %，且其係為一或多種選自由疏鹽、ί典鹽、N -亞胺磺酸基、二颯基、雙芳香硫醯基二偶氮甲烷、及芳香

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ί〇Χ 297公釐） 4 45 39 6 AT B7 五、發明説明 r

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CHi 0 ch3 il丨 O—C—O—C—CHi ! [ ' ch3 o

c—o 普f CFjS03' 0 [ ch3—c—ch3 1 CHi I !Hi 0—C~O-C—CH、 II I 0 ch3 第13頁 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2?7公釐） Λ4539 6 Λ7 B7 五、發明說明（） 0 CH^ !| 1 Ο —C ~0 ~C ~ΟΗλ CH, 〇 C—0 I 0

0 CH, Ί " 〇—C^O—C—CH-^ I I CH, 普 S CFiS03 ch3—c—ch3 CH,

〇 . < c—o I 0 1 <〇)-

S C5F17SO3 CH, L ： - 0—c—o—c—CH> ：l ： o ch3 CH3—c—cn3 CH,

y ch, 〇-"Cj —〇—C^CH) o ch3 CH^ I 0=c—o—C—CH3 〇 CH3 CHu 0=：C—0—C—€H, i ： ^ 0 ch3

H3

CH ?\/ CH, CH：. ί 〇 SO*. o=c—o—c—ch3 CH^ 0 ch3 1 I 0=C—〇—C^CH, ch3 上述破鹽至少包括下列例子： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

_ _ _ _ _ _ _ fjy ____ _ _ _ _ _ _ J^i 1 ] ] H4 .1.1 ^^1-* I E n ϋ··· I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ch3 j 3 CH3—C—CH3

CH-,

ΟΗλ I CH3——C—CH

CIU 第u頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 45 39 6 A7 B7 五、發明説明（ CH3 CH,—C—CH, I； Η 2 CH-,—C—CM,

CHi

CH. CHi—C—CH-,

! C4FgS03* i+c,Frs〇3

CH3—C—CH3 CH-,

CH3—C—CH3 CHS 述N ·亞胺磺酸鹽至少包括下列例子： 0

0 il N—Ο 一S 〇

N—O—S—C； CH3、严3 〇

—ϋ ..................s :i —Is !!. - --1 -- .....- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f ) 0

N-O—S

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R·

0 0 I! jI S—S il Ιί 0 ο 上述二5風基至少包括下列例子：

R (其中，每一個 R 是 Η、-CH3 或-C(CH3)3) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇'〆297公釐） 4 4539 6 A 7 B7 經濟部智楚財產局員工消費合作社印災 五、發明説明（） 上述雙芳香硫醯基二偶氮甲烷基至少包括下列例

(其中，每一個 R 是 Η、-CH3 或-C(CH3)3)。 上述芳香羰基芳香硫醯基二偶氮甲烷基至少包括下 列ί列子：

(其中，每一個 R 是 Η、-CH3 或-C(CH3)3)。 上述 c)項中溶劑的量較好是佔該光阻重量百分比的 0. 1 - 9 9 %，且其係為一或多種選自由單乙醚乙酸乙二酯、 單甲醚乙酸丙二酯、乙醚乙酸乙酯、乙酸正-丁酯、甲異 丁酮、乳酸乙酯、丙酸3 -乙氧乙酯、丙酸3 -曱氧甲酯、二 乙二醇單乙基醚、2 -庚酮 '二丙酮醇、β -甲氧異丁酸甲酯、 丙二醇單甲基醚、單甲基丙酸丙二酯、乳酸曱酯、乳酸丁 I旨、；瓜茹酸乙酯（ethy 1 pirubate)、及γ - 丁内酯組成之化合 物。 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2tOX 297公釐） I --»-1» - - - In I I I^I -- - - 1 - - —I— "--a (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) 44539 6 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 本發明光阻組成物中也可包括一種可改善未曝光區 域抗溶解性的溶解抑制劑。使用溶解抑制劑可改善對比’ 其係藉由讓未曝光區域與已曝光區域的溶解度差異變大 來達成3該溶解抑制劑添加物係以該聚合物樹脂ΐ的 0.1 - 5 0 %的比例被添加至組成物中。 以下將詳述以本發明光阻组成物來獲致微細圖案的 方法。 當以鹼性溶液來處理晶片基材上由内含本發明聚合 物之光卩且詛成物所形成的一層薄膜時，因共聚物低溶解度 之故’該組成物並不會被溶解。但是，如果係以短波長的 紫外線來照射時，該光阻組成物中的酸產生劑會產生—種 酸’在頭外熱源輔助下可將聚合中對酸不安定的保護基團 分解·再次產生酸。结果，出現一種化學性放大效果，使所 產生的酸啟動了多種分解鏈反應，因此，導致曝光區域中 的聚合物溶解度會大幅上升，使得使用鹼性溶液的顯影劑 中’未曝光區域與已曝光區域溶解度間的差異變大。相較 於前技對G-線、I-線及短波長UV光敏感的光阻而言，此 現象的優點是可大幅提高本發明光阻組成物的解析度。 以下將藉由實施例及對照實施例來說明本發明。 上述範例只為本發明的較佳實施例。然而，太了 μ ^ 仕4、偏離 本發明之基本範疇下仍有許多不同的實施例可據以實 施。而本發明之申請專利範圍則如下所述。 實施例1 第17頁 ltu« 1 It tut* (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 水·

、1T 本紙張尺度遙用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 45 39 6 A7 B7 五、發明説明（） (4-氰化甲基苯乙烯（CyMS)之合成） 將4 9.0 1克的氰化鈉、7 0.0 7克的水及5 0.9 6克的乙醇 於5 00毫升的4-頭圓底燒瓶中混合並攪拌，將混合物於60 3C下加熱至完全溶解。 在混合物中緩緩加入8 7.5 0克的4 -氯化曱基笨乙烯， 繼續攪拌混合物並加熱迴流3小時’之後將其冷卻至40 ΐ以下，並過濾除去反應過程中所形成的氯化鈉。 於冷卻的反應產物中，加入1 〇 〇克二乙醚，並將二乙 醚層分開。 以無水硫酸鎂將該有機層乾燥1天，並以旋風式征發 器將有機溶劑移除》 粗產物為4-氰化甲基苯乙烯，產率為80%。 上述的合成反應係依下列反應式1來進行。 [反應式1 ] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

------ ! 衣 I I —- -- ----1 - - — I

CH2C1

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (4-(1-氰化乙基）苯乙烯（CyES)之合成） 將180毫升的THF(四氫呋喃）及9,75克的氫化鉀 (3 5 %，分散於礦物油中）於5 0 0毫升的4 -頸圓底燒瓶中混 合並欖拌。 將上述1 2 . 1 7克的4-氰化甲基苯乙烯溶於50毫升的 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2!0X297公釐） d4539 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） T H F溶液中，並於丨小時期間將該溶液緩倒入混合物中。 之後加入5,3毫升的碘化甲烷，並讓該反應混合物於室溫 下反應2 4小時= 反應完成後，於產物中加入1〇〇克二乙醚，並將二乙 醚層分開。以3 0 0克的水萃取有機層3次。並以5 0克二 乙醚萃取水層，再將萃取液與有機層合併。 以無水硫酸鎂將該有機層乾燥1天，並以旋風式征發 器將有機溶劑移除。 產物為4-U -氰化乙基）笨乙烯，產率為80%。 上述的合成反應係依下列反應式2來進行。 [反應式2]

ch2cn

(4-2-(2-氰化-4-叔丁氧羰基）丁基）笨乙烯（CBCBS)之 合成） 將62.89克的上述4-(1-氰化乙基）苯乙烯、1.4克的 triton B(40%水溶液），及40克的環氧己烷於500毫升的4 頸圓底燒瓶中混合並攪拌。 於3 0分鐘内將1 02.54克的丙烯叔丁酯緩緩倒入混合 物中，攪拌並讓該反應混合物於室溫下反應2 4小時。 第19瓦 本紙張尺度速用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） n I - n^i - ^-11—i I— 1^/ ^^^1 τ··1-β <請先聞讀背面之注意事項再填寫太頁) U45 39 6 A7 B7 五 、發明说明（ 反應完成後，以氣化氫溶液來中和反應產物，並於已 中和的反應產物中加入 1 0 0 克二乙醚1並將二乙醚層分 聞。以3 0 0克的水萃取有機層3次。並以5 0克二乙謎萃 取水層’再將萃取液與有機層合併。 以無水硫酸鎂將該有機層乾燥1天，並以旋轉式蒸發 器將有機溶劑移除。 以減壓蒸餾法將未反應的單體移除，並以甲醇將產物 再结晶。 產物為淡黃色的CBCBS，產率為80%。 上述的合成反應係依下列反應式3來進行。 [反應式3 ] 0

CHtCHCN c=o ! Ο I CH3—C一CH I CH,

CH

II ch3 3-C-CH1CH2-C-〇-C-CH3 CN CH, ---------"衣------.-1T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財1局S工消費合作社印製 (聚（HS-共-CBCBS)之合成） 將48.65克的4 -乙氧苯乙晞、36.55克的上述CBCBS 及0.98克的AIBN於附有迴流冷凝管及溫度控制器的4. 頸圓底燒瓶中混合並於室溫及氮氣下攪拌3 0分鐘，將混 合物加熱迴流2 4小時。 反應完成後，將其冷卻至室溫，並以3升的己坡將其 沉澱’之後過濾並以2升的己烷清洗數次後真空乾燥。 第20育 本紙張尺度適用中國國家標芈（CNS } A4規格（210 X 297公釐） d 45 39 6 A7 五、發明說明（ 於燒瓶中將乾，麼 ^ ^ 架的聚合物溶於300毫升甲醇中。將50 冗升、2 9 °/。氫氣化炫a ，士士 ’谷液如入聚合物溶液中並於5 0 °C下攪 袢直到聚合物完全溶解。 以1 ‘ 5升的水將| 、 町座物沉澱= 過：慮並以，并沾， ~ 的水清洗數次後於50°C下真空乾燥2 產物為60,48吞 兄的聚（HS-共-CBCBS)聚合物樹脂。 上述的合成反廏& 〜係依下列反應式4來進行。 [反應式4] .^ 0 〇 ch … CH.-C-CHjCH^-Ο-,! J, 天

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=c—CHj CUj T ^ CHj—C —C HjCHi-C—〇 ^C—C Hj CH, CH!

--------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟耶智慧財產局員工消費合作社印製 實施例2-6 (化學性放大樹脂組成物） 將下列式1 a中能被鹼液顯影的聚合物樹脂、式5、式 6、式7或式8中能產生酸的聚合物樹脂將將實施例丨中 的聚（HS -共- CBCBS)聚合物；谷解成如表1中所示的單甲鍵 乙酸丙二酯（PGMEA): 第21頁 ^紙張尺度適用中_家標準（CNS)A4規格(210-297 ^¾) 4 4 5 39 6 A7 B7 五、發明説明（） [式 la]

0 ! I Η OH CH3 —p-CH^CH；-C-〇 CN

[式5]

(请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第22貫 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4规格（210X297公釐）

Λ539 6 Α7 Β7 五、發明説明（ [式Μ [式8] (請先閲讀背命之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 1 0 0。(：下軟烘烤矽晶片9 0秒以產生薄膜’該薄膜厚度如表 1所示。 於上述薄膜中，設定一光罩並以波長248 nm的光照 射，之後於1 1 〇 °C下烘烤該薄膜9 0秒以便活化並啟動化學 性放大去保護作用。 以 2.3 8 %之四甲基氫氧化按溶液來顯影該薄膜6 0 秒，以去離子水清洗並乾燥，可於晶片上產生一微細圖 案。 該微細圖案的相對敏感度及解析度示於表1中。 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） ΛA539 6 A7 B7 五、發明說明（ 對照實施例1及2 以實施例5 -6同樣的步驟來製備其他内含聚（羥基笨 乙矯）區塊與叔丁氧羰基為聚合物基質之光阻組成物及其 微知圖案，以便與本發明光阻作一比輕。 [式9] —{CH2—〒 Η大 CH) CH, 0Η 0—C—0—C—C Η, II I 30 CH, 其中 a是保護程度，其值界於〇. 1 -〇.9間。 ，J'--------訂---------線 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其微細圖案之相對敏感度及解析度示於表1中。 表1 光阻組成4 勿 圖案性質 聚合物 酸產生劑 溶解 薄膜厚度 相對敏感 解析度 類別 (重量比 (重量比 (重量比 (μΐΉ) 度 (μιη) 例） 例） 例） (mj/cm2) 實施例2 式la 式5 PGMEA 0.70 28 0.24 (1〇〇) (5) (550) 實施例3 式la 式6 PGMEA 0.72 32 0.22 (100) (5) (550) 實施例4 式la 式7 PGMEA 0.72 24 0.20 (100) (5) (550) 本纸張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） A7 B7 五、發明説明（) 表丨（繼續） 光阻组成； 勿 圖案性質 聚合物 酸產生劑 溶解 薄摸厚度 相對敏感 解析度 m m (重量比 (重量比 (重量比 (μπι) 度， (μιη) 例） 例） 例） (mj/crtT) 實施例5 式la 式 5 (3) PGMEA 0.70 0.20 (100) 式 8 (2) (550) 實施例6 式la 式 6 (3) PGMEA 0.70 38 0.26 (100) 式 8 (2) (550) 對照 式9 式5 PGMEA 0.74 58 0.48 實施例1 (1〇〇) (5) (550) 對照 式9 式6 PGMEA 0.72 52 · 1 0.45 : 實施例2 (100) (5) (550) 1 ί ------J (其中相對敏感度係最佳能量（EOP)) 3 --- H - ----_—- ! 私— — (诗先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例7 (合成聚（HS-共-EEHS-共- CBCBS)聚合物） 將60克實施例1中的聚（HS-共-CBCBS)聚合物及2〇〇 毫升的THF於附有溫度控制裝置的500毫升4-頌圓底燒 瓶中混合並攪拌溶解。 於混合物中加入1 8克乙基乙烯醚與〇. 5克的對曱笨 績酸單水合物，於2 5 °C下授拌該：昆合物2 4小時。 反應完成後，加入1 〇〇毫升的甲醇將反應物稀釋，並 以4升水將聚合物沉澱出來。 過濾產物，並以4升水清洗後於50°C下進行減壓乾 燥。 產物為62克的聚（HS-共-EEHS-共-CBCBS)聚合物樹 脂。 第25頁 本紙張尺度適用中國國家樓準（CNS ) Λ4规格（2〖〇父297公嫠） 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 4539 6 五、發明説明（ 上述合成係依下列反應式5來進行 [反應式5 ]

OH ¥ 0 CK3 0¾—C—CH^Hi-C—〇—C—CHj CN CH3

^^1 ^^^1 n^i 1 I-11. f ..........ml I ^^^1 1 J. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 實施例8 -1 2 將實施例7中式2a的聚（HS-共-EEHS-共-CBCBS)、 式5、式6、式7或式8的的酸產生劑溶解並製備成單甲 基醚乙酸丙二酯（PGMEA)之化性放大光阻組成物，如表2 所示。 [式 2a]

於2,200 rpm的離心速度下將組成物進行離心-塗覆 第26頁 ______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（2!0'X297公釐） Λ7 B7___ 五、發明説明（） 並於1 0 0 °c下軟烘烤矽晶片9 0秒以產生薄膜，該薄摸厚度 如表 2所示。 於上述薄膜中’設定一光罩並以波長248 nm的光照 射‘之後於1 1 Ot下烘烤該薄膜90秒以便活化並啟動化學 性放大去保護作用。 以 2.3 8 %之四甲基氫氧化按溶液來顯影該薄獏6 0 秒’以去離子水清洗並乾燥，可於晶片上產生一微細圖 案。 該微細圖案的相對敏感度及解析度示於表2 + = 表2 ^阻組成物 | 圖案性質 ; 仍—人丨二 * 丄 / I ~ΓΤΖ \~^ΓΖΤΓ~Ζ.Ζ~~i~~~ 類別 聚合物 (重量比 例） 酸產生劑 (重量比 例） 溶解 (重量比 例） 薄膜厚度 (μη) 相對敏感 度， (mj/cm2) 解析度 (μπί) 實施例8 式2a 式5 PGMEA 0.70 24 0.24 (100) (5) (550) 實施例9 式2a 式6 PGMEA 0.72 38 0.22 (100) (5) (550) 實施例10 式2a 式7 PGMEA 0.72 24 0.22 (1〇〇) (5) (550) 實施例Ϊ1 式2a 式 5 (3) PGMEA 0.72 32 0.20 (1〇〇) 式 8 (2) (550) 實施例12 式2a 式 6 (3) PGMEA 0.72 34 0.20 α〇〇) 式 8 (2) (550) (其中相對敏感度係最佳能量（ΕΟΡ))。 實施例1 3 (合成4-(3 -氰基-二-1,5 -叔丁氧羰基-戊基）苯乙烯聚 合物（CBCPS)) 第27頁 本紙法尺度適用中國國家標準（CNS ) A4it格（2丨0X297公董） (请先間讀背面之注意事項再填寫本買) i '求'

*tT

I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λα 15 39 6 A7 B7 五、發明説明（ 將6 2.8 9克上述實施例1中的4 -氰基甲基笨乙烯、丨.4 克triton B的40%水溶液' 40克環己二烷於附有攪拌子 的5 0 0毫升4 -頸圓底燒瓶中混合並攪拌。 於3 0分鐘内將1 〇 . 5 4克的丙烯叔丁酯一滴滴加入混 合物中，於6〇t下攪拌該混合物24小時。 反應芫成後，以氫氣酸水溶液中和反應並加入〗0 0克 的二乙酿。將二乙it層分開，並以300克水萃取有機層3 次。 以無水硫酸鎂將該有機層乾燥並減壓^乾燥=將未反應 的物質移除’將該有機層真空蒸餾後以甲醇將產物再結 晶。 產物為淡黃色的CBCPS，產率為60%。 上述的合成反應係依下列反應式6來進行。 [反應式6]

---------βII (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 ^§ 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 c=o CH3—(j：—ch3 ch2cn ch；

(合成聚（hs-共-cbcps)聚合物） 將48‘65克的4 -乙醯氧苯乙烯、51.35克的上述CBCPS 及I .25克的AIBN於附有迴流冷凝管及溫度控制器的4_ 第28頁 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4说格（210X29?公釐） t 6 A 7 B7 五、發明説明（） 頸圓底燒瓶中混合並於室溫及氮氣下攪拌3 0分鐘，將混 合物加熱迴流2 4小時。 反應元成度’ 7序其冷卻王室溫’並以3升的己统將其 沉：殿’之後過；慮並以2升的己境清洗數次後真空乾燥。 於燒瓶中將乾燥的聚合物溶於3 0 0毫升甲醇中。將5 0 毫升、2 9 %氫氧化銨溶液加入聚合物溶液中並於5 〇。匚下揽 拌直到聚合物完全溶解。 以I . 5升的水將產物沉遞。過滤並以2升的水清洗數 次後於5 01下真空乾燥2天= 產物為7 0.2 3克的聚（H S -共-C B C P S)聚合物樹脂。 上述的合成反應係依下列反應式7來進行。 [反應式7]

ΝΉ,ΟΗ I i / ίι ., O—c—CH, c4cHiCH3-C—o—C—CH,) 0 CHj HjCH.-C—O-C-CH^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) II - ί fF II n^— -ί - I -- * t 經濟部智慧財產局S工消費合作社印奴 0 cn' -c- CHs CN' CH, 實施例1 4 -1 8 將實施例13中式3a的聚（HS-共-CBCPS)聚合物、式 5、式6、式7或式8中之酸產生劑溶解製成如表3中所示 的單甲謎乙酸丙二酯（p G Μ E A)之化學性放大光阻組成 物0

• ..... —-'t: - :: i — I 本紙伕尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（2l〇xm公釐） 44539 6 A7 B7

五、發明説明（ [式 3aJ

OH

〇- h 於2.200 rpm的離心速度下將組成物旋轉上覆，並於 Ϊ 0 0 C下軟烘烤碎晶片9 0秒以產生薄膜，該薄膜厚度如表 3所示。 於上述薄膜中，設定一光罩並以波長2 4 8 n m的光照 射’之後於11 0 °C下烘烤該薄膜9 0秒以便活化並啟動化學 性放大去保護作用。 以2,3 8 %之四甲基氫氧化銨溶液來顯影該薄膜6 0 秒’以去離子水清洗並乾燥，可於晶片上產生一微細圖 案。 該微細圖案的相對敏感度及解析度示於表3中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) J装.

11T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表3 光阻組成物 圖案性質 類別 聚合物 酸產生劑 溶解 薄膜厚度 相對敏感 解析度 (重量比 (重量比 (重量比 (μη) 度 (μπι) 例） 例） 例） (mj/cm2) 實施例14 式3a 式5 PGMEA 0.72 25 0.24 (1〇〇) (5) (550) 實施例15 式3a 式6 PGMEA 0.72 30 0.22 (100) (5) (550) 實施例16 式3a 式7 PGMEA 0.72 22 0.22 (1〇〇) (5) (550) 第30頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇 >< 2?7公廣） ,44539 6

五、發明説明（ 類別 ! 光卩且組成物 圖案 !聚合物 1 (重量比 丨例） 酸產生劑 (重量比 例） 溶解 (重量比 例） 薄膜厚度 (μ«ι) 相對敏感 度， 7| 式 3a ! (1〇〇) 式 5 (3) 式 8(2) PGMEA (550) 0.73 31 --- 8丨式3a I (loo) 式 6(3) PGMEA 式 8 (2) i (550) 0.72 35 解析度 (μιη) 0.20 -------———— 0.2〇 (其中相對敏感度係最佳能量（Ε0Ρ)) ---------AI — (请先聞讀背ώ之·江意事項-S-填商本買) 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 實施例1 9 (合成聚（HS-共-BHES-共CBCPS)聚合物） 將實施例13中60克的聚（HS-共-CBCPS)聚合物及 200毫升的THF溶於附有溫度控制器的500毫补4·頸圊底 燒瓶中。 加入24克的丁乙烯瞇及〇.5克的對-甲苯磺酸單水合 物，於25 °C下欖拌混合物24小時》 反應完成後’以1 0 0毫升的甲醇將其稀釋，之後以4 升的水將聚合物沉澱。 將產物過濾並以4升的水清洗數次後於5 0 °C下真空 乾燥。 產物為62克的聚（HS-共-BEHS，共CBCPS)聚合物樹 脂。 上述的合成反應係依下列反應式8來進行。 第31頁 本紙張尺度適用中國國家標举{〇奶）八4規格（210/297公蝥> 灯

I A7 B7 五、發明説明（） [反應式8 ]

OH

it rj cH^c H ;-C—〇-<：—〇 h3 CN CH,

將實施例I 9中式4a的聚（HS-共- BEHS-共CBCPS)聚 合物及式5、式6、式7或式8中之酸產生劑溶解製成如 表4中所示的單甲醚乙酸丙二酯（pGMEA)之化學性放大光 阻組成物= [式 4a] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

於2,200 rpm的離心速度下將組成物旋轉上膜，並於 1 〇 〇 °C下軟烘烤矽晶片9 0秒以產生薄膜，該薄膜厚度如表 4所示3 於上述薄膜中，設定一光罩並以波長248 nm的光照 第32頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 4 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 539 6 Λ 7 Β7 五 發明説明（ 射’之後於1 1 03c下烘烤該薄膜90秒以便活化戒敌動 性故大去保護作用。 以2.3 8 %之四甲基氫氧化銨溶液來顯影 秒，以去離子水清洗並乾燥，可於晶片上產生一 案= 該微細圖案的相對敏感度及解析度步於表4中 表4 光阻组成^ h 圖 聚合物 酸產生劑 溶解 薄膜厚度丨 類別 (重量比 (重量比 (重量比 (μηι) 例） 例） 例） 實施洌20 式4a 式5 PGMEA 0.73 ! (100) (5) (550) i 實施例21 式4a 式6 PGMEA 0.72 (100) (5) (550) 實施例22 式4a 式7 PGMEA _ 0.70 (100) (5) (550) 實施例23 式4a 式 5 (3) PGMEA 0.73 (100) 式 8(2) (550) 實施例24 式4a 式 6 (3) PGMEA 0.72 (100) 式 8 (2) (550) 析度 度 1 (mj/cm-) (.其中相對敏感度係最佳能量（EOP))。 化學 该薄模6G 微麵圖 0.20 該化學性放大光阻組成物至少包含可為驗性顯影㈣ 所顯影之聚合物樹脂，該聚合物樹脂係選自式1之化合 物、式2之化合物、式3之化合物及式4之化合物’該化 學性放大光阻組成物可於晶片上形成具絕佳解析度的薄 膜，其係藉由在微影成像製程中對深紫外線反應來達成。 第33頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） n i - --- K^ii - . «^^1 ^^^1 I. /^I —^n « -¾ (请先閱讀背面之Vi意事項存填寫本頁)

Claims (1)

1. 1 . 一種式1的聚合物： [式1] ~(CH2—CH^^^-CCH —CH)t H 〇 Hc Hc 1 1\— c ——R c 1R H one c — ο n c Η Η Ηc \— 0 ΰ 其由 R 1是氯、漠、喪基、氰基、三級-丁氧基、C Η 2 Ν Η 2、 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH)=NH， Rz是氫或甲基，且 X是界於0. i至0.9間的數值》 2. 如申請專利範圍第1項所述之聚合物，其中該聚合物 的平均分子量界於3,000至30,000間，且其分散度界 於1.0 1至3.0 0間。 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財是局員工"費合作社印製 一種式2的聚合物： [式2] —fCHj——CH)p—(CH5—CH)^ 0 Ο CHj—C—CHj—CH —C——0—C—CM R； ! I R/ 第34頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2iOX297公釐） Α8 Β8 C8 L^O 、申請專利範圍 其中 R、及R、分別是氫或曱基， R’3是甲基、乙基、正-丁基'4-羥基丁基或環己基’ R、是氣、溴、羥基、氰基、三級-丁氧基、ch2nh；：、 CONH]、CH = NH、CH(〇H)NH]或 c(〇H)=NH ’ R 5是氫或甲基， x ’是界於0. 1至0.8間的數值；且 y ’是界於0 ·〖至0.8間的數值= 4. 如申請專利範圍第3項所述之聚合物，其中該聚合物 的平均分子量（Mw)界於3.000至30,000間，且其分 散度界於1.01至3.00間。 5 . 一種式3的聚合物： [式3] (请先閱请背面之法意事項存填寫木莨) 、1T 束 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CH， C-icH —CH—C 一0—C—CH R,，， R2，， CH3 CCA 其中 R’’】是氯、溴、經基、氰基、三級-丁氧基、CH2NH2 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(〇H)二NH， 第35頁 本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS ) A4規格（210X297公*) 6 6

   A8 BS cs D8 六、申請專利範圍 R…2是氫或曱基， X η是界於0. 1至0.9間的數值：且 η是1或2。 6. 如申請專利範圍第5項所述之聚合物，其中該聚合物 的平均分子量（Mw)界於3』00至30,000間，且其分 散度界於1.01至3.00間。 7. 一種式4的聚合物： [式4] ^CH—CH^iCH^n ό 6 ! i CH 9 O-R, 其中 R ’ ’ ’ i及R ’ ’ ’ 2分別是氫或甲基， R”’3是甲基 '乙基、正-丁基、4-羥基丁基或環己基， R’’’4是氯、溴、羥基、氰基、三級-丁氧基、CH2NH2、 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， R ’ ’ ’ 5是氫或甲基， X’’’是界於0.1至0.8間的數值；且 Y…是界於0.1至0.8間的數值；且 第36貫 本紙張尺、度適用中國囷家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^------訂------練 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44539 〇 β C8 D8 六、申請專利範圍 η是1或2。 8. 如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中該聚合物 的平均分子量（Mw)界於3,000至30,000間，且其分 散度界於1 .01至3.00間。 9. 一種化性放大光阻組成勿1該組成物至少包括： a)至少一或多種選自式1、式2、式3及式4的聚合 物； [式1] (請先閎讀背面之注意事項再填寫太頁) H o H c c——R H c H 2 c —R OMC c——c——c Η Η Η C LT ο ο 其中 Ri是氣、溴、羥基 '氰基、三級-丁氧基、CH2NH2、 C〇NH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R2是氫或甲基1且 X是界於0.1至0.9間的數值； 第37貰 本紙張尺度逍用中國國家榡準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） 4 45 39 6 8 8 8 8 ABCD 申請專利範圍 [式2] ο CH, CH Q ! !1 CH3 —C—CH3 —CH —c— R；-：-〇-R； R； r5* R； CH R、及R‘：分別是氫或甲基， R’3是甲基、乙基、正-丁基' 4-羥基丁基或環己基 R’4是氯、溴、羥基、氰基、三級-丁氧基、CH2NH2 CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， R ’ 5是氫或甲基， x’是界於0. 1至0.8間的數值， y ’是界於0.1至0.8間的數值； [式3] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   其中 R’’！是氯、溴、羥基、氰基、三級-丁氧基、CH2NH2 ' CONH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， R’’2是氫或甲基， 第33頁 本紙乐尺度適用中國國家榡準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） ----------t-Λ------ΐτ------^ (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 4539 6 六、申請專利範圍 8 8 8 8 ABCD X…是界於0 .丨至0.9間的數值， η是1或2 ;且 [式4] Hch3—^h^K：h3—ch)^h3-~ch)广6 6 6 〇 CHt OH 〇 C"rCH., —C Η —C—0—C—Cri -y. R/"—C—0—R/”L- 0 0¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 R…！及R’·、分別是氫或甲基， R’’‘3是甲基、乙基、正-丁基、4 -羥基丁基或環己 基， R’’％是氯、溴 '羥基、氰基 '三級-丁氣基' CH2NH2、 C〇NH2、CH = NH、CH(OH)NH2 或 C(OH) = NH， R’’’5是氫或甲基， X…是界於0 · 1至0.8間的數值， Y…是界於〇. 1至〇. 8間的數值， η是1或2 ; b) 光化酸產生劑； c) 溶劑；及 d) 添加物。 10.如申請專利範園第9項所述之光阻組成物，其中上述 第39頁 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4说格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 44539 6 六、申請專利範圍 a) 項中的樹脂量較好是佔該組成物重量百分比的0. 1 -5 0%。 11.如申請專利範圍第9項所述之光阻組成物，其中上述 b) 項中酸產生劑的量較好是佔該光阻重量百分比的 0.1-50%。 1 2.如申請專利範圍第9項所述之光卩且組成物，其Φ上述 b)項中酸產生劑係為一或多種選自由硫鹽、碘鹽、N -亞胺績酸基、二i風基、雙芳香硫醯基二偶氮甲烷、及 芳香羰基芳香;^醯基二偶氮甲烷基组成之化合物： 其中上述疏鹽至少包括下列例子： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印聚

   第40頁 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 申請專利範圍

   ◎ OH

   o ch3 II ! Ο_C~~0~C—CH， 】 ί ' ch3

   CK3 0 ch3 A8 B8 C8 D8

   ο

   CH,

   CK3 I Jo—c-o—c—CK3 ；l 1 o ch3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ί 訂 良 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CHj_C-CH

   S CgF^SO) CH, 0 CH3 I! 1〇—c—o—c—ch3 CHa ch3 o=c—o—c—ch3 i \ 0 CH,

   0=0—0 ? ch3—c—ch3 Cll3 CH3

   0=C—0—C—CH-s cn. 〇—C ~~0—C_CHi II i 0 ch3 01Ό 第41百 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） α〇39 6 Μ CS D8 六、申請專利範圍

   上述破鹽至少包括下列例子： CH,—C™CH, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) c\u I ch3—C一ch3

   CH, ch3 ί J

   CII, *1T CH3 ch3一c一c h3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   CHi CH3 J

   CHa ! J Cli]一C—C Hj

   CH, ，and 0'2 頁 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 44539 6 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 上述Ν·亞胺績酸鹽至少包括 〇

   〇 11 Ν-0—S 0 CH· 〇 0

   N —O—S—CH、 ；i _ ο CH,

   ο

   CH, and

   .0 〇 ch3、，ch N—0—S—CH- Ο Ο

   (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f > 且上述二颯基至少包括 Q 0

   (其中，每一個 R 是 H、-CH;或- C(CH3)3) 上述雙芳香硫醯基二偶氮曱烷基至少包括 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R-

   0 N2 0 ϋ II II s—C一 Π il ο ο R CIS (其中，每一個R是Η、-CH3或-C(CH3)3);且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） “ 4 Ο 3 9 6 Β8 C8 D8六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   (其中，每一個 R 是 Η、-CH3 或-C(CH3)3)。 1 3.如申請專利範圍第9項所述之光阻組成物，其中上述 上述c}項+溶劑的量較好是估該光阻重量百分比的 0.1-99% = 14.如申請專利範圍第9項所述之光阻組成物，其中上述 c)項中溶劑係為一或多種選自由單乙酸乙酸乙二 酯、單甲醚乙酸丙二酯、乙醚乙酸乙酯、乙酸正-丁 酯、甲異丁琴、乳酸乙酯 '丙酸3 -乙氧乙酯、丙酸3-甲氧甲酯、二乙二醇單乙基醚、2 -庚酮、二丙酮醇、 β -甲氧異丁酸甲酯、丙二醇單甲基醚、單甲基丙酸丙 二酯 '乳酸甲酯，乳酸丁酯 '派茹酸乙酯（ethyl pirubate)、及γ-丁内醋組成之化合物。 ------------------訂------" (請先閎讀背面之注意事項再填寫太頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4说格（210 X 2?7公嫠）