TW440974B - Connection terminal for semiconductor device and a manufacturing method thereof - Google Patents

Connection terminal for semiconductor device and a manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW440974B
TW440974B TW088102860A TW88102860A TW440974B TW 440974 B TW440974 B TW 440974B TW 088102860 A TW088102860 A TW 088102860A TW 88102860 A TW88102860 A TW 88102860A TW 440974 B TW440974 B TW 440974B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aluminum
electrode
connection terminal
copper
lead
Prior art date
Application number
TW088102860A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Tomikawa
Shogo Hashimoto
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries filed Critical Sumitomo Electric Industries
Application granted granted Critical
Publication of TW440974B publication Critical patent/TW440974B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

4409 74 A7 B7 五、發明説明（f ) [發明所屬的技術領域] 本發明係有關半導體裝置所使用的電極用連接端子。 [習知技術] 現今，廣泛被使用的半導體概K矽（Si)半導體為主。 此種半導體和外部電掻間的連接端子即常被使用特性上 鋁（ΑΠ的撞擊電極◊因為這種電極加工性好，又低罨咀 而特性面特優，且成本上亦頗為有利使然。 從來，作為連接此種矽（Si)半導體元件上的鋁U1)襯 墊電槿和外部端子之方法，雖曾經被講究過各種構造， 但主K使用了將被稱為引線框的獨立金鏖引媒端子和矽 半導體元件上的鋁襯墊電極，Μ金或鋁等網絲連結的銅 綠焊接法。隨著半導體元件的高集成化，因電極數也增 加且備受细分化的緣故，引線端子也變成密集的狀態。 作為上述的對策，改Κ使用並非上述引線框那樣獨立的 電極，而是將在聚釀_亞胺薄片上以蝕刻等所製成之金屬 層引線‘作為端子使用，直接在矽半導體元件上的襯墊電 極連接金屬引線端子之方法。為其一例係日本特開昭62-199022號公報所記載者，乃是在矽元件上所製成的襯墊 電極中聚醯亞胺薄Η的一部分開孔，在該處附上飼製的 撞擊電極，為使飼不生锈而在其表面施加鍍金者。此時 ,若將矽元件上的襯墊電極的厚度比絕緣用鈍化膜（ passivation film)更薄者就可獲得良好结果。 又在日本特開平3-206633號公報，揭示有在引腺不附 加撞擊電極的方法，亦即.矽元件上的鋁襯墊電極係採 -3- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（2!0X2.97公釐） H. I - - n - - I - I1·^- -I II —I— I HI.----- - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4 0 9 7 4 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( >- ) 1 取 了 g 絕 緣 膜 突 出 的 形 狀 〇 所 使 用 的 引 線 取 好 是 飼 或 鋁 1 1 > Μ 茌 引 線 表 面 覆 以 鍍 鋁 層 或 在 .鍍 鎳 曆 上 現 Μ 鍍 鋁 層 1 ! 為 宜 〇 請 1 先 1 按 曰 本 特 開 平 4 - 32 3837 號 公 報 所 記 載 者 並 非 直 接 將 閱 讀 1 •矽 元 件 上 的 襯 墊 電 極 連 接 銅 引 線 » 而 是 嘗 試 介 由 鋁 TCP 背 面 1 I 之 I 電 極 連 接 〇 亦 即 > 由 於 拉 出 電 極 使 用 了 鋁 或 鋁 合 金 的 緣 注 意 重 i 故 9 始 有 可 能 連 接 引 線 和 元 件 之 間 0 此 一 場 合 乃 在 聚 爭 項 I 再 醯 亞 胺 薄 片 預 先 鍍 同 t 且 在 其 上 施 加 鍍 鋁 > 採 取 了 Μ 蝕 填 寫 祕· 本 刻 電 極 部 分 等 在 拉 jlIj 電 極 加 工 的 手 段 〇 頁 1 I 連 接 矽 元 件 的 鋁 襯 墊 電 極 和 引 線 需 要 髙 度 可 靠 性 t 如 1 1 上 述 般 曾 經 講 究 過 各 種 方 法 〇 但 是 t 同 時 也 須 要 較 為 廉 1 I 價 t 所 以 必 須 更 加 —Λ 層 的 研 發 〇 i 訂 [| 莲明擬解決的課題] 1 原 理 上 * 這 雖 是 在 矽 元 件 上 的 鋁 櫬 墊 電 掻 * 和 銅 為 1 | 主 體 的 聚 醯 亞 胺 薄 片 上 所 加 工 的 引 線 之 連 接 > 但 引 線 要 1 J 是 飼 製 時 > 欲 將 飼 和 鋁 襯 墊 加 連 接 9 實 為 困 難 〇 其 理 1 1 由 不 外 為 » 當 連 接 時 加 有 超 波 而 破 壞 鋁 表 面 的 氧 化 膜 〇>: ·· i 雖 使 内 部 活 性 化 的 鋁 和 銅 密 接 始 有 可 能 連 接 > 但 銅 表 \ ! » 面 的 氧 化 膜 因 受 超 音 波 之 破 壊 9 實 為 困 難 使 然 0 於 是 1 ! 1 先 在 飼 引 線 設 罝 撞 擊 電 極 〇 如 前 述 之 習 知 技 術 Alt 就 在 飼 ! 1 撞 擊 施 加 了 鍍 金 〇 如 上 所 述 ， 欲 連 接 矽 元 件 上 鋁 襯 墊 電 1 i 極 和 引 線 » 雖 將 鋁 放 在 引 線 邊 側 為 一 解 決 的 方 法 9 但 為 1 1 要 使 其 連 接 更 加 確 實 t 必 須 充 分 考 慮 引 線 邊 側 的 鋁 1 同 I 1 時 亦 對 於 飼 引 線 和 鋁 撞 擊 電 極 4- 之 界 面 也 須 注 意 〇 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） Λ4097 ^ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) i [為解決_ 课題 β手段] 1 1 本 發 明 乃 是 在 這 種 連 接 部 分 苦 心 研 鑽 * 终 於 诃逢 1 成 可 靠 性 高 的 連 接 條 件 〇 其 條 件 為 * 由 銅 或 銅 合 金 構 成 請 I 先 1 的 引 m 在 與 半 導 體 的 連 接 位 置 持 有 鋁 撞 擊 電 極 9 存 在 閲 讀 1 於 該 由 飼 或 飼 合 金 所 構 成 的 引 線 和 鋁 撞 擊 電 極 間 的 界 面 背 1 I 之 1 之 氧 化 膜 厚 度 為 1C η 1 >λ 下 t 且 形 成 鋁 撞 擊 電 極 的 鋁 中 所 注 意 1 存 在 的 氣 和 碳 之 含 有 量 分 別 為 1 atomic%以下， 爲 其特 徵 〇 拳 項 1 1 再 ,.t 而 且 > 該 鋁 撞 擊 電 .極 若 由 符 合 下 式 的 鋁 構 成 者 9 其 效 f 本 裝 果 會 更 加 確 實 〇 頁 ί 式： 0 · 1 ^ Y/ ( X X R) 10 (kgf / mm 2 · β m) ί [ Y :努普（Rn 0 0 Ρ ) 硬 度 (k g f / w nf ) 1 1 X ：Π 1 1) 配 向 度 (%) ί 訂 R :平均结晶粒徑（ U m ) 1 亦 即 9 鋁 撞 擊 電 極 不 僅 止 於 單 纯 的 Α1 而 已 ， 符 合 上 式 1 1 的 鋁 ί A 1 ) 會 帶 來 良 好 的 連 接 〇 然 而 t 作 為 該 鋁 的 特 性 9 1 乃 使 上 述 Y 值 在 20 Υ 忘 70 , X值在60舍X ,R 值 在 0 . R 的 I 範 圍 * 因 而 1 可 獲 得 更 加 良 好 的 連 接 〇 這 種 撞 擊 電 極 λ I 鋁 厚 為 1 ^ m Μ 上 20 U ιηΜ下的範圍較佳* 1 I 然 而 > 這 些 的 製 造 方 法 乃 是 在 飼 或 銅 合 金 所 構 成 的 引 1 1 m 上 欲 形 成 鋁 電 極 時 1 在 真 空 中 去 除 該 引 線 表 面 的 氧 1 1 化 膜 t 其 後 不 解 除 真 空 而 形 成 鋁 膜 » 使 該 鋁 暝 形 成 條 件 1 1 ， 按 每 一 單 位 時 間 且 每 一 單 位 鋁 膜 形 成 面 積 的 入 射 背 景 1 1 氣 體 之 粒 子 數 > 能 為 入 射 鋁 粒 子 數 的 1/ 10 0以下崔 1 , K i Ι 真 空 度 和 鋁 膜 彤 成 速 度 加 Μ 調 整 為 其 特 微 〇 1 I 5- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） i 440974 A7 B7 五、發明説明（？） 態 彤 施 實 的 明 發 面 剖 I 之 造 構 線 配 體 導 半 的 明 發 本 用 使 示 表 係 圖 1 第 此飼 在3, 2,極 極電 電擊 墊撞 襯鋁 鋁由 了係 置子 設端 圍。 周子 的端 1 的 件明 元發 體本 導了 半接 在連 0 便 例極 圖電 帶 胺6 亞框 醯料 聚材 4,強 線加 引在 製定 金固 合被 飼 9 或劑 结 黏 P 艮 子 端 此 成 構 5 焊 的 接 II 璉 極 電 部 外 和 有 具 7 極 極電 電擊 擊撞 撞鋁 等和 金 2 或極 料電 墊材 JJU ΛΪ 襯強 鋁加 M和 即 1 子件 端元 此將 和 * 11 件 元 導 半 後 之 接 連 被 另 之 造 .構 線 配 揸 As 導 。 半 化的 豊 月 As 一 發 成本 使用 8 使 料示 封表 密係 M圖 6 2 框第 料 子 電 0 襯 鋁 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 帶 胺 亞 醯 1'聚 件至 元 % 體媒 導引 半製 自金 〇 合 圖銅 面或 極同 電相 擊圖 撞1 鋁第 、 與 雖 剖飼但 體 1 導件 半元 於體 位導 7 半 極和 電子 擊端 撞線 等引 金在 或 -料側 焊內 的 2 接極 連電 極墊 電襯 部鋁 外的 和件 是元 从連 加 -8接 料連 封的 密 3 和極 11電 框擊 護撞 保鋁 用和。 再 OJ 子 ，極端 電線 墊引 襯和 Is1. 由件. 彈藉元 填又體 充。導 間定半 之固接 後 之 ο 1 料 性 用 作 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. 電，件 部 元 外體 和導 件半 元的 體用 導使 半被 接泛 連廣 為於 ，對 樣中 那其 載， 記段 所手 術接 技連 3 謹一 知種 習各 如有 極 是 。 的 象合 對適 之最 明然 發雖 本 ， 為料 ，材 段極 手電 接的 連極 之電 極墊 電襯 墊鋁 襯於 鋁接 的連 置為 設作 所 加或 等飼 刻 Μ 独 , 、 說 鍍來 電 性 對導 , 傳 者電 線 Κ 引若 為 ， 作佳 要久 ，所 上有 性等 特性 的 料 鋁焊 但或 ，性 鋁 Η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ 297公釐） 440974 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 (b ) 1 飼 合 金 做 為 引 線 材 料 可 謂 最 適 當 .〇 1 1 但 是 就 有 關 鋁 和 銅 的 連 接 即 因 .界 面 的 狀 況 而 大 受 左 1 1 右 0 尤 其 是 留 在 飼 表 面 的 氧 化 皮 膜 會 m 礙 飼 和 鋁 的 密 貼 請 .1 先 1 性 0 作 為 去 除 處 理 最 好 在 高 度 減 壓 中 或 真 空 中 使 用 惰 閲 讀 1 .性 氣 體 施 加 噴 射 處 理 〇 本 發 明 即 使 用 氣 Ur) 氣 將 飼 表 面 背 Sr 1 1 之 1 加 Μ 噴 射 處 理 而 奏 功 〇 然 而 » 其 後 並 不 解 除 減 壓 或 真 空 注 意 1 » 藉 >λ 繼 鑛 >λ 鋁 蒸 鍍 > 使 飼 表 面 的 氧 化 皮 膜 儘 最 減 少 就 事 項 1 I 再 可 附 加 鋁 撞 擊 電 極 〇 在 此 —- 旦 解 除 減 壓 或 真 空 者 > 由 於 % 本 裝 被 活 性 化 的 銅 表 面 會 立 即 開 始 形 成 氧 化 膜 的 緣 故 > 欲 將 頁 1 1 飼 的 氧 化 皮 膜 抑 制 為 10 n m K 下 者 * 最 重 要 的‘ 是 繼 壤 進 行 I 1 鋁 蒸 鍍 〇 而 且 1 m 的 氧 化 皮 膜 厚 度 乃 藉 由 TEM (透 過 型 電 1 I 子 顯 微 鏡 )觀察銅和鋁界面部分剖面， 測定之< > 1 訂 接 著 t 雖 是 鋁 的 問 題 » 鋁 中 的 雜 質 尤 其 是 氧 或 碳 多， ί 畲 降 低 銅 引 線 和 鋁 撞 擊 電 極 的 密 接 性 » 故 不 太 理 想 〇 為 1 1 使 鋁 撞 擊 電 極 和 飼 引 線 的 連 接. 充 分 具 有 可 靠 性 > 宜 將 鋁 t 1 中 的 雜 質 9 尤 其 是 氧 和 碳 減 少 分 別 將 鋁 中 的 氧 與 碳 的 1 含有量各以 1 atomi ί 以下爲 宜 0 (atomi。％爲 原 子 百 分 :匕 )° 作 I 為 雜 質 計 測 手 段 t 得 奥 格 (A u g er)電子分光法（AES) 1 I 能 量 分 散 型 X 光 線 分 光 法 (EDX)、 2次 離 子 質 量 分 析 法 ( 1 1 SIMS )等如 a諸韵 Ρ估。 1 | 同 時 ， 作 為 鋁 撞 擊 電 極 必 需 有 和 鋁 m 墊 電 極 的 密 结 強 1 i 度 » 為 此 鋁 撞 擊 電 極 中 的 鋁 结 晶 性 與 其 定 向 性 乃 左 右 1 1 其 特 性 t 從 實 驗 结 果 發 現 了 下 的 條 件 〇 1 I 式 ：0 .1 Υ/ (X xR )^ 1 0 ( kg f / mm2 · Μ ,τη 1 1 -7 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） 4 4 0 9 7 4 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( b ) 1 Y :努 普 rM fix 度（k g f / m nf ) I 1 r X :mi)定 旬度 (%) 1 R :平 均 结 晶 粒 徑 ( U H 1 ) ^ 請 ! 先 1 此 式 乃 表 示 欲 與 鋁 襯 墊 電 極 進 行 超 音 波 連 接 之 際 ， 最 閱 讀 1 適 合 的 鋁 撞 擊 電 掻 狀 態 9 做 為 此 種 判 斷 的 標 準 % 努 普 rs 背 © 1 I 之 1 度 定 向 度 及 平 均 結 晶 粒 徑 等 都 有 關 聯 〇 Μ 鋁 撞 擊 電 極 注 意 1 的 特 性 而 言 f 太 ITlftT 硬 者 會 降 低 與 鋁 襯 墊 電 極 的 密 貼 強 度 * 事 項 再 1 j 同 時 1 經 由 鋁 襯 墊 電 極 會 損 傷 半 導 體 元 件 * 從 而 » 其 努 ▲ 寫 本 普 硬 度 >λ 70 (k g f / U irf )K下為宜， 6 0 (k g f / 下 最 好。 頁 s_/ 1 I 就 定 Η 度 而 言 ， 係 用 於 判 斷 鋁 的 .緻 密 充 填 性 者 » 藉 由 1 1 m 密 充 填 而 左 右 已 完 成 的 撞 擊 電 極 表 面 的 氧 化 性 〇 敏 密 1 1 充 填 性 良 好 目P 難 Μ 氧 化 » 對 後 鱭 製 程 的 與 鋁 襯 墊 電 極 間 1 訂 之 超 音 波 連 接 會 帶 給 好 结 果 〇 但 緻 密 充 填 性 低 者 9 就 會 1 降 低 與 鋁 襯 墊 電 掻 間 的 密 貼 強 度 » 不 太 理 想 〇 1 1 此 種 計 測 即 藉 由 X 光 線 的 回 折 求 出 (1 11 )面、 (200 ) 面 1 (220 )面、 (311) 面 等 回 折 頂 峰 的 強 度 (I)-= 再Μ下式 t 1 算 出 〇 X = 1(11 11 / ( 1(11 1) + I (2 00 )+ 1(220) + I (3 11)) Χ100% 1 1 在 此 I ( 11 1) 係 (1 11 )面P ]回if ί頂峰強度， 1(200) I 1 1 (220 卜 I (3 11 )也是同樣。 K (111) 面 的 比 有 60SJM 上 I 者 為 宜 ,70¾ 以 上 者 特 別 好 〇 \ ] I 就 平 均 结 晶 粒 徑 會 影 響 到 焊 接 時 氧 化 膜 的 破 懷 〇 结 晶 1 1 粒 徑 過 小 時 > 當 加 諸 超 音 波 時 表 面 的 氧 化 膜 被 破 壊 * 而 1 1 有 m 現 鋁 新 生 面 的 比 率 會 降 低 8 - 的 傾 向 t 密 貼 強 度 也 會 降 1 1 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ29·7公釐） 7 9
A 明説明發 r五. 是 乃. 斷 判 的 徑 粒 晶 結 且 。 而出 ο 求 佳像 最圖 為察 上觀 Μ 的 "鏡 微 ο顯 Μ子 0 電 低 自 ii 然物 雖出 ，罾 值，1> 數者 之小為 式過定 算值M 計數所 述但 ， 前，率 的度效 合強產 組貼生 性密合 物髙符 些提不 瑄會卽 把越件 ，小條 而越產 然值生 數：的 上 其性 但 未諸 若加 。 *有 想圍畲 理範時 而0W密 低-2S 降1"-極 即在電 度好墊 強最襯 貼度和 密厚極 合極擊 場電撞 的擊鋁 10撞當 於鋁， 大，者 若且~ 值而 數 滿 響20 影過 力超 歷是 的要 件 ， 元且 體而 導。 半想 於理 不 而 傷 損 件 元 模 導 半 給 帶 會 出 漲 鋁 大 增 會 時 接 密 者 的 或 鋁 飼 制 除 抑 去 為。在 更想照 要理按 為為得 。 最 ， 想下者 理以極 K-ymm 而 5 擊 因為撞 原定鋁 的限的 路上態 短厚狀 間紹述 線將上 引宜作 為，製 成出欲 會漲 狀， 空件 真條 或射 壓嗔 減的 持膜 保化 然氧 仍除 ，去 後為 程作 製。 射法 噴方 之的 膜鍍 化蒸 氧鋁 的行 金進 合而 飼態 偏 負 的 V K 幾 至 以 V 百 幾 諸 加 側 逢 板 基 飼 的 被 應 在 好 最 壓 電 /IV 壓 ο ο 1 M 料 底 基 覆 被 將. 更
會 也 者 溫 加 V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 時周 少枓 壓底 電基 的飼 加於 所對 0 時 件大 條壓 的電 好加 更所 為 * 成時 會費 ， 會 氣就 脫層 等化 份氧 水理 進處 促 * -對 。 者大 高加 ，會 時傷 費損 會的 氣料 脫材 者點 低融 度低 溫或 的 料 飼材 。 機 大有 變的 會逢 就周 傷料 損底 的基 圍於 ，及ig 雜、Π 接子模 人端 Η 混線膜 質引鋁 雜的成 免成形 避構自 為所來 -金 * 時合件 膜飼構 鋁或成 成飼形 形由置 壤自裝 繼來體 當行導 進半 分的 充邊 好周 最其 氣 脫 的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210'X 297公釐） 440974 A7 B7 五、發明説明（$〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 後，始予形成鋁膜，Μ該時的條件而言，將對每單位時 間及單位面積的鋁成膜面入射的背.景氣體之粒子數，定 為入射於同一面的鋁粒子之1/100Μ下。如此做的話，就 可抑制鋁中氧及碳各含有最為1 atomic%以下。 鋁的厚度可從成膜速度調整成膜時間就行。 如上所述，按照本發明所製成的連接端子比起從來一 直使用過來的引線端子，其可靠性特髙。 [實腌例] [實_例1]在0.125mm的聚醯亞胺薄片形成藉由無電解 電鍍及硫酸飼電鍍的銅膜，再K蝕刻法製成寬O.lmiB、厚 0.05mm的飼端子。當在此飼端子欲製作鋁撞擊電極之際 ,將飼端孑放進真空室，而排氣至O.OltorrM下之後，藉 K氤（Ar)氣對端子部嗔射而去除飼表面的氧化膜。嗔射 條件為，在緬端子加諸800V的負偏壓，同時以150¾程度 的溫度加Μ維持，時間定為30分鐘。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後；在維持真空狀態下對飼端子覆蓋面罩後，胞加 鋁的蒸鍍。在鋁蒸鍍上，藉Μ電子束蒸鍍將成膜速度調 整為O.lw m/min,屆時背景的真空度_1Χ 下。依據此一條件，入射於鋁成膜面的背景之氧、碳粒 子數和鋁粒子數之比例，至少分別為0.008 Μ下和0.004 Μ下。在此狀態下將鋁蒸鍍了 5wm。將以上的條件加Κ 整理而表示於表1。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 4 4 0 9 7 4 A7 B7 .五、發明説明.（9 ) f-1 τ—1 表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ro Ni ro >*- 爷* ΪΟ )-* ίο C0 Οΐ * * * -OCTJCJl^COfO — OlDQO-^CftfnitkLJtO·-· 試料 Ko 總飼 mm 鍍飼 鍍飼 鍛網 菰篛瀚潴菡瀚靆绿薙葱雜胬篛靆菡2瀚 均脚脚雄雄錄賊職錄脚她她越嫌冰！ttk SQ到越却節到到SQ勃勤题勤動趣题备勤 Di垛子 的素材 O C3 Ο ο η ^ Ο <3 Q (=· Ο Ο 云云云 "τΐ *τ] 云JZ运运云云云云运云运运云云云云沄 Μ'~λ ~r, -Α ^τ\ Ο ^ •^· tel _噴—射條$ _ ώ i C5 Ο ο ο -800 -800 -800 -800 -600 -800 -800 -800 -800 -800 -800 -800 -800 -800 -SOO -800 .-800 -aoo -BOO -800 偏壓 m圧（V〉 —^ ►— CJl νπ Ο Ο .tn tn cn Ο Ο ο cn cn to tn <Λ tn tn Crt «Λ on cri cn tn 〇〇 vi OGOGiOOOOOOOOGQOAO ffi度 CC) Ο Ο OJ CO Ο Ο tJl £j〇t〇tiit〇WC〇t〇C»St〇C〇C^WWt〇H-*rfi. to OOOOOOOOOOOOOOt^OO §1 tn cn «λ cn cn 〇〇tnc〇c*>tntn〇〇〇〇〇〇tncncntn b標厚i (am) AI蒸鍍條件 1 Q-^ 5Χ t Ο"4 <10° 1 〇-s 1 ο-1 - 八八八八八八八 △ σοοοοο^ΟΗ»-1— i-i—Ml·- i L i L L iooooooo t—3 ^-3 I t 1 1 1 I . i j 丨 p> a ck r· ο· 0> Μ V- ·<- 1 : 頁空度 (ΪογΟ h-· Ο卜 ο ο Ο Ο Ο to ^ v t ςηφ»ΟΟΟ0ί0〇Ν>Η-Η-ΟΟ0ΟΟΟ OOC0〇»-*05〇C0〇O〇C0^t0t-*N)*- CQ 蒸鍍速d Cufl/uin) 1 0.08 0. 12 <0, 008 0.02 <0. 004 ΛΡΡΡΛΡΛΡΛΛΛΛΛΛΛΛΛ C2〇〇C^<=30〇C3CPOC^C3〇0000 * r i ►_»· o c~> 〇 c>c>〇oocooo C3 〇 〇 〇〇〇〇〇0〇€=»0 〇〇 do 〇 ς»ο〇σ^-Γ^·^σσ»*-.〇ο Q〇 脚 FF 锔 0·01 0.04 Ρ Λ Λ Ο Ο Q (〇 1 · Ο ο ο <=> — 斗 ΛΛ-°ΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛ CSOOCDCDOOOOOOOC^OO^CS OC3 OOOOOOOOOdl^OOO oo 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 -Λ- r>- p^- »Ek. c? 〇 〇 --· 1-0 f>>- Τ~Λ Λ ¢0 pp. ΟΊ 碳比率 -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫衣頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 440974 Α7 Β7 五、發明説明（ [表2] I. 8 * 19* 2 0» 2 1 * 2 2 * 2 0 <3 <3 <wl <3 ΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛΛ0ΛΛ <0. 2 <0.HI 12 Λ1-1--·ΛωΛ — ΛΛΛΛΛΛΛΛΛ Ρ 〇 ρ ο <= ο 〇 ο ο 〇 ρ ο 鸮龙 | C u I Λ t Φ 3=»-ibfiil«·.鑛 _味 一 .§') j OUInx) <0· <0- <•1 <-°l <0. 1 AO* <0. < <0_ <0 <0. <0 <0. 1 <0. 八a i <0-<0- A 1吾裔 _ (al&) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 1 6 2 .8 2 7 7 7 5 9 0 SM 9-^ 5 7 7 2 -1 9 5 °=3 7 3 °°8 9 0 8 7 5 1 7 5 7払
A 1--) s§ B 9 2 112 3 ? 厶2 办办 5 1 5 0 1» 卬一 3 2 6 2 S3 肛2 办2 5°5 9 2 10 2 6 1
Ai趙崦 is (d/lz) 0 2 0 1 0 1 0 5 A iss(Rm) 2 10 10 1厶 1ω 15 F=§ , e 5 办 2 办 3 5 5 3 2 卬 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 2 2 5 1 8 办 2 5 S 卬 S S S S 0 7 la λ 锻a Ckgi/nm2) χ χ χ χ χ □□□□□〇0〇〇〇〇0〇0〇0〇 闬兰 cuia4J^a Al/A_msi CuJS 屮¾¾¾ Al/Ai^a.lll 截a —屮繼溫 I屮避a CISCU5 繼 s Al/Ais^J 鸛 1¾ s,cuis4J^aΑ1/Λ1雄到班J親 —Its Αι/ΛΙ^ΒΙ®親 Α1/Λ1ίΐ·Ηί^}·^· 1-3^¾Cu/Aisll!一憩 cu/5§j 親 cu/A5a]mL鹡 cu/ai 珠lallij 锞 薄链葙抖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） 440974 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( U ) 1 取 出 此 端 子 而 Μ 超 音 波 接 合 法 使其 與矽 半導 體 曰 归曰 片 上 I ! 的 鋁 襯 墊 電 極 連 接 > 再 Μ 拉 力 (P u 1.1 )強度 判斷 其 連 接 狀 1 1 態 〇 其 接 合 條 件 為 ， 負 載 8 0公 克 (g) 、超音波電力0 * 5 k w /·—、 請 先 1 、 加 電 壓 時 間 0 · 5秒鐘， Μ 下 的 實 胞例 也是 同一 條 件 〇 其 閱 讀 1 .結 果 示 於 表 2 〇 背 面 1 I 之 1 [筲胞例2 ] 注 意 宝 1 在 0 . 100聚醯亞胺薄片辛 1¾结了銅合金（神 戶製 鋼 廠 製 » Ψ 項 1 -.1 製 品 名 ; KLF- 5 1 )箔， 並Μ蝕刻法作為寬C ,1mm ，厚〇 .1 W DI 填 寫 士 寒: 1 I 的 連 接 端 子 〇 將 此 一 端 子 和 實 施 例1同樣放進真空室， 直 本 頁 S—- 到 0 . 01 torr Μ 下 加 Μ 真 空 拉 穩 之 後， 藉使 用’氩 (A r) 氣 對 1 1 端 子 部 噴 射 而 去 除 了 銅 表 面 的 氧 化膜 。此 時的 噴 射 條 件 1 | 為 ♦ 對 m 端 子 加 諸 負 偏 壓 600 V ,雄持為13 ο υ的 溫 度 〇 噴 1 訂 射 時 間 即 定 為 40分 鐘 〇 1 其 後 > m 績 在 1 X 1 0~ 6 torrM下的真空狀態下， 在端 1 I 子 覆 以 面 罩 * 調 整 為 0 . 2 ju m / m in 的速 度進 行鋁 蒸 鍍 〇 此 1 I 時 背 景 的 氣 碳 之 粒 子 數 分 別 相 當於0.4 atomic%以 下 ，0.2 1 ] atomic%:以下 〇 Μ 此 狀 態 進 行 蒸 m 而 將鋁 蒸鍍 了 5 ju m 〇 以 上 . | 的 條 件 和 實 施 例 1 同 樣 表 示 於 表 1 ° Γ 1 與 實 施 例 1 同 樣 i 使 製 成 的 端 子和 矽半 専體 晶 片 上 的 1 1 鋁 襯 墊 電 極 超 音 波 结 合 ，而Μ拉力強度判斷其連接狀態。 1 其 結 果 和 實 施 例 1 同 樣 表 示 於 表 1。 1 (實铺 S例3 17 、 比 較 例 18 22 ),#1 α實施例1同樣使其 1 1 噴 射 條 件 變 化 而 表 1 的 條 件 製 成了 連接 端子 〇 而 且 » 1 | 為 要 變 化 擬 加 蒸 鍍 的 鋁 之 物 性 > 在鋁 含有 氧和 碳 作 為 雜 1 ! 13 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） ^40 97 4 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明说明 ( ) 1 質 °结 果 y 製 成 了 如 表 2 所 示 的 連 接 端 子 〇 1 ! 在表 2 的 結 果 中 判 定 乃 是 9 在 飼 /鋁界面上的剝雜為 1 1 不 合適 而 以 X 表 示 • 其 他 即 判 斷 為 □ 及 0 。最好是採用 y—s 請 1 先 1 拉 力強 度 為 2 Ok ε f / ΪΤ 以 上 而 Μ 0表示的判断條件 0 閱 讀 I [發明S β效果] 背 1 | 之 [ 若依 據 本 發 明 者 > 作 為 裝 載 矽 半 導 體 裝 置 的 連 接 端 子 注 意 [ f 可提 供 —Λ 種 無 論 是 端 子 彼 此 間 的 短 路 ， 或 與 設 置 於 半 Ψ 項 I 再 1 ，J' 導 體元 件 的 概 塾 電 極 間 之 密 接 性 或 連 接 端 子 的 引 線 和 貴 本 裝 撞 擊電 搔 間 之 密 接 性 且 在 襯 墊 電 極 和 撞 擊 電 極 間 之 密 頁 1 I 接 性的 任 何 一 部 分 * 都 有 相 當 可 靠 性 的 連 接 端 子 者 〇 1 1 [_式的簡單說明] 1 I [第1圖] 1 訂 為表 示 使 用 本 發 明 連 接 端 子 —* 例 的 半 m 體 裝 置 之 配 線 I 構 造的 剖 面 圖 〇 1 | [第2圃 ] 1 I 為表 1示 使 用 本 發 明 連 接 ffi 子 之 另 一 例 的 半 導 體 裝 置 之 1 1 配 線構 造 的 剖 面 圖 〇 1 [主要元件的符號說明] J Γ 1 1 . .•半 導 體 元 件 2 · -' 鋁 襯 墊 電 極 1 1 3 . .•鋁 撞 擊 電 極 4 . * * 飼 或 飼 合 金 引 線 ] | 5 . ..聚 m 亞 胺 帶 6 . -* 加 強 材 料 的 框 1 7 . …焊 料 或 金 等 的 撞 擊 電 極 8 . • · 密 封 料 1 1 9 . .粘 结 劑 10 -* 彈 性 料 1 I 11 •.保 護 框 1 1 14 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐）

Claims (1)

  1. ^40974 A8 B8 CS D8
    六、申請專利範圍 第88102860號「半導體裝置用連接端子及其製造方法」 專利案 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (89年12月20日修正） 六、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置用連接端子，乃是用於和半導體元 件連接，其特徵爲；由銅或銅合金構成的引線在和 半導'體連接的位置，具有鋁（A1)撞擊電極，存在於 該銅或銅合金構成的引線、和鋁（A1)撞擊電極間界 面之氧化膜厚爲lOnra以下，且存在於形成鋁（A1)撞 擊電極之鋁（A1)中的氧和碳之含有量，分別各爲1 atomic%以下者，上述鋁（A1)撞擊電極係由可符合下 式的鋁（A1)所構成者： 式：0.1SY/(XxR)客 10(kgf/ram2·从 m) Y:努普硬度（kgf/mm2) X: ( 111)定向度（％) R:平均結晶粒徑（#m)。 經濟部智慧財是局g:工消#合作钍印製 2. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置用連接端子， 其中Y値爲20客Y客70、X値爲60SX，R値爲0.1SR 者。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項的半導體裝置用 連接端子，其中鋁（A1)厚度爲ljum以上20/zra以下 的範圍者。 本紙張尺度通用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X 297公釐）
TW088102860A 1998-03-09 1999-02-25 Connection terminal for semiconductor device and a manufacturing method thereof TW440974B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10056313A JPH11260863A (ja) 1998-03-09 1998-03-09 半導体装置用接続端子とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW440974B true TW440974B (en) 2001-06-16

Family

ID=13023676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088102860A TW440974B (en) 1998-03-09 1999-02-25 Connection terminal for semiconductor device and a manufacturing method thereof

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6060771A (zh)
EP (1) EP0942469A3 (zh)
JP (1) JPH11260863A (zh)
SG (1) SG74127A1 (zh)
TW (1) TW440974B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3695893B2 (ja) * 1996-12-03 2005-09-14 沖電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法および実装方法
JP2001339011A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007220959A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8269321B2 (en) * 2007-08-28 2012-09-18 Broadcom Corporation Low cost lead frame package and method for forming same
US7755261B2 (en) * 2007-10-19 2010-07-13 Seiko Epson Corporation Electronic component, mounting structure thereof, and method for mounting electronic component
FI125526B (fi) * 2008-08-25 2015-11-13 Ge Embedded Electronics Oy Sähköisiä komponentteja sisältävä paketoitu piirilevyrakenne ja menetelmä sähköisiä komponentteja sisältävän paketoidun piirilevyrakenteen valmistamiseksi

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60206054A (ja) * 1984-03-30 1985-10-17 Sumitomo Electric Ind Ltd リ−ドフレ−ム
US4977441A (en) * 1985-12-25 1990-12-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and tape carrier
JPH0719797B2 (ja) * 1986-02-27 1995-03-06 株式会社東芝 半導体装置の実装具
US4714517A (en) * 1986-05-08 1987-12-22 National Semiconductor Corporation Copper cleaning and passivating for tape automated bonding
KR910006967B1 (ko) * 1987-11-18 1991-09-14 가시오 게이상기 가부시기가이샤 반도체 장치의 범프 전극 구조 및 그 형성 방법
US5130781A (en) * 1988-04-15 1992-07-14 Ibm Corporation Dam for lead encapsulation
US4842662A (en) * 1988-06-01 1989-06-27 Hewlett-Packard Company Process for bonding integrated circuit components
JP2653179B2 (ja) * 1989-08-21 1997-09-10 富士電機株式会社 集積回路装置用バンプ電極の製造方法
JP2797542B2 (ja) * 1989-11-06 1998-09-17 ソニー株式会社 リードフレームの製造方法
JPH03206633A (ja) * 1990-01-09 1991-09-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置
JPH04323837A (ja) * 1991-04-24 1992-11-13 Nec Corp 半導体装置
US5132772A (en) * 1991-05-31 1992-07-21 Motorola, Inc. Semiconductor device having tape automated bonding (TAB) leads which facilitate lead bonding
JP3044872B2 (ja) * 1991-09-25 2000-05-22 ソニー株式会社 半導体装置
JP3269171B2 (ja) * 1993-04-08 2002-03-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置およびそれを有した時計
KR960006970B1 (ko) * 1993-05-03 1996-05-25 삼성전자주식회사 필름 캐리어 및 그 제조방법
JP2853516B2 (ja) * 1993-05-25 1999-02-03 ソニー株式会社 リードフレームとその製造方法
JP2531382B2 (ja) * 1994-05-26 1996-09-04 日本電気株式会社 ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法
JP2970491B2 (ja) * 1995-09-20 1999-11-02 ソニー株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG74127A1 (en) 2000-07-18
EP0942469A2 (en) 1999-09-15
US6060771A (en) 2000-05-09
JPH11260863A (ja) 1999-09-24
EP0942469A3 (en) 2000-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7524702B2 (en) Conductor substrate, semiconductor device and production method thereof
TW463349B (en) Lead frame for semiconductor devices
TWI297733B (en) Copper alloy sheet having bendability used for electric and electronic component
TWI275144B (en) Method of manufacturing semiconductor device
TW517334B (en) Method of forming barrier layers for solder bumps
US10535623B2 (en) Wire bonding systems and related methods
JPS60257160A (ja) 半導体装置
TW447055B (en) Lead frame and method for plating the same
WO1998028801A1 (en) Thermoelectric piece and process of making the same
TW440974B (en) Connection terminal for semiconductor device and a manufacturing method thereof
TW201123388A (en) Printed circuit board for semiconductor package and method of manufacturing the same
EP3240022B1 (en) Lid for hermetic sealing, method for producing lid for hermetic sealing, and hermetic electronic package with lid
TW201205695A (en) Bonding wire for semiconductor
US11664335B2 (en) Power semiconductor chip, method for producing a power semiconductor chip, and power semiconductor device
JPH10284667A (ja) 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法
US7432584B2 (en) Leadframe for use in a semiconductor package
JPS6097655A (ja) ボンデイング用ワイヤ
TW201021957A (en) Whisker-free coating structure and method of fabricating the same
JP4400372B2 (ja) 半田付け性、耐食性および耐ホイスカー性に優れるＳｎ系めっき鋼板およびその製造方法
CN112805413A (zh) 导电性材料、成型品以及电子部件
WO2018078784A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4321123B2 (ja) 半田付け性に優れる錫めっき鋼板
JP5637965B2 (ja) リードフレーム用アルミニウム板条及びリードフレーム板条
TW201114954A (en) Method for inhibiting growth of tin whiskers
JPS6218614B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees