JPH04323837A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04323837A JPH04323837A JP3092507A JP9250791A JPH04323837A JP H04323837 A JPH04323837 A JP H04323837A JP 3092507 A JP3092507 A JP 3092507A JP 9250791 A JP9250791 A JP 9250791A JP H04323837 A JPH04323837 A JP H04323837A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- chip
- semiconductor chip
- electrode
- tcp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012356 Product development Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線基板を用い、配線基
板より部分的に突出した引き出し電極（以降ＴＣＰ電極
）に、半導体チップが直接接続した半導体装置に関する
。
板より部分的に突出した引き出し電極（以降ＴＣＰ電極
）に、半導体チップが直接接続した半導体装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図５に示すように
、０．１ｍｍｔ程度のポリイミド系基板１と、ポリイミ
ド系基板１にプリント形成され、Ａｕあるいははんだメ
ッキを施された厚さ２８μｍ程度の銅系配線パターン２
と、その配線パターン２の一部を引き出し電極としてポ
リイミド系基板１より突出させたＴＣＰ電極３と、その
ＴＣＰ電極と接続されるためのＡｕあるいははんだ系バ
ンプ４を、チップ電極５に形成した半導体チップ６とか
ら成る。
、０．１ｍｍｔ程度のポリイミド系基板１と、ポリイミ
ド系基板１にプリント形成され、Ａｕあるいははんだメ
ッキを施された厚さ２８μｍ程度の銅系配線パターン２
と、その配線パターン２の一部を引き出し電極としてポ
リイミド系基板１より突出させたＴＣＰ電極３と、その
ＴＣＰ電極と接続されるためのＡｕあるいははんだ系バ
ンプ４を、チップ電極５に形成した半導体チップ６とか
ら成る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、この種の半導体
装置では半導体チップに特殊なバンプ電極５を形成しな
ければならなかったため、汎用構造であるアルミ電極の
半導体チップが使用できず、広範囲に応用できない、バ
ンプを形成した特殊チップの開発に長期間を要する、特
殊チップが高価である等の欠点があった。
装置では半導体チップに特殊なバンプ電極５を形成しな
ければならなかったため、汎用構造であるアルミ電極の
半導体チップが使用できず、広範囲に応用できない、バ
ンプを形成した特殊チップの開発に長期間を要する、特
殊チップが高価である等の欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
汎用アルミ電極の半導体チップを使用可能とするため、
ＴＣＰ電極部分にアルミあるいはアルミ系配線を用い、
超音波ボンディング法により、半導体チップと接続して
いる。
汎用アルミ電極の半導体チップを使用可能とするため、
ＴＣＰ電極部分にアルミあるいはアルミ系配線を用い、
超音波ボンディング法により、半導体チップと接続して
いる。
【０００５】
【実施例】図１は、本発明の実施例１で、図２は実施例
１に用いられる配線基板の製法例である。先ず、図２か
ら説明する。
１に用いられる配線基板の製法例である。先ず、図２か
ら説明する。
【０００６】アルミ系シート９に銅メッキ１０を施した
配線材料１１あるいは銅系シート１０にアルミメッキ９
を施した配線材料１１を、ポリイミド系基板１に張り合
わせ（図２（ａ））、エッチング法により銅系配線２と
、アルミ系ＴＣＰ電極８を形成して配線基板１２を作る
（図２（ｂ））。
配線材料１１あるいは銅系シート１０にアルミメッキ９
を施した配線材料１１を、ポリイミド系基板１に張り合
わせ（図２（ａ））、エッチング法により銅系配線２と
、アルミ系ＴＣＰ電極８を形成して配線基板１２を作る
（図２（ｂ））。
【０００７】図１は、汎用のアルミ系チップ電極５を有
した半導体チップ６に、図２に示す方法で形成した配線
基板１２のＴＣＰ電極８を超音波ボンディング法により
接続して半導体装置としたものである。
した半導体チップ６に、図２に示す方法で形成した配線
基板１２のＴＣＰ電極８を超音波ボンディング法により
接続して半導体装置としたものである。
【０００８】図３は本発明の実施例２である。図１によ
り説明した実施例１のアルミ系ＴＣＰ電極８と銅系配線
２の一部を切断して引き出し電極１３を形成した構造と
したものである。
り説明した実施例１のアルミ系ＴＣＰ電極８と銅系配線
２の一部を切断して引き出し電極１３を形成した構造と
したものである。
【０００９】図４は本発明の実施例３である。アルミ系
配線７と、アルミ系ＴＣＰ電極８を有する配線基板１２
と、汎用のアルミ系チップ電極５を有した、半導体チッ
プ６より成り、アルミ系チップ電極５とアルミ系ＴＣＰ
電極８を超音波ボンディング法により接続したものであ
る。
配線７と、アルミ系ＴＣＰ電極８を有する配線基板１２
と、汎用のアルミ系チップ電極５を有した、半導体チッ
プ６より成り、アルミ系チップ電極５とアルミ系ＴＣＰ
電極８を超音波ボンディング法により接続したものであ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、ＴＣＰ
電極をアルミあるいはアルミ系電極としたので、一般汎
用品であるアルミ電極の半導体チップを使用することが
できる。これにより、製品開発期間として、専用チップ
の開発期間の３〜６ケ月と、その開発費が不要となるこ
とと、半導体チップ単価が、従来の５０％程度になる効
果がある。
電極をアルミあるいはアルミ系電極としたので、一般汎
用品であるアルミ電極の半導体チップを使用することが
できる。これにより、製品開発期間として、専用チップ
の開発期間の３〜６ケ月と、その開発費が不要となるこ
とと、半導体チップ単価が、従来の５０％程度になる効
果がある。
【図１】本発明の実施例１の概略図。
【図２】図１に示した配線基板の製法例を示す図。
【図３】本発明の実施例２を示す図。
【図４】本発明の実施例３を示す図。
【図５】従来の構造例を示す図。
１ ポリイミド系基板
２ 銅系配線パターン
３ 銅系ＴＣＰ電極
４ バンプ
５ チップ電極
６ 半導体チップ
７ アルミ系配線パターン
８ アルミ系ＴＣＰ電極
９ アルミ系シート材料又はメッキ１０
銅系メッキ又はシート基板１１ 配線材料 １２ 配線基板 １３ 引き出し電極
銅系メッキ又はシート基板１１ 配線材料 １２ 配線基板 １３ 引き出し電極
Claims (1)
- 【請求項１】 配線基板と、該配線基板より部分的に
突出した導体で成る引き出し電極に接続した半導体チッ
プとから成る半導体装置において、前記引き出し電極が
アルミあるいはアルミ合金であることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092507A JPH04323837A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092507A JPH04323837A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323837A true JPH04323837A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14056228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3092507A Pending JPH04323837A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04323837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060771A (en) * | 1998-03-09 | 2000-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Connecting lead for semiconductor devices and method for fabricating the lead |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344177A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Seiko Epson Corp | Production of semiconductor integrated circuit support body |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3092507A patent/JPH04323837A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344177A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Seiko Epson Corp | Production of semiconductor integrated circuit support body |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060771A (en) * | 1998-03-09 | 2000-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Connecting lead for semiconductor devices and method for fabricating the lead |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961203 |