TW439100B - Vacuum film forming device - Google Patents
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Description
A7 43 bl 〇〇 _B7____ 五、發明說明(I ) 〔本發明所屬之技術領域〕 本發明係有關於一種在真空中,將液晶用薄膜等之各 種薄膜,利用濺射、CVD法等的成膜方法,對基板加以 •成膜之真空成膜裝置。 〔習知技術] 習知以此種真空成膜裝置爲代表的,據知,例如第1 圖所示之單片式濺射裝置。該裝置係在略六角形的真空搬 送室a的周圍設有:令玻璃基板等之基板b進出的兩室之 裝入取出室c、d、和具備有加熱基板b的加熱手段之加 熱室e'和對基板b施行蝕刻或濺射等之成膜處理的真空 處理室f、g 1 h,利用設在該搬送室a內部的搬送腕i •從裝入取出室c或d,取出備放在這的基板b,將之搬 入加熱室e。針對該加熱室e,將之加熱到目的溫度之中 ,以該搬搬送腕i送至真室處理室f、g、h,在該些室 內,對該基板b施行成膜,以該搬送腕i送回裝入取出室 c或d,將之冷卻到預定溫度即可取出大氣中。 〔本發明欲解決之課題〕 習知之真空成膜裝置是設備獨立的加熱室,整個成膜 裝置相當大,裝置價格很貴不理想。且由於需要將基板搬 出該加熱室的時間與加熱的時間,因此節奏變慢,具生產 性差的缺點a 本發明之目的在於提供一小型而能廉價製造之生產性 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4- <請先W讀背面之注意ί項再瑱寫本頁) 裝 ---- I--訂------線 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印契 4391 00 A7 _____B7 _.一五、發明說明G ) 優的真空成膜裝匱。 〔用以解決課題之手段〕 ' 本發明乃於具備有對基板施行成膜處理之真空處理室 、和具備有冷卻該基板的冷卻手段及排氣手段,將基板從 大氣壓的外部搬送搬入該真空處理室內的裝入取出室之真 空成膜裝置中,利用在該裝入取出室設置基板加熱手段, 來達成上述目的。此目的可藉由在該裝入取出室的內部下 方設有以被控制在低溫的面板所製成之冷卻手段,同時在 該內部的上方設置一具備有與該冷卻手段保持間隔而相對 的加熱板之基板加熱手段,還設有將被搬入該間隔的基板 移動到接近或接觸該加熱板之位置與浮起位置之昇降裝置 的構成,或是藉由將該裝入取出室的內部分隔成兩室,於 其中一分隔室內設有以被控制低溫的面板所製成之冷卻手 段,另一分隔室內爲設有基板加熱手段的構成更確實的達 V 成。甚至上述目的也能以在其內部具備有流體通路的面板 來構成該冷卻手段,令加熱流體流通至該流體通路而作爲 基板加熱手段來達成。 〔本發明之實施形態〕 根據所附的圖面來說明本發明之實施形態,於第2圖 中表示符號1爲具有六角形的平面形狀之真空成膜裝置的 搬送室1符號2及3係爲隔著閥4而連設在該搬送室1的 側面之.袭入取出室,符號5至8係爲隔著閥4而連設在該’ I— II 111 n I 11 I!11· !—^ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) -5- 經濟部智慧財產局錢工消费合作社印製 〇〇、: 43扪 0〇 - ’ A7 ___B7_五、發明說明㊁) 搬送室1的另一側面之成膜用蝕刻裝置或是收容濺射裝置 等之公知的成膜裝置之真空處理室。該些處理室係利用真 空幫浦排成適當的壓力,於該搬送室1內設置具有關節的 ‘昇降伸縮自如之搬送腕9。 各裝入取出室2,3係設有一供施行成膜處理的基板 1 0,從室內進出大氣中之開口 11、和供基板從室內進 出搬送室1之開口 12,如第3圖所示,各處理室下方的 底面則是將加熱板的板面向著上方來固定以冷卻板1 3 a 所製成之接接或接觸式的冷卻手段1 3,在其室內的上方 則是以支柱1 8來固定以鹵素燈1 4與反射器1 5及加熱 板1 6所構成之基板加熱手段1 7。各開口 1 1、1 2可 分別藉由關閉閥4造成密閉,其內部則是藉由從真空排氣 口 3 1連繫在真空幫浦的真空排氣手段、和因洩漏閥引起 導入大氣,來控制真空壓與大氣壓。 該冷卻板1 3 a的板面與該加熱板1 6的板面,是隔 V.. 著間隔1 9而互相相對之,該基板1 〇則是通過開口 1 1 或1 2,利用搬送腕9或利用公知的裝載裝置(圖未表示 )搬出搬入該間隔1 9。該冷卻板1 3 a的板面設有利用 爲了搬送基板1〇之交付和供基板1〇做溫度調整之出沒 自如的針腳所形成之昇降裝置2 1 ,當往該間隔1 9搬入 放置在搬送腕9或裝載裝置的基板1 〇的時候,該昇降裝 置2 1會上昇,將基板1 0從搬送腕9等抬起來,交付到 浮起位置,該搬送腕9等退去後,該昇降裝置2 1會做昇 降,而讓基板1 0位於接觸到冷卻板1 3 a的位置或者是 (請先閱讀背面之注意事項再滇寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS>A4規格(210 * 297公釐> 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印$ 43 91 0 0 A7 _______ B7___五、發明說明θ ) 接近加熱.板1 6例如數mm的位置,來調節基板溫度。此 溫度調節結束時’該昇降裝置2 1會做昇降,將基板1 〇 送向搬送腕9或裝載裝置,利用該搬送腕9等將基板1 〇 _取出搬送室1或外部的大氣中。假設該基板i 〇或形成在 該基板1 0的膜因急冷等而受到損壞的場合,則是將基板 1 0接近冷卻板1 3 a,非此場合即令之接觸而予冷卻。 該基板1 0係在真空成膜前,加熱到例如2 5 0 °C左 右的預定溫度’於其成膜後,例如冷卻到5 0 °C左右而取 出大氣中。此外,當該基板1 〇從大氣壓的外部搬入該裝 入取出室2、3時’該裝入取出室2、3會從大氣壓被排 氣到真空壓。於本發明中,則是藉由設在該裝入取出室2 、3的基板加熱手段1 7,利用從大氣壓排氣到真空壓的 時間來進行該基板10的加熱,在該裝入取出室2、3內 ,將加熱到預定溫度的基板1 0,利用搬送腕9直接搬入 真空處理室5等,來施行成膜處理,就能小型地構成不需 • I (.· 要供基板10加熱的獨立室之真空成膜裝置•必要時可增 設如圖所示的真空處理室。 當基板10從大氣壓的外部被搬入第3圖所構成的裝 入取出室2、3時,可利用昇降裝置2 1讓基板1 0上昇 到浮起位置3 0,一邊作動加熱手段1 7 _邊密閉該裝入 取出室2、3,使之從大氣壓排氣到真空壓,在該基板 1 0成爲預定溫度之後,該昇降裝置2 1會下降,且通過 開口而載置在進入室內的搬送腕9上,該搬送腕9會將基 板1 0運往進行最初成膜工程的處理室5 »之後,隨著成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4规格<210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印紫 ^ ώ ^ ί 0 0 Α7 ____ B7 ___五、發明說明$ ) 膜工程的搬送腕9則從該處理室5搬送到其他的處理室, 於成膜結束時,將基板1 0送回該裝入取出室2、3。結 束成膜的基板1 0爲高溫的緣故,因此加以冷卻而取出大 •氣中,但其冷卻的緣故,該昇降裝置2 1從搬送腕9接收 基板1 0而予以下降後,會令基板1 0接觸到冷卻手段 1 3,使之降到預定溫度時,該昇降裝置2 1爲了將基板 1 0交至裝載裝置而予以上昇,該裝入取出室2、3成爲 大氣壓後,該裝載裝置則進入室內,將結束成膜的基板 1 0搬出大氣中》 第4圖及第5圖所示之例,爲只具備有一室的真空處 理室2 2的真室成膜裝置之例,此場合係通過搬送室1, 將該處理室2 2連設到一室的裝入取出室2 3,將該裝入 取出室2 3的內部,如第6圖所示,隔成裝入區域2 3 a 與取出區域2 3 b,且製成在裝入區域2 3 a設置加熱手 段1 7之同時,在取出區域2 3 b設置用以擋住基板1 〇 v_: 的支柱2 4。在該裝入取出室2 3連接一具備有自由昇降 旋轉的輸送帶之公知的裝載裝置2 5,令基板1 0從設在 該裝載裝置2 5側邊的儲備台2 6,用搬送腕9送入處理 室2 2,將成膜的基板1 0送到另一邊的儲備台2 7上。 第7圖所示的裝入取出室2 3係爲一具備有設有流體 通路2 8之面板2 9者,以流到該流體通路2 8的流體作 爲加熱流體或低溫流體,來控制溫度,有助於加熱與冷卻 接觸或靠近該面板2 0的基板1 0 3 -------- _ 袭!| 訂!!線. (靖先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用尹0國家標準(CNS>A4规格(210 * 297公釐) -8 - 4 3 91 〇〇 A7 ____B7___ 五、發明說明@ ) 〔本發明之效果〕 · 如以上所述,當按本發明時,因在具備有冷卻施行成 膜處理的基板之冷卻手段及排氣手段之真空成膜裝置的裝 .入取出室’設置基板加熱手段,所以能利用將裝入取出室 排成真空的時間來加熱施行成膜之際的基板,縮短節奏時 間’提高生產性,且因不需要供其加熱的獨立室,因此能 以小型且廉價的來製造成膜裝置,必要時具有可增設成膜 處理室等之效果。 〔圖面之簡單說明] 第1圖係習知真空成膜裝置之整體平面圖。 第2圖係表示本發明之實施形7之要部平面圖。 第3圖係第2圖之3 - 3線部分之放大斷面圖。 第4圖係表示本發明之另一實施形態之立體圖。 第5圖係第4圖之平面圖》 V _ 第6圖係第4圖之6 - 6線部分之放大斷面圖。 第7圖係表示本發明之又另一實施形態之斷面圖。 〔符號之說明〕 1 搬送室 2、3 裝入取出室 5〜8 真空處理室 10 基板 13 冷卻手段 13a 冷卻面板 16 加熱面板 17 基板加熱手段 19 間隔 2 1 昇降裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- {請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝! —訂! 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 MOO A7 B7 五、發明說明f ) 2 3 a ί、2 3 b 區域 2 8 流體通路 2 9 面板 3 0 浮起位置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用+國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) -10 -
Claims (1)
- οο A8B8C8DS 六、申請專利範团 1 ·—種真空成膜裝置,乃於具備有對基板施行成膜 處理之真空處理室、和具備有冷卻該基板的冷卻手段及排 氣手段,將基板從大氣壓的外部搬送搬入該真空處理室內 的裝入取出室之真空成膜裝置中,其特徵爲:在該裝入取 出室設置基板加熱手段。 2 .如申請專利範圍第1項所述之真空成膜裝置,其 中,在裝入取出室的內部下方設有以被控制在低溫的面板 所製成之冷卻手段,同時在該內部的上方設置一具備有與 該冷卻手段保持間隔而相對的加熱板之基板加熱手段,還 設有將被搬入該間隔的基板移動到接近或接觸該面板之位 置與浮起位置之昇降裝置《 3. 如申請專利範圍第1項所述之真空成膜裝置,其 中,將裝入取出室的內部分隔成兩室,於其中一分隔室內 設有以被控制在低溫的面板所製成之冷卻手段,在另一分 隔室內設有基板加熱手段。 4. 如申請專利範圍第1項所述之真空成膜裝置,其 中|在其內部以具備有流體通路的面板來構成上述冷卻手 段,令加熱流體流通至該流體通路來做成基板加熱手段。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 x 297公釐) · 11 - ____ _ - - - -_____ (锖先《讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂· 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28962498A JP3844608B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 真空成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW439100B true TW439100B (en) | 2001-06-07 |
Family
ID=17745653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088117608A TW439100B (en) | 1998-10-12 | 1999-10-12 | Vacuum film forming device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3844608B2 (zh) |
KR (1) | KR100508744B1 (zh) |
TW (1) | TW439100B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110616406A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-12-27 | 爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司 | 磁控溅射镀膜机 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5021112B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2012-09-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
JP6024372B2 (ja) | 2012-10-12 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | 基板処理装置および基板処理チャンバモジュール |
KR102226624B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2021-03-12 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-10-12 JP JP28962498A patent/JP3844608B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-11 KR KR10-1999-0043798A patent/KR100508744B1/ko active IP Right Grant
- 1999-10-12 TW TW088117608A patent/TW439100B/zh not_active IP Right Cessation
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CN110616406A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-12-27 | 爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司 | 磁控溅射镀膜机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000119848A (ja) | 2000-04-25 |
JP3844608B2 (ja) | 2006-11-15 |
KR20000028980A (ko) | 2000-05-25 |
KR100508744B1 (ko) | 2005-08-17 |
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